JP2010251095A - 有機ｅｌ装置および有機ｅｌ装置の製造方法、ならびに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】反射層上に絶縁層を設けることによる光反射率の低下を抑え、画素間で明るさのばらつきの少ない有機ＥＬ装置を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置１００は、基体２０と、基体２０上に配列された赤色、緑色、青色の光のいずれかを射出する画素２と、基体２０上に設けられた光反射性を有する第１の反射層２２と、基体２０と第１の反射層２２とを覆う光透過性を有する絶縁層２６と、絶縁層２６上に設けられた光反射性を有する第２の反射層２３と、第１の反射層２２および第２の反射層２３上に設けられた光透過性を有する陽極２４と、陽極２４上に設けられた少なくとも発光層を含む有機機能層３０と、有機機能層３０上に設けられた光透過性を有する陰極３２とを備え、画素２には、射出する光の波長に応じて、第１の反射層２２または第２の反射層２３のいずれか一方が配置されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、有機ＥＬ装置および有機ＥＬ装置の製造方法、ならびに電子機器に関する。

有機エレクトロルミネセンス装置（以下有機ＥＬ装置と呼ぶ）は、陽極と、少なくとも発光層を含む有機機能層と、陰極とが積層された構成を有している。有機ＥＬ装置では、発光層で発生した光は陽極側または陰極側へ射出される。発光層で発生した光が陰極側へ射出される、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、発光層から陽極側へ発せられた光は陽極の下層に配置された反射層で反射され、陰極側へ射出される。

このような反射層の材料として、光反射性を有する金属、例えば銀が好適に用いられる。銀は、光反射率が高い一方で極めて反応性に富むため、製造工程における成膜やパターン加工等で化学的あるいは物理的な損傷を受け易い。反射層がこのような損傷を受けた場合、光反射率が低下してしまうこととなる。これに対して、反射層上に絶縁層を配置することにより、製造工程等において反射層が損傷を受けることを防止する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００６−２６９３２９号公報

しかしながら、上記のような方法では、反射層上に絶縁層が配置されていることで、反射層の光反射率が低下してしまうという課題があった。また、反射する光の波長によっては他の光よりも光反射率が低下する度合いが大きい場合があり、反射層の光反射率が低下した結果、異なる波長の光を射出する画素間で反射層により反射される光の明るさがばらついてしまうという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基体と、前記基体上に配列された、少なくとも２つの異なる波長の光のいずれかを射出する画素と、前記基体上に設けられた、光反射性を有する反射層と、少なくとも前記反射層に平面的に重なるように設けられた、光透過性を有する絶縁層と、前記反射層上に設けられた、光透過性を有する第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた、少なくとも発光層を含む有機機能層と、前記有機機能層上に設けられた、光透過性を有する第２の電極と、を備え、前記反射層として、前記絶縁層の前記基体側に位置する第１の反射層と、前記絶縁層の前記第１の電極側に位置する第２の反射層と、を有し、前記画素には、射出する前記光の波長に応じて、前記第１の反射層または前記第２の反射層のいずれか一方が配置されていることを特徴とする。

この構成によれば、第１の反射層が配置された画素では第１の反射層の有機機能層側に絶縁層が位置しているが、第２の反射層が配置された画素では第２の反射層の有機機能層側に絶縁層が位置していない。反射層上に絶縁層が位置していると、有機機能層から発せられた光を反射する反射層の光反射率が低下する。また、光反射率が低下する度合いは反射される光の波長によって異なる。そこで、他の波長よりも光反射率が低下する度合いが大きい波長の光を射出する画素に対応して、絶縁層が上に位置しない第２の反射層を配置することで、この波長の光に対する光反射率の低下を抑えることができる。これにより、異なる波長の光を射出する画素間でより均一な明るさが得られる有機ＥＬ装置を提供できる。

［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１の反射層の層厚と前記第２の反射層の層厚とが異なっていてもよい。

この構成によれば、例えば、第２の反射層の層厚を第１の反射層の層厚に対して相対的に厚くすることで、第２の反射層の光反射率を第１の反射層の光反射率よりも向上させることができる。

［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１の反射層および前記第２の反射層は、銀または銀を含む合金からなっていてもよい。

この構成によれば、第１の反射層および第２の反射層は光反射率の高い銀または銀を含む合金からなるので、高い光反射率を有する反射層を構成できる。

［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記少なくとも２つの異なる波長は、赤色光に対応する波長と、緑色光に対応する波長と、青色光に対応する波長と、を含み、前記第１の反射層は、前記赤色光を射出する前記画素および前記緑色光を射出する前記画素に配置され、前記第２の反射層は、前記青色光を射出する前記画素に配置されていてもよい。

この構成によれば、赤色光、緑色光、青色光によるフルカラー表示またはフルカラー発光が可能な有機ＥＬ装置を提供できる。また、反射層上に絶縁層が位置している場合に赤色光、緑色光に比べて光反射率が低下する度合いが大きい青色光を射出する画素に、絶縁層が上に位置しない第２の反射層が配置される。これにより、青色光の光反射率の低下を抑えることができるので、赤色光、緑色光、青色光とで明るさがより均一な有機ＥＬ装置を提供できる。

［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記画素の前記光を射出する側に配置された、前記赤色光に対応するカラーフィルターと、前記緑色光に対応するカラーフィルターと、前記青色光に対応するカラーフィルターと、をさらに備えていてもよい。

この構成によれば、有機機能層からの光のうち、赤色光、緑色光、青色光がカラーフィルターを透過するので、より色再現性に優れた有機ＥＬ装置を提供できる。

［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第２の電極は、光反射性をさらに有し、前記第１の反射層と前記第２の電極との間、および前記第２の反射層と前記第２の電極との間に、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器が形成されていてもよい。

