JP2001196299A - 加熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト昇華物等が溜まりにくく、被処理基
板の温度分布が不安定になることを防止することがで
き、被処理基板の温度を高精度に制御することができる
加熱処理装置を提供すること。 【解決手段】 その上またはその上方に被処理基板が載
置され、被処理基板を加熱する熱板と、熱板の上方に規
定される被処理基板を加熱処理する加熱処理空間を囲繞
可能に設けられた囲繞部材と、前記囲繞部材により加熱
処理空間を囲繞した際に、前記熱板の周囲を略密閉する
シール機構と、前記加熱処理空間において外周から中央
に向かう気流を形成する気流形成手段とを具備すること
を特徴とする加熱処理装置を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ＬＣＤ基
板等の基板を加熱して処理する加熱処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造にお
いては、ガラス製の矩形ＬＣＤ基板にフォトレジスト液
を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応し
てレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、い
わゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンが
形成される。従来から、このような一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備えたレジスト塗布・現
像処理システムが用いられている。

【０００３】このレジスト塗布・現像処理システムにお
いては、基板にフォトレジストを塗布した後、あるいは
現像の前後において、加熱処理ユニットにより基板に加
熱処理を施している。このような加熱処理ユニットで
は、熱板上に基板を直接載置するコンタクトベーク、ま
たは熱板と基板との間にわずかなギャップを設けて加熱
するプロキシミティベークが採用されている。これらの
うちプロキシミティベーク処理は、熱板上に基板を直接
載置しないので、基板が帯電することによる製品不良が
回避されるという利点がある。

【０００４】しかしながら、従来の加熱処理ユニットで
は、構造上、基板や熱板の面内温度が均一になりにくい
という問題がある。特に、上記プロキシミティベークの
場合に、面内温度分布の均一性が悪化しやすい。この問
題を解決するために、密閉気密構造にして温度分布均一
性を向上させた加熱処理装置を加熱処理ユニットとして
使用することが考えられるが、加熱処理装置を密閉気密
構造にすると、フォトレジスト膜からの昇華物や揮発物
が溜まり易くなり、かつ、装置のメンテナンスが困難に
なるため、実用には適さない。

【０００５】そこで、熱板と天井部との間になされる加
熱処理空間をシャッターによって開閉可能に構成し、シ
ャッターと熱板との間に若干の隙間を設けた状態で排気
を行なう加熱処理装置が加熱処理ユニットとして用いら
れている。この加熱処理装置では、シャッターと熱板と
の隙間から外気を導入しながら排気を行ってレジスト昇
華物等が加熱処理空間に溜まることを防止し、さらに、
開閉可能な囲繞部材によってメンテナンスを容易に行な
えるように構成されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な加熱処理装置においては、シャッターと熱板との間の
隙間から導入された外気が熱板や基板の熱を奪って、こ
れらの温度均一性を悪化させやすいという問題がある。
特に、このような加熱処理装置をＬＣＤ基板の加熱処理
に用いた場合には、熱板や基板の四隅が冷えやすくな
り、基板は四隅の温度が低い特徴的な温度分布を示し、
温度均一性が悪くなる。

【０００７】この問題を解決するべく、上記の加熱処理
装置においては、さらにカバー部材とシャッターとの間
に隙間を設けて、ここから外気を取り込むようにし、熱
板とシャッターとの間の隙間から流入する外気の量を減
少させるという対策がとられている。しかし、このよう
な対策をとると、基板が外気（ダウンフロー）の影響を
受けやすくなり、温度分布の安定性が悪くなるという問
題がある。特に、この場合には複数の加熱処理装置間の
個体差が出やすい。

【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、装置内にレジスト昇華物等が溜まりにくく、
外気の侵入によって被処理基板の温度分布が不安定にな
ることを防止することができ、被処理基板の温度を高精
度に制御することができる加熱処理装置を提供すること
を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、その上またはその上
方に被処理基板が載置され、被処理基板を加熱する熱板
と、熱板の上方に規定される被処理基板を加熱処理する
加熱処理空間を囲繞可能に設けられた囲繞部材と、前記
囲繞部材により加熱処理空間を囲繞した際に、前記熱板
の周囲を略密閉するシール機構と、前記加熱処理空間に
おいて外周から中央に向かう気流を形成する気流形成手
段とを具備することを特徴とする加熱処理装置が提供さ
れる。

【００１０】このような構成によれば、熱板の周囲を略
密閉して熱板の周囲の隙間からの外気の侵入を防止して
いるので、不所望の外気の侵入によって被処理基板の温
度にバラツキが生じたり温度分布が不安定になることを
防止することができ、しかも、加熱処理空間に外周から
中央へ向かう気流を形成するので、被処理基板の温度を
均一にすることができる。したがって、基板温度を高精
度に制御することができる。また、形成される気流によ
り昇華物の溜まりも防止することができる。

【００１１】本発明者らは、先に、熱板の周囲を略密閉
して、熱板の中央から外周へ向かう気流を形成する加熱
処理装置を提案しており、これにより被処理基板の温度
分布を均一・安定にし、かつ基板温度を高精度化するこ
とができるとしている。しかし、中央から外周へ向かう
気流を形成することによってある程度の効果は得られる
ものの、中央から外周へ向かう気流を形成すると基板の
長手方向中央に空気が偏って流れやすく、排気のバラン
スがとりにくいため、基板周縁部の長辺中央部分で、局
部的な温度低下が生じる場合があることが判明した。そ
こで本発明では、外周から中央へ向かう気流を形成する
ことにより排気バランスをとりやすくしてこのような基
板の局部的な温度低下を防止し、高精度の温度制御を実
現している。

【００１２】この加熱処理装置の気流形成手段として
は、前記加熱処理空間の上方に設けられ、前記加熱処理
空間に外気を導入するための外気導入部と、前記加熱処
理空間の上方に設けられ、前記加熱処理空間を排気する
ための排気部と、前記排気部を介して前記加熱処理空間
を排気する排気機構と、前記加熱処理空間の上部に前記
熱板と対向するように配置され、その中央に開口が形成
された第１の整流板とを有し、前記排気機構を作動させ
た際に、前記外気導入部から導入された外気は前記第１
の整流板の上面に沿って前記加熱処理空間の外周側に至
り、さらに前記第１の整流板の下面に沿って前記加熱処
理空間の外周側から中央に至り、前記第１の整流板の開
口を介して前記排気部から排気されるものを好適に用い
ることができる。

