CN109410758A - 透明显示装置 - Google Patents

透明显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109410758A
CN109410758A CN201810035746.4A CN201810035746A CN109410758A CN 109410758 A CN109410758 A CN 109410758A CN 201810035746 A CN201810035746 A CN 201810035746A CN 109410758 A CN109410758 A CN 109410758A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
barrier
wall structure
transparent display
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810035746.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109410758B (zh
Inventor
蔡宜修
蔡宇翔
张志嘉
陈冠廷
陈光荣
蔡玉堂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Industrial Technology Research Institute ITRI
Intellectual Property Innovation Corp
Original Assignee
Industrial Technology Research Institute ITRI
Intellectual Property Innovation Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Industrial Technology Research Institute ITRI, Intellectual Property Innovation Corp filed Critical Industrial Technology Research Institute ITRI
Publication of CN109410758A publication Critical patent/CN109410758A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109410758B publication Critical patent/CN109410758B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种透明显示装置包括基板、发光元件、第一挡墙结构、第一顶导电图案以及阻障封装多层结构。基板具有发光区及透光区。发光元件位于发光区中。第一挡墙结构具有底切侧壁。第一挡墙结构为透光区与发光区的交界，且发光元件位于第一挡墙结构所围绕的发光区中。第一顶导电图案配置于第一挡墙结构的顶面上。阻障封装多层结构配置于发光元件上。阻障封装多层结构包括第一阻隔层与第二阻隔层。第一阻隔层与第二阻隔层彼此重叠的部分位于由第一挡墙结构围绕的发光区中。

Description

透明显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置领域，特别涉及一种透明显示装置。
背景技术
透明显示装置本身具有一定程度的透明度，其不仅能够显示信息或画面，且可以让使用者清楚地看到显示器后方的背景。透明显示装置可适用于建筑物窗户、汽车车窗与商店橱窗等多种应用，因而备受市场关注。
若是透明显示装置的透明度过低，使用者会明显观察到显示装置本身的存在，而无法清楚观察到显示装置后方的背景。此外，透明显示装置若要兼具触控感测功能，透明显示装置的透明度容易因为触控感测用的电极与走线的设置而变差。透明显示装置尚有许多改善的空间。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明目的在于提供一种透明显示装置，可具有理想的质量及良好的透光性质。
具体地说，本发明一实施例公开了一种透明显示装置，其中包括：
基板，具有发光区及透光区；
发光元件，配置于该基板上，位于该发光区中；
第一挡墙结构(firstwall structure)，配置于该基板上，且该第一挡墙结构具有底切侧壁，其中该第一挡墙结构为该透光区与该发光区的交界，且该发光元件位于该第一挡墙结构所围绕的该发光区中；
第一顶导电图案，位于该第一挡墙结构的顶面上；以及
阻障封装多层结构(barrier package multi-layer structure)，配置于该发光元件上，其中该阻障封装多层结构包括第一阻隔层与第二阻隔层，该第一阻隔层与该第二阻隔层彼此重叠的部分位于由该第一挡墙结构围绕的该发光区中。
在一实施例中，该透明显示装置，其中该发光元件包括驱动电路复合层、第一电极、发光层与第二电极，该驱动电路复合层配置于该基板上，该第一电极、该发光层与该第二电极依序叠置而构成发光二极管，该发光二极管配置于该驱动电路复合层上，且该第一电极电性连接该驱动电路复合层。
在一实施例中，该透明显示装置，还包括像素定义层，该像素定义层具有像素开口，该发光层位于该像素开口中，该第二电极连续地覆盖该发光层以及该像素定义层，且该像素定义层与该发光层位于该第二电极与该驱动电路复合层之间。
在一实施例中，该透明显示装置，还包括第二电极传输线路，配置于该像素定义层与该驱动电路复合层之间，其中该像素定义层更具有导通开口，该第二电极覆盖该导通开口以在该导通开口连接该第二电极传输线路。
在一实施例中，该透明显示装置，其中该像素定义层包括外周部，该外周部沿着该发光区与该透光区的交界延伸分布。
在一实施例中，该透明显示装置，其中该第一挡墙结构叠置于该像素定义层的该外周部上。
在一实施例中，该透明显示装置，其中该像素定义层的该外周部位于该第一挡墙结构与该发光元件之间，且该第一挡墙结构的高度高于该像素定义层的高度。
在一实施例中，该透明显示装置，还包括平坦保护层，该平坦保护层配置于该驱动电路复合层与该第一电极之间以覆盖该驱动电路复合层，且该像素定义层配置于该平坦保护层上。
在一实施例中，该透明显示装置，其中该像素定义层还覆盖该平坦保护层的侧壁。
在一实施例中，该透明显示装置，其中该平坦保护层还覆盖该透光区。
在一实施例中，该透明显示装置，还包括无机保护层，覆盖该平坦保护层，且位于该像素定义层与该平坦保护层之间。
在一实施例中，该透明显示装置，还包括第二挡墙结构以及第二顶导电图案，该第二挡墙结构配置于该基板上，位于该发光区中并连接该第一挡墙结构，且该第二顶导电图案配置于该第二挡墙结构的顶面并沿该第二挡墙结构分布。
在一实施例中，该透明显示装置，还包括透光区导电层，配置于该透光区中。
在一实施例中，该透明显示装置，还包括第二挡墙结构以及第二顶导电图案，该第二挡墙结构配置于该基板上，位于该透光区中并连接该第一挡墙结构以围出多个开口，且该第二顶导电图案配置于该第二挡墙结构的顶面并沿该第二挡墙结构分布，其中该透光区导电层配置于所述开口中。
在一实施例中，该透明显示装置，其中该第一阻隔层位于该第二阻隔层与该发光元件之间，且该第二阻隔层位于由该第一挡墙结构围绕的该发光区中。
在一实施例中，该透明显示装置，其中该阻障封装多层结构还包括第三阻隔层，且该第二阻隔层夹于该第一阻隔层与该第三阻隔层之间。
在一实施例中，该透明显示装置，其中该第一阻隔层与该第三阻隔层在该第二阻隔层外彼此接触以包覆该第二阻隔层。
在一实施例中，该透明显示装置，其中该第一阻隔层连续覆盖该第一挡墙结构的该第一底切侧壁。
在一实施例中，该透明显示装置，其中该第一阻隔层位于由该第一挡墙结构围绕的该发光区中。
在一实施例中，该透明显示装置，还包括触控线路，配置于该基板上且该触控线路在该发光区中位于该阻障封装多层结构上。
本发明实施例的透明显示装置将阻障封装多层结构配置于发光区以在发光区提供理想的阻隔效果，且在透光区提供良好的可见光穿透率。透明显示装置可具有理想的质量(例如发光元件不容易损坏)以及良好的透光性质。
附图说明
图1为本发明一实施例的透明显示装置的局部俯视示意图；
图2为本发明一实施例的透明显示装置的剖面示意图；
图3为本发明一实施例的透明显示装置的剖面示意图；
图4为本发明另一实施例的透明显示装置的剖面示意图；
图5为本发明再一实施例的透明显示装置的剖面示意图；
图6为本发明又一实施例的透明显示装置的剖面示意图；
图7为本发明再另一实施例的透明显示装置的剖面示意图；
图8为本发明又另一实施例的透明显示装置的剖面示意图；
图9为本发明再另一实施例的透明显示装置的剖面示意图；
图10为本发明另一实施例的透明显示装置的局部俯视示意图；
图11为透明显示装置800沿线D-D的剖面的一实施例示意图；
图12为透明显示装置800沿线D-D的剖面的一实施例示意图；
图13为透明显示装置800沿线D-D的剖面的一实施例示意图；
图14为透明显示装置800沿线D-D的剖面的一实施例示意图；
图15为透明显示装置800沿线D-D的剖面的一实施例示意图；
图16为透明显示装置800沿线D-D的剖面的一实施例示意图；
图17为透明显示装置800沿线D-D的剖面的一实施例示意图；
图18为本发明一实施例的透明显示装置的局部俯视示意图；
图19为透明显示装置900沿线F-F的剖面的一实施例示意图；
图20为本发明一实施例的透明显示装置的局部俯视示意图；
图21为本发明一实施例的透明显示装置的局部俯视示意图；
图22为图21的透明显示装置沿线G-G的剖面结构的一实施方式示意图；
图23为图21的透明显示装置沿线G-G的剖面结构的一实施方式示意图；
图24与图25为图21的透明显示装置沿线G-G与线H-H的剖面结构的一实施方式示意图。
符号说明：
100～1100：透明显示装置； 110：基板；
112：发光区； 112A：子区域；
114：透光区； 120：发光元件；
121：有机发光结构； 122：驱动电路复合层；
124：第一电极； 126：发光层；
128：第二电极； 130、630：第一挡墙结构；
130B：底面； 130S、630S：底切侧壁；
130T：顶面； 140：第一顶导电图案；
150、250、350：阻障封装多层结构； 152、252、352：第一阻隔层；
154、254、354：第二阻隔层； 156：第三阻隔层；
160、760：平坦保护层； 160S：侧壁；
160T：上表面； 170、570、670、770：像素定义层；
170P：像素开口； 172、572、672、772：外周部；
174：分隔部； 174X：导通开口；
180：透光区导电层； 190：第二电极传输线路；
