TWI802259B - 加熱處理裝置及加熱處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的係為在熱處理空間加熱基板之際，防止熱處理空間內的氣流發生停滯，減少昇華物排放所需之排氣量。 依本發明，熱處理空間S的側表面部係由具有外側閘門260和內側閘門270之閘門構件250構成。從與載置台210之熱板211上的晶圓W相同高度的位置上閘門構件250之下端部的空隙d1朝向晶圓W供應成為水平層流的供氣A，供氣B從比晶圓W更高的位置上閘門構件250之上端部的空隙d2供應至熱處理空間S內。供氣A與供氣B的流量比為4：1。

Description

加熱處理裝置及加熱處理方法
本發明係關於一種加熱處理裝置及加熱處理方法。
在半導體裝置的製程上，例如針對形成有抗蝕劑膜等的塗佈膜之基板，例如半導體晶圓(以下的說明中，會有簡稱為晶圓的情形)，為了要使該塗佈膜乾燥，對該半導晶圓進行加熱處理。
在過去，該加熱處理雖使用加熱處理裝置來進行，但進行加熱會影響到膜厚的均勻性，因而需要均勻的加熱。
考慮到這一點，習用之加熱處理裝置具備：載置台，載置基板：殼體，容納該載置台以形成處理空間；閘門構件，環繞該載置台被設置在該周圍；升降機構，使該閘門構件可上下作動；外殼構件，被設置成覆蓋該殼體內之處理空間的上部而在中央部連接排氣管線；多個通氣孔，沿著該閘門構件的周向設置；並具備有環狀的空氣整流板，當該閘門構件往上方上升時在與該殼體構件的周緣之間形成環狀的空氣流入口(專利文獻1)。
藉由此一構成，可從處理空間的周向使裝置附近的降流均勻地流入處理空間內，因而在過去從晶圓出入口流入的降流直接撞擊晶圓使晶圓的溫度局部下降，而得以改善對於抗蝕劑膜厚均勻化構成妨礙的問題。 ［習知技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開平9-326341號公報
［發明所欲解決的課題］
然則，上述過專利文獻1中公開的加熱處理裝置，降流的空氣(通常23℃)只從殼體內處理空間的上部流入處理空間，因而在處理空間內的熱環境氣體中形成朝向中心的下降氣流，其結果會有在該下降氣流與閘門構件內壁之間形成氣流的停滯，昇華物在停滯中浮游而從裝置間隙洩漏到外部的可能性。抑制發生這一種停滯以防止昇華物洩漏，必須加大排氣流量，在節能這方面還有改進的空間。
本發明有鑑於上述的問題點，其目的為提供一種基板的加熱處理裝置，防止在如同前述過的熱處理空間內發生氣流停滯，將昇華物以比過去更少的排氣量排放。 ［解決課題的技術手段］
為了要達成上述目的，本發明提供一種加熱處理裝置，將已形成有塗佈膜之基板加熱，其特徵為，具有：載置台，載置該基板；加熱機構，將該載置台上載置之基板加熱；上表面部，位於該載置台的上方蓋住該載置台；側表面部，環繞該載置台，位於該載置台的外周；並具有第1氣體供應口和第2氣體供應口，由該載置台、上表面部、側表面部形成熱處理空間，在該上表面部的中央設置排氣部以將該熱處理空間內的環境氣體排氣，沿著該側表面部的周向設置，對該熱處理空間供應氣體；該第1氣體供應口的高度位置與該載置台載置的基板同相，該第2氣體供應口的高度位置比該第1氣體供應口的高度位置更高，從該第1氣體供應口供應給該熱處理空間之氣體的流量大於從該第2氣體供應口供應給該熱處理空間之氣體的流量。