【００１３】このような気流形成手段を用いることによ
り、加熱処理空間に外周から中央へ向かう気流を有効に
形成することができ、また、排気を行いながら外気を導
入することができるので、加熱処理空間内におけるレジ
スト昇華物等の溜まりを極めて効果的に防止することが
できる。

【００１４】上記の気流形成手段においては、第１の整
流板の熱板側の面に反射率の高い表面仕上げを施すこと
により、被処理基板を熱板側からと整流板側からとの両
面から加熱することができ、被処理基板の加熱を効率よ
く行なうことができる。

【００１５】また、上記の気流形成手段の第１の整流板
と熱板との間に、第１の整流板の開口と対向するように
配置された第２の整流板を設けることにより、開口周辺
における空気の流れを整えることができ、被処理基板や
熱板の温度を均一化するとともに高精度で制御すること
ができる。

【００１６】上記第２の整流板においては、熱板側の面
には反射率の低い表面仕上げを施すことにより、第２の
整流板が熱板からの熱を反射して被処理基板に局部的な
高温部が生じることを防止することができる。

【００１７】また、上記の囲繞部材は昇降可能に配置
し、上昇時に加熱処理空間を囲繞可能に構成することが
できる。これにより、加熱処理を行う際には囲繞部材を
上昇させて加熱処理空間を囲繞することができ、かつ、
メンテナンスを行う際には囲繞部材を下降させることに
より装置のメンテナンス性を向上することができる。

【００１８】さらに、加熱処理空間の上方をカバー部材
によって覆い、シール機構で熱板の下方の隙間およびカ
バー部材と囲繞部材との間の隙間をふさいだ構成とする
ことができる。これにより、熱板の周囲における外気の
侵入を防止することができる。

【００１９】さらにまた、熱板からの熱を反射する反射
板を熱板の下面と側面とを覆うように配置することによ
り、熱板からの熱を有効に加熱処理に利用することがで
きる。この場合には、シール機構で反射板と囲繞部材と
の間の隙間をふさぐことにより、熱板の周囲における外
気の侵入を有効に防止することができる。

【００２０】シール機構としては、反射板の外周側と囲
繞部材の内周側下部とに配置され、囲繞部材を上昇させ
た際に相互に係合する一対の係合部材と、カバー部材下
部と囲繞部材上部とに配置され、囲繞部材を上昇させた
際に相互に当接する一対の当接部材とを有するものが例
示される。

【００２１】上記シール機構においては、係合部材の少
なくとも一方に、他方の係合部材と係合する位置に弾性
部材を配置するとともに、当接部材の少なくとも一方
に、他方の当接部材と当接する位置に弾性部材を配置す
ることにより、加熱処理空間への外気の侵入を有効に防
ぐことができる。

【００２２】本発明の第２の観点によれば、その上また
はその上方に被処理基板が配置され、被処理基板を加熱
する熱板と、熱板の上方に規定された被処理基板を加熱
処理する加熱処理空間を囲繞可能に設けられた囲繞部材
と、前記加熱処理空間の上方を覆うカバー部材と、前記
囲繞部材により前記加熱処理空間を囲繞した際に、前記
熱板と前記囲繞部材との間の隙間および前記カバー部材
と前記囲繞部材との間の隙間をふさぐシール機構と、前
記カバー部材の外側中央部に設けられ、外気を導入する
ための外気導入部および前記加熱処理空間を排気するた
めの排気部を有するダクト部材と、前記排気部を介して
前記加熱処理空間を排気する排気機構と、前記加熱処理
空間の上部に前記熱板と対向するように配置され、その
中央に開口が形成された第１の整流板とを具備し、前記
排気機構を作動させた際に、前記外気導入部から導入さ
れた外気は前記第１の整流板の上面に沿って前記加熱処
理空間の外周側に至り、さらに前記第１の整流板の下面
に沿って前記加熱処理空間の外側から中央に至り、前記
第１の整流板の開口を介して前記ダクト部材の排気部か
ら排気されることを特徴とする加熱処理装置が提供され
る。

【００２３】このような構成によれば、加熱処理空間を
シール機構によって略密閉した状態で、ダクト部材の排
気部を介して加熱処理空間の排気を行なうとともに外気
導入部から外気を導入し、第１の整流板の下面に沿って
外周から中央へ向かう気流を形成するので、排気バラン
スがとりやすくなり、基板の温度分布を不安定にするこ
となく加熱処理空間の雰囲気を外気で置換してレジスト
昇華等の溜まりを防止することができ、また、被処理基
板の温度を均一にして、基板温度を高精度に制御するこ
とができる。

【００２４】ここで、第１の整流板と熱板との間に、第
１の整流板の開口と対向するように第２の整流板を配置
して、加熱処理空間からの空気が第１の整流板と第２の
整流板との隙間を通って第１の整流板の開口へ流れるよ
うにすることが好ましい。これにより第１の整流板の開
口周辺における空気の流れを整えることができ、基板温
度が不均一になることを防止することができる。

【００２５】上記ダクト部材は、中央に加熱処理空間に
つながる筒状部材を有し、加熱処理空間からの空気がこ
の筒状部材を経て排気部から排気され、外気導入部から
導入された空気は筒状部材の外側を通って加熱処理空間
に供給されるように構成することができる。これによ
り、加熱処理空間からの空気の排気と、加熱処理空間へ
の空気の導入とを有効に行い、加熱処理空間に所望の気
流を形成することができる。

【００２６】また、カバー部材と第１の整流板との間に
通流路が形成され、外気導入部から導入された外気がこ
の通流路を通って加熱処理空間に至るように構成するこ
とにより、外気を通流路で暖めた後に加熱処理空間に供
給することができ、外気が基板や熱板の温度に与える影
響をさらに小さくすることができるので、基板や熱板の
温度を高精度に制御する上で好ましい。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について説明する。図１は、本発明が適
用されるＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システム
を示す平面図である。

【００２８】このレジスト塗布・現像処理システムは、
複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカ
セットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および
現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニット
を備えた処理部２と、露光装置（図示せず）との間で基
板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを
備えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステー
ション１およびインターフェイス部３が配置されてい
る。

【００２９】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬送を行うための搬送
機構１０を備えている。そして、カセットステーション
１においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送
機構１０はカセットＣの配列方向に沿って設けられた搬
送路１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この
搬送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基
板Ｇの搬送が行われる。

【００３０】処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１
２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部１５、１６が設けられている。