402：无机保护层； 572T：上表面；
572S：侧壁； 830、930、1030：挡墙结构；
834、934、1034：第二挡墙结构； 834S：底切侧壁；
836：开口； 840、940、1040：图案化顶导电层；
844、944、1044：第二顶导电图案； 1036：第三挡墙结构；
1046：第三顶导电图案；
A-A、B-B、C-C、D-D、E-E、F-F、G-G、H-H：线；
H630、H672：高度； TP：触控线路；
TV：导通孔； θ：底切角。
具体实施方式
为让本发明的上述特征和效果能阐述的更明确易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。
图1为本发明一实施例的透明显示装置的局部俯视示意图。由图1可知，透明显示装置100包括基板110、发光元件120、第一挡墙结构130以及第一顶导电图案140。发光元件120与第一挡墙结构130都配置于基板110上。第一顶导电图案140配置于第一挡墙结构130的顶面。图1中的第一顶导电图案140与第一挡墙结构130重叠，并且图1以细点图案表示第一顶导电图案140的分布面积。图1所示的第一挡墙结构130可围绕发光元件120且图1所示的第一挡墙结构130将基板110划分出发光区112以及透光区114并定义出透光区114与发光区112的交界。发光元件120位于发光区112中且位于第一挡墙结构130所围绕的发光区112内。在其他实施例中，第一挡墙结构130可依不同设计需求而包括配置于透光区114内或是位于发光区112内的其他部分。另外，图1以发光元件120包括多个有机发光结构121做为示例，但在其他实施例中，发光元件120可为单一个有机发光结构121。图1的透明显示装置沿线A-A的剖面的实施方式可如图2所示。请同时参考图1与图2，透明显示装置100还包括阻障封装多层结构150、平坦保护层160、像素定义层170以及透光区导电层180。
基板110可以为玻璃基板、塑胶基板或是其他具有透光性质且具有足够支撑性以支撑发光元件120等构件的板状结构。发光元件120包括驱动电路复合层122、第一电极124、发光层126与第二电极128。驱动电路复合层122配置于基板110上。第一电极124、发光层126与第二电极128可依序配置于驱动电路复合层122上。在本实施例中，第一电极124与第二电极128中，第一电极124相较第二电极128更接近驱动电路复合层122。发光层126的材质可包括有机发光材料。第一电极124、发光层126与第二电极128的堆栈结构可构成发光二极管，且第一电极124可视为阳极而第二电极128可视为阴极。驱动电路复合层122可由多个图案化的导电层、多个图案化的绝缘层以及至少一层图案化的半导体层组成并由这些膜层构成主动元件、电容结构等可以驱动发光二极管的电路。
具体来说，平坦保护层160配置于驱动电路复合层122与发光二极管之间。平坦保护层160可覆盖驱动电路复合层122并提供平坦的上表面160T以使发光二极管配置于平坦保护层160的平坦上表面160T上。另外，驱动电路复合层122与发光二极管的第一电极124可通过贯穿平坦保护层160的导通孔TV电性连接。
由图1与图2可知，像素定义层170用以定义发光元件120例如是有机发光结构121的配置区。像素定义层170可包括外周部172以及分隔部174。外周部172大致沿着发光区112与透光区114的交界延伸分布，且外周部172可以覆盖平坦保护层160的侧壁160S。分隔部174则位在发光区112内以将发光元件120中的多个有机发光结构121分隔开来。以本实施例来说，像素定义层170包括有多个像素开口170P，使各有机发光结构121的发光层126位于其中一个像素开口170P中。另外，这些有机发光结构121的第一电极124也在像素定义层170的分隔部174处分隔开来，以独立的驱动不同像素开口170P中的发光层126。不过，发光元件120彼此共享的第二电极128可连续地覆盖不同有机发光结构121的发光层126，也覆盖像素定义层170使得像素定义层170与发光层126都位于第二电极128与驱动电路复合层122之间。特别是，像素定义层170的分隔部174完全被第二电极128覆盖。
第一挡墙结构130配置于基板110上且具有底切侧壁130S。具体来说，第一挡墙结构130可具有上宽下窄的宽度，其接近于基板110的底面130B相对较窄而远离基板110的顶面130T相对较宽而具有底切侧壁130A。第一挡墙结构130配置在像素定义层170上且第一挡墙结构130的底切侧壁130S与像素定义层170之间具有底切角θ。在一实施例中，底切角θ由30度到65度。
第一顶导电图案140配置于第一挡墙结构130的顶面130T上。也就是说，第一顶导电图案140的轮廓大致上与第一挡墙结构130的顶面130T切齐。
由图2可知，多个发光元件120的第二电极128可由同一连续导电层构成而为共享阴极。另外，发光元件120的第二电极128与第一顶导电图案140可以由相同导电材料在相同制作步骤中制作完成，且发光元件120的第二电极128与第一顶导电图案140通过第一挡墙结构130的底切侧壁130S彼此分隔开来。在制作透明显示装置100的过程中，制作完第一挡墙结构130后，可以采用薄膜沉积法之类的方式将用以形成第二电极128与第一顶导电图案140的导电层制作于基板110上。由于第一挡墙结构130具有底切侧壁130S，在进行薄膜沉积法时，被沉积的导电材料无法沉积于第一挡墙结构130的底切侧壁130S上而在第一挡墙结构130的顶面130T的边缘自行断开。如此一来，无须额外的图案化步骤就可以形成彼此分离的第二电极128与第一顶导电图案140。另外，进行薄膜沉积法制作第二电极128与第一顶导电图案140时，导电材料也可以沉积于透光区114中，在透光区114中形成透光区导电层180。第一挡墙结构130在邻近于透光区114的一侧也具有底切侧壁130S，透光区导电层180可与第一顶导电图案140彼此分离。
在本实施例中，阻障封装多层结构150配置于发光元件120上且位于第一挡墙结构130所围绕的发光区112中。阻障封装多层结构150配置于发光元件120上。阻障封装多层结构150的面积大致位于由第一挡墙结构130所围绕的发光区112中。阻障封装多层结构150在图1中可重叠于发光元件120，大致地重叠于整个发光区112却没有延伸到透光区114中。
阻障封装多层结构150可包括多层不同材料的膜层堆栈在一起。以本实施例而言，阻障封装多层结构150包括依序堆栈于基板110上的第一阻隔层152、第二阻隔层154与第三阻隔层156。也就是说，第二阻隔层154夹于第一阻隔层152与第三阻隔层156之间。第一阻隔层152、第二阻隔层154与第三阻隔层156的材质可以依序为无机材料、有机材料与无机材料，其中无机材料包括有氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料，而有机材料包括有机绝缘材料。但，第一阻隔层152、第二阻隔层154与第三阻隔层156的材质亦可不以此为限。在其他实施例中，只要第二阻隔层154与第一阻隔层152以及第三阻隔层156的材质不同且第一阻隔层152、第二阻隔层154与第三阻隔层156堆栈出来的多层结构可以提供阻挡水氧的作用即可。
第一阻隔层152是阻障封装多层结构150中较接近基板110的膜层。第一阻隔层152可经过非等向性工艺制作，第一阻隔层152可由发光区112连续地延伸到透光区114。换言之，第一阻隔层152连续地覆盖了第二电极128、位于第一挡墙结构130的底切侧壁130S下方的部分像素定义层172、第一挡墙结构130位于发光区112的底切侧壁130S、第一顶导电图案140、第一挡墙结构130位于透光区114的底切侧壁130S以及位于透光区114的透光区导电层180。
第二阻隔层154可配置于第一挡墙结构130所围绕的发光区112中，且第二阻隔层154只配置于发光区112而不配置于透光区114。如此，穿过透光区154的可见光可以不受第二阻隔层154的材质影响而有助于提高透明显示装置100的可见光穿透率。
第三阻隔层156则是在形成第二阻隔层154之后所形成的膜层。第三阻隔层156也可采用非等向性制程加以制作，使得第三阻隔层156除了覆盖发光区112中的第二阻隔层154外也连续地向透光区114延伸。以本实施例而言，第二阻隔层154位于第一挡墙结构130所围绕的区域，第三阻隔层156在第二阻隔层154以外会接触第一阻隔层152，而形成第一阻隔层152与第三阻隔层156将第二阻隔层154完全包覆的结构。图2中，第二阻隔层154的上表面可具有透镜状表面，但不以此为限。
在本实施例中，第一阻隔层152与第三阻隔层156虽连续地覆盖发光区112与透光区114，但第二阻隔层154仅位在发光区112中。第一阻隔层152、第二阻隔层154与第三阻隔层156彼此重叠的部分可在发光区112提供良好的阻水氧特性，而有助于避免或是减缓发光层126因为外来的水氧而损坏或变质。在本实施例中，透光区114没有第二阻隔层154，而有助于提高透明显示装置100在透光区114的可见光穿透率，使透明显示装置100的透明度提升。另外，透光区导电层180位于透光区114中。第一挡墙结构130的底切侧壁130S也使发光元件120的第二电极128不与透光区114的透光区导电层180连接。在透光区114的透光区导电层180因侧向的水氧而损坏或变质时，损坏与变质的部分不会延伸到第二电极128而有助于确保第二电极128的使用寿命。
图3为图1的透明显示装置沿线B-B的剖面示意图。请同时参考图1与图3，透明显示装置100可还包括第二电极传输线路190，其用以传递第二电极128的信号。第二电极传输线路190可与第一电极124为相同的导电层，其设置于像素定义层170与平坦保护层160之间。像素定义层170的分隔部174可具有位于发光区112内的导通开口174X，导通开口174X可对应第二电极传输线路190设置，且第二电极128可填入导通开口174X使得第二电极128在导通开口174X与第二电极传输线路190电性连接。如此，虽然第二电极128位在第一挡墙结构130围绕的区域中而不与透光区114的透光区导电层180连接，但可通过导通开口174X与第二电极传输线路190的设置连接到对应的驱动电路。
图4为本发明另一实施例的透明显示装置的剖面示意图。请参考图4，透明显示装置200大致相似于图2的透明显示装置100，因此两实施例中相同或相似的元件符号将表示相同或相似的构件。具体来说，透明显示装置200可包括基板110、发光元件120、第一挡墙结构130、第一顶导电图案140、阻障封装多层结构250、平坦保护层160、像素定义层170与透光区导电层180。在此，基板110、发光元件120、第一挡墙结构130、第一顶导电图案140、平坦保护层160、像素定义层170与透光区导电层180的配置、结构、材质等可参考前述实施例，在此不另描述。另外，本实施例的阻障封装多层结构250包括第一阻隔层252与第二阻隔层254，其与图2的实施例采用三个阻隔层的设计不同。