依據本發明，具有對熱處理空間供應氣體之第1氣體供應口及第2氣體供應口，第1氣體供應口的高度位置與載置台上載置之基板相同，故可對載置台上的基板表面供應水平層流。然而第2氣體供應口的高度位置比第1氣體供應口的高度位置更高，從第1氣體供應口供應給該熱處理空間之氣體的流量大於從該第2氣體供應口供應給該熱處理空間之氣體的流量，故藉由從第2氣體供應口供應的氣體，防止氣流在熱處理空間內發生停滯。結果是當要將熱處理空間內的環境氣體排氣時，以比過去更少的排氣量防止昇華物的洩漏，可將該昇華排放。
在此情況下，從第1氣體供應口供應給該熱處理空間之氣體的流量與從第2氣體供應口供應給該熱處理空間之氣體的流量兩者的比為9：1～6：4亦可。5：1～7：3更佳，4：1程度最佳。 另外，依據本發明人的見解認為，第2氣體供應口的高度位置越高越好，例如在比熱處理空間一半的高度更高的位置，設定第2氣體供應口的高度位置，即可得到發生停滯的效果，越再接近熱處理空間的上表面部越可防止發生停滯。如同後以述的實施形態進行的說明，第2氣體供應口位於熱處理空間的上表面部(熱處理空間的最高部位)最佳。
基於另外的觀點，本發明提供另一種加熱處理裝置，將已形成有塗佈膜之基板加熱，其特徵為：具有：載置台，載置該基板；加熱機構，將該載置台上載置之基板加熱；上表面部，位於該載置台的上方蓋住該載置台；側表面部，環繞該載置台，位於該載置台的外周；並具有第1氣體供應口和第2氣體供應口，由該載置台、上表面部、側表面部形成熱處理空間，在該上表面部的中央設置排氣部以將該熱處理空間內的環境氣體排氣，沿著該側表面部的周向設置，對該熱處理空間供應氣體；該第1氣體供應口的高度位置與該載置台上載置之基板同相，該第2氣體供應口的高度位置比該第1氣體供應口的高度位置更高；該第1氣體供應口大於從該第2氣體供應口。
依據本發明，第1氣體供應口大於第2氣體供應口，故在流入加熱處理裝置設置的區域之降流供應給熱處理空間之際，第2氣體供應口的壓力損失較大，故可使從第1氣體供應口供應之氣體的流量大於從第2氣體供應口供應之氣體的流量。因而為了要防止在熱處理空間內發生停滯，使用從第2氣體供應口供應的氣體，可防止在熱處理空間內發生停滯。因此，當要將熱處理空間內排氣時，可將昇華物以比過去更少的排氣量排放。
在這一種情況下，該第1氣體供應口的大小，即開口截面積與該第2氣體供應口的大小，即開口截面積兩者的比為9：1～6：4亦可。5：1～7：3更佳，4：1程度最佳。
該側表面部由可自由上下作動之閘門構件構成亦可。
在這一種情況下，該基板加熱時，該閘門構件上升，藉由該閘門構件的上端部與該上表面部之間的間隙，形成該第2氣體供應口亦可。
該閘門構件具有被一體化之外側閘門及內側閘門，該第1氣體供應口連通形成於外側閘門與內側閘門之間的流道亦可。
在這一種情況下，該外側閘門具有中空結構亦可。
基於另外的觀點，本發另外還提供一種加熱處理方法，使已形成有塗佈膜之基板在熱處理空間內的載置台上加熱，其特徵為：加熱時，從該熱處理空間的上方中央將該熱處理空間的環境氣體排氣，同時在與該載置台上的基板相同高度的位置，從熱處理空間的外側朝向熱處理空間水平地供應氣體，並且在比該載置台上的基板更高的位置，從熱處理空間的外側朝向熱處理空間供應氣體，然則從與基板相同高度位置供應之氣體的流量大於從比基板更高的位置供應之氣體的流量。
在這一種情況下，從與該基板相同高度位置供應之氣體的流量與從比基板更高的位置供應之氣體的流量兩者的流量比為9：1～6：4較佳。5：1～7：3更佳，4：1程度最佳。 ［發明功效］
依據本發明，防止熱處理空間內的氣流發生停滯，當要將熱處理空間內的環境氣體排氣時，可將熱處理空間內的昇華物以比過去更少的排氣量排放。
