CN109698681A - 弹性波装置 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000013589 supplement Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000005662 electromechanics Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 102220168497 rs113022949 Human genes 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/1457—Transducers having different finger widths
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14502—Surface acoustic wave [SAW] transducers for a particular purpose
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14517—Means for weighting
- H03H9/14529—Distributed tap
- H03H9/14532—Series weighting; Transverse weighting
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
- H03H9/6496—Reducing ripple in transfer characteristic
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Abstract
本发明提供一种使用层叠型基板且传播损耗小的弹性波装置。弹性波装置(1)具备:层叠型基板(2),具有压电膜(5)、低声速材料层(4)、以及高声速材料层(3),层叠型基板(2)的倒速度面为凸;以及IDT电极(6),设置在压电膜(5)上,在IDT电极(6)中,第一电极指(13)的前端与第二汇流条(12)之间的第一间隙以及第二电极指(14)的前端与第一汇流条(11)之间的第二间隙的间隙长度为0.23λ以下,该间隙长度是第一间隙以及第二间隙沿着第一电极指(13)以及第二电极指(14)延伸的方向的尺寸。
Description
技术领域
本发明涉及具有层叠了高声速材料层、低声速材料层以及压电膜的层叠型基板的弹性波装置。
背景技术
弹性波装置的IDT电极具有相互对置的第一汇流条和第二汇流条、多根第一电极指、以及多根第二电极指。多根第一电极指的一端与第一汇流条连接。多根第二电极指的一端与第二汇流条连接。第一电极指的前端与第二汇流条隔开间隙配置。此外,第二电极指的前端与第一汇流条隔开间隙配置。在下述的专利文献1中,示出了如下要点,即,若上述间隙的长度为1λ以上,则产生优选的波导,若比3λ长,则更加优选。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-101350号公报
如专利文献1所示,以往认为,优选电极指前端与汇流条之间的间隙的长度长。
然而,本申请的发明人新发现:在压电基板为层叠型基板的弹性波装置中,若增大间隙,则传播损耗变大。特别是,在层叠有高声速材料层、低声速材料层以及压电膜的层叠型基板的情况下,传播损耗容易变大。另外,所谓高声速材料,是所传播的体波(bulk wave)的声速与在压电膜传播的弹性波的传播速度相比为高速的材料。所谓低声速材料,是所传播的体波的声速比在压电膜传播的体波的声速低的材料。