第一阻隔层252与第二阻隔层254可为不同材料。在部分实施例中，第一阻隔层252可以为无机材料层，其材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料。第一阻隔层252可以采用非等向性制程制作，第一阻隔层252可以由发光元件120所在的发光区112连续地延伸到透光区114，且连续地包覆第一挡墙结构130。第二阻隔层254可由涂布式阻障材料制作而成。涂布式阻障材料例如是含有硅、氮、氧等元素的凝胶态或是液态材料。制作第二阻隔层254的方法包括将涂布式阻障材料例如以涂布或是滴注方式形成于第一挡墙结构130围绕的发光区112中，接着将涂布式阻障材料干燥、固化即可在发光区112中形成第二阻隔层254。第二阻隔层254形成于发光区112，第一阻隔层252与第二阻隔层254彼此重叠的部分也会位于由第一挡墙结构130围绕的发光区112中。如此，透明显示面板200在透光区114可因无第二阻隔层254而具有良好的可见光透光性质，且在发光区112可具有良好的水氧阻挡性质。
图5为本发明再一实施例的透明显示装置的剖面示意图。请参考图5，透明显示装置300大致相似于图2的透明显示装置100，因此两实施例中相同或相似的元件符号将表示相同或相似的构件。具体来说，透明显示装置300包括基板110、发光元件120、第一挡墙结构130、第一顶导电图案140、阻障封装多层结构350、平坦保护层160、像素定义层170与透光区导电层180。在此，基板110、发光元件120、第一挡墙结构130、第一顶导电图案140、平坦保护层160、像素定义层170与透光区导电层180的配置、结构、材质等可参考前述实施例，在此不另描述。另外，本实施例的阻障封装多层结构350包括第一阻隔层352与第二阻隔层354，其与图2的实施例采用三个阻隔层的设计不同。
第一阻隔层352与第二阻隔层354可为不同材料。在部分实施例中，第一阻隔层352可以为高分子材料，例如聚丙烯酸酯或其他高分子材料。第一阻隔层352可以采用涂布或是滴注方式形成于第一挡墙结构130围绕的发光区112中，且第一阻隔层352的材料厚度低于第一挡墙结构130的高度，因此第一阻隔层352可侷限于第一挡墙结构130围绕的发光区112中。第二阻隔层354可由涂布式阻障材料制作而成。涂布式阻障材料例如是含有硅、氮、氧等元素的凝胶态或是液态材料。制作第二阻隔层354的方法包括将涂布式阻障材料例如以涂布或是滴注方式形成于第一挡墙结构130围绕的发光区112中使其堆积于第一阻隔层352上，接着将涂布式阻障材料干燥、固化即可在发光区112中形成第二阻隔层354。第一阻隔层352与第二阻隔层354都形成于发光区112，第一阻隔层352与第二阻隔层354彼此重叠的部分也位于由第一挡墙结构130围绕的发光区112中。如此，透明显示面板300在透光区114可因无第一阻隔层252与第二阻隔层254而具有良好的可见光透光性质，且在发光区112可具有良好的水氧阻挡性质。另外，本实施例中第二电极128可通过第一挡墙结构130与第一顶导电图案140分隔开来又被第一阻隔层252与第二阻隔层254覆盖，第二电极128可确实获得保护，不受侧向进入的水氧影响而具有较佳的稳定性。
图6为本发明又一实施例的透明显示装置的剖面示意图。请参考图6，透明显示装置400大致相似于图2的透明显示装置100，因此两实施例中相同或相似的元件符号将表示相同或相似的构件。具体来说，透明显示装置400包括基板110、发光元件120、第一挡墙结构130、第一顶导电图案140、阻障封装多层结构150、平坦保护层160、像素定义层170与透光区导电层180之外，还包括无机保护层402。在此，基板110、发光元件120、第一挡墙结构130、第一顶导电图案140、阻障封装多层结构150、平坦保护层160、像素定义层170与透光区导电层180的配置、结构、材质等可参考前述实施例的描述，且阻障封装多层结构150可由前述的阻障封装多层结构250或阻障封装多层结构350替代，因而在此不另详述这些构件。
在本实施例中，还包括无机保护层402，无机保护层402覆盖平坦保护层160，且位于像素定义层170的外周部172与平坦保护层160之间。无机保护层402的材质可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。无机保护层402除了覆盖平坦保护层160的上表面外，也覆盖平坦保护层160的侧表面。在本实施例中，像素定义层170的外周部172、平坦保护层160与无机保护层402可都延伸至基板110的表面上，而在驱动电路复合层122的侧向方向上形成无机保护层402包覆平坦保护层160，且像素定义层170的外周部172包覆无机保护层402的多层侧壁结构。此外，导通孔TV除了贯穿平坦保护层160外，在本实施例中可以更贯穿无机保护层402以使驱动电路复合层122与有机发光结构121电性连接。
图7为本发明再另一实施例的透明显示装置的剖面示意图。请参考图7，透明显示装置500大致相似于图2的透明显示装置100，因此两实施例中相同或相似的元件符号将表示相同或相似的构件。具体来说，透明显示装置500包括基板110、发光元件120、第一挡墙结构130、第一顶导电图案140、阻障封装多层结构150、平坦保护层160、像素定义层570与透光区导电层180。在此，基板110、发光元件120、第一挡墙结构130、第一顶导电图案140、阻障封装多层结构150、平坦保护层160与透光区导电层180的配置、结构、材质等可参考前述实施例的描述，且阻障封装多层结构150可由前述的阻障封装多层结构250或阻障封装多层结构350替代，因而在此不另详述这些构件。
在本实施例中，像素定义层570包括外周部572与分隔部174，其中外周部572大致沿着发光区112与透光区114的交界延伸分布，而分隔部174位在发光区112内以将发光元件120中的多个有机发光结构121分隔开来。具体来说，像素定义层570的分隔部174的结构及配置方式可参考前述实施例的像素定义层170的分隔部174。在本实施例中，像素定义层570的外周部572可完全位在平坦保护层160的上表面160T，平坦保护层160的侧壁160S并未被像素定义层570覆盖。此外，像素定义层570的外周部572与平坦保护层160构成阶梯状结构，而透光区导电层180可连续地覆盖像素定义层570的外周部572的上表面572T、像素定义层570的外周部572的侧壁572S、平坦保护层160的上表面160T以及平坦保护层160的侧壁160S并且以远离发光区112的方向延伸。在部分的实施例中，图6的无机保护层402可应用于透明显示装置500中，包覆平坦保护层160的上表面160T以及平坦保护层160的侧壁160S。此时，透光区导电层180可不与平坦保护层160接触，而覆盖无机保护层402。
图8为本发明又另一实施例的透明显示装置的剖面示意图。请参考图8，透明显示装置600大致相似于图2的透明显示装置100，因此两实施例中相同或相似的元件符号将表示相同或相似的构件。具体来说，透明显示装置600包括基板110、发光元件120、第一挡墙结构630、第一顶导电图案140、阻障封装多层结构150、平坦保护层160、像素定义层670与透光区导电层180。在此，基板110、发光元件120、第一顶导电图案140、阻障封装多层结构150、平坦保护层160与透光区导电层180的配置、结构、材质等可参考前述实施例的描述，且阻障封装多层结构150可由前述的阻障封装多层结构250或阻障封装多层结构350替代，因而在此不另详述这些构件。
在本实施例中，像素定义层670包括外周部672与分隔部674，其中外周部672大致沿着发光区112与透光区114的交界延伸分布，而分隔部674位在发光区112内以将发光元件120中的多个有机发光结构121分隔开来。另外，第一挡墙结构630与像素定义层670的外周部672都配置在平坦保护层160的上表面160T。第一挡墙结构630与像素定义层670的外周部672并未彼此堆栈而是并排设置。具体而言，像素定义层670的外周部672位于第一挡墙结构630与发光元件120之间，也就是说像素定义层670的外周部672位于第一挡墙结构630的邻近于发光区112的一侧。
在本实施例中，第一挡墙结构630具有底切侧壁630S，且第一挡墙结构630的高度H630高于像素定义层670的外周部672的高度H672。在第一挡墙结构630的邻近于发光区112的一侧，局部的底切侧壁630S凸出于外周部672。发光元件120的第二电极128与第一顶导电图案140是通过第一挡墙结构630的底切侧壁630S而彼此分离。在部分实施例中，第一挡墙结构630的高度H630与像素定义层670的外周部672的高度H672之间的高度差可以大于发光元件120的第二电极128的厚度，以确保第二电极128与第一顶导电图案140在底切侧壁630S处分离。
图9为本发明再另一实施例的透明显示装置的剖面示意图。请参考图9，透明显示装置700大致相似于图2的透明显示装置100，因此两实施例中相同或相似的元件符号将表示相同或相似的构件。具体来说，透明显示装置700包括基板110、发光元件120、第一挡墙结构130、第一顶导电图案140、阻障封装多层结构150、平坦保护层760、像素定义层770与透光区导电层180。在此，基板110、发光元件120、第一挡墙结构130、第一顶导电图案140、阻障封装多层结构150与透光区导电层180的配置、结构、材质等可参考前述实施例的描述，且阻障封装多层结构150可由前述的阻障封装多层结构250或阻障封装多层结构350替代，因而在此不另详述这些构件。
在本实施例中，平坦保护层760可以连续覆盖发光区112与透光区114范围。也就是说，平坦保护层760覆盖基板110的绝大部分面积。透光区导电层180在透光区114中覆盖于平坦保护层760上。像素定义层770包括外周部772与分隔部174，其中外周部772大致沿着发光区112与透光区114的交界延伸分布，而分隔部174位在发光区112内以将发光元件120中的多个有机发光结构121分隔开来。并且，像素定义层770的整个外周部772配置于平坦保护层760上。
图10为本发明另一实施例的透明显示装置的局部俯视示意图。由图10可知，透明显示装置800包括基板110、发光元件120、挡墙结构830、图案化顶导电层840以及透光区导电层180。发光元件120与挡墙结构830都配置于基板110上。图案化顶导电层840配置于挡墙结构830的顶面。图10中图案化顶导电层840与挡墙结构830重叠，且图10采用细点图案表示图案化顶导电层840的面积。发光元件120位于发光区112中且位于挡墙结构830所围绕的发光区112内。透光区导电层180配置于透光区114中。另外，图10以发光元件120可包括多个有机发光结构121做为示例，但在其他实施例中，发光元件120可为单一个有机发光结构121。
