CN108335978B - 等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够使用共用的处理气体原料供给部并且在多个气体喷淋头部的每一个调整处理气体的成分的等离子体处理装置。在对被处理基板(G)执行等离子体处理的等离子体处理装置(1)中，在对收纳有载置被处理基板(G)的载置台(13)的处理空间(100)进行第一、第二处理气体原料的供给的第一、第二处理气体原料供给部(4a、4b)分别设置有第一、第二供给流量调节部(41a、41b)，并且，对于向多个气体喷淋头部(30a～30d)分配上述第一、第二处理气体原料的多个第一、第二分配流路(401、402)也分别设置有第一、第二分配流量调节部(421a～424a、421b～424b)。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及利用等离子体化了的处理气体进行被处理基板的等离子体处理的技术。
背景技术
在液晶显示装置(LCD)等的平板显示器(FPD)的制造工序中，存在对载置于处理空间内的作为被处理基板的玻璃基板供给等离子体化的处理气体进行蚀刻处理、成膜处理等的等离子体处理的工序。上述等离子体处理中使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD装置等各种等离子体处理装置。
另一方面，玻璃基板的尺寸逐渐大型化。例如在LCD用的矩形状玻璃基板中，需要对短边×长边的长度为约2200mm×约2400mm、甚至达到约2800mm×约3000mm的尺寸的被处理面内的各位置供给必要量的处理气体，并且在玻璃基板的面内进行均匀的处理。
另一方面，伴随上述的玻璃基板的大型化，存在到达玻璃基板的处理气体的浓度和等离子体化的状态等在被处理面内大幅变化的情况。因此，产生由处理气体导致的玻璃基板的处理状态在面内变得不均匀的问题。
另外，存在对这样的大型的玻璃基板的各位置供给必要量的处理气体自身也困难的情况。
例如，专利文献1中记载了如下技术：将喷淋头内分隔为同心圆状地设置例如3个缓冲器室，从共用的气体供给源分流到这些缓冲器室，向要处理基板的处理容器内供给等离子体蚀刻用的蚀刻气体。根据该专利文献1，通过对向上述的缓冲器室中的、周边部侧的2个缓冲器室供给的蚀刻气体供给用于调整蚀刻特性的附加气体，在基板面内局部调整蚀刻气体的浓度。
但是，专利文献1所记载的技术中，在供给附加气体时，在每一个蚀刻气体向各缓冲器室的供给路设置专用的气体供给源，因此，存在气体供给源的结构变得大型化的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4358727号公报：权利要求1、第0004、0028、0049～0050段、图5
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够使用共用的处理气体原料供给部并且在多个气体喷淋头部的每一个调整处理气体的成分的等离子体处理装置。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的等离子体处理装置，其利用等离子体化了的处理气体对进行了真空排气的处理空间内的被处理基板执行等离子体处理，上述等离子体处理装置的特征在于，包括：
处理容器，其具有用于载置上述被处理基板的载置台，构成实施上述等离子体处理的处理空间；
多个气体喷淋头部，分别设置于构成上述处理空间的顶面并且将上述顶面从中央部侧向周边部侧去在径向分割而成的多个区域，上述多个气体喷淋头部形成有对上述处理空间供给处理气体的气体排出孔；
等离子体产生部，用于将从上述多个气体喷淋头部供给到处理空间的处理气体等离子体化；
用于供给上述处理气体所含的第一处理气体原料的第一处理气体原料供给部和用于供给第二处理气体原料的第二处理气体原料供给部；
第一供给流量调节部，用于对从上述第一处理气体原料供给部向上述处理空间供给的第一处理气体原料进行流量调节；
多个第一分配流量调节部，分别设置于多个第一分配流路，用于对向各气体喷淋头部供给的第一原料气体进行流量调节，上述多个第一分配流路用于将由上述第一供给流量调节部进行了流量调节的第一处理气体原料分配并供给到上述多个气体喷淋头部；
第二供给流量调节部，用于对从上述第二处理气体原料供给部向上述处理空间供给的第二处理气体原料进行流量调节；和
多个第二分配流量调节部，分别设置于多个第二分配流路，用于对向各气体喷淋头部供给的第二原料气体进行流量调节，上述多个第二分配流路用于将由上述第二供给流量调节部进行了流量调节的第二处理气体原料分配并供给到上述多个气体喷淋头部。
发明效果
本发明中，在第一、第二处理气体原料供给部分别设置对第一、第二处理气体原料进行流量调节的第一、第二供给流量调节部，并且，对于向多个气体喷淋头部分配上述第一、第二处理气体原料的多个第一、第二分配流路，也分别设置第一、第二分配流量调节部。其结果，能够将从共用的第一、第二处理气体原料供给部得到的第一、第二处理气体原料以任意的比例混合，向被处理基板的各位置供给。
附图说明
图1是在实施方式所涉及的等离子体处理装置中进行处理的被处理基板的第一说明图。
图2是在等离子体处理装置中进行处理的被处理基板的第二说明图。
图3是等离子体处理装置的纵剖侧面图。
图4是设置于上述等离子体处理装置的金属窗的平面图。
图5是向构成上述金属窗的各气体喷淋头部供给蚀刻气体的供给***图。
图6是在等离子体处理装置中进行处理的另一被处理基板的第一说明图。
图7是上述另一被处理基板的第二说明图。
图8是在第二实施方式所涉及的等离子体处理装置中进行处理的被处理基板的说明图。
图9是对第二实施方式所涉及的等离子体处理装置供给处理气体的供给***图。
图10是对第三实施方式所涉及的等离子体处理装置供给处理气体的供给***图。
图11是表示处理气体的供给流路内的各位置中的压力的说明图。
图12是SiCl4气体的温度－蒸气压特性图。
附图标记说明
G 被处理基板
30a、30b、30e 气体喷淋头部
30c、30d 周边气体喷淋头部(气体喷淋头部)
4a CF4气体供给部
4b O2气体供给部
4c Cl2气体供给部
4d N2气体供给部
4e 含卤添加气体供给部
4f SiCl4气体供给部
4g N2气体供给部
4h SiF4气体供给部
4i O2气体供给部
401 第一分配流路
402 第二分配流路
41a 第一供给流量调节部
41b 第二供给流量调节部
421a～424a 第一分配流量调节部
421b～424b 第二分配流量调节部
43a～43d 气体供给管
5 高频天线
6 控制部。