以下，參考圖面來說明本發明的實施形態。此外，在本說明書和附圖中，實質上具有相同的功能構成之要件，附註相同的圖號，其重複說明則省略。
＜基板處理系統＞ 首先，說明本實施形態中具備加熱處理裝置之基板處理系統的構成。圖1係以示意圖來表示基板處理系統1的概略構成之平面圖。圖2和圖3係以示意圖來表示基板處理系統1的內部構成之前視圖及後視圖。基板處理系統1中，對作為被處理基板的晶圓W進行預定的處理。
如圖1所示，基板處理系統1具有將搬入/搬出容納有多片晶圓W的卡匣C之卡匣站10和具備有多個各種處理裝置以對晶圓W施予預定的處理之處理站11和在於與處理站11相鄰的曝光裝置12之間進行晶圓W的轉移之介面站13成一體連接在一起之構成。
卡匣站10設有卡匣載置台20。卡匣載置台20設有多個卡匣載置板21以在對基板處理系統的外部搬入/搬出卡匣C之際載置卡匣C。
如圖1所示，卡匣站10設有晶圓搬送裝置23以使可在X方向上延伸之搬送路徑22上自由移動。晶圓搬送裝置23也可在上下方向上和繞鉛直軸旋轉(θ方向)自由移動，在各卡匣載置板21上的卡匣C與後述之處理站11在第3區塊G3的轉移裝置之間搬送晶圓W。
處理站11設有具備了各種裝置的多個(例如4個)區塊，即第1區塊G1～第4區塊G4。例如處理站11的背面側(圖1中在X方向上的正方向側，圖面的上側)設有第2區塊G2。另外，處理站11的卡匣站10側(圖1中在Y方向上的負方向側)設有已說明過的第3區塊，處理站11的介面站13側(圖1中在Y方向上的正方向側)設有第4區塊G4。
如圖2所示，例如在第1區塊G1內，從下起依序配置：多個液劑處理裝置，例如將晶圓W顯影處理之顯影處理裝置30、在晶圓W之處理膜的下層形成反射防止膜(以下稱為「下部反射防止膜」)之下部反射防止膜形成裝置31、在晶圓W上塗布抗蝕劑以形成處理膜的作為處理液塗佈裝置之抗蝕劑塗佈裝置32、在晶圓W之處理膜的上層形成反射防止膜(以下稱為「上部反射防止膜」)之上部反射防止膜形成裝置33。
例如顯影處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、抗蝕劑塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33，分別在水平方向上各3個並排配置。此外，這些顯影處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、抗蝕劑塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33的數量或配置可任意選擇。
這些顯影處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、抗蝕劑塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33中，例如進行旋轉塗佈以在晶圓W上塗佈預定的處理液。旋轉塗佈中，例如從塗佈噴嘴對晶圓W上噴出處理液，並且使晶圓W旋轉以使處理液在晶圓W的表面擴散。
如圖3所示，例如第2區塊G2中，在上下方向上和水平方向上並排設置：對晶圓W進行加熱處理之實施形態中的加熱處理裝置40、或為了要使抗蝕液與晶圓W的定影性提高而進行疏水化處理之疏水化處理裝置41、將晶圓W的外周曝光之周邊曝光裝置42。這些加熱處理裝置40、疏水化處理裝置41、周邊曝光裝置42的數量或配置也可任意選擇。