在本实施例中，挡墙结构830包括第一挡墙结构130与第二挡墙结构834。第一挡墙结构130可围绕发光元件120且将基板110划分出发光区112以及透光区114，并定义出透光区114与发光区112的交界。也就是说，第一挡墙结构130俯视图的布局方式可大致相同于前述实施例的第一挡墙结构130。第二挡墙结构834位于透光区114中且连接于第一挡墙结构130以在透光区114中围出多个开口836。透光区导电层180配置于开口836中。另外，图案化顶导电层840在本实施例中除了沿着第一挡墙结构130的顶面分布以构成第一顶导电层140外，也可沿着第二挡墙结构834的顶面分布以构成第二顶导电图案844。第二挡墙结构834也具有底切结构。简言之，图案化顶导电层840顺应着挡墙结构830而构成网格状的导电图案，且图案化顶导电层840通过挡墙结构830的底切结构而形成独立的导电图案不与其他区域的导电层连接。另外，透明显示装置800沿着线C-C的剖面结构设计可以如图2与图4～9中任意一者相同。
以透明显示装置800沿着线C-C的剖面结构设计类似于图2为例，可理解，在本实施例中，透明显示装置800还包括阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层170。在本实施例中，阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层170大致上相同于图2所记载的阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层170。这些构件的结构设计与配置关系可参考前述实施例的说明。另外，由图2也可知，发光元件120包括驱动电路复合层122、第一电极124、发光层126与第二电极128，其中第一电极124、发光层126与第二电极128的堆栈结构可构成有机发光结构121。
在透明显示装置800沿着线C-C的剖面结构设计类似于图2时，透明显示装置800沿线D-D的剖面的一实施例示意图如图11所示。请同时参考图11与图2，发光元件120的驱动电路复合层122、覆盖于驱动电路复合层122的平坦保护层160以及像素定义层170可以都沿着第二挡墙结构834分布。在图11的剖面中构成驱动电路复合层122、平坦保护层160、像素定义层170以及第二挡墙结构834依序堆栈于基板110上的结构。根据前述实施例的描述，发光元件120的第二电极128利用第二电极传输线路190来连接至发光区112外，而第二电极传输线路190可以沿着第二挡墙结构834设置。因此，在图11中可看出第二电极传输线路190位于像素定义层170与平坦保护层160之间。此外，图案化顶导电层840采用前述实施例之第一顶导电图案140的制作方式来制作，因此第一顶导电图案140、第二顶导电图案844与发光元件120的第二电极128为相同膜层。第二挡墙结构834具有底切侧壁，因此第二顶导电图案844与位于开口836中的透光区导电层180可通过第二挡墙结构834的底切侧壁834S分离开来。如此一来，位于第一挡墙结构130上的第一顶导电图案140以及位于第二挡墙结构834上的第二顶导电图案844构成网格状的图案且不与其他的导电结构电性连接而可作为触控感测电极。换言之，透明显示装置800无须额外设置触控感测用的相关导电构件就可以采用既有的图案化顶导电层840来实现触控感测功能。
另外，根据前述实施例的描述，在透明显示装置800沿着线C-C的剖面结构设计类似于图2时，透光区导电层180与第二顶导电图案844被阻障封装多层结构150的第一阻隔层152与第三阻隔层156覆盖。
在透明显示装置800沿着线C-C的剖面结构设计类似于图4时，透明显示装置800还包括阻障封装多层结构250、平坦保护层160与像素定义层170。在本实施例中，阻障封装多层结构250、平坦保护层160与像素定义层170大致上相同于图4所记载的阻障封装多层结构250、平坦保护层160与像素定义层170。因此，这些构件的结构设计与配置关系可参考前述实施例的说明。另外，透明显示装置800沿线D-D的剖面可如图12所示。在图12的实施方式中，透光区导电层180与第二顶导电图案844被阻障封装多层结构250的第一阻隔层152覆盖。
在透明显示装置800沿着线C-C的剖面结构设计类似于图5时，透明显示装置800还包括阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层170。在本实施例中，阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层170大致上相同于图2所记载的阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层170。因此，这些构件的结构设计与配置关系可参考前述实施例的说明。另外，透明显示装置800沿线D-D的剖面可大致如图13，其相似于图11。在图13的实施方式中，阻障封装多层结构850可例如为图5的阻障封装多层结构350，透光区导电层180与第二顶导电图案844不被阻障封装多层结构350的任何阻隔层覆盖。
在透明显示装置800沿着线C-C的剖面结构设计类似于图6时，透明显示装置800还包括阻障封装多层结构350、平坦保护层160与像素定义层170。在本实施例中，阻障封装多层结构350、平坦保护层160与像素定义层170大致上相同于图6所记载的阻障封装多层结构350、平坦保护层160与像素定义层170。因此，这些构件的结构设计与配置关系可参考前述实施例的说明。另外，透明显示装置800沿线D-D的剖面的一实施例示意图可如图14所示。具体而言，如图14所示，在平坦保护层160与像素定义层170之间更配置有无机保护层402，其中无机保护层402覆盖平坦保护层160的侧壁与上表面，且位于像素定义层170与平坦保护层160之间。图14中的部分构件的元件符号相同于图11，而可参考图11的相关说明理解这些构件的配置与设计，于此不再详述。
在透明显示装置800沿着线C-C的剖面结构设计类似于图7时，透明显示装置800还包括阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层570。在本实施例中，阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层570大致上相同于图7所记载的阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层570。因此，这些构件的结构设计与配置关系可参考前述实施例的说明。另外，透明显示装置800沿线D-D的剖面的一实施例示意图如图15所示。具体而言，图15与图11相似，图15中的部分构件的元件符号相同于图11，而可参考图11的相关说明理解这些构件的配置与设计，于此不再详述。在图15中，像素定义层570完全位在平坦保护层160的上表面而未覆盖平坦保护层160的侧壁。在图15中，透光区导电层180覆盖且接触平坦保护层160的侧壁。
在透明显示装置800沿着线C-C的剖面结构设计类似于图8时，透明显示装置800还包括阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层670，且第一挡墙结构130的剖面结构类似图8的第一挡墙结构630。在本实施例中，阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层170大致上相同于图8所记载的阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层670。因此，这些构件的结构设计与配置关系可参考前述实施例的说明。另外，透明显示装置800沿线D-D的剖面的一实施例示意图如图16所示。具体而言，图16与图11相似，图16中的部分构件的元件符号相同于图11，而可参考图11的相关说明理解这些构件的配置与设计，于此不再详述。在图16中，第二挡墙结构834配置于平坦保护层160的上表面且第二电极传输线路190夹于第二挡墙结构834与平坦保护层160之间。换言之，第二挡墙结构834与平坦保护层160之间可以没有像素定义层670。
在透明显示装置800沿着线C-C的剖面结构设计类似于图9时，透明显示装置800还包括阻障封装多层结构150、平坦保护层760与像素定义层770。在本实施例中，阻障封装多层结构150、平坦保护层760与像素定义层770大致上相同于图9所记载的阻障封装多层结构150、平坦保护层760与像素定义层770。因此，这些构件的结构设计与配置关系可参考前述实施例的说明。另外，透明显示装置800沿线D-D的剖面的一实施例的示意图如图17所示。具体而言，图17与图11相似，图17中的部分构件的元件符号相同于图11，而可参考图11的相关说明理解这些构件的配置与设计，于此不再详述。在图17中，平坦保护层760完全覆盖在基板110上，且整个像素定义层770配置于平坦保护层760上，而且透光区导电层180覆盖于平坦保护层760上。
图18为本发明一实施例的透明显示装置的局部俯视示意图。请参考图18，透明显示装置900包括基板110、发光元件120、挡墙结构930、图案化顶导电层940以及透光区导电层180。发光元件120与挡墙结构930都配置于基板110上。图案化顶导电层940配置于挡墙结构930的顶面。图18中图案化顶导电层940与挡墙结构930重叠，且图18采用细点图案表示图案化顶导电层940的面积。发光元件120位于发光区112中且位于挡墙结构930所围绕的发光区112内。透光区导电层180配置于透光区114中。另外，图18以发光元件120包括多个有机发光结构121做为示例，但在其他实施例中，发光元件120可为单一个有机发光结构121。在本实施例中，透光区114可以没有阻障封装多层结构150，有助于提高透明显示装置900在透光区114的可见光穿透率，使透明显示装置900的透明度提升。
在本实施例中，挡墙结构930包括第一挡墙结构130与第二挡墙结构934。第一挡墙结构130可围绕发光元件120且将基板110划分出发光区112以及透光区114，并定义出透光区114与发光区112的交界。也就是说，第一挡墙结构130在俯视图的布局方式可大致相同于前述实施例的第一挡墙结构130。第二挡墙结构934位于发光区112中且连接于第一挡墙结构130以在发光区112中构成网格。另外，图案化顶导电层940在本实施例中除了沿着第一挡墙结构130的顶面分布以构成第一顶导电图案140外，也沿着第二挡墙结构934的顶面分布以构成第二顶导电图案944。图案化顶导电层940顺应着挡墙结构930而构成网格状的导电图案。具体来说，透明显示装置900沿着线E-E的剖面结构设计可以如图2与图4～9中任意一者相同。
