CN108780693A - 磁性元件 - Google Patents

Abstract

本发明的课题在于提供一种磁性元件，其为混合型，其中，组合有与磁芯外周部相比较相对导磁率较高的磁芯芯体，而且可抑制相对导磁率较低的磁芯外周部的磁饱和。磁性元件(1)包括：磁芯外周部(5)，其位于线圈(3)的外周侧；磁芯芯体(6)，其由相对导磁率高于该磁芯外周部(5)的材料制成；两侧的连接磁芯部(6、6)，其位于线圈(3)的轴向两端的各外侧，将磁芯芯体(4)和磁芯外周部(5)连接。两侧的连接磁芯部(6、6)或一侧的连接磁芯部(6)中的至少一部分由磁芯芯体法兰部(4a)构成，该磁芯芯体法兰部(4a)作为磁芯芯体(4)的一部分，从磁芯芯体(4)朝向磁芯外周部(6)而延伸，连接磁芯部(6)中的除了磁芯芯体法兰部(4a)以外的部分由作为磁芯外周部(5)的一部分的连接磁芯部结构部分(5a)构成。

Description

磁性元件

相关申请

本申请要求申请日为2016年3月15日、申请号为JP特愿2016－050896号申请的优先权，通过参照其整体，将其作为构成本申请的一部分的内容而进行引用。

技术领域

本发明涉及在电气设备或电子设备中，灵活地用作比如感应器、变压器、天线(杆式天线等)、扼流圈、滤波器、传感器等的树脂成形磁性芯体部件等的磁性元件。

背景技术

近年，在电气设备或电子设备的小型化、高频率化、大电流化开展的过程中，称为磁芯部件等的磁性元件也要求同样的应对。但是，在当前主流的铁氧体材料的场合，材料特性本身具有极限，人们正在摸索新的材料。仙台铁硅铝磁性合金(センダスト：sendust)、非晶形箔带等的新材料置换为铁氧体材料，但是，其限于一部分的领域。磁特性优良的非晶形粉末材料也出现，但是，成形性比过去的材料差，没有普及。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特许第4763609号公报

专利文献2：JP特开2015－185673号公报

发明内容

发明要解决的课题

相对该情况，在专利文献1中记载了下述的方法，在该方法中，通过绝缘材料而覆盖用于注塑成形的树脂组合物中包含的磁性元件，将压缩成形磁性体和压力粉末磁铁成形体中的任意者以内嵌方式成形于上述树脂组合物中，压缩成形磁性体或压粉磁铁成形体包括熔点低于成形温度的粘接剂，通过注塑成形制造具有规定的磁特性的磁芯部件。

还有，在由磁芯和线圈构成的感应器等的磁性元件中，由于贯穿磁芯的内部的磁通欲通过能量效率良好的通路，故磁路的边角部与直线部相比较，磁通容易集中。特别是对于卷绕有线圈的磁芯芯体，由于其磁通密度最高，故外周磁芯的磁芯芯体附近的边角部与远离磁芯芯体的边角部相比较，其磁通容易集中。

在像罐型那样，于法兰部分，磁路截面面积变化的形状的场合，像图22中的箭头a1所示的那样，磁通流动，在接近线圈卷绕部的中心附近，磁通密度高。

另外，在图21所示的那样的与外周磁芯105相比较，磁芯芯体104的相对导磁率高的混合型电感线圈(专利文献2)中，对于磁芯芯体104的端部附近的外周磁芯部分104a，磁通容易集中，饱和磁通密度低，由此，容易产生磁饱和。如果磁芯102产生磁饱和，则产生泄漏磁通，感应器的效率降低。