この構成によれば、光共振器により共振波長の光が増幅されるので、射出される光の輝度を高めることができる。また、赤色光、緑色光を射出する画素において第１の反射層と第２の電極との間に絶縁層が配置されており、赤色光、緑色光よりも波長の短い青色光を射出する画素において第２の反射層と第２の電極との間に絶縁層が配置されていないので、光共振器における共振波長の調整をより容易に行うことができる。

［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。

この構成によれば、電子機器は上記の有機ＥＬ装置を備えているので、表示部において画素間でより均一な明るさが得られる電子機器を提供できる。

［適用例８］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基体上に配列された少なくとも２つの異なる波長の光を射出する画素を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、一部の前記画素に対応して、前記基体上に光反射性を有する第１の反射層を形成する第１の反射層形成工程と、前記基体と前記第１の反射層とを覆うように、光透過性を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記一部の前記画素以外の前記画素に対応して、前記絶縁層上に光反射性を有する第２の反射層を形成する第２の反射層形成工程と、前記第１の反射層上および前記第２の反射層上に、光透過性を有する第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、前記第１の電極上に少なくとも発光層を含む有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、前記有機機能層上に光透過性を有する第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を備えたことを特徴とする。

この方法によれば、絶縁層形成工程で形成される絶縁層は、第１の反射層の有機機能層側には配置されるが、第２の反射層の有機機能層側には配置されない。反射層上に絶縁層が位置していると、有機機能層から発せられた光を反射する反射層の光反射率が低下する。また、光反射率が低下する度合いは反射される光の波長によって異なる。そこで、他の波長よりも光反射率が低下する度合いが大きい波長の光を射出する画素に対応して、絶縁層上に第２の反射層を形成することで、この波長の光に対する光反射率の低下を抑えることができる。これにより、異なる波長の光を射出する画素間でより均一な明るさが得られる有機ＥＬ装置を製造できる。

［適用例９］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１の反射層形成工程および前記第２の反射層形成工程では、前記第１の反射層の層厚と前記第２の反射層の層厚とを異ならせて形成してもよい。

この方法によれば、例えば、第２の反射層の層厚を第１の反射層の層厚に対して相対的に厚く形成することで、第２の反射層の光反射率を第１の反射層の光反射率よりも向上させることができる。

［適用例１０］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１の反射層形成工程および前記第２の反射層形成工程では、前記第１の反射層および前記第２の反射層を銀または銀を含む合金で形成してもよい。

この方法によれば、第１の反射層および第２の反射層を光反射率の高い銀または銀を含む合金で形成するので、高い光反射率を有する反射層を形成できる。

［適用例１１］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記少なくとも２つの異なる波長は、赤色光に対応する波長と、緑色光に対応する波長と、青色光に対応する波長と、を含み、前記第１の反射層形成工程では、前記赤色光を射出する前記画素および前記緑色光を射出する前記画素に対応して前記第１の反射層を形成し、前記第２の反射層形成工程では、前記青色光を射出する前記画素に対応して前記第２の反射層を形成してもよい。

この方法によれば、赤色光、緑色光、青色光によるフルカラー表示またはフルカラー発光が可能な有機ＥＬ装置を製造できる。また、反射層上に絶縁層が設けられた場合に赤色光、緑色光に比べて光反射率が低下する度合いが大きい青色光を射出する画素に対応して、絶縁層上に第２の反射層を形成するので、青色光の光反射率の低下を抑えることができる。これにより、赤色光、緑色光、青色光とで明るさがより均一な有機ＥＬ装置を製造できる。

［適用例１２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第２の電極形成工程の後に、前記画素の前記光を射出する側に、前記赤色光に対応するカラーフィルターと、前記緑色光に対応するカラーフィルターと、前記青色光に対応するカラーフィルターと、を形成する工程をさらに含んでいてもよい。

この方法によれば、有機機能層からの光のうち、赤色光、緑色光、青色光がカラーフィルターを透過するので、より色再現性に優れた有機ＥＬ装置を製造できる。

第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置を模式的に示す平面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。 反射層の光反射率を比較したグラフ。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャート。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。 第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。 第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。 電子機器としての携帯電話機を示す図。

以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する図面において、構成をわかりやすく示すため、構成要素の膜厚や寸法の比率等は適宜異ならせてある。また、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。

（第１の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。図２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置を模式的に示す平面図である。詳しくは、図３に示す封止部４０側から見たときの平面図である。図３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図２のＡ−Ａ’線に沿った部分断面図である。なお、本明細書では、有機ＥＬ装置の封止部４０側表面の法線方向から見ることを「平面視」とも呼ぶ。

図１に示すように、有機ＥＬ装置１００は、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと呼ぶ）を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。有機ＥＬ装置１００は、基板１０と、基板１０上に設けられた走査線１６と、走査線１６に対して交差する方向に延びる信号線１７と、信号線１７に並列に延びる電源線１８とを備えている。有機ＥＬ装置１００において、これら走査線１６と信号線１７とに囲まれた領域に画素２が配置されている。画素２は、例えば、走査線１６の延在方向と信号線１７の延在方向とに沿ってマトリクス状に配列されている。

画素２には、スイッチング用ＴＦＴ１１と、駆動用ＴＦＴ１２と、保持容量１３と、第１の電極としての陽極２４と、第２の電極としての陰極３２と、有機機能層３０と、を備えている。有機機能層３０は、例えば、順に積層された正孔輸送層と発光層と電子輸送層とで構成されている。陽極２４と、陰極３２と、有機機能層３０とによって有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子）８が構成される。有機ＥＬ素子８では、正孔輸送層から注入される正孔と、電子輸送層から注入される電子とが発光層で再結合することにより発光が得られる。

信号線１７には、シフトレジスター、レベルシフター、ビデオライン、およびアナログスイッチを備えたデータ線駆動回路１４が接続されている。また、走査線１６には、シフトレジスターおよびレベルシフターを備えた走査線駆動回路１５が接続されている。

