CN108349058B - 承载环、磨削装置及磨削方法 - Google Patents

承载环、磨削装置及磨削方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108349058B
CN108349058B CN201680058946.0A CN201680058946A CN108349058B CN 108349058 B CN108349058 B CN 108349058B CN 201680058946 A CN201680058946 A CN 201680058946A CN 108349058 B CN108349058 B CN 108349058B
Authority
CN
China
Prior art keywords
grinding
carrier ring
center
silicon wafer
support hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680058946.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108349058A (zh
Inventor
西村好信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumco Corp
Original Assignee
Sumco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumco Corp filed Critical Sumco Corp
Publication of CN108349058A publication Critical patent/CN108349058A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108349058B publication Critical patent/CN108349058B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32—Retaining rings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/10—Single-purpose machines or devices
    • B24B7/16—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings
    • B24B7/17—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings for simultaneously grinding opposite and parallel end faces, e.g. double disc grinders
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种承载环、磨削装置及磨削方法。两头磨削装置具备：具有能够支承硅晶圆(W)的支承孔(241)的圆板状的承载环(2)；以承载环(2)的中心(C1)为旋转轴来旋转该承载环(2)的旋转机构；具有磨削硅晶圆(W)的磨石的磨削轮(4)，其中，支承孔(241)形成为该支承孔(241)的中心(C2)相对于承载环(2)的中心(C1)偏心的圆形。

Description

承载环、磨削装置及磨削方法
技术领域
本发明涉及一种承载环、磨削装置及磨削方法。
背景技术
使用两头磨削装置的硅晶圆的双面磨削一般会如以下的方式进行。
首先，以承载环的支承孔支承硅晶圆。在支承时，为了使硅晶圆与承载环同样地进行旋转，会将硅晶圆的槽口与向支承孔内部突出的突起部卡合。又，以硅晶圆的中心与承载环的中心一致的方式来支承硅晶圆。之后，一边旋转2个磨削轮，一边将两者分别按压于硅晶圆的两面，同时供给磨削液到磨削轮内，将承载环以该承载环的中心为旋转轴来进行旋转，由此进行硅晶圆的磨削。
另外，已进行双面磨削的硅晶圆中，被称为纳米形貌(Nanotopography)的正面的起伏常常会成为问题。因此，研究通过降低该奈米形貌的恶化来提高硅晶圆的平坦度的技术(例如，参考专利文献1)。另外，所谓奈米形貌是被定义为“以非吸附或弱吸附来置放硅晶圆时，厘米周期中存在的奈米范围的起伏”。
专利文献1中，作为奈米形貌恶化的产生机制，记载如下。上述的双面磨削中，因为硅晶圆的槽口与承载环的突起部都各有1个，因此伴随着承载环的旋转而产生的应力集中于槽口与突起部，硅晶圆的槽口周边容易变形。若在该槽口周边变形的状态下进行双面磨削，则硅晶圆的奈米形貌会恶化。
为了降低这种奈米形貌的恶化，专利文献1中公开了一种技术，与以往的突起部不同的另一突起部设置于承载环，且与以往的槽口不同地另一支承用槽口设置于硅晶圆，将各槽口与各突起部卡合来进行双面磨削，由此分散伴随承载环的旋转所带来的应力。