例如第3區塊G3中，從下起依序設有：多個轉移裝置50、51、52、53、54、55、56。另外，第4區塊G4中，從下起依序設有：多個轉移裝置60、61、62。
如圖1所示，被第1區塊G1～第4區塊G4環繞的區域形成有晶圓搬送區域D。例如晶圓搬送區域D具有在Y方向、X方向、θ方向和上下方向上自由移動的搬送臂70a。晶圓搬送裝置70配置多個。晶圓搬送裝置70可在晶圓搬送區域D內移動，將晶圓W搬送到第1區塊G1、第2區塊G2、第3區塊G3和第4區塊G4內預定的裝置。
另外，如圖3所示，晶圓搬送區域D設有接駁搬送裝置80以在第3區塊G3與第4區塊G4之間直線搬送晶圓。
例如，接駁搬送裝置80形成為可在圖3的Y方向上直線自由移動。接駁搬送裝置80在支撐著晶圓W的狀態下在Y方向上移動，可在第3區塊G3的轉移裝置52與第4區塊G4的轉移裝置62之間搬送晶圓W。
如圖1所示，第3區塊G3在X方向上的正方向側相鄰設有晶圓搬送裝置81。例如，晶圓搬送裝置81具有搬送臂81a以在X方向、θ方向和上下方向上自由移動。晶圓搬送裝置81在搬送臂81a支撐了晶圓W的狀態下上下移動，可將晶圓W搬送到第3區塊G3內的各轉移裝置。
介面站13設有晶圓搬送裝置90、轉移裝置91、92。例如，晶圓搬送裝置90具有搬送臂90a以在Y方向、θ方向和上下方向上自由移動。例如。晶圓搬送裝置90在搬送臂90a支撐晶圓W，可在第4區塊G4內的各轉移裝置、轉移裝置91、92和曝光裝置12之間搬送晶圓W。
如圖1所示，以上的基板處理系統1設有控制部110。例如，控制部110為電腦，具有程式儲存部(未圖示)。程式儲存部儲存有程式以控制基板處理系統1內晶圓W的處理。此外，例如該程式記錄在電腦可讀取記錄媒體，而該記錄媒體包括硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等，從該記錄媒體安裝到控制部110即可。
＜加熱處理裝置的構成＞ 其次，參考圖4說明本發明的實施形態中加熱處理裝置40的構成。
圖4係表示加熱處理裝置40的概略構成之示意圖。加熱處理裝置40藉由構成上表面部之頂部面板部200、與頂部面板部200相對向配置之載置台210、構成側表面部之閘門構件250，形成熱處理空間S。
頂部面板部200的中央設有成為排氣部之排氣口201。例如，該排氣口201與被設置在加熱處理裝置40的外部之排氣裝置202連通。頂部面板部200的上表面設有隔熱體203。
載置台210由成為載置晶圓W的載置部之加熱板211及支撐加熱板211之加熱板支撐部212構成。加熱板支撐部212透過多個支撐柱213，支撐於形成加熱處理裝置40的底部之底座214。加熱板211的內部設有加熱器215。
底座214設有支撐桿升降機構216，被設置在支撐桿升降機構216之支撐桿217藉由支撐桿升降機構216上下作動。該支撐桿217從加熱板211向上方自由突出，成為可在已說明過搬送裝置70的搬送臂70a之間交換晶圓W。
本實施形態中，側表面部由環狀的閘門構件250構成。閘門構件250由位於外側之外側閘門260及與外側閘門260隔著空隙被配置在內側之內側閘門270構成。如圖5所示，例如外側閘門260及內側閘門270藉由固定構件261被一體化。然而，藉由被設置在底座214之升降機構218上下作動之升降構件219被固定在外側閘門260的底部262。因此，升降構件219上下作動，閘門構件250則會上下作動。即外側閘門260與內側閘門270成一體上下作動。