有機ＥＬ装置１００では、走査線１６が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１がオン状態になると、信号線１７を介して供給される画像信号が保持容量１３に保持され、保持容量１３の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１２のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２を介して電源線１８に電気的に接続したとき、電源線１８から陽極２４に駆動電流が流れ、さらに有機機能層３０を通じて陰極３２に電流が流れる。有機機能層３０の発光層は、陽極２４と陰極３２との間に流れる電流量に応じた輝度で発光する。

図２に示すように、画素２は、例えば略矩形の平面形状を有している。画素２の矩形形状の４つの角は丸く形成されていてもよい。画素２は、有機ＥＬ装置１００の表示の最小単位であり、少なくとも２つの異なる波長の光のうちのいずれかを射出する。なお、ここでいう波長はピーク波長を意味しており、実際に画素２から射出される光の波長はこのピーク波長を中心として分散性を有していてもよい。

本実施形態では、有機ＥＬ装置１００は、赤色（Ｒ）光を射出する画素２Ｒと、緑色（Ｇ）光を射出する画素２Ｇと、青色（Ｂ）光を射出する画素２Ｂとを有している（以下では、対応する色を区別しない場合には単に画素２とも呼ぶ）。有機ＥＬ装置１００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから一つの画素群４が構成され、それぞれの画素群４において画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれの輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。したがって、フルカラー表示またはフルカラー発光が可能な有機ＥＬ装置を提供できる。

なお、図示しないが、基板１０上には、画素２が配置された領域外に、有機ＥＬ装置１００に駆動電圧を印加するための端子部、陰極用配線、検査回路等が配置されている。

図３に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基板１０上に、回路層１９と、第１の反射層２２と、絶縁層２６と、第２の反射層２３と、陽極２４と、隔壁２８と、有機機能層３０と、陰極３２と、封止部４０とを備えている。有機ＥＬ装置１００は、有機機能層３０から発した光が封止部４０側に射出されるトップエミッション型である。

基板１０は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型であることから、透光性材料および不透光性材料のいずれを用いてもよい。透光性材料としては、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等があげられる。不透光性材料としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、およびそのフィルム（プラスチックフィルム）等があげられる。基板１０は、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等からなる保護層に覆われていてもよい。

回路層１９は基板１０上に設けられている。図示しないが、回路層１９は、駆動用ＴＦＴ１２と層間絶縁層と平坦化層とを含んでいる。駆動用ＴＦＴ１２は、画素２に対応して設けられている。駆動用ＴＦＴ１２は、半導体膜とゲート絶縁層とゲート電極とドレイン電極とソース電極とを備えている。ゲート電極は、半導体膜を覆うゲート絶縁層を間に挟んで半導体膜のチャネル領域に平面的に重なるように位置している。

ドレイン電極は、ゲート電極とゲート絶縁層とを覆う層間絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、半導体膜のドレイン領域に導電接続されている。ソース電極は、同様にコンタクトホールを介して、半導体膜のソース領域に導電接続されている。平坦化層は、ドレイン電極およびソース電極を覆うように設けられており、これらの電極やその他の配線部による表面の凹凸を緩和している。なお、以降の説明では、基板１０と、回路層１９とを含めて基体２０と呼ぶ。

基体２０上には、画素２から射出される光の波長に対応して、第１の反射層２２または第２の反射層２３のいずれか一方が設けられている。また、平面視で第１の反射層２２および第２の反射層２３に重なるように、絶縁層２６が設けられている。

第１の反射層２２は、基体２０上に形成されており、画素２Ｒ，２Ｇに配置されている。絶縁層２６は、基体２０と第１の反射層２２とを覆うように形成されている。第２の反射層２３は、絶縁層２６上に形成されており、画素２Ｂに配置されている。したがって、第１の反射層２２は絶縁層２６の基体２０側に位置しており、第２の反射層２３は絶縁層２６の陽極２４側に位置している。

第１の反射層２２および第２の反射層２３は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから高い輝度の光が射出されるように、高い光反射性を有していることが好ましい。第１の反射層２２および第２の反射層２３は、銀または銀を含む合金からなり、例えばＡＰＣ（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕの合金）からなる。第１の反射層２２および第２の反射層２３の層厚は、例えば１００ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。なお、第１の反射層２２および第２の反射層２３のそれぞれが、ＩＴＯ等からなる２層の導電層の間に挟持されていてもよい。

絶縁層２６は、光透過性を有する無機材料からなり、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる。絶縁層２６の材料は、ＳｉＯ₂等であってもよい。絶縁層２６の層厚は、例えば５０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。絶縁層２６は、陽極２４を形成する際のパターン加工等において、第１の反射層２２の表面を保護する役割を果たす。

陽極２４は、画素２毎に設けられており、第１の反射層２２上および第２の反射層２３上に配置されている。陽極２４は、画素２Ｒ，２Ｇにおいては平面視で第１の反射層２２に重なるように絶縁層２６上に形成されており、画素２Ｂにおいては第２の反射層２３上に形成されている。陽極２４は、画素２Ｂにおいては、第２の反射層２３の表面を覆うとともに、陽極２４の周縁部が絶縁層２６に接するように形成されていることが好ましい。陽極２４をこのように形成することで、陽極２４を形成する際のパターン加工等において第２の反射層２３の表面を保護することができる。

陽極２４は、光透過性を有するとともに、有機機能層３０への正孔注入効率が高められるように、仕事関数の高い材料により構成されていることが好ましい。陽極２４は、例えば多結晶のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。陽極２４の材料は、非晶質のＩＴＯやＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等であってもよい。なお、図示しないが、陽極２４は絶縁層２６や平坦化層に設けられたコンタクトホールを介して駆動用ＴＦＴ１２のドレイン電極に導電接続されている。

隔壁２８は絶縁層２６上に設けられている。隔壁２８は、画素２の領域を区画する開口部２８ａを有している。開口部２８ａは、平面視で陽極２４よりも一回り小さく形成されている。隔壁２８は、開口部２８ａの周囲に沿って陽極２４の周縁部に所定幅で乗り上げるように形成されている。隔壁２８は、アクリル樹脂等からなる。

