CN203002693U - 金刚线切割单晶硅片脱胶预清洗装置 - Google Patents

金刚线切割单晶硅片脱胶预清洗装置 Download PDF

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李淑丽
赵可武
张骏凯
高攀红
左亚莲
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Ningxia Longi Silicon Materials Co Ltd
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Abstract

一种金刚线切割单晶硅片脱胶预清洗装置，包括槽体，槽体内设有超声振动装置、喷淋管和进出水***，底部设有加热装置。本实用新型在清洗槽体内设置超声、加热、喷淋装置及进出水***，这些装置、***相互配合，不仅可有效去除金刚线切割的单晶硅片表面与硅片之间的硅粉颗粒、金属离子、氧化物和有机物等污染物，提高单晶硅片表面预清洗质量，减轻了后续清洗压力，而且大大缩短脱胶预清洗的时间，提高了生产效率。

Description

金刚线切割单晶硅片脱胶预清洗装置
技术领域
本实用新型涉及太阳能硅片脱胶清洗技术领域，涉及一种金刚线切割单晶硅片的脱胶预清洗装置。
背景技术
目前，太阳能单晶硅片切割主要采用游离切割技术，游离切割技术工艺效率低且成本较高，并造成严重的环境污染。随着太阳能单晶切割技术的快速发展，新型的金刚石线切割技术应运而生，该技术采用包埋在钢线表面的金刚石，在切割液的配合下实现切割，其切割速度是传统游离切割技术的2～3倍，切割后产生的硅粉予以回收使用，切割液清洁环保。
由于金刚线切割后的单晶硅片表面会产生大量的硅粉颗粒、金属离子以及氧化物、有机物等污染物，导致脱胶预清洗总时间一般在45min-60min，且在较长时间内不能很好去除单晶硅片表面大部分污染物，增加了后续清洗压力，生产效率低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种金刚线切割单晶硅片脱胶预清洗装置，有效去除单晶硅表面的大部分污染物，提高预清洗效果，缩短脱胶预清洗时间。
本实用新型的目的是这样实现的，一种金刚线切割单晶硅片脱胶预清洗装置，包括槽体，槽体内设有超声振动装置、喷淋管和进出水***，底部设有加热装置。
本实用新型的特点还在于：
超声振动装置包括超声振板和超声主机，超声振板固定设置在槽体的内侧，且与超声主机电连接。
喷淋管与外接喷淋进水管道连接，喷淋管为不锈钢圆管或方管，方管上可以安装喷淋头。
进出水***包括进水***和出水***；进水***包括进水口和溢流进水口，进水口与外接进水管道连接，溢流进水口与外接溢流进水管道连通；出水***包括设置在槽体底部的出水口和溢流出水口，出水口与外接出水管道连接，溢流出水口与外接排水管道连接；出水口设置有第一过滤网。
槽体内还设有不锈钢承载架，承载架承载装有硅棒的脱胶架，承载架上设置有第二过滤网。
槽体内设有温度传感器。
槽体外侧设置有进水管道、出水管道、溢流管道及喷淋进水管道且分别设有阀门，喷淋进水管道上设置有水压表。
槽体内还设有监测槽中液面高度变化的液位浮球，槽体上设置有盖板。
本实用新型具有如下有益效果：
本实用新型在清洗槽体内设置超声、加热、喷淋装置及进出水***，这些装置、***相互配合，不仅可有效去除金刚线切割的单晶硅片表面与硅片之间的硅粉颗粒、金属离子、氧化物和有机物等污染物，提高单晶硅片表面预清洗质量，减轻了后续清洗压力，而且大大缩短脱胶预清洗的时间，提高了生产效率。
附图说明
图1为本实用新型金刚线切割单晶硅片的脱胶预清洗装置结构示意图；
图2为图1侧视图；
图3为图1后视图。
图中，1.槽体；2.出水口；3.第一过滤网；4.加热管；5.温度传感器；6.承载架；7.第二过滤网；8.超声振板；9.喷淋管；10.脱胶架；11.盖板；12.进水阀门；13.出水阀门；14.溢流进水阀门；15.液位浮球；16.溢流出水口；17.喷淋进水阀门；18、水压表。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进行进一步具体的说明
本实用新型提供的金刚线切割单晶硅片脱胶预清洗装置，主要包括不锈钢槽体1，槽体1底部设置出水口2，出水口2与外接出水管道连接；出水口2上方设置第一过滤网3，第一过滤网3的网孔径需保证能全部接收掉落大于5mm的碎硅片；槽体1底部还设置有加热管4和温度传感器5，温度传感器5与外接电控箱连接。
槽体1中部设有可拆卸的不锈钢承载架6，承载架6上设置第二过滤网7，第二过滤网7网孔径与第一过滤网3相同；槽体1中部还设置进水口和溢流进水口，进水口与外接进水管道连接，溢流进水口与外接溢流进水管道连通。
槽体1中部两侧设置超声振板8，超声振板8与外接超声主机连接，超声频率在28KHz-120KHz；槽体1中上部两侧分别设有1-3组喷淋管9，每组两个，喷淋管9采用固定式或可调式的不锈钢圆管或方管，并可以人工调整喷淋角度，喷淋管9与外接喷淋进水管道连接。
槽体1上部设有溢流出水口16，溢流出水口16与外接排水管道连接。槽体1外部设置盖板11，盖板11可与槽体1固定连接使用或可单独使用。
槽体1外部设置进水管道、出水管道和溢流管道，通过进水阀门12、出水阀门13和溢流进水阀门14分别控制进水、出水和溢流进水；槽体1外部还设有喷淋进水管道，喷淋进水管道上设有喷淋进水阀门17和水压表18，水压表显示喷淋压力大小。
槽体1内部还设有不锈钢超声和加热液位浮球15，监测槽中液面的高度变化，保护装置。
工作时，将切割后的硅棒装入脱胶架10中，然后置于槽体1中，固定脱胶架10稳定放置在承载架6上；打开喷淋进水阀门17，调节喷淋管9的角度，进行一次喷淋；将盖板11盖在槽体1上方，同时开启出水阀门13排出喷淋后的废水，调节喷淋进水阀门17开度至水压表18读数显示在0.05MP-0.1MP，5min-10min后关闭喷淋进水阀门17；待废水排完后，关闭出水阀门13，开启进水阀门12加水至液位浸没超声振板8的上端即可，关闭进水阀门，先打开加热电源，待温度升高至30℃-60℃后，开启超声电源并打开溢流进水阀门14，超声频率28KHz-120KHz，超声时间5min-10min，调节溢流量保证液位在槽体1最大高度以下，液体通过溢流出水口16自动流出；超声完毕后，打开出水阀门13排净废水，然后开启喷淋进水阀门17，进行二次喷淋，时间3min-5min；二次喷淋后，关闭喷淋进水阀门17，打开盖板11，将脱胶架10取出，然后置于热水槽或有机酸槽脱胶，时间3min-5min，最后将脱胶后的硅片进行清洗、检验和包装。
本实用新型金刚线切割单晶硅片的脱胶预清洗装置采用喷淋和热水超声，清洗效果好，降低硅粉、金属离子和切割液等杂质的沾污率，提高硅片表面清洗质量。
采用本实用新型金刚线切割单晶硅片的脱胶预清洗装置，整个脱胶预清洗的时间大约在30min以内，与现有技术相比缩短时间至少15min-30min，提高了劳动生产率。
本实用新型溢流装置可及时将超声后游离在水中的硅粉颗粒、金属颗粒、氧化物以及有机物等杂质排出，有效防止污染物在硅片上重新附着。
本实用新型金刚线切割单晶硅片的脱胶预清洗装置制造成本低，使用方便，降低了硅片生产制造成本。