亦如圖6所示，外側閘門260由底部262及成為外周面之側壁部263構成。另外，底部262的內側端部設有被形成為段部之卡止部262a，與加熱板支撐部212的外周端部212a卡止。因此，加熱板支撐部212的外周端部212a為止動件的功能，使閘門構件250不致超出預定的範圍上升。此外，圖6所示的狀態，即閘門構件250上升到底的狀態為晶圓W加熱處理時的狀態。
內側閘門270由圓環狀的水平部271及被設置在該水平部271的內側端部之垂下部272構成。然而，內側閘門270與外側閘門260，如同以下的說明，確保預定的空隙被一體化。
即先例如內側閘門270之垂下部272的下端面與外側閘門260之底部262的上表面之間的全周上形成的空隙d1設定為2mm。再例如內側閘門270之垂下部272的外周與外側閘門260之側壁部263的內周之間的空隙D1設定為2mm。再例如內側閘門270之水平部271的下表面與外側閘門260之側壁部263的上端面之間的空隙D2設定為2mm。該實施形態中，若為空隙D1、D2≧空隙d1即可。
然而圖6所示的狀態，即閘門構件250上升到底的狀態，被設定為在頂部面板部200的下表面與內側閘門270之水平部271的上表面之間整個全圓上周形成空隙d2。該例子中，例如空隙d2為0.5mm。
上述過的空隙d1成為細縫狀的第1氣體供應口，空隙d2成為細縫狀的第2氣體供應口。因此，本實施形態中，第1氣體供應口與第2氣體供應口的大小比為4：1。另外，成為第1氣體供應口之空隙d1的高度位置與載置台210的加熱板211上載置之晶圓W的高度位置相同。即在閘門構件250上升到底的狀態下，晶圓W的上表面位置進入成為第1氣體供應口之空隙d1在上下方向上的範圍。
＜加熱處理裝置的動作＞ 實施形態中的加熱處理裝置40具有以上的構成，其次針對其動作等進行說明。
先如圖7所示，在閘門構件250下降且支撐桿217上升的狀態下，加熱對象也就是晶圓W藉由基板處理系統1中晶圓搬送裝置70的搬送臂70a搬送到載置台210的加熱板211上，並被載置在支撐桿217上。接下來搬送臂70a撤離，之後支撐桿217下降，晶圓W被載置在加熱板211上。之後閘門構件250上升，成為圖4所示的加熱處理狀態。即藉由頂部面板200、載置台210、閘門構件250形成熱處理空間S。此外，排氣裝置202隨時處於運作狀態。
在此狀態下，載置台210的加熱板211上載置之晶圓W由加熱器215加熱處理。此時從成為側表面部之閘門構件250的下端側經由成為第1氣體供應口的空隙d1供應降流的空氣。
即熱處理空間S內藉由排氣裝置202的運作從頂部面板200的中央設置之排氣口201排氣，變成負壓。另一方面，配備有加熱處理裝置40之基板處理系統1內，在室溫(例如23℃)下的乾淨空氣不斷地從其上方流向下方而形成降流。因此，如圖4所示，該降流的空氣從閘門構件250中下側的空隙D2、D1流入，作為供氣A從空隙d1供應給熱處理空間S。另外，該降流的空氣從閘門構件250中上側的空隙d2流入，作為供氣B從空隙d2供應給熱處理空間S。
此處，如以上所述，空隙d1與空隙d2兩者的大小比為4：1，故供氣A、B的流量比也是4：1。然而如圖4所示，供氣A從構成側表面部之閘門構件250的下端側，即載置台210的加熱板211上之晶圓W的高度位置上的空隙d1，對全周朝向晶圓W成為層流水平地流過去。另一方面，來自構成側表面部之閘門構件250的上端側，即空隙d2的供氣B以供氣A的1/4流量供應給熱處理空間S的上方。因而可防止過去在熱處理空間S之側表面部上方發生之氣流停滯的發生。