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于,解决上述的由本申请的发明人新发现的课题。即,本发明的目的在于,提供一种具有层叠型基板且传播损耗小的弹性波装置。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的弹性波装置具备:层叠型基板,具有压电膜、传播与在所述压电膜传播的体波的声速相比为低速的体波的低声速材料层、以及传播与在所述压电膜传播的弹性波的声速相比为高速的体波的高声速材料层,在所述高声速材料层与所述压电膜之间配置有所述低声速材料层,所述层叠型基板的倒速度面为凸;以及IDT电极,设置在所述压电膜上,所述IDT电极具有相互对置的第一汇流条以及第二汇流条、从所述第一汇流条向所述第二汇流条侧延伸的多根第一电极指、以及从所述第二汇流条朝向所述第一汇流条延伸的多根第二电极指,所述第一电极指的前端与所述第二汇流条之间的第一间隙以及所述第二电极指的前端与所述第一汇流条之间的第二间隙的间隙长度为0.23λ以下,该间隙长度是所述第一间隙以及所述第二间隙沿着所述第一电极指以及所述第二电极指延伸的方向的尺寸。
在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的方面中,在所述IDT电极中,所述第一电极指和所述第二电极指在弹性波传播方向上相互重叠的交叉区域具有:所述第一电极指以及所述第二电极指延伸的方向上的中央处的中央区域;以及配置在所述中央区域的所述第一电极指以及所述第二电极指延伸的方向上的两外侧的第一边缘区域以及第二边缘区域,所述第一边缘区域以及所述第二边缘区域的声速比所述中央区域的声速低。在该情况下,能够减小横模脉动。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中,在所述第一边缘区域以及所述第二边缘区域中,所述第一电极指以及所述第二电极指的宽度比所述中央区域中的所述第一电极指以及所述第二电极指的宽度宽,所述宽度是所述第一电极指以及所述第二电极指沿着弹性波传播方向的尺寸。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述第一汇流条以及所述第二汇流条具有沿着弹性波传播方向延伸的多个开口,所述多个开口的所述交叉区域侧的部分分别被作为第一细汇流条部以及第二细汇流条部,所述多个开口的与所述交叉区域相反侧的部分分别被作为第一外侧汇流条部以及第二外侧汇流条部,所述第一细汇流条部以及所述第二细汇流条部与所述第一外侧汇流条部以及所述第二外侧汇流条部通过配置在所述多个开口间的连结部连结。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述压电膜由LiTaO3构成,厚度为3.5λ以下。在该情况下,能够提高Q值。
在本发明中,所述高声速材料层可以为由高声速材料构成的支承基板。此外,在本发明涉及的弹性波装置中,可以还具备对高声速材料层进行支承的支承基板。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,在所述第一边缘区域以及所述第二边缘区域层叠有第一电介质膜作为质量附加膜。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,在所述第一电极指以及所述第二电极指的位于所述第一边缘区域以及所述第二边缘区域的部分层叠有金属膜作为质量附加膜。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述第一电介质膜还层叠在所述第一汇流条和所述第二汇流条以及所述第一间隙和所述第二间隙处。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,在所述IDT电极上层叠有第二电介质膜作为频率调整膜,隔着所述第二电介质膜层叠有所述第一电介质膜。
发明效果
根据本发明,在使用层叠有高声速材料层、低声速材料层以及压电膜的层叠型基板的弹性波装置中,能够减小传播损耗。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的电极构造的主要部分的部分切割俯视图。
图2是第一实施方式的弹性波装置的简图式主视剖视图。
图3是示出第一实施方式的弹性波装置的电极构造的示意性俯视图。
图4是将图1的一部分放大示出的部分切割放大俯视图。
图5是示出LiTaO3以及在第一实施方式中使用的层叠型基板的倒速度面的图。
图6是示出间隙长度G为0.17λ、0.28λ或0.61λ的弹性波装置的反射损耗特性的图。
图7是示出IDT电极中的间隙长度G与反射损耗的关系的图。
图8是用于说明在第一实施方式的弹性波装置中传播损耗下降的理由的示意图。
图9是示出本发明的第二实施方式涉及的弹性波装置的电极构造和各区域的声速的部分切割俯视图。