有機機能層３０は陽極２４上に形成されている。図示しないが、有機機能層３０は、順に積層された正孔輸送層と発光層と電子輸送層とで構成されている。正孔輸送層は、例えば、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等によって形成されている。発光層は、例えば、アルミノウムキノリノール錯体（Ａｌｑ₃）等をホスト材料とし、ルブレン等をドーパントとして形成されている。電子輸送層は、例えば、Ａｌｑ₃等によって形成されている。

有機機能層３０では、正孔輸送層から注入される正孔と、電子輸送層から注入される電子とが発光層で再結合することにより、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂで共通色の発光が得られる。有機機能層３０の発光色は、例えば白色である。なお、有機機能層３０は、上記の構成に限定されず、発光層を含む４層以上の機能層で構成されていてもよい。

陰極３２は有機機能層３０上に設けられている。陰極３２は光透過性を有している。陰極３２は、例えばマグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）からなる。陰極３２の材料は、カルシウム、ナトリウム、リチウム、またはこれらの金属化合物等であってもよい。

陰極３２上には封止部４０が配置されている。封止部４０は、例えば、封止基板４２と接着層４４とを含む。封止基板４２および接着層４４は、有機ＥＬ素子８を保護する機能を有している。接着層４４は、陰極３２を覆うように形成されており、陰極３２上に封止基板４２を固定させている。接着層４４は、例えば、透光性を有するウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等からなる。封止基板４２は、透光性を有するガラス、またはアクリル系樹脂やスチレン系樹脂等の樹脂類からなる。

なお、陰極３２と接着層４４との間に、酸素や水分が浸入することによる有機ＥＬ素子８の劣化を防止するために、例えばＳｉＯ₂、ＳｉＮ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等からなるガスバリア層等が設けられていてもよい。

カラーフィルター３８は、封止基板４２の有機ＥＬ素子８側に設けられている。カラーフィルター３８は、赤色（Ｒ）光に対応するカラーフィルター３８Ｒと、緑色（Ｇ）光に対応するカラーフィルター３８Ｇと、青色（Ｂ）光に対応するカラーフィルター３８Ｂとを有している（以下では、対応する色を区別しない場合には単にカラーフィルター３８とも呼ぶ）。カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂは、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して配置され、平面視で有機ＥＬ素子８に重なるように設けられている。

有機ＥＬ素子８により発せられる光が、カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂを透過することで、画素２Ｒ，２Ｇ，２ＢにおいてＲ、Ｇ、Ｂの３つの異なる色の光が射出される。なお、隣り合うカラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂ同士の間に、遮光層が設けられていてもよい。また、カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂの有機ＥＬ素子８側の表面を覆うとともにその表面の凹凸を緩和する平坦化層が設けられていてもよい。

有機ＥＬ装置１００では、有機機能層３０から陰極３２側に発せられた光は、封止部４０側に射出される。また、有機機能層３０から陽極２４側に発せられた光は、第１の反射層２２および第２の反射層２３により反射されて、封止部４０側に射出される。

＜反射層の光反射率＞
次に、有機ＥＬ装置１００が備える第１の反射層２２および第２の反射層２３の光反射率について、図を参照して説明する。図４は、反射層の光反射率を比較したグラフである。図４において、Ｒ１は反射層の光反射率Ｒの実測値であり、Ｒ２はその反射層上に絶縁層が設けられた場合の光反射率Ｒの実測値である。この反射層は、銀からなり、第１の反射層２２（第２の反射層２３）と同様のパターンおよび１２０ｎｍの層厚で形成されたものである。絶縁層は、絶縁層２６と同様にＳｉＮにより５０ｎｍの層厚で形成されたものである。また、図４において、縦軸は光反射率Ｒ（％）であり、横軸は光の波長λ（ｎｍ）である。なお、光共振器による共振波長の光の増幅効果は加味されていない。

図４に示すように、Ｒ１では反射する光の波長λによって光反射率Ｒが異なり、波長λが５００ｎｍ以上の光に対して９０％以上の光反射率Ｒを示している。一方、波長λが４００ｎｍ〜５００ｎｍの光に対しては９０％以下の光反射率Ｒを示し、波長λが小さいほど光反射率Ｒは低くなっている。このように、Ｒ１では、波長λが４７０ｎｍの青色（Ｂｌｕｅ）光に対する光反射率Ｒは、波長λが５３０ｎｍの緑色（Ｇｒｅｅｎ）光や６１０ｎｍの赤色（Ｒｅｄ）光に対する光反射率Ｒよりも低い値を示している。

次に、Ｒ２では、Ｒ１と同様に光の波長λによって光反射率Ｒが異なるとともに、いずれの波長λの光においてもＲ１よりも光反射率Ｒが低い値を示している。Ｒ１に対してＲ２の光反射率Ｒが低下する度合いは、波長λが５００ｎｍ以上の光よりも波長λが４００ｎｍ〜５００ｎｍの光において顕著であり、波長λが４７０ｎｍの青色光に対する光反射率Ｒは８５％を下回っている。

つまり、反射層上に絶縁層が設けられた場合、反射層のみの場合に比べて光反射率Ｒが低下し、青色光に対して光反射率Ｒが低下する度合いは緑色光や赤色光に対して光反射率Ｒが低下する度合いよりも大きいことがわかる。反射層上に絶縁層が設けられることで反射層の光反射率Ｒが低下する理由は明らかではないが、絶縁層を光が透過する際に絶縁層中で光の成分の一部が吸収されることや、反射層上に絶縁層を形成する工程における化学的あるいは物理的な作用により反射層の光反射率Ｒが低下すること等が考えられる。

したがって、画素２Ｒ，２Ｇと同様に画素２Ｂにおいても第１の反射層２２上に絶縁層２６が設けられた構成とした場合、画素２Ｂから射出される青色光の輝度が画素２Ｒ，２Ｇから射出される赤色光や緑色光の輝度よりも低くなり、有機ＥＬ装置の表示品質が低下してしまう。このような場合、従来の有機ＥＬ装置では、画素２Ｂの輝度低下を補う方法の一つとして、例えば、画素２Ｂの有機ＥＬ素子８に画素２Ｒ，２Ｇよりも大きな電流を流す方法が適用される。しかしながら、このような方法によれば、有機ＥＬ装置の消費電力の増大を招くとともに、有機ＥＬ装置の寿命を低下させることとなる。

ここで、図４において、Ｒ１での青色光に対する光反射率Ｒの値は９０％を若干下回るが、Ｒ２での緑色光や赤色光に対する光反射率Ｒの値に近い。つまり、画素２Ｂにおいて反射層上に絶縁層を設けないようにすれば、反射層上に絶縁層が設けられた画素２Ｒ，２Ｇから射出される赤色光や緑色光の輝度と、画素２Ｂから射出される青色光の輝度との差を小さくすることができる。

本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、画素２Ｒ，２Ｇにおいて第１の反射層２２上に絶縁層２６が設けられているが、画素２Ｂにおいては第２の反射層２３上には絶縁層２６が設けられていないので、画素２Ｂにおける青色光の光反射率Ｒの低下を抑えることができる。これにより、異なるＲ、Ｇ、Ｂの波長の光を射出する画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ間でより均一な明るさが得られるので、従来よりも優れた表示品質を有する有機ＥＬ装置１００を提供できる。また、従来のように画素２Ｂの輝度低下を補うために、画素２Ｂの有機ＥＬ素子８に大きな電流を流さなくてもよいので、有機ＥＬ装置の消費電力の増大および寿命低下を避けることができる。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について図を参照して説明する。図５は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャートである。図６および図７は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。

図５に示すように、有機ＥＬ装置の製造方法は、基体準備工程Ｓ１０と、第１の反射層形成工程Ｓ２０と、絶縁層形成工程Ｓ３０と、第２の反射層形成工程Ｓ４０と、陽極形成工程Ｓ５０と、隔壁形成工程Ｓ６０と、有機機能層形成工程Ｓ７０と、陰極形成工程Ｓ８０と、カラーフィルター形成工程Ｓ９０と、封止部形成工程Ｓ１００と、を含んでいる。

基体準備工程Ｓ１０では、基板１０上に駆動用ＴＦＴ１２と層間絶縁層と平坦化層とを含む回路層１９を公知の方法で形成し、基体２０を準備する。

次に、第１の反射層形成工程Ｓ２０では、図６（ａ）に示すように、基体２０上に第１の反射層２２を形成する。まず、例えばスパッタリング法により、基体２０上に銀またはＡＰＣ等からなる反射膜を成膜する。続いて、フォトリソグラフィ法を用いて反射膜のパターン加工を行い、画素２Ｒ，２Ｇの領域に第１の反射層２２を形成する。パターン加工の際は、エッチング液として、例えば燐酸と硝酸と酢酸との混合液等の弱酸溶液を用いる。

次に、絶縁層形成工程Ｓ３０では、図６（ｂ）に示すように、基体２０と第１の反射層２２とを覆うように絶縁層２６を形成する。絶縁層２６は、例えば、ＳｉＮを材料としてＣＶＤ法等により形成する。絶縁層２６は、５０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の層厚で形成することが好ましい。絶縁層２６の層厚が厚いと、絶縁層２６に覆われた第１の反射層２２の光反射率Ｒの低下が大きくなる。一方、絶縁層２６の層厚が薄いと、次の第２の反射層形成工程Ｓ４０や陽極形成工程Ｓ５０におけるパターン加工で用いられるエッチング液が絶縁層２６を浸透して、第１の反射層２２が損傷を受けるリスクが大きくなる。

次に、第２の反射層形成工程Ｓ４０では、図６（ｃ）に示すように、絶縁層２６上の画素２Ｂの領域に第２の反射層２３を形成する。第２の反射層２３を形成する方法は、フォトリソグラフィ法の露光に用いる露光マスクが異なる点以外は、第１の反射層形成工程Ｓ２０において第１の反射層２２を形成する方法と同様である。

次に、陽極形成工程Ｓ５０では、図６（ｄ）に示すように、画素２毎に陽極２４を形成する。陽極２４は、画素２Ｒ，２Ｇにおいては絶縁層２６上に平面視で第１の反射層２２に重なるように形成し、画素２Ｂにおいては第２の反射層２３の表面を覆って陽極２４の周縁部が絶縁層２６に接するように形成する。

まず、例えば、スパッタリング法により、絶縁層２６と第２の反射層２３とを覆うように、多結晶のＩＴＯからなる陽極層を成膜する。図示しないが、陽極層は、絶縁層２６や平坦化層に設けられたコンタクトホールを介して駆動用ＴＦＴ１２のドレイン電極に導電接続される。続いて、フォトリソグラフィ法を用いて陽極層のパターン加工を行う。パターン加工の際は、エッチング液として、例えば王水（塩酸と硝酸との混合液）等の強酸溶液を用いる。

このとき、第１の反射層２２は、絶縁層２６に覆われているのでエッチング液から保護される。また、第２の反射層２３は、陽極２４を形成する陽極層に覆われているのでエッチング液から保護される。これにより、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの領域に陽極２４が形成される。なお、非晶質のＩＴＯからなる陽極２４を形成し、後で焼成することにより結晶化させてもよい。非晶質ＩＴＯで陽極２４を形成する場合、パターン加工の際はエッチング液として、例えば蓚酸等を含む弱酸溶液を用いる。

