JP6384414B2 - 基板加熱装置、基板加熱方法、記憶媒体 - Google Patents
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Description
基板を載置して加熱処理するための加熱板が内部に配置された処理容器と、この処理容器内の処理雰囲気にパージ用の気体を取り込むための給気口と、前記処理雰囲気を排気する排気口と、を各々備えた複数の加熱モジュールと、
前記複数の加熱モジュールの各々の排気口に接続された個別排気路と、
前記複数の加熱モジュールの各個別排気路の下流端に共通に接続された共通排気路と、
前記各個別排気路に分岐して設けられ、前記処理容器の外部に開口する分岐路と、
前記排気口側から前記共通排気路に排気される排気量と前記処理容器の外部から前記分岐路を介して前記共通排気路に取り込まれる取り込み量との流量比を調整するための排気量調整部と、を備えたことを特徴とする。
基板を載置して加熱処理するための加熱板が内部に配置された処理容器と、この処理容器内の処理雰囲気にパージ用の気体を取り込むための給気口と、前記処理雰囲気を排気する排気口と、を各々備えた複数の加熱モジュールと、
前記複数の加熱モジュールの各々の排気口に接続された個別排気路と、
前記複数の加熱モジュールの各個別排気路の下流端に共通に接続された共通排気路と、
前記各個別排気路に分岐して設けられ、前記処理容器の外部に開口する分岐路と、を備えた基板加熱装置を用い、
前記加熱板に基板を載置する工程と、
前記排気口側から前記共通排気路に排気される排気量と前記処理容器の外部から前記分岐路を介して前記共通排気路に取り込まれる取り込み量との流量比を排気量調整部により調整して、前記処理雰囲気内を低い排気量で排気する低排気状態とする工程と、
この工程の後、流量比を排気量調整部により調整して、前記処理雰囲気内を前記低い排気量よりは多い排気量で排気する高排気状態とする工程と、を含むことを特徴とする。
本発明の記憶媒体は、加熱板に載置した基板を加熱処理する基板加熱装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは上記の基板加熱方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする。
続いて、本発明に関連して行われた評価試験について説明する。この評価試験では上記の実施形態で説明した加熱モジュールを用いて、既述の有機膜を形成するための薬液が塗布された直径300mmのウエハWを加熱処理した。この加熱処理はウエハW毎に処理容器20内の排気量を変更して行った。評価試験1−1〜1−5としては上記の実施形態の処理と異なり、ウエハWの処理開始から処理終了まで処理容器20の排気量を一定にして加熱処理を行っており、評価試験1−1、1−2、1−3、1−4、1−5では、夫々前記排気量を15L/分、0L/分、0.3L/分、0.5L/分、1L/分とした。また、評価試験1−6としては、実施形態で説明したようにウエハWの処理中に低排気から高排気への切り替えを行った。
またこのダンパー61によれば、重力と電磁石63による磁力との作用により弁体である球体62を昇降させるので、シリンダや歯車などを用いた弁体を昇降させるための昇降機構及び当該昇降機構を構成する駆動部品に塗布されるグリスが不要となる。従って、このような昇降機構及びグリスの劣化を考慮しなくてよいため、上記のヒーター65を比較的高い出力とすることができる。それによって上記の昇華物の球体62への付着を、より確実に防ぐことができる。
11 排気ダクト
12 制御部
2A〜2C 加熱モジュール
20 処理容器
21 加熱板
30 排気管
32 排気口
33 給気口
34 分岐管
35 ダンパー
Claims (20)
- 基板を載置して加熱処理するための加熱板が内部に配置された処理容器と、この処理容器内の処理雰囲気にパージ用の気体を取り込むための給気口と、前記処理雰囲気を排気する排気口と、を各々備えた複数の加熱モジュールと、
前記複数の加熱モジュールの各々の排気口に接続された個別排気路と、
前記複数の加熱モジュールの各個別排気路の下流端に共通に接続された共通排気路と、
前記各個別排気路に分岐して設けられ、前記処理容器の外部に開口する分岐路と、
前記排気口側から前記共通排気路に排気される排気量と前記処理容器の外部から前記分岐路を介して前記共通排気路に取り込まれる取り込み量との流量比を調整するための排気量調整部と、を備えたことを特徴とする基板加熱装置。 - 前記排気口は、前記加熱板の基板載置領域の中央部と対向して前記処理容器の天井部に設けられ、
前記給気口は、前記基板載置領域の周縁側から処理雰囲気にパージ用の気体が取り込まれるように加熱板の周方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板加熱装置。 - 前記処理雰囲気内を低い排気量で排気する低排気状態と、前記処理雰囲気内を前記低い排気量よりは多い排気量で排気する高排気状態と、を選択するために前記排気量調整部の流量比率を調整するための制御信号を出力する制御部を備えたことを特徴とする請求項1または2記載の基板加熱装置。
- 前記制御部は、前記基板が加熱板に載置された後、予め設定された時間が経過するまでまたは基板の温度が予め設定された温度になるまでは低排気状態とし、その後、高排気状態とするように前記排気量調整部を制御することを特徴とする請求項3記載の基板加熱装置。
- 前記制御部は、前記基板が加熱板に載置された後、基板に塗布された塗布液の粘性が低いことにより高い排気状態とすると膜厚の面内均一性が悪くなる時間帯を含む時間が経過するまでは低排気状態とし、その後、塗布膜からの昇華物を排気するために高排気状態とするように前記排気量調整部を制御することを特徴とする請求項3または4記載の基板加熱装置。
- 前記制御部は、前記低排気状態から高排気状態への切換を、前記排気量調整部の流量比を徐々に変更することにより行うように制御信号を出力することを特徴とする請求項3ないし5のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
- 前記排気量調整部は、
