KR20130064486A - 광투과율 제어가 가능한 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광투과율 제어가 가능한 표시장치를 개시한다.
본 발명의 표시장치는, 적어도 일면으로 광을 방출하는 제1영역 및 상기 제1영역과 인접하여 외광을 투과하는 제2영역을 포함하는 화소를 구비하는 투명표시패널; 상기 제1영역에서 방출하는 광에 대응하는 화상 데이터를 표현하는 화상 비트와 상기 제2영역의 투과율을 표현하는 투과율 비트를 포함하는 신호를 생성하는 신호 생성부; 및 상기 투과율 비트를 기초로 상기 제2영역의 투과율을 제어하는 투과율제어소자;를 포함할 수 있다.

Description

광투과율 제어가 가능한 표시장치{Display device}
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 모드에 따라 광투과율을 변화시키는 표시장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 시야각, 콘트라스트(contrast), 응답속도, 소비전력 등의 측면에서 특성이 우수하기 때문에 MP3 플레이어나 휴대폰 등과 같은 개인용 휴대기기에서 텔레비젼(TV)에 이르기까지 응용 범위가 확대되고 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 자(自)발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 장치 내부의 박막 트랜지스터나 유기 발광 소자를 투명한 형태로 만들고 화소영역과 별개로 투과영역(또는 투과창)을 형성해 줌으로써, 투명 표시 장치로 형성할 수 있다.
그런데, 이러한 투명 표시장치는 고정된 투과율만 가지고 있어 사용자가 표시장치의 투과율을 조절하고자 하는 경우 그 욕구를 충족시켜 줄 수 없다.
본 발명의 일 실시예는 투명표시소자의 투과율을 화소 단위로 제어하여 모드에 따라 명암비(contrast ratio)의 저하를 줄인 표시장치 및 그 구동방법을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 광투과율 제어가 가능한 표시장치는, 적어도 일면으로 광을 방출하는 제1영역 및 상기 제1영역과 인접하여 외광을 투과하는 제2영역을 포함하는 화소를 구비하는 투명표시패널; 상기 제1영역에서 방출하는 광에 대응하는 화상 데이터를 표현하는 화상 비트와 상기 제2영역의 투과율을 표현하는 투과율 비트를 포함하는 신호를 생성하는 신호 생성부; 및 상기 투과율 비트를 기초로 상기 제2영역의 투과율을 제어하는 투과율제어소자;를 포함할 수 있다.
상기 화소의 제1영역은 적색 서브화소, 녹색 서브화소, 및 청색 서브화소 각각의 발광부를 포함하고, 상기 제2영역은 상기 서브화소들 별로 독립적으로 또는 연결되게 구비될 수 있다.
상기 화상 데이터는 적색 신호, 녹색 신호, 및 청색 신호를 포함하고, 상기 화상 비트는 상기 적색 신호를 표현하는 적색 비트, 상기 녹색 신호를 표현하는 녹색 비트, 및 상기 청색 신호를 표현하는 청색 비트를 포함할 수 있다.
상기 투과율 비트는 상기 적색 비트의 적어도 1비트가 할당되고, 상기 적색 비트의 최하위 비트일 수 있다.
상기 투과율 비트는 상기 청색 비트의 적어도 1비트가 할당되고, 상기 청색 비트의 최하위 비트일 수 있다.
상기 투과율 비트는 상기 화상 비트에 추가하여 적어도 1비트가 할당될 수 있다.
상기 투과율제어소자는, 상기 투명표시패널의 광을 방출하는 일면의 반대쪽인 타면에 배치되며 상기 투과율 비트에 따라 상기 외광의 반사율을 변화시키는 광반사율변환소자;를 포함할 수 있다.
상기 투과율제어소자는, 상기 투명표시패널의 광을 방출하는 일면의 반대쪽인 타면에 배치되며 상기 투과율 비트에 따라 상기 외광의 위상을 지연시켜 투과하는 리타더;를 포함할 수 있다.
상기 표시장치는, 상기 화상 비트와 상기 투과율 비트를 화상 정보로서 저장하는 저장부;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 광투과율 제어가 가능한 표시장치는, 화상을 표시하는 화면을 외광이 투과하여 투명 상태가 되는 제1모드 및 상기 화면의 적어도 일부에서 외광을 차단하여 불투명 상태가 되는 제2모드가 선택적으로 구동되는 투명표시패널; 상기 화상을 표현하는 화상 비트와 상기 외광의 투과 또는 차단을 제어하는 투과율을 표현하는 투과율 비트를 포함하는 신호를 생성하는 신호 생성부; 및 상기 투과율 비트를 기초로 상기 외광의 투과율을 제어하는 투과율제어소자;를 포함할 수 있다.
상기 투명표시패널은, 적색 서브화소, 녹색 서브화소, 및 청색 서브화소 각각의 발광부를 포함하여 광을 방출하는 제1영역과, 상기 제1영역과 인접하여 외광을 투과하고 상기 서브화소들 별로 독립적으로 또는 연결되게 구비된 제2영역을 포함하는 화소를 구비할 수 있다.
상기 화상 비트는 적색 신호를 표현하는 적색 비트, 녹색 신호를 표현하는 녹색 비트, 및 청색 신호를 표현하는 청색 비트를 포함할 수 있다.
상기 투과율 비트는 상기 적색 비트의 적어도 1비트가 할당되고, 상기 적색 비트의 최하위 비트일 수 있다.