次に、隔壁形成工程Ｓ６０では、図７（ａ）に示すように、絶縁層２６上に隔壁２８を形成する。例えばスピンコート法を用いて、絶縁層２６と陽極２４とを覆うようにアクリル樹脂等からなる隔壁層を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、隔壁層に各画素２の領域を区画する開口部２８ａを、平面視で陽極２４よりも一回り小さく形成する。これにより、隔壁２８が形成され、開口部２８ａにおいて陽極２４が露出する。

次に、有機機能層形成工程Ｓ７０では、図７（ｂ）に示すように、陽極２４上に白色の発光が得られる有機機能層３０を形成する。詳細は図示を省略するが、例えば真空蒸着法により、陽極２４と隔壁２８とを覆うように正孔輸送層と発光層と電子輸送層とを順に積層して成膜する。これにより、陽極２４上に有機機能層３０が形成される。なお、正孔輸送層と発光層と電子輸送層とを形成する方法として、インクジェット法やスピンコート法等により塗布する方法を適用してもよい。

次に、陰極形成工程Ｓ８０では、図７（ｃ）に示すように、有機機能層３０上に陰極３２を形成する。例えば真空蒸着法により、有機機能層３０を覆うように、Ｍｇ−Ａｇ合金等からなる陰極３２を形成する。これにより、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに有機ＥＬ素子８が形成される。

次に、カラーフィルター形成工程Ｓ９０では、図３に示すように、封止基板４２の有機ＥＬ素子８側にカラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂを形成する。カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂは、例えばＲ、Ｇ、Ｂの異なる色の光を透過させるような顔料を含む感光性樹脂を塗布してパターン加工を行うことにより形成する。

なお、互いに隣り合うカラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂ同士の間に、例えばクロム（Ｃｒ）等からなる遮光層を形成してもよい。また、カラーフィルター３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂの有機ＥＬ素子８側の表面を覆うとともにその表面の凹凸を緩和する平坦化層をさらに形成してもよい。

次に、封止部形成工程Ｓ１００では、図３に示すように、陰極３２上に接着層４４を介して封止基板４２を配置し、封止部４０を形成する。以上により、有機ＥＬ装置１００が完成する。

上記第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成および製造方法によれば、画素２Ｒ，２Ｇにおいては、第１の反射層２２上に絶縁層２６を設けるので、第１の反射層２２の有機機能層３０側に絶縁層２６が配置される。一方、画素２Ｂにおいては、絶縁層２６上に第２の反射層２３を設けるので、第２の反射層２３の有機機能層３０側には絶縁層２６が配置されない。反射層上に絶縁層が位置している場合にＲ光、Ｇ光に比べて光反射率が低下する度合いが大きいＢ光を射出する画素２Ｂにおいて、第２の反射層２３上に絶縁層２６が配置されないので、画素２ＢにおけるＢ光の光反射率の低下を抑えることができる。これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの異なる波長の光を射出する画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ間でより均一な輝度が得られるので、従来の有機ＥＬ装置よりも優れた表示品質を有する有機ＥＬ装置１００を提供できる。

また、画素２ＢにおけるＢ光の光反射率の低下が抑えられるため、画素２Ｂの輝度低下を補うために画素２Ｂの有機ＥＬ素子８に大きな電流を流さなくてもよいので、従来の有機ＥＬ装置よりも低消費電力で寿命の長い有機ＥＬ装置１００を提供できる。

（第２の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図８は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。なお、図８は図２のＡ−Ａ’線に沿った断面に対応している。

第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に対して、第１の反射層と陰極との間および第２の反射層と陰極との間に光共振器が形成されている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、図８に示すように、基体２０上に、第１の反射層２２と、絶縁層２６と、第２の反射層２３と、陽極２４（２４ａ，２４ｂ，２４ｃ）と、隔壁２８と、有機機能層３０と、陰極３２と、封止部４０とを備えている。

陽極２４ａ，２４ｂ，２４ｃは、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれに対応して配置されている。陽極２４ａ，２４ｂ，２４ｃは、それぞれ層厚が異なっている。

陰極３２は、光透過性と光反射性とを有している。つまり、陰極３２は、半透過反射性を有するハーフミラー状である。

有機ＥＬ装置２００では、第１の反射層２２と陰極３２との間、および第２の反射層２３と陰極３２との間に、有機機能層３０で発せられた光を共振させる光共振器が形成されている。有機機能層３０で発せられた光は、第１の反射層２２と陰極３２との間、および第２の反射層２３と陰極３２との間で往復し、その光学的距離に対応した共振波長の光が増幅されて、陰極３２側に射出される。このため、射出される光の輝度を高めることができるとともに、幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができる。

光共振器における共振波長は、第１の反射層２２と陰極３２との間、および第２の反射層２３と陰極３２との間の光学的距離Ｌを変えることによって調整が可能である。有機機能層３０で発せられた光のうち取り出したい光のスペクトルのピーク波長をλとすると、次のような関係式が成り立つ。Φ（ラジアン）は、有機機能層３０で発せられた光が光共振器の両端（例えば、第１の反射層２２または第２の反射層２３と陰極３２と）で反射する際に生じる位相シフトを表す。
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ（ｍは整数）

ここでは、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応させて、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢと呼ぶこととする。画素２Ｒにおいては、第１の反射層２２と陰極３２との間に位置する絶縁層２６と、陽極２４ａと、有機機能層３０とで光学的距離ＬＲが決まる。画素２Ｇにおいては、第１の反射層２２と陰極３２との間に位置する絶縁層２６と、陽極２４ｂと、有機機能層３０とで光学的距離ＬＧが決まる。画素２Ｂにおいては、第２の反射層２３と陰極３２との間に位置する陽極２４ｃと有機機能層３０とで光学的距離ＬＢが決まる。

有機ＥＬ装置２００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂが射出するＲ、Ｇ、Ｂの光に対応させて、それぞれにおける光共振器の共振波長が所定の波長λとなるように、絶縁層２６の層厚と陽極２４ａ，２４ｂ，２４ｃのそれぞれの層厚とを適宜設定することにより光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを最適化する構成となっている。

Ｒ、Ｇの光の波長はＢの光の波長よりも長いので、画素２Ｒ，２Ｇにおける光学的距離ＬＲ，ＬＧは画素２Ｂにおける光学的距離ＬＢよりも長くなるが、光学的距離ＬＲ，ＬＧに絶縁層２６が含まれるのに対して、光学的距離ＬＢには絶縁層２６が含まれない。したがって、陽極２４ａ，２４ｂ，２４ｃのみで調整する場合に比べて、より容易に光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを調整することができる。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に対して、陽極形成工程Ｓ５０において層厚がそれぞれ異なる陽極２４ａ，２４ｂ，２４ｃを形成する点が異なっているが、その他の方法はほぼ同じである。

図示を省略するが、本実施形態の陽極形成工程Ｓ５０では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれに対応して、陽極２４ａ，２４ｂ，２４ｃをそれぞれ層厚を異ならせて形成する。例えば、第１の実施形態の陽極形成工程Ｓ５０において陽極２４を形成する工程を３回繰り返して行い、３層の陽極層を形成する。画素２Ｒにおいては３層の陽極層を積層して陽極２４ａを構成し、画素２Ｇにおいては２層の陽極層を積層して陽極２４ｂを構成し、画素２Ｂにおいては１層の陽極層で陽極２４ｃを構成する。

画素２Ｂにおける陽極２４ｃは、３層の陽極層のうち最初に形成される陽極層で構成することが好ましい。このようにすることで、その後に２層の陽極層を形成する際のパターン加工において、最初に形成された陽極層で第２の反射層２３の表面を保護できる。また、最初に形成される陽極層の材料として多結晶のＩＴＯを用い、その後に形成される陽極層の材料として非晶質のＩＴＯを用いるようにしてもよい。非晶質のＩＴＯを用いる場合、パターン加工の際はエッチング液として弱酸溶液を用いるので、後に陽極層を形成する際のエッチング液により最初に形成された多結晶のＩＴＯからなる陽極層が損傷を受けることを抑制できる。

形成される陽極２４ａ，２４ｂ，２４ｃのそれぞれの層厚は、絶縁層２６の層厚とともに、第１の反射層２２と陰極３２との間、および第２の反射層２３と陰極３２との間に形成される光共振器の光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢが最適化されるように適宜設定される。

画素２Ｒ，２Ｇにおける光学的距離ＬＲ，ＬＧは画素２Ｂにおける光学的距離ＬＢよりも長くなるが、画素２Ｒ，２Ｇにおいては絶縁層２６を含めて光学的距離ＬＲ，ＬＧが調整される。これにより、陽極２４ａ，２４ｂ，２４ｃの層厚のみで調整する場合に比べて、陽極２４ａ，２４ｂの層厚を薄くできるので、より容易に光共振器の光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを調整することができる。

なお、２層の陽極層と絶縁層２６との組み合わせで光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを最適化することが可能な場合は、２層の陽極層を形成して陽極２４ａ，２４ｂ，２４ｃを構成してもよい。この場合、例えば、陽極２４ｂと陽極２４ｃとを同じ１層の陽極層で構成してもよい。このようにすれば、陽極層を形成する工程を減らすことができる。

第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００では、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００と同様に、画素２ＢにおけるＢ光の光反射率の低下を抑えることができる。また、有機ＥＬ装置２００では、第１の反射層２２と陰極３２との間、および第２の反射層２３と陰極３２との間に光共振器が形成されているので、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから射出される光の輝度を高めることができるとともに、幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができる。これにより、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００よりもさらに優れた表示品質を有する有機ＥＬ装置２００を提供できる。

（第３の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図９は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。なお、図９は図２のＡ−Ａ’線に沿った断面に対応している。

第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置３００は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に対して、有機ＥＬ素子からＲ、Ｇ、Ｂのいずれかの発光が得られる点、およびカラーフィルターを備えていない点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置３００は、図９に示すように、基体２０上に、第１の反射層２２と、絶縁層２６と、第２の反射層２３と、陽極２４と、隔壁２８と、有機機能層３０と、陰極３２と、封止部４０とを備えている。

有機機能層３０は、各画素２毎に隔壁２８の開口部２８ａ内に配置されている。画素２ＲにはＲの発光が得られる有機機能層３０Ｒが配置され、画素２ＧにはＧの発光が得られる有機機能層３０Ｇが配置され、画素２ＢにはＢの発光が得られる有機機能層３０Ｂが配置されている。有機機能層３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂは、それぞれ異なる層厚を有していてもよい。

陽極２４と、有機機能層３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂと、陰極３２とにより、画素２ＲにはＲに発光する有機ＥＬ素子８Ｒが構成され、画素２ＧにはＧに発光する有機ＥＬ素子８Ｇが構成され、画素２ＢにはＢに発光する有機ＥＬ素子８Ｂが構成される。封止基板４２には、カラーフィルターは設けられていない。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に対して、有機機能層形成工程Ｓ７０において有機機能層３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂをそれぞれ個別に形成する点、およびカラーフィルター形成工程Ｓ９０を備えていない点が異なっているが、その他の方法はほぼ同じである。

図示を省略するが、本実施形態の有機機能層形成工程Ｓ７０では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれに対応して有機機能層３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂを個別に形成する。例えば、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれに対応した開口部を有する３つの蒸着マスクを用いて、有機機能層３０Ｒの成膜と、有機機能層３０Ｇの成膜と、有機機能層３０Ｂの成膜とを個別に行う。インクジェット法により、有機機能層３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂを形成してもよい。これにより、有機機能層３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂが形成され、有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂが形成される。

第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置３００では、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００と同様に、画素２ＢにおけるＢ光の光反射率の低下を抑えることができる。したがって、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００と同様に、優れた表示品質を有する有機ＥＬ装置３００を提供できる。

＜電子機器＞
上述した有機ＥＬ装置１００，２００，３００は、例えば、図１０に示すように、電子機器としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５０２に有機ＥＬ装置１００，２００，３００を備えている。この構成により、表示部５０２を有する携帯電話機５００は、画素間でより均一な明るさが得られる。

また、電子機器は、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置の車載モニター等であってもよい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。

（変形例１）
上記実施形態の有機ＥＬ装置では、第１の反射層の層厚と第２の反射層の層厚とが同じ構成を有していたが、上記の形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、第１の反射層の層厚と第２の反射層の層厚とが異なる構成であってもよい。

例えば、有機ＥＬ装置１００，２００，３００において、第２の反射層２３の層厚を第１の反射層２２の層厚に対して相対的に厚くすることで、第２の反射層２３の光反射率Ｒを第１の反射層２２の光反射率Ｒよりも向上させることができる。これにより、画素２ＢにおけるＢ光の光反射率Ｒの低下をより抑えることができるので、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ間でより均一な明るさを得ることができる。

また、第１の反射層２２の層厚を第２の反射層２３の層厚に対して相対的に薄くすることで、基体２０と第１の反射層２２とを覆って形成される絶縁層２６の被覆性を向上させることも可能である。

（変形例２）
上記実施形態の有機ＥＬ装置は、画素２からＲ、Ｇ、Ｂの３色の光を射出する構成であったが、上記の形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、画素２から、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のうちの２色、あるいはＲ、Ｇ、Ｂの他に、例えば白色やシアン等他の色の光を射出する構成であってもよい。このような構成であってもＢ光や、Ｂ光と同様に他の波長の光よりも光反射率が低下する度合いが大きい波長の光を射出する画素２に対応して絶縁層２６上に第２の反射層２３を配置することで、この波長の光を射出する画素２における明るさが向上し、異なる波長の光を射出する画素２間で明るさがより均一な有機ＥＬ装置を提供できる。

（変形例３）
上記実施形態の有機ＥＬ装置では、画素２は、略矩形の平面形状を有しており、マトリクス状に配列されていたが、上記の形態に限定されない。画素２は、円形や楕円形等の他の平面形状を有していてもよい。また、画素２は、千鳥格子状等に配列されていてもよい。

２…画素、２０…基体、２２…第１の反射層、２３…第２の反射層、２４…第１の電極としての陽極、２６…絶縁層、３０…有機機能層、３２…第２の電極としての陰極、３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂ…カラーフィルター、１００，２００，３００…有機ＥＬ装置、５００…電子機器としての携帯電話機。

Claims (12)

1. 基体と、
   前記基体上に配列された、少なくとも２つの異なる波長の光のいずれかを射出する画素と、
   前記基体上に設けられた、光反射性を有する反射層と、
   少なくとも前記反射層に平面的に重なるように設けられた、光透過性を有する絶縁層と、
   前記反射層上に設けられた、光透過性を有する第１の電極と、
   前記第１の電極上に設けられた、少なくとも発光層を含む有機機能層と、
   前記有機機能層上に設けられた、光透過性を有する第２の電極と、を備え、
   前記反射層として、前記絶縁層の前記基体側に位置する第１の反射層と、前記絶縁層の前記第１の電極側に位置する第２の反射層と、を有し、
   前記画素には、射出する前記光の波長に応じて、前記第１の反射層または前記第２の反射層のいずれか一方が配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記第１の反射層の層厚と前記第２の反射層の層厚とが異なることを特徴とする有機ＥＬ装置。
3. 請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記第１の反射層および前記第２の反射層は、銀または銀を含む合金からなることを特徴とする有機ＥＬ装置。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記少なくとも２つの異なる波長は、赤色光に対応する波長と、緑色光に対応する波長と、青色光に対応する波長と、を含み、
   前記第１の反射層は、前記赤色光を射出する前記画素および前記緑色光を射出する前記画素に配置され、
   前記第２の反射層は、前記青色光を射出する前記画素に配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
5. 請求項４に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記画素の前記光を射出する側に配置された、前記赤色光に対応するカラーフィルターと、前記緑色光に対応するカラーフィルターと、前記青色光に対応するカラーフィルターと、をさらに備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記第２の電極は、光反射性をさらに有し、
   前記第１の反射層と前記第２の電極との間、および前記第２の反射層と前記第２の電極との間に、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
7. 請求項１から６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
8. 基体上に配列された少なくとも２つの異なる波長の光を射出する画素を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   一部の前記画素に対応して、前記基体上に光反射性を有する第１の反射層を形成する第１の反射層形成工程と、
   前記基体と前記第１の反射層とを覆うように、光透過性を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
   前記一部の前記画素以外の前記画素に対応して、前記絶縁層上に光反射性を有する第２の反射層を形成する第２の反射層形成工程と、
   前記第１の反射層上および前記第２の反射層上に、光透過性を有する第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
   前記第１の電極上に少なくとも発光層を含む有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、
   前記有機機能層上に光透過性を有する第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記第１の反射層形成工程および前記第２の反射層形成工程では、前記第１の反射層の層厚と前記第２の反射層の層厚とを異ならせて形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
10. 請求項８または９に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記第１の反射層形成工程および前記第２の反射層形成工程では、前記第１の反射層および前記第２の反射層を銀または銀を含む合金で形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
11. 請求項８から１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記少なくとも２つの異なる波長は、赤色光に対応する波長と、緑色光に対応する波長と、青色光に対応する波長と、を含み、
    前記第１の反射層形成工程では、前記赤色光を射出する前記画素および前記緑色光を射出する前記画素に対応して前記第１の反射層を形成し、
    前記第２の反射層形成工程では、前記青色光を射出する前記画素に対応して前記第２の反射層を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
12. 請求項１１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記第２の電極形成工程の後に、前記画素の前記光を射出する側に、前記赤色光に対応するカラーフィルターと、前記緑色光に対応するカラーフィルターと、前記青色光に対応するカラーフィルターと、を形成する工程をさらに含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。

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