具体实施方式
在对本发明的实施方式所涉及的等离子体处理装置1的具体构成进行说明之前，关于由该等离子体处理装置1实施的等离子体处理的例子、该处理处理的实施中要把握的问题点，参照图1、2进行说明。
图1、2表示处理对象的被处理基板G的上表面(被处理面)的不同区域的放大纵剖侧面图。该被处理基板G，在玻璃基板701上，依次叠层有均是含硅膜的SiO膜702、SiN膜703，并且，在SiN膜703的上表面图案化有曝光显影后的光抗蚀剂膜704。
例如，被处理基板G由矩形形状的FPD用的玻璃基板701构成。这里，作为FPD，可以例示液晶显示器(LCD)、电致发光(Electro Luminescence；EL)显示器、等离子体显示器面板(PDP)等。
对上述被处理基板G，通过将含有作为第一处理气体原料的四氟化碳(CF4)气体或三氟化氮(NF3)气体中的至少一种和作为第二处理气体原料的氧(O2)气的蚀刻气体等离子体化并进行供给，边缓缓地使光抗蚀剂膜704灰化，边进行除去没有被光抗蚀剂膜704覆盖的区域的SiO膜702、SiN膜703的蚀刻处理。SiO膜702、SiN膜703相当于本实施方式的蚀刻对象膜。
关于上述的处理，本发明的发明人发现，根据被处理基板G的被处理面内的位置不同，形成了图案的光抗蚀剂膜704的纵剖面形状不同，其结果，出现蚀刻处理的结果不同的趋势。
例如，在形成于被处理基板G的周边部侧的光抗蚀剂膜704中，如图1的(a)所示，存在形成了图案的光抗蚀剂膜704的端部的倾斜度(锥角)变大的趋势。
对该形成了图案的光抗蚀剂膜704的端部的倾斜度大的部分，在使用O2气体的浓度(分压)低的(例如O2气体/CF4气体的流量比为1︰3)的蚀刻气体进行蚀刻处理时，如图1的(b)所示，玻璃基板701上的SiO膜702、SiN膜703以良好的状态被蚀刻除去。
另一方面，在使用O2气体的浓度高的(例如O2气体/CF4气体的流量比为3︰2)的蚀刻气体进行蚀刻处理时，如图1的(c)所示，存在在SiO膜702、SiN膜703的端部残留有依赖于光抗蚀剂膜704的锥角的形状的残渣物(锥形残渣71a)、小的针状的蚀刻残渣71b的情况。
另外，例如，在形成于被处理基板G的中央部侧的光抗蚀剂膜704中，如图2的(a)所示，存在形成了图案的光抗蚀剂膜704的端部的倾斜度(锥角)变小的情况。
对该形成了图案的光抗蚀剂膜704的端部的倾斜度小的部分，在使用O2气体的浓度低的(例如与图1的(b)的情况相同的O2气体/CF4气体的流量比)的蚀刻气体进行蚀刻处理时，如图2的(b)所示，出现在从玻璃基板701上除去的SiO膜702、SiN膜703的端部残留有针状的蚀刻残渣71b的情况。
另一方面，在使用O2气体的浓度高的(例如与图1的(c)的情况相同的的O2气体/CF4气体的流量比)的蚀刻气体进行蚀刻处理时，如图2的(c)所示，玻璃基板701上的SiO膜702、SiN膜703以良好的状态被蚀刻除去。
根据以上说明的蚀刻气体中的O2气体的浓度与被处理基板G的各位置的蚀刻处理结果的对应关系，为了在被处理基板G的周边部侧获得良好的蚀刻处理结果，对被处理基板G的整个面供给O2气体的浓度低的蚀刻气体时，则存在在被处理基板G的中央部侧的SiO膜702、SiN膜703的端部残留有针状的蚀刻残渣71b的问题。
另外，为了在被处理基板G的中央部侧获得良好的蚀刻处理结果，对被处理基板G的整个面供给O2气体的浓度高的蚀刻气体时，则存在在被处理基板G的周边部侧的SiO膜702、SiN膜703的端部残留有锥形残渣71a、针状的蚀刻残渣71b的问题。
为了应对以上所说明的问题点，本实施方式所涉及的等离子体处理装置1构成为能够根据被处理基板G的位置使蚀刻气体中的O2气体的浓度变化。
使用图3、4说明本发明的实施方式所涉及的等离子体处理装置1的构成。
如图3的纵剖侧面图所示，等离子体处理装置1包括由导电性材料、例如内壁面被阳极氧化处理过的铝形成的角筒形状的容器主体10，该容器主体10电接地。在容器主体10的上表面形成有开口，该开口被与该容器主体10绝缘地设置的矩形形状的金属窗3气密封闭。
由上述容器主体10和金属窗3包围的空间成为被处理基板G的处理空间100。金属窗3的上侧的空间成为用于配置高频天线(等离子体天线)5的天线室50。
另外，在容器主体10的侧壁设置有用于搬入搬出被处理基板G的搬入搬出口101和将搬入搬出口101打开关闭的闸阀102。
在处理空间100的下部侧，与上述金属窗3相对地设置有用于载置被处理基板G的载置台13。载置台13由导电性材料例如表面被阳极氧化处理过的铝构成，俯视时的形状为矩形形状。载置于载置台13的被处理基板G由未图示的静电吸盘吸附保持。载置台13收纳于绝缘体框14内，隔着该绝缘体框14设置于容器主体10的底面。
第二高频电源152经由匹配器151与载置台13连接。第二高频电源152对载置台13施加偏置用的高频电力，例如频率为3.2MHz的高频电力。通过由该偏置用的高频电力生成的自偏压，能够将在处理空间100内生成的等离子体中的离子引至被处理基板G。
此外，在载置台13内，为了控制被处理基板G的温度，设置有包括陶瓷加热器等加热装置和冷却介质流路的温度控制机构、温度传感器、用于向被处理基板G的背面供给热传递用的He气体的气体流路(均未图示)。
另外，在容器主体10的底面形成有排气口103，该排气口103与包含真空泵等的真空排气部12连接。处理空间100的内部通过该真空排气部12真空排气至等离子体处理时的压力。如图3所示，排气口103在载置台13的周围设置多个，配置于俯视时为矩形形状的载置台13的四个角的附近位置、沿载置台13的四边的位置等。
如图3和作为从处理空间100侧观察金属窗3的平面图的图4所示，在容器主体10的侧壁的上部侧设置有由铝等的金属形成的、为矩形形状的框体的金属框11。在容器主体10和金属框11之间设置有用于将处理空间100保持为气密的密封部件110。这里，容器主体10和金属框11构成本实施方式的处理容器。
并且，本例的金属窗3分割为多个部分窗30，上述部分窗30配置于金属框11的内侧，作为整体构成矩形形状的金属窗3。各部分窗30由例如含有非磁性体且导电性的金属、铝或者铝的合金等构成。
各部分窗30兼作处理气体供给用的气体喷淋头部30a～30d。例如，如图3所示，在各气体喷淋头部30a～30d的内部形成有使蚀刻气体扩散的气体扩散室301。另外，在形成有气体扩散室301的区域的下表面侧形成有用于对处理空间100供给处理气体的多个气体排出孔302。
具有上述构成的部分窗30(气体喷淋头部30a～30d)经由未图示的保持部被保持，构成上述的金属窗3，并且构成处理空间100的顶面。