상기 투과율 비트는 상기 청색 비트의 적어도 1비트가 할당되고, 상기 청색 비트의 최하위 비트일 수 있다.
상기 투과율 비트는 상기 화상 비트에 추가하여 적어도 1비트가 할당될 수 있다.
상기 투과율제어소자는, 상기 투명표시패널의 광을 방출하는 일면의 반대쪽인 타면에 배치되며 상기 투과율 비트에 따라 상기 외광의 반사율을 변화시키는 광반사율변환소자;를 포함할 수 있다.
상기 투과율제어소자는, 상기 투명표시패널의 광을 방출하는 일면의 반대쪽인 타면에 배치되며 상기 투과율 비트에 따라 상기 외광의 위상을 지연시켜 투과하는 리타더;를 포함할 수 있다.
상기 표시장치는, 상기 화상 비트와 상기 투과율 비트를 화상 정보로서 저장하는 저장부;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 화상 신호와 투과율 신호를 이용함으로써 투명표시소자의 투과율을 화소 단위로 제어할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 투명표시소자에 포함된 화소의 일 실시예를 도시한 것이다.
도 3은 도 1에 도시된 투명표시소자에 포함된 화소의 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 서브화소들(Pr)(Pg)(Pb) 중 어느 한 서브 화소의 단면을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시패널을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 투명표시소자에 포함된 화소의 일 실시예를 도시한 것이다.
도 7은 도 5에 도시된 투명표시소자에 포함된 화소의 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 8은 도 6 및 도 7에 도시된 서브화소들(Pr)(Pg)(Pb) 중 어느 한 서브 화소의 단면을 도시한 것이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 투과모드에서의 화상 구현 예를 도시한다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 블랙모드에서의 화상 구현 예를 도시한다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 부분 블랙모드에서의 화상 구현 예를 도시한다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 데이터의 구조를 설명하는 도면이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 광투과율이 제어 가능한 표시장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 표시패널(100A)은 외광의 투과가 가능한 투명표시소자(10)를 포함한다. 투명표시소자(10)는 배면발광(bottom emission)하는 유기발광표시패널일 수 있으며, 제1기판(1)과 제1기판(1) 상에 구비된 디스플레이부 및 디스플레이부를 밀봉하는 제2기판(2)을 구비할 수 있다. 디스플레이부는 복수개의 화소로 구획되어 있는데, 화소는 제1기판(1)의 방향으로 광을 방출하는 화소영역(31) 및 화소영역(31)에 인접하여 외광을 투과하는 투과영역(32)을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 표시패널(100A)이 광을 투과하는 투과모드(transparent mode)일 때, 표시패널(100A)은 투명 상태가 된다. 화상이 구현되는 측에 위치한 사용자는 제2기판(2) 외측에서 제1기판(1) 외측의 방향으로 투과되는 제1외광(51)을 통해 제2기판(2) 외측의 이미지를 관찰할 수 있다. 한편, 화상이 구현되는 반대측에 위치한 사용자도 제1기판(1)의 외측에서 제2기판(2)의 외측으로 투과되는 제2외광(52)을 통해 제1기판(1) 외측의 이미지를 관찰할 수 있다. 여기서 제1외광(51)은 화상과 동일한 방향으로 나오는 외광이며, 제2외광(52)은 제1외광(51)과 방향이 반대인 외광이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 투과모드에서의 화상 구현 예를 도시한다. 도 9를 참조하면, 표시패널(100A)은 화상(21)이 구현되는 측에 위치한 사용자가 화상(21)이 구현되는 반대측에서 화상(21)이 구현되는 측으로 투과되는 외광을 통해 화상(21)이 구현되는 반대측에 위치한 물체 또는 이미지(41)를 관찰할 수 있다.
또한, 표시패널(100A)이 광을 투과하지 않는 블랙모드(black mode)일 때, 표시패널(100A)은 불투명 상태가 된다. 화상이 구현되는 측에 위치한 사용자는 제2기판(2) 외측의 이미지를 관찰할 수 없다. 한편, 화상이 구현되는 반대측에 위치한 사용자도 제1기판(1) 외측의 이미지를 관찰할 수 없다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 블랙모드에서의 화상 구현 예를 도시한다. 도 10을 참조하면, 화상(21)이 구현되는 측에 위치한 사용자는 화상(21)이 구현되는 반대측에 위치한 물체 또는 이미지(41)를 관찰할 수 없다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 블랙모드는 표시패널(100A) 상에 부분적으로 광을 투과하지 않는 불투명 영역이 설정되는 부분 블랙모드가 가능하다. 이 경우, 표시패널(100A)은 투명 영역과 불투명 영역으로 구분된다. 화상이 구현되는 측에 위치한 사용자는 불투명 영역에서 제2기판(2) 외측의 이미지를 관찰할 수 없다. 한편, 화상이 구현되는 반대측에 위치한 사용자도 불투명 영역에서 제1기판(1) 외측의 이미지를 관찰할 수 없다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 부분 블랙모드에서의 화상 구현 예를 도시한다. 도 11을 참조하면, 화상(21)이 구현되는 측에 위치한 사용자는 불투명 영역에서 화상이 구현되는 반대측에 위치한 물체 또는 이미지(41)를 관찰할 수 없다. 한편, 화상(21)이 구현되는 측에 위치한 사용자는 불투명 영역 외의 투과 영역에서는 화상이 구현되는 반대측에 위치한 물체 또는 이미지(41)를 관찰할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 투명표시소자(10)에 포함된 화소의 일 실시예를 도시한 것이다. 그리고, 도 3은 화소의 다른 실시예를 도시한 것이다.
화소는 복수개의 서브화소를 포함할 수 있으며 예를 들어, 적색 서브화소(Pr), 녹색 서브화소(Pg), 청색 서브화소(Pb)를 구비할 수 있다.
각 서브화소들(Pr)(Pg)(Pb)은 화소영역(31)과 투과영역(32)을 구비한다. 화소영역(31)에는 화소회로부(311)와 발광부(312)가 포함되며, 화소회로부(311)와 발광부(312)는 중첩하지 않도록 서로 인접하게 배치된다. 그래야만, 발광부(312)가 제1기판(1)의 방향으로 배면발광할 때, 화소회로부(311)에 의해 광 경로의 방해를 받지 않기 때문이다.
화소영역(31)에 인접하게는 외광을 투과하는 투과영역(32)이 배치된다.
투과영역(32)은 도 2에서 볼 수 있듯이 각 서브화소들(Pr)(Pg)(Pb) 별로 독립되게 구비될 수도 있고, 도 3에서 볼 수 있듯이, 각 서브화소들(Pr)(Pg)(Pb)에 걸쳐 서로 연결되게 구비될 수도 있다. 즉, 디스플레이부 전체로 볼 때, 화소는 공통의 투과영역(32) 들을 사이에 두고, 서로 이격된 복수의 화소영역(31)들을 포함할 수 있는 것이다. 도 3에 따른 실시예의 경우, 외광이 투과되는 투과영역(32)의 면적이 넓어지는 효과가 있기 때문에 디스플레이부 전체의 투과율을 높일 수 있다.
도 3에서는 적색 서브화소(Pr), 녹색 서브화소(Pg) 및 청색 서브화소(Pb)의 투과영역(32)이 모두 연결된 것으로 도시하였으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 적색 서브화소(Pr), 녹색 서브화소(Pg) 및 청색 서브화소(Pb) 중 서로 인접한 어느 두 서브화소들의 투과영역(32)들만 서로 연결되도록 구비될 수도 있다.
도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 서브화소들(Pr)(Pg)(Pb) 중 어느 한 서브 화소의 단면을 도시한 것이다.
도 4에서 볼 수 있듯이, 화소영역의 화소회로부(311)에는 박막트랜지스터(TR)가 배치되는 데, 도면에 도시된 바와 같이 반드시 하나의 박막트랜지스터(TR)가 배치되는 것에 한정되지 않으며, 이 박막트랜지스터(TR)를 포함한 픽셀 회로가 구비될 수 있다. 이 픽셀 회로에는 박막트랜지스터(TR) 외에도 다수의 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터가 더 포함될 수 있으며, 이들과 연결된 스캔 라인, 데이터 라인 및 Vdd 라인 등의 배선들이 더 구비될 수 있다.
화소영역의 발광부(312)에는 발광 소자인 유기발광소자(EL)가 배치된다. 이 유기발광소자(EL)는 픽셀 회로의 박막트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결되어 있다.
먼저, 제1기판(1) 상에는 버퍼막(211)이 형성되고, 이 버퍼막(211) 상에 박막 트랜지스터(TR)를 포함한 픽셀 회로가 형성된다.
먼저, 상기 버퍼막(211) 상에는 반도체활성층(212) 이 형성된다.
상기 버퍼막(211)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 상기 버퍼막(211)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물 또는 이들의 적층체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼막(211)은 필수 구성요소는 아니며, 필요에 따라서는 구비되지 않을 수도 있다.
상기 반도체활성층(212)은 다결정 실리콘으로 형성될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들면 G-I-Z-O층[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c층](a, b, c는 각각 a≥0, b≥0, c＞0의 조건을 만족시키는 실수)일 수 있다. 이렇게 반도체활성층(212)을 산화물 반도체로 형성할 경우에는 화소영역(31) 중 화소회로부(311)에서의 광투과도가 더욱 높아질 수 있게 되고, 이에 따라 디스플레이부 전체의 외광 투과도를 상승시킬 수 있다.
상기 반도체활성층(212)을 덮도록 게이트절연막(213)이 버퍼막(211) 상에 형성되고, 게이트절연막(213) 상에 게이트전극(214)이 형성된다.
게이트전극(214)을 덮도록 게이트절연막(213) 상에 층간절연막(215)이 형성되고, 이 층간절연막(215) 상에 소스전극(216)과 드레인전극(217)이 형성되어 각각 반도체활성층(212)과 콘택홀을 통해 콘택된다.
상기와 같은 박막트랜지스터(TR)의 구조는 반드시 도시된 바에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형태의 박막트랜지스터의 구조가 적용 가능함은 물론이다.
이러한 박막트랜지스터(TR)를 덮도록 패시베이션막(218)이 형성된다. 패시베이션막(218)은 상면이 평탄화된 단일 또는 복수층의 절연막이 될 수 있다. 이 패시베이션막(218)은 무기물 및/또는 유기물로 형성될 수 있다. 패시베이션막(218)은 도 4에 도시된 바와 같이 화소영역(31)과 투과영역(32)을 모두 덮도록 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 도시되지 않았으나, 패시베이션막(218)은 투과영역(32)에 대응되는 위치에 개구부(미도시)를 구비함으로써 투과영역(32)의 외광 투과 효율을 더욱 증가할 수 있다.
패시베이션막(218) 상에는 도 4에서 볼 수 있듯이, 박막트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결된 유기발광소자(EL)의 제1전극(221)이 형성된다. 제1전극(221)은 모든 서브 픽셀들 별로 독립된 아일랜드 형태로 형성된다. 제1전극(221)은 화소영역(31) 내의 발광부(312)에 위치하며, 화소회로부(311)와 중첩되지 않도록 배치된다.
상기 패시베이션막(218) 상에는 유기 및/또는 무기 절연물로 구비된 화소정의막(219)이 형성된다.
화소정의막(219)은 제1전극(221)의 가장자리를 덮고 중앙부는 노출시키도록 제3개구부(219a)를 갖는다. 한편, 이 화소정의막(219)은 화소영역(31)을 덮도록 구비될 수 있는 데, 반드시 화소영역(31) 전체를 덮도록 구비되는 것은 아니며, 적어도 일부, 특히, 제1전극(221)의 가장자리를 덮도록 하면 충분하다. 이 화소정의막(219)은 도 4에 도시된 바와 같이 투과영역(32)에 대응되는 위치에 제2개구부(219b)를 구비할 수 있다. 화소정의막(219)이 투과영역(32)에는 위치하지 않음으로써, 투과영역(32)의 외광 투과 효율이 더욱 증가할 수 있다.
패시베이션막(218)과 화소정의막(219)은 모두 투명한 물질로 구비될 수 있다. 절연막이 투명한 물질로 구비됨으로써, 투명표시소자(10)의 외광 투과 효율은 더욱 증가할 수 있다.
상기 제3개구부(219a)를 통해 노출된 제1전극(221) 상에는 유기막(223)과 제2전극(222)이 순차로 적층된다. 제2전극(222)은 제1전극(221)과 대향되어, 유기막(223)과 화소정의막(219)을 덮으며 화소영역(31) 내에 위치한다. 제2전극(222)은 적어도 화소영역(31)에 형성되고 도 4에 도시된 바와 같이 투과영역(32)에 대응되는 위치에 제1개구부(222a)를 구비할 수 있다. 제2전극(222)이 투과영역(32)에는 위치하지 않음으로써, 투과영역(32)의 외광 투과 효율이 더욱 증가할 수 있다. 한편, 제1개구부(222a)와 제2개구부(219b)는 서로 연결될 수 있다.
유기막(223)은 저분자 또는 고분자 유기막이 사용될 수 있다. 저분자 유기막을 사용할 경우, 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기막은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다. 이 때, 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 등은 공통층으로서, 적, 녹, 청색의 픽셀에 공통으로 적용될 수 있다.
제1전극(221)은 애노드 전극의 기능을 하고, 제2전극(222)은 캐소드 전극의 기능을 할 수 있는 데, 물론, 이들 제1전극(221)과 제2전극(222)의 극성은 서로 반대로 되어도 무방하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1전극(221)은 투명 전극이 될 수 있고, 상기 제2전극(222)은 반사 전극이 될 수 있다. 상기 제1전극(221)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명한 도전성물질을 포함하여 구비될 수 있다. 그리고 제2전극(222)은 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, 또는 Ca 등으로 형성될 수 있다. 따라서, 유기발광소자(EL)는 제1전극(221)의 방향으로 화상을 구현하는 배면 발광형(bottom emission type)이 된다. 이 경우 제2전극(222)도 디스플레이부 전체에 전압 강하가 일어나지 않도록 충분한 두께로 형성할 수 있게 되어 대면적 표시패널(100A)에 적용하기에 충분하다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시패널을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5에 도시된 표시패널(100B)은 도 1에 도시된 표시패널(100A)과 상이하게, 투명표시소자(10)가 전면발광하는 유기발광표시패널일 수 있다. 각 구성요소는 앞서 설명한 도 1의 실시예의 대응되는 구성요소와 그 기능이 동일 또는 유사하므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 한다.
도 6은 도 5에 도시된 투명표시소자(10)에 포함된 화소의 일 실시예를 도시한 것이다. 그리고, 도 7은 화소의 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 6 및 도 7에 도시된 화소는 도 2 및 도 3에 도시된 화소와 달리, 화소영역(31)에 포함되는 화소회로부(311)와 발광부(312)가 서로 중첩하도록 배치된다. 발광부(312)가 제2기판(2)의 방향으로 전면발광하므로, 화소회로부(311)와 발광부(312)가 서로 중첩하여도 무방하다. 이에 더하여, 발광부(312)가 픽셀 회로를 포함하는 화소회로부(311)를 가려줌으로써, 픽셀 회로에 의한 광간섭을 배제할 수 있는 특징이 있다. 각 구성요소는 앞서 설명한 도 2 및 도 3의 실시예의 대응되는 구성요소와 그 기능이 동일 또는 유사하므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 한다.
투과영역(32)은 도 6에서 볼 수 있듯이 각 서브화소들(Pr)(Pg)(Pb) 별로 독립되게 구비될 수도 있고, 도 7에서 볼 수 있듯이, 각 서브화소들(Pr)(Pg)(Pb)에 걸쳐 서로 연결되게 구비될 수도 있다.
도 8은 도 6 및 도 7에 도시된 서브화소들(Pr)(Pg)(Pb) 중 어느 한 서브 화소의 단면을 도시한 것이다.
도 8에서 볼 수 있듯이, 화소회로부(311)에는 박막트랜지스터(TR)가 배치되고, 발광부(312)에는 발광 소자인 유기발광소자(EL)가 배치된다.
제1기판(1) 상에, 버퍼막(211)이 형성되고, 버퍼막(211) 상에 반도체활성층(212)이 형성되며, 반도체활성층(212) 상에 게이트절연막(213), 게이트전극(214), 층간절연막(215)이 형성된다. 층간절연막(215) 상에는 소스 드레인전극(216, 217)이 형성된다. 이러한 박막트랜지스터(TR)를 덮도록 절연막의 일종인 패시베이션막(218)이 형성된다. 패시베이션막(218)은 도 8에 도시된 바와 같이 화소영역(31)과 투과영역(32)을 모두 덮도록 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 도시되지 않았으나, 패시베이션막(218)은 투과영역(32)에 대응되는 위치에 개구부(미도시)를 구비함으로써 투과영역의 외광 투과 효율을 더욱 증가할 수 있다.
패시베이션막(218) 상에는 도 8에서 볼 수 있듯이, 박막트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결된 유기발광소자(EL)의 제1전극(221)이 형성된다. 제1전극(221)은 화소영역(31) 내의 발광부(312)에 위치하며, 화소회로부(311)와 중첩되어 화소회로부(311)를 가리도록 배치된다.
패시베이션막(218) 상에는 유기 및/또는 무기 절연물로 구비된 화소정의막(219)이 형성된다.
화소정의막(219)은 제1전극(221)의 가장자리를 덮고 중앙부는 노출시키도록 제3개구부(219a)를 갖는다. 한편, 이 화소정의막(219)은 화소영역(31)을 덮도록 구비될 수 있는 데, 반드시 화소영역(31) 전체를 덮도록 구비되는 것은 아니며, 적어도 일부, 특히, 제1전극(221)의 가장자리를 덮도록 하면 충분하다. 이 화소정의막(219)은 도 8에 도시된 바와 같이 투과영역(32)에 대응되는 위치에 제2개구부(219b)를 구비할 수 있다. 화소정의막(219)이 투과영역(32)에는 위치하지 않음으로써, 투과영역(32)의 외광 투과 효율이 더욱 증가할 수 있다.
패시베이션막(218)과 화소정의막(219)은 모두 투명한 물질로 구비될 수 있다. 절연막이 투명한 물질로 구비됨으로써, 투명표시소자(10)의 외광 투과 효율은 더욱 증가할 수 있다.
제3개구부(219a)를 통해 노출된 제1전극(221) 상에는 유기막(223)과 제2전극(222)이 순차로 적층된다. 제2전극(222)은 적어도 화소영역(31)에 형성되고 도 8에 도시된 바와 같이 투과영역(32)에 대응되는 위치에 제1개구부(222a)를 구비할 수 있다. 제2전극(222)이 투과영역(32)에는 위치하지 않음으로써, 투과영역(32)의 외광 투과 효율이 더욱 증가할 수 있다. 한편, 제1개구부(222a)와 제2개구부(219b)는 서로 연결될 수 있다.
도 8에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따르면, 여기서 제1전극(221)은 투명한 도전체와 반사막의 적층구조로 이루어지고, 제2전극(222)은 반반사 반투과 전극이 될 수 있다. 여기서 투명한 도전체는 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등으로 구비될 수 있다. 한편, 반사막은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서 제1전극(221)은 화소영역(31) 내에 형성된다.
제2전극(222)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다. 여기서 제2전극(222)은 투과율이 높도록 100 내지 300Å 두께의 박막으로 형성하는 것이 바람직하다. 따라서, 유기발광소자(EL)는 제2전극(222)의 방향으로 화상을 구현하는 전면 발광형(top emission type)이 된다.
도 5에 도시된 표시패널(100B)의 구동 모드 또한 도 1에 도시된 표시패널(100A)의 구동 모드와 동일하게 동작하며, 도 9 내지 도 11의 구현 예로서 표현될 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.
표시장치(1000)는 태블릿 컴퓨터, 미디어 저장장치, 휴대폰, 개인휴대단말 등의 영상을 처리 및 표시하는 전자장치이다.
도 12를 참조하면, 표시장치(1000)는 표시패널(100), 드라이버 IC(200), 신호 생성부(300), 투과율 제어부(300), 저장부(500) 및 입력부(600)를 포함할 수 있다.
표시패널(100)은 도 1 및 도 5의 외광의 투과가 가능한 투명표시소자(10)를 포함하는 표시패널(100A, 100B)로 구현될 수 있다. 표시패널(100)은 다수의 스캔 라인(S), 다수의 데이터 라인(D) 및 다수의 화소(P)를 포함한다. 다수의 스캔 라인(S)은 일정하게 이격되어 행으로 배열되며 각각 스캔 신호를 전달하고, 다수의 데이터 라인(D)은 일정하게 이격되어 열로 배열되며 각각 데이터 신호를 전달한다. 다수의 스캔 라인(S)과 다수의 데이터 라인(D)은 매트릭스 형태로 배열되며, 이때 그 교차부에는 하나의 서브화소(P)가 형성된다. 도 12에는 하나의 서브화소(P)를 예로서 도시하고 있다.
본 발명의 실시예에서는, 복수개의 서브화소, 예를 들어, 적색 서브화소(Pr), 녹색 서브화소(Pg), 청색 서브화소(Pb)의 세 개의 서브화소를 하나의 화소라 한다. 적색 서브화소(Pr), 녹색 서브화소(Pg), 청색 서브화소(Pb)는 행 방향 또는 열 방향으로 번갈아 가면서 배열될 수 있다. 화소에는 세 개의 서브화소 당 하나의 투과영역이 형성된다. 투과영역은 투과율(trasmittance) 조절이 가능하도록 전기적/광학적으로 구성될 수 있다.
표시패널(100)은 크게 2가지 모드(투과모드와 블랙모드)로 구동되는데, 각 모드는 투명표시소자(10)의 투과영역(32)이 광을 얼마나 투과하는지의 여부에 따라 구분한다.
드라이버 IC(200)는 다수의 스캔 라인(S)으로 스캔 신호를 인가하는 스캔 드라이버, 및 다수의 데이터 라인(D)으로 데이터 신호를 인가하는 데이터 드라이버를 포함할 수 있다.
신호 생성부(300)는 외부의 그래픽 제어기(도시하지 않음)로부터 화상 데이터(DATA) 및 이의 표시를 제어하는 제어 신호를 제공받는다. 화상 데이터는 적색 신호(R 신호), 녹색 신호(G 신호), 및 청색 신호(B 신호)를 포함한다. RGB 신호 각각은 소정 비트로 표현된다. 즉, 화상 데이터를 표현하는 화상 비트는 적색 신호를 표현하는 적색 비트, 녹색 신호를 표현하는 녹색 비트, 청색 신호를 표현하는 청색 비트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 당 RGB 신호는 각각 8비트가 할당되어, 전체 24비트로 표현될 수 있다. 제어 신호에는 예를 들어 수평 동기 신호(Hsync), 수직 동기 신호(Vsync) 및 메인 클럭(MCLK)이 있다.
신호 생성부(300)는 입력부(600)로부터 화소별로 외광의 투과 또는 차단 정도를 정의하는 투과율을 제공받을 수 있다. 신호 생성부(300)는 화상 데이터에 투과율이 추가된 투명 데이터를 생성하여 저장부(500)에 저장(기록)하고, 저장된 투명 데이터를 출력할 수 있다. 또는, 신호 생성부(300)는 입력되는 화상 데이터에 투과율이 추가된 투명 데이터를 생성하여 직접 출력할 수 있다. 투과율은 적어도 1비트의 소정 비트가 할당된 투과율 비트로 표현될 수 있다. 일 예로서, 투과율은 화소 당 RGB 신호인 24비트의 일부 비트가 할당되거나, 24비트에 추가하여 비트가 할당될 수 있다. 투명 데이터의 구조는 도 13 내지 도 15를 참조하여 후술하겠다.
신호 생성부(300)는 화상 구현을 위해 저장부(500)로부터 투명 데이터를 판독하고, 화상 데이터와 제어 신호는 드라이버 IC(200)로 전달하고, 투과율은 투과율 제어부(400)로 전달한다. 신호 생성부(300)는 재생 후 화상 데이터 백업시 화상 데이터와 투과율을 포함하는 투명 데이터를 저장부(500) 또는 별도 저장 수단에 저장할 수 있다.
본 발명의 실시예는, RGB 3원색 신호의 기존 24비트 시스템에 화소별 투과율 제어신호를 삽입하거나, 기존 24비트 시스템을 확장하여 화소별 투과율 제어신호를 삽입할 수 있다. 이에 따라 표시장치의 모드 전환을 화소별로 수행할 수 있다.
투과율 제어부(400)는 투과율을 기초로 각 화소의 투명영역의 구성에 따라 적절한 투과율 제어 신호를 생성하고, 투과율 제어 신호를 기초로 표시패널(100)에 구비된 투과율제어소자(4)를 제어함으로써 화소별로 표시패널(100)의 모드를 제어할 수 있다. 투과율제어소자(4)는 화소의 투과영역의 투과율을 제어하기 위한 전기적/광학적 소자이다. 투과율제어소자(4)는 도 16 및 도 17을 참조하여 후술하겠다.
저장부(500)는 화상데이터에 투과율 정보를 추가한 투명 데이터를 비트맵 방식으로 기억하는 메모리일 수 있다. 저장부(500)는 휘발성 또는 비휘발성일 수 있고, 화상 데이터를 저장할 수 있는 저장매체를 이용할 수 있다. 또한 저장부(500)는 디스플레이에 표시(재생)된 후 표시된 화상 데이터를 백업시 화상 데이터와 투과율을 포함하는 데이터 포맷, 즉 투명 데이터를 저장할 수 있다.
입력부(600)는 사용자 등의 외부로부터의 제어 신호를 입력할 수 있는 곳이다. 입력부(600)는 사용자의 입력에 의해 화소 단위로 투과모드 또는 블랙모드의 구동 모드 선택 신호를 입력받는다. 이에 따라 블랙모드가 구현되는 불투명 영역 정보가 획득된다. 입력부(600)는 외광의 투과 또는 차단 정도인 투과율을 화소 단위로 입력받을 수 있다. 입력부(600)는 버튼, 키보드, 터치 패드, 터치스크린, 원격 제어기 등과 같이 사용자가 입력할 수 있는 어떠한 형태로 구현되어도 무방하다.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 데이터의 구조를 설명하는 도면이다.
텔레비전이나 비디오 시스템에서는 RGB 신호를 휘도 신호(Y)와 색 신호(C)로 변환하여 화상을 표현한다. 이때 시각은 색 신호에 비해 휘도 신호에 민감하다. 그리고, 휘도 신호에 가장 기여도가 큰 신호는 G신호이다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 의해, 투명 데이터는 R신호와 B신호의 적어도 1비트를 이용하여 투과율 정보를 표현하거나, RGB 신호에 추가된 적어도 1비트를 이용하여 투과율 정보를 표현한다.
도 13을 참조하면, 투명 데이터는 RGB 신호 각각 8비트로 표현되고, 투과율은 B신호의 최하위 비트(LSB)가 할당되어 표현된다. 이 경우 전체 24비트를 이용하여 화상 데이터와 투과율을 표현할 수 있다. 이에 따라, R신호와 G신호는 각각 8비트를 이용하여 그레이 레벨(gray level)로 색 정보를 표현하고, B신호는 7비트를 이용하여 그레이 레벨(gray level)로 색 정보를 표현한다. 투과율은 B신호의 최하위 1비트에 의해 0%의 투과율(블랙) 또는 100%의 투과율(투명)을 표현될 수 있다. 도 13(b)에는 B신호의 최하위 1비트에 의해 0%의 투과율(블랙)을 표현하고 있다. 최하위 2비트를 이용하는 투과율을 표현하는 경우, 세 가지 또는 네 가지 투과율을 표현할 수 있을 것이다.
도 14를 참조하면, 투명 데이터는 RGB 신호 각각 8비트로 표현되고, 투과율은 R신호의 최하위 비트(LSB)가 할당되어 표현된다. 이 경우 전체 24비트를 이용하여 화상 데이터와 투과율을 표현할 수 있다. 이에 따라, B신호와 G신호는 각각 8비트를 이용하여 그레이 레벨(gray level)로 색 정보를 표현하고, R신호는 7비트를 이용하여 그레이 레벨(gray level)로 색 정보를 표현한다. 투과율은 R신호의 최하위 1비트에 의해 0%의 투과율(블랙) 또는 100%의 투과율(투명)을 표현될 수 있다. 도 14(b)에는 R신호의 최하위 1비트에 의해 0%의 투과율(블랙)을 표현하고 있다. 최하위 2비트를 이용하는 투과율을 표현하는 경우, 세 가지 또는 네 가지 투과율을 표현할 수 있을 것이다.
도 15를 참조하면, 투명 데이터는 RGB 신호 각각 8비트로 표현되고, 투과율은 적어도 1비트의 추가 비트가 할당되어 표현된다. 이 경우 전체 25비트 이상으로 화상 데이터와 투과율을 표현할 수 있다. 이에 따라, RGB신호는 각각 8비트, 전체 24비트를 이용하여 그레이 레벨(gray level)로 색 정보를 표현하고, 1비트 이상의 추가 비트를 이용하여 투과율을 표현한다. 투과율은 추가 비트 수에 따라 투과율의 표현 개수가 설정될 수 있다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 광투과율이 제어 가능한 표시장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 16을 참조하면, 표시패널(100C)은 도 1의 표시패널(100A)과 상이하게, 외광의 투과가 가능한 투명한 표시소자(10) 상에 광학필터(3) 및 투과율제어소자(4)가 더 구비된다. 표시소자(10)는 배면발광(bottom emission)하는 유기발광표시패널일 수 있다. 그 밖의 구성요소는 앞서 설명한 도 1의 실시예의 대응되는 구성요소와 그 기능이 동일 또는 유사하므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 한다.
광학필터(3)는 표시소자(10)가 광을 방출하는 제1기판(1)의 외측에 배치된다. 광학필터(3)는 소정의 방향으로 회전하는 원편광(circularly polarized light)을 통과시키는 것을 특징으로 한다. 따라서 광학필터(3)는 선편광필터와 입사되는 광을 +1/4파장(+λ/4)만큼 위상 지연시키는 리타더(retarder)를 결합한 것 또는 원편광필터인 것을 특징으로 한다.
투과율제어소자(4)는 표시소자(10)가 광을 방출하지 않는 쪽인 제2기판(2)의 외측에 배치된다.
일 예로서, 투과율제어소자(4)는 모드에 따라 외광의 반사율을 변환시키는 광반사율변환소자일 수 있다. 광반사율변환소자로는 전기장의 인가에 따라 액정의 배열이 달라지는 액정소자(Liquid crystal device) 또는, 전원의 인가에 따라 일렉트로크로믹물질의 상태가 변화하는 일렉트로크로믹소자(Electrochromic device) 등이 사용될 수 있다.
다른 예로서, 투과율제어소자(4)는 모드에 따라 입사되는 광의 위상을 지연시킬 수 있는 리타더와 선편광필터일 수 있다. 리타더로는 전기장의 인가에 따라 액정의 배열이 달라지는 액정소자(Liquid crystal device) 또는, 전원의 인가에 따라 일렉트로크로믹물질의 상태가 변화하는 일렉트로크로믹소자(Electrochromic device) 등이 사용될 수 있다.
투과율제어소자(4)는 투과율 제어부(400)의 제어 신호에 따라 각 화소의 투과영역의 투과율을 제어한다.
도 17을 참조하면, 표시패널(100D)은 도 16의 표시패널(100C)과 상이하게, 전면발광하는 유기발광표시패널일 수 있다. 따라서, 광학필터(3)는 표시소자(10)가 광을 방출하는 제2기판(2)의 외측에 배치된다. 투과율제어소자(4)는 표시소자(10)가 광을 방출하지 않는 쪽인 제1기판(1)의 외측에 배치된다. 그 밖의 구성요소는 앞서 설명한 도 16의 실시예의 대응되는 구성요소와 그 기능이 동일 또는 유사하므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 한다.
투과율제어소자(4)는 투과율 제어부(400)의 제어 신호에 따라 각 화소의 투과영역의 투과율을 제어한다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
100: 표시패널 10: 표시소자
1: 제1기판 2: 제2기판
3: 광학필터 4: 광반사율변환소자
31: 화소영역 32: 투과영역
TR: 박막트랜지스터 211: 버퍼막
212: 반도체활성층 213: 게이트절연막
214: 게이트전극 215: 층간절연막
216: 소스전극 217: 드레인전극
218: 패시베이션막 219: 화소정의막
221: 제1전극 222: 제2전극
223: 유기막 EL: 유기발광소자
311: 화소회로부 312: 발광부
50: 화상

Claims (22)

  1. 적어도 일면으로 광을 방출하는 제1영역 및 상기 제1영역과 인접하여 외광을 투과하는 제2영역을 포함하는 화소를 구비하는 투명표시패널;
    상기 제1영역에서 방출하는 광에 대응하는 화상 데이터를 표현하는 화상 비트와 상기 제2영역의 투과율을 표현하는 투과율 비트를 포함하는 신호를 생성하는 신호 생성부; 및
    상기 투과율 비트를 기초로 상기 제2영역의 투과율을 제어하는 투과율제어소자;를 포함하는 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화소의 제1영역은 적색 서브화소, 녹색 서브화소, 및 청색 서브화소 각각의 발광부를 포함하고, 상기 제2영역은 상기 서브화소들 별로 독립적으로 또는 연결되게 구비된 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화상 데이터는 적색 신호, 녹색 신호, 및 청색 신호를 포함하고,
    상기 화상 비트는 상기 적색 신호를 표현하는 적색 비트, 상기 녹색 신호를 표현하는 녹색 비트, 및 상기 청색 신호를 표현하는 청색 비트를 포함하는 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 투과율 비트는 상기 적색 비트의 적어도 1비트가 할당된 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 투과율 비트는 상기 적색 비트의 최하위 비트인 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 투과율 비트는 상기 청색 비트의 적어도 1비트가 할당된 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 투과율 비트는 상기 청색 비트의 최하위 비트인 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 투과율 비트는 상기 화상 비트에 추가하여 적어도 1비트가 할당된 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 투과율제어소자는,
    상기 투명표시패널의 광을 방출하는 일면의 반대쪽인 타면에 배치되며 상기 투과율 비트에 따라 상기 외광의 반사율을 변화시키는 광반사율변환소자;를 포함하는 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 투과율제어소자는,
    상기 투명표시패널의 광을 방출하는 일면의 반대쪽인 타면에 배치되며 상기 투과율 비트에 따라 상기 외광의 위상을 지연시켜 투과하는 리타더;를 포함하는 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 화상 비트와 상기 투과율 비트를 화상 정보로서 저장하는 저장부;를 더 포함하는 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  12. 화상을 표시하는 화면을 외광이 투과하여 투명 상태가 되는 제1모드 및 상기 화면의 적어도 일부에서 외광을 차단하여 불투명 상태가 되는 제2모드가 선택적으로 구동되는 투명표시패널;
    상기 화상을 표현하는 화상 비트와 상기 외광의 투과 또는 차단을 제어하는 투과율을 표현하는 투과율 비트를 포함하는 신호를 생성하는 신호 생성부; 및
    상기 투과율 비트를 기초로 상기 외광의 투과율을 제어하는 투과율제어소자;를 포함하는 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 투명표시패널은,
    적색 서브화소, 녹색 서브화소, 및 청색 서브화소 각각의 발광부를 포함하여 광을 방출하는 제1영역과, 상기 제1영역과 인접하여 외광을 투과하고 상기 서브화소들 별로 독립적으로 또는 연결되게 구비된 제2영역을 포함하는 화소를 구비하는 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 화상 비트는 적색 신호를 표현하는 적색 비트, 녹색 신호를 표현하는 녹색 비트, 및 청색 신호를 표현하는 청색 비트를 포함하는 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 투과율 비트는 상기 적색 비트의 적어도 1비트가 할당된 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 투과율 비트는 상기 적색 비트의 최하위 비트인 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 투과율 비트는 상기 청색 비트의 적어도 1비트가 할당된 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 투과율 비트는 상기 청색 비트의 최하위 비트인 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 투과율 비트는 상기 화상 비트에 추가하여 적어도 1비트가 할당된 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  20. 제12항에 있어서, 상기 투과율제어소자는,
    상기 투명표시패널의 광을 방출하는 일면의 반대쪽인 타면에 배치되며 상기 투과율 비트에 따라 상기 외광의 반사율을 변화시키는 광반사율변환소자;를 포함하는 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  21. 제12항에 있어서, 상기 투과율제어소자는,
    상기 투명표시패널의 광을 방출하는 일면의 반대쪽인 타면에 배치되며 상기 투과율 비트에 따라 상기 외광의 위상을 지연시켜 투과하는 리타더;를 포함하는 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
  22. 제12항에 있어서,
    상기 화상 비트와 상기 투과율 비트를 화상 정보로서 저장하는 저장부;를 더 포함하는 광투과율 제어가 가능한 표시장치.
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