图10是用于说明第三实施方式涉及的弹性波装置的电极构造的俯视图。
图11是用于说明第四实施方式涉及的弹性波装置的IDT电极的俯视图。
图12是用于说明第五实施方式的弹性波装置的IDT电极的电极构造的俯视图。
图13是第六实施方式涉及的弹性波装置的简图式侧视剖视图。
图14是用于说明第七实施方式涉及的弹性波装置的IDT电极的电极构造的俯视图。
图15是第七实施方式的弹性波装置的简图式侧视剖视图。
图16是第八实施方式涉及的弹性波装置的简图式侧视剖视图。
图17是用于说明第八实施方式的弹性波装置的变形例的简图式侧视剖视图。
图18是用于说明第八实施方式的弹性波装置的其它变形例的简图式侧视剖视图。
图19是示出第四实施方式涉及的弹性波装置中的边缘区域的长度与横模的机电耦合系数的关系的图。
图20是示出第七实施方式涉及的弹性波装置中的边缘区域的长度与横模的机电耦合系数的关系的图。
图21是第九实施方式的弹性波装置的主视剖视图。
图22是示出LiTaO3膜厚与Q特性的关系的图。
附图标记说明
1:弹性波装置,2、2A:层叠型基板,3:高声速支承基板,3A:支承基板,3B:高声速材料层,4:低声速材料层,5:压电膜,6:IDT电极,7、8:反射器,11、12:第一汇流条、第二汇流条,13、14:第一电极指、第二电极指,13a、13b、14a、14b:宽宽度部,26:IDT电极,31、35:开口,32、36:第一细汇流条部、第二细汇流条部,33、37:第一外侧汇流条部、第二外侧汇流条部,34、38:连结部,41:IDT电极,42、43:第一汇流条、第二汇流条,44、45:第一电极指、第二电极指,51、51A:IDT电极,52、53:第一电极指、第二电极指,54、54A:第一电介质膜,61:IDT电极,62:金属膜,71:弹性波装置,72:第二电介质膜,91:弹性波装置。
具体实施方式
以下,通过参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明,从而明确本发明。
另外,需要指出的是,在本说明书记载的各实施方式是例示性的,能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
图2是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的简图式主视剖视图,图3是示出该弹性波装置的电极构造的示意性俯视图。
弹性波装置1具有层叠型基板2。层叠型基板2具有作为高声速材料层的高声速支承基板3、低声速材料层4以及由LiTaO3构成的压电膜5。在高声速支承基板3上,依次层叠有低声速材料层4以及压电膜5。在压电膜5上设置有IDT电极6以及反射器7、8。由此,构成单端口型弹性波谐振器。
所谓构成高声速材料层的高声速材料,是所传播的体波的声速与在压电膜5传播的弹性波的声速相比为高速的材料。所谓构成低声速材料层4的低声速材料,是指所传播的体波的声速与在压电膜5传播的体波的声速相比为低速的材料。在高声速支承基板3上层叠有低声速材料层4以及压电膜5的层叠型基板2中,能够将弹性波的能量有效地封闭在压电膜5内。
不过,如前所述,本申请的发明人新发现了在使用了这样的层叠型基板2的情况下,若IDT电极6中的间隙的尺寸变大,则传播损耗变大。
如图3所示,IDT电极6具有相互对置的第一汇流条11以及第二汇流条12。多根第一电极指13的一端与第一汇流条11连接。第一电极指13朝向第二汇流条12侧延伸。多根第二电极指14的一端与第二汇流条12连接。第二电极指14朝向第一汇流条11侧延伸。
第一电极指13的前端与第二汇流条12之间为第一间隙,第二电极指14的前端与第一汇流条11之间为第二间隙。以下,将该第一间隙以及第二间隙的在第一电极指13以及第二电极指14延伸的方向上的尺寸设为间隙长度G。
在弹性波装置1中,间隙长度G为0.23λ以下,因此能够减小传播损耗。
另外,在图3中,以简图方式示出IDT电极6,在图1以及图4放大示出IDT电极6的主要部分。此外,在图4中,还示出各部分的声速。第一电极指13具有宽宽度部13a、13b。在此,所谓电极指的宽度,是指沿着弹性波传播方向的尺寸。第二电极指14也具有宽宽度部14a、14b。宽宽度部13a、14a位于第一电极指13以及第二电极指14的前端侧。宽宽度部13b设置在与宽宽度部14a在弹性波传播方向上对置的位置。宽宽度部14b设置为与宽宽度部13a在弹性波传播方向上对置。
