CN109545709B - 加热处理装置和加热处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供加热处理装置和加热处理方法。在将基板在热处理空间中加热之际，防止热处理空间内的气流的停滞的产生而使升华物的排气所需要的排气量减少。热处理空间(S)的侧面部由具有外侧闸门(260)和内侧闸门(270)的闸门构件(250)构成。供气(A)从处于与载置台(210)的热板(211)上的晶圆(W)相同的高度的、闸门构件(250)下端部的空隙(d1)成为水平层流而朝向晶圆(W)供给，供气(B)从处于比晶圆(W)高的位置的闸门构件(250)的上端部的空隙(d2)向热处理空间(S)内供给。供气(A)的流量与供气(B)的流量的流量比是4：1。

Description

加热处理装置和加热处理方法
技术领域
本发明涉及加热处理装置和加热处理方法。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，针对例如形成有抗蚀剂膜等涂敷膜的基板、例如半导体晶圆(在以下的说明中，存在简称为晶圆的情况)，为了使所述涂敷膜干燥，对该半导体晶圆进行了加热处理。
这样的加热处理以往以来使用加热处理装置来进行，但在加热时，影响膜厚的均匀性，因此，要求均匀地加热。
考虑到这点，以往的加热处理装置具备：载置台，其载置基板；壳体，其收容该载置台而形成处理空间；闸门构件，其以包围所述载置台的方式设置到所述载置台的周围；升降机构，其使该闸门构件上下运动；罩构件，其以覆盖所述壳体内的处理空间的上部的方式设置，在中央部连接有排气管线；以及许多通气孔，其沿着所述闸门构件的周向设置到所述闸门构件，以往的加热处理装置具备环状的空气整流板，在将所述闸门构件向上方抬起了时在该环状的空气整流板与所述罩构件的周缘部之间形成环状的空气流入口(专利文献1)。
利用该结构，能够使装置附近的下降流从处理空间的周向均匀地导入处理空间内，由此，对以往从晶圆出入口流入的下降流直接碰到晶圆而晶圆的温度局部地降低、成为抗蚀剂膜厚的均匀化的障碍的情况进行了改善。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9-326341号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，上述的专利文献1所记载的加热处理装置仅从壳体内的处理空间的上部向处理空间导入下降流的空气(通常23℃)，因此，在处理空间内的热气氛中形成朝向中心的下降气流，其结果，在该下降气流与闸门构件内壁之间形成气流的停滞，升华物在停滞中浮游而存在从装置间隙向外部泄漏的可能性。为了抑制该停滞的产生而防止升华物的泄漏，需要增多排气流量，在节能方面存在改善的余地。
本发明是鉴于这点而做成的，目的在于，在这种基板的加热处理装置中，防止所述那样的处理空间内的气流的停滞的产生而以比以往少的排气量对升华物进行排气。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明是对形成有涂敷膜的基板进行加热的加热处理装置，其特征在于，该加热处理装置具有：载置台，其载置所述基板；加热机构，其对载置到所述载置台的基板进行加热；上面部，其位于所述载置台的上方，并覆盖所述载置台；以及侧面部，其包围所述载置台，该侧面部位于所述载置台的外周，由所述载置台、所述上面部、所述侧面部形成热处理空间，在所述上面部的中央设置有对所述热处理空间内的气氛进行排气的排气部，该加热处理装置具有第1气体供给口和第2气体供给口，该第1气体供给口和该第2气体供给口沿着所述侧面部的周向设置，并向所述热处理空间供给气体，所述第1气体供给口的高度位置与载置到所述载置台的基板的高度位置相同，所述第2气体供给口的高度位置是比所述第1气体供给口的高度位置高的位置，从所述第1气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量比从所述第2气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量多。
根据本发明，具有向热处理空间供给气体的第1气体供给口和第2气体供给口，第1气体供给口的高度位置与载置到载置台的基板的高度位置相同，因此，能够向载置台上的基板表面供给水平层流。并且，第2气体供给口的高度位置是比第1气体供给口的高度位置高的位置，从第1气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量比从第2气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量多，因此，利用从第2气体供给口供给的气体防止热处理空间内的气流的停滞的产生。其结果，在对热处理空间内的气氛进行排气时，以比以往少的排气量防止升华物的泄漏，能够对升华物进行排气。
在该情况下，也可以是，从第1气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量与从所述第2气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量之比是9：1～6：4。更优选5：1～7：3为佳。另外，进一步优选4：1左右为佳。
另外，根据发明人等的见解，认为：优选第2气体供给口的高度位置越高越好，例如通过在比热处理空间的一半的高度位置高的位置设定第2气体供给口的高度位置，能够获得防止停滞产生的效果，越进一步靠近热处理空间的上面部，越能够防止停滞的产生。如在随后论述的实施方式中说明那样，最优选第2气体供给口位于热处理空间的上面部(热处理空间的最高部)。
根据另一观点的本发明是对形成有涂敷膜的基板进行加热的加热处理装置，其特征在于，该加热处理装置具有：载置台，其载置所述基板；加热机构，其对载置到所述载置台的基板进行加热；上面部，其位于所述载置台的上方，并覆盖所述载置台；以及侧面部，其包围所述载置台，该侧面部位于所述载置台的外周，由所述载置台、所述上面部、所述侧面部形成热处理空间，在所述上面部的中央设置有对所述热处理空间内的气氛进行排气的排气部，该加热处理装置具有第1气体供给口和第2气体供给口，该第1气体供给口和该第2气体供给口沿着所述侧面部的周向设置，并向所述热处理空间供给气体，所述第1气体供给口的高度位置与载置到所述载置台的基板的高度位置相同，所述第2气体供给口的高度位置是比所述第1气体供给口的高度位置高的位置，所述第1气体供给口比所述第2气体供给口大。
根据本发明，第1气体供给口比第2气体供给口大，因此，在将设置有加热处理装置的区域的下降流导入而向热处理空间供给之际，第2气体供给口的压力损失较大，因此，能够使从第1气体供给口供给的气体的流量比从第2气体供给口供给的气体的流量多。由此，能够将从第2气体供给口供给的气体使用于防止在热处理空间内产生停滞，能够防止热处理空间内的停滞的产生。因而，在对热处理空间内的气氛进行排气时，能够以比以往少的排气量对升华物进行排气。
在该情况下，也可以是，所述第1气体供给口的大小、即开口截面积相对于所述第2气体供给口的大小、即开口截面积是9：1～6：4。更优选5：1～7：3为佳。另外，进一步优选4：1左右为佳。
也可以是，所述侧面部由上下运动自由的闸门构件构成。
在该情况下，也可以是，在所述基板的加热时，所述闸门构件上升，利用所述闸门构件的上端部与所述上面部之间的间隙形成所述第2气体供给口。
也可以是，所述闸门构件具有一体化的外侧闸门和内侧闸门，所述第1气体供给口通向在外侧闸门与内侧闸门之间形成的流路。
在该情况下，也可以是，所述外侧闸门具有空心构造。
根据另一观点的本发明是在热处理空间内的载置台上对形成有涂敷膜的基板进行加热的加热处理方法，其特征在于，在该加热处理方法中，在加热时，从所述热处理空间的上方中央对所述热处理空间的气氛进行排气，同时在与所述载置台上的基板的高度位置相同的高度位置从热处理空间的外侧朝向热处理空间水平地供给气体，并且，在比所述载置台上的基板高的位置从热处理空间的外侧朝向热处理空间供给气体，而且，从与基板的高度位置相同的高度位置供给的气体的流量多于从比基板高的位置供给的气体的流量。
在该情况下，优选从与所述基板的高度位置相同的高度位置供给的气体的流量与从比基板高的位置供给的气体的流量的流量比是9：1～6：4。更优选5：1～7：3为佳。另外，进一步优选4：1左右为佳。
发明的效果
根据本发明，热处理空间内的气流的停滞的产生被防止，在对热处理空间内的气氛进行排气时，能够以比以往少的排气量对热处理空间内的升华物进行排气。
附图说明
图1是表示具备本实施方式的加热处理装置的基板处理***的概略的俯视图。
图2是图1的基板处理***的主视图。
图3是图1的基板处理***的后视图。
图4是表示本实施方式的加热处理装置的结构的概略的、示意性地表示侧面截面的说明图。
图5是图4的加热处理装置中的闸门构件的立体图。
图6是放大表示图4的加热处理装置中的闸门构件的说明图。
图7是表示在图4的加热处理装置中输入输出晶圆之际的情形的说明图。
图8是表示闸门构件中的外侧闸门呈空心构造的加热处理装置的结构的概略的、示意性地表示侧面截面的说明图。
附图标记说明
1、基板处理***；40、加热处理装置；200、顶板部；201、排气口；202、排气装置；210、载置台；211、热板；212、热板支承部；213、支承柱；214、基座；216、支承销升降机构；217、支承销；218、升降机构；219、升降构件；250、闸门构件；260、外侧闸门；261、固定构件；262、底部；263、侧壁部；270、内侧闸门；271、水平部；272、垂下部。
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边对本发明的实施方式进行说明。此外，在本说明书和附图中，在实质上具有相同的功能构成的要素中，通过标注相同的附图标记，省略重复说明。
＜基板处理***>
首先，对具备本实施方式的加热处理装置的基板处理***的结构进行说明。图1是示意性地表示基板处理***1的结构的概略的俯视图。图2和图3分别是示意性地表示基板处理***1的内部结构的主视图和后视图。在基板处理***1中，对作为被处理基板的晶圆W进行预定的处理。
基板处理***1具有一体地连接如下构件而成的结构：盒站10，其如图1所示那样供收容多张晶圆W的盒C输入输出；处理站11，其具备对晶圆W实施预定的处理的多个各处理装置；以及转接站13，其在与处理站11相邻的曝光装置12之间进行晶圆W的交接。
在盒站10设置有盒载置台20。在盒载置台20设置有多个相对于基板处理***的外部输入输出盒C之际载置盒C的盒载置板21。
在盒站10设置有如图1所示那样在沿着X方向延伸的输送路径22上移动自由的晶圆输送装置23。对于晶圆输送装置23，沿着上下方向移动自由，还绕铅垂轴线(θ方向)移动自由，能够在各盒载置板21上的盒C与随后论述的处理站11的第3模块G3的交接装置之间输送晶圆W。
在处理站11设置有具备各种装置的多个、例如4个模块、即第1模块G1～第4模块G4。在例如处理站11的背面侧(图1的X方向正方向侧、附图的上侧)设置有第2模块G2。另外，在处理站11的盒站10侧(图1的Y方向负方向侧)设置有已述的第3模块G3，在处理站11的转接站13侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第4模块G4。
在例如第1模块G1中如图2所示那样从下依次配置有多个液处理装置，例如显影处理装置30，其对晶圆W进行显影处理；下部防反射膜形成装置31，其在晶圆W的处理膜的下层形成防反射膜(以下称为“下部防反射膜”)；作为处理液涂敷装置的抗蚀剂涂敷装置32，其在晶圆W涂敷抗蚀剂而形成处理膜；以及上部防反射膜形成装置33，其在晶圆W的处理膜的上层形成防反射膜(以下称为“上部防反射膜”)。
例如显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33分别沿着水平方向排列配置有各3个。此外，这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33的数量、配置能够任意地选择。
在这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33中，进行在例如晶圆W上涂敷预定的处理液的旋涂。在旋涂中，从例如涂敷喷嘴向晶圆W上喷出处理液，并且，使晶圆W旋转而使处理液在晶圆W的表面上扩散。
在例如第2模块G2中，如图3所示那样沿着上下方向和水平方向排列设置有：进行晶圆W的加热处理的实施方式的加热处理装置40；疏水化处理装置41，其为了提高抗蚀剂液与晶圆W之间的定着性而进行疏水化处理；以及周边曝光装置42，其对晶圆W的外周部进行曝光。这些加热处理装置40、疏水化处理装置41、周边曝光装置42的数量、配置也能够任意地选择。
在例如第3模块G3中从下依次设置有多个交接装置50、51、52、53、54、55、56。另外，在第4模块G4中从下依次设置有多个交接装置60、61、62。
在如图1所示那样被第1模块G1～第4模块G4围成的区域中形成有晶圆输送区域D。在晶圆输送区域D中配置有多个晶圆输送装置70，该晶圆输送装置70具有沿着例如Y方向、X方向、θ方向以及上下方向移动自由的输送臂70a。晶圆输送装置70在晶圆输送区域D内移动，能够向周围的第1模块G1、第2模块G2、第3模块G3以及第4模块G4内的预定的装置输送晶圆W。
另外，如图3所示，在晶圆输送区域D中设置有在第3模块G3与第4模块G4之间呈直线状输送晶圆W的往复输送装置80。
往复输送装置80沿着例如图3的Y方向呈直线状移动自由。往复输送装置80在支承着晶圆W的状态下沿着Y方向移动，能够在第3模块G3的交接装置52与第4模块G4的交接装置62之间输送晶圆W。
如图1所示那样在第3模块G3的X方向正方向侧的旁边设置有晶圆输送装置81。晶圆输送装置81具有沿着例如X方向、θ方向以及上下方向移动自由的输送臂81a。晶圆输送装置81在利用输送臂81a支承着晶圆W的状态下上下移动，而能够向第3模块G3内的各交接装置输送晶圆W。
在转接站13设置有晶圆输送装置90、交接装置91、92。晶圆输送装置90具有沿着例如Y方向、θ方向和上下方向移动自由的输送臂90a。晶圆输送装置90将晶圆W支承于例如输送臂90a，而能够在第4模块G4内的各交接装置、交接装置91、92、以及曝光装置12之间输送晶圆W。
在以上的基板处理***1中如图1所示那样设置有控制部110。控制部110是例如计算机，具有程序储存部(未图示)。在程序储存部储存有对基板处理***1中的晶圆W的处理进行控制的程序。此外，所述程序也可以是记录到例如计算机能够读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等计算机能够读取的存储介质、并从该存储介质安装到控制部110的程序。
＜加热处理装置的结构>
接着，参照图4对本发明的实施方式的加热处理装置40的结构进行说明。
图4示意性地表示加热处理装置40的结构的概略，加热处理装置40由构成上面部的顶板部200、与顶板部200相对地配置的载置台210、构成侧面部的闸门构件250形成热处理空间S。
在顶板部200的中央设置有成为排气部的排气口201。该排气口201通向例如设置于加热处理装置40之外的排气装置202。在顶板部200的上表面设置有隔热体203。
载置台210由成为供晶圆W载置的载置部的热板211和支承热板211的热板支承部212构成。热板支承部212借助多个支承柱213支承于构成加热处理装置40的底部的基座214。在热板211的内部设置有加热器215。
在基座214设置有支承销升降机构216，设置到支承销升降机构216的支承销217利用支承销升降机构216上下运动。由此，支承销217从热板211向上方突出自由，能够与已述的晶圆输送装置70的输送臂70a之间进行晶圆W的交接。
在本实施方式中，侧面部由环状的闸门构件250构成。闸门构件250由位于外侧的外侧闸门260和与外侧闸门260隔开空隙而配置到内侧的内侧闸门270构成。如图5所示，外侧闸门260和内侧闸门270被例如固定构件261一体化。并且，在外侧闸门260的底部262固定有利用设置到基座214的升降机构218上下运动的升降构件219。因而，若升降构件219上下运动，则闸门构件250上下运动。即、外侧闸门260和内侧闸门270一体地上下运动。
也如图6所示，外侧闸门260由底部262和成为外周面的侧壁部263构成。另外，在底部262的内侧端部设置有卡定部262a，该卡定部262a形成有台阶部，与热板支承部212的外周端部212a卡定。因而，热板支承部212的外周端部212a作为止挡件发挥功能，闸门构件250不会超过预定的范围地上升。此外，图6所示的状态、即、闸门构件250上升起来的状态是晶圆W的加热处理时的状态。
内侧闸门270由圆环状的水平部271和设置于水平部271的内侧端部的垂下部272构成。并且，内侧闸门270和外侧闸门260如以下说明那样确保预定的空隙而被一体化。
即、首先，在内侧闸门270的垂下部272的下端面与外侧闸门260的底部262的上表面之间在整周形成的空隙d1设定成例如2mm。并且，内侧闸门270的垂下部272的外周与外侧闸门260的侧壁部263的内周之间的空隙D1设定成例如2mm。并且，内侧闸门270的水平部271的下表面与外侧闸门260的侧壁部263的上端面之间的空隙D2设定成例如2mm。在该实施方式中，空隙D1、D2≥空隙d1即可。
并且，在图6所示的状态、即、闸门构件250上升起来的状态下，设定为在顶板部200的下表面与内侧闸门270的水平部271的上表面之间，在整周形成有空隙d2。在该例子中，空隙d2是例如0.5mm。
上述的空隙d1成为狭缝状的第1气体供给口，空隙d2成为狭缝状的第2气体供给口。因而，在本实施方式中，第1气体供给口的大小与第2气体供给口的大小之比是4：1。另外，成为第1气体供给口的空隙d1的高度位置与载置到载置台210的热板211上的晶圆W的高度位置相同。即、在闸门构件250上升起来的状态下，晶圆W的上表面位置进入成为第1气体供给口的空隙d1的上下方向的范围内。
＜加热处理装置的动作>
实施方式的加热处理装置40具有以上的结构，接着，对其动作等进行说明。
首先，如图7所示，在闸门构件250下降、支承销217上升后的状态下，作为加热对象的晶圆W被基板处理***1的晶圆输送装置70的输送臂70a向载置台210的热板211上输送，并载置于支承销217上。接下来，输送臂70a退避，之后支承销217下降，而晶圆W载置于热板211上。之后，闸门构件250上升而成为图4所示的加热处理状态。即、由顶板部200、载置台210、闸门构件250形成热处理空间S。此外，排气装置202始终运转着。
在该状态下，载置到载置台210的热板211的晶圆W利用加热器215的加热进行加热处理。此时，从成为侧面部的闸门构件250的下端侧且从成为第1气体供给口的空隙d1供给下降流的空气。
即、热处理空间S内由于排气装置202的运转自设置到顶板部200的中央的排气口201排气而成为负压。另一方面，在搭载有加热处理装置40的基板处理***1内，室温、例如23℃的清洁的空气始终从其上方朝向下方流动，而形成有下降流。因而，该下降流的空气如图4所示那样被从闸门构件250中的下侧的空隙D2、D1导入，从空隙d1作为供气A向热处理空间S供给。另外，该下降流的空气被从闸门构件250中的上侧的空隙d2导入，从空隙d2作为供气B向热处理空间S供给。
在此，如已述那样，空隙d1的大小与空隙d2的大小之比是4：1，因此，供气A、B的流量比也是4：1。并且，供气A如图4所示那样从位于构成侧面部的闸门构件250的下端侧、即载置台210的热板211上的晶圆W的高度位置的空隙d1在整周上朝向晶圆W成为层流而水平地流动。另一方面，来自构成侧面部的闸门构件250的上端侧、即空隙d2的供气B以供气A的1/4的流量向热处理空间S的上方供给。由此，防止以往在热处理空间S的侧面部的上方产生了的、气流的停滞的产生。
因而，在热处理空间S内产生的加热时的升华物不会在热处理空间S滞留、浮游，被从排气口201顺利地排气，升华物的泄漏被防止。
如此不在热处理空间S内产生停滞，比以往更顺利地进行升华物的排气，因此，排气装置202的排气量也比以往少就足矣。因而，相应地节能效果较高。发明人等实际上进行了研究，结果，在以往的同种类、同大小的加热处理装置中，为了防止升华物的泄漏，需要70L/min的排气流量，但根据实施方式，即使是30L/min的排气流量，也没有发现升华物的泄漏。
另外，防止停滞的产生这一点也是防止紊流的产生。因而，也能够抑制晶圆W表面的涂敷膜由于紊流而局部地改变干燥方法而膜厚的均匀性恶化。
另外，若如以往那样为了防止升华物的泄漏，使来自顶部分的中央的排气流量增大，则存在晶圆W的中央部的膜厚变厚的倾向，但根据本实施方式，以比以往少的排气流量就足矣，因此，能够缓和这样的倾向，有助于膜厚的均匀性的提高。
不过，供气A被从空隙D2导入，经由空隙D1从空隙d1供给，但闸门构件250的内侧闸门270的垂下部272在热处理空间S内的热气氛等中升温，因此，来自下降流的空气在由空隙D2、空隙D1形成的流路流动之际被加热。因而，在供气A被从空隙d1供给到热处理空间S时，相对于下降流的温度(例如23℃)升温。因而，在供气A到达了晶圆W之际，与如以往那样保持大致室温的状态与晶圆W接触了的情况相比，从晶圆W吸热的量变少。另外，供气A未如以往那样从晶圆W的上方朝向晶圆W流动，因此，也没有由气流碰撞导致的对晶圆W表面的涂敷膜的物理的冲击。
而且，不仅对晶圆W的热影响较少，下降流对形成热处理空间S的构件表面的热影响也较少，因此，升华物附着于以内侧闸门270的垂下部272为代表的形成热处理空间S的构件的各表面的风险也变低。
若对实际上加热时的晶圆W表面的稳定温度精度进行研究，则在以往的加热处理装置中，在240℃的加热时，存在平均0.50％的波动，但在实施方式的加热处理装置40中，能够抑制成平均0.30％的波动。
因而，由从热处理空间S的外部导入的气体导致的热对晶圆W的影响比以往少，根据这点，也能够比以往更均匀地进行晶圆W的加热，能够使膜厚的均匀性提高。
再者，在闸门构件250中，由空隙D2、空隙D1形成的流路也作为绝热空间发挥功能，因此，来自外侧闸门260的散热被抑制，对加热处理装置40周边的各种设备、装置的热影响也变少。
＜加热处理装置的其他结构例>
在所述实施方式中，将成为第1气体供给口的空隙d1的大小与成为第2气体供给口的空隙d2的大小之比设为4：1，当然并不限于此，也可以设为9：1～6：4，另外，也可以设为5：1～7：3。
另外，在所述实施方式中，改变成为第1气体供给口的空隙d1的大小与成为第2气体供给口的空隙d2的大小之比而使来自第1气体供给口的气体的流量比来自第2气体供给口的气体的流量多，但当然也可以是，不是将供给口的大小设定成这样的比，将通向空隙d1、d2的流路设为迷宫构造来调整压力损失，或改变下降流的导入口的大小等，而使来自第1气体供给口的气体的流量比来自第2气体供给口的气体的流量多，从而实现预定的流量比。
另外，在所述的实施方式中，第1气体供给口、第2气体供给口都由狭缝状的空隙d1、空隙d2形成，但并不限于此，也可以由多个细孔形成第1气体供给口、第2气体供给口。
此外，在所述的实施方式中，闸门构件250设为由外侧闸门260和内侧闸门270构成的所谓的双层环闸门结构，但也可以如图8所示那样设为外侧闸门280呈空心构造的三层环闸门结构。
即、图8所示的加热处理装置40的闸门构件250中的外侧闸门280在外侧的侧壁部281与内侧的侧壁部282之间设置有空间283。由此，空间283作为绝热空间发挥功能，因此，与两层环闸门结构相比，进一步抑制来自外侧闸门280的散热，对加热处理装置40周边的各种设备、装置的热影响也变得更少。另外，所导入的下降流在直到从成为第1气体供给口的空隙d1供给为止的期间内升温的温度变得更高，从空隙d1向热处理空间S供给的供气A与晶圆W之间的温度差进一步变小，进一步抑制热对晶圆W的影响，能够进行更均匀的加热。
此外，在以上进行了说明的例子中，加热处理装置的侧面部由上下运动自由的闸门构件250构成，但并不限于此，也可以是例如不上下运动的通常的侧壁结构。在该情况下，例如晶圆W相对于热处理空间S的输入、输出设为设置于该侧壁的一部分的闸门结构。另外，即使是顶板部自身开放而从热处理空间的上方进行晶圆W的输入输出的结构的加热处理装置，本发明也可适用。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于该例子。只要是本领域技术人员，在权利要求书所记载的技术思想的范畴内能想到各种变更例或修正例是显而易见的，这些也当然理解为属于本发明的保护范围。
产业上的可利用性
本发明在对基板进行加热之际有用。

Claims (14)

1.一种加热处理装置，其是对形成有涂敷膜的基板进行加热的加热处理装置，其特征在于，
该加热处理装置具有：
载置台，其载置所述基板；
加热机构，其对载置到所述载置台的基板进行加热；
上面部，其位于所述载置台的上方，并覆盖所述载置台；以及
侧面部，其包围所述载置台，该侧面部位于所述载置台的外周，
由所述载置台、所述上面部、所述侧面部形成热处理空间，
在所述上面部的中央设置有对所述热处理空间内的气氛进行排气的排气部，
该加热处理装置具有第1气体供给口和第2气体供给口，该第1气体供给口和该第2气体供给口沿着所述侧面部的周向设置，并向所述热处理空间供给气体，
所述第1气体供给口的高度位置与载置到所述载置台的基板的高度位置相同，所述第2气体供给口的高度位置是比所述第1气体供给口的高度位置高的位置，从所述第1气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量比从所述第2气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量多。
2.根据权利要求1所述的加热处理装置，其特征在于，
从所述第1气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量与从所述第2气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量之比是9：1～6：4。
3.根据权利要求1或2所述的加热处理装置，其特征在于，
所述侧面部由上下运动自由的闸门构件构成。
4.根据权利要求3所述的加热处理装置，其特征在于，
在所述基板的加热时，所述闸门构件上升，利用所述闸门构件的上端部与所述上面部之间的间隙形成所述第2气体供给口。
5.根据权利要求3所述的加热处理装置，其特征在于，
所述闸门构件具有一体化的外侧闸门和内侧闸门，所述第1气体供给口通向在外侧闸门与内侧闸门之间形成的流路。
6.根据权利要求5所述的加热处理装置，其特征在于，
所述外侧闸门具有空心构造。
7.一种加热处理装置，其是对形成有涂敷膜的基板进行加热的加热处理装置，其特征在于，
该加热处理装置具有：
载置台，其载置所述基板；
加热机构，其对载置到所述载置台的基板进行加热；
上面部，其位于所述载置台的上方，并覆盖所述载置台；以及
侧面部，其包围所述载置台，该侧面部位于所述载置台的外周，
由所述载置台、所述上面部、所述侧面部形成热处理空间，
在所述上面部的中央设置有对所述热处理空间内的气氛进行排气的排气部，
该加热处理装置具有第1气体供给口和第2气体供给口，该第1气体供给口和该第2气体供给口沿着所述侧面部的周向设置，并向所述热处理空间供给气体，
所述第1气体供给口的高度位置与载置到所述载置台的基板的高度位置相同，所述第2气体供给口的高度位置是比所述第1气体供给口的高度位置高的位置，所述第1气体供给口比所述第2气体供给口大。
8.根据权利要求7所述的加热处理装置，其特征在于，
所述第1气体供给口的大小与所述第2气体供给口的大小之比是9：1～6：4。
9.根据权利要求7或8所述的加热处理装置，其特征在于，
所述侧面部由上下运动自由的闸门构件构成。
10.根据权利要求9所述的加热处理装置，其特征在于，
在所述基板的加热时，所述闸门构件上升，利用所述闸门构件的上端部与所述上面部之间的间隙形成所述第2气体供给口。
11.根据权利要求9所述的加热处理装置，其特征在于，
所述闸门构件具有一体化的外侧闸门和内侧闸门，所述第1气体供给口通向在外侧闸门与内侧闸门之间形成的流路。
12.根据权利要求11所述的加热处理装置，其特征在于，
所述外侧闸门具有空心构造。
13.一种加热处理方法，其是在热处理空间内的载置台上对形成有涂敷膜的基板进行加热的加热处理方法，其特征在于，
在该加热处理方法中，
在加热时，从所述热处理空间的上方中央对所述热处理空间的气氛进行排气，同时在与所述载置台上的基板的高度位置相同的高度位置从热处理空间的外侧朝向热处理空间水平地供给气体，并且，在比所述载置台上的基板高的位置从热处理空间的外侧朝向热处理空间供给气体，
而且，从与基板的高度位置相同的高度位置供给的气体的流量多于从比基板高的位置供给的气体的流量。
14.根据权利要求13所述的加热处理方法，其特征在于，
从与所述基板的高度位置相同的高度位置供给的气体的流量与从比基板高的位置供给的气体的流量的流量比是9：1～6：4。
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