前記処理容器の外部に対して前記分岐路を閉鎖するための第1の高さ位置と、前記分岐路を開放するための前記第1の高さ位置よりも高い第2の高さ位置との間で昇降自在な磁性体により構成される弁体と、
磁力によって、前記弁体を重力に抗して前記第1の高さ位置から前記第2の高さ位置に上昇させる電磁石と、
を備えることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の基板加熱装置。 - 前記塗布膜からの昇華物の前記弁体への付着を防ぐために、当該弁体を加熱する加熱部が設けられることを特徴とする請求項7記載の基板加熱装置。
- 前記低排気状態における排気量は、0.16リットル/分以下であることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
- 前記給気口は、パージガスを処理容器内に供給するためのガス供給路の吐出口を含むことを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
- 前記給気口は、前記処理容器の外のパージ用の気体である外気を取り込む取り込み口を更に含むことを特徴とする請求項10記載の基板加熱装置。
- 前記ガス供給路には、パージガスを加熱するガス加熱部が設けられていることを特徴とする請求項10または11記載の基板加熱装置
- 前記加熱板に載置された基板の表面の塗布膜は、炭素を主成分とする膜であることを特徴とする請求項1ないし12のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
- 基板を載置して加熱処理するための加熱板が内部に配置された処理容器と、この処理容器内の処理雰囲気にパージ用の気体を取り込むための給気口と、前記処理雰囲気を排気する排気口と、を各々備えた複数の加熱モジュールと、
前記複数の加熱モジュールの各々の排気口に接続された個別排気路と、
前記複数の加熱モジュールの各個別排気路の下流端に共通に接続された共通排気路と、
前記各個別排気路に分岐して設けられ、前記処理容器の外部に開口する分岐路と、を備えた基板加熱装置を用い、
前記加熱板に基板を載置する工程と、
前記排気口側から前記共通排気路に排気される排気量と前記処理容器の外部から前記分岐路を介して前記共通排気路に取り込まれる取り込み量との流量比を排気量調整部により調整して、前記処理雰囲気内を低い排気量で排気する低排気状態とする工程と、
この工程の後、流量比を排気量調整部により調整して、前記処理雰囲気内を前記低い排気量よりは多い排気量で排気する高排気状態とする工程と、を含むことを特徴とする基板加熱方法。 - 前記低排気状態とする工程は、前記基板が加熱板に載置された後、基板に塗布された塗布液の粘性が低いことにより高い排気状態とすると膜厚の面内均一性が悪くなる時間帯を含む時間が経過するまで行われ、
前記高排気状態とする工程は、塗布膜からの昇華物を排気するために行われることを特徴とする請求項14記載の基板加熱方法。 - 前記低排気状態から高排気状態への切換は、前記排気量調整部の流量比を徐々に変更することにより行われることを特徴とする請求項14または15記載の基板加熱方法。
- 磁性体により構成される弁体を前記処理容器の外部に対して前記分岐路を閉鎖するための第1の高さ位置に位置させる工程と、
電磁石の磁力によって、前記弁体を重力に抗して前記第1の高さ位置から前記第2の高さ位置に上昇させて前記分岐路を開放する工程と、
を備えることを特徴とする請求項14または15に記載の基板加熱方法。 - 前記塗布膜からの昇華物の前記弁体への付着を防ぐために、当該弁体を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項17記載の基板加熱方法。
- パージ用の気体を加熱部により加熱してから給気口を介して処理雰囲気に取り込むことを特徴とする請求項14ないし18のいずれか一項に記載の基板加熱方法。
- 加熱板に載置した基板を加熱処理する基板加熱装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項14ないし19のいずれか一つに記載された基板加熱方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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JP6990121B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2022-01-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
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US11047050B2 (en) * | 2018-10-30 | 2021-06-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor tool having controllable ambient environment processing zones |
JP7308671B2 (ja) * | 2019-07-03 | 2023-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板熱処理装置、基板熱処理方法及び記憶媒体 |
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---|---|---|---|---|
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US6002109A (en) * | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
US6143080A (en) * | 1999-02-02 | 2000-11-07 | Silicon Valley Group Thermal Systems Llc | Wafer processing reactor having a gas flow control system and method |