本发明的目的在于提供一种磁性元件，其为组合与磁芯外周部相比较，相对导磁率较高的磁芯芯体的混合型，同时可抑制相对导磁率较低的磁芯外周部的磁饱和。

用于解决课题的技术方案

本发明的一个方案的磁性元件包括：磁芯外周部，该磁芯外周部位于线圈的外周侧；磁芯芯体，该磁芯芯体由相对导磁率高于该磁芯外周部的材料制成，位于该线圈的内周侧；两侧的连接磁芯部，该连接磁芯部位于上述线圈的轴向两端的各外侧，分别将上述磁芯芯体和磁芯外周部连接，上述两侧的连接磁芯部或上述两侧的连接磁芯部中的任意一侧的连接磁芯部中的至少一部分由磁芯芯体法兰部构成，该磁芯芯体法兰部作为上述磁芯芯体的一部分，从上述磁芯芯体朝向上述磁芯外周部而延伸，上述两侧的连接磁芯部中的除了上述磁芯芯体法兰部以外的部分由作为上述磁芯外周部的一部分的连接磁芯部结构部分构成。

按照该方案，为下述的混合型，在该混合型中，具有磁芯外周部和磁芯芯体，该磁芯芯体由相对导磁率高于该磁芯外周部的材料制成，故通过磁芯外周部和磁芯芯体的相对导磁率的组合，将磁性元件整体的相对导磁率调整在任意的值这一点容易。另一方面，如果为混合型，则具有磁芯芯体的端部附近的磁芯外周部容易磁性饱和的课题。如果相对该情况形成上述的方案，则按照将卷绕有线圈的磁芯芯体附近的磁路边角部置换为相对导磁率高的材料的方式，在磁芯芯体上设置法兰部。即，将连接磁芯芯体和磁芯外周部的连接磁芯部中的磁芯芯体侧的部分作为构成由相对导磁率高的材料形成的磁芯芯体的一部分的法兰部。由此，可缓和磁通的集中，可抑制由相对导磁率低的材料形成的磁芯外周部在磁路的边角部处发生磁饱和的情况。

上述磁芯芯体法兰部的前端的截面形状也可为台阶形状，其中，上述轴向的外方部分与内方部分相比较，朝向上述磁芯外周部以更大的程度而突出，上述磁芯外周部的上述连接磁芯部结构部分的前端为与上述磁芯芯体法兰部的上述台阶形状啮合的截面形状。在该结构的场合，由于在台阶形状的部分，磁芯芯体与磁芯外周部啮合，故进行两者的轴向的定位。

上述连接磁芯部的整体或一部分也可为上述磁芯芯体法兰部和磁芯外周法兰部的二重结构，该磁芯外周法兰部在上述轴向位于该法兰部的内侧，从上述磁芯外周部朝向上述磁芯芯体而延伸。即使在像这样，连接磁芯部为二重结构，在该二重结构中，磁芯芯体法兰部位于磁芯外周部的法兰部的轴向外侧的情况下，仍进行两者的轴向的定位。

也可在上述连接磁芯部为上述台阶形状或二重形状的场合，上述磁芯芯体在上述轴向的中途位置具有间隙。设置上述间隙，以便获得所希望的磁特性，但是，在于台阶形状的部分，磁芯芯体和磁芯外周部啮合的场合，磁芯芯体的间隙的两侧部分相对磁芯外周部，分别在上述轴向而定位。由于像这样，间隙的两侧的磁芯芯体部分实现定位，故上述间隙确定，可省略用于确保该间隙的尺寸的间隔件。

上述两侧的连接磁芯部中的任意一侧的连接磁芯部也可在上述磁芯芯体的轴向端面具有经由间隙而面对的部分，包括该部分的上述一侧的连接磁芯部的整体由上述磁芯外周部的上述连接磁芯部结构部分构成。在该结构的场合，形成如下结构，在磁芯芯体的一端设置法兰部，在另一端形成相对磁芯外周部的间隙的结构，由此，即使在磁芯芯体于中间处没有形成间隙的一体成型的情况下，仍可在磁性元件的内部设置间隙，仍可抑制向线圈的磁通泄漏。

上述磁芯芯体中的至少一者的上述磁芯芯体法兰部也可至少延伸到，上述磁芯外周部中的作为与线圈面对的面的内周面，上述磁芯芯体的热传导率高于磁芯外周部。如果热传导率高的磁芯芯体的法兰部延伸到磁芯外周部的内周面，则磁性元件的磁芯的热传导率高的部分扩大。由此，可提高磁性元件的冷却性能。另外，在用于磁芯的材料中，相对导磁率高的材料的热传导率也高的情况多。

上述磁芯芯体也可为圆柱状，上述磁芯外周部为圆筒状。也可为所谓的罐型的磁性元件。可通过形成本发明的在磁芯芯体上设置法兰部的结构，缓和磁饱和，由此，与没有法兰部的场合相比较，可减少连接磁芯部的厚度。

权利要求书和/或说明书和/或附图中公开的至少2个结构中的任意的组合均包含在本发明中。特别是，权利要求书中的各项权利要求的2个以上的任意的组合也包含在本发明中。

附图说明

根据参照附图的下面的优选的实施形式的说明，会更清楚地理解本发明。但是，实施形式和附图用于单纯的图示和说明，不应用于限制本发明的范围。本发明的范围由权利要求书确定。在附图中，多个附图中的同一部件标号表示同一或相应部分。

图1为本发明的第1实施方式的磁性元件的剖视图；

图2为图1的磁性元件的俯视图；

图3为本发明的第2实施方式的磁性元件的剖视图；

图4为本发明的第3实施方式的磁性元件的剖视图；

图5为本发明的第4实施方式的磁性元件的剖视图；

图6为本发明的第5实施方式的磁性元件的剖视图；

图7为本发明的第6实施方式的磁性元件的剖视图；

图8为本发明的第7实施方式的磁性元件的剖视图；

图9为本发明的第8实施方式的磁性元件的剖视图；

图10为本发明的第9实施方式的磁性元件的剖视图；

图11为本发明的第10实施方式的磁性元件的剖视图；

图12为本发明的第11实施方式的磁性元件的剖视图；

图13为本发明的第12实施方式的磁性元件的剖视图；

图14为本发明的第13实施方式的磁性元件的剖视图；

图15为本发明的第14实施方式的磁性元件的剖视图；

图16为本发明的第15实施方式的磁性元件的剖视图；

图17为本发明的第16实施方式的磁性元件的剖视图；

图18为本发明的第17实施方式的磁性元件的剖视图；

图19为本发明的第18实施方式的磁性元件的剖视图；

图20为本发明的第19实施方式的磁性元件的磁芯的立体图；

图21为过去的磁性元件的剖视图；

图22为过去的磁性元件的磁通流的说明图。

具体实施方式

根据图1和图2，对本发明的第1实施方式进行说明。该磁性元件1由磁芯2和线圈3构成。上述磁芯2由磁芯外周部5和磁芯芯体4构成，该磁芯外周部5位于线圈3的外周侧，该磁芯芯体4由相对导磁率高于该磁芯外周部5的材料制成，位于该线圈3的内周侧。在线圈3的轴向两端各外侧分别形成连接磁芯部6、6，该连接磁芯部6、6将上述磁芯芯体4和磁芯外周部5连接。各连接磁芯部6由磁芯芯体4的法兰部4a与法兰状的连接磁芯部结构部分5a构成，该连接磁芯部结构部分5a为磁芯外周部5的一部分。法兰部4a从磁芯芯体4的圆柱状部分向线圈3的径向而延伸。连接磁芯部结构部分5a位于法兰部4a的径向外侧。磁芯芯体4为热传导率高于磁芯外周部5的材质。

该磁性元件1为所谓的罐型，磁芯芯体4呈带有法兰部的圆柱状，磁芯外周部5为带法兰的圆筒状，上述法兰部4a和连接磁芯部结构部分5a从轴向而观看，均呈圆形的形状。磁芯外周部5和磁芯芯体4分别由按照可进行在内部接纳线圈3的作业的方式于轴向并列的2个磁芯芯体组合体4A、4A和磁芯外周部组合体5A、5A构成。磁芯芯体组合体4A、4A之间和磁芯外周部组合体5A、5A之间均相互接触，各接触面S1、S2通过粘接剂而粘接。上述连接磁芯部6的上述法兰部4a与连接磁芯部结构部分5a相互接触，该接触面S3通过粘接剂而熔接。

在线圈3中，在图示的例子中，按照1层而卷绕平角的导线，线圈3不具有线圈骨架。此外，上述线圈3也可为下述的类型，其由圆线的导线构成，该导线按照多重方式卷绕于线圈骨架上。线圈骨架对应于所要求的绝缘特性等，既可用于平角线线圈，也可用于圆线线圈。如果线圈为自焊接线，则也可不采用线圈骨架。

对磁芯2的材质的例子进行说明。磁芯芯体4采用比如通过压缩成形法而获得的铁氧体材料，形成压缩成形磁性体等。铁氧体材料的相对导磁率优良，容易获得电感值。磁芯外周部5采用比如具有非晶形材料的注塑成形磁性材料，形成注塑成形磁性体等。采用具有非晶形材料的注塑成形磁性材料的磁性元件的频率特性、重叠电流特性优良，但是透磁率低。

构成上述磁芯芯体4的压缩成形磁性体可以比如铁粉、氮化铁粉等的纯铁系软磁性材料；Fe－Si－Al合金(仙台铁硅铝磁性合金(センダスト：sendust))粉末、超级仙台铁硅铝磁性合金(スーパーセンダスト：supersendus)粉末、Ni－Fe合金(坡莫合金(パーマロイ：permalloy))粉末、Co－Fe合金粉末、Fe－Si－B系合金粉末等的铁基合金系软磁性材料；铁氧体系磁性材料；非晶形系磁性材料；微细结晶材料等的磁性材料作为原料。

构成磁芯外周部5的注塑成形磁性体通过下述方式获得，该方式为：在上述压缩成形磁性体的原料粉末中，配合粘接树脂，对该混合物进行注塑成形。由于注塑成形容易、注塑成形后的形状维持容易、复合磁性体的磁性特性优良等，故最好，磁性粉末为非晶形金属粉末。非晶形金属粉末可采用上述的铁合金系、钴合金系、镍合金系、它们的混合合金系非晶形等。在这些非晶形金属粉末表面上形成绝缘覆盖部。粘接树脂可采用可进行注塑成形的热塑性树脂，热塑性树脂可采用聚乙烯、其它的各种的树脂。

按照该方案的磁性元件1，为混合型，其包括磁芯外周部5和磁芯芯体4，该磁芯芯体4由相对导磁率高于该磁芯外周部5的材料制成，故通过磁芯外周部5和磁芯芯体4的相对导磁率的组合，将磁性元件1的整体的相对导磁率调整到各种的值这一点是容易的。如果为混合型，则一般具有磁芯芯体4的端部附近的磁芯外周部部分容易发生磁饱和的课题。

但是，在本实施方式中，按照卷绕有线圈3的磁芯芯体4的附近的磁路角部置换为相对导磁率高的材料的方式，在磁芯芯体4上设置法兰部4a。即，将磁芯芯体4和磁芯外周部5连接的连接磁芯部6中的磁芯芯体4侧的部分为法兰部4a，该法兰部4a为由相对导磁率高的材料制成的磁芯芯体4的一部分。由此，可使磁通的集中缓和，抑制作为相对导磁率低的材料的磁芯外周部5发生磁饱和的情况。

另外，作为本实施方式为罐型的磁性元件，可通过形成在罐型磁性元件的磁芯芯体4上设置法兰部4a的结构，缓和磁性饱和，由此，与没有法兰部的场合相比较，可减小连接磁芯部的厚度。

图3～图20分别表示本发明的第2～19的实施方式。在上述的每个实施方式中，均获得缓和上述磁饱和的效果。在上述的每个实施方式中，除了特别说明的事项以外，其它的方面与结合图1、图2而说明的第1实施方式相同。

在图3所示的第2实施方式的磁性元件1中，磁芯芯体4的法兰部4a延伸到磁芯外周部5的内周面，通过磁芯芯体4的法兰部4a，构成连接磁芯部6的整体。磁芯芯体4由2个磁芯芯体组合体4A、4A构成，但是，磁芯外周部5不为组合结构，整体为一体化。

同样在该结构的场合，可在磁路的边角部设置相对导磁率高的材料，即，通过作为磁芯芯体4的一部分的法兰部4a构成磁路的边角部，避免磁饱和。另外，在该结构的场合，由于磁芯芯体4的法兰部4a的外径为磁芯外周部5的内径，或大于磁芯外周部5的内径，故不产生线圈3的组合方面的问题，使磁芯外周部5一体化，削减部件数量。

在图4所示的第3实施方式的磁性元件1中，磁芯芯体4的法兰部4a的前端，即外周端的截面形状为台阶状。具体来说，法兰部4a由台阶状部形成，在该台阶状部中，上述轴向的外方部分4aa相对内方部分4ab而大大地突出。磁芯外周部5的连接磁芯部结构部分5a的前端，即，内周端为与上述磁芯芯体4的上述法兰部4a的上述台阶形状啮合的截面形状。

同样在该结构的场合，在边角部设置相对导磁率高的材料，可避免磁饱和。另外，在该结构的场合，由于在法兰部4a的上述台阶形状的部分，磁芯芯体4和磁芯外周部5啮合，故两者的轴向的定位以良好的精度而进行。

在图5所示的第4实施方式的磁性元件1中，从磁芯芯体4而延伸的法兰部4a的厚度小，另一方面，磁芯外周部5的连接磁芯部结构部分5a的前端即内周端由台阶形状部构成，在该台阶形状部中，上述轴向的内侧部分以与法兰部4a的径向尺寸相同的尺寸而突出。由此，在连接磁芯部6的径向内方的部分形成法兰部4a和法兰部5ab的二重部，该法兰部5ab在轴向位于该法兰部4a的内侧，从磁芯外周部5而延伸。

同样在该结构的场合，在边角部设置相对导磁率高的材料，可避免磁饱和。另外，在该结构的场合，由于连接磁芯部6为磁芯芯体4的法兰部4a和磁芯外周部5的法兰部5a的二重部，在该二重化造成的台阶形状的部分处进行啮合，故两者的轴向的定位以良好的精度而进行。

图6所示的第5实施方式的磁性元件1为针对图4的实施方式的磁性元件1，磁芯芯体4在上述轴向的中途位置具有间隙G的结构。该间隙G形成于磁芯芯体4的两个磁芯芯体组合体4A、4A之间。

通过在磁性元件1的内部设置上述间隙G，抑制向外部的磁通泄漏，另外可通过间隙G调整磁性元件1的磁特性。在磁性元件1的内部设置间隙G的场合，在过去，在构成间隙G的部位设置间隔件(在图中没有示出)。但是，在本实施方式中，像通过图4的例子而说明的那样，2个磁芯芯体组合体4A、4A的相互定位通过上述台阶形状而获得。由此，可在不设置间隔件的情况下，形成上述间隙G。

图7所示的第6实施方式的磁性元件1为针对图5的实施方式的磁性元件1，磁芯芯体4在上述轴向的中途位置具有间隙G的结构。该间隙G形成于磁芯芯体4的磁芯芯体组合体4A、4A之间。

在本实施方式的场合，像通过图5的例子而说明的那样，2个磁芯芯体组合体4A、4A的相互定位通过使连接磁芯部6为二重结构的台阶形状而获得，由此，与图6的例子相同，可在不设置间隔件的情况下，形成上述间隙G。

对于图8所示的第7实施方式的磁性元件1，针对图1的实施方式的磁性元件1，两侧的连接磁芯部6、6中的第1单侧(图8的纸面顶侧)的连接磁芯部6为在上述磁芯芯体4的端面上，具有经由间隙G而面对的部分6a的形状，该第1单侧的连接磁芯部6的整体由上述磁芯外周部5的上述连接磁芯部结构部分5a构成，磁芯芯体4的整体是一体的。

本例子为省略了磁芯芯体4一体化的场合的间隙G的间隔件的磁性元件1。在磁芯芯体4的一端(与上述第1单侧相反的第2单侧)上设置法兰部4a，缓和角部的磁通的集中。通过使该法兰部4a为安装侧，增加热传导率良好的磁芯芯体4的设置面积，与直线形状的磁芯芯体(在图中没有示出)相比较，使冷却性提高。可通过在磁芯芯体4的另一端(上述第1单侧)设置相对磁芯外周部5的间隙G，在构成电感器等的磁性元件1的内部设置间隙G，故可抑制向线圈3的磁通泄漏。由于在间隙G的附近不产生磁通的集中，故间隙G的附近的边角部不产生磁饱和。

也可针对图8的实施方式的磁性元件1，对于于磁芯芯体4上设置法兰部4a的一侧(第2侧)的连接磁芯部6，既可像通过图4的例子而说明的那样，使法兰部4a的前端为台阶形状(图9所示的第8实施方式的磁性元件1)，也可像通过图5的例子而说明的那样，为磁芯芯体4的法兰部4a与磁芯外周部5的法兰部5ab是二重的结构(图10所示的第9实施方式的磁性元件1)。

图11所示的第10实施方式的磁性元件1为下述的例子，其中，在图8所示的实施方式的磁性元件1中，磁芯芯体4的法兰部4a的前端延伸到磁芯外周部5的外周面上。即，法兰部4a的外周面与外周磁芯部5的内周面的径向位置相同。磁芯外周部5的整体是一体的。

图12所示的第11实施方式的磁性元件1为下述的例子，其中，在图9所示的实施方式的磁性元件1中，磁芯芯体4的法兰部4a中的内方部分4ab延伸到磁芯外周部5的内周侧面，即，法兰部4a的内方部分4ab的外周面和外周磁芯5的内周面的径向位置相同。

对于图13所示的第12实施方式的磁性元件1，针对图12所示的实施方式的磁性元件1，磁芯芯体4的法兰部4a的外方部分4aa延伸到磁芯外周部5的外周面，通过法兰部4a覆盖外周磁芯5的轴向端面。

按照该图11～图13的例子，由于均将磁芯芯体4的法兰部4a扩大到磁芯外周部5的圆筒状部分的内径处，故可在不产生线圈3的组装的问题的情况下，使磁芯外周部5为一体的部件，可削减部件数量。另外，由于与图8～图10的例子相比较，热传导率高的磁芯芯体4的法兰部4a的面积大，故预计使冷却性提高。

在图14～图19分别所示的第13～第18的实施方式的磁性元件1中，线圈3的图示简化，但是，线圈3与图1～图13的例子相同，为一重地卷绕平角的导线的类型。线圈3在这些例子中，也可为多重地卷绕圆线的类型。

图14所示的第13实施方式的磁性元件1为下述的结构，其中，针对图4所示的实施方式的磁性元件1，磁芯芯体4的法兰部4a延伸到筒状的磁芯外周部5的内周面。即，法兰部4a的外周面和磁芯外周部5的内周面的径向位置相同。

图15所示的第14实施方式的磁性元件1为下述的结构，在该结构中，针对图14的实施方式的磁性元件1，在磁芯芯体4的轴向的中途设置间隙G，间隙G形成于磁芯芯体4的2个磁芯芯体组合体4A、4A之间。

图16所示的第15实施方式的磁性元件1的例子为下述的结构，在该结构中，针对图1的实施方式的磁性元件1，在磁芯芯体4的轴向的中途设置间隙G，间隙G形成于磁芯芯体4的2个磁芯芯体组合体4A、4A之间。其中，与图1的实施方式的区别在于各部分的关系。

图17所示的第16实施方式的磁性元件1为下述的结构，在该结构中，针对图5的双重结构的实施方式的磁性元件1，磁芯芯体4的法兰部4a中的外方部分4aa延伸到圆筒状的磁芯外周部5的内周面。即，法兰部4a的外周面与磁芯外周部5的内周面的径向位置相同。

图18所示的第17实施方式的磁性元件1为下述的结构，在该结构中，针对图17的实施方式的磁性元件1，在磁芯芯体4的轴向的中途设置间隙G，间隙G形成于磁芯芯体4的2个磁芯芯体组合体4A、4A之间。

图19所示的第18实施方式为下述的结构，在该结构中，针对图10的实施方式的磁性元件1，磁芯芯体4的法兰部4a延伸到圆筒状的磁芯外周部5的内周面。即，法兰部4a的外周面与磁芯外周部5的内周面的径向位置相同。

图20所示的第19实施方式的磁性元件1为下述的结构，在该结构中，针对图1的实施方式的磁性元件1，磁芯芯体4为四边形的截面的杆状，并且通过位于磁芯芯体4的两侧的2个杆状的磁芯外周部组合体5B、5B构成磁芯外周部5，整体构成称为EE型的磁性元件1。

另外，像这样，即使在称为EE型的磁性元件的情况下，仍可通过在磁芯芯体4上设置法兰部4a，抑制相对导磁率低的磁性材料所产生的磁饱和。

此外，同样在图3～图19的各实施方式中，与图20的例子相同，也可为EE型，获得通过前述的各实施方式而描述的各效果。

还有，上述各实施方式的磁性元件1在电气设备或电子设备中，灵活地用作比如感应器、变压器、天线(杆式天线等)、扼流圈、滤波器、传感器等的树脂成形磁性芯体部件等。

以上，根据实施方式，对用于实施本发明的方式进行了说明，但是，本次公开的实施方式在全部的方面是列举性的，没有限定性。本发明所保护的范围并非通过上面的描述，而通过权利要求书而给出，本发明的范围应包括与权利要求书等同的含义和其范围内的全部的变更。

标号的说明：

标号1表示磁性元件；

标号3表示线圈；

标号4表示磁芯芯体；

标号4a表示磁芯法兰部；

标号5表示磁芯外周部；

标号5a表示连接磁芯部结构部分；

标号6表示连接磁芯部。

Claims (7)

1.一种磁性元件，该磁性元件包括：

磁芯外周部，该磁芯外周部位于线圈的外周侧；

磁芯芯体，该磁芯芯体由相对导磁率高于该磁芯外周部的材料制成，位于该线圈的内周侧；

两侧的连接磁芯部，该连接磁芯部位于上述线圈的轴向两端的各外侧，分别将上述磁芯芯体和磁芯外周部连接；

上述两侧的连接磁芯部或上述两侧的连接磁芯部中的任意一侧的连接磁芯部中的至少一部分由磁芯芯体法兰部构成，该磁芯芯体法兰部作为上述磁芯芯体的一部分，从上述磁芯芯体朝向上述磁芯外周部而延伸，上述两侧的连接磁芯部中的除了上述磁芯芯体法兰部以外的部分由作为上述磁芯外周部的一部分的连接磁芯部结构部分构成。

2.根据权利要求1所述的磁性元件，其中，上述磁芯芯体法兰部的前端的截面形状为台阶形状，其中，上述轴向的外方部分与内方部分相比较，朝向上述磁芯外周部以更大的程度而突出，上述磁芯外周部的上述连接磁芯部结构部分的前端为与上述磁芯芯体法兰部的上述台阶形状啮合的截面形状。

3.根据权利要求1所述的磁性元件，其中，上述连接磁芯部的整体或一部分为，上述磁芯芯体法兰部和磁芯外周法兰部的二重结构，该磁芯外周法兰部在上述轴向位于该法兰部的内侧，从上述磁芯外周部朝向上述磁芯芯体而延伸。

4.根据权利要求2或3所述的磁性元件，其中，上述磁芯芯体在上述轴向的中途位置具有间隙。

5.根据权利要求2或3所述的磁性元件，其中，上述两侧的连接磁芯部中的任意一侧的连接磁芯部在上述磁芯芯体的轴向端面具有经由间隙而面对的部分，包括该部分的上述一侧的连接磁芯部的整体由上述磁芯外周部的上述连接磁芯部结构部分构成。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的磁性元件，其中，上述磁芯芯体中的至少一者的上述磁芯芯体法兰部至少延伸到上述磁芯外周部中的作为与线圈面对的面的内周面。

7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的磁性元件，其中，上述磁芯芯体为圆柱状，上述磁芯外周部为圆筒状。