以透明显示装置900沿着线E-E的剖面结构设计类似于图2为例，可理解本实施例的透明显示装置900还包括阻障封装多层结构150、平坦保护层160、像素定义层170，这些构件的结构设计与配置方式可参考前述实施例的描述。由图2也可知，发光元件120包括驱动电路复合层122、第一电极124、发光层126与第二电极128，其中第一电极124、发光层126与第二电极128的堆栈结构可构成有机发光结构121。
在透明显示装置900沿着线E-E的剖面结构设计大致相同于图2的实施例中，透明显示装置900还包括阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层170。在本实施例中，阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层170大致上相同于图2所记载的阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层170。因此，这些构件的结构设计与配置关系可参考前述实施例的说明。此时，透明显示装置900沿线F-F的剖面的一实施例示意图可如图19所示。如图18与图19所示，第二挡墙结构934叠置于像素定义层170的分隔部174上，且第二挡墙结构934横越整个发光区112，将发光区112画分出独立的子区域112A。由图19可知，第二挡墙结构934具有底切侧壁934S，各子区域112A的第二电极128通过底切侧壁934S与第二挡墙结构934顶面的第二顶导电图案944分隔开来。如此一来，不同子区域112A的第二电极128并不连续，而被第二挡墙结构934分隔开来。
在本实施例中，像素定义层170的分隔部174可具有多个导通开口174X，导通开口174X分别位于第二挡墙结构934的相对两侧的两个子区域112A中。像素定义层170与平坦保护层160之间更设置有第二电极传输线路190，且导通开口174X的面积重叠于第二电极传输线路190的面积。第二电极128填入导通开口174X而电性连接第二电极传输线路190。如此一来，第二电极传输线路190可将相邻两个子区域112A的第二电极128电性连接在一起并且用以传递第二电极128的信号。
在本实施例中，第一顶导电图案140沿着第一挡墙结构130分布且第二顶导电图案944沿着第二挡墙结构934分布而构成网格状的导电图案，且第一顶导电图案140与第二顶导电图案944不与其他的导电结构电性连接而可作为触控感测电极。透明显示装置900无须额外设置触控感测用的相关导电构件就可以采用既有的图案化顶导电层940来实现触控感测功能。在其他实施例中，透明显示装置900的阻障封装多层结构150可由图4与图5中的阻障封装多层结构250与350的任一者替代；或是，在阻障封装多层结构150与像素定义层160之间可增设如图6的无机保护层402。
图20为本发明一实施例的透明显示装置的局部俯视示意图。请参考图20，透明显示装置1000包括基板110、发光元件120、挡墙结构1030、图案化顶导电层1040以及透光区导电层180。发光元件120与挡墙结构1030都配置于基板110上。图案化顶导电层1040配置于挡墙结构1030的顶面。图20中的图案化顶导电层1040可与挡墙结构1030重叠，且图20采用细点图案表示图案化顶导电层1040的面积。发光元件120位于发光区112中且位于挡墙结构1030所围绕的发光区112内。透光区导电层180配置于透光区114中。另外，本实施例以发光元件120包括多个有机发光结构121做为示例，但在其他实施例中，发光元件120可为单一个有机发光结构121。在本实施例中，透光区114没有阻障封装多层结构150，而有助于提高透明显示装置1000在透光区114的可见光穿透率，使透明显示装置1000的透明度提升。
在本实施例中，挡墙结构1030包括第一挡墙结构130、第二挡墙结构1034与第三挡墙结构1036。第一挡墙结构130可围绕发光元件120且将基板110划分出发光区112以及透光区114，并定义出透光区114与发光区112的交界。也就是说，第一挡墙结构130在俯视图的布局方式大致相同于前述实施例的第一挡墙结构130。第二挡墙结构1034位于透光区114中且连接于第一挡墙结构130以在透光区114中构成网格。第三挡墙结构1036位于发光区112中且连接于第一挡墙结构130以在发光区112中构成网格。
另外，图案化顶导电层1040可包括沿着第一挡墙结构130的顶面分布以构成第一顶导电图案140、沿着第二挡墙结构1034的顶面分布以构成第二顶导电图案1044以及沿着第三挡墙结构1036的顶面分布以构成第三顶导电图案1046。也就是说，图案化顶导电层1040在发光区112与透光区124都构成导电网格图案。
第一挡墙结构130、第二挡墙结构1034与第三挡墙结构1036可分别具有前述实施例中第一挡墙结构130、第二挡墙结构834以及第二挡墙结构934的剖面结构。也就是说，第一挡墙结构130、第二挡墙结构1034与第三挡墙结构1036都具有底切侧壁。如此一来，图案化顶导电层1040的第一顶导电图案140、第二顶导电图案1044与第三顶导电图案1046不会连接透光区导电层180或是发光元件120中的电极层。透明显示装置1000可利用网格状的图案化顶导电层1040作为触控感测用的电极以实现触控感测功能。
在前述各实施例中，除了利用位在挡墙结构顶面的图案化顶导电层来做为触控感测电极外，也可选择利用额外的导电层来构成触控感测电极。
举例而言，图21为本发明一实施例的透明显示装置的局部俯视示意图。请同时参考图21，透明显示装置1100包括基板110、发光元件120、第一挡墙结构130、第二挡墙结构834、第一顶导电图案140、第二顶导电图案844、透光区导电层180以及触控线路TP，其中基板110、发光元件120、第一挡墙结构130、第二挡墙结构834、第一顶导电图案140、第二顶导电图案844与透光区导电层180的结构设计与配置方式可参考图10及其相关说明，于此不再详述。具体来说，本实施例是将触控线路TP配置于图10的透明显示装置800的一种实施方式。触控线路TP可具有网格状的布局，且在透光区114中沿着第二挡墙结构834分布，而在发光区114中沿着发光元件120的有机发光结构121之部分交界分布。沿着第二挡墙结构834分布的触控线路TP可以延伸至发光区114并且横跨发光区114。沿着发光元件120的有机发光结构121之部分交界分布的触控线路TP可以大致平行于第一挡墙结构130。
图22为图21的透明显示装置沿线G-G的剖面结构的一种实施方式示意图。由图21与图22可知，在本实施例中，透明显示装置1100还包括阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层170。在本实施例中，阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层170大致上相同于图2所记载的阻障封装多层结构150、平坦保护层160与像素定义层170。因此，这些构件的结构设计与配置关系可参考前述实施例的说明。
在本实施例中，阻障封装多层结构150包括依序堆栈于基板110上的第一阻隔层152、第二阻隔层154与第三阻隔层156，且第一阻隔层152、第二阻隔层154与第三阻隔层156彼此重叠的部分是位于发光区112中。触控线路TP则配置于第三阻隔层156上，且触控线路TP可以沿着像素定义层170的至少一部分(例如分隔不同发光二极管元件的分隔部174)而分布。不过，在其他实施例中，触控线路TP可依照不同的需求而决定其布局方式。另外，触控线路TP也可应用于图1的透明显示装置100、图18的透明显示装置900或是图20的透明显示装置1000中。
图23为图21的透明显示装置沿线G-G的剖面结构的一种实施方式示意图。由图21与图23可知，在本实施例中，透明显示装置1100还包括阻障封装多层结构250、平坦保护层160与像素定义层170。在本实施例中，阻障封装多层结构250、平坦保护层160与像素定义层170大致上相同于图4所记载的阻障封装多层结构250、平坦保护层160与像素定义层170。因此，这些构件的结构设计与配置关系可参考前述实施例的说明。
在本实施例中，阻障封装多层结构250包括依序堆栈于基板110上的第一阻隔层252与第二阻隔层254，且第一阻隔层252与第二阻隔层254彼此重叠的部分是位于发光区112中。触控线路TP则配置于第二阻隔层254上，且触控线路TP可以沿着像素定义层170的至少一部分(例如分隔不同发光二极管元件的分隔部174)而分布。不过，在其他实施例中，触控线路TP可依照不同的需求而决定其布局方式。
图24与图25为图21的透明显示装置沿线G-G与线H-H的剖面结构的一种实施方式的示意图。由图21、图24与图25可知，在本实施例中，透明显示装置1100还包括阻障封装多层结构350、平坦保护层160、像素定义层170以及第二电极传输线路190。在本实施例中，阻障封装多层结构350、平坦保护层160、像素定义层170以及第二电极传输线路190大致上相同于图5与图13所记载的阻障封装多层结构350、平坦保护层160、像素定义层170以及第二电极传输线路190。因此，这些构件的结构设计与配置关系可参考前述实施例的说明。
在本实施例中，阻障封装多层结构350包括依序堆栈于基板110上的第一阻隔层352与第二阻隔层354，且第一阻隔层352与第二阻隔层354都完全位于第一挡墙结构130所围绕的发光区112中。触控线路TP在发光区112配置于阻障封装多层结构350的第二阻隔层354上(如图24所示)，而在透光区114则配置于第二顶导电图案844，且与第二顶导电图案844接触(如图25所示)。在图21与图24中触控线路TP可以沿着像素定义层170的至少一部分(例如分隔不同发光二极管元件的分隔部174)而分布。不过，在其他实施例中，触控线路TP可依照不同的需求而决定其布局方式。
此外，前述图22至图24的剖面结构还可有其他替代的实施方式。举例而言，平坦保护层160与像素定义层170之间可更设置有如图6所示的无机保护层402。像素定义层170可替代成图7的像素定义层570。像素定义层170与第一挡墙结构130的配置关系可以替代成图8的像素定义层670与第一挡墙结构630的配置关系。或是，平坦保护层160可替代成图9的平坦保护层760。
本发明实施例的透明显示装置在发光区与透光区之间的交界设置挡墙结构，利用挡墙结构将阻障封装多层结构的至少一个阻隔层配置于发光区内。透明显示装置的透光区可具有良好的可见光穿透率，且在发光区提供良好的水氧阻隔效果以使发光区的元件不易因外界水氧的入侵而损坏。