【００３１】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが
配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射ユ
ニット（ＵＶ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）とが２段
に重ねられた処理ブロック２５、加熱処理ユニット（Ｈ
Ｐ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２６および冷
却処理ユニット（ＣＯＬ）が２段に重ねられてなる処理
ブロック２７が配置されている。

【００３２】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２お
よび基板Ｇの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト
除去ユニット（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、
搬送路１３の他方側には、加熱処理ユニット（ＨＰ）が
２段に重ねられてなる処理ブロック２８、加熱処理ユニ
ット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重
ねられてなる処理ブロック２９、およびアドヒージョン
処理ユニット（ＡＤ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）と
が上下に重ねられてなる処理ブロック３０が配置されて
いる。

【００３３】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には、３つの現像処理ユニット２４ａ、２４
ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には
加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理
ブロック３１、およびともに加熱処理ユニット（ＨＰ）
と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる
処理ブロック３２、３３が配置されている。

【００３４】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト塗布処理ユニッ
ト（ＣＴ）２２、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａの
ようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の
側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理
ユニットのみを配置する構造となっている。

【００３５】また、中継部１５、１６のスピナー系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置さ
れており、さらに主搬送装置のメンテナンスを行うため
のスペース３５が設けられている。

【００３６】上記主搬送装置１７，１８，１９は、それ
ぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、
および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞ
れ基板Ｇを支持する搬送アーム１７ａ，１８ａ，１９ａ
を有している。

【００３７】上記主搬送装置１７は、搬送機構１０の搬
送アーム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うととも
に、前段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入
・搬出、さらには中継部１５との間で基板Ｇの受け渡し
を行う機能を有している。また、主搬送装置１８は中継
部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段
部２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、
さらには中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機
能を有している。さらに、主搬送装置１９は中継部１６
との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｃ
の各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらに
はインターフェイス部３との間の基板Ｇの受け渡しを行
う機能を有している。なお、中継部１５、１６は冷却プ
レートとしても機能する。

【００３８】インターフェイス部３は、処理部２との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する２つのバッファーステージ
３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇ
の搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構
３８はエクステンション３６およびバッファステージ３
７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動
可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９によ
り処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われ
る。

【００３９】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。

【００４０】このように構成されたレジスト塗布・現像
処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処
理部２に搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａの
処理ブロック２５の紫外線照射ユニット（ＵＶ）で表面
改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）
で冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ，２１
ｂでスクラバー洗浄が施され、処理ブロック２６のいず
れかの加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱乾燥された後、
処理ブロック２７のいずれかの冷却処理ユニット（ＣＯ
Ｌ）で冷却される。

【００４１】その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック３０の
上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化
処理（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却処理ユニット
（ＣＯＬ）で冷却後、レジスト塗布処理ユニット（Ｃ
Ｔ）２２でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニ
ット（ＥＲ）２３で基板Ｇの周縁の余分なレジストが除
去される。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処
理ユニット（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、処理
ブロック２９または３０の下段の冷却処理ユニット（Ｃ
ＯＬ）で冷却される。

【００４２】その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装
置１９にてインターフェイス部３を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、
必要に応じて後段部２ｃの処理ブロック３１，３２，３
３のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）でポストエク
スポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処
理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理さ
れた基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理ユニッ
ト（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、いずれ
かの冷却処理ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送
装置１９，１８，１７および搬送機構１０によってカセ
ットステーション１上の所定のカセットＣに収容され
る。

【００４３】次に、上記レジスト塗布・現像処理システ
ムの処理ブロック２６，２８、３１，３２，３３におい
て用いられる、本発明の加熱処理装置が適用される加熱
処理ユニット（ＨＰ）について説明する。図２は、本発
明の第１の実施形態に係る加熱処理ユニットの模式的断
面図である。図３は図２のＡ−Ａ断面を上から見た状態
を示す概略図、図４は図２のＢ−Ｂ断面を上から見た状
態を示す概略図である。

【００４４】図２から図４に示すように、この加熱処理
ユニット（ＨＰ）は、主として、レジスト塗布・現像処
理システムの搬送路１２、１３または１４側に面して開
口部６０ａを有するケース６０と、ケース６０内に収納
された基板Ｇを加熱する熱板４１と、ケース６０の上方
を覆うように配置されたカバー部材５７と、カバー部材
５７と熱板４１の間に形成される加熱処理空間６５を囲
繞可能なシャッター（囲繞部材）４８と、加熱処理空間
６５の上方に熱板４１と対向して配置された、第１の整
流板５４および第２の整流板５５と、外気導入部５９お
よび排気部５８を有するダクト部材６６と、排気部５８
に接続された排気管５８ａに設けられた排気機構７６と
を有している。これらのうち、外気導入部５９、排気部
５８、排気機構７６、第１の整流板５４、および第２の
整流板５５で後述する気流を形成する気流形成手段を構
成している。なお、第２の整流板５５は、開口５３近傍
で気流に乱れが生じることを防止するとともに、開口５
３が基板Ｇや熱板４１の温度分布に悪影響を及ぼするこ
とを防止するために、補助的に設けられるものであり、
後述する気流を形成するために必須なものではない。

【００４５】前記熱板４１は、例えば、アルミニウム合
金等で構成されており、基板Ｇの形状に合わせて上面が
長方形に形成されている。熱板４１の裏面側には、図示
しないヒーターおよび温度センサが埋設されており、温
度センサにより検出した温度を図示しない制御部に伝達
し、これに応じてヒーターの発熱量を調節することで、
熱板４１の温度は例えば１２０〜１５０℃の所定の温度
に保たれるようになっている。

【００４６】熱板４１には、例えば９つの貫通穴４３が
設けられている。これらの貫通穴４３には、それぞれ基
板Ｇを支持するための支持ピン４４が貫挿されている。
支持ピン４４は、熱板４１の下方に設けられた保持部材
４６により保持されている。保持部材４６は、保持部材
昇降機構４７に接続されている。したがって、保持部材
昇降機構４７により保持部材４６を昇降させることによ
り、支持ピン４４は熱板４１の表面に対して突没可能と
なっている。

【００４７】そして、この加熱処理ユニット（ＨＰ）装
置と搬送アーム１７ａ、１８ａ、１９ａとの間で基板Ｇ
の受け渡しを行なう際には、保持部材昇降機構４７によ
り保持部材４６を上昇させ、支持ピン４４が熱板４１の
表面から突出した状態として、搬送アーム１７ａ、１８
ａ、１９ａと支持ピン４４との間で基板Ｇの受け渡しを
行なう。