因此，熱處理空間S內發生之加熱時的昇華物不致在熱處理空間S滯留或浮游，順利從排氣口201排放，防止昇華物洩漏。
於是熱處理空間S內不會發生停滯，昇華物的排放比過去更順利，故藉由排氣裝置202的排氣量比過去更少即可。因此，該省能效果較高。發明人實際檢查後，過去之同種、同大的加熱處理裝置中，為了要防止昇華物洩漏，必須有70L/min的排氣流量，但依據實施形態，即使是30L/min的排氣流量仍未發現昇華物洩漏。 另外，防止發生停滯也會防止發生亂流。因此，晶圓W表面的塗佈膜因亂流而局部性改變乾燥形式致使膜厚的均勻性惡化這點亦可抑制。
另外，如同過去，為了要防止昇華物洩漏，使來自頂棚部位中央的排氣流量增大，則會有晶圓W之中央部位的膜厚變厚的趨向，但依據本實施形態，以比迄今更少的排氣流量即可，故可緩和上述的趨向，期以提高膜厚的均勻性。
然則，供氣A從空隙D2流入，經過空隙D1，從空隙d1供應，但閘門構件250之內側閘門270的垂下部272會因熱處理空間S內的環境氣體等而升溫，故來自降流的空氣在流過由空隙D2、空隙D1形成的流道之際被加熱。因此，當供氣A從空隙d1供應給熱處理空間S時，比降流的溫度(例如23℃)還升溫。因此，供氣A到達晶圓W之際，與如同過去大致維持室溫的狀態接觸到晶圓W的情況作比較，從晶圓W奪走熱的量變少。另外，供氣A並未如同過去從晶圓W的上方朝向晶圓W流動，故也沒有與氣流碰撞致對晶圓W表面的塗佈膜造成的物理性衝擊。 再則，不僅熱對晶圓W的影響會減小，降流造成的熱對形成熱處理空間S之構件表面的影響也會減小，因而在以內側閘門270的垂下部272為首之形成熱處理空間S之構件的各表面附著昇華物的風險也變低。
實際檢查加熱時晶圓W表面的穩定溫度精度時，過去的加熱處理裝置中，以240℃加熱時，會有平均0.50%的偏差，但實施形態中的加熱處理裝置40則可抑制在平均0.30%的偏差。
因此，從熱處理空間S的外部流入的氣體造成的熱對晶圓W的的影響變得比過去更少，基於這一點亦可比過去更均勻地進行晶圓W的加熱，並可使膜厚的均勻性提高。
又或在閘門構件250，由空隙D1、空隙D2形成之流道亦為隔熱空間的功能，故來自外側閘門260的輻射熱受到抑制，熱對加熱處理裝置40周邊的各種設備、裝置的影響也變少。
＜加熱處理裝置的其他構成例子＞ 前述的實施形態中，成為第1氣體供應口之空隙d1的大小與成為第2氣體供應口之空隙d2的大小兩者的比為4：1，當然並不限於此，為9：1～6：4或為5：1～7：3皆可。
另外，前述的實施形態中，改變成為第1氣體供應口之空隙d1的大小與成為第2氣體供應口之空隙d2的大小兩者的比，以使來自第1氣體供應口之氣體的流量大於來自第2氣體供應口之氣體的流量，但當然並非將供應口的大小設定成上述的比，而是構成為將與空隙d1、d2連通之流道設為迷宮式結構以調整壓力損失或改變降流之流入口的大小等，以使來自第1氣體供應口之氣體的流量大於來自第2氣體供應口之氣體的流量而實現預定的流量比亦可。
另外，前述過的實施形態中，第1氣體供應口、第2氣體供應口均由細縫狀的空隙d1、空隙d2形成，但並不限於此，由多個孔隙形成第1氣體供應口、第2氣體供應口亦可。
此外，前述過的實施形態中，閘門構件250為一種藉由外側閘門260及內側閘門270形成之所謂的雙重環型閘門構成，但如圖8所示，為一種外側閘門280成為中空結構之三重環型閘門構成亦可。
即圖8所示加熱處理裝置40的閘門構件250之外側閘門280為在外側的側壁部281與內側的側壁部282之間設置空間283。因而空間283為隔熱空間的功能，故來自外側閘門280的輻射熱比雙重環型閘門構成還要更加受到抑制，熱對加熱處理裝置40周邊的各種設備、裝置影響變得更少。另外，直到從成為第1氣體供應口的空隙d1供應被流入的降流為止之間升溫的溫度變得更高，從空隙d1供應給熱處理空間S之供氣A與晶圓W的溫度差變得更小，更加抑制熱對晶圓W的影響，可進行更均勻的加熱。
此外，以上說明過的例子中，加熱處理裝置的側面部由可自由上下作動之閘門構件250構成，但並不限於此，例如為不會上下作動之通常的側壁構成亦可。在該情況下，例如對熱處理空間S搬入/搬出晶圓W為設置在該側壁的一部分之閘門構成亦可。另外，即使是一種頂部面板本身張開，從熱處理空間的上方搬入/搬出晶圓W的構成之加熱處理裝置，本發明仍可應用。
以上說明了本發明的實施形態，但並非被限定在本發明的例子。有關本領域技術人員應明白，在申請專利範圍所述之技術構思的範疇內想得到的各種變形例或修正例，這些當然都屬於本發明技術上的範圍這點理應了解。 ［產業上利用之可能性］
本發明可應用於將基板加熱。
1:基板處理系統 40:加熱處理裝置 200:頂部面板部 201:排氣口 202:排氣裝置 203:隔熱體 210:載置台 211:加熱板 212:加熱板支撐部 213:支撐柱 214:底座 215:加熱器 216:支撐桿升降機構 217:支撐桿 218:升降機構 219:升降構件 250:閘門構件 260:外側閘門 261:固定構件 262:底部 263:側壁部 270:內側閘門 271:水平部 272:垂下部 W:晶圓 A:供氣 B:供氣 d1:空隙 d2:空隙 S:熱處理空間
［圖1］係表示本實施形態中具備加熱處理裝置的概略基板處理系統之平面圖。 ［圖2］係圖1的基板處理系統之前視圖。 ［圖3］係圖1的基板處理系統之後視圖。 ［圖4］係表示本實施形態中加熱處理裝置的概略構成之以示意圖來表示側面剖面之說明圖。 ［圖5］係圖4的加熱處理裝置內閘門構件之透視圖。 ［圖6］係表示圖4的加熱處理裝置內閘門構件放大之說明圖。 ［圖7］係表示圖4的加熱處理裝置在搬入/搬出晶圓之際的樣子之說明圖。 ［圖8］係表示閘門構件的外側閘門為中空結構之加熱處理裝置的概略構成之以示意圖來表示側面剖面之說明圖。
40:加熱處理裝置
200:頂部面板部
201:排氣口
202:排氣裝置
203:隔熱體
210:載置台
211:加熱板
212:加熱板支撐部
213:支撐柱
214:底座
215:加熱器
216:支撐桿升降機構
217:支撐桿
218:升降機構
219:升降構件
250:閘門構件
260:外側閘門
262:底部
270:內側閘門
272:垂下部
W:晶圓
A:供氣
B:供氣
d1:空隙
d2:空隙
S:熱處理空間

Claims (8)

  1. 一種加熱處理裝置，用以將形成有塗佈膜之基板加熱，包含：載置台，載置該基板；加熱機構，將該載置台上載置之基板加熱；上表面部，位於該載置台的上方而覆蓋著該載置台；及側表面部，環繞該載置台，位於該載置台的外周；藉由該載置台、該上表面部及該側表面部形成熱處理空間；該上表面部的中央設有排氣部以將該熱處理空間內的環境氣體排氣；該加熱處理裝置，更包含：第1氣體供應口及第2氣體供應口，沿著該側表面部的周向設置以對該熱處理空間供應氣體；該第2氣體供應口的高度位置比該第1氣體供應口的高度位置更高；該側表面部係由可自由上下作動之閘門構件構成；該閘門構件具有被一體化之外側閘門及內側閘門，該第1氣體供應口連通形成於外側閘門與內側閘門之間的流道；於該側表面部之外周，設有使氣體流入該流道之空隙；從該第1氣體供應口供應至該熱處理空間之氣體的流量，大於從該第2氣體供應口供應至該熱處理空間之氣體的流量。