虽然本发明以上述实施例公开，但具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明，任何本技术领域技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，可作一些的变更和完善，故本发明的权利保护范围以权利要求书及其均等范围为准。

Claims (20)

1.一种透明显示装置，其特征在于，包括：
基板，具有发光区及透光区；
发光元件，配置于该基板上，位于该发光区中；
第一挡墙结构，配置于该基板上，且该第一挡墙结构具有底切侧壁，其中该第一挡墙结构为该透光区与该发光区的交界，且该发光元件位于该第一挡墙结构所围绕的该发光区中；
第一顶导电图案，位于该第一挡墙结构的顶面上；以及
阻障封装多层结构，配置于该发光元件上，其中该阻障封装多层结构包括第一阻隔层与第二阻隔层，该第一阻隔层与该第二阻隔层彼此重叠的部分位于由该第一挡墙结构围绕的该发光区中。
2.如权利要求1所述的透明显示装置，其特征在于，该发光元件包括驱动电路复合层、第一电极、发光层与第二电极，该驱动电路复合层配置于该基板上，该第一电极、该发光层与该第二电极依序叠置而构成发光二极管，该发光二极管配置于该驱动电路复合层上，且该第一电极电性连接该驱动电路复合层。
3.如权利要求2所述的透明显示装置，其特征在于，还包括像素定义层，该像素定义层具有像素开口，该发光层位于该像素开口中，该第二电极连续地覆盖该发光层以及该像素定义层，且该像素定义层与该发光层位于该第二电极与该驱动电路复合层之间。
4.如权利要求3所述的透明显示装置，其特征在于，还包括第二电极传输线路，配置于该像素定义层与该驱动电路复合层之间，其中该像素定义层更具有导通开口，该第二电极覆盖该导通开口以在该导通开口连接该第二电极传输线路。
5.如权利要求3所述的透明显示装置，其特征在于，该像素定义层包括外周部，该外周部沿着该发光区与该透光区的交界延伸分布。
6.如权利要求5所述的透明显示装置，其特征在于，该第一挡墙结构叠置于该像素定义层的该外周部上。
7.如权利要求5所述的透明显示装置，其特征在于，该像素定义层的该外周部位于该第一挡墙结构与该发光元件之间，且该第一挡墙结构的高度高于该像素定义层的高度。
8.如权利要求3所述的透明显示装置，其特征在于，还包括平坦保护层，该平坦保护层配置于该驱动电路复合层与该第一电极之间以覆盖该驱动电路复合层，且该像素定义层配置于该平坦保护层上。
9.如权利要求8所述的透明显示装置，其特征在于，该像素定义层还覆盖该平坦保护层的侧壁。
10.如权利要求8所述的透明显示装置，其特征在于，该平坦保护层还覆盖该透光区。
11.如权利要求8所述的透明显示装置，其特征在于，还包括无机保护层，覆盖该平坦保护层，且位于该像素定义层与该平坦保护层之间。
12.如权利要求2所述的透明显示装置，其特征在于，还包括第二挡墙结构以及第二顶导电图案，该第二挡墙结构配置于该基板上，位于该发光区中并连接该第一挡墙结构，且该第二顶导电图案配置于该第二挡墙结构的顶面并沿该第二挡墙结构分布。
13.如权利要求1所述的透明显示装置，其特征在于，还包括透光区导电层，配置于该透光区中。
14.如权利要求13所述的透明显示装置，其特征在于，还包括第二挡墙结构以及第二顶导电图案，该第二挡墙结构配置于该基板上，位于该透光区中并连接该第一挡墙结构以围出多个开口，且该第二顶导电图案配置于该第二挡墙结构的顶面并沿该第二挡墙结构分布，其中该透光区导电层配置于所述开口中。
15.如权利要求1所述的透明显示装置，其特征在于，该第一阻隔层位于该第二阻隔层与该发光元件之间，且该第二阻隔层位于由该第一挡墙结构围绕的该发光区中。
16.如权利要求15所述的透明显示装置，其特征在于，该阻障封装多层结构还包括第三阻隔层，且该第二阻隔层夹于该第一阻隔层与该第三阻隔层之间。
17.如权利要求16所述的透明显示装置，其特征在于，该第一阻隔层与该第三阻隔层在该第二阻隔层外彼此接触以包覆该第二阻隔层。
18.如权利要求15所述的透明显示装置，其特征在于，该第一阻隔层连续覆盖该第一挡墙结构的该第一底切侧壁。
19.如权利要求15所述的透明显示装置，其特征在于，该第一阻隔层位于由该第一挡墙结构围绕的该发光区中。
20.如权利要求1所述的透明显示装置，其特征在于，还包括触控线路，配置于该基板上且该触控线路在该发光区中位于该阻障封装多层结构上。
CN201810035746.4A 2017-08-18 2018-01-15 透明显示装置 Active CN109410758B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762547118P 2017-08-18 2017-08-18
US62/547,118 2017-08-18
TW106139692A TWI634468B (zh) 2017-08-18 2017-11-16 透明顯示裝置
TW106139692 2017-11-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109410758A true CN109410758A (zh) 2019-03-01
CN109410758B CN109410758B (zh) 2021-03-09

Family

ID=64452725

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810035746.4A Active CN109410758B (zh) 2017-08-18 2018-01-15 透明显示装置
CN201810186560.9A Pending CN109411420A (zh) 2017-08-18 2018-03-07 电子元件封装体

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810186560.9A Pending CN109411420A (zh) 2017-08-18 2018-03-07 电子元件封装体

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10468469B2 (zh)
CN (2) CN109410758B (zh)
TW (3) TWI634468B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110021649A (zh) * 2019-03-28 2019-07-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板
CN111755622A (zh) * 2020-06-17 2020-10-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN111949151A (zh) * 2019-05-17 2020-11-17 欣兴电子股份有限公司 触控显示面板及其制造方法
CN112885971A (zh) * 2019-11-29 2021-06-01 乐金显示有限公司 透明显示面板及其制造方法
CN114578622A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 乐金显示有限公司 显示装置
CN115000124A (zh) * 2021-11-11 2022-09-02 荣耀终端有限公司 显示面板、显示屏及电子设备

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102524429B1 (ko) 2017-10-31 2023-04-20 엘지디스플레이 주식회사 투명 디스플레이 장치
KR102537760B1 (ko) * 2017-12-22 2023-05-31 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
CN108649057B (zh) * 2018-05-14 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN109103217B (zh) * 2018-07-30 2021-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled面板以及显示装置
KR102646719B1 (ko) * 2019-02-22 2024-03-14 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109873022B (zh) * 2019-03-21 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种背板、显示装置以及背板的制备方法
TWI698786B (zh) * 2019-05-14 2020-07-11 欣興電子股份有限公司 觸控顯示面板及其製造方法
WO2021010217A1 (ja) * 2019-07-16 2021-01-21 Ａｇｃ株式会社 透明表示装置、合わせガラス、及び透明表示装置の製造方法
KR20210014813A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210016161A (ko) 2019-08-01 2021-02-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110444572A (zh) * 2019-08-13 2019-11-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
US11937346B2 (en) * 2019-09-12 2024-03-19 Pioneer Corporation Light emitting device
CN110739340B (zh) * 2019-10-30 2022-06-24 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
CN111834396A (zh) * 2019-12-13 2020-10-27 云谷（固安）科技有限公司 透光显示面板、显示面板及显示装置
CN111430439B (zh) * 2020-04-27 2022-08-30 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN116058108A (zh) 2020-09-04 2023-05-02 应用材料公司 制造具有无机像素包封阻挡层的oled面板的方法