【００４８】基板Ｇを受け取った後、加熱処理を行なう
際には、保持部材昇降機構４７により保持部材４６を所
定距離だけ下降させ、基板Ｇを所定の位置とする。例え
ば、基板Ｇが熱板４１と接触した状態で加熱を行なうコ
ンタクトベークによる場合には、支持ピン４４が熱板４
１の表面から完全に没入するようにし、基板Ｇが熱板４
１に直接載置されるようにして加熱処理を行なえばよ
い。また、基板Ｇが熱板４１と接触せずにその上方に支
持された状態で加熱を行なうプロキシミティベークによ
る場合には、支持ピン４４が熱板４１の表面から所定長
さだけ突出した状態として加熱処理を行うようにしても
よいし、図示しないスペーサ−により基板Ｇと熱板４１
との間隔を確保して加熱処理を行ってもよい。

【００４９】熱板４１の下方には、熱板４１からの熱を
反射する反射板４２が配置されている。この反射板４２
は熱板４１の下面ばかりでなく側面も覆っており、つま
り反射板４２は熱板４１を収納する薄型の容器のような
形状をなしている。反射板４２と熱板４１とは図示しな
いスペーサ−によって所定の間隔を隔てて配置されてい
て、反射板４２と熱板４１との間には熱板下からの外気
侵入を防ぐシール部材４２ａが配置されている。反射板
４２の形状や、反射板４２と熱板４１との位置関係は、
熱板４１に配置されたヒーターの発熱パターンや、熱板
４１に要求される温度パターンに応じて適宜決定され
る。シール部材４２ａは、例えばシリコンゴムで構成す
ることができる。

【００５０】前記第１の整流板５４は、加熱処理空間６
５の上方に、熱板４１と対向するように設けられてお
り、その熱板４１の中央と対応する位置には開口５３が
設けられている。第１の整流板５４は、熱板４１や基板
Ｇの形状に合わせて長方形に形成されている。第１の整
流板５４の熱板４１側の面に鏡面処理やめっき等の反射
率の高い表面仕上げを施せば、熱板４１から放射される
熱が第１の整流板５４で反射され、基板Ｇを両面から効
率よく加熱することができるので好ましい。

【００５１】前記第２の整流板５５は、第１の整流板５
４と熱板４１との間に、第１の整流板５４に設けられた
開口５３と対向するように配置されており、開口５３よ
りも少し大きく構成されている。第２の整流板５５は熱
板４１の形状に合わせて長方形に構成され、図５に示す
ように第２の整流板５５と熱板４１とは実質的に相似形
であり、基板Ｇに対して面内均一に加熱処理を施すこと
ができる。さらに、開口５３の形状と第２の整流板５５
とも実質的に相似形である。また、第２の整流板５５の
反射率を高くすると、第２の整流板５５が反射した熱に
よって基板Ｇの温度を局部的に上昇させるおそれがある
ため、第２の整流板５５の熱板４１側の面には、表面を
黒色とする等の反射率を低くする表面仕上げを施すこと
が好ましい。

【００５２】前記カバー部材５７は、第１の整流板５４
の上方に、加熱処理空間６５の上部を覆うように配置さ
れており、このカバー部材５７の上部中央に前記ダクト
部材６６が設けられている。ダクト部材６６は、上部６
６ａと下部６６ｂを有しており、上部６６ａに２つの排
気部５８が設けられ、下部６６ｂに２つの外気導入部５
９が設けられている。そして、ダクト部材６６は、その
中央部に上部６６ａの底部から下部６６ｂを貫通して、
第１の整流板５４の開口５３に至る筒状部材５６を有し
ている。上記２つの排気部５８は、上部６６ａの一方の
側壁に並設されており、上記外気導入部５９は下部６６
ｂの側面に筒状部材５６を挟んで相対向して設けられて
いる。

【００５３】前記筒状部材５６の下部は、カバー部材５
７の中央に形成された、筒状部材５６よりも大きく構成
された孔部５７ａに挿入されている。したがって、その
部分において、カバー部材５７と筒状部材５６との間に
は隙間５６ａが形成されている。したがって、外気導入
部５９から導入された外気は隙間５６ａを通って加熱処
理空間６５に至り、隙間５６ａは外気導入経路として機
能する。一方、筒状部材５６の内側は開口５３を介して
加熱処理空間６５につながっており、排気経路として機
能する。

【００５４】排気部５８には排気管５８ａが接続されて
おり、この排気管５８ａに前記排気機構７６が接続され
ている。したがって、排気機構７６を作動させることに
より、外気が外気導入部５９から隙間５６ａを通って加
熱処理空間６５に至り、加熱処理空間６５から筒状部材
５６の内側、上部６６ａ内の空間、排気部５８を通って
排気される。

【００５５】前記シャッター４８は、熱板４１および反
射板４２を取り囲むように、昇降可能に配置されてい
る。シャッター４８にはシャッター昇降機構４９が連結
されており、シャッター昇降機構４９を駆動することに
よりシャッター４８を上昇または下降させることができ
る。搬送アーム１７ａ、１８ａ、または１９ａとの間で
基板Ｇの受け渡しを行なう際には、シャッター昇降機構
４９によりシャッター４８を下降させて作業を行い、基
板Ｇの加熱処理を行なう際には、シャッター昇降機構４
９によりシャッター４８を上昇させ、カバー部材５７と
熱板４１の間に形成される加熱処理空間６５を囲繞す
る。シャッター４８を下降させた状態とすれば、装置の
メンテナンスを容易に行なうことができる。

【００５６】ここで、シャッター４８の上端部には第１
の当接部材６１が配置されており、カバー部材５７の下
面外周側には第２の当接部材６３が配置されていて、第
２の当接部材６３の下面には弾性部材６４が貼り付けら
れている。第１の当接部材６１と第２の当接部材６３と
は、シャッター４８を上昇させた際に、弾性部材６４を
介して相互に当接し、シャッター４８とカバー部材５７
との間を密閉するように構成されており、加熱処理中に
シャッター４８とカバー部材５７との間から外気が侵入
しないようにする。

【００５７】一方、シャッター４８の内側下部には第１
の係合部材５１が内周へ向けて突出するように配置され
ており、第１の係合部材５１の上面には弾性部材５０が
貼り付けられている。また、反射板４２には第２の係合
部材４５が外周へ向けて突出するように配置されてい
る。第１の係合部材５１と第２の係合部材４５とは、シ
ャッター４８を上昇させた際に、弾性部材５０を介して
相互に係合し、シャッター４８と反射板４２との間を密
閉するように構成されており、加熱処理中にシャッター
４８と反射板４２との間から外気が侵入しないようにす
る。