一边参照图4一边对各气体喷淋头部30a～30d的平面形状和配置进行说明，气体喷淋头部30a～30d设置于从中央部侧向周边部侧去将作为顶面的金属窗3在径向分割为三部分而成的多个区域。
在上述分割为三部分的区域中中央部侧的矩形区域设置气体喷淋头部30a，另外，在该气体喷淋头部30a的周围的方环状的区域设置气体喷淋头部30b。
并且，将顶面分割而成的上述多个区域中的、周边部侧的方环状的区域被分割为包含方环的角部(矩形形状的顶面的角部)的4个区域和夹在相邻的上述角部之间的、包含上述方环(矩形形状)的边部的4个区域。而且，在包括角部的4个区域设置有周边气体喷淋头部30d，在包括边部的4个区域设置有周边气体喷淋头部30c。
这里，为了进行处理空间100内的真空排气，在载置台13的周围配置多个上述排气口103设置于设有周边气体喷淋头部30c、30d的环状的区域的下方位置、或者设置于比该下方位置靠外侧的位置(图3)。
相互分割的气体喷淋头部30a～30d(部分窗30)被绝缘部件31与金属框11、其下方侧的容器主体10电绝缘，并且，相邻的气体喷淋头部30a～30d彼此也通过绝缘部件31相互绝缘(参照图3、4)。
另外，为了提高部分窗30的耐等离子体性，各部分窗30的处理空间100侧的面(气体喷淋头部30a～30d的下表面)被施以耐等离子体涂敷。作为耐等离子体涂敷的具体例，能够列举阳极氧化处理、利用陶瓷喷镀进行的电介质体膜的形成。
如图3所示，各气体喷淋头部30a～30d的气体扩散室301经由气体供给管43a～43d与CF4气体供给部4a和O2气体供给部4b连接。
CF4气体供给部4a相当于本实施方式的第一处理气体原料供给部(图3、5中表示为“第一处理气体原料供给部”)，从该CF4气体供给部4a供给作为第一处理气体原料的CF4气体。此外，当然可以替代CF4气体供给部4a而设置NF3气体供给部，作为第一处理气体原料供给NF3气体。
在CF4气体供给部4a的下游侧设置有用于对向处理空间100供给的CF4气体进行流量调节的第一供给流量调节部41a，并且，在第一供给流量调节部41a的下游侧经由开闭阀V1连接有多个例如4个第一分配流路401。各第一分配流路401与气体喷淋头部30a～30d侧的气体供给管43a～43d连接，起到将由第一供给流量调节部41a进行了流量调节的CF4气体分配并供给到多个气体喷淋头部30a～30d的作用。例如第一供给流量调节部41a由质量流量控制器(MFC)构成。
并且，在各第一分配流路401设置有用于对向各个气体喷淋头部30a～30d供给的CF4气体进行流量调节的第一分配流量调节部421a～424a。例如第一分配流量调节部421a～424a由MFC构成。
将由上游侧的第一供给流量调节部41a进行了流量调整的CF4气体由下游侧的第一分配流量调节部421a～424a以任意的流量比进行分配，因此，当设第一供给流量调节部41a中的CF4气体的流量设定值为F1、设第一分配流量调节部421a～424a的各流量设定值为f11～f14时，F1＝f11+f12+f13+f14的关系成立。
在各第一分配流量调节部421a～424a的下游侧设置有开闭阀V31～V34，第一分配流路401在这些开闭阀V31～V34的下游侧的位置与气体供给管43a～43d连接。此时，使从各第一分配流量调节部421a～424a至多个气体喷淋头部30a～30d的气体流路的长度和截面积统一而使气体流路的流导(conductance)相等，由此，能够从多个气体喷淋头部30a～30d更均等地供给气体。
另一方面，O2气体供给部4b相当于本实施方式的第二处理气体原料供给部(图3、5中表示为“第二处理气体原料供给部”)，从该O2气体供给部4b供给作为第二处理气体原料的O2气体。
在O2气体供给部4b的下游侧设置用于对向处理空间100供给的O2气体进行流量调节的第二供给流量调节部41b，并且，在第二供给流量调节部41b的下游侧经由开闭阀V2与多个例如与第一分配流路401相同的4个第二分配流路402连接。各第二分配流路402与相互不同的第一分配流路401合流，经由这些第一分配流路401与气体喷淋头部30a～30d侧的上述气体供给管43a～43d连接。各第二分配流路402也起到将由第二供给流量调节部41b进行了流量调节的O2气体分配供给到多个气体喷淋头部30a～30d的作用。例如第二供给流量调节部41b由MFC构成。
并且，在各第二分配流路402设置有用于对向各自的气体喷淋头部30a～30d供给的O2气体进行流量调节的第二分配流量调节部421b～424b。例如第二分配流量调节部421b～424b由MFC构成。
将由上游侧的第二供给流量调节部41b进行了流量调整的O2气体由下游侧的第二分配流量调节部421b～424b以任意的流量比进行分配，因此，当设第二供给流量调节部41b中的O2气体的流量设定值为F2、设第二分配流量调节部421b～424b的各流量设定值为f21～f24时，F2＝f21+f22+f23+f24的关系成立。
在各第二分配流量调节部421b～424b的下游侧设置有开闭阀V41～V44，各第二分配流路402在这些开闭阀V41～V44的下游侧的位置跟与气体供给管43a～43d连接的第一分配流路401合流。
此时，使从各第二分配流量调节部421b～424b至多个气体喷淋头部30a～30d的气体流路的长度和截面积统一而使气体流路的流导相等，由此，能够从多个气体喷淋头部30a～30d更均等地供给气体。
图5表示构成金属窗3的各气体喷淋头部30a～30d与设置有第一、第二分配流量调节部421a～424a、421b～424b的第一、第二分配流路401、402的连接关系。
根据图5，对于中央部侧的气体喷淋头部30a及其周围的气体喷淋头部30b，通过第一分配流量调节部421a、422a、第二分配流量调节部421b、422b进行各气体的流量调节。
另一方面，对于构成周边部侧的方环的边部的4个周边气体喷淋头部30c，使用共用的第一、第二分配流量调节部423a、423b分配供给进行了流量调节的气体。另外，对于构成上述方环的角部的4个周边气体喷淋头部30d，使用与边部侧不同的共用的第一、第二分配流量调节部424a、424b分配供给进行了流量调节的气体。
并且，如图3所示，在金属窗3的上侧配置顶板部61，该顶板部61由设置于金属框11上的侧壁部63支承。由金属窗3、侧壁部63和顶板部61包围的空间构成天线室50，在天线室50的内部与部分窗30相对地配置高频天线5。
高频天线5例如隔着未图示的由绝缘部件形成的间隔件与部分窗30分离地配置。高频天线5在与各部分窗30对应的面内，以沿矩形形状的金属窗3的圆周方向围绕的方式形成为涡旋状(省略平面图示)。此外，高频天线5的形状不限于涡旋，可以为使一根或多根天线形成为环状的环状天线。并且，也可以采用以一边错开角度一边将多个天线线卷绕而整体成为涡旋状的方式形成的多重天线。如上所述，在与金属窗3、各部分窗30对应的面内，沿其圆周方向卷绕地设置有天线即可，高频天线5的构造可以为任意的。
各高频天线5经由匹配器511与第一高频电源512连接。对各高频天线5，从第一高频电源512经由匹配器511供给例如13.56MHz的高频电力。由此，在等离子体处理之间、部分窗30各自的表面诱发涡电流，通过该涡电流在处理空间100的内部形成感应电场。从气体排出孔302排出的处理气体因感应电场在处理空间100的内部等离子体化。
并且，如图3所示，在该等离子体处理装置1设置有控制部6。控制部6是包括未图示的CPU(Central Processing Unit)和存储部的计算机，在该存储部记录有程序，该程序编入有用于执行对配置有被处理基板G配置的处理空间100内进行真空排气，使用高频天线5将蚀刻气体(处理气体)等离子体化，对被处理基板G进行处理的动作的控制信号，以及输出各流量调节部41a、41b、421a～424a、421b～424b的流量设定值的步骤(命令)组。该程序例如存储在硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等的存储介质，从上述存储介质安装于存储部。
对具有以上说明的构成的等离子体处理装置1的作用进行说明。
首先，打开闸阀102，从相邻的真空搬送室通过搬送机构(均未图示)，经由搬入搬出口101向处理空间100内搬入被处理基板G。接着，在载置台13上载置被处理基板G，通过未图示的静电吸盘进行固定，另一方面，使上述搬送机构从处理空间100退出，将闸阀102关闭。
然后，打开各开闭阀V1、V2、V31～V34、V41～V44，分别开始通过第一供给流量调节部41a、第二供给流量调节部41b流量调节后的CF4气体、O2气体的供给。
O2气体被分流至4个第二分配流路402，在由第二分配流量调节部421b～424b流量调节后，与第一分配流路401合流。另一方面，CF4气体被分流至4个第一分配流路401，在由第一分配流量调节部421a～424a流量调节后，与从第二分配流路402侧供给的O2气体混合。
CF4气体、O2气体各自通过第一供给流量调节部41a、第二供给流量调节部41b和第一分配流量调节部421a～424a、第二分配流量调节部421b～424b，在分流的前后进行2阶段的流量调节，由此，能够以比较简单的构成将从第一、第二处理气体原料供给部获得的第一、第二处理气体原料以相互独立的任意的比例混合，向被处理基板的各位置供给。其结果，在玻璃基板701的每个区域，能够以与光抗蚀剂膜704的端部的倾斜度对应的O2气体/CF4气体的流量比进行蚀刻处理。
将混合CF4气体和O2气体而得到的蚀刻气体经由气体供给管43a～43d导入各气体喷淋头部30a～30d的气体扩散室301。
对O2气体/CF4气体的流量比进行阐述时，分配到气体喷淋头部30a的蚀刻气体被调节为O2气体/CF4气体＝1︰3～3︰2的范围内的值，分配到周边气体喷淋头部30c、30d的蚀刻气体被调节为O2气体/CF4气体＝1︰3～3︰2的范围内的值。而且，关于分配到位于气体喷淋头部30a和周边气体喷淋头部30c、30d之间的气体喷淋头部30b的蚀刻气体，O2气体/CF4气体的流量比被调节为上述的各范围内的值。
另外，如后所述，边部的周边气体喷淋头部30c与角部的周边气体喷淋头部30d可以供给O2气体/CF4气体的流量比彼此不同的蚀刻气体。
另一方面，在容器主体10侧通过真空排气部12进行处理空间100内的真空排气，将处理空间100内调节到例如0.66～26.6Pa左右的压力气氛。另外，进行载置在载置台13上的被处理基板G的温度调节，并且，向被处理基板G的背面侧供给热传递用的He气体。
接着，从第一高频电源512对高频天线5施加高频电力，由此由金属窗3在处理空间100内生成均匀的感应电场。该结果，通过感应电场，蚀刻气体在处理空间100内等离子体化，生成高密度的电感耦合等离子体。而且，通过从第二高频电源152施加到载置台13的偏置用的高频电力，将等离子体中的离子引到被处理基板G，进行被处理基板G的蚀刻处理。
此时，第一、第二分配流量调节部421a～424a、421b～424b各自进行CF4气体、O2气体的流量设定，使得与位于作为顶面的金属窗3的周边部侧的周边气体喷淋头部30c、30d相比，从位于中央部侧的气体喷淋头部30b、30a供给的蚀刻气体中的O2气体浓度较高。
换而言之，第一、第二分配流量调节部421a～424a、421b～424b各自进行CF4气体、O2气体的流量设定，使得按照在SiO膜702、SiN膜703(蚀刻对象膜)的上表面侧形成了图案的光抗蚀剂膜704的端部的锥角大小不同的区域，与对该锥角大的区域供给蚀刻气体的位置的气体喷淋头部30c、30d相比，从对锥角小的区域供给蚀刻气体的位置的气体喷淋头部30b、30a供给的蚀刻气体中的氧气浓度较高。
通过上述的CF4气体、O2气体的流量设定，能够在形成了图案的端部的锥角大的光抗蚀剂膜704的被处理基板G的周边部侧的区域(图1的(a))使用O2气体的浓度低的蚀刻气体进行蚀刻处理。该结果，能够将玻璃基板701的SiO膜702、SiN膜703以良好的状态蚀刻除去(图1的(b))。
此时，周边部侧的边部的周边气体喷淋头部30c和角部的周边气体喷淋头部30d与不同的第一、第二分配流量调节部423a、424a、423b、424b连接，由此，能够使向各周边气体喷淋头部30c、30d供给的蚀刻气体中的O2气体的浓度不同。
另一方面，在形成了图案的端部的锥角小的光抗蚀剂膜704的、被处理基板G的中央部侧的区域中(图2的(a))，能够使用O2气体的浓度高的蚀刻气体进行蚀刻处理。该结果，将从玻璃基板701将SiO膜702、SiN膜703以良好的状态蚀刻除去(图2的(c))。
并且，在仅进行预先设定的时间的等离子体处理后，停止来自各高频电源512、152的电力供给、来自CF4气体供给部4a、O2气体供给部4b的CF4气体、O2气体的供给，并从处理空间100内进行排气处理。之后，以与搬入时相反的顺序搬出被处理基板G。
采用本实施方式所涉及的等离子体处理装置1，具有以下的效果。在CF4气体供给部4a、O2气体供给部4b各自设置对CF4气体、O2气体进行流量调节的第一、第二供给流量调节部41a、41b，并且，对于向多个气体喷淋头部30a～30d分配上述CF4气体、O2气体的多个第一、第二分配流路401、402也各自设置有第一、第二分配流量调节部421a～424a、421b～424b。该结果，能够将从共用的CF4气体供给部4a、O2气体供给部4b得到的CF4气体、O2气体以任意的比例混合，能够将由上述气体以所期望的比例混合的蚀刻气体供给到被处理基板G的各位置。由此，在由于被处理基板G的被处理面内的位置不同从而形成了图案的光抗蚀剂膜704的纵剖面形状不同的情况下，能够在多个气体喷淋头部30a～30d的每一个以与其剖面形状对应的流量比供给CF4气体和O2气体，因此，能够获得良好的蚀刻处理结果。
这里，构成为能够从多个气体喷淋头部30a～30d供给O2浓度不同的蚀刻气体的上述等离子体装置1不限于应用于上述情形，即，使用图1、2说明的、利用锥形残渣71a、锥形残渣71b的残留成为问题的工艺以良好地状态除去蚀刻对象膜(在上述例子中为含硅膜，即SiO膜702、SiN膜703)的蚀刻处理。
例如，为了在形成于光蚀刻膜704的端部的上述倾斜度转印到进行了蚀刻处理的图案时使转印的倾斜度的锥角一致，也能够利用上述等离子体处理装置。
图6的(a)、图7的(a)表示在进行薄膜晶体管的形成的被处理基板G中，在由多晶硅或钼构成的蚀刻对象膜707的上表面形成了图案的光抗蚀剂膜704的例子(省略蚀刻对象膜707的下层侧的记载)。
由多晶硅或钼构成的蚀刻对象膜707能够使用将含有作为第一处理气体的选自四氟化碳(CF4)气体、六氟化硫(SF6)气体、三氟化氮(NF3)气体或氯(Cl2)气体中的至少一种气体和作为第二处理气体的氧(O2)气体的气体等离子体化得到的蚀刻气体来除去。
在本例中，对与上述的含硅膜(SiO膜702、SiN膜703)的除去同样地使用含有CF4气体和O2气体的蚀刻气体除去上述蚀刻对象膜707的情况进行说明。
这里，光抗蚀剂膜704的锥角有时受光抗蚀剂膜704的涂敷、显影工艺的影响，由于该工艺，与图1的(a)、图2的(a)所示的例子相反，有时在被处理基板G的中央部侧锥角变大，在周边部侧锥角变小。图6的(a)、图7的(a)表示了这样的例子。
对于这样形成有锥角不同的光抗蚀剂膜704的被处理基板G，例如，研究了在被处理基板G的整个面供给CF4气体/O2气体的混合比(O2气体浓度)相等的蚀刻气体来进行蚀刻处理的情况。
在利用光抗蚀剂膜704的蚀刻处理中，利用蚀刻气体中所含的O2气体的作用，一边使光抗蚀剂膜704缓缓灰化，一边进行蚀刻对象膜707的蚀刻。因此，通过控制蚀刻气体中所含的O2气体的浓度，能够改变蚀刻对象膜707的蚀刻中光抗蚀剂膜的灰化速率。
此时，如果使蚀刻气体中的O2气体的浓度在被处理基板G的中央部侧与周边部侧之间大致相等，则在各位置的光抗蚀剂膜704在每单位时间的灰化量大致相等的条件下进行蚀刻。
其结果，保持光抗蚀剂膜704的锥角不同的状态进行蚀刻，因此，转印到图案707a的锥角也成为在被处理基板G的面内不同的状态。即，形成于被处理基板G的中央部侧的图案707a的端部的锥角θ1大于形成于周边部侧的图案707a的端部的锥角θ2，产生不一致(图6的(b)、图7的(b))。
另一方面，根据来自接着蚀刻处理的后段的处理的要求等，有时需要尽量使多晶硅、钼的图案707a的锥角在被处理基板G的面内尽量一致。在这样的情况下，也能够利用使用图3进行了说明的等离子体处理装置1。
此时，第一分配流量调节部421a～424a分别进行CF4气体的流量设定，使得在规定的处理时间内完成蚀刻处理。另外，第二分配流量调节部421b～424b分别进行O2气体的流量设定，使得与位于作为顶面的金属窗3的周边部侧的周边气体喷淋头部30c、30d相比，从位于中央部侧的气体喷淋头部30b、30a供给的蚀刻气体中的O2气体浓度较高。
换而言之，第一、第二分配流量调节部421a～424a、421b～424b各自进行CF4气体、O2气体的流量设定，使得与对在蚀刻对象膜707的上表面侧形成了图案的光抗蚀剂膜704的端部的锥角小的区域供给蚀刻气体的位置的气体喷淋头部30c、30d相比，从对上述锥角大的区域供给蚀刻气体的位置的气体喷淋头部30b、30a供给的蚀刻气体中的氧气浓度较高。
通过上述CF4气体、O2气体的流量设定，在锥角大的形成了图案的光抗蚀剂膜704的被处理基板G的中央部侧的区域(图6的(a))使用O2气体的浓度高的蚀刻气体进行蚀刻处理，在锥角小的形成了图案的光抗蚀剂膜704的被处理基板G的周缘部侧的区域(图7的(a))使用O2气体的浓度低的蚀刻气体进行蚀刻处理。
此时，由于与锥角小的光抗蚀剂膜704相比，锥角大的光抗蚀剂膜704的灰化速度大，能够在各区域的锥角的差异被缓和的方向进行灰化。其结果，一边使使用这些光抗蚀剂膜704形成的图案707a的端部的锥角θ′1、θ′2相接近一边进行蚀刻(图6的(c)、图7的(c))。
接着，参照图8、9说明第二实施方式所涉及的等离子体处理装置1a的构成和应用工艺。
图8的(a)表示处理对象的被处理基板G的上表面的放大纵剖侧面图。在该被处理基板G中，在玻璃基板701上形成厚度为几百nm左右的铝膜705，并且，在其上表面形成有几十nm左右的SiO2膜706。
而且，在SiO2膜706的上表面图案化形成有用于将上述铝膜705、SiO2膜706的叠层膜蚀刻成线和间隙(line and space)状的光抗蚀剂膜704a。光抗蚀剂膜704a图案化形成线和间隙的线宽和间隙宽度各自为数十nm左右。
对具有上述的构成的被处理基板G，将含有作为第一处理气体原料、也就是主蚀刻气体的氯(Cl2)气和作为第二处理气体原料、也就是添加气体的氮(N2)气和作为含卤素气体的添加气体(以下也称为“含卤添加气体”)的例如三氟甲烷(CHF3)的气体等离子体化并供给，由此，进行蚀刻处理，除去没有被光抗蚀剂膜704a覆盖的区域的铝膜705、SiO2膜706。这里，作为含卤添加气体例示了使用三氟甲烷(CHF3)的例子，但是，作为含卤添加气体，能够使用CF4、C2HF5、C4F8、BCl3、HCl等。
关于进行上述的处理的被处理基板G，本发明的发明人发现，根据被处理基板G的被处理面内的位置不同，存在容易进行蚀刻处理的区域和难以通过蚀刻处理获得所期望的线和间隙图案72的区域。
例如在被处理基板G的周边部侧，如图8的(b)所示，形成有比较良好的线和间隙图案72，另一方面，在被处理基板G的中央部侧，如图8的(c)所示，由于蚀刻不良形成有不完全图案73。在被处理基板G的中央部侧中，形成有不完全图案73的理由推测为：与被处理基板G的周边部侧相比，由于对光抗蚀剂膜704a进行蚀刻而生成的碳的量较多，并且，所生成的碳的排气能力低，因此，上述碳附着于没有被光抗蚀剂膜704a覆盖的铝膜705、SiO2膜706上，抑制了利用作为主蚀刻气体的Cl2气体进行的蚀刻处理。
为此，第二实施方式所涉及的等离子体处理装置1a具有使用被分割为多个的气体喷淋头部30a～30d，能够向被处理基板G的各区域供给不同的流量的蚀刻气体的结构。
图9示意地表示从作为第一处理气体原料供给部的Cl2气体供给部4c(图9中表示为“第一处理气体原料供给部”)、和作为第二处理气体原料供给部的N2气体供给部4d、含卤添加气体供给部4e(图9中分别表示为“第二处理气体原料供给部(1)、第二处理气体原料供给部(2)”)向各气体喷淋头部30a～30d供给各气体的供给路径。此外，等离子体处理装置1a的具体的装置构成与使用图3、4说明的等离子体处理装置1的情况相同，省略重复的说明。另外，在图9所记载的等离子体处理装置1a和后述的图10所记载的等离子体处理装置1b中，对与使用图3、4说明过的内容共用的构成要素，标注与在上述图中使用的构成要素共用的附图标记。
图10所示的等离子体处理装置1a与上述的第一实施方式所涉及的等离子体处理装置1的不同之处在于：第一、第二处理气体原料的气体种类不同；以及从N2气体供给部4d、含卤添加气体供给部4e供给的2种气体混合后被第二分配流路402分流。另外，在本例中，利用第一、第二分配流量调节部421a～424a、421b～424b进行流量调节，能够使得N2气体/含卤添加气体的流量比在气体喷淋头部30a～30d间相同，另一方面，能够使来自各气体喷淋头部30a～30d的Cl2气体的分配比不同。
采用具有上述的构成的等离子体处理装置1a，在位于在蚀刻时由光抗蚀剂膜704a引起的碳容易附着的被处理基板G的中央部侧的气体喷淋头部30a，与位于周边部侧的周边气体喷淋头部30c、30d相比，减小作为添加气体的N2气体和含卤添加气体相对于作为主蚀刻气体的Cl2气体的分配比，由此，能够抑制由光抗蚀剂膜704a引起的碳的附着，获得良好的线和间隙图案72。
另外，也能够在圆周方向分割的周边气体喷淋头部30c、30d间使作为第一处理气体原料的主蚀刻气体与作为第二处理气体原料的添加气体的供给流量不同。
如上所述，在使用图3、4、7说明的第一、第二实施方式所涉及的等离子体处理装置1、1a中，关于位于最外周侧的方环状的区域的周边气体喷淋头部30c、周边气体喷淋头部30d，例示了在圆周方向进行分割的例子，但是，在圆周方向分割的周边气体喷淋头部30c、周边气体喷淋头部30d不限于最外周侧的区域。
也可以将作为顶面的部分窗30在径向分割成四部分，将与最外周相比靠内侧1个的各环状的区域在圆周方向分割，配置周边气体喷淋头部30c、30d。
例如当与从部分窗30的中心位置至周边位置的距离的1/2相比位于外周侧的区域内时，设置在圆周方向分割的周边气体喷淋头部30c、30d，由此，能够实现与排气口103的位置关系对应的蚀刻气体(处理气体)的流量比调整以及由供给流量调整得到的处理结果的提高。
另一方面，并不一定要将位于部分窗30的外周侧的区域在圆周方向进行分割。如图10的等离子体处理装置1b所示，关于将矩形形状的部分窗30配置于在径向分割形成的外周侧的区域的气体喷淋头部30e，也可以不进行圆周方向的分割，从方环状的气体喷淋头部30e进行处理气体的供给。
图10表示将含有作为第一处理气体原料的四氟化硅(SiF4)气体和四氯化硅(SiCl4)气体以及作为第二处理气体原料的氮(N2)气或者氧(O2)气的成膜气体等离子体化并供给，在被处理基板G上进行SiO2膜、SiN膜的成膜处理的等离子体处理装置1b的构成例。
图10中例示了作为第一处理气体原料供给部设置有SiCl4气体供给部4f和SiF4气体供给部4h(图10中分别表示为“第一处理气体原料供给部(1)、第一处理气体原料供给部(2)”)、作为第二处理气体原料供给部设置有N2气体供给部4g和O2气体供给部4i的情况(图10中分别表示为“第二处理气体原料供给部(1)、第二处理气体原料供给部(2)”)。在SiCl4气体供给部4f和SiF4气体供给部4h的下游侧分别设置有第一供给流量调节部41a、41c，并且，第一供给流量调节部41a、41c的下游侧经由开闭阀V1、V3与3个第一分配流路401共通连接。另外，在N2气体供给部4g和O2气体供给部4i的下游侧分别设置有第一供给流量调节部41b、41d，并且，第一供给流量调节部41b、41d的下游侧经由开闭阀V2、V4与3个第二分配流路402共通连接。
图10所示的等离子体处理装置1b与上述的第一实施方式所涉及的等离子体处理装置1的不同之处在于：在将从SiCl4气体供给部4f和SiF4气体供给部4h供给的两种气体混合后，被第一分配流路401分流；以及从N2气体供给部4g和O2气体供给部4i的任一个供给的气体被第二分配流路402分流。能够通过从N2气体供给部4g和O2气体供给部4i的任一个切换供给N2气体和O2气体，切换形成SiN膜、SiO2膜。
此外，等离子体处理装置1b的具体的装置构成与使用图3、4说明的等离子体处理装置1的情况相同，因此，省略重复说明。
图11表示从设置有SiCl4气体供给部4f、SiF4气体供给部4h、N2气体供给部4g的气体箱(gas box)至气体喷淋头部30a、30b、30e的路径内的各位置的压力。
图11中的方形的描点表示不设置第二分配流路402，而在第一分配流量调节部421a～423a的上游侧设置SiCl4气体供给部4f、SiF4气体供给部4h、N2气体供给部4g，例如将流量调节为150sccm的SiF4气体、流量调节为150sccm的SiCl4气体、流量调节为4000sccm的N2气体混合，经由第一分配流路401供给到气体喷淋头部30a、30b、30e的情况的各位置的压力。
在将SiCl4气体、SiF4气体和N2气体预先混合的情况下，作为MFC的第一分配流量调节部421a～423a的上游侧的路径内的整个压力高至33kPa(250torr)左右。根据图10所示的SiCl4(沸点57.6℃)的蒸气压曲线，该压力是比25℃高的温度下的蒸气压。因此，当对流通SiCl4气体、SiF4气体和N2气体的混合气体(成膜气体)的第一分配流量调节部421a～423a的上游侧的配管不进行加热时，存在SiCl4冷凝的担心。
另外，第一分配流量调节部421a～423a的流导小，在第一分配流量调节部421a～423a的上游混合气体的压力变高，因此，存在难以正确地供给蒸气压低的SiCl4气体的问题。
由此，如图10所示，通过将从SiCl4气体供给部4f和SiF4气体供给部4h供给的SiCl4气体和SiF4气体用的第一分配流路401与从N2气体供给部4g供给的N2气体供给用的第二分配流路402分离，如图11中菱形的描点所示，使第一分配流量调节部421a～423a的上游侧的路径内的整个压力降低，能够抑制蒸气压低的SiCl4气体的冷凝并且正确供给SiCl4气体。
另外，切换来自N2气体供给部4g的N2气体的供给，从O2气体供给部4i供给O2气体，使用SiCl4气体、SiF4气体和O2气体的混合气体(成膜气体)进行成膜的情况下，也能够获得相同的作用效果。
并且，从SiCl4气体供给部4f、SiF4气体供给部4h单独地供给SiCl4气体、SiF4气体的情况下，存在构成各个气体的物质冷凝或者难以正确地供给的情况下，也可以将SiCl4气体或者SiF4气体用的第一分配流路401与N2气体或者O2气体供给用的第二分配流路402分离。由此，能够抑制各物质的冷凝，另外，正确地供给SiCl4气体或者SiF4气体。
在以上说明的例子中，作为第一处理气体原料的例子，例示了使用SiCl4气体和SiF4气体的例子。这里，将第一处理气体原料用作Si的原料的情况下，作为能够采用的气体种类，除了上述的SiCl4、SiF4之外，还能够使用选自SiBr4、SiF2Cl2、SiH4的气体种类组中的任一种气体种类、或者将2种以上的气体种类组合使用。
并且，在上述的例子中，作为第二处理气体原料的例子，例示了使用N2气体和O2气体的例子。这里，在将氧化气体、氮化气体、稀释气体、清洁气体用作第二处理气体原料的情况下，作为能够采用的气体种类，还能够使用选自O2、N2、N2O、Ar、He、NF3的气体种类组中的任一种气体种类、或者将2种以上的气体种类组合使用。
如以上所说明的等离子体处理装置1b的那样，根据与气体喷淋头部30a、30b、30e相比靠上游侧的必要性，在将SiCl4气体供给部4f和SiF4气体供给部4h(第一处理气体原料供给部)与N2气体供给部4g、O2气体供给部4i(第二处理气体原料供给部)分离的情况下，不需要将外周侧的气体喷淋头部30e在圆周方向分割。
但是，从膜厚的调整等的观点考虑，在需要在被处理基板G的角部和边部等在圆周方向分割的每个区域使成膜气体的供给流量、第一、第二处理气体原料的流量比变化的情况下，当然也可以使用在圆周方向分割的周边气体喷淋头部30c、30d进行成膜气体的供给。
以上，在使用图3、4、7、8说明的实施方式所涉及的等离子体处理装置1、1a、1b中，例示了通过使用高频天线5的感应电场的形成将供给到处理空间100的处理气体等离子体化的例子。但是，对处理气体进行等离子体化的方法不限于电感耦合方式。
例如在图3所示的等离子体处理装置1中，也可以替代高频天线5的配置而使第一高频电源512与各气体喷淋头部30a～30d连接，构成由载置台13和金属窗3(气体喷淋头部30a～30d)形成的平行平板型的等离子体产生部，通过电容耦合而将处理气体等离子体化。
另外，在使用利用高频天线5的电感耦合等离子体的情况下，气体喷淋头部30a～30d、30e由金属制的部分窗30构成并不是必需的条件，例如可以为由石英等的电介质形成的电介质窗。
而且，对被处理基板G的处理不限于上述的蚀刻处理、成膜处理，也能够用于在形成薄膜晶体管时的形成金属膜、ITO膜、氧化膜等的其它成膜处理、对这些膜进行蚀刻处理的其它蚀刻处理、抗蚀剂膜的灰化处理等的各种等离子体处理。
并且，等离子体处理装置1、1a、1b不限于FPD用的基板G，也能够用于对太阳能电池面板用的基板G的上述的各种等离子体处理。
在矩形形状的金属窗3具有短边和长边时，可以将周边气体喷淋头部30c分为长边侧的周边气体喷淋头部和短边侧的周边气体喷淋头部，使用各自不同的第一分配流量调节部、第二分配流量调节部分配供给分别流量调节后的气体。
作为第一分配流量调节部421a～424a、第二分配流量调节部421b～424b使用MFC，但是，也可以替代其而使用将供给的气体根据规定的压力比进行分配的压力式分流量控制器和根据规定的流量比进行分配的流量控制器。

Claims (10)

1.一种等离子体处理装置，其利用等离子体化了的处理气体对进行了真空排气的处理空间内的被处理基板执行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：
处理容器，其具有载置所述被处理基板的载置台，构成实施所述等离子体处理的处理空间；
多个气体喷淋头部，分别设置于构成所述处理空间的顶面且将所述顶面从中央部侧向周边部侧去在径向分割而成的多个区域，所述多个气体喷淋头部形成有对所述处理空间供给处理气体的气体排出孔；
等离子体产生部，用于将从所述多个气体喷淋头部供给到处理空间的处理气体等离子体化；
用于供给所述处理气体所含的第一处理气体原料的第一处理气体原料供给部和用于供给第二处理气体原料的第二处理气体原料供给部；
第一供给流量调节部，用于对从所述第一处理气体原料供给部向所述处理空间供给的第一处理气体原料进行流量调节；
多个第一分配流量调节部，分别设置于多个第一分配流路，用于对向各气体喷淋头部供给的第一原料气体进行流量调节，所述多个第一分配流路用于将由所述第一供给流量调节部进行了流量调节的第一处理气体原料分配并供给到所述多个气体喷淋头部；
第二供给流量调节部，用于对从所述第二处理气体原料供给部向所述处理空间供给的第二处理气体原料进行流量调节；和
多个第二分配流量调节部，分别设置于多个第二分配流路，用于对向各气体喷淋头部供给的第二原料气体进行流量调节，所述多个第二分配流路用于将由所述第二供给流量调节部进行了流量调节的第二处理气体原料分配并供给到所述多个气体喷淋头部，
所述处理气体是用于对形成于由玻璃基板构成的被处理基板上的蚀刻对象膜进行蚀刻的蚀刻气体，
所述第二处理气体原料是氧气，
设置于所述多个第一、第二分配流路的第一、第二分配流量调节部对所述第一、第二处理气体原料进行流量设定，使得按照在所述蚀刻对象膜的上表面形成了图案的光抗蚀剂膜的端部的倾斜度大小不同的区域，从对这些区域供给蚀刻气体的位置的气体喷淋头部供给的蚀刻气体的氧浓度变化。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述蚀刻对象膜是含硅膜，
所述第一处理气体原料是四氟化碳气体或者三氟化氮气体中的至少一种，
设置于所述多个第一、第二分配流路的第一、第二分配流量调节部分别对所述第一、第二处理气体原料进行流量设定，使得与对在所述蚀刻对象膜的上表面形成了图案的光抗蚀剂膜的端部的倾斜度大的区域供给蚀刻气体的位置的气体喷淋头部相比，从对所述光抗蚀剂膜的端部的倾斜度小的区域供给蚀刻气体的位置的气体喷淋头部供给的蚀刻气体的氧浓度较高。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述蚀刻对象膜是多晶硅膜或者钼膜，
所述第一处理气体原料是选自四氟化碳气体、六氟化硫气体、三氟化氮气体或氯气中的至少一种气体，
设置于所述多个第一、第二分配流路的第一、第二分配流量调节部分别对所述第一、第二处理气体原料进行流量设定，使得与对在所述蚀刻对象膜的上表面形成了图案的光抗蚀剂膜的端部的倾斜度小的区域供给蚀刻气体的位置的气体喷淋头部相比，从对所述光抗蚀剂膜的端部的倾斜度大的区域供给蚀刻气体的位置的气体喷淋头部供给的蚀刻气体的氧浓度较高。
4.一种等离子体处理装置，其利用等离子体化了的处理气体对进行了真空排气的处理空间内的被处理基板执行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：
处理容器，其具有载置所述被处理基板的载置台，构成实施所述等离子体处理的处理空间；
多个气体喷淋头部，分别设置于构成所述处理空间的顶面且将所述顶面从中央部侧向周边部侧去在径向分割而成的多个区域，所述多个气体喷淋头部形成有对所述处理空间供给处理气体的气体排出孔；
等离子体产生部，用于将从所述多个气体喷淋头部供给到处理空间的处理气体等离子体化；
用于供给所述处理气体所含的第一处理气体原料的第一处理气体原料供给部和用于供给第二处理气体原料的第二处理气体原料供给部；
第一供给流量调节部，用于对从所述第一处理气体原料供给部向所述处理空间供给的第一处理气体原料进行流量调节；
多个第一分配流量调节部，分别设置于多个第一分配流路，用于对向各气体喷淋头部供给的第一原料气体进行流量调节，所述多个第一分配流路用于将由所述第一供给流量调节部进行了流量调节的第一处理气体原料分配并供给到所述多个气体喷淋头部；
第二供给流量调节部，用于对从所述第二处理气体原料供给部向所述处理空间供给的第二处理气体原料进行流量调节；和
多个第二分配流量调节部，分别设置于多个第二分配流路，用于对向各气体喷淋头部供给的第二原料气体进行流量调节，所述多个第二分配流路用于将由所述第二供给流量调节部进行了流量调节的第二处理气体原料分配并供给到所述多个气体喷淋头部，
所述处理气体是用于对形成于由玻璃基板构成的被处理基板上的铝膜及其上层侧的二氧化硅膜进行蚀刻的蚀刻气体，
所述第一处理气体原料是氯气，所述第二处理气体原料是氮气和含卤素气体，
设置于所述多个第一、第二分配流路的第一、第二分配流量调节部分别对所述第一、第二处理气体原料进行流量设定，使得与位于所述顶面的周边部侧的气体喷淋头部相比，从位于中央部侧的气体喷淋头部供给的蚀刻气体中的氮气和含卤素气体相对于氯气的分配比较小。
5.一种等离子体处理装置，其利用等离子体化了的处理气体对进行了真空排气的处理空间内的被处理基板执行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：
处理容器，其具有载置所述被处理基板的载置台，构成实施所述等离子体处理的处理空间；
多个气体喷淋头部，分别设置于构成所述处理空间的顶面且将所述顶面从中央部侧向周边部侧去在径向分割而成的多个区域，所述多个气体喷淋头部形成有对所述处理空间供给处理气体的气体排出孔；
等离子体产生部，用于将从所述多个气体喷淋头部供给到处理空间的处理气体等离子体化；
用于供给所述处理气体所含的第一处理气体原料的第一处理气体原料供给部和用于供给第二处理气体原料的第二处理气体原料供给部；
第一供给流量调节部，用于对从所述第一处理气体原料供给部向所述处理空间供给的第一处理气体原料进行流量调节；
多个第一分配流量调节部，分别设置于多个第一分配流路，用于对向各气体喷淋头部供给的第一原料气体进行流量调节，所述多个第一分配流路用于将由所述第一供给流量调节部进行了流量调节的第一处理气体原料分配并供给到所述多个气体喷淋头部；
第二供给流量调节部，用于对从所述第二处理气体原料供给部向所述处理空间供给的第二处理气体原料进行流量调节；和
多个第二分配流量调节部，分别设置于多个第二分配流路，用于对向各气体喷淋头部供给的第二原料气体进行流量调节，所述多个第二分配流路用于将由所述第二供给流量调节部进行了流量调节的第二处理气体原料分配并供给到所述多个气体喷淋头部，
所述处理气体是用于对形成于由玻璃基板构成的被处理基板上的含硅膜进行成膜的成膜气体，
所述第一处理气体原料是四氟化硅气体或者四氯化硅气体中的至少一种，所述第二处理气体原料是氮气或者氧气，
所述第二分配流路分别与所述第一分配流量调节部的下游侧的第一分配流路合流，
所述第一供给流量调节部和所述第一分配流量调节部进行流量设定，使得供给从该第一供给流量调节部至所述第一分配流量调节部的流路内的压力被维持为比室温下的所述第一处理气体原料的蒸气压低的压力的流量的第一处理气体原料。
6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在将所述顶面在径向分割而成的所述多个区域中的周边部侧的环状的区域，在将该环状的区域在圆周方向分割而成的多个区域，设置有作为气体喷淋头部的多个周边气体喷淋头部，所述多个周边气体喷淋头部形成有向所述处理空间供给处理气体的气体排出孔，
第一处理气体原料、第二处理气体原料从设置有所述第一分配流量调节部的第一分配流路和设置有第二分配流量调节部的第二分配流路也分配并供给到所述各周边气体喷淋头部。
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述顶面的平面形状为矩形形状，在所述周边气体喷淋头部设置有包含所述矩形形状的角部的周边气体喷淋头部和夹在相邻的所述角部之间的、包含所述矩形形状的边部的周边气体喷淋头部，
所述第一、第二处理气体原料从共用的第一、第二分配流路分配并供给到所述角部的周边气体喷淋头部，所述第一、第二处理气体原料从与所述角部的周边气体喷淋头部不同的共用的第一、第二分配流路分配并供给到所述边部的周边气体喷淋头部。
8.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
用于进行所述处理空间内的真空排气的排气口设置于设有所述周边气体喷淋头部的环状的区域的下方位置、或者设置于比该下方位置靠外侧的位置。
9.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第二分配流路分别与所述第一分配流量调节部的下游侧的第一分配流路合流。
10.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述等离子体产生部配置于所述气体喷淋头部的上方侧，是用于通过电感耦合将所述处理气体等离子体化的等离子体天线，
所述多个气体喷淋头部分别构成为由导电性的部分窗形成的金属窗，相邻的气体喷淋头部彼此相互绝缘。
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