JP3909222B2 (ja) * | 2000-06-20 | 2007-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US6644964B2 (en) * | 2000-06-20 | 2003-11-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP3702175B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2005-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及びその方法、並びにパターン形成方法 |
JP3649127B2 (ja) * | 2001-01-04 | 2005-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置 |
US6887803B2 (en) * | 2001-11-08 | 2005-05-03 | Wafermasters, Inc. | Gas-assisted rapid thermal processing |
JP3913625B2 (ja) * | 2002-07-12 | 2007-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置、塗布膜形成装置及び減圧乾燥方法 |
US20120083194A1 (en) * | 2003-03-06 | 2012-04-05 | Enervex, Inc. | Mechanical draft systems |
US6934643B2 (en) * | 2003-06-20 | 2005-08-23 | Delphi Technologies, Inc. | Ultra accurate gas injection system with vehicle transient air simulation |
JP4467266B2 (ja) * | 2003-08-13 | 2010-05-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板加熱装置および基板加熱方法 |
CN101031670A (zh) * | 2005-07-14 | 2007-09-05 | 东京毅力科创株式会社 | 基板载置机构和基板处理装置 |
JP5068471B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP5109376B2 (ja) * | 2007-01-22 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
JP2008186934A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP4830995B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2011-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体 |
JP4904296B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2012-03-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置 |
JP5369538B2 (ja) * | 2008-08-12 | 2013-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法並びに記憶媒体 |
JP4816747B2 (ja) * | 2009-03-04 | 2011-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
US20100291850A1 (en) * | 2009-05-05 | 2010-11-18 | Mike Sabbaghian | Variable Volume Air-Flow Exhaust System |
US20120111835A1 (en) * | 2009-07-23 | 2012-05-10 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | Wet etching apparatus and method |
US20120058630A1 (en) * | 2010-09-08 | 2012-03-08 | Veeco Instruments Inc. | Linear Cluster Deposition System |
JP5278469B2 (ja) * | 2011-03-03 | 2013-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
JP6245643B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-12-13 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US9650727B2 (en) * | 2013-07-03 | 2017-05-16 | Applied Materials, Inc. | Reactor gas panel common exhaust |
JP6289341B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2018-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、排気切替ユニットおよび基板液処理方法 |
JP6430784B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2018-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
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