【００５８】次に、この実施の形態に係る加熱処理装置
を用いて基板Ｇの加熱処理を行なう際の処理動作につい
て、図６に基づいて説明する。まず、シャッター４８を
下降させた状態で、支持ピン４４を熱板４１の表面から
突出させる。次いで基板Ｇを保持した搬送アーム１７
ａ、１８ａ、１９ａを開口部６０ａから進入させて、支
持ピン４４上に基板Ｇを渡す。次いで、搬送アーム１７
ａ、１８ａ、１９ａを開口部６０ａから退出させた後
に、シャッター昇降機構４９によりシャッター４８を上
昇させ、熱板４１の周囲を略密閉するとともに、支持ピ
ン４４を熱板の表面から所定長さだけ没入させて基板Ｇ
を所定の位置とし、排気機構７６を作動させて排気を行
いながら熱板４１により基板Ｇの加熱処理を行なう。

【００５９】排気機構７６を作動させることにより、加
熱処理空間６５の雰囲気は排気部５８から排気され、外
気導入部５９から外気が加熱処理空間６５に導入され
る。このように排気を行いながら外気を導入することに
よって、外気導入部５９より導入された外気は、筒状部
材５６とカバー部材５７との間の隙間５６ａから第１の
整流板５４とカバー部材５７との間に流入し、第１の整
流板５４の上面に沿って加熱処理空間６５の外周側へと
流れ、次いで第１の整流板５４の下面に沿って加熱処理
空間の外周から中央へと流れ、第１の整流板５４と第２
の整流板５５との隙間を通って開口５３へと流れる気流
を形成する。図６には、この気流を点線で示し、気流の
流れる方向に矢印を付した。

【００６０】この実施形態に係る加熱処理装置では、上
記のようにシャッター４８を上昇させて熱板４１の周囲
を略密閉状態として加熱処理を行なうので、従来のよう
に加熱処理中に熱板４１の周囲の隙間から外気が侵入す
ることはなく、外気が基板Ｇの温度分布を悪化させたり
不安定にすることを防止することができる。また、上記
のように第１の整流板５４の下面に沿って加熱処理空間
の外側から中央に至る空気の流れをなし、外周から中央
へ向かう気流を形成することにより、基板Ｇの温度に局
部的な偏りが生じることを防ぐことができ、基板Ｇや熱
板４１の温度を高精度に制御することができる。さら
に、加熱処理空間６５内の雰囲気を置換しながら加熱処
理を行なうことにより、レジスト昇華物等が溜まりにく
い状態で加熱処理を行なうことができる。

【００６１】上記の加熱処理装置において、外気導入部
５９から排気を行い、開口５３から外気を導入するよう
に構成して、空気の流れを本発明とは逆方向に形成した
場合には、基板Ｇや熱板４１の周縁部の長辺中央部分に
局部的な低温部分が発生しやすく、基板Ｇの温度を高精
度に制御することが困難である。

【００６２】これに対して、この実施形態に係る加熱処
理装置のように、外周から中央へ向かう気流を形成した
場合には、基板Ｇや熱板４１の温度に局部的な偏りが生
じることはない。これは、中央から外周へ向かう気流を
形成する場合には排気バランスがとりにくく気流に偏り
が生じやすいため、この気流の偏りによって局部的な温
度の偏りが生じるが、本発明のように外周から中央へ向
かう気流を形成する場合には排気バランスがとりやすく
均一な気流を形成することは比較的容易であり、基板や
熱板に局部的な温度の偏りが生じないためと考えられ
る。

【００６３】このことを確認するため、加熱処理装置内
に外周から中央へ向かう気流を形成した場合と、中央か
ら外周へ向かう気流を形成した場合との熱板４１の加熱
状態の面内ばらつきを測定した。すなわち、図７に示す
ように熱板４１を９つの領域１０１〜１０９に分割し、
１．３７ｍ^３／ｍｉｎの排気量で排気を行い、外周から
中央へ向かう気流と中央から外周へ向かう気流とのいず
れかを形成しながら熱板４１を加熱し、各領域１０１〜
１０９における熱板温度の経時変化を測定した。測定結
果を図８に示す。図８の（ａ）は中央から外周へ向かう
気流を形成した場合であり、図８の（ｂ）は外周から中
央へ向かう気流を形成した場合である。図８より、外周
から中央へ向かう気流を形成した場合の方が、中央から
外周へ向かう気流を形成した場合よりも熱板４１面内に
おける温度ばらつきが少ないことが確認された。加熱処
理装置では基板Ｇの加熱状態は熱板の加熱状態とほぼ類
似の挙動を示すので、この測定結果は、外周から中央へ
向かう気流を形成した場合の方が、面内での温度ばらつ
きが少ない加熱処理を基板Ｇに施すことができることを
示す。

【００６４】この実施形態に係る加熱処理装置では、第
１の整流板５４を用いて上記のように加熱処理空間の外
周から中央へ向かうように気流を形成することにより、
外気導入部５９から導入された外気が加熱処理空間６５
の外周全体に向かって分散しやすく、第１の整流板５４
の熱板４１側の面に沿ってほぼ均一な空気の流れを形成
することができ、気流の偏りにより生じる基板Ｇや熱板
４１の局部的な温度の偏りを有効に防止することができ
る。

【００６５】また、第１の整流板５４を用いて上記のよ
うに気流を形成することにより、外気は第１の整流板５
４と上部カバー５７との隙間で暖められた後に熱板４１
側に至るので、外気が基板Ｇや熱板４１におよぼす熱的
影響を小さくすることができる。

【００６６】さらに、第１の整流板５４の開口５３と対
向して第２の整流板５５が配置されているので、開口５
３近傍で気流に乱れが生じることが防止され、また、開
口５３が基板Ｇや熱板４１の温度分布に悪影響を及ぼす
ことが防止される。

【００６７】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。本実施形態に係る加熱処理装置が適用される加
熱処理ユニット（ＨＰ）においては、図９に示すよう
に、シャッター４８の内周に沿って液体７１を貯留する
ように構成し、シャッター４８の上昇時に反射板４２の
外周に設けられた突起部７５が液体７１内に没し、突起
部７５と液体７１によってシャッター４８と反射板４２
との間を密閉するように構成する。このような構成によ
ってもシャッター４８と反射板４２との間を十分に密閉
することができ、この部分からの外気の侵入を防止する
ことができる。また、熱板４１に設けられた貫通穴４３
と支持ピン４４との間に軸用のシール部材を介在させ、
貫通穴４３と支持ピン４４との間を密閉するようにして
もよい。

【００６８】次に、本発明の第３の実施形態について説
明する。図１０は、本実施形態に係る加熱処理装置が適
用される加熱処理ユニット（ＨＰ）の模式断面図であ
る。本実施形態では、加熱処理空間からの排気量を変更
可能な構成として、排気量を変更しながら加熱処理を行
う。

【００６９】図１０に示すように、この加熱処理ユニッ
ト（ＨＰ）は、その基本構成は第１の実施形態に係る加
熱処理ユニットと同様であるが、本実施形態では第２の
整流板１５５が昇降機構１５６により昇降可能に構成さ
れており、この点で第１の実施形態と相違する。昇降機
構１５６により第２の整流板１５５を昇降することによ
り、第１の整流板５４と第２の整流板１５５との間隔を
変更することができ、これにより開口５３からの排気量
を調節することができる。すなわち、第２の整流板１５
５を下降させることにより第１の整流板５４と第２の整
流板１５５との間隔を拡げて排気量を増やすことがで
き、また、第２の整流板１５５を上昇させることにより
第１の整流板５４と第２の整流板１５５との間隔を狭め
て排気量を減らすことができる。さらに、第２の整流板
１５５を、開口５３を塞ぐ位置まで上昇させることによ
り、開口５３からの排気を停止することも可能である。

【００７０】このような構成により、例えば、加熱処理
中に時間経過に応じて徐々に第２の整流板１５５を上昇
させることにより排気量を減少させることができ、ま
た、加熱処理中に排気を停止することができる。このよ
うな処理では、加熱処理開始時の排気によりレジスト昇
華物を加熱処理空間の外に排出することができ、かつ、
所定時間が経過してレジスト昇華物がほぼ全て加熱処理
空間外へ排出された頃に、排気量を減少または停止する
ことにより加熱処理空間内に生じる気流に影響を受ける
ことなく効率よく基板Ｇの加熱処理を行うことができ
る。

【００７１】次に、本発明の第４の実施形態について説
明する。図１１は、本実施形態に係る加熱処理装置が適
用される加熱処理ユニット（ＨＰ）の模式断面図であ
り、図１２は第２の整流板２５５の拡大上面図である。

【００７２】図１１に示すように、この加熱処理ユニッ
ト（ＨＰ）は、第１の実施形態に係る加熱処理ユニット
と同様の基本構成に加えて、第２の整流板２５５の第１
の整流板５４側の面に、複数（図では８つ）の板状体２
５３が放射状に設けられている。このような構造とする
ことにより、第２の整流板２５５から排気部５８にかけ
ての熱排気の偏りを低減することができ、これにより気
流の偏りにより生じる基板Ｇ表面や第１の整流板５４が
受ける熱的影響を低減することができる。このような観
点からは、例えば図１３に示すように、第２の整流板２
５５の中心部に向かって高さが徐々に高くなる構造の板
状体２５３’を設けてもよく、図１４の（ａ）および
（ｂ）に示すように第２の整流板２５５の中心部で互い
に交わるように放射状に配置された４つの板状体２５
３’’を設けてもよい。

【００７３】次に、本発明の第５の実施形態について説
明する。図１５は、本実施形態に係る加熱処理装置が適
用される加熱処理ユニット（ＨＰ）の模式断面図であ
る。図１５に示すように、この加熱処理ユニット（Ｈ
Ｐ）は、第１の実施形態に係る加熱処理ユニット（Ｈ
Ｐ）と同様の基本構成において、筒状部材３５６の上端
が排気部３５８の底部よりも高くなるように構成されて
いる。

【００７４】前述した実施形態のように、筒状部材の上
端を排気部の底部と同じ高さに構成した場合には、図１
６および図１７に矢印で示すように、筒状部材５６の上
端から排気部５８に向けて直接的な気流が発生し、この
気流が接触する部分の温度が局部的に上昇して排気部５
８内で熱偏りが生じるおそれがある。これに対して、本
実施形態のように筒状部材３５６の上端を排気部３５８
の底部よりも高くなるように構成した場合には、筒状部
材３５６内を通過した排気は水平方向に向きを変えて流
れるため、筒状部材３５６の上端から排気部３５８に向
けて直接的な気流は発生せず、排気部３５８内での熱偏
りを防止することができる。この場合に、筒状部材３５
６の上端が排気部３５８の中央部よりも高くなるように
することが望ましい。一方、筒状部材３５６の上端を排
気部３５８の最上部よりも高くすると排気圧損が多くな
ってしまうため、筒状部材３５６の上端は排気部３５８
の最上部以下の高さにすることが望ましい。

【００７５】次に、本発明の第６の実施形態について説
明する。本実施形態に係る加熱処理装置が適用される加
熱処理ユニット（ＨＰ）では、熱板４１上に、基板Ｇを
位置決めする位置決めローラーを設けることにより、基
板Ｇを正確に位置決めして加熱処理を行うようにする。
図１８は本実施形態における位置決めローラーの斜視図
であり、図１９は熱板４１上に位置決めローラーを配置
する位置を示す平面図であり、図２０は位置決めローラ
ーにより基板Ｇが位置決めされる際の動作を説明するた
めの説明図である。

【００７６】位置決めローラー４００は、図１８に示す
ように、ローラー４０１と、下部に基板Ｇの位置をガイ
ドするガイド４０２が設けられ、ローラー４０１を回転
可能に支持する支持体４０３とを具備しており、図１９
に示すように、熱板４１上に配置される基板Ｇの４隅に
対応する位置に２箇所ずつ、合計８箇所に配置されてい
る。

【００７７】このような構成によれば、基板Ｇを熱板４
１上の所定位置に正確に配置することができる。すなわ
ち、基板Ｇが支持ピン４４上の所定位置に正確に受け渡
された場合には、基板Ｇは位置決めローラー４００の内
側を下降してそのまま熱板４１上に配置される。一方、
基板Ｇが支持ピン４４上の所定位置に正確に受け渡され
ず、位置ずれが生じていた場合には、図２０に示すよう
に基板Ｇのいずれかの端部が位置決めローラー４００の
ローラー４０１上に載り、この基板Ｇを載せたローラー
４０１が基板Ｇの自重で回転することにより、基板Ｇは
位置決めローラー４００の内側に落とし込まれ、熱板４
１上の所定位置に配置される。さらに、支持体４０３の
下部にガイド４０２が設けられているので、熱板４１上
の所定位置に配置された基板Ｇの各コーナーはこのガイ
ド４０２によりガイドされ、これにより熱板４１上に配
置された後に基板Ｇの位置がずれることが防止される。

【００７８】このように、本実施形態では位置決めロー
ラー４００により基板Ｇを熱板４１上の所定位置に正確
に配置することができるので、熱板４１、第１の整流
板、第１の整流板の開口５３および第２の整流板等と、
基板Ｇとの位置関係、さらには、前述した加熱処理空間
内に形成される気流と基板Ｇとの位置関係を所望のもの
とすることができ、さらに基板Ｇの温度分布を向上させ
ることができる。

【００７９】なお、本発明は上記実施形態に限定され
ず、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、
本発明に係る加熱装置をレジスト塗布・現像処理システ
ムに用いられる加熱処理ユニットに適用した例を示した
が、本発明はこれに限らず他の処理に適用してもよい。
また、上記実施形態では、基板としてＬＣＤ基板を用い
た場合について示したが、本発明はこれに限らず他の基
板の処理の場合にも適用可能であることはいうまでもな
い。

【００８０】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、シ
ール機構により熱板を略密閉とした状態で加熱処理を行
なうので、加熱処理中に熱板周辺から外気が侵入するこ
とが防止され、それに伴なう基板温度のバラツキや不安
定性が回避されるとともに、気流形成手段により積極的
に加熱処理空間内に外周から中央へ向かう気流を形成す
ることにより、排気バランスがとりやすくなり、基板に
局部的に温度が低下する部分が形成されることが防止さ
れ、被処理基板の温度を均一にすることができる。した
がって、基板温度を高精度に制御することが可能とな
る。また、このような気流を形成することにより、レジ
スト昇華物等の溜まりも防止することができる。

【００８１】この場合に、気流形成手段を、外気導入部
から導入した外気を第１の整流板の上面に沿って外周側
へ導き、第１の整流板の下面に沿って外周から中央へ向
かう気流を形成し、第１の整流板の中央に設けた開口を
介して排気するようにすることにより、加熱処理空間に
外周から中央へ向かう気流を有効に形成することがで
き、また、加熱処理空間内におけるレジスト昇華物等の
溜まりを極めて効果的に防止することができる。さら
に、このような気流形成手段においては、第１の整流板
の開口と対向するように第２の整流板を配置すれば、開
口近傍における気流を整え、開口が基板温度に与える悪
影響を防止することができる。

【００８２】さらにまた、上記の気流形成手段において
は、第１の整流板に反射率の高い表面処理を施すことに
より効率よく基板の加熱処理を行なうことができ、ま
た、第２の整流板に反射率の低い表面処理を施すことに
より基板温度の均一性を一層向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用されるＬＣＤ基板のレジスト塗布
・現像処理システムを示す平面図。

【図２】本発明の第１の実施形態に係る加熱処理装置が
適用される加熱処理ユニット（ＨＰ）の模式的断面図。

【図３】図２に示した加熱処理ユニット（ＨＰ）のＡ−
Ａ断面を上から見た状態を示す概略図。

【図４】図２のＢ−Ｂ断面を上から見た状態を示す概略
図。

【図５】図２に示した加熱処理ユニット（ＨＰ）におけ
る第２の整流板と、熱板との形状を比較して示す図であ
る。

【図６】図２に示した加熱処理ユニット（ＨＰ）を用い
て基板Ｇの加熱処理を行なっている状態を示す模式的断
面図。

【図７】熱板を９つの領域１０１〜１０９に分割した状
態を示す図。

【図８】熱板温度の経時変化を測定した結果を示すグラ
フ。

【図９】本発明の第２の実施形態に係る加熱処理装置が
適用される加熱処理ユニット（ＨＰ）におけるシール機
構を示す図。

【図１０】本発明の第３の実施形態に係る加熱処理装置
が適用される加熱処理ユニット（ＨＰ）の模式断面図。

【図１１】本発明の第４の実施形態に係る加熱処理装置
が適用される加熱処理ユニット（ＨＰ）の模式断面図。

【図１２】図１１に示した加熱処理ユニット（ＨＰ）に
おける第２の整流板の拡大上面図。

【図１３】図１２に示した第２の整流板における板状体
の他の例を示す図。

【図１４】図１２に示した第２の整流板における板状体
のまた他の例を示す図。

【図１５】第５の実施形態に係る加熱処理装置が適用さ
れる加熱処理ユニット（ＨＰ）の模式断面図。

【図１６】筒状部材の上端を排気部の底部と同じ高さに
構成した場合に生じる気流を説明するための縦断面図。

【図１７】筒状部材の上端を排気部の底部と同じ高さに
構成した場合に生じる気流を説明するための横断面図。

【図１８】第６の実施形態における位置決めローラーの
斜視図。

【図１９】第６の実施形態における熱板４１に位置決め
ローラーを配置する位置を示す平面図。

【図２０】第６の実施形態における位置決めローラーに
より基板Ｇが位置決めされる際の動作を説明するための
説明図

【符号の説明】

４０：ＨＰ ４１：熱板 ４２：反射板 ４３：貫通穴 ４４：支持ピン ４５：第２の係合部材 ４６：保持部材 ４７：保持部材昇降機構 ４８：シャッター（囲繞部材） ４９：シャッター昇降機構（囲繞部材昇降機構） ５０：弾性部材 ５１：第１の係合部材 ５３：開口 ５４：第１の整流板 ５５：第２の整流板 ５６：筒状部材 ５６ａ：隙間 ５７：カバー部材 ５７ａ：孔部 ５８：排気部 ５８ａ：排気管 ５９：外気導入部 ６０：ケース ６１：第１の当接部材 ６３：第２の当接部材 ６４：弾性部材 ６６：ダクト部材 ６６ａ：上部 ６６ｂ：下部 ７１：液体 ７５：突起部 ７６：排気機構

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保 誠人 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン株式会社大津 事業所内

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 その上またはその上方に被処理基板が載
   置され、被処理基板を加熱する熱板と、 熱板の上方に規定される被処理基板を加熱処理する加熱
   処理空間を囲繞可能に設けられた囲繞部材と、 前記囲繞部材により加熱処理空間を囲繞した際に、前記
   熱板の周囲を略密閉するシール機構と、 前記加熱処理空間において外周から中央に向かう気流を
   形成する気流形成手段とを具備することを特徴とする加
   熱処理装置。
2. 【請求項２】 前記気流形成手段は、 前記加熱処理空間の上方に設けられ、前記加熱処理空間
   に外気を導入するための外気導入部と、 前記加熱処理空間の上方に設けられ、前記加熱処理空間
   を排気するための排気部と、 前記排気部を介して前記加熱処理空間を排気する排気機
   構と、 前記加熱処理空間の上部に前記熱板と対向するように配
   置され、その中央に開口が形成された第１の整流板とを
   有し、前記排気機構を作動させた際に、前記外気導入部
   から導入された外気は前記第１の整流板の上面に沿って
   前記加熱処理空間の外周側に至り、さらに前記第１の整
   流板の下面に沿って前記加熱処理空間の外周側から中央
   に至り、前記第１の整流板の開口を介して前記排気部か
   ら排気されることを特徴とする請求項１に記載の加熱処
   理装置。
3. 【請求項３】 前記第１の整流板は、前記熱板側の面に
   反射率の高い表面仕上げが施されていることを特徴とす
   る請求項２に記載の加熱処理装置。
4. 【請求項４】 前記気流形成手段は、前記第１の整流板
   と前記熱板との間に、前記整流板に形成された開口と対
   向するように配置された第２の整流板を有することを特
   徴とする請求項２に記載の加熱処理装置。
5. 【請求項５】 前記第２の整流板は、前記熱板側の面に
   反射率の低い表面仕上げが施されていることを特徴とす
   る請求項４に記載の加熱処理装置。
6. 【請求項６】 前記第２の整流板の前記第１の整流板側
   の面には、複数の板状体が放射状に設けられていること
   を特徴とする請求項４または請求項５に記載の加熱処理
   装置。
7. 【請求項７】 前記第２の整流板は、被処理基板の厚さ
   方向に移動可能に設けられていることを特徴とする請求
   項４から請求項６のいずれか１項に記載の加熱処理装
   置。
8. 【請求項８】 前記第２の整流板は、前記熱板と実質的
   に相似の形状を有することを特徴とする請求項４から請
   求項７のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
9. 【請求項９】 前記第２の整流板は、前記開口と実質的
   に相似の形状を有することを特徴とする請求項４から請
   求項８のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
10. 【請求項１０】 前記開口は、前記熱板と実質的に相似
    の形状を有することを特徴とする請求項４から請求項９
    のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
11. 【請求項１１】 前記囲繞部材は昇降可能に配置されて
    いて、上昇時に前記加熱処理空間を囲繞することを特徴
    とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の
    加熱処理装置。
12. 【請求項１２】 前記加熱処理空間の上方を覆うカバー
    部材をさらに具備し、前記シール機構は前記熱板の下方
    の隙間および前記カバー部材と前記繞部材との間の隙間
    をふさぐことを特徴とする請求項１から請求項１１のい
    ずれか１項に記載の加熱処理装置。
13. 【請求項１３】 前記熱板の下面と側面とを覆うように
    配置され、前記熱板からの熱を反射する反射板をさらに
    具備し、前記シール機構は前記反射板と前記囲繞部材と
    の隙間をふさぐことを特徴とする請求項１２に記載の加
    熱処理装置。
14. 【請求項１４】 前記シール機構は、 前記反射板の外周側と前記囲繞部材の内周側下部とに配
    置され、前記囲繞部材を上昇させた際に相互に係合する
    一対の係合部材と、 前記カバー部材下部と前記囲繞部材上部とに配置され、
    前記囲繞部材を上昇させた際に相互に当接する一対の当
    接部材とを有することを特徴とする請求項１３に記載の
    加熱処理装置。
15. 【請求項１５】 前記一対の係合部材の少なくとも一方
    には、他方の係合部材と係合する位置に弾性部材が配置
    されるとともに、前記一対の当接部材の少なくとも一方
    には、他方の当接部材と当接する位置に弾性部材が配置
    されていることを特徴とする請求項１４に記載の加熱処
    理装置。
16. 【請求項１６】 その上またはその上方に被処理基板が
    配置され、被処理基板を加熱する熱板と、 前記熱板の上方に規定された被処理基板を加熱処理する
    加熱処理空間を囲繞可能に設けられた囲繞部材と、 前記加熱処理空間の上方を覆うカバー部材と、 前記囲繞部材により前記加熱処理空間を囲繞した際に、
    前記熱板と前記囲繞部材との間の隙間および前記カバー
    部材と前記囲繞部材との間の隙間をふさぐシール機構
    と、 前記カバー部材の外側中央部に設けられ、外気を導入す
    るための外気導入部および前記加熱処理空間を排気する
    ための排気部を有するダクト部材と、 前記排気部を介して前記加熱処理空間を排気する排気機
    構と、 前記加熱処理空間の上部に前記熱板と対向するように配
    置され、その中央に開口が形成された第１の整流板とを
    具備し、 前記排気機構を作動させた際に、前記外気導入部から導
    入された外気は前記第１の整流板の上面に沿って前記加
    熱処理空間の外周側に至り、さらに前記第１の整流板の
    下面に沿って前記加熱処理空間の外側から中央に至り、
    前記第１の整流板の開口を介して前記ダクト部材の排気
    部から排気されることを特徴とする加熱処理装置。
17. 【請求項１７】 前記第１の整流板と熱板との間に、前
    記第１の整流板に形成された開口と対向するように配置
    された第２の整流板をさらに具備し、前記排気機構を作
    動させた際に、前記加熱処理空間からの空気が前記第１
    の整流板と前記第２の整流板との隙間を通って前記第１
    の整流板の開口へ流れることを特徴とする請求項１６に
    記載の加熱処理装置。
18. 【請求項１８】 前記ダクト部材は、その中央に前記加
    熱処理空間につながる筒状部材を有し、前記加熱処理空
    間からの空気は前記筒状部材を経て前記排気部から排気
    され、前記外気導入部から導入された空気は前記筒状部
    材の外側を通って加熱処理空間に供給されることを特徴
    とする請求項１６または請求項１７に記載の加熱処理装
    置。
19. 【請求項１９】 前記カバー部材と前記第１の整流板と
    の間に通流路が形成され、前記外気導入部から導入され
    た外気が前記通流路を通って前記加熱処理空間に至るこ
    とを特徴とする請求項１１から請求項１８のいずれか１
    項に記載の加熱処理装置。