  2. 一種加熱處理裝置，用以將形成有塗佈膜之基板加熱，包含：載置台，載置該基板；加熱機構，將該載置台上載置之基板加熱；上表面部，位於該載置台的上方而覆蓋著該載置台；及 側表面部，環繞該載置台，位於該載置台的外周；藉由該載置台、該上表面部及該側表面部形成熱處理空間；該上表面部的中央設有排氣部以將該熱處理空間內的環境氣體排氣；該加熱處理裝置，更包含：第1氣體供應口及第2氣體供應口，沿著該側表面部的周向設置以對該熱處理空間供應氣體；該第2氣體供應口的高度位置比該第1氣體供應口的高度位置更高；該側表面部係由可自由上下作動之閘門構件構成；該閘門構件具有被一體化之外側閘門及內側閘門，該第1氣體供應口連通形成於外側閘門與內側閘門之間的流道；於該側表面部之外周，設有使氣體流入該流道之空隙；從該空隙向內側流入之氣體，先流過朝向下方向之流道部分，然後朝向內側之該熱處理空間，從該第1氣體供應口向水平方向供應。
  3. 如請求項1所述之加熱處理裝置，其中，該外側閘門具有中空結構。
  4. 如請求項1所述之加熱處理裝置，其中，從該空隙向內側流入之氣體，先流過朝向下方向之流道部分，然後朝向內側之該熱處理空間，從該第1氣體供應口向水平方向供應。
  5. 一種加熱處理方法，在熱處理空間內的載置台上將形成有塗佈膜之基板加熱，其特徵為包含以下步驟： 在加熱時，從該熱處理空間的上方中央將該熱處理空間的環境氣體排氣，同時通過沿著環繞該載置台而位於該載置台的外周之側表面部的周向設置之第1氣體供應口，而從該熱處理空間的外側朝向該熱處理空間供應氣體，並通過沿著該側表面部的周向設置且位於比該第1氣體供應口更高的位置之第2氣體供應口，而從該熱處理空間的外側朝向該熱處理空間供應氣體；該側表面部係由可自由上下作動之閘門構件構成，該閘門構件具有被一體化之外側閘門及內側閘門，該第1氣體供應口連通形成於外側閘門與內側閘門之間的流道；於該側表面部之外周，設有使氣體流入該流道之空隙；從該第1氣體供應口供應至該熱處理空間之氣體的流量，大於從該第2氣體供應口供應至該熱處理空間之氣體的流量。
  6. 一種加熱處理方法，在熱處理空間內的載置台上將形成有塗佈膜之基板加熱，其特徵為包含以下步驟：在加熱時，從該熱處理空間的上方中央將該熱處理空間的環境氣體排氣，同時通過沿著環繞該載置台而位於該載置台的外周之側表面部的周向設置之第1氣體供應口，而從該熱處理空間的外側朝向該熱處理空間供應氣體，並通過沿著該側表面部的周向設置且位於比該第1氣體供應口更高的位置之第2氣體供應口，而從該熱處理空間的外側朝向該熱處理空間供應氣體；該側表面部係由可自由上下作動之閘門構件構成，該閘門構件具有被一體化之外側閘門及內側閘門，該第1氣體供應口連通形成於外側閘門與內側閘門之間的流道；於該側表面部之外周，設有使氣體流入該流道之空隙； 從該空隙向內側流入之氣體，先流過朝向下方向之流道部分，然後朝向內側之該熱處理空間，從該第1氣體供應口向水平方向供應。
  7. 如請求項5所述之加熱處理方法，其中，該外側閘門具有中空結構。
  8. 如請求項5所述之加熱處理裝置，其中，從該空隙向內側流入之氣體，先流過朝向下方向之流道部分，然後朝向內側之該熱處理空間，從該第1氣體供應口向水平方向供應。
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