CN109979799A - 半导体晶片的脱胶方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的半导体晶片的脱胶方法，包括：第一次超声波清洗：将该半导体晶片置于具有表面活性剂的温水中进行超声波清洗；浸泡脱胶：将该半导体晶片置于包括以下重量百分比组分的清洗剂进行浸泡：辛基酚聚氧乙烯醚8‑12％、水杨酸2‑5％、乙酰胺2‑5％、2‑羟基膦酰基乙酸4‑8％、硅酸钠5‑10％、葡萄糖酸钠4‑6％、乙醇6‑10％、异丙醇2‑6％、三氯乙烯3‑9％、余量为去离子水；以及第二次超声波清洗：将该半导体晶片置于去离子水中进行超声波清洗。该方法能高效去除半导体晶片上的胶体，保证半导体晶片表面无花片、崩边、缺口等，提高半导体晶片的成品率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体晶片领域，尤其涉及一种半导体晶片的脱胶方法。
背景技术
近年来半导体单晶硅加工技术得到了飞速发展，由最初的内(外)圆切割技术发展为目前普遍采用的多线切割技术。传统的脱胶工艺通常在切割之后，目的是去除上面的胶和切削液，此脱胶工艺一般为人工操作，工艺过程为将晶片浸泡在35℃的热水槽中，浸泡时间为60min。但通常，人工操作难以规范，随意性强，表面冲洗不干净会导致脱胶后表面花片，浸泡不充分脱胶会导致崩边裂片等，同时对晶片表面和完整性造成不同程度的破坏，经常造成后道工序的裂片、崩边、沾污等。因此脱胶工艺成为限制产能和产品质量的瓶颈。因此，亟待提供一种实用去胶技术以降低不良率，降低半导体晶片表面杂质沾污，提高良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体晶片的脱胶方法，其能高效去除半导体晶片上的胶体，保证半导体晶片表面无花片、崩边、缺口等，提高半导体晶片的成品率。
为实现上述目的，本发明的半导体晶片的脱胶方法，包括以下步骤：
第一次超声波清洗：将该半导体晶片置于具有表面活性剂的温水中进行超声波清洗；
浸泡脱胶：将该半导体晶片置于包括以下重量百分比组分的清洗剂进行浸泡：辛基酚聚氧乙烯醚8-12％、水杨酸2-5％、乙酰胺2-5％、2-羟基膦酰基乙酸4-8％、硅酸钠5-10％、葡萄糖酸钠4-6％、乙醇6-10％、异丙醇2-6％、三氯乙烯3-9％、余量为去离子水；以及
第二次超声波清洗：将该半导体晶片置于去离子水中进行超声波清洗。
与现有技术相比，本发明的半导体晶片的脱胶方法采用特制的清洁剂进行除胶，并结合二次超声波清洗，可高效去除半导体晶片上的胶体，保证半导体晶片表面无花片、崩边、缺口等，提高半导体晶片的成品率。
较佳地，在进行第一次超声波清洗之前，还包括预清洗：采用去离子水清洗半导体晶片。
较佳地，在进行第一次超声波清洗之后且在浸泡脱胶之前，还包括：对该半导体晶片进行温水喷淋。
较佳地，在第一次超声波清洗中，所述表面活性剂在水中的体积比为1-2％。
较佳地，在第一次超声波清洗和第二次超声波清洗中，超声频率为45KHz-655KHz，水温为50-60℃，清洗时间为600-900s。
较佳地，在进行第二次超声波清洗之后还包括：将半导体晶片取出并吹干。
较佳地，在浸泡脱胶中，所述清洗剂包括以下重量百分比组分：辛基酚聚氧乙烯醚10％、水杨酸4％、乙酰胺4％、2-羟基膦酰基乙酸6％、硅酸钠7％、葡萄糖酸钠5.5％、乙醇8％、异丙醇4％、三氯乙烯7％、余量为去离子水。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的半导体晶片的脱胶方法作进一步说明，但不因此限制本发明。
本发明的半导体晶片的脱胶方法的一个实施例包括以下步骤：
第一次超声波清洗：将该半导体晶片置于具有表面活性剂的温水中进行超声波清洗；
浸泡脱胶：将该半导体晶片置于包括以下重量百分比组分的清洗剂进行浸泡：辛基酚聚氧乙烯醚8-12％、水杨酸2-5％、乙酰胺2-5％、2-羟基膦酰基乙酸4-8％、硅酸钠5-10％、葡萄糖酸钠4-6％、乙醇6-10％、异丙醇2-6％、三氯乙烯3-9％、余量为去离子水；以及
第二次超声波清洗：将该半导体晶片置于去离子水中进行超声波清洗。
较佳地，本发明的半导体晶片的脱胶方法的一个优选实施例包括以下步骤：
预清洗：采用去离子水清洗半导体晶片；
第一次超声波清洗：将该半导体晶片置于具有表面活性剂的温水中进行超声波清洗；
喷淋：对该半导体晶片进行温水喷淋；
浸泡脱胶：将该半导体晶片置于包括以下重量百分比组分的清洗剂进行浸泡：辛基酚聚氧乙烯醚8-12％、水杨酸2-5％、乙酰胺2-5％、2-羟基膦酰基乙酸4-8％、硅酸钠5-10％、葡萄糖酸钠4-6％、乙醇6-10％、异丙醇2-6％、三氯乙烯3-9％、余量为去离子水；
第二次超声波清洗：将该半导体晶片置于去离子水中进行超声波清洗；以及
吹干：将半导体晶片取出并吹干。
具体地，在预清洗中，将晶片放置在装满去离子水的清洗槽中利用进行预清洗，以去除晶片表面的砂浆。较佳地，温度为50-60℃，时间为20分钟。
在第一次超声波清洗中，采用表面活性剂和水的混合液进行浸泡，其中表面活性剂的体积比为1-2％。超声频率为45KHz-655KHz，水温为50-60℃，清洗时间为600-900s。通过第一次超声波清洗，可去除晶片缝隙之间的残留物。
继而，对半导体晶片进行温水喷淋，例如，进行往复喷淋时间600s-700s，往复周期90s-100s，水温控制在50-60℃，水压0.8MPa-1.2MPa。
在浸泡脱胶中，清洗剂为：辛基酚聚氧乙烯醚8-12％、水杨酸2-5％、乙酰胺2-5％、2-羟基膦酰基乙酸4-8％、硅酸钠5-10％、葡萄糖酸钠4-6％、乙醇6-10％、异丙醇2-6％、三氯乙烯3-9％、余量为去离子水。在一个优选实施例中，清洗剂包括以下重量百分比组分：辛基酚聚氧乙烯醚10％、水杨酸4％、乙酰胺4％、2-羟基膦酰基乙酸6％、硅酸钠7％、葡萄糖酸钠5.5％、乙醇8％、异丙醇4％、三氯乙烯7％、余量为去离子水。通过在65-75℃的清洗剂中进行浸泡，可有效去除半导体晶片上的胶体。
接着，进行第二次超声波清洗：将该半导体晶片置于去离子水中进行超声波清洗，超声频率为45KHz-655KHz，水温为50-60℃，清洗时间为600-900s，以进一步清洗晶片上的杂质。
最后，当水温降到30℃左右时，取出晶片，用***吹干。
与现有技术相比，本发明的半导体晶片的脱胶方法采用特制的清洁剂进行除胶，并结合二次超声波清洗，可高效去除半导体晶片上的胶体，保证半导体晶片表面无花片、崩边、缺口等，提高半导体晶片的成品率。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
Claims (7)
1.一种半导体晶片的脱胶方法，包括以下步骤：
第一次超声波清洗：将该半导体晶片置于具有表面活性剂的温水中进行超声波清洗；
浸泡脱胶：将该半导体晶片置于包括以下重量百分比组分的清洗剂进行浸泡：辛基酚聚氧乙烯醚8-12％、水杨酸2-5％、乙酰胺2-5％、2-羟基膦酰基乙酸4-8％、硅酸钠5-10％、葡萄糖酸钠4-6％、乙醇6-10％、异丙醇2-6％、三氯乙烯3-9％、余量为去离子水；以及
第二次超声波清洗：将该半导体晶片置于去离子水中进行超声波清洗。
2.如权利要求1所述的半导体晶片的脱胶方法，其特征在于：在进行第一次超声波清洗之前，还包括预清洗：采用去离子水清洗半导体晶片。
3.如权利要求1所述的半导体晶片的脱胶方法，其特征在于：在进行第一次超声波清洗之后且在浸泡脱胶之前，还包括：对该半导体晶片进行温水喷淋。
4.如权利要求1所述的半导体晶片的脱胶方法，其特征在于：在第一次超声波清洗中，所述表面活性剂在水中的体积比为1-2％。
5.如权利要求1所述的半导体晶片的脱胶方法，其特征在于：在第一次超声波清洗和第二次超声波清洗中，超声频率为45KHz-655KHz，水温为50-60℃，清洗时间为600-900s。
6.如权利要求4所述的半导体晶片的脱胶方法，其特征在于：在进行第二次超声波清洗之后还包括：将半导体晶片取出并吹干。
7.如权利要求1所述的半导体晶片的脱胶方法，其特征在于：在浸泡脱胶中，所述清洗剂包括以下重量百分比组分：辛基酚聚氧乙烯醚10％、水杨酸4％、乙酰胺4％、2-羟基膦酰基乙酸6％、硅酸钠7％、葡萄糖酸钠5.5％、乙醇8％、异丙醇4％、三氯乙烯7％、余量为去离子水。
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