另一方面，本发明人发现当进行硅晶圆的双面磨削时，承载环的使用刚开始不会发生奈米形貌的恶化，但当使用期间变长就变得容易发生奈米形貌的恶化，且如下推测发生这种现象的理由。
磨削硅晶圆时也会磨削到突起部。若突起部的磨削量变多，则突起部向相对于硅晶圆的被磨削面垂直的方向弯曲，硅晶圆的槽口周边也向与突起部相同的方向弯曲。若在该弯曲的状态下进行双面磨削，则硅晶圆就会发生奈米形貌的恶化。
因此，本发明人为了降低这种奈米形貌的恶化而采取了对策，即对承载环的使用期间设了限制，更换经过了该使用期间的承载环。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-279704号公报
然而，专利文献1记载的方法中，设置于硅晶圆的支承用槽口必须要由后续工序来除去，导致工序变得繁杂。
又，对承载环的使用期间设置限制的方法中，需要多个承载环，而导致成本提高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种不会使工序复杂化并且不会提高成本就能够提高被磨削物的磨削品质的承载环、磨削装置及磨削方法。
用于解决技术问题的方案
本发明的承载环被使用于外形为圆形的被磨削物的磨削，并且是具有能够支承所述被磨削物的支承孔的圆板状，其特征在于，所述支承孔形成为该支承孔的中心相对于所述承载环的中心偏心的圆形。
本发明的磨削装置，磨削外形为圆形的被磨削物，其特征在于，具备：上述的承载环；旋转机构，以所述承载环的中心为旋转轴来旋转该承载环；及磨石，磨削所述被磨削物。
本发明的磨削方法，是磨削外形为圆形的被磨削物的磨削方法，其特征在于，具备：以上述的承载环的支承孔支承该被磨削物，以使所述被磨削物的中心相对于所述承载环的中心偏心的工序；以所述承载环的中心为旋转轴使该承载环旋转的工序；及使用磨石来磨削所述被磨削物的工序。
在此，如以往那样，使被磨削物的中心与承载环的中心一致，旋转承载环来进行磨削的情况下，从被磨削面侧观察时，支承孔相对于被磨削物不移动，因此理论上支承孔的内周面不接触被磨削物的外周面，承载环的旋转驱动力不会传达到被磨削物。因此，为了使承载环的旋转驱动力传达到被磨削物，需要将与被磨削物的槽口卡合的突起部设置于承载环上。
相对于此，根据本发明，以被磨削物的中心相对于承载环的中心偏心的方式，用承载环支承被磨削物，以承载环的中心为旋转轴来旋转该承载环。通过这种结构，旋转承载环时，支承孔会相对于被磨削物移动，因此被磨削物与支承孔接触，该接触部位推压被磨削部的端面，但此时，被磨削物的中心偏离承载环的中心，因此被磨削物会产生旋转力矩。通过该旋转力矩，即使突起部不设置于支承孔，也能够使被磨削物与承载环一起旋转来进行磨削，能够抑制因为槽口与突起部的卡合而产生的奈米形貌。由此，不会像以往那样使工序复杂化并且不会提高成本就能够提高被磨削物的磨削品质。
本发明的承载环中，所述支承孔的中心相对于所述承载环的中心的偏心量优选为所述被磨削物的直径的1.7％以下。
在此，若偏心量超过被磨削物的直径的1.7％，则在以往的磨削装置中，在被磨削物的偏心方向上的端部不会接触磨石，而发生没有被磨削的异常。
相对于此，本发明中，通过将偏心量设定在上述的范围内，能够抑制上述异常的发生。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式所涉及的两头磨削装置的主要部分的剖面图。
图2是表示所述一实施方式及本发明的实施例1、2中的承载环的主视图。
图3是表示本发明的比较例中的承载环的主视图。
图4是表示本发明的实施例1、2及比较例中的硅晶圆磨削后的剖面轮廓的曲线图。
具体实施方式
参考附图说明本发明的一实施方式。
[两头磨削装置的结构]
如图1所示，作为磨削装置的两头磨削装置1，具备：圆板状的承载环2，在内部保持作为被切削物的硅晶圆W；旋转机构3，将承载环2的中心C1作为旋转轴来旋转该承载环2；及2个磨削轮4，具有磨削硅晶圆W的多个磨石42，并且分别相对向于被承载环2所保持的硅晶圆W的两面而配置。
如图2所示，承载环2具备圆环板状的旋转环21及通过旋转环21使外周部被保持的圆环板状的支承环24。
旋转环21具备例如通过SUS(不锈钢)等材料各自形成的本体环22及压环23。在本体环22的一面的内缘侧设置有嵌合槽221，该嵌合槽嵌入支承环24的外周部及压环23。压环23的内周面设置有内齿231，该内齿会啮合到旋转机构3的后述的驱动齿轮31。
支承环24例如通过玻璃环氧树脂等形成为比硅晶圆W薄。支承环24具有能够支承硅晶圆W的支承孔241。支承孔241形成为该支承孔241的中心C2相对于承载环2的中心C1偏心的圆形。支承孔241的中心C2相对于承载环2的中心C1的偏心量D并没有特别限制，但优选为承载环2的直径的1.7％以下。若支承孔241的内径比硅晶圆W的直径大，则并没有特别限制，但与硅晶圆W的直径之间的差优选在1mm以内。
另外，支承环24上并没有设置向支承孔241内部突出，并与硅晶圆W的槽口N卡合的突起部。
旋转机构3具备与承载环2的内齿231啮合的驱动齿轮31，及使驱动齿轮31旋转的驱动马达32。
磨削轮4具备大致圆板状的轮座41及沿着该轮座41的一面的外缘以指定间隔设置的多个磨石42。轮座41的中央设置有贯通该轮座41的两面的磨削液供给孔43。经由该磨削液供给孔43，磨削液供给到磨削轮4内。
[两头磨削方法]
接着，说明使用上述两头磨削装置1的两头磨削方法。
如图1所示，将磨削轮4分别按压于垂直立起的硅晶圆W的两面，且供给磨削液到磨削轮4内，旋转承载环2及磨削轮4，由此磨削硅晶圆W。
刚开始该磨削之后，如图2所示，例如承载环2向逆时针方向旋转，则支承孔241的中心C2相对于承载环2的中心C1偏心，因此支承孔241会相对于硅晶圆W移动，支承孔241与硅晶圆W在接触部位P接触。然后，虽然该接触部位P会变成按压硅晶圆W的端面，但此时，硅晶圆W的中心偏离承载环2的中心C1，因此硅晶圆W会产生旋转力矩。通过该旋转力矩，即使不设置卡合到槽口N的突起部到承载环2上，也能够旋转硅晶圆W来进行磨削。
[实施方式的作用效果]
如上述的本实施方式中，能够达成如以下的作用效果。
将承载环2的支承孔241形成为该支承孔241的中心C2相对于支承环2的中心C1偏心。
因此，如上述，即使不设置卡合到槽口N的突起部到承载环2上，也能够旋转硅晶圆W来进行磨削。因此，能够抑制因为槽口N与突起部的卡合而产生的奈米形貌，不会像以往那样使工序复杂化并且不会提高成本就能够提高硅晶圆W的磨削品质。
[另一实施方式]
另外，本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的要旨的范围内能够进行各式各样的改良及设计的变更。
例如，支承孔241的中心C2相对于承载环2的中心C1的偏心量D也可以超过承载环2的直径的1.7％。
旋转环21与支承环24以不同的材料形成为不同的部件，但也可以相同材料形成，以相同的材料形成的情况下，也可以形成为不同的部件，也可以形成为1个部件(承载环)。
作为被磨削物，可以将陶瓷或石材等硅晶圆W以外的外径为圆形的物体作为对象。
实施例
接着，通过实施例及比较例来更详细地说明本发明，但本发明并不受这些例子的任何的限定。
〔实施例1〕
准备与上述实施方式中使用的两头磨削装置1具有相同的结构的两头磨削装置(Koyo Machine Industries Co.,Ltd.制，DXSG320)。又，准备图2所示的承载环2。该实施例1中，用以下的条件设置支承孔241。另外，磨削对象的硅晶圆W的直径是300mm。
·内径：301mm以下
·偏心量D：2mm(硅晶圆W的直径的0.67％)
然后，用以下的条件磨削硅晶圆W的两面，使用Nanotopography测量装置(ADE公司制，产品名：NanoMapper)来量测包含硅晶圆W的中心及槽口N的配置位置的剖面的轮廓。将其结果示于图4。
如图4所示，在Single Gaussian Filter Height(单个高斯滤波器高度)的轮廓数据中，能够确认到硅晶圆W的槽口N附近或其他部位没有产生特异的图案，成为硅晶圆品质评价的指标的PV值变小，硅晶圆品质良好。另外，Single Gaussian Filter Height被用作表示因磨削等硅晶圆的机械加工而产生的大周期的起伏的指标。
<磨削条件>
·磨石型号：#2000
·磨削轮的直径：160mm
·磨削轮的转速：4000rpm
·承载环的转速：40rpm
〔实施例2〕
除了将支承孔241的偏心量D设为5mm(硅晶圆W的直径的1.67％)以外，准备具有与实施例1相同结构的承载环2。然后，用与实施例1相同的条件来磨削300mm的硅晶圆W的两面，测量剖面的轮廓。将其结果示于图4。
如图4所示，与实施例1同样地，能够确认到硅晶圆W的槽口N附近或其他部位没有产生特异的图案，硅晶圆品质良好。
〔比较例〕
准备如图3所示的承载环9。
该承载环9具备旋转环21及支承环94。支承环94的支承孔941形成为该支承孔941的中心C3与承载环2的中心C1一致，且内径与实施例1、2的支承孔241的内径相同的圆形。即，支承孔941的偏心量D是0mm。又，支承环94上设置有向支承孔941的内部突出且与硅晶圆W的槽口N卡合的突起部942。
然后，将300mm的硅晶圆W支承于承载环9，以使槽口N与突起部942卡合，再用与实施例1相同的条件来磨削该硅晶圆W的两面，测量剖面的轮廓。将其结果示于图4。
如图4所示，可知在槽口N侧的端部产生特异的图案，因为该特异图案，品质评价指标的PV值变大，硅晶圆品质比实施例1、2降低。其结果，被认为启示了如下情况：槽口N与突起部942之间产生过大的推压力，加工中的硅晶圆W变形，产生磨削异常。
从以上可确认到，将承载环的支承孔形成为该支承孔的中心相对于承载环的中心偏心，不会像以往那样使工序复杂化并且不会提高成本就能够提高硅晶圆的磨削品质。
附图标记说明
1-两头磨削装置(磨削装置)，2-承载环，241-支承孔，3-旋转机构，42-磨石，W-硅晶圆(被磨削物)。

Claims (2)

1.一种磨削装置，磨削具有槽口的外形为圆形的晶圆，其特征在于，具备：
承载环，具有能够支承所述晶圆的支承孔，形成为该支承孔的中心相对于该承载环的中心偏心的圆形，
旋转机构，以所述承载环的中心为旋转轴来旋转该承载环；
圆板状的轮座，中央设置有贯通该轮座的两面的磨削液供给孔；
多个磨石，磨削所述晶圆，
所述支承孔的中心相对于所述承载环的中心的偏心量为所述晶圆的直径的1.7%以下，
所述轮座的直径比所述支承孔的直径小，
所述多个磨石沿所述轮座的一面的外缘以指定间隔设置。
2.一种磨削方法，是磨削具有槽口的外形为圆形的晶圆的磨削方法，其特征在于，具备下述工序：
向圆板状的承载环利用支承孔支承所述晶圆的工序，所述支承孔形成为圆形且相对于该承载环的中心该支承孔的中心偏心；
以所述承载环的中心为旋转轴来旋转该承载环的工序；
两个磨削轮分别配置为与保持于所述承载环的所述晶圆的两面相对，令所述两个磨削轮一边向相互相反的方向旋转一边按压于所述晶圆的两面而磨削所述晶圆，
所述磨削轮具有圆板状的轮座和多个磨石，所述轮座在中央设置有贯通两面的磨削液供给孔，所述多个磨石沿所述轮座的一面的外缘以指定间隔设置，所述轮座的直径比所述支承孔的直径小，
所述支承孔的中心相对于所述承载环的中心的偏心量为所述晶圆的直径的1.7%以下。
CN201680058946.0A 2015-10-09 2016-10-05 承载环、磨削装置及磨削方法 Active CN108349058B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015201489A JP6707831B2 (ja) 2015-10-09 2015-10-09 研削装置および研削方法
JP2015-201489 2015-10-09
PCT/JP2016/079659 WO2017061486A1 (ja) 2015-10-09 2016-10-05 キャリアリング、研削装置および研削方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108349058A CN108349058A (zh) 2018-07-31
CN108349058B true CN108349058B (zh) 2021-02-19

Family

ID=58487739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680058946.0A Active CN108349058B (zh) 2015-10-09 2016-10-05 承载环、磨削装置及磨削方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11052506B2 (zh)
JP (1) JP6707831B2 (zh)
CN (1) CN108349058B (zh)
DE (1) DE112016004607T5 (zh)
TW (1) TWI622461B (zh)
WO (1) WO2017061486A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7159861B2 (ja) * 2018-12-27 2022-10-25 株式会社Sumco 両頭研削方法
CN110842762A (zh) * 2019-11-19 2020-02-28 天津中环领先材料技术有限公司 一种大尺寸硅圆片减薄装置及其减薄工艺
CN115070604B (zh) * 2022-06-09 2023-09-29 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 双面研磨装置和双面研磨方法
CN117226707A (zh) * 2023-11-10 2023-12-15 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 驱动环、承载装置及双面研磨装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000288882A (ja) * 1999-04-02 2000-10-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面同時研削装置およびカップ型砥石並びに両面同時研削方法
US20060128276A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Sumco Corporation Carrier for double side polishing
CN102543709A (zh) * 2010-12-15 2012-07-04 硅电子股份公司 用于对至少三个半导体晶片的两面同时进行材料去除处理的方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5411739B1 (zh) 1977-02-16 1979-05-17
DE3644854A1 (de) * 1985-07-31 1987-07-30 Speedfam Corp Werkstueckhalter
JP2644058B2 (ja) * 1989-11-10 1997-08-25 不二越機械工業株式会社 ウエハー加工装置
JPH071306A (ja) * 1993-06-22 1995-01-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd 研磨方法及び研磨装置
JP3923107B2 (ja) 1995-07-03 2007-05-30 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコンウェーハの製造方法およびその装置
DE69811420T2 (de) 1997-03-31 2003-07-17 Nippei Toyama Corp Schleifmaschine und Verfahren
JP3234881B2 (ja) * 1998-12-25 2001-12-04 株式会社柏原機械製作所 両面研磨装置
JP2001310247A (ja) * 2000-04-27 2001-11-06 Nippei Toyama Corp 回転ワークの研削方法
DE10060697B4 (de) * 2000-12-07 2005-10-06 Siltronic Ag Doppelseiten-Polierverfahren mit reduzierter Kratzerrate und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP2003124167A (ja) * 2001-10-10 2003-04-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd ウエハ支持部材及びこれを用いる両頭研削装置
US7364495B2 (en) * 2002-03-28 2008-04-29 Etsu Handotai Co., Ltd. Wafer double-side polishing apparatus and double-side polishing method
US7196009B2 (en) * 2003-05-09 2007-03-27 Seh America, Inc. Lapping carrier, apparatus for lapping a wafer and method of fabricating a lapping carrier
JP4343020B2 (ja) * 2003-12-22 2009-10-14 株式会社住友金属ファインテック 両面研磨方法及び装置
US20080166952A1 (en) * 2005-02-25 2008-07-10 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Carrier For Double-Side Polishing Apparatus, Double-Side Polishing Apparatus And Double-Side Polishing Method Using The Same
JP4904960B2 (ja) * 2006-07-18 2012-03-28 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
KR101494912B1 (ko) * 2006-11-21 2015-02-23 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 래핑 캐리어 및 방법
DE102007056627B4 (de) * 2007-03-19 2023-12-21 Lapmaster Wolters Gmbh Verfahren zum gleichzeitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben
JP4780142B2 (ja) * 2008-05-22 2011-09-28 信越半導体株式会社 ウェーハの製造方法
KR101209271B1 (ko) * 2009-08-21 2012-12-06 주식회사 엘지실트론 양면 연마 장치와 양면 연마 장치용 캐리어
JP5411739B2 (ja) * 2010-02-15 2014-02-12 信越半導体株式会社 キャリア取り付け方法
SG191150A1 (en) * 2010-12-27 2013-07-31 Sumco Corp Method and apparatus for polishing workpiece
JPWO2013099595A1 (ja) * 2011-12-27 2015-04-30 旭硝子株式会社 研磨剤用添加剤および研磨方法
JP5741497B2 (ja) * 2012-02-15 2015-07-01 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法
JP5872947B2 (ja) * 2012-04-05 2016-03-01 光洋機械工業株式会社 両頭平面研削におけるワーク搬入出方法及び両頭平面研削盤
WO2014002467A1 (ja) * 2012-06-25 2014-01-03 株式会社Sumco ワークの研磨方法およびワークの研磨装置
TW201440954A (zh) * 2013-04-30 2014-11-01 Crystalwise Technology 雙面研磨拋光方法及其系統
JP6056793B2 (ja) * 2014-03-14 2017-01-11 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨方法
JP6269450B2 (ja) * 2014-11-18 2018-01-31 信越半導体株式会社 ワークの加工装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000288882A (ja) * 1999-04-02 2000-10-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面同時研削装置およびカップ型砥石並びに両面同時研削方法
US20060128276A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Sumco Corporation Carrier for double side polishing
CN102543709A (zh) * 2010-12-15 2012-07-04 硅电子股份公司 用于对至少三个半导体晶片的两面同时进行材料去除处理的方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE112016004607T5 (de) 2018-06-28
JP2017071040A (ja) 2017-04-13
WO2017061486A1 (ja) 2017-04-13
CN108349058A (zh) 2018-07-31
JP6707831B2 (ja) 2020-06-10
US20190084122A1 (en) 2019-03-21
TW201722617A (zh) 2017-07-01
US11052506B2 (en) 2021-07-06
TWI622461B (zh) 2018-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108349058B (zh) 承载环、磨削装置及磨削方法
KR101549055B1 (ko) 워크의 양두 연삭 장치 및 워크의 양두 연삭 방법
US9296087B2 (en) Method for conditioning polishing pads for the simultaneous double-side polishing of semiconductor wafers
KR101605384B1 (ko) 양두 연삭 장치 및 웨이퍼의 제조 방법
KR101908359B1 (ko) 양두 연삭 장치 및 워크의 양두 연삭 방법
JP5494552B2 (ja) 両頭研削方法及び両頭研削装置
KR102507777B1 (ko) 웨이퍼의 제조 방법 및 웨이퍼
US7108583B1 (en) Method for removing material from a semiconductor wafer
JP2002217149A (ja) ウエーハの研磨装置及び研磨方法
CN110605629B (zh) 一种研磨装置
JP5507799B2 (ja) 半導体ウェーハ研磨装置および研磨方法
KR20150073214A (ko) 연마물의 제조 방법
KR102098260B1 (ko) 워크의 양두연삭방법
JP5076583B2 (ja) 面取り装置、面取り方法および焼結磁石
JP6457802B2 (ja) ガラス板の製造方法、および、ガラス板の製造装置
JP7067094B2 (ja) 両面研削装置及び両面研削装置のツルーイング方法
CN212095894U (zh) 用于半导体晶片的盘式磨削的改进装置
JP2007331034A (ja) ワークキャリア及び両面研磨機
JP2015230734A (ja) 磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法、磁気記録媒体用のガラス基板の製造方法、および磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置
KR20050064242A (ko) 웨이퍼 양면연마기의 연마패드 보정장치와 보정방법
WO2014076955A1 (ja) 半導体ウェハの両面研磨装置および半導体ウェハの製造方法
JP2011161560A (ja) 円形板材の端面加工方法および端面加工装置
JP2006123129A (ja) 薄刃砥石及びその反り矯正方法
JPH10277894A (ja) ウエハの加工方法及び平面研削盤及び研削工具

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant