CN109411420A - 电子元件封装体 - Google Patents

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郭燕静
陈冠廷
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Powerise Intellectual Property Management Consultants Ltd By Share Ltd
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Abstract

本发明涉及一种电子元件封装体，包括基板、电子元件以及第一封装层。电子元件与第一封装层皆配置于基板上，且电子元件位于基板与第一封装层之间。第一封装层包括第一氮氧化物层以及第二氮氧化物层，其中第二氮氧化物层位于第一氮氧化物层与电子元件之间，第一氮氧化物层的组成包括SiNx1Oy1，第二氮氧化物层的组成包括SiNx2Oy2，且x1>x2。

Description

电子元件封装体
技术领域
本发明涉及封装领域，且特别涉及一种电子元件封装体。
背景技术
近年来随着电子元件的设计日趋精密且应用领域愈加广泛，电子产品对于水气/氧气的阻障能力的需求也随之提升。一般来说，电子元件可以利用封装技术来达到阻隔水气/氧气的效果，以保护其内部的电子元件，避免电子元件失效或效能衰减、甚至损坏。因此，电子元件的封装技术在水气/氧气的阻障能力需求上不断提升。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明一实施例的目的在于提供一种电子元件封装体，其具备理想的水气/氧气阻绝性质。
具体地说，本发明一实施例公开了一种电子元件封装体，包括：
基板；
电子元件，配置于该基板上；以及
第一封装层，配置于该基板上且该电子元件位于该基板与该第一封装层之间，其中该第一封装层包括第一氮氧化物层以及第二氮氧化物层，该第二氮氧化物层位于该第一氮氧化物层与该电子元件之间，该第一氮氧化物层的组成包括SiNx1Oy1，该第二氮氧化物层的组成包括SiNx2Oy2，且x1>x2。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中该第一氮氧化物层的厚度小于该第二氮氧化物层。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中该第一氮氧化物层的厚度由1nm至30nm。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中该第一氮氧化物层包括掺杂元素。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中该掺杂元素在该第一氮氧化物层中占有含量大于0at％且在5at％以下。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中该掺杂元素包括氩、氢、氮、氧、惰性气体或上述之组合。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中该第一氮氧化物层直接接触该第二氮氧化物层。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中该第一氮氧化物层覆盖该第二氮氧化物层的顶表面及侧表面。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中还包括周边结构，该周边结构配置于该基板上，该周边结构的厚度大于该电子元件的厚度，且该电子元件位于该周边结构围绕的区域中。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中该第一封装层的厚度大于、小于或等于该周边结构的厚度。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中该第一封装层的径向宽度由该基板向外逐渐变化。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中还包括第二封装层，配置于该基板上且该第一封装层位于该基板与该第二封装层之间。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中该第二封装层包括第三氮氧化物层以及第四氮氧化物层，该第四氮氧化物层位于该第三氮氧化物层与该第一封装层之间，该第三氮氧化物层的组成包括SiNx3Oy3，该第四氮氧化物层的组成包括SiNx4Oy4，且x3≧x4。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中x4≧x2。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中该第四氮氧化物层的组成中，N元素的含量占7at％至50at％。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中该第一氮氧化物层覆盖该第二氮氧化物层的顶表面及侧表面，该第三氮氧化物层覆盖该第一氮氧化物层的顶表面及侧表面，且该第四氮氧化物层覆盖该第三氮氧化物层的顶表面及侧表面。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中还包括覆盖层，该电子元件位于该基板与该覆盖层之间，且该覆盖层位于该第一封装层与该基板之间。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中该覆盖层的厚度在1μm至50μm的范围中。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中该覆盖层的折射率在1.4至1.8的范围中。
在一实施例中，该电子元件封装体，其中该第一氮氧化物层的氮含量呈现越接近该第二氮氧化物层越少。
根据本发明一实施例的电子元件封装体，封装电子元件的第一封装层可包括两层氮氧化物层，且较远离电子元件的氮氧化物层(第一氮氧化物层)具有较高氮含量。较远离电子元件的第一氮氧化物层有助于强化第一封装层的水气/氧气阻绝效果而提升电子元件封装体中电子元件的使用寿命及可靠性。
附图说明
图1至图11为本发明多个实施例的电子元件封装体的示意图。
符号说明：
100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100：电子元件封装体；
110：基板；
120：电子元件；
120B：底表面；
120T、132T、150T、232T、234T、244T、250T、534T：顶表面；
120S、232S、234S、244S、250S、360S、534S：侧表面；
130、230、330、430、530：第一封装层；
132、232、332、432、532：第一氮氧化物层；
134、234、334、434、534：第二氮氧化物层；
140、240：第二封装层；
142、242：第三氮氧化物层；
144、244：第四氮氧化物层；
150、250：覆盖层；
360：周边结构；
D1、D3：第一距离；
D2、D4：第二距离；
I：第一区域；
II：第二区域；
H120、T132、T134A、T134B、T142：厚度；
W360：径向宽度。
具体实施方式
为让本发明能阐述的更明确易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。
图1为本发明一实施例的电子元件封装体的示意图。请参照图1，电子元件封装体100包括基板110、电子元件120以及第一封装层130。电子元件120以及第一封装层130都配置于基板110上，且电子元件120位于第一封装层130与基板110之间。以本实施例而言，电子元件120都被第一封装层130覆盖，且第一封装层130接触电子元件120的顶表面120T与侧表面120S。也就是说，电子元件120被封装于基板110与第一封装层130之间。
基板110具有支撑性质可支撑其上的电子元件120。此外，基板110可选择性地具备可弯曲性，即为柔性基板，因此电子元件封装体100可应用于柔性产品中。基板11的材质可包括聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚间苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚砜(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚亚酰胺(polyimide,PI)、金属箔(metal foil)、金属、玻璃或硅等。此外，基板110表面上可选择的配置有缓冲层、抗反射层等辅助提升基板110与其上方元件的接着性质以及最终产品的光学性质等作用的膜层，且这些辅助性的膜层可以是以毯覆式方式配置于基板110表面。
电子元件120可包括次毫米发光二极管(Mini LED)、微发光二极管(Micro LED)、有机发光二极管照明(OLED Lighting)、有机太阳能电池(Organic Photovoltaic,OPV)、量子点发光层(quantum dot light emitting layer)等。在部分的实施例中，若依照驱动方式来看，电子元件120例如是主动式电子元件或被动式电子元件。若电子元件封装体100应用于显示装置，主动式电子元件可以是主动型矩阵有机发光二极管(Active MatrixOrganic Light Emitting Diode,AM-OLED)、主动型矩阵电泳显示器(Active MatrixElectro Phoretic Display,AM-EPD)、主动型矩阵液晶显示器(Active Matrix LiquidCrystal Display,AM-LCD)、或者是主动型矩阵蓝相液晶显示器(Active Matrix BluePhase Liquid Crystal Display)。被动式电子元件则可以是被动驱动式有机发光二极管(Passive Matrix OLED,PM-OLED)或者是超扭转向列型液晶显示器(Super TwistedNematic Liquid Crystal Display,STN-LCD)等。电子元件120可能是对环境的水气与氧气敏感的环境敏感电子元件，或是环境的水气与氧气有可能对电子元件120造成不良影响。本实施例的电子元件封装体100中以第一封装层130覆盖电子元件120。
第一封装层130包括第一氮氧化物层132以及第二氮氧化物层134，其中第二氮氧化物层134位于第一氮氧化物层132与电子元件120之间。具体而言，第二氮氧化物层134位于第一氮氧化物层132与基板110之间，且电子元件120位于第二氮氧化物层134与基板110之间。在本实施例中，电子元件120都被第二氮氧化物层134覆盖，且第二氮氧化物层134接触电子元件120的顶表面120T与侧表面120S。
在本实施例中，第一封装层130的制作方式可包括通过溶液制程(solutionprocess)在基板110以及电子元件130上涂布封装材料，其材质包括包括聚硅氮烷(polysilazane)、聚硅氮氧烷(polysiloxazane)或其他适合的材料。接着，对基板110上之封装材料的表面进行表面电浆处理。如此一来，经受电浆作用的封装材料构成第一氮氧化物层132而未受电浆作用的封装材料构成第二氮氧化物层134。第一氮氧化物层132可直接接触第二氮氧化物层134。此外，第一氮氧化物层132的厚度T132可例如由电浆处理的深度决定，其厚度例如由1nm至30nm。第二氮氧化物层134的厚度T134A及T132B可由封装材料的涂布厚度决定。一般来说，第二氮氧化物层134在电子元件120所在处具有厚度T134A而在电子元件120之外的区域具有厚度T134B，且厚度T134A及厚度T134B可以都大于厚度T132。另外，厚度T134B可以大于厚度T134A，甚至等于厚度T134A与电子元件120的厚度H120的总和，因此覆盖电子元件120的第一封装层130可提供平坦化作用。若将电子元件120所在区域定义为基板110的第一区I，而电子元件120以外的区域定义为基板110的第二区II，则在第一封装层130提供的平坦化作用下，第一氮氧化物层132的顶表面132T至基板110的在第一区I的第一距离D1与第一氮氧化物层132的顶表面132T至基板110的在第二区II的第二距离D2可能大致相等。或是，第一距离D1与第二距离D2的差可小于电子元件120的厚度H120。
在本实施例中，第一氮氧化物层132经受电浆处理，因此第一氮氧化物层132的致密度可大于第二氮氧化物层134。举例而言，第一氮氧化物层132的可见光穿透率可能小于80％而第二氮氧化物层134的可见光穿透率可能大于80％。第一氮氧化物层132与第二氮氧化物层134可具有不错的可见光穿透率，利于电子元件封装体100应用于透明显示器中作为透明显示器的显示面板。在部分实施例中，第一氮氧化物层132与第二氮氧化物层134的折射率可以由1.5至1.7。相对于第二氮氧化物层134而言，第一氮氧化物层132可以具有较好的水气/氧气阻绝能力。在部分实施例中，第一封装层130的水氧穿透率(water vaportransmission rate,WVTR)可以小于5x10-4g/m2day(克/平方公尺*天)，而提供理想的水气/氧气阻绝效果。
在部分实施例中，第一氮氧化物层132及第二氮氧化物层134虽然由相同的初始材料(封装材料)所构成，但经受电浆处理的第一氮氧化物层132相对地不容易被水解而第二氮氧化物层134可能经受来自环境或是电子元件120的水气/氧气作用。第一氮氧化物层132可以具有相对较高的氮含量而第二氮氧化物层134可具有相对较低的氮含量(或是较高的氧含量)。换言之，第一氮氧化物层132与第二氮氧化物层134虽由同样的初始材料(封装材料)所构成，但可以采用组成成分来辨别两者。在一些实施例中，第一氮氧化物层132中N元素的含量占7at％(原子百分比)至50at％，而第二氮氧化物层134中N元素的含量可能少于7at％。
举例而言，第一氮氧化物层132的组成包括SiNx1Oy1，第二氮氧化物层134的组成包括SiNx2Oy2，且x1>x2。在部分实施例中，第一氮氧化物层132的组成可能大致相同于初始材料(封装材料)的组成，x1与y1的数值可由初始材料决定。在部分的实施例中，第一氮氧化物层132中的N元素含量可能由表面向内部递减，亦即第一氮氧化物层132中的氮元素含量最富集处大致位于表面，且越接近第二氮氧化物层134，则氮元素的含量越少。相较之下，第二氮氧化物层134中不同厚度位置处的氮元素含量可以大致维持一致。另外，经受电浆处理的第一氮氧化物层132可能还包括掺杂元素。掺杂元素可为电浆使用气体的组成元素，其包括氩、氢、氮、氧、惰性气体或上述之组合等。在部分的实施例中，掺杂元素在第一氮氧化物层132中占有含量可以大于0at％且在5at％以下。另外，第一氮氧化物层132的氮含量与第二氮氧化物层134的氮含量差异可为0at％～50at％。
图2为本发明另一实施例的电子元件封装体的示意图。图2的电子元件封装体200包括基板110、电子元件120以及第一封装层230。电子元件封装体200大致类似图1的电子元件封装体100，在本实施例中，第一封装层230可具有岛状结构。在制作第一封装层230时，可以先通过溶液制程于基板110上以及电子元件130上涂布封装材料，其材质包括包括聚硅氮烷(polysilazane)、聚硅氮氧烷(polysiloxazane)或其他适合的材料。此时，可以通过制程方式及/或条件的控制(例如涂布范围、溶液黏滞度等)，让封装材料构成岛状的结构。接着，对基板110上之封装材料的顶表面与侧表面进行表面电浆处理，以形成如图2所示的第一封装层230。
在本实施例中，第一封装层230包括第一氮氧化物层232以及第二氮氧化物层234。第一氮氧化物层232覆盖第二氮氧化物层234的顶表面234T及侧表面234S，而第二氮氧化物层234覆盖电子元件120的顶表面120T及侧表面120S。第一氮氧化物层232的一部份与第二氮氧化物层234的一部份可延伸至电子元件120的底表面120B所在的平面。在部分实施例中，电子元件120的底表面120B所在的平面可以为基板110的表面，或是基板110上的膜层表面。
由图2可知，第一氮氧化物层232具有壳层状结构以包覆第二氮氧化物层234。第二氮氧化物层234可完全的封装在第一氮氧化物层232与基板110之间。第一氮氧化物层232的组成包括SiNx1Oy1，第二氮氧化物层234的组成包括SiNx2Oy2，且x1>x2。第一氮氧化物层232以及第二氮氧化物层234的组成成分及性质大致相同于图1的第一氮氧化物层132以及第二氮氧化物层134，因此相关描述不再重述。
图3为本发明一实施例的电子元件封装体的示意图。请参照图3，电子元件封装体300包括基板110、电子元件120、第一封装层130以及第二封装层140。在本实施例中，基板110、电子元件120以及第一封装层130的结构、配置关系、组成、性质可参考图1的实施例的说明理解基板110、电子元件120与第一封装层130的相关特征。本实施例的电子元件封装体300还包括有第二封装层140。
第二封装层140包括第三氮氧化物层142以及第四氮氧化物层144，且第四氮氧化物层144位于第三氮氧化物层142与第一封装层130之间。也就是说，第三氮氧化物层142相对于第四氮氧化物层144更远离电子元件120。第三氮氧化物层142的组成包括SiNx3Oy3，第四氮氧化物层144的组成包括SiNx4Oy4。
在本实施例中，第二封装层140的制作方法可相同于第一封装层130。也就是说，本实施例可在制作完成第一封装层130后，通过溶液制程(solution process)在第一封装层130上涂布封装材料，且接着进行表面电浆处理，例如以电浆轰击第一封装层130上之封装材料的表面。如此一来，第三氮氧化物层142可以相较于第四氮氧化物层144更为致密，具有更高含量的N元素，且更不容易受到水解或氧化。
由于第二封装层140与电子元件120之间存在第一封装层130，且第一封装层130具有水气/氧气阻绝作用。来自电子元件120的水气或是氧气渗入第二封装层140的机率较渗入第一封装层130的机率更低。因此，来自电子元件120的水气或是氧气较不容易影响第二封装层140的组成。在部分实施例中，若以相同初始材料制作第一封装层130与第二封装层140，第四氮氧化物层144的组成SiNx4Oy4与第二氮氧化物层134的组成SiNx2Oy2相比，x4≧x2。另外，第一氮氧化物层132与第三氮氧化物层142都经受电浆处理而可相较于第二氮氧化物层134与第四氮氧化物层144具有较为致密的结构。
在本实施例中，第四氮氧化物层144位于经电浆处理的第一氮氧化物层132与经电浆处理的第三氮氧化物层142之间，使得来自环境或是电子元件120的水气/氧气不容易渗入至第四氮氧化物层144。第四氮氧化物层144的组成SiNx4Oy4与第三氮氧化物层142的组成SiNx3Oy3相比，且x3≧x4。此外，第四氮氧化物层144的组成中，N元素的含量可以占7at％至50at％。
在本实施例中，第一封装层130可以提供平坦化作用。举例而言，若将电子元件120所在区域定义为基板110的第一区I，而电子元件120以外的区域定义为基板110的第二区II，则在第一封装层130提供的平坦化作用下，第一氮氧化物层132的顶表面132T至基板110的在第一区I的第一距离D1与第一氮氧化物层132的顶表面132T至基板110的在第二区II的第二距离D2可能大致相等。或是，第一距离D1与第二距离D2的差可小于电子元件120的厚度H120。此外，第二封装层140的厚度可以小于第一封装层130的厚度。不过，第三氮氧化物层142的厚度T142可以大致相同于第一氮氧化物层132的厚度T132。
图4为本发明又一实施例的电子元件封装体的示意图。图4的电子元件封装体400包括基板110、电子元件120、第一封装层230以及第二封装层240。电子元件封装体400大致类似图3的电子元件封装体300，在本实施例中，第一封装层230与第二封装层240可具有岛状结构。第一封装层230包括第一氮氧化物层232以及第二氮氧化物层234。第一氮氧化物层232覆盖第二氮氧化物层234的顶表面234T及侧表面234S，而第二氮氧化物层234覆盖电子元件120的顶表面120T及侧表面120S。第二封装层240包括第三氮氧化物层242以及第四氮氧化物层244。第三氮氧化物层242覆盖第四氮氧化物层244的顶表面244T及侧表面244S，而第四氮氧化物层244覆盖第一氮氧化物层232的顶表面232T及侧表面232S。如此，第一氮氧化物层232的一部份、第二氮氧化物层234的一部份、第三氮氧化物层242的一部份与第四氮氧化物层244的一部份都可延伸至电子元件120的底表面120B所在的平面。在部分实施例中，电子元件120的底表面120B所在的平面可以为基板110的表面，或是基板110上的膜层表面。
第一氮氧化物层232具有壳层状结构以包覆第二氮氧化物层234，而第三氮氧化物层242具有壳层状结构以包覆第四氮氧化物层244。第二氮氧化物层234完全的封装在第一氮氧化物层232与基板110之间，且第四氮氧化物层244完全的封装在第三氮氧化物层242、第一氮氧化物层232与基板110之间。在本实施例中，第一氮氧化物层232、第二氮氧化物层234、第三氮氧化物层242以及第四氮氧化物层244的组成成分与性质可以相同于图3中的第一氮氧化物层132、第二氮氧化物层134、第三氮氧化物层142以及第四氮氧化物层144。
图5为本发明再一实施例的电子元件封装体的示意图。请参照图5，电子元件封装体500包括基板110、电子元件120、第一封装层130以及覆盖层150。在本实施例中，可参考图1的实施例的说明理解基板110、电子元件120与第一封装层130的相关特征。
本实施例的电子元件封装体500还包括有覆盖层150。
电子元件120位于基板110与覆盖层150之间，且覆盖层150位于第一封装层130与基板110之间。也就是说，覆盖层150可接触于电子元件120的顶表面120T与侧表面120S。覆盖层150的厚度T150例如在1μm至50μm的范围中。覆盖层150可以提供平坦化的作用。在部分实施例中，若将电子元件120所在区域定义为基板110的第一区I，而电子元件120以外的区域定义为基板110的第二区II，则在覆盖层150提供的平坦化作用下，覆盖层150的顶表面150T至基板110的在第一区I的第一距离D3与覆盖层150的顶表面150T至基板110的在第二区II的第二距离D4可能大致相等。或是，第一距离D3与第二距离D4的差可小于电子元件120的厚度H120。
覆盖层150可以是单层结构或是多层结构，其材质包括无机材料、有机材料或其组合。以无机材料而言，覆盖层150的材质包括AlOx、SiNx、SiOx、SiON、ITO、IZO或上述材质的组合。以有机材料而言，覆盖层150的材质包括压克力系聚合物、环氧树脂系聚合物、聚酰亚胺或上述材质的组合。在部分实施例中，覆盖层150可以不包含羟基(-OH)、羧基(-COOH)、甲苯或类似物。另外，覆盖层150的折射率可以介于1.4至1.8，其与第一封装层130的折射率接近。
图6为本发明又另一实施例的电子元件封装体的示意图。图6的电子元件封装体600包括基板110、电子元件120、第一封装层230以及覆盖层250。电子元件封装体600大致类似图5的电子元件封装体500，在本实施例中，第一封装层230以及覆盖层250皆具有岛状结构。第一封装层230包括第一氮氧化物层232与第二氮氧化物层234。覆盖层250覆盖且接触电子元件120的顶表面120T与侧表面120S，第二氮氧化物层234覆盖且接触覆盖层250的顶表面250T与侧表面250S，而第一氮氧化物层232覆盖且接触第二氮氧化物层234的顶表面234T与侧表面234S。此外，覆盖层250的一部分、第一氮氧化物层232的一部分与第二氮氧化物层234的一部分可延伸至电子元件120的底表面120B所在的平面。
图7为本发明再一实施例的电子元件封装体的示意图。请参照图7，电子元件封装体700包括基板110、电子元件120、第一封装层130、第二封装层140以及覆盖层150。在本实施例中，可参考图3的实施例的说明来理解基板110、电子元件120、第一封装层130以及第二封装层140的相关特征。本实施例的电子元件封装体500还包括有覆盖层150。
电子元件120位于基板110与覆盖层150之间，覆盖层105位于第一封装层130与基板130之间，且第一封装层130位于第二封装层140与覆盖层150之间。具体来说，覆盖层150接触于电子元件120的顶表面120T与侧表面120S。覆盖层150的厚度T150例如在1μm至50μm的范围中。覆盖层150可以提供平坦化的作用。在部分实施例中，若将电子元件120所在区域定义为基板110的第一区I，而电子元件120以外的区域定义为基板110的第二区II，则在覆盖层150提供的平坦化作用下，覆盖层150的顶表面150T至基板110的在第一区I的第一距离D3与覆盖层150的顶表面150T至基板110的在第二区II的第二距离D4可能大致相等。或是，第一距离D3与第二距离D4的差可小于电子元件120的厚度H120。
覆盖层150可以是单层结构或是多层结构，其材质包括无机材料、有机材料或其组合。以无机材料而言，覆盖层150的材质包括AlOx、SiNx、SiOx、SiON、ITO、IZO或上述材质的组合。以有机材料而言，覆盖层150的材质包括压克力系聚合物、环氧树脂系聚合物、聚酰亚胺或上述材质的组合。在部分实施例中，覆盖层150可以不包含羟基(-OH)、羧基(-COOH)、甲苯或类似物。另外，覆盖层150的折射率可以介于1.4至1.8，其与第一封装层130及/或第二封装层140的折射率接近。
图8为本发明又另一实施例的电子元件封装体的示意图。图8的电子元件封装体800包括基板110、电子元件120、第一封装层230、第二封装层240以及覆盖层250。电子元件封装体800大致类似图7的电子元件封装体700。
在本实施例中，第一封装层230、第二封装层240以及覆盖层250皆具有岛状结构。第一封装层230包括第一氮氧化物层232与第二氮氧化物层234，而第二封装层240包括第三氮氧化物层242与第四氮氧化物层244。覆盖层250覆盖且接触电子元件120的顶表面120T与侧表面120S，第二氮氧化物层234覆盖且接触覆盖层250的顶表面250T与侧表面250S，第一氮氧化物层232覆盖且接触第二氮氧化物层234的顶表面234T与侧表面234S，第四氮氧化物层244覆盖且接触第一氮氧化物层232的顶表面232T与侧表面232S，而第三氮氧化物层242覆盖且接触第四氮氧化物层244的顶表面244T与侧表面244S。此外，覆盖层250的一部分、第一氮氧化物层232的一部分、第二氮氧化物层234的一部分、第三氮氧化物层242的一部分与第四氮氧化物层244的一部分可延伸至电子元件120的底表面120B所在的平面。
图9为本发明一实施例的电子元件封装体的示意图。图9的电子元件封装体900包括基板110、电子元件120、第一封装层330以及周边结构360。电子元件封装体900中的基板110及电子元件120大致类似图1的电子元件封装体100。在本实施例中，周边结构360配置于基板110上，且电子元件120及第一封装层330都位于周边结构360围绕的区域中。第一封装层330可类似于图1的第一封装层130，且第一封装层330包括第一氮氧化物层332以及第二氮氧化物层334。在本实施例中，第一氮氧化物层332与第二氮氧化物层334的制作方式与性质可类似于甚至相同于前述实施例的第一氮氧化物层132与第二氮氧化物层134。
周边结构360可由介电材料制作而成，例如环氧树脂、压克力树脂、聚酰亚胺等。周边结构360的厚度大于电子元件120的厚度，且周边结构360可以用于定义电子元件120所配置的区域。周边结构360在上视图(未绘示)可以是具有框状图案的结构，也可以是多个条状图案的结构。在部分实施例中，周边结构360可视为画素定义层，或是类似功能的膜层。另外，透过选用合适的材料，周边结构360可具有阻绝水氧的功能，提供水氧阻障层的作用。
在一实施例中，电子元件封装体900的制作过程可以在周边结构360制作完成后，才将第一封装层330制作于周边结构360所围区域中。第一氮氧化物层332与第二氮氧化物层334可以接触周边结构360。第一封装层330的厚度可以小于或等于周边结构360的厚度，且第一封装层330位于周边结构360所围的区域内，并无延伸到周边结构360所围的区域之外。但，本发明不以此为限。
另外，周边结构360的径向宽度W360可定义为平行于基板110所量测的宽度。周边结构360的径向宽度W360可以由基板110向外逐渐变化，而具有非垂直于基板110的侧表面360S。以图9而言，径向宽度W360可以由基板110向外以固定的变化率逐渐增加，而具有上(远离基板110侧)宽下(靠近基板110侧)窄的倒梯形结构。在其他的实施例中，径向宽度W360可为固定或由基板110向外以变动的变化率逐渐增加，因此侧表面360S可以为矩形、曲折状的表面或是弧面。径向宽度W360更可以由基板110向外以固定的变化率或是变动的变化率逐渐减少，以具有上(远离基板110侧)窄下(靠近基板110侧)宽的结构，例如梯形结构、三角形结构等。
在部分实施例中，电子元件封装体900可进一步包括前述的覆盖层150以及第二封装层140至少一者。举例而言，电子元件封装体900还包括图3中第二封装层140，且第二封装层140配置于第一封装层330上。此时，第一封装层330以及第二封装层140可以都设置于周边结构360所围的区域内，而无延伸到周边结构360所围的区域之外。或是，第二封装层140可延伸到周边结构360所围的区域之外而第一封装层330没有。另外，电子元件封装体900可还包括图5的覆盖层150，其中电子元件120由覆盖层150覆盖。此时，覆盖层150的厚度可小于周边结构360的厚度。或者，电子元件封装体900可还包括图7的第二封装层140以及覆盖层150。第一封装层330以及覆盖层150可以设置于周边结构360所围的区域内，而第二封装层140可选择设置于周边结构360所围的区域内或是延伸到周边结构360所围的区域之外。或是，覆盖层150的厚度可小于周边结构360的厚度。
图10为本发明又一实施例的电子元件封装体的示意图。图10的电子元件封装体1000包括基板110、电子元件120、第一封装层430以及周边结构360。电子元件封装体1000大致类似图9的电子元件封装体900。在本实施例中，第一封装层430厚度大于周边结构360的厚度。第一封装层430可类似于图1的第一封装层130，且第一封装层430包括第一氮氧化物层432以及第二氮氧化物层434。在本实施例中，第一氮氧化物层432与第二氮氧化物层434的制作方式与性质可类似于甚至相同于前述实施例的第一氮氧化物层132与第二氮氧化物层134。另外，周边结构360则类似于图9的周边结构360。
在本实施例中，第一封装层430的厚度可大于周边结构360的厚度，且第一封装层430可不侷限于周边结构360围绕的区域内。具体而言，第一封装层430大致完整的覆盖电子元件120与周边结构360，使得周边结构360与电子元件120都镶嵌于第一封装层430中并被覆盖与密封。在部分的实施例中，电子元件封装体1000可进一步包括前述的覆盖层150以及第二封装层140至少一者。在有覆盖层150的实施方式(未绘示)下，覆盖层150的厚度可小于、等于或是大于周边结构360。覆盖层150可选择地仅位于周边结构360所围的区域内或是由周边结构360所围的区域内延伸到周边结构360所围的区域外。覆盖层150可选择地局部或完整覆盖周边结构360。
图11为本发明再一实施例的电子元件封装体的示意图。图11的电子元件封装体1100包括基板110、电子元件120、第一封装层530以及周边结构360。电子元件封装体1100大致类似图10的电子元件封装体1000。在本实施例中，第一封装层530厚度大于周边结构360的厚度。第一封装层530可类似于图2的第一封装层230，且第一封装层530包括第一氮氧化物层532以及第二氮氧化物层534。在本实施例中，第一氮氧化物层532与第二氮氧化物层534的制作方式与性质可类似于甚至相同于前述实施例的第一氮氧化物层232与第二氮氧化物层234。另外，周边结构360则类似于图9的周边结构360。
在本实施例中，第一封装层530的第二氮氧化物层534的厚度可大于周边结构360的厚度，且第一封装层530可不侷限于周边结构360围绕的区域内。具体而言，第一封装层530大致完整的覆盖电子元件120与周边结构360，使得周边结构360与电子元件120镶嵌于第一封装层530中并被密封。此外，第一氮氧化物层532具有壳层状结构以包覆第二氮氧化物层534。换言之，第一氮氧化物层532覆盖第二氮氧化物层534的顶表面534T及侧表面534S，而第二氮氧化物层534覆盖电子元件120。
在部分的实施例中，电子元件封装体1100可进一步包括前述的覆盖层250以及第二封装层240至少一者。举例而言，电子元件封装体1100可还包括图4中的第二封装层240且第二封装层240配置于第一封装层530上。另外，电子元件封装体1100可还包括图6的覆盖层250，其中覆盖层250的厚度可小于、等于或是大于周边结构360。覆盖层250可选择地局部或完整覆盖周边结构360。或者，电子元件封装体1100可还包括图8的第二封装层240以及覆盖层250。覆盖层250可以设置于周边结构360所围的区域内，或是，由周边结构360所围的区域内延伸到周边结构360所围的区域外。覆盖层250的厚度可大于、等于或是小于周边结构360的厚度。覆盖层250可选择地局部或完整覆盖周边结构360。
本发明一实施例的电子元件封装体采用至少一个封装层包覆配置于基板上的电子元件，且封装层是由封装材料制作而成。部分实施例的封装层包括第一氮氧化物层以及第二氮氧化物层，且第一氮氧化物层以及第二氮氧化物层中相对远离电子元件的膜层具有相对高的氮含量，使得封装层具备理想的水气/氧气阻绝效果。电子元件封装体可有效防止电子元件因入侵的水气/氧气而变质或失去效能，使得电子元件具有良好的可靠性以及理想的使用寿命。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围及其均等范围所界定者为准。

Claims (20)

1.一种电子元件封装体，其特征在于，包括：
基板；
电子元件，配置于该基板上；以及
第一封装层，配置于该基板上且该电子元件位于该基板与该第一封装层之间，其中该第一封装层包括第一氮氧化物层以及第二氮氧化物层，该第二氮氧化物层位于该第一氮氧化物层与该电子元件之间，该第一氮氧化物层的组成包括SiNx1Oy1，该第二氮氧化物层的组成包括SiNx2Oy2，且x1>x2。
2.如权利要求1所述的电子元件封装体，其特征在于，该第一氮氧化物层的厚度小于该第二氮氧化物层。
3.如权利要求1所述的电子元件封装体，其特征在于，该第一氮氧化物层的厚度由1nm至30nm。
4.如权利要求1所述的电子元件封装体，其特征在于，该第一氮氧化物层包括掺杂元素。
5.如权利要求4所述的电子元件封装体，其特征在于，该掺杂元素在该第一氮氧化物层中占有含量大于0at％且在5at％以下。
6.如权利要求4所述的电子元件封装体，其特征在于，该掺杂元素包括氩、氢、氮、氧、惰性气体或上述之组合。
7.如权利要求1所述的电子元件封装体，其特征在于，该第一氮氧化物层直接接触该第二氮氧化物层。
8.如权利要求1所述的电子元件封装体，其特征在于，该第一氮氧化物层覆盖该第二氮氧化物层的顶表面及侧表面。
9.如权利要求1所述的电子元件封装体，其特征在于，还包括周边结构，该周边结构配置于该基板上，该周边结构的厚度大于该电子元件的厚度，且该电子元件位于该周边结构围绕的区域中。
10.如权利要求9所述的电子元件封装体，其特征在于，该第一封装层的厚度大于、小于或等于该周边结构的厚度。
11.如权利要求9所述的电子元件封装体，其特征在于，该第一封装层的径向宽度由该基板向外逐渐变化。
12.如权利要求1或9所述的电子元件封装体，其特征在于，还包括第二封装层，配置于该基板上且该第一封装层位于该基板与该第二封装层之间。
13.如权利要求12所述的电子元件封装体，其特征在于，该第二封装层包括第三氮氧化物层以及第四氮氧化物层，该第四氮氧化物层位于该第三氮氧化物层与该第一封装层之间，该第三氮氧化物层的组成包括SiNx3Oy3，该第四氮氧化物层的组成包括SiNx4Oy4，且x3≧x4。
14.如权利要求13所述的电子元件封装体，其特征在于，x4≧x2。
15.如权利要求13所述的电子元件封装体，其特征在于，该第四氮氧化物层的组成中，N元素的含量占7at％至50at％。
16.如权利要求13所述的电子元件封装体，其特征在于，该第一氮氧化物层覆盖该第二氮氧化物层的顶表面及侧表面，该第三氮氧化物层覆盖该第一氮氧化物层的顶表面及侧表面，且该第四氮氧化物层覆盖该第三氮氧化物层的顶表面及侧表面。
17.如权利要求1或9所述的电子元件封装体，其特征在于，还包括覆盖层，该电子元件夹于该基板与该覆盖层之间，且该覆盖层位于该第一封装层与该基板之间。
18.如权利要求17所述的电子元件封装体，其特征在于，该覆盖层的厚度在1μm至50μm的范围中。
19.如权利要求17所述的电子元件封装体，其特征在于，该覆盖层的折射率在1.4至1.8的范围中。
20.如权利要求1所述的电子元件封装体，其中该第一氮氧化物层的氮含量呈现越接近该第二氮氧化物层越少。
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