Claims (8)

1.一种金刚线切割单晶硅片脱胶预清洗装置，其特征在于，包括槽体（1），槽体（1）内设有超声振动装置、喷淋管（9）和进出水***，底部设有加热装置。
2.根据权利要求1所述的金刚线切割单晶硅片脱胶预清洗装置，其特征在于，所述超声振动装置包括超声振板（8）和超声主机，所述超声振板（8）固定设置在槽体（1）的内侧，且与超声主机电连接。
3.根据权利要求1或2所述的金刚线切割单晶硅片脱胶预清洗装置，其特征在于，所述喷淋管（9）与外接喷淋进水管道连接，喷淋管（9）为不锈钢圆管或方管。
4.根据权利要求3所述的金刚线切割单晶硅片脱胶预清洗装置，其特征在于，所述进出水***包括进水***和出水***；所述进水***包括进水口和溢流进水口，所述进水口与外接进水管道连接，溢流进水口与外接溢流进水管道连通；所述出水***包括设置在槽体（1）底部的出水口（2）和溢流出水口（16），所述出水口（2）与外接出水管道连接，所述溢流出水口（16）与外接排水管道连接；所述出水口（2）设置有第一过滤网（3）。
5.根据权利要求4所述的金刚线切割单晶硅片脱胶预清洗装置，其特征在于，所述槽体（1）内还设有不锈钢承载架（6），承载架（6）承载装有硅棒的脱胶架（10），所述承载架（6）上设置有第二过滤网（7）。
6.根据权利要求5所述的金刚线切割单晶硅片脱胶预清洗装置，其特征在于，槽体（1）内设有温度传感器（5）。
7.根据权利要求6所述的金刚线切割单晶硅片脱胶预清洗装置，其特征在于，所述槽体（1）外侧设置有进水管道、出水管道、溢流管道及喷淋进水管道且分别设有阀门，所述喷淋进水管道上设置有水压表（18）。
8.根据权利要求7所述的金刚线切割单晶硅片脱胶预清洗装置，其特征在于，所述槽体（1）内还设有监测槽中液面高度变化的液位浮球（15），槽体（1）上设置有盖板（11）。
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GR01 Patent grant
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Assignee: Xi'an Longji Jingyi Semiconductor Materials Co Ltd

Assignor: Xi'an Longji Silicon Material Co., Ltd.|Wuxi Longji Silicon Material Co., Ltd.|Yinchuan Longji Silicon Material Co., Ltd.|Ningxia Longji Silicon Material Co., Ltd.

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Granted publication date: 20130619

License type: Exclusive License

Record date: 20140926

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Co-patentee after: Wuxi LONGi Silicon Materials Corp.

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Co-patentee after: Ningxia LONGi Silicon Material Co.,Ltd.

Co-patentee after: Yinchuan LONGi Silicon Material Co.,Ltd.

Address before: 710100 Changan District, Shaanxi Province, aerospace Road, No. 388, No.

Co-patentee before: Wuxi LONGi Silicon Materials Corp.

Patentee before: Xi'an Longji-Silicon Co., LTD.

Co-patentee before: Ningxia LONGi Silicon Material Co.,Ltd.

Co-patentee before: Yinchuan LONGi Silicon Material Co.,Ltd.

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