因此,作为第一电极指13和第二电极指14在弹性波传播方向上相互重叠的区域的交叉区域C具有中央区域C1和配置在中央区域C1的弹性波传播方向外侧的第一边缘区域C2以及第二边缘区域C3。此外,第一边缘区域C2的外侧为第二间隙所位于的间隙区域,将其作为第二间隙区域。第二边缘区域C3的弹性波传播方向外侧为第一间隙所位于的第一间隙区域。第一间隙区域以及第二间隙区域的外侧成为第一汇流条11或第二汇流条12所位于的区域。将这些各区域的声速示意性地示于图4。关于图4中的各区域的声速,越靠图4的右侧,意味着越是高速。
在弹性波装置1中,在IDT电极6中,与中央区域C1的声速V1相比,第一边缘区域C2以及第二边缘区域C3的声速V2被降低。而且,在第一边缘区域C2以及第二边缘区域C3的外侧设置有声速为V3的间隙区域。进而,设置有第一汇流条11以及第二汇流条12的部分的声速为V4,V4与V3相比为低速。声速V1~V4的高低为V3>V4>V1>V2。
在层叠型基板的情况下,横模成为问题,因此,通过将IDT电极6构成为具有这样的声速关系,从而能够利用声速差来抑制横模。不过,本发明并不限定于具有用于抑制横模的电极构造的弹性波装置。
如前所述,关于弹性波装置1的特征,其特征在于,前述间隙长度G为0.23λ以下。在弹性波装置1中,间隙区域和设置有第一汇流条11以及第二汇流条12的部分构成高声速区域。因此,即使上述间隙长度G小,也能够形成活塞模式(piston mode)而抑制横模。由此,能够减小传播损耗。基于具体的实验例对此进行说明。
按照以下的设计参数制作了弹性波装置1。
层叠型基板2的结构。高声速支承基板3:Si基板,低声速材料层4:SiO2膜,厚度为0.3λ。设为,
压电膜5:欧拉角为(0°、140°、0°)的LiTaO3膜,厚度为0.3λ
IDT电极6以及反射器7、8的电极材料:Al
IDT电极6的电极指的对数:100对
IDT电极6的占空比:0.45
反射器7、8的电极指的根数:41根(=20对)
IDT电极6以及反射器7、8的膜厚:0.05λ
λ=2μm。
制作了将间隙长度G设为0.17λ、0.28λ或0.61λ的三种弹性波装置1。将这些弹性波装置的反射损耗特性示于图6。
根据图6明确可知,在间隙长度为0.61λ的情况下,反射损耗特性最差,在0.28λ时稍微改善,在0.17λ的情况下,反射损耗特性最为良好。即,可知,如果将间隙长度设为0.17λ,则能够减小传播损耗。
因此,基于上述的结果,在弹性波装置1中,进一步对间隙长度G进行各种变更,并评价了反射损耗特性。将结果示于图7。另外,图7所示的反射损耗的值示出2600MHz附近的反射损耗变得最差的部分的值。
根据图7明确可知,在间隙长度G为0.24λ以上时,反射损耗大,相对于此,在0.23λ以下时,能够减小反射损耗,能够减小传播损耗。
认为之所以能够像上述的那样减小间隙长度G,是由于以下的理由。图5的实线示出上述层叠型基板2的倒速度面,虚线示出由LiTaO3单体构成的压电基板的倒速度面。根据图5明确可知,在使用了层叠型基板2的情况下,倒速度面变得凸。此外,层叠型基板2的倒速度面与由LiTaO3单体构成的压电基板的倒速度面不同。该差异被认为是在增大了间隙长度G的情况下传播损耗变差的理由。即,低声速材料层4中的SH分量的体波的声速为3750m/秒左右,非常接近在IDT电极6中激励的弹性波的声速。因此,上述体波容易与利用为弹性波的模式耦合。因此,若间隙长度G变大,则作为主模而被激励的弹性波向压电膜5的深度方向泄漏。认为传播损耗因此而变差。
相对于此,在弹性波装置1中,减小了间隙长度G。因此,认为如图8中箭头A所示,欲向深度方向泄漏的主模被靠近的第一汇流条11的内侧端缘反射,抑制了向厚度方向的泄漏。因此,认为实现了反射损耗特性的改善,即,减小了传播损耗。
图9是放大示出本发明的第二实施方式涉及的弹性波装置的电极构造的主要部分的部分切割俯视图。在第二实施方式的弹性波装置中,在IDT电极26中,第一汇流条11以及第二汇流条12的构造与图1所示的IDT电极6不同,除此以外,与第一实施方式的弹性波装置1同样地构成。
在IDT电极26中,在第一汇流条11以及第二汇流条12分别设置有多个开口31、35。多个开口31沿着弹性波传播方向排列。多个开口35也沿着弹性波传播方向排列。
而且,开口31、35的交叉区域侧的部分作为第一细汇流条部32以及第二细汇流条部36。多个开口31、35的与交叉区域相反侧的部分作为第一外侧汇流条部33以及第二外侧汇流条部37。第一细汇流条部32和第一外侧汇流条部33通过多个连结部34连结。连结部34位于相邻的开口31之间。
同样地,在第二汇流条12中,第二细汇流条部36和第二外侧汇流条部37也通过多个连结部38连结。
另外,连结部34配置在将第一电极指13向交叉区域的外侧方向延长的位置。连结部38设置在将第二电极指14向交叉区域的外侧方向延长的位置。
在第二实施方式的弹性波装置中,第一电极指13以及第二电极指14的前端与第一汇流条11以及第二汇流条12之间的间隙长度也设为0.23λ以下。因此,与第一实施方式同样地,能够减小传播损耗。
此外,在第二实施方式的弹性波装置中,IDT电极26的与弹性波传播方向正交的各区域的声速变得如图9所示。
中央区域的声速设为V1,第一边缘区域以及第二边缘区域的声速设为V2。第一间隙区域以及第二间隙区域的声速设为V10,第一细汇流条部32以及第二细汇流条部36的声速设为V11,设置有开口31、35的区域的声速设为V12,设置有第一外侧汇流条部33以及第二外侧汇流条部37的区域的声速设为V13。关于声速V1、V2、V10~V13,存在V10>V12>V11=V13>V1>V2的关系。
在该情况下,相对于第一边缘区域以及第二边缘区域,由第二间隙或第一间隙和第一细汇流条部32或第二细汇流条部36构成了高声速区域。因此,与第一实施方式同样地,能够抑制横模脉动。
图10是示出本发明的第三实施方式涉及的弹性波装置的电极构造的俯视图。在第三实施方式的弹性波装置中,IDT电极41是标准型的IDT电极。第一汇流条42和第二汇流条43相互对置。多根第一电极指44的一端与第一汇流条42连接。多根第二电极指45的一端与第二汇流条43连接。而且,第一电极指44以及第二电极指45被设为,经其整个长度,宽度固定。像这样,也可以是具有标准型的IDT电极的弹性波装置。
在本实施方式中,第一电极指44以及第二电极指45的前端与第二汇流条43或第一汇流条42之间的间隙的间隙长度G也设为0.23λ以下。因此,与第一实施方式以及第二实施方式的情况同样地,能够减小传播损耗。
图11是用于说明本发明的第四实施方式涉及的弹性波装置中的IDT电极的俯视图。在第四实施方式的弹性波装置中,在IDT电极51中层叠有多根第一电极指52和多根第二电极指53。而且,第一电极指52以及第二电极指53的宽度被设为固定。另一方面,在第一边缘区域以及第二边缘区域中层叠有作为质量附加膜的第一电介质膜54。
第一电介质膜54由氧化硅、五氧化钽、氧化碲等电介质构成。在第一电介质膜54层叠于第一电极指52以及第二电极指53的部分,声速被降低。第一电介质膜54设置为在弹性波传播方向上延伸。因此,第一电介质膜54还层叠在第一电极指52以及第二电极指53间的压电膜上。
图12是示出第五实施方式涉及的弹性波装置的IDT电极的俯视图。在IDT电极61中,在位于第一电极指52以及第二电极指53的第一边缘区域以及第二边缘区域的部分,层叠有作为质量附加膜的金属膜62。由此,第一边缘区域以及第二边缘区域中的声速被降低。
图13是本发明的第六实施方式涉及的弹性波装置的简图式侧视剖视图。在弹性波装置71中,第一电介质膜54A层叠在IDT电极51A的下方。即,第一电介质膜54A在第一边缘区域以及第二边缘区域中层叠在第一电极指52的下方。像这样,第一电介质膜54A也可以与第一电介质膜54相反地设置在IDT电极51A的下方。在弹性波装置71中,还设置有第二电介质膜72,使得覆盖IDT电极51A。通过设置第二电介质膜72,从而能够保护IDT电极51A,且能够进行频率调整。即,通过调整第二电介质膜72的厚度、材料,从而能够调整频率。
在上述第四实施方式~第六实施方式中,与第一实施方式同样地,通过将间隙长度设为0.23λ以下,从而能够减小传播损耗。
图14是用于说明第七实施方式涉及的弹性波装置的IDT电极的俯视图。图15是图14所示的弹性波装置的简图式侧视剖视图。
在第七实施方式中,在IDT电极51上层叠有第一电介质膜54。虽然在图11中,第一电介质膜54设置在第一边缘区域以及第二边缘区域,但是在图14所示的第七实施方式中,第一电介质膜54层叠为,不仅覆盖第一边缘区域以及第二边缘区域,还覆盖间隙区域以及第一汇流条和第二汇流条。在该情况下,通过第一电介质膜54的层叠,第一边缘区域以及第二边缘区域的声速也被降低。而且,在该情况下,在将中央区域的声速设为V1、将第一边缘区域以及第二边缘区域的声速设为V2、将间隙区域的声速设为V3、将设置有第一汇流条以及第二汇流条的区域的声速设为V4的情况下,V3>V1≈V4>V2的声速关系成立。因此,通过将间隙长度设为0.23λ以下,从而在本实施方式中也能够减小传播损耗。
图16是第八实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。在第八实施方式的弹性波装置中,在第一电介质膜54与IDT电极51之间层叠有作为频率调整膜的第二电介质膜72。第二电介质膜72由适当的电介质构成,例如氧化硅等。通过设置第二电介质膜72,能够进行频率调整。像这样,也可以在第一电介质膜54与IDT电极51之间设置第二电介质膜72。
此外,虽然在图15中,第一电介质膜54层叠在IDT电极51上,但是如图17所示,第一电介质膜54也可以设置在IDT电极51的下方。在该情况下,也可以将作为频率调整膜的第二电介质膜72设置为覆盖IDT电极51。
进而,也可以如图18所示,第二电介质膜72被设置为覆盖IDT电极51,第一电介质膜54埋设在第二电介质膜72内。
在图14~图18所示的构造中,如前所述,间隙区域构成高声速区域,因此即使将间隙长度减小到0.23λ以下,也能够减小传播损耗。
图19是示出具有图11所示的IDT电极的弹性波装置中的边缘区域的长度与横模的机电耦合系数的关系的图。另外,边缘区域的长度是第一边缘区域以及第二边缘区域的、第一电极指以及第二电极指延伸的方向上的尺寸。此外,图20是示出使用了图14所示的IDT电极的弹性波装置中的边缘区域的长度与横模的机电耦合系数的关系的图。在图19以及图20中的任一个中,均示出3阶、5阶、7阶或9阶的横模的情况下的结果。与图19所示的结果相比,在图20所示的结果中,可知针对IDT电极的前端的尺寸偏差的横模的抑制能力高。因此,优选如图14所示,最好将第一电介质膜54设置为,不仅被覆第一边缘区域以及第二边缘区域,还被覆至间隙区域以及设置有第一汇流条和第二汇流条的区域。
图21是第九实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。弹性波装置91具有层叠型基板2A。在层叠型基板2A中,在支承基板3A上层叠有由高声速材料层3B、低声速材料层4以及LiTaO3构成的压电膜5。由于设置有高声速材料层3B,所以支承基板3A可以由高声速材料以外的材料形成。不过,支承基板3A也可以由高声速材料构成。
除了层叠型基板2A的构造与图2所示的层叠型基板2不同以外,同样地构成了弹性波装置91。因此,在第九实施方式的弹性波装置91中,也能够减小传播损耗。
另外,在使用了图2、图21所示的层叠型基板2、2A的情况下,压电膜5的厚度优选为3.5λ以下。如图22所示,在使用了层叠型基板2的情况下,若LiTaO3的膜厚比3.5λ厚,则Q特性劣化。因此,因为能够提高Q特性,所以LiTaO3的膜厚最好为3.5λ以下。
另外,作为上述的高声速材料,能够使用Si等半导体、SiN或Al2O3等无机绝缘物、或者Pt、W等金属或合金。
此外,作为上述低声速材料,能够使用氧化硅或氮氧化硅等无机绝缘物材料、树脂材料等。
不过,作为高声速材料以及低声速材料,只要满足前述的声速关系,就能够使用适当的材料的组合。
此外,虽然在第一实施方式~第九实施方式中,对单端口型弹性波谐振器进行了说明,但是在本发明中,只要IDT电极具有上述构造,也可以是弹性波滤波器等具有其它电极构造的弹性波装置。
Claims (11)
1.一种弹性波装置,具备:
层叠型基板,具有压电膜、传播与在所述压电膜传播的体波的声速相比为低速的体波的低声速材料层、以及传播与在所述压电膜传播的弹性波的声速相比为高速的体波的高声速材料层,在所述高声速材料层与所述压电膜之间配置有所述低声速材料层,所述层叠型基板的倒速度面为凸;以及
IDT电极,设置在所述压电膜上,
所述IDT电极具有相互对置的第一汇流条以及第二汇流条、从所述第一汇流条向所述第二汇流条侧延伸的多根第一电极指、以及从所述第二汇流条朝向所述第一汇流条延伸的多根第二电极指,
所述第一电极指的前端与所述第二汇流条之间的第一间隙以及所述第二电极指的前端与所述第一汇流条之间的第二间隙的间隙长度为0.23λ以下,该间隙长度是所述第一间隙以及所述第二间隙沿着所述第一电极指以及所述第二电极指延伸的方向的尺寸。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
在所述IDT电极中,所述第一电极指和所述第二电极指在弹性波传播方向上相互重叠的交叉区域具有:所述第一电极指以及所述第二电极指延伸的方向上的中央处的中央区域;以及配置在所述中央区域的所述第一电极指以及所述第二电极指延伸的方向上的两外侧的第一边缘区域以及第二边缘区域,所述第一边缘区域以及所述第二边缘区域的声速比所述中央区域的声速低。
3.根据权利要求2所述的弹性波装置,其中,
在所述第一边缘区域以及所述第二边缘区域中,所述第一电极指以及所述第二电极指的宽度比所述中央区域中的所述第一电极指以及所述第二电极指的宽度宽,所述宽度是所述第一电极指以及所述第二电极指沿着弹性波传播方向的尺寸。
4.根据权利要求2或3所述的弹性波装置,其中,
所述第一汇流条以及所述第二汇流条具有沿着弹性波传播方向延伸的多个开口,所述多个开口的所述交叉区域侧的部分分别被作为第一细汇流条部以及第二细汇流条部,所述多个开口的与所述交叉区域相反侧的部分分别被作为第一外侧汇流条部以及第二外侧汇流条部,所述第一细汇流条部以及所述第二细汇流条部与所述第一外侧汇流条部以及所述第二外侧汇流条部通过配置在所述多个开口间的连结部连结。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的弹性波装置,其中,
所述压电膜由LiTaO3构成,厚度为3.5λ以下。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的弹性波装置,其中,
所述高声速材料层为由高声速材料构成的支承基板。
7.根据权利要求1~5中的任一项所述的弹性波装置,其中,
还具备对所述高声速材料层进行支承的支承基板。
8.根据权利要求1~7中的任一项所述的弹性波装置,其中,
在所述第一边缘区域以及所述第二边缘区域层叠有第一电介质膜作为质量附加膜。
9.根据权利要求1~7中的任一项所述的弹性波装置,其中,
在所述第一电极指以及所述第二电极指的位于所述第一边缘区域以及所述第二边缘区域的部分层叠有金属膜作为质量附加膜。
10.根据权利要求8所述的弹性波装置,其中,
所述第一电介质膜还层叠在所述第一汇流条和所述第二汇流条以及所述第一间隙和所述第二间隙处。
11.根据权利要求10所述的弹性波装置,其中,
在所述IDT电极上层叠有第二电介质膜作为频率调整膜,隔着所述第二电介质膜层叠有所述第一电介质膜。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-203112 | 2017-10-20 | ||
JP2017203112A JP6954799B2 (ja) | 2017-10-20 | 2017-10-20 | 弾性波装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109698681A true CN109698681A (zh) | 2019-04-30 |
CN109698681B CN109698681B (zh) | 2023-06-16 |
Family
ID=65996105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811213199.0A Active CN109698681B (zh) | 2017-10-20 | 2018-10-17 | 弹性波装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11588469B2 (zh) |
JP (1) | JP6954799B2 (zh) |
CN (1) | CN109698681B (zh) |
DE (1) | DE102018126080A1 (zh) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |