CN110010639B - 发光装置以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光装置，该发光装置在基体上形成有：第1发光元件以及第2发光元件，其具有使来自发光功能层的射出光在夹着上述发光功能层的反射层与半透光反射层之间共振的共振结构；以及像素定义层，其在上述反射层与上述半透光反射层之间用绝缘材料形成，且形成有与上述第1发光元件以及上述第2发光元件的各个对应的开口部。上述第1发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第1间隔与上述第2发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第2间隔不同。上述像素定义层的膜厚小于上述第1间隔与上述第2间隔的差量。

Description

发光装置以及电子设备
本申请是申请号为201410290988X、申请日为2014年6月25日、发明名称为“发光装置以及电子设备”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及例如利用了有机EL材料等发光材料的发光装置。
背景技术
以往提出了在基板上平面状地排列了例如利用了有机EL材料的发光元件的发光装置作为各种电子设备的显示装置。专利文献1公开了在周围形成了围堰(bank)的区域形成发光元件的发光装置。具体而言，在基板的面上按照每个像素独立地形成的第1电极(阳极)的周围形成有围堰，在围堰所包围的区域形成有发光层，并遍及基板的整个区域形成有覆盖发光层和围堰的第2电极(阴极)。在各发光元件形成有使来自发光层的射出光在反射层与半透光反射层(第2电极)之间共振的共振结构。共振结构的共振波长根据在反射层与半透光反射层之间形成的光路长调整层的膜厚按照各像素的显示颜色独立地设定。
专利文献：日本特开2010－56017号公报
在专利文献1的技术中，按照与不同的显示颜色对应的每个像素而反射层与半透光反射层之间的光路长调整层的膜厚不同，所以在与光路长调整层相比形成于上层的各层产生起因于光路长调整层的膜厚的不同的阶梯差。另外，在专利文献1的技术中，在基板上形成有围堰的区域和与各发光元件对应地除去了围堰的区域(例如发光区域)之间，产生与围堰的膜厚对应的阶梯差。各层的阶梯差能够成为例如导电层的断开、短路等成膜不良的原因。
发明内容
考虑以上的情况，本发明的目的在于降低发光装置中各层的阶梯差。
为了解决以上的课题，本发明的发光装置在基体上形成有：第1发光元件以及第2发光元件，其具有使来自发光功能层的射出光在夹着发光功能层的反射层与半透光反射层之间共振的共振结构；以及像素定义层，其在反射层与半透光反射层之间用绝缘材料形成，且形成有与第1发光元件以及第2发光元件的各个对应的开口部，第1发光元件中的反射层以及半透光反射层的第1间隔与第2发光元件中的反射层以及半透光反射层的第2间隔不同，且像素定义层的膜厚小于第1间隔与第2间隔的差量。根据以上的构成，像素定义层的膜厚小于第1间隔与第2间隔的差量，所以能够降低起因于像素定义层的膜厚的各层的阶梯差。
此外，在各发光元件形成有使来自发光功能层的射出光在反射层与半透光反射层之间共振的共振结构，并且，在反射层与半透光反射层之间形成有具有与各发光元件对应的开口部的像素定义层的构成中，像素定义层的开口部的内周面的附近的区域的反射层与半透光反射层的间隔因像素定义层的膜厚的影响而与目标的间隔(与显示颜色对应的共振长度)不同，结果有感知到与所期望的显示颜色不同的显示颜色的可能性。在上述的优选的方式中，像素定义层的膜厚小于第1间隔与第2间隔的差量。因此，与像素定义层的膜厚大于第1间隔与第2间隔的差量的构成相比较，有像素定义层给予像素定义层的开口部的内周面的附近的区域的反射层与半透光反射层的间隔的影响降低这样的优点。
在本发明的优选的方式中，发光装置具备覆盖第1发光元件以及第2发光元件的密封层，且密封层的膜厚大于第1间隔与第2间隔的差量。在以上的方式中，以大于第1间隔与第2间隔的差量的膜厚形成密封层，所以有能够在密封层的表面有效地降低起因于各发光元件的共振长度的不同的阶梯差这样的优点。第1发光元件以及第2发光元件的各个包括第1电极、从第1电极观察位于与基体相反的一侧并且作为半透光反射层发挥作用的第2电极、以及位于第1电极与第2电极之间的发光功能层的构成中，密封层是直接与第2电极的表面接触的绝缘层(例如第1密封层71)。
以上的各方式的发光装置例如作为显示装置利用于各种电子设备。具体而言，头戴式显示装置、摄像装置的电子取景器等能够作为本发明的电子设备的优选例来进行例示，但本发明的应用范围并不限定于以上的例示。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式的发光装置的俯视图。
图2是像素的电路图。
图3是发光装置的剖视图。
图4是发光装置的剖视图。
图5是在基板上形成的各要素的说明图。
图6是在基板上形成的各要素的说明图。
图7是在基板上形成的各要素的说明图。
图8是在基板上形成的各要素的说明图。
图9是在基板上形成的各要素的说明图。
图10是第1电源导电体以及第2电源导电体的示意图。
图11是在基板上形成的各要素的说明图。
图12是在基板上形成的各要素的说明图。
图13是在基板上形成的各要素的说明图。
图14是在基板上形成的各要素的说明图。
图15是着眼于光路调整层的各显示像素的剖视图。
图16是着眼于像素定义层的开口部的内周面的各显示像素的剖视图。
图17是密封体的第2密封层的说明图。
图18是着眼于第2实施方式的光路调整层的各显示像素的剖视图。
图19是第3实施方式的发光装置的俯视图。
图20是作为电子设备的一个例子的头戴式显示装置的示意图。
具体实施方式
第1实施方式
图1是本发明的第1实施方式所涉及的发光装置100的俯视图。第1实施方式的发光装置100是在基板10的面上形成利用了有机EL材料的发光元件的有机EL装置。基板10是由硅(Si)等半导电体材料形成的板状部件(半导电体基板)，作为形成多个发光元件的基体(基底)利用。如图1所例示，基板10的表面区分为第1区域12和第2区域14。第1区域12是矩形形状的区域，第2区域14是包围第1区域12的矩形框状的区域。
在第1区域12形成有向X方向延伸的多个扫描线22、与各扫描线22对应地向X方向延伸的多个控制线24、以及向与X方向交叉的Y方向延伸的多个信号线26。与多个扫描线22和多个信号线26的各交叉对应地形成有像素P(PD、PE)。因此，多个像素P遍及X方向以及Y方向排列成矩阵状。
在第2区域14设置有驱动电路30、多个安装端子36以及护圈38。驱动电路30是驱动各像素P的电路，构成为包括设置于在X方向夹着第1区域12的各位置的两个扫描线驱动电路32、和设置于第2区域14中向X方向延伸的区域的信号线驱动电路34。多个安装端子36夹着信号线驱动电路34形成在与第1区域12相反的一侧的区域内，经由与基板10接合的可挠性的布线基板(省略图示)与控制电路、电源电路等外部电路(例如安装在布线基板上的电子电路)电连接。
第1实施方式的发光装置100通过与多个基板10相当的尺寸的原基板的切割(划线)一并形成多个。图1的护圈38防止原基板的切割时的冲击、静电的影响波及驱动电路30或者各像素P、水分从各基板10的端面(原基板的切割面)侵入。如图1所例示，护圈38形成为包围驱动电路30、多个安装端子36以及第1区域12的环状(矩形框状)。
图1的第1区域12区分为显示区域16和周边区域18。显示区域16是通过各像素P的驱动而实际显示图像的区域。周边区域18是包围显示区域16的矩形框状的区域，配置有结构与显示区域16内的各像素P类似但实际上对图像的显示无贡献的像素P(以下称为“虚拟像素PD”)。从使与周边区域18内的虚拟像素PD的标记上的区别明确化的观点来看，在以下的说明中，有时为了方便将显示区域16内的像素P标记为“显示像素PE”。显示像素PE是成为发光的最小单位的要素。
图2是位于显示区域16内的各显示像素PE的电路图。如图2所例示，显示像素PE构成为包括发光元件45、驱动晶体管TDR、发光控制晶体管TEL、选择晶体管TSL以及电容元件C。此外，在第1实施方式中，显示像素PE的各晶体管T(TDR、TEL、TSL)是P沟道型，但也能够利用N沟道型的晶体管。
发光元件45是使包含有机EL材料的发光层的发光功能层46夹设在第1电极(阳极)E1与第2电极(阴极)E2之间的电光学元件。第1电极E1按照每个显示像素PE独立地形成，第2电极E2遍及多个像素P连续。如根据图2所理解的，发光元件45配置在连结第1电源导电体41与第2电源导电体42的路径上。第1电源导电体41是供给高位侧的电源电位VEL的电源布线，第2电源导电体42是供给低位侧的电源电位(例如接地电位)VCT的电源布线。
驱动晶体管TDR与发光控制晶体管TEL在连结第1电源导电体41和第2电源导电体42的路径上相对于发光元件45以串联的方式配置。具体而言，驱动晶体管TDR的一对电流端中的一个(源极)与第1电源导电体41连接。发光控制晶体管TEL作为控制驱动晶体管TDR的一对电流端中的另一个(漏极)与发光元件45的第1电极E1的导通状态(导通/非导通)的开关发挥作用。驱动晶体管TDR生成与自身的栅极-源极间的电压对应的电流量的驱动电流。在发光控制晶体管TEL被控制为导通状态的状态下，驱动电流从驱动晶体管TDR经由发光控制晶体管TEL供给至发光元件45从而发光元件45以与驱动电流的电流量对应的亮度发光，在发光控制晶体管TEL被控制为截止状态的状态下，遮断了对发光元件45的驱动电流的供给从而发光元件45熄灭。发光控制晶体管TEL的栅极与控制线24连接。
图2的选择晶体管TSL作为控制信号线26和驱动晶体管TDR的栅极的导通状态(导通/非导通)的开关发挥作用。选择晶体管TSL的栅极与扫描线22连接。另外，电容元件C是在第1电极C1和第2电极C2之间夹有电介质的静电电容。第1电极C1与驱动晶体管TDR的栅极连接，第2电极C2与第1电源导电体41(驱动晶体管TDR的源极)连接。因此，电容元件C保持驱动晶体管TDR的栅极-源极间的电压。
信号线驱动电路34在每个写入期间(水平扫描期间)对多个信号线26并列地供给与从外部电路供给的图像信号指定给每个显示像素PE的灰度对应的灰度电位(数据信号)。另一方面，各扫描线驱动电路32通过向各扫描线22供给扫描信号在每个写入期间依次选择多个扫描线22的各个。与扫描线驱动电路32选择的扫描线22对应的各显示像素PE的选择晶体管TSL移至导通状态。因此，在各显示像素PE的驱动晶体管TDR的栅极经由信号线26和选择晶体管TSL被供给灰度电位，在电容元件C保持有与灰度电位对应的电压。另一方面，若写入期间的扫描线22的选择结束，则各扫描线驱动电路32通过向各控制线24供给控制信号来控制与该控制线24对应的各显示像素PE的发光控制晶体管TEL为导通状态。因此，与在之前的写入期间电容元件C所保持的电压对应的驱动电流从驱动晶体管TDR经由发光控制晶体管TEL供给至发光元件45。如以上那样各发光元件45以与灰度电位对应的亮度发光，从而图像信号指定的任意的图像显示于显示区域16。
以下详述第1实施方式的发光装置100的具体的结构。此外，在以下的说明参照的各附图中，为了方便说明，使各要素的尺寸、比例与实际的发光装置100不同。图3以及图4是发光装置100的剖视图，图5～图9是着眼于一个显示像素PE来图示形成发光装置100的各要素的各阶段的基板10的表面的样子的俯视图。与图5～图9的包含III－III线的剖面对应的剖视图相当于图3，与图5～图9的包含IV－IV线的剖面对应的剖视图相当于图4。此外，图5～图9是俯视图，但从使各要素的视觉性的掌握容易化的观点来看，为了方便，对与图3或者图4相同的各要素附加与图3或者图4相同形状的影线。
如根据图3、图4以及图5所理解的，在由硅等半导电体材料形成的基板10的表面形成有显示像素PE的各晶体管T(TDR、TEL、TSL)的能动区域10A(源极/漏极区域)。在能动区域10A注入有离子。显示像素PE的各晶体管T(TDR、TEL、TSL)的有源层存在于源极区域与漏极区域之间，且注入与能动区域10A不同种类的离子，但为了方便省略图示。如图3以及图4所例示，形成有能动区域10A的基板10的表面被绝缘膜L0(栅极绝缘膜)覆盖，各晶体管T的栅极G(GDR、GEL、GSL)形成在绝缘膜L0的面上。各晶体管T的栅极G隔着绝缘膜L0与有源层对置。图4图示了选择晶体管TSL的栅极GSL、驱动晶体管TDR的栅极GDR、以及发光控制晶体管TEL的栅极GEL。
如根据图3以及图4理解的，在形成有各晶体管T的栅极G的绝缘膜L0的面上形成有交替地层叠了多个绝缘层L(LA～LD)和多个导电层(布线层)的多层布线层。各绝缘层L例如由硅化合物(典型来说为氮化硅、氧化硅)等绝缘性的无机材料形成。此外，在以下的说明中，将通过选择性地除去导电层(单层或者多层)从而利用同一工序一并形成多个要素的关系标记为“由同层形成”。
绝缘层LA形成在形成有各晶体管T的栅极G的绝缘膜L0的面上。如根据图3、图4以及图6理解的，在绝缘层LA的面上，由同层形成有扫描线22、控制线24以及多个中继电极QA(QA1、QA2、QA3、QA4)。扫描线22以及控制线24相互隔开间隔遍及多个像素P向X方向直线状地延伸。具体而言，如图6所例示，扫描线22以通过选择晶体管TSL的栅极GSL的上方以及驱动晶体管TDR的栅极GDR的上方的方式形成，且经由贯通绝缘层LA的导通孔(接触孔)HA1与选择晶体管TSL的栅极GSL导通。导通孔HA1以俯视时与选择晶体管TSL的栅极GSL以及有源层重叠的方式形成。另一方面，控制线24以通过发光控制晶体管TEL的栅极GEL的上方的方式形成，且经由贯通绝缘层LA的导通孔HA2与发光控制晶体管TEL的栅极GEL导通。导通孔HA2以俯视时与发光控制晶体管TEL的栅极GEL以及有源层重叠的方式形成。
中继电极QA1是连接选择晶体管TSL的能动区域10A和驱动晶体管TDR的栅极GDR的布线，如图6所例示，俯视时位于扫描线22与控制线24之间。具体而言，如根据图4以及图6理解的，中继电极QA1经由贯通绝缘层LA和绝缘膜L0的导通孔HA3与选择晶体管TSL的能动区域10A导通，并且经由绝缘层LA的导通孔HA4与驱动晶体管TDR的栅极GDR导通。另外，如根据图6理解的，中继电极QA2经由贯通绝缘层LA和绝缘膜L0的导通孔HA5与选择晶体管TSL的能动区域10A导通。中继电极QA3经由贯通绝缘层LA和绝缘膜L0的导通孔HA6与驱动晶体管TDR的能动区域10A(源极)导通。中继电极QA4经由贯通绝缘层LA和绝缘膜L0的导通孔HA7与发光控制晶体管TEL的能动区域10A(漏极)导通。如根据图6理解的，选择晶体管TSL、驱动晶体管TDR以及发光控制晶体管TEL的各个以沟道长沿Y方向的方式形成。另外，驱动晶体管TDR和发光控制晶体管TEL沿Y方向排列，选择晶体管TSL配置于相对于驱动晶体管TDR以及发光控制晶体管TEL向X方向(在图6中为X方向的负侧)偏移的位置。
绝缘层LB形成在形成有扫描线22、控制线24以及多个中继电极QA的绝缘层LA的面上。如根据图3、图4以及图7理解的，在绝缘层LB的面上由同层形成有信号线26、第1电极C1以及多个中继电极QB(QB1、QB2)。信号线26遍及多个像素P在Y方向上直线状地延伸，且因绝缘层LA而与扫描线22以及控制线24电绝缘。具体而言，信号线26以通过选择晶体管TSL的能动区域10A(源极、漏极)以及有源层的上方和与驱动晶体管TDR的栅极GDR导通的中继电极QA1的上方的方式形成，且沿选择晶体管TSL的沟道长的方向(Y方向)延伸并且俯视时与选择晶体管TSL重叠。另外，信号线26与各晶体管T(TDR、TEL、TSL)的能动区域10A(源极、漏极)、各晶体管T的栅极G相比形成于上层。如根据图7理解的，信号线26经由贯通绝缘层LB的导通孔HB1与中继电极QA2导通。即，信号线26与选择晶体管TSL的能动区域10A(源极)经由中继电极QA2连接。图7的第1电极C1经由贯通绝缘层LB的导通孔HB2与中继电极QA1导通。即，电容元件C的第1电极C1与驱动晶体管TDR的栅极GDR经由中继电极QA1连接。图7的中继电极QB1经由绝缘层LB的导通孔HB3与中继电极QA3导通，且中继电极QB2经由绝缘层LB的导通孔HB4与中继电极QA4导通。
绝缘层LC形成在形成有信号线26、第1电极C1以及多个中继电极QB(QB1、QB2)的绝缘层LB的面上。如根据图3、图4以及图8理解的，在绝缘层LC的面上由同层形成有第2电极C2和多个中继电极QC(QC1、QC2)。第2电极C2形成为俯视(即从与基板10的表面垂直的方向观察的状态)时与第1电极C1重复的形状以及位置。如根据图3理解的，由第1电极C1以及第2电极C2和两者间的绝缘层LC构成电容元件C。如图8所例示，电容元件C(第1电极C1、第2电极C2)以俯视时与驱动晶体管TDR以及发光控制晶体管TEL重叠的方式设置。图8的中继电极QC1经由绝缘层LC的导通孔HC1与中继电极QB1导通，且中继电极QC2经由绝缘层LC的导通孔HC2与中继电极QB2导通。
如图3以及图4所例示，绝缘层LD形成在形成有第2电极C2和多个中继电极QC(QC1、QC2)的绝缘层LC的面上。在以上的说明中着眼于显示像素PE，但从基板10的表面到绝缘层LD的各要素的结构也共用于周边区域18内的虚拟像素PD。
在绝缘层LD的表面执行平坦处理。平坦处理任意地采用化学机械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)等公知的表面处理技术。如图3所例示，在利用平坦处理高度平坦化的绝缘层LD的表面由同层形成有第1电源导电体41和第2电源导电体42。图10是第1电源导电体41以及第2电源导电体42的俯视图，图11～图14是图10中的区域α的放大图。如根据图10以及图11理解的，第1电源导电体41形成在第1区域12的显示区域16内，第2电源导电体42形成在第1区域12的周边区域18内。第1电源导电体41与第2电源导电体42相互分离地形成且电绝缘。第1电源导电体41经由多层布线层内的布线(省略图示)，与被供给高位侧的电源电位VEL的安装端子36导通。同样地，第2电源导电体42经由多层布线层内的布线(省略图示)，与供给低位侧的电源电位VCT的安装端子36导通。第1实施方式的第1电源导电体41以及第2电源导电体42例如以含有银、铝的光反射性的导电材料例如形成为100nm左右的膜厚。
如上述第1电源导电体41是被供给高位侧的电源电位VEL的电源布线，如根据图10以及图11理解的，是遍及显示区域16的大致整个区域形成为面状的大致矩形形状的实心图案。所谓实心图案不是线状或者带状的图案或者其组合(例如格子状)的图案，而是指涂满显示区域16的大概整个面而实际上无缝隙地均匀地连续的面状(即实心状)的图案。
如根据图4、图9以及图11理解的，形成在显示区域16内的第1电源导电体41经由按照每个显示像素PE在绝缘层LD形成的导通孔HD1与中继电极QC1导通。即，如根据图4理解的，作为驱动晶体管TDR的源极发挥作用的能动区域10A经由中继电极QA3、中继电极QB1以及中继电极QC1与第1电源导电体41连接。此外，也能够经由贯通绝缘层LC和绝缘层LD的导通孔使第1电源导电体41与中继电极QB2导通(因此中继电极QC1被省略)。另外，如图9以及图11所例示，第1电源导电体41经由绝缘层LD的导通孔HD2与电容元件C的第2电极C2连接。即，在驱动晶体管TDR的栅极GDR与源极(第1电源导电体41)之间夹有电容元件C。
如图9所例示，在第1电源导电体41按照每个显示像素PE形成有开口部41A。在各开口部41A的内侧，由同层形成有中继电极QD1与第1电源导电体41以及第2电源导电体42。中继电极QD1与第1电源导电体41相互分离地形成且电绝缘。如根据图4以及图9理解的，中继电极QD1经由形成在绝缘层LD的导通孔HD3与中继电极QC2导通。此外，也能够经由贯通绝缘层LC和绝缘层LD的导通孔使中继电极QD1与中继电极QB2导通(因此中继电极QC2被省略)。
另一方面，形成在第1区域12中排列有虚拟像素PD的周边区域18内的第2电源导电体42如上述是被供给低位侧的电源电位VCT的电源布线，如图10所例示，形成为俯视时包围第1电源导电体41(显示区域16)的矩形框状(封闭图形)。如图11所例示，在绝缘层LD按照每个虚拟像素PD形成有导通孔HD4和导通孔HD5。第2电源导电体42经由导通孔HD4与虚拟像素PD的中继电极QC1导通，并且经由导通孔HD5与虚拟像素PD的中继电极QC2导通。另一方面，对于第1电源导电体41上述的开口部41A、中继电极QD1未形成于第2电源导电体42。
如图3以及图4所例示，在形成有第1电源导电体41、第2电源导电体42以及中继电极QD1的绝缘层LD的面上形成有光路调整层60。光路调整层60是规定各显示像素PE的共振结构的共振波长(即显示颜色)的透光性的膜体。后述各显示像素PE的共振结构、光路调整层60的详细内容。
如图12所例示，在光路调整层60的面上由同层形成有显示区域16内的每个显示像素PE的中继电极QE1和周边区域18的每个虚拟像素PD的中继电极QE2。中继电极QE1以及中继电极QE2例如由遮光性的导电材料(例如氮化钛)形成。
显示区域16内的中继电极QE1经由贯通光路调整层60的导通孔HE1与中继电极QD1导通。如根据图4以及图12理解的，中继电极QE1以俯视时与第1电源导电体41的开口部41A重复的方式形成。即，中继电极QE1的外周缘在俯视时位于开口部41A的内周缘的外侧。中继电极QE1由遮光性的导电材料形成，所以通过中继电极QE1防止针对多层布线层的来自开口部41A的外光的侵入。因此，有能够防止起因于光照射的各晶体管T的电流泄漏这样的优点。另一方面，如根据图12理解的，周边区域18内的中继电极QE2经由贯通光路调整层60的导通孔HE2与第2电源导电体42导通。
如图3、图4以及图13所例示，在形成有中继电极QE1以及中继电极QE2的光路调整层60的面上由同层形成有显示区域16内的每个显示像素PE的第1电极E1和周边区域18的每个虚拟像素PD的导通用电极QF。第1电极E1与导通用电极QF例如由ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等透光性的导电材料形成。如参照图2所述的，第1电极E1是作为发光元件45的阳极发挥作用的大致矩形形状的电极(像素电极)，如图4所例示，与光路调整层60的面上的中继电极QE1接触。即，第1电极E1经由中继电极QE1、中继电极QD1、中继电极QC2、中继电极QB2以及中继电极QA4与发光控制晶体管TEL的能动区域10A(漏极)导通。
另一方面，周边区域18内的导通用电极QF是形成为与第1电极E1相同的平面形状以及尺寸的大致矩形形状的电极。显示区域16内的各第1电极E1与周边区域18内的各导通用电极QF遍及X方向以及Y方向的各个以相同的间距(周期)排列。即，各第1电极E1与各导通用电极QF在X方向以相同的间距DX排列并且在Y方向以相同的间距DY排列。隔着显示区域16和周边区域18的边界相邻的第1电极E1与导通用电极QF的间距也设定为X方向的间距DX和Y方向的间距DY。X方向的间距DX例如设定为1.3μm以上3.5μm以下。如根据图13理解的，导通用电极QF与光路调整层60的面上的中继电极QE2接触。即，导通用电极QF经由中继电极QE2与第2电源导电体42导通。此外，在图13中，例示了在周边区域18内遍及X方向的1行和Y方向的2列排列了导通用电极QF的构成，但导通用电极QF的排列数任意。例如，根据第2电极E2与第2电源导电体42之间要求的连接电阻、发光功能层46或者第2电极E2的形成范围等，适当地选定导通用电极QF的排列数。如根据图3以及图4理解的，第1电源导电体41形成在形成有信号线26的布线层和形成有第1电极E1以及导通用电极QF的布线层之间。
如图3所例示，图1的护圈38通过由与以上例示的各要素同层形成的多个导电层QG(QG1～QG6)的层叠来构成。导电层QG1与各晶体管T的栅极G由同层形成，导电层QG2与信号线26由同层形成，导电层QG3与电容元件C的第2电极C2由同层形成。另外，导电层QG4与第1电源导电体41以及第2电源导电体42由同层形成，导电层QG5与中继电极QE2由同层形成，导电层QG6与第1电极E1以及导通用电极QF由同层形成。此外，构成护圈38的各导电层QG能够适当地省略。例如，也能够省略导电层QG3而使导电层QG2和导电层QG4直接导通。
如图3、图4以及图14所例示，在形成有中继电极QE1、中继电极QE2、第1电极E1以及导通用电极QF的光路调整层60的面上遍及基板10的整个区域形成有像素定义层65。像素定义层65例如由硅化合物(典型来说为氮化硅、氧化硅)等绝缘性的无机材料形成。如根据图14理解的，在像素定义层65形成有与显示区域16内的各第1电极E1对应的开口部(第1开口部)65A和与周边区域18内的各导通用电极QF对应的开口部(第2开口部)65B。像素定义层65中开口部65A的内周缘的附近的区域与第1电极E1的周缘重合。即，开口部65A的内周缘在俯视时位于第1电极E1的周缘的内侧。同样地，像素定义层65中开口部65B的内周缘的附近的区域与导通用电极QF的周缘重合。如根据图12以及图14理解的，中继电极QE1以及中继电极QE2被像素定义层65覆盖。各开口部65A与各开口部65B的平面形状(矩形形状)、尺寸相同，并且，遍及X方向以及Y方向的各个以相同的间距排列成矩阵状。如根据以上的说明理解的，像素定义层65在俯视时形成为格子状。
如图3以及图4所例示，在形成有第1电极E1、导通用电极QF以及像素定义层65的光路调整层60的面上形成有发光功能层46。发光功能层46形成在第1区域12的显示区域16内且遍及多个显示像素PE连续。另一方面，如根据图3理解的，在周边区域18、第2区域14不形成发光功能层46。此外，也能够在例如周边区域14中显示区域12侧的区域形成发光功能层46。发光功能层46构成为包括由有机EL材料形成的发光层，且通过电流的供给放射白色光。白色光是具有遍及蓝色的波长域、绿色的波长域以及红色的波长范围的光谱的光，在可见光的波长范围内至少观测到两个峰值。此外，也能够使向发光层供给的电子、空穴的输送层或者注入层包含于发光功能层46。
在形成有发光功能层46的光路调整层60的面上遍及第1区域12(显示区域16以及周边区域18)的整个区域形成有第2电极E2。如参照图2所述的，第2电极E2作为发光元件45的阴极发挥作用。如图4所例示，发光功能层46中在像素定义层65的各开口部65A的内侧夹在第1电极E1与第2电极E2之间的区域(发光区域)发光。即，在开口部65A的内侧层叠了第1电极E1、发光功能层46以及第2电极E2的部分作为发光元件45发挥作用。如根据以上的说明理解的，像素定义层65规定各显示像素PE的发光元件45的平面形状、尺寸(实际发光的区域)。第1实施方式的发光装置100是非常高精细地配置了发光元件45的微型显示器。例如一个发光元件45的面积(一个开口部65A的面积)设定在40μm2以下，在X方向相邻的各发光元件45的间隔设定在1.5μm以下。
遍及第1区域12的整个区域的第2电极E2中位于周边区域18内的部分在图14的像素定义层65的开口部65B的内侧与导通用电极QF接触。在周边区域14中导通用电极QF与第2电极E2导通的区域、其外侧的区域不形成发光功能层46。如根据以上的说明理解的，遍及显示区域16以及周边区域18双方的第2电极E2经由周边区域18内的各导通用电极QF和各中继电极QE2与第2电源导电体42导通。即，从第2电源导电体42经由中继电极QE2和导通用电极QF向第2电极E2供给低位侧的电源电位VCT。
第2电极E2作为透过到达表面的光的一部分并且使剩余的反射的性质(半透光反射性)的半透光反射层发挥作用。例如，通过将含有银、镁的合金等光反射性的导电材料形成为充分薄的膜厚来形成半透光反射性的第2电极E2。来自发光功能层46的放射光在第1电源导电体41与第2电极E2之间往复，特定的共振波长的成分被选择性地放大后透过第2电极E2并向观察侧(与基板10相反的一侧)射出。即，形成在作为反射层发挥作用的第1电源导电体41与作为半透光反射层发挥作用的第2电极E2之间使来自发光功能层46的射出光共振的共振结构。光路调整层60是用于按照显示像素PE的每个显示颜色独立地设定共振结构的共振波长(显示颜色)的要素。具体而言，通过根据光路调整层60的膜厚来适当地调整构成共振结构的第1电源导电体41与第2电极E2之间的光路长(光学距离)来按照每个显示颜色设定各显示像素PE的射出光的共振波长。
图15是着眼于光路调整层60的具体的构成对显示颜色不同的三个显示像素PE(红色、绿色、蓝色)的构成进行图示的剖视图。在图15中，方便地例示了与红色(R)对应的显示像素PE、与绿色(G)对应的显示像素PE以及与蓝色(B)对应的显示像素PE。如根据图15理解的，光路调整层60由利用硅化合物(典型来说为氮化硅、氧化硅)等透光性的绝缘材料形成的多层(第1调整层61、第2调整层62、第3调整层63)的层叠构成。第1调整层61例如由氮化硅形成为40nm以上100nm以下的膜厚，第2调整层62例如由氧化硅形成为40nm以上50nm以下的膜厚，第3调整层63例如由氧化硅形成为40nm以上70nm以下的膜厚。
第2调整层62以及第3调整层63根据各显示像素PE的显示颜色选择性地被除去。具体而言，在蓝色的显示像素PE中，除去第2调整层62以及第3调整层63从而光路调整层60仅由第1调整层61构成，在绿色的显示像素PE中，除去第3调整层63从而光路调整层60由第1调整层61以及第2调整层62构成。另一方面，在红色的显示像素PE中，由第1调整层61、第2调整层62以及第3调整层63的层叠构成光路调整层60。例如在将第1调整层61形成为50nm的膜厚，将第2调整层62形成为65nm的膜厚，并将第3调整层63形成为55nm的膜厚的情况下，在红色的显示像素PE中构成170nm的光路调整层60(第1调整层61+第2调整层62+第3调整层63)，在绿色的显示像素PE中构成115nm的光路调整层60(第1调整层61+第2调整层62)，在蓝色的显示像素PE中构成50nm的光路调整层60(第1调整层61)。在以上的例示中，在红色的显示像素PE与蓝色的显示像素PE之间光路调整层60的膜厚差为120nm。此外，在以上的说明中着眼于显示区域16，但对于周边区域18内的各虚拟像素PD也形成与显示区域16内相同的构成的光路调整层60。
如以上的例示的那样按照显示像素PE的每个显示颜色调整光路调整层60的膜厚，从而作为共振结构的反射层发挥作用第1电源导电体41与作为半透光反射层发挥作用的第2电极E2的间隔(以下称为“共振长度”)Z按照每个显示颜色独立地被设定。具体而言，蓝色的显示像素PE的共振长度ZB小于绿色的显示像素PE的共振长度ZG，绿色的显示像素PE的共振长度ZG小于红色的显示像素PE的共振长度ZR(ZB＜ZG＜ZR)。因此，从蓝色的显示像素PE的发光元件45射出蓝色光，从绿色的显示像素PE的发光元件45射出绿色光，从红色的显示像素PE的发光元件45射出红色光。
在发光功能层46的表面、第2电极E2的表面出现反映了形成在各自的下层的各要素的形状的阶梯差(凹凸)。若假定绝缘层LD的表面、第1电源导电体41的表面为无阶梯差的平坦面，则发光功能层46、第2电极E2的表面所出现的最大的阶梯差相当于图15的距离FB与距离FR的差量(阶梯差)。距离FB是第1调整层61与第1电极E1的膜厚的和。另一方面，距离FR是光路调整层60(第1调整层61+第2调整层62+第3调整层63)、像素定义层65以及第1电极E1的膜厚的和。因此，像素定义层65的膜厚越大，发光功能层46、第2电极E2的表面所出现的阶梯差越大。各层中的阶梯差能够成为例如导电层的断开、短路等成膜不良的原因。考虑以上的情况，本实施方式的像素定义层65形成为抑制起因于发光功能层46、第2电极E2的表面的阶梯差的成膜不良等不良情况的膜厚。
如上述，共振结构的共振长度按照显示像素PE的每个显示颜色而不同。在第1实施方式中，以小于不同的各显示颜色间的共振长度的差异的方式选定像素定义层65的膜厚。具体而言，本实施方式的像素定义层65形成为小于蓝色的共振长度ZB以及绿色的共振长度ZG的差量ΔBG(ΔBG＝ZG－ZB)、绿色的共振长度ZG以及红色的共振长度ZR的差量ΔGR(ΔGR＝ZR－ZG)、以及红色的共振长度ZR以及蓝色的共振长度ZB的差量ΔRB(ΔRB＝ZR－ZB)中的最小值(差量Δ)的膜厚。如上述，在第1实施方式中，根据光路调整层60的膜厚使共振结构的共振长度按照每个显示颜色不同。因此，也可以换句话说，像素定义层65的膜厚小于不同的各显示颜色间的光路调整层60的膜厚差。如上述的例示，在将第1调整层61形成为50nm的膜厚，将第2调整层62形成为65nm的膜厚，并将第3调整层63形成为55nm的膜厚的情况下，差量ΔBG为第2调整层62的膜厚65nm，差量ΔGR为第3调整层63的膜厚55nm，差量ΔRB为第2调整层62以及第3调整层63的膜厚120nm。在以上的构成中，作为绿色的共振长度ZG与红色的共振长度ZR的差量ΔGR(第3调整层63的膜厚)的55nm相当于显示颜色间的共振长度的最小的差量Δ。因此，像素定义层65形成为小于55nm的膜厚。例如，像素定义层65形成为50nm的膜厚，更优选形成为20nm～30nm左右的膜厚。
图16是放大了图15所例示的任意的一个显示像素PE的剖视图。如根据图16理解的，存在在像素定义层65的开口部65A的内周面67的附近，因像素定义层65的膜厚的影响，而第1电源导电体41与第2电极E2的间隔与显示像素PE的共振结构的目标的共振长度Z(ZR、ZG、ZB)不同的情况。例如如图16所例示的，在发光功能层46以及第2电极E2的表面形成有反映了像素定义层65的膜厚的阶梯差，所以像素定义层65的开口部65A的内周面67的附近的第1电源导电体41与第2电极E2的间隔Z'与对应于显示像素PE的显示颜色的目标的共振长度Z(ZR、ZG、ZB)不同。而且，在第1电源导电体41与第2电极E2的间隔Z'与目标的共振长度Z不同的区域中，来自发光功能层46的射出光中与目标的共振长度Z所对应的波长(即本来的显示颜色的波长)不同的波长的单色光在共振结构被强调后从第2电极E2向观察侧射出。因此，俯视时发光元件45的周缘的附近(开口部65A的内周面67的附近)的显示颜色与该发光元件45的本来的显示颜色不同。例如，设想蓝色的显示像素PE的周缘显示绿色的可能性、绿色的显示像素PE的周缘显示黄色、红色的可能性。
如上述，像素定义层65的膜厚越大第2电极E2(半透光反射层)的阶梯差越大。因此，像素定义层65的膜厚越厚，目标的共振长度Z与内周面67的附近的间隔Z'的差异越大，发光元件45的本来的显示颜色与该发光元件45的周缘的附近(间隔Z'的区域)的显示颜色的差异越明显化。在本实施方式中，像素定义层65的膜厚小于差量Δ，所以与像素定义层65的膜厚大于差量Δ的构成(以下称为“对比例”)比较，目标的共振长度Z与内周面67的附近的间隔Z'的差异变小。因此，根据本实施方式，与对比例比较，有发光元件45的本来的显示颜色与发光元件45的周缘的附近的显示颜色的差异难以被显示图像的观察者感知这样的优点。具体而言，像素定义层65的膜厚小于差量Δ(差量ΔGR、差量ΔBG以及差量ΔRB中的最小值)，所以例如，防止蓝色的显示像素PE的间隔Z'达到绿色的显示像素PE的共振长度ZG(即，在蓝色的显示像素PE的周缘显示颜色变化到绿色)、绿色的显示像素PE的间隔Z'达到红色的显示像素PE的共振长度ZR(即，在绿色的显示像素PE的周缘显示颜色达到红色)。因此，根据第1实施方式，有能够显示降低了各显示像素PE的显示颜色的误差的高品质的图像这样的优点。
如图3所例示，在第2电极E2的面上遍及基板10的整个区域形成有密封体70。此外，在图4中为了方便省略了密封体70的图示。密封体70是通过密封形成在基板10上的各要素来防止外部空气、水分的侵入的透光性的膜体，由第1密封层71、第2密封层72以及第3密封层73的层叠构成。第1密封层71的面上形成有第2密封层72，第1密封层71以及第2密封层72的面上形成有第3密封层73。如根据图3理解的，第1密封层71以及第3密封层73遍及包括第1区域12和第2区域14的基板10的整个区域形成。另一方面，第2密封层72在基板10的第1区域12内形成而不在第2区域14形成。具体而言，如图17所例示，第2密封层72遍及显示区域16和周边区域18中内周缘侧的一部分的区域形成。如根据以上的说明理解的，图3的密封体70在显示区域16内由第1密封层71、第2密封层72以及第3密封层73共计三层的层叠构成，在第2区域14内由第1密封层71以及第2密封层72共计两层的层叠构成。图1的各安装端子36经由在密封体70中与可挠性的布线基板连接的区域形成的开口部向外部露出。各安装端子36例如由与第1电源导电体41以及第2电源导电体42同层形成的导电层、与中继电极QE2同层形成的导电层、以及与第1电极E1以及导通用电极QF同层形成的导电层的层叠构成。
密封体70的第1密封层71形成在第2电极E2的面上并与第2电极E2的表面直接接触。第1密封层71例如由硅化合物(典型来说为氮化硅、氧化硅)等绝缘性的无机材料形成为例如200nm～400nm左右的膜厚。第1密封层71优选形成为光路调整层60的膜厚差(例如120nm)以上的膜厚。第1密封层71的形成优选利用等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法或者ECR(Electron Cyclotron Resonance：电子回旋共振)等离子体溅射法、离子镀法等高密度等离子体成膜技术。也能够通过在氮气环境中蒸镀氧化硅来形成氮氧化硅的第1密封层71。另外，以氧化钛等金属氧化物为代表的无机氧化物也能够作为第1密封层71的材料采用。
密封体70的第2密封层72作为填补第2电极E2、第1密封层71的表面的凹凸的平坦化膜发挥作用。即，在第2电极E2、第1密封层71的表面形成有反映下方(基板10侧)的各要素的形状的凹凸，但第2密封层72的表面为充分地减少了凹凸的大致平面。也可以说，第2密封层72的上表面与下表面(即与第1密封层71的接触面)比较平坦。为了实现以上所说明的平坦化的功能，第2密封层72与第1密封层71以及第3密封层73相比较形成为充分厚的膜厚(例如1μm～5μm，特别优选为3μm)。例如通过利用公知的涂敷技术(例如印刷法、旋涂法)在第1密封层71的表面涂敷环氧树脂等透光性的有机材料的溶液并使其干燥的工序来形成第2密封层72。此外，第2密封层72的材料并不限定于有机材料。例如也能够利用印刷法等涂敷技术涂敷氧化硅等无机材料并使其干燥从而形成充分进行平坦化的膜厚的第2密封层72。第2密封层72以遍及与形成有发光功能层46的区域相比较较宽广的区域连续，且至少覆盖发光功能层46的方式形成。另外，第2密封层72也能够采用覆盖第2电极E2的构成。
第3密封层73例如利用耐水性、耐热性优异的无机材料形成为例如300nm～700nm左右(特别优选为400nm左右)的膜厚。例如优选氮化合物(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅)作为第3密封层73的材料。第3密封层73的形成任意地采用针对第1密封层71例示的公知的成膜技术。
在形成了以上的各要素的基板10的表面例如以粘合剂接合有密封基板(省略图示)。密封基板是用于保护基板10上的各要素的透光性的板状部件(例如玻璃基板)。此外，也能够在密封基板的表面或者密封体70(第3密封层73)的表面按照每个显示像素PE形成彩色滤光片。
另外，密封体70中与第2电极E2直接接触的第1密封层71的膜厚大于共振长度Z的差量Δ(光路调整层60的各构成层间的阶梯差)。根据如以上那样相对于光路调整层60的表面的阶梯差以充分的膜厚形成第1密封层71的构成，第1密封层71的表面成为充分的平坦面(即不反映光路调整层60的阶梯差的平坦面)。即，能够有效地利用第1密封层71作为填补光路调整层60的阶梯差的平坦化膜。更优选以共振长度Z的差量Δ的两倍以上的膜厚形成第1密封层71。
在第1实施方式中，由与显示区域16内的第1电极E1同层形成的导通用电极QF、和由与显示区域16内的第1电源导电体41同层形成的第2电源导电体42形成在周边区域18，遍及显示区域16以及周边区域18双方的第2电极E2在周边区域18内经由导通用电极QF与第2电源导电体42导通。即，与在显示区域16内第1电源导电体41与第1电极E1重叠的层结构相同地在周边区域18内第2电源导电体42与导通用电极QF也重叠。因此，与邻接区域内的虚拟像素不形成发光元件的阳极的专利文献1的构成相比较，能够抑制显示区域16与周边区域18的阶梯差。而且，通过抑制显示区域16与周边区域18的阶梯差，与显示区域16与周边区域18的阶梯差较大的构成相比较，有能够容易地形成密封体70这样的优点。在第1实施方式中，特别是在显示区域16内的第1电极E1与周边区域18内的导通用电极QF中平面形状以及尺寸、和X方向的间距DX以及Y方向的间距DY相同。因此，抑制显示区域16与周边区域18的阶梯差这样的效果格外显著。
另外，在遍及显示区域16以及周边区域18双方的像素定义层65除了与显示区域16内的第1电极E1对应的开口部65A，还形成有与周边区域18内的导通用电极QF对应的开口部65B。即，对于像素定义层65也在周边区域18存在与显示区域16相同的结构。因此，与在周边区域18不形成像素定义层65的构成、在周边区域18中在像素定义层65不形成开口部65B的构成相比较，能够抑制显示区域16与周边区域18的阶梯差。在第1实施方式中，特别是在开口部65A和开口部65B中，平面形状以及尺寸、和X方向以及Y方向的排列的间距相同，所以抑制显示区域16与周边区域18的阶梯差这样的效果格外显著。
在第1实施方式中，第1电源导电体41由与扫描线22、控制线24、信号线26不同层形成，所以与将第1电源导电体41由与各布线同层形成的构成相比较能够充分地确保第1电源导电体41的面积(降低第1电源导电体41的电阻)。具体而言，如参照图10所说明的，能够形成第1电源导电体41作为遍及显示区域16的整个区域的实心图案。因此，抑制第1电源导电体41的面内的电源电位VEL的电压下降，结果能够减少显示图像的显示不均(显示区域16的面内的显示灰度的不同)。此外，在以上的说明中着眼于第1电源导电体41，但对于由与各布线(扫描线22、控制线24、信号线26)不同层形成的第2电源导电体42也实现相同的效果。
此外，在由同层形成第1电源导电体41和第2电源导电体42的构成中，例如有因绝缘层LD的表面的凹凸而第1电源导电体41与第2电源导电体42相互短路的可能性。在第1实施方式中，在针对绝缘层LD的表面执行平坦处理后形成第1电源导电体41以及第2电源导电体42，所以也有能够有效地防止起因于绝缘层LD的表面的凹凸的第1电源导电体41与第2电源导电体42的短路这样的优点。
第2实施方式
对本发明的第2实施方式进行说明。此外，在以下所例示的各方式中对于作用、功能与第1实施方式相同的要素，沿用在第1实施方式的说明参照的符号并适当地省略各自的详细的说明。
图18是着眼于光路调整层60的具体的构成的第2实施方式的各显示像素PE的剖视图，与在第1实施方式的说明中参照的上述的图15对应。在图15所例示的第1实施方式中，例示了在相邻的各显示像素PE的间隔内，层叠了第1调整层61、第2调整层62以及第3调整层63共计三层的构成。在第2实施方式中，如根据图18理解的，在相邻的各显示像素PE的间隔内层叠第1调整层61和第2调整层62共计两层。
具体而言，第1调整层61遍及基板10的整个区域形成，第2调整层62在第1调整层61的面上遍及基板10的整个区域形成并且被除去与蓝色的显示像素PE对应的区域。而且，第3调整层63在第2调整层62的表面中与红色的显示像素PE对应的区域形成为岛状。因此，与第1实施方式相同，在蓝色的显示像素PE中光路调整层60仅由第1调整层61构成，在绿色的显示像素PE中光路调整层60由第1调整层61和第2调整层62的层叠构成，在红色的显示像素PE中光路调整层60由第1调整层61、第2调整层62以及第3调整层63的层叠构成。
光路调整层60以外的各要素的构成与第1实施方式相同。因此，在第2实施方式中也实现与第1实施方式相同的效果。另外，在第2实施方式中，在相邻的各显示像素PE的间隔内层叠第1调整层61与第2调整层62共计两层，所以与在各显示像素PE的间隔内层叠第1调整层61、第2调整层62以及第3调整层63共计三层的第1实施方式相比较，降低光路调整层60的表面的阶梯差。因此，有能够降低发光功能层46、第2电极E2等各要素的表面的阶梯差这样的优点。
第3实施方式
图19是第3实施方式的发光装置100中着眼于密封体70的俯视图。如图19所例示，在第3实施方式的发光装置100中，在基板10的第2区域14中排列了多个安装端子36的区域(以下称为“端子区域”)15不形成密封体70。具体而言，遍及包含显示区域16以及周边区域18的第1区域12、和第2区域14中端子区域15以外的区域形成密封体70的第1密封层71以及第3密封层73。密封体70的第2密封层72形成在显示区域16内的构成与第1实施方式相同。根据以上的构成，除了与第1实施方式相同的效果，还有不需要在密封体70形成用于使各安装端子36与多层布线层内的布线导通的导通孔这样的优点。此外，也能够沿基板10的两边或者三边排列多个安装端子36。
变形例
以上的方式能够多样地变形。以下例示具体的变形的方式。从以下的例示任意地选择的两个以上的方式能够在不相互矛盾的范围内适当地合并。
(1)在上述的各方式中，例示了层叠了第1密封层71、第2密封层72以及第3密封层73的结构的密封体70，但密封体70的层数(单层/多层)任意。例如，也能够以无机材料或者有机材料的单层构成密封体70。另外，在上述的各方式中，例示了俯视时护圈38与密封体70的全部(第1实施方式)或者一部分(第3实施方式)重叠的构成，但密封体70与护圈38的重复的有无不限。
(2)在上述的各方式中，经由以与显示区域16内的开口部65A相同的方式形成在像素定义层65的开口部65B使第2电极E2与第2电源导电体42导通，但能够适当地变更使第2电极E2与第2电源导电体42导通的结构。例如，如日本特开2005－352498号所公开的，也能够经由在像素定义层65形成为俯视时为直线状(即与显示区域16内的开口部65A不同的方式)的开口部使第2电极E2与第2电源导电体42导通。
(3)在上述的各方式中，例示了利用了半导电体基板作为基板10的发光装置100，但基板10的材料任意。例如也能够利用玻璃、石英等板状部件作为基板10。另外，在上述的各方式中，在基板10中第1区域12的外侧的第2区域14配置了驱动电路30，但也能够例如在周边区域18内配置驱动电路30。例如，在第2电源导电体42与基板10之间配置驱动电路30。
(4)像素P(像素电路)的构成并不限定于上述的图2所例示的构成。例如，也能够采用省略了上述的各方式的发光控制晶体管TEL的构成、在灰度电位的供给前通过将驱动晶体管TDR与二极管连接来补偿驱动晶体管TDR的阈值电压的误差的构成。
(5)发光元件45的构成并不限定于以上的例示。例如，在上述的各方式中，例示了遍及多个显示像素PE连续地形成产生白色光的发光功能层46的构成，但也能够按照每个显示像素PE独立地形成放射与各显示像素PE的显示颜色对应的波长的单色光的发光功能层46。另外，在上述的各方式中，在第1电源导电体41(反射层)与第2电极E2(半透光反射层)之间形成共振结构，但例如也能够用反射性的导电材料形成第1电极E1，并在第1电极E1(反射层)与第2电极E2(半透光反射层)之间形成共振结构。在利用第1电极E1作为反射层的构成中，在第1电极E1与第2电极E2之间形成光路调整层60。也能够与第1电源导电体41、第1电极E1分开地形成共振结构的反射层(每个显示像素PE的反射层或者遍及多个显示像素PE连续的反射层)。
在上述的各方式中，根据光路调整层60来调整各显示像素PE的共振波长，但也能够根据第1电极E1、发光功能层46的膜厚来调整各显示像素PE的共振波长。不管用于调整共振波长的具体的构成，优选将第1密封层71形成为大于起因于共振波长的不同的阶梯差的膜厚的构成。
在上述的各方式中例示了利用了有机EL材料的发光元件45，但本发明同样能够应用于利用了用无机EL材料形成了发光层的发光元件、LED等发光元件的构成。另外，在上述的各方式中，例示了在与基板10相反的一侧射出光的顶部发光型的发光装置100，但本发明同样能够应用于在基板10侧射出光的底部发光型的发光装置。
(6)在上述的各方式中，以小于不同的各显示颜色间的共振长度的差量的最小值(差量Δ)的膜厚形成了像素定义层65，但像素定义层65的膜厚的条件并不限定于以上的例示。例如，也能够以小于与不同的显示颜色的组合对应的多个差量Δ(ΔBG、ΔGR、ΔRB)中最小值以外的差量Δ的方式选定像素定义层65的膜厚。例如，如第1实施方式中的例示，蓝色的共振长度ZB以及绿色的共振长度ZG的差量ΔBG为65nm，绿色的共振长度ZG以及红色的共振长度ZR的差量ΔGR为55nm，红色的共振长度ZR以及蓝色的共振长度ZB的差量ΔRB为120nm的情况下，也能够以小于差量ΔBG的膜厚(例如60nm)形成像素定义层65。然而，根据以小于不同的各显示颜色间的共振长度的差量的最小值的膜厚形成像素定义层65的上述的方式，有能够对显示像素PE的全部的显示颜色实现观察者难以感知发光元件45的本来的显示颜色与发光元件45的周缘的显示颜色的差异这样的上述的效果这样的优点。
(7)在上述的各方式中，例示了在周边区域18内配置了结构(布线、晶体管、电容元件等的结构)与显示像素PE类似的虚拟像素PD的构成，但周边区域18内的构成并不限定于以上的例示。例如，也能够在周边区域18内的第2电源导电体42的下层配置驱动电路30(扫描线驱动电路32或者信号线驱动电路34)、驱动电路30以外的电路以及布线。
(8)在上述的各方式中，为了共振波长的说明的简单化而着眼于光路调整层60的膜厚，但实际上，能够根据位于共振结构的反射层(例如第1电源导电体41)与半透光反射层(例如第2电极E2)之间的各层的折射率、反射层以及半透光反射层的表面的相位偏移设定共振结构的共振波长。
电子设备
上述的各方式所例示的发光装置100适合利用于各种电子设备的显示装置。图20作为电子设备例示了利用了上述的各方式所例示的发光装置100的头戴式显示装置90(HMD：Head Mounted Display)。
显示装置90是能够佩戴于利用者的头部的电子设备，具备与利用者的左眼重叠的透过部(透镜)92L、与利用者的右眼重叠的透过部92R、左眼用的发光装置100L以及半透半反镜94L、以及右眼用的发光装置100R以及半透半反镜94R。发光装置100L与发光装置100R以射出光相互向相反的方向行进的方式配置。左眼用的半透半反镜94L使透过部92L的透过光向利用者的左眼侧透过，并且使来自发光装置100L的射出光向利用者的左眼侧反射。同样地，右眼用的半透半反镜94R使透过部92R的透过光向利用者的右眼侧透过，并且使来自发光装置100R的射出光向利用者的右眼侧反射。因此，利用者感知重叠了经由透过部92L以及透过部92R观察的像和各发光装置100的显示图像的图像。另外，通过使发光装置100L和发光装置100R显示彼此有视差的立体视图像(左眼用图像以及右眼用图像)，能够使利用者感知显示图像的立体感。
此外，应用上述的各方式的发光装置100的电子设备并不限定于图20的显示装置90。例如，本发明的发光装置100也能够适合利用于摄相机、照相机等拍摄装置所利用的电子取景器(EVF：Electronic View Finder)。另外，能够在移动电话机、移动信息终端(智能手机)、电视、个人计算机等监视器、车辆导航装置等各种电子设备采用本发明的发光装置。
符号说明
100…发光装置，10…基板，10A…能动区域，12…第1区域，14…第2区域，16…显示区域，18…周边区域，22…扫描线，24…控制线，26…信号线，30…驱动电路，32…扫描线驱动电路，34…信号线驱动电路，36…安装端子，41…第1电源导电体，42…第2电源导电体，45…发光元件，E1…第1电极，E2…第2电极，46…发光功能层，TDR…驱动晶体管，TEL…发光控制晶体管，TSL…选择晶体管，C…电容元件，60…光路调整层，65…像素定义层，65A、65B…开口部，67…内周面，70…密封体，71…第1密封层，72…第2密封层，73…第3密封层，Q(QA1、QA2、QA3、QA4、QB1、QB2、QC1、QC2、QD1、QE1、QE2)…中继电极，QF…导通用电极。

Claims (10)

1.一种发光装置，包括：
设置有显示区域和周边区域的基板；
设置在所述显示区域和所述周边区域二者处的密封体；
设置在所述密封体与所述基板之间的第一导电体和第二导电体，所述第一导电体设置在所述显示区域处，所述第二导电体设置在所述周边区域处，所述第一导电体具有反射表面；
设置在所述密封体与所述第一导电体和所述第二导电体中的每一个之间的绝缘层；
设置在所述密封体与所述第一导电体之间的第一电极和第二电极；
设置在所述密封体与所述第二导电体之间的导通用电极；
设置在所述密封体与所述第一电极的***边缘、所述第二电极的***边缘和所述导通用电极的***边缘中的每一个之间，且具有设置在所述第一电极上的第一开口部、设置在所述第二电极上的第二开口部和设置在所述导通用电极上的第三开口部的像素定义层；以及
设置在所述密封体与所述像素定义层、所述第一电极、所述第二电极和所述导通用电极中的每一个之间，且具有半透射反射表面的第三电极，
所述第一导电体的反射表面与所述第三电极的半透射反射表面之间的与所述第一电极重叠的第一间隔与在所述第一导电体的反射表面与所述第三电极的半透射反射表面之间的与所述第二电极重叠的第二间隔不同，并且，
所述像素定义层的厚度小于第一间隔与第二间隔之间的差，
所述反射表面被设置成俯视时遍及所述第一电极和所述第二电极连续。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第二导电体与所述第三电极之间的与所述导通用电极重叠的第三间隔等于所述第一间隔或所述第二间隔。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述密封体的厚度大于所述第一间隔和所述第二间隔中的每一个。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第一电极、所述第二电极和所述导通用电极由所述绝缘层的表面上的同层形成。
5.一种发光装置，包括：
设置有显示区域和周边区域的基板；
设置在所述显示区域和所述周边区域二者处的密封体；
设置在所述密封体与所述基板之间的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均具有反射表面；
设置在所述密封体与所述基板之间的导通用电极；
设置在所述密封体与所述第一电极的***边缘、所述第二电极的***边缘和所述导通用电极的***边缘中的每一个之间，且具有设置在所述第一电极上的第一开口部、设置在所述第二电极上的第二开口部和设置在所述导通用电极上的第三开口部的像素定义层；以及
设置在所述密封体与所述像素定义层、所述第一电极、所述第二电极和所述导通用电极中的每一个之间，且具有半透射反射表面的第三电极，
其中，所述第一电极的反射表面与所述第三电极的半透射反射表面之间的与所述第一电极重叠的第一间隔与在所述第一电极的反射表面与所述第三电极的半透射反射表面之间的与所述第二电极重叠的第二间隔不同，并且
所述像素定义层的厚度小于第一间隔与第二间隔之间的差，
所述反射表面被设置成俯视时遍及所述第一电极和所述第二电极连续。
6.一种电子设备，包括根据权利要求1所述的发光装置。
7.一种电子设备，包括根据权利要求2所述的发光装置。
8.一种电子设备，包括根据权利要求3所述的发光装置。
9.一种电子设备，包括根据权利要求4所述的发光装置。
10.一种电子设备，包括根据权利要求5所述的发光装置。
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