KR20220072102A (ko) * 2020-11-24 2022-06-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20230018885A (ko) * 2021-07-30 2023-02-07 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
WO2023014897A1 (en) 2021-08-04 2023-02-09 Applied Materials, Inc. Descending etching resistance in advanced substrate patterning
CN115915864A (zh) 2021-08-17 2023-04-04 群创光电股份有限公司 显示面板以及电子装置
JP7361814B2 (ja) * 2022-02-08 2023-10-16 日機装株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
US11610954B1 (en) 2022-02-14 2023-03-21 Applied Materials, Inc. OLED panel with advanced sub-pixel overhangs
US11882709B2 (en) 2022-05-12 2024-01-23 Applied Materials, Inc. High resolution advanced OLED sub-pixel circuit and patterning method
US11527732B1 (en) 2022-05-31 2022-12-13 Applied Materials, Inc. OLED anode structures including amorphous transparent conducting oxides and OLED processing method comprising the same

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101436608A (zh) * 2007-11-16 2009-05-20 三星移动显示器株式会社 有机发光显示设备
JP4284971B2 (ja) * 2002-11-01 2009-06-24 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌパネルの製造方法
CN102668706A (zh) * 2009-11-17 2012-09-12 夏普株式会社 有机el显示器
CN103219469A (zh) * 2012-01-20 2013-07-24 财团法人工业技术研究院 发光组件
CN103700685A (zh) * 2013-12-12 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置
CN104885251A (zh) * 2012-12-28 2015-09-02 乐金显示有限公司 透明的有机发光显示装置及其制造方法
CN105679789A (zh) * 2014-12-05 2016-06-15 乐金显示有限公司 透明有机发光显示装置及其制造方法
EP3136439A1 (en) * 2015-08-24 2017-03-01 LG Display Co., Ltd. Transparent display device
CN106803514A (zh) * 2017-02-22 2017-06-06 上海天马微电子有限公司 一种集成触控的机发光二极管显示装置
CN106848088A (zh) * 2015-12-07 2017-06-13 上海和辉光电有限公司 显示模组封装结构及其制备方法
CN106951125A (zh) * 2017-03-30 2017-07-14 上海天马微电子有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0627495B1 (en) 1993-05-10 1998-08-12 Optical Coating Laboratory, Inc. Self-healing UV-barrier coating with flexible polymer substrate
US6573652B1 (en) * 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
JP2004537448A (ja) 2001-08-20 2004-12-16 ノバ−プラズマ インコーポレイテッド 気体および蒸気に対する浸透度の低いコーティング
US6949389B2 (en) 2002-05-02 2005-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for organic light emitting diodes devices
AU2003266410A1 (en) * 2003-07-30 2005-02-25 Infineon Technologies Ag High-k dielectric film, method of forming the same and related semiconductor device
CN100466328C (zh) * 2003-10-29 2009-03-04 铼宝科技股份有限公司 有机发光显示面板
CN100380704C (zh) * 2003-10-29 2008-04-09 铼宝科技股份有限公司 有机发光显示面板
CN100411186C (zh) * 2003-10-29 2008-08-13 铼宝科技股份有限公司 有机发光显示面板
JP3992001B2 (ja) * 2004-03-01 2007-10-17 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
JP4121514B2 (ja) * 2004-07-22 2008-07-23 シャープ株式会社 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置
CN100470320C (zh) * 2005-06-09 2009-03-18 财团法人工业技术研究院 广视角可挠式彩色化显示器及制造方法
US7829938B2 (en) * 2005-07-14 2010-11-09 Micron Technology, Inc. High density NAND non-volatile memory device
JP5527956B2 (ja) * 2007-10-10 2014-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板の製造方法
AU2009234506B2 (en) 2008-04-09 2013-11-21 Agency For Science, Technology And Research Multilayer film for encapsulating oxygen and/or moisture sensitive electronic devices
JP5467792B2 (ja) * 2008-04-24 2014-04-09 日東電工株式会社 可撓性基板
DE102009023350A1 (de) * 2009-05-29 2010-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
TW201132707A (en) * 2010-01-07 2011-10-01 Dow Corning Toray Co Ltd Cured organopolysiloxane resin film having gas barrier properties and method of producing the same
US20110291544A1 (en) * 2010-05-31 2011-12-01 Industrial Technology Research Institute Gas barrier substrate, package of organic electro-luminenscent device and packaging method thereof
JP6006975B2 (ja) * 2011-05-19 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI621650B (zh) * 2011-06-23 2018-04-21 三井化學股份有限公司 光學半導體用之表面密封劑、使用其的有機ｅｌ裝置的製造方法、有機ｅｌ裝置、有機ｅｌ顯示器面板、以及薄板狀表面密封成形物
TWI525808B (zh) 2011-10-24 2016-03-11 宏達國際電子股份有限公司 有機發光顯示器及其製造方法
TW201324888A (zh) 2011-12-01 2013-06-16 Chimei Innolux Corp 有機發光二極體與其所組成之有機發光二極體顯示器
KR20130064486A (ko) * 2011-12-08 2013-06-18 삼성디스플레이 주식회사 광투과율 제어가 가능한 표시장치
JP6078051B2 (ja) * 2012-03-30 2017-02-08 リンテック株式会社 ガスバリアフィルム積層体、電子デバイス用部材、及び電子デバイス
JP6142151B2 (ja) * 2012-07-31 2017-06-07 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
US10081741B2 (en) 2012-11-30 2018-09-25 Lintec Corporation Adhesive agent composition, adhesive sheet, and electronic device
KR102010789B1 (ko) * 2012-12-27 2019-10-21 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법
TW201430909A (zh) * 2013-01-16 2014-08-01 United Microelectronics Corp 不同表面上之膜層的製造方法
US10323317B2 (en) 2013-03-29 2019-06-18 Lintec Corporation Gas barrier laminate, member for electronic device, and electronic device
KR102158771B1 (ko) * 2013-08-08 2020-09-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104638132A (zh) * 2013-11-12 2015-05-20 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
WO2015083823A1 (ja) * 2013-12-06 2015-06-11 シャープ株式会社 発光体基板、太陽電池、表示装置、照明装置、電子機器、有機ｅｌ素子、及び発光体基板の製造方法
EP3112432A4 (en) 2014-02-25 2017-09-27 LINTEC Corporation Adhesive composition, adhesive sheet, and electronic device
KR20170056558A (ko) * 2014-09-16 2017-05-23 엘지디스플레이 주식회사 광 제어 장치, 광 제어 장치의 제조 방법 및 광 제어 장치를 포함하는 표시 장치
CN104900681B (zh) * 2015-06-09 2019-02-05 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其形成方法
JP6685675B2 (ja) * 2015-09-07 2020-04-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子、それを用いた有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
US20190044091A1 (en) * 2015-09-29 2019-02-07 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescence panel and method for manufacturing the same
KR20170061227A (ko) * 2015-11-25 2017-06-05 삼성디스플레이 주식회사 유기막 형성용 조성물 및 이의 경화물을 포함한 전자 장치
TWI740908B (zh) * 2016-03-11 2021-10-01 南韓商三星顯示器有限公司 顯示設備
US10283574B2 (en) * 2016-03-25 2019-05-07 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus with bending area capable of minimizing manufacturing defects
TWI609028B (zh) * 2016-05-06 2017-12-21 財團法人工業技術研究院 共聚物與含其之樹脂組合物、封裝膜及封裝結構
CN106876434B (zh) * 2017-03-02 2019-08-30 上海天马微电子有限公司 一种有机发光二极管显示面板、其制作方法及显示装置
JP2018181799A (ja) * 2017-04-21 2018-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の製造方法
KR102333671B1 (ko) * 2017-05-29 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US10170526B1 (en) * 2017-08-16 2019-01-01 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode display panel and method for manufacturing same

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4284971B2 (ja) * 2002-11-01 2009-06-24 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌパネルの製造方法
CN101436608A (zh) * 2007-11-16 2009-05-20 三星移动显示器株式会社 有机发光显示设备
CN102668706A (zh) * 2009-11-17 2012-09-12 夏普株式会社 有机el显示器
CN103219469A (zh) * 2012-01-20 2013-07-24 财团法人工业技术研究院 发光组件
CN104885251A (zh) * 2012-12-28 2015-09-02 乐金显示有限公司 透明的有机发光显示装置及其制造方法
CN103700685A (zh) * 2013-12-12 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置
CN105679789A (zh) * 2014-12-05 2016-06-15 乐金显示有限公司 透明有机发光显示装置及其制造方法
EP3136439A1 (en) * 2015-08-24 2017-03-01 LG Display Co., Ltd. Transparent display device
CN106848088A (zh) * 2015-12-07 2017-06-13 上海和辉光电有限公司 显示模组封装结构及其制备方法
CN106803514A (zh) * 2017-02-22 2017-06-06 上海天马微电子有限公司 一种集成触控的机发光二极管显示装置
CN106951125A (zh) * 2017-03-30 2017-07-14 上海天马微电子有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110021649A (zh) * 2019-03-28 2019-07-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板
CN111949151A (zh) * 2019-05-17 2020-11-17 欣兴电子股份有限公司 触控显示面板及其制造方法
CN111949151B (zh) * 2019-05-17 2023-11-14 欣兴电子股份有限公司 触控显示面板及其制造方法
CN112885971A (zh) * 2019-11-29 2021-06-01 乐金显示有限公司 透明显示面板及其制造方法
CN111755622A (zh) * 2020-06-17 2020-10-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN114578622A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 乐金显示有限公司 显示装置
CN115000124A (zh) * 2021-11-11 2022-09-02 荣耀终端有限公司 显示面板、显示屏及电子设备
CN115000124B (zh) * 2021-11-11 2023-09-01 荣耀终端有限公司 显示面板、显示屏及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
TWI648827B (zh) 2019-01-21
CN109410758B (zh) 2021-03-09
TW201913910A (zh) 2019-04-01
TW201913337A (zh) 2019-04-01
TWI678771B (zh) 2019-12-01
US20190058020A1 (en) 2019-02-21
CN109411420A (zh) 2019-03-01
US10468469B2 (en) 2019-11-05
TW201913912A (zh) 2019-04-01
TWI634468B (zh) 2018-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109410758A (zh) 透明显示装置
CN106951125B (zh) 一种触控显示面板及触控显示装置
CN111381723B (zh) 包括触摸传感器的显示面板及其缺陷检测方法和显示装置
KR101973163B1 (ko) 디스플레이 장치
TWI712195B (zh) 具有觸控感測器之發光顯示裝置
CN109390381B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
KR101492690B1 (ko) 터치 감지 패널
CN106057845A (zh) 显示装置
TW201814462A (zh) 具有觸控感測器的顯示裝置
CN108874202A (zh) 显示装置
CN109979981A (zh) 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN110391276A (zh) 有机发光显示装置
US11730010B2 (en) Display device with island-shape spacers in non-display area
KR20170110214A (ko) 디스플레이 장치
US20190206848A1 (en) Display apparatus
KR20220157342A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN113557470B (zh) 显示基板及显示装置
CN110045874B (zh) 一种触控显示面板和触控显示装置
CN111048688B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN108922884A (zh) 发光二极管显示器
KR100553247B1 (ko) 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
CN108550603B (zh) 柔性显示面板、显示装置及其制作方法
JP6815173B2 (ja) タッチセンサ及び表示装置
KR20190073149A (ko) 터치 내장형 표시 장치
CN107305454B (zh) 一种触控显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant