CN108711547B - 一种硅片脱胶工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种硅片脱胶工艺，包括如下步骤：将硅片置于处理池内，并向处理池内添加去离子水，然后再次向处理池内添加脱胶液，使硅片静置35‑50min，然后进行喷洗处理，还需将喷洗水的温度控制在30‑35摄氏度，将处理后的硅片再次置于处理池内，并向其中添加脱胶液，在50‑60摄氏度的条件下对硅片进行震动，待其反应3‑6min后，对硅片进行超声清洗，将经过震动的硅片放置在超声波清洗器中进行浸泡，再次将硅片置于表面处理池内，并向其中添加表面处理液，在35‑45摄氏度的环境中浸泡30‑50min，并再次进行喷洗处理。本发明能够对硅片的残留胶进行全面的清理，从而保证了脱胶质量，还能够保证硅片的表面不受损伤。

Description

一种硅片脱胶工艺
技术领域
本发明涉及硅片处理技术领域，尤其涉及一种硅片脱胶工艺。
背景技术
随着世界经济的不断发展，现代化建设对高效能源需求不断增长。光伏发电作为绿色能源以及人类可持续发展的主要能源之一，日益受到世界各国的重视并得到大力发展。单晶硅片、多晶硅片作为光伏发电的太阳能电池片的基础材料，拥有广泛的市场需求。
硅片清洗工序是生产硅片的最后一道工序，在这道工序中主要用到两种清洗设备，一种是太阳能硅片脱胶机，其作用主要是把经过多线切割后的硅片进行预清洗和脱胶处理；另一种是太阳能硅片清洗机，其作用主要是把脱胶后分开的硅片使用加热后的去离子水和药剂进行超声波清洗及烘干处理。硅片在脱胶机内，需要对硅片进行多次的喷淋和漂洗，所用水多为自来水或中水，并且对水温有一定要求，如果水温过低，冲淋后极容易出现硅片粘胶侧崩边问题，造成严重损失。为此，我们提出了一种硅片脱胶工艺。
发明内容
本发明提出了一种硅片脱胶工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
本发明提出了一种硅片脱胶工艺，包括如下步骤：
S1：将切割完毕的硅片迅速置于装满蒸馏水的处理槽内并在30-40摄氏度的条件下对硅表面进行清洗，需对硅片进行清洗3-6次，从而能够去除硅片表面的杂质；
S2：将S1中处理后的硅片取出，并将其表面进行干燥，然后将其再次置于处理池内，并向处理池内添加去离子水，去离子水需漫过硅片，然后再次向处理池内添加脱胶液，完成后，在45-55摄氏度的条件下对去离子水进行混合搅拌，待去离子水与脱胶液混合均匀后，使硅片静置35-50min；
S3：完成静置后，将硅片置于喷淋机构下，进行喷洗处理，且水压 0.6-0.7MPa，所述的喷洗时间为350-380s，还需将喷洗水的温度控制在30-35摄氏度，以去除硅片缝隙的砂浆以及大部分残留胶；
S4：将S3中处理后的硅片再次置于处理池内，并向其中添加脱胶液，且脱胶液需漫过硅片，在50-60摄氏度的条件下对硅片进行震动，使得脱胶液与硅片表面充分接触，待其反应3-6min后，对硅片进行超声清洗，将经过震动的硅片放置在超声波清洗器中进行浸泡，且清洗时间为10-15min，完成后，利用擦拭布去除硅片表面的残留胶；
S5：上述处理完成后，再次将硅片置于表面处理池内，并向其中添加表面处理液，在35-45摄氏度的环境中浸泡30-50min，并再次进行喷洗处理，且水压 0.1-0.4MPa，然后将硅片置于无菌环境中进行风干，即完成对硅片表面的脱胶处理。
优选的，在S1中的表面处理液为乙醇、柠檬酸、硝酸、异丙醇、pH调节剂以及分散剂的混合物料，且乙醇、柠檬酸、硝酸、异丙醇、pH调节剂以及分散剂的重量比为2：1：0.1：0.5：0.05：0.01。
优选的，在S2中的去离子水与脱胶液的摩尔质量比为10：1。
本发明还提供了一种脱胶液，其原料按重量的配方如下：有机酸10-20份、草酸5-8份、卤代烷烃5-8份、丙酮2-5份、乙二醇2-5份、表面活性剂0.3-0.6份、缓蚀剂0.1-0.2份、消泡剂0.1-0.2份。
本发明还提供了一种脱胶液的制备工艺，具体步骤如下：
选取搅拌器，并将有机酸、草酸、卤代烷烃、丙酮以及乙二醇置入搅拌器内，在35-50摄氏度的条件下进行混合搅拌，在搅拌15-18min后，再次向其中添加表面活性剂、缓蚀剂以及消泡剂，静置10-16min后，再次进行混合搅拌5-8min,完成后取出，待其温度恢复至常温后，即得到脱胶液。
本发明提出的一种硅片脱胶工艺，有益效果在于：该硅片脱胶工艺通过对硅片进行预处理，能够去除其表面杂质，然后利用脱胶液对硅片表面进行两次处理，且其的浓度不同，从而能够对硅片的残留胶进行全面的清理，从而保证了脱胶质量，还能够保证硅片的表面不受损伤，适合大范围推广。
具体实施方式
下面结合具体实施例来对本发明做进一步说明。
实施例1
本发明提出了一种硅片脱胶工艺，包括如下步骤：
S1：将切割完毕的硅片迅速置于装满蒸馏水的处理槽内并在30摄氏度的条件下对硅表面进行清洗，需对硅片进行清洗3-6次，从而能够去除硅片表面的杂质；
S2：将S1中处理后的硅片取出，并将其表面进行干燥，然后将其再次置于处理池内，并向处理池内添加去离子水，去离子水需漫过硅片，然后再次向处理池内添加脱胶液，完成后，在45摄氏度的条件下对去离子水进行混合搅拌，待去离子水与脱胶液混合均匀后，使硅片静置35min；
S3：完成静置后，将硅片置于喷淋机构下，进行喷洗处理，且水压 0.6-0.7MPa，所述的喷洗时间为350，还需将喷洗水的温度控制在30-35摄氏度，以去除硅片缝隙的砂浆以及大部分残留胶；
S4：将S3中处理后的硅片再次置于处理池内，并向其中添加脱胶液，且脱胶液需漫过硅片，在50摄氏度的条件下对硅片进行震动，使得脱胶液与硅片表面充分接触，待其反应3min后，对硅片进行超声清洗，将经过震动的硅片放置在超声波清洗器中进行浸泡，且清洗时间为10min，完成后，利用擦拭布去除硅片表面的残留胶；
S5：上述处理完成后，再次将硅片置于表面处理池内，并向其中添加表面处理液，在35摄氏度的环境中浸泡30min，并再次进行喷洗处理，且水压 0.1-0.4MPa，然后将硅片置于无菌环境中进行风干，即完成对硅片表面的脱胶处理。
在S1中的表面处理液为乙醇、柠檬酸、硝酸、异丙醇、pH调节剂以及分散剂的混合物料，且乙醇、柠檬酸、硝酸、异丙醇、pH调节剂以及分散剂的重量比为2：1：0.1：0.5：0.05：0.01。
在S2中的去离子水与脱胶液的摩尔质量比为10：1。
本发明还提供了一种脱胶液，其原料按重量的配方如下：有机酸10份、草酸5份、卤代烷烃5份、丙酮2份、乙二醇2份、表面活性剂0.3份、缓蚀剂0.1份、消泡剂0.1份。
本发明还提供了一种脱胶液的制备工艺，具体步骤如下：
选取搅拌器，并将有机酸、草酸、卤代烷烃、丙酮以及乙二醇置入搅拌器内，在35摄氏度的条件下进行混合搅拌，在搅拌15min后，再次向其中添加表面活性剂、缓蚀剂以及消泡剂，静置10min后，再次进行混合搅拌5min,完成后取出，待其温度恢复至常温后，即得到脱胶液。
实施例2
本发明提出了一种硅片脱胶工艺，包括如下步骤：
S1：将切割完毕的硅片迅速置于装满蒸馏水的处理槽内并在33摄氏度的条件下对硅表面进行清洗，需对硅片进行清洗3-6次，从而能够去除硅片表面的杂质；
S2：将S1中处理后的硅片取出，并将其表面进行干燥，然后将其再次置于处理池内，并向处理池内添加去离子水，去离子水需漫过硅片，然后再次向处理池内添加脱胶液，完成后，在48摄氏度的条件下对去离子水进行混合搅拌，待去离子水与脱胶液混合均匀后，使硅片静置40min；
S3：完成静置后，将硅片置于喷淋机构下，进行喷洗处理，且水压 0.6-0.7MPa，所述的喷洗时间为360s，还需将喷洗水的温度控制在32摄氏度，以去除硅片缝隙的砂浆以及大部分残留胶；
S4：将S3中处理后的硅片再次置于处理池内，并向其中添加脱胶液，且脱胶液需漫过硅片，在53摄氏度的条件下对硅片进行震动，使得脱胶液与硅片表面充分接触，待其反应4min后，对硅片进行超声清洗，将经过震动的硅片放置在超声波清洗器中进行浸泡，且清洗时间为12min，完成后，利用擦拭布去除硅片表面的残留胶；
S5：上述处理完成后，再次将硅片置于表面处理池内，并向其中添加表面处理液，在35-45摄氏度的环境中浸泡35min，并再次进行喷洗处理，且水压 0.1-0.4MPa，然后将硅片置于无菌环境中进行风干，即完成对硅片表面的脱胶处理。
在S1中的表面处理液为乙醇、柠檬酸、硝酸、异丙醇、pH调节剂以及分散剂的混合物料，且乙醇、柠檬酸、硝酸、异丙醇、pH调节剂以及分散剂的重量比为2：1：0.1：0.5：0.05：0.01。
在S2中的去离子水与脱胶液的摩尔质量比为10：1。
本发明还提供了一种脱胶液，其原料按重量的配方如下：有机酸13份、草酸6份、卤代烷烃6份、丙酮3份、乙二醇3份、表面活性剂0.4份、缓蚀剂0.13份、消泡剂0.13份。
本发明还提供了一种脱胶液的制备工艺，具体步骤如下：
选取搅拌器，并将有机酸、草酸、卤代烷烃、丙酮以及乙二醇置入搅拌器内，在40摄氏度的条件下进行混合搅拌，在搅拌16min后，再次向其中添加表面活性剂、缓蚀剂以及消泡剂，静置12min后，再次进行混合搅拌6min,完成后取出，待其温度恢复至常温后，即得到脱胶液。
实施例3
本发明提出了一种硅片脱胶工艺，包括如下步骤：
S1：将切割完毕的硅片迅速置于装满蒸馏水的处理槽内并在37摄氏度的条件下对硅表面进行清洗，需对硅片进行清洗3-6次，从而能够去除硅片表面的杂质；
S2：将S1中处理后的硅片取出，并将其表面进行干燥，然后将其再次置于处理池内，并向处理池内添加去离子水，去离子水需漫过硅片，然后再次向处理池内添加脱胶液，完成后，在52摄氏度的条件下对去离子水进行混合搅拌，待去离子水与脱胶液混合均匀后，使硅片静置45min；
S3：完成静置后，将硅片置于喷淋机构下，进行喷洗处理，且水压 0.6-0.7MPa，所述的喷洗时间为370s，还需将喷洗水的温度控制在34摄氏度，以去除硅片缝隙的砂浆以及大部分残留胶；
S4：将S3中处理后的硅片再次置于处理池内，并向其中添加脱胶液，且脱胶液需漫过硅片，在57摄氏度的条件下对硅片进行震动，使得脱胶液与硅片表面充分接触，待其反应5min后，对硅片进行超声清洗，将经过震动的硅片放置在超声波清洗器中进行浸泡，且清洗时间为14min，完成后，利用擦拭布去除硅片表面的残留胶；
S5：上述处理完成后，再次将硅片置于表面处理池内，并向其中添加表面处理液，在41摄氏度的环境中浸泡42min，并再次进行喷洗处理，且水压 0.1-0.4MPa，然后将硅片置于无菌环境中进行风干，即完成对硅片表面的脱胶处理。
在S1中的表面处理液为乙醇、柠檬酸、硝酸、异丙醇、pH调节剂以及分散剂的混合物料，且乙醇、柠檬酸、硝酸、异丙醇、pH调节剂以及分散剂的重量比为2：1：0.1：0.5：0.05：0.01。
在S2中的去离子水与脱胶液的摩尔质量比为10：1。
本发明还提供了一种脱胶液，其原料按重量的配方如下：有机酸17份、草酸7份、卤代烷烃7份、丙酮4份、乙二醇4份、表面活性剂0.5份、缓蚀剂0.17份、消泡剂0.17份。
本发明还提供了一种脱胶液的制备工艺，具体步骤如下：
选取搅拌器，并将有机酸、草酸、卤代烷烃、丙酮以及乙二醇置入搅拌器内，在45摄氏度的条件下进行混合搅拌，在搅拌17min后，再次向其中添加表面活性剂、缓蚀剂以及消泡剂，静置14min后，再次进行混合搅拌7min,完成后取出，待其温度恢复至常温后，即得到脱胶液。
实施例4
本发明提出了一种硅片脱胶工艺，包括如下步骤：
S1：将切割完毕的硅片迅速置于装满蒸馏水的处理槽内并在40摄氏度的条件下对硅表面进行清洗，需对硅片进行清洗3-6次，从而能够去除硅片表面的杂质；
S2：将S1中处理后的硅片取出，并将其表面进行干燥，然后将其再次置于处理池内，并向处理池内添加去离子水，去离子水需漫过硅片，然后再次向处理池内添加脱胶液，完成后，在55摄氏度的条件下对去离子水进行混合搅拌，待去离子水与脱胶液混合均匀后，使硅片静置50min；
S3：完成静置后，将硅片置于喷淋机构下，进行喷洗处理，且水压 0.6-0.7MPa，所述的喷洗时间为380s，还需将喷洗水的温度控制在35摄氏度，以去除硅片缝隙的砂浆以及大部分残留胶；
S4：将S3中处理后的硅片再次置于处理池内，并向其中添加脱胶液，且脱胶液需漫过硅片，在60摄氏度的条件下对硅片进行震动，使得脱胶液与硅片表面充分接触，待其反应6min后，对硅片进行超声清洗，将经过震动的硅片放置在超声波清洗器中进行浸泡，且清洗时间为15min，完成后，利用擦拭布去除硅片表面的残留胶；
S5：上述处理完成后，再次将硅片置于表面处理池内，并向其中添加表面处理液，在35-45摄氏度的环境中浸泡50min，并再次进行喷洗处理，且水压 0.1-0.4MPa，然后将硅片置于无菌环境中进行风干，即完成对硅片表面的脱胶处理。
在S1中的表面处理液为乙醇、柠檬酸、硝酸、异丙醇、pH调节剂以及分散剂的混合物料，且乙醇、柠檬酸、硝酸、异丙醇、pH调节剂以及分散剂的重量比为2：1：0.1：0.5：0.05：0.01。
在S2中的去离子水与脱胶液的摩尔质量比为10：1。
本发明还提供了一种脱胶液，其原料按重量的配方如下：有机酸20份、草酸8份、卤代烷烃8份、丙酮5份、乙二醇5份、表面活性剂0.6份、缓蚀剂0.2份、消泡剂0.2份。
本发明还提供了一种脱胶液的制备工艺，具体步骤如下：
选取搅拌器，并将有机酸、草酸、卤代烷烃、丙酮以及乙二醇置入搅拌器内，在50摄氏度的条件下进行混合搅拌，在搅拌18min后，再次向其中添加表面活性剂、缓蚀剂以及消泡剂，静置16min后，再次进行混合搅拌8min,完成后取出，待其温度恢复至常温后，即得到脱胶液。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种硅片脱胶工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将切割完毕的硅片迅速置于装满蒸馏水的处理槽内并在30-40摄氏度的条件下对硅表面进行清洗，需对硅片进行清洗3-6次，从而能够去除硅片表面的杂质；
S2：将S1中处理后的硅片取出，并将其表面进行干燥，然后将其再次置于处理池内，并向处理池内添加去离子水，去离子水需漫过硅片，然后再次向处理池内添加脱胶液，完成后，在45-55摄氏度的条件下对去离子水进行混合搅拌，待去离子水与脱胶液混合均匀后，使硅片静置35-50min；
S3：完成静置后，将硅片置于喷淋机构下，进行喷洗处理，且水压 0.6-0.7MPa，所述的喷洗时间为350-380s，还需将喷洗水的温度控制在30-35摄氏度，以去除硅片缝隙的砂浆以及大部分残留胶；
S4：将S3中处理后的硅片再次置于处理池内，并向其中添加脱胶液，且脱胶液需漫过硅片，在50-60摄氏度的条件下对硅片进行震动，使得脱胶液与硅片表面充分接触，待其反应3-6min后，对硅片进行超声清洗，将经过震动的硅片放置在超声波清洗器中进行浸泡，且清洗时间为10-15min，完成后，利用擦拭布去除硅片表面的残留胶；
S5：上述处理完成后，再次将硅片置于表面处理池内，并向其中添加表面处理液，在35-45摄氏度的环境中浸泡30-50min，并再次进行喷洗处理，且水压 0.1-0.4MPa，然后将硅片置于无菌环境中进行风干，即完成对硅片表面的脱胶处理；
表面处理液为乙醇、柠檬酸、硝酸、异丙醇、pH调节剂以及分散剂的混合物料，且乙醇、柠檬酸、硝酸、异丙醇、pH调节剂以及分散剂的重量比为2：1：0.1：0.5：0.05：0.01；
在S2中的去离子水与脱胶液的摩尔质量比为10：1；
脱胶液其原料按重量的配方如下：有机酸10-20份、草酸5-8份、卤代烷烃5-8份、丙酮2-5份、乙二醇2-5份、表面活性剂0.3-0.6份、缓蚀剂0.1-0.2份、消泡剂0.1-0.2份；
脱胶液的制备工艺具体步骤如下：
选取搅拌器，并将有机酸、草酸、卤代烷烃、丙酮以及乙二醇置入搅拌器内，在35-50摄氏度的条件下进行混合搅拌，在搅拌15-18min后，再次向其中添加表面活性剂、缓蚀剂以及消泡剂，静置10-16min后，再次进行混合搅拌5-8min,完成后取出，待其温度恢复至常温后，即得到脱胶液。
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