CN108270345B - 电力电路以及驱动电路 - Google Patents

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Abstract

一种电力电路，包括：功率晶体管、驱动电路、接收第二内部信号而产生第一内部信号的第一前置驱动电路、接收第三内部信号而产生第二内部信号的第二前置驱动电路以及接收控制信号而产生第三内部信号且提供迟滞功能给控制信号的迟滞电路。功率晶体管根据驱动节点的电压而将功率电流流至接地端。驱动电路包括根据上桥节点的上桥电压而将供应电压提供至驱动节点的上桥晶体管、根据第一内部信号而将驱动节点耦接至接地端下桥晶体管以及耦接至上桥节点以及驱动节点且用以根据第一内部信号而产生超过供应电压的上桥电压的电荷泵。

Description

电力电路以及驱动电路
技术领域
本发明涉及整合氮化镓(GaN)功率元件的驱动电路。
背景技术
在一个电力电路中，往往需要利用电荷泵将供应电压升压至更高的电压来驱动功率晶体管。图1是显示一般的电力电路。如图1所示的电力电路100中，上桥驱动电路DRV1用以驱动第一功率晶体管110A，下桥驱动电路DRV2用以驱动第二功率晶体管110B。此外，升压电容CB以及升压二极管DB用以将供应电压VDD升压至升压电压VB，使得第一功率晶体管110A能够完全导通。因此，第一功率晶体管110A由输入电压VIN所供应，第二功率晶体管110B能够通过电感L以及电容C来驱动负载装置RL。
因为电感L会在切换节点SW上产生显著的寄生效应，如通过第二功率晶体管110B的导通的内接二极管(body diode)而在切换节点SW上产生负电压突波，这些寄生效应会在升压电容CB经由功率晶体管充电时干扰升压电压VB。因此，需要降低驱动电路的寄生效应。
发明内容
有鉴于此，本发明提出一种电力电路，包括：一功率晶体管、一驱动电路、一第一前置驱动电路、一第二前置驱动电路以及一迟滞电路。上述功率晶体管根据一驱动节点的一驱动电压而将一功率电流流至一接地端。上述驱动电路包括：一上桥晶体管、一下桥晶体管以及一电荷泵。上述上桥晶体管根据一上桥节点的一上桥电压，将一供应电压提供至上述驱动节点。上述下桥晶体管根据一第一内部信号，将上述驱动节点耦接至上述接地端。上述电荷泵耦接至上述上桥节点以及上述驱动节点，其中上述电荷泵用以根据上述第一内部信号而产生一上桥电压，其中上述上桥电压超过上述供应电压。上述第一前置驱动电路接收一第二内部信号而产生上述第一内部信号，上述第二前置驱动电路接收一第三内部信号而产生上述第二内部信号。上述迟滞电路接收一控制信号而产生上述第三内部信号，并且用以提供一迟滞功能给上述控制信号，其中上述第一前置驱动电路以及上述第二前置驱动电路用以增进上述控制信号的驱动能力。
根据本发明的一实施例，上述上桥晶体管以及上述下桥晶体管为常闭晶体管。
根据本发明的一实施例，上述功率晶体管为一氮化镓晶体管。
根据本发明的一实施例，上述电荷泵包括：一第一单向导通装置、一电容、一放电电阻、一第二单向导通装置、一第三单向导通装置以及一开关。上述第一单向导通装置单方向地将上述供应电压提供至一第一节点。上述电容耦接于上述第一节点以及一第二节点之间。上述放电电阻耦接于上述第一节点以及上述上桥节点之间，其中当上述第二节点的电压超过上述上桥电压时，上述第二单向导通装置单方向地将上述第二节点耦接至上述上桥节点。一第三单向导通装置，其中当上述驱动电压超过上述第二节点的电压时，上述第三单向导通装置单方向地将供应电压提供至上述第二节点。上述开关接收上述控制信号，并且用以根据上述控制信号而将上述上桥节点耦接至上述接地端。
根据本发明的一实施例，当上述控制信号是位于一高电压电平时，上述开关为导通且上述供应电压对上述电容充电，并经过上述第一单向导通装置、上述第二单向导通装置以及上述开关而至上述接地端，当上述控制信号是位于一低电压电平时，上述开关为不导通，上述第三单向导通装置提供上述驱动电压至上述第二节点，上述电容是经由上述放电电阻放电至上述放电节点。
根据本发明的一实施例，上述第一单向导通装置、上述第二单向导通装置以及上述第三单向导通装置的每一者为一二极管或耦接成二极管形式的一常闭二极管。
根据本发明的一实施例，上述驱动电路还包括：一上桥常开晶体管。上述上桥常开晶体管包括耦接至上述驱动节点的源极端、耦接至上述驱动节点的栅极端以及由上述供应电压供电的漏极端，其中上述上桥常开晶体管用以增进上述上桥晶体管的驱动能力。
根据本发明的一实施例，上述第一前置驱动电路包括：一第一常开晶体管以及一第一常闭晶体管。上述第一常开晶体管包括耦接至上述驱动电路的栅极端、耦接至上述驱动电路的源极端以及由上述供应电压供电的漏极端。上述第一常闭晶体管包括接收上述控制信号的栅极端、耦接至上述接地端的源极端以及耦接至上述驱动电路的漏极端。
根据本发明的一实施例，上述第二前置驱动电路包括：一第二常开晶体管以及一第二常闭晶体管。上述第二常开晶体管包括耦接至上述第一常闭晶体管的栅极端的栅极端、耦接至上述第一常闭晶体管的栅极端的源极端以及由上述供应电压供电的漏极端。上述第二常闭晶体管包括接收上述控制信号的栅极端、耦接至上述接地端的源极端以及耦接至上述第一常闭晶体管的栅极端的漏极端。
根据本发明的一实施例，上述迟滞电路包括：一第三电阻、一第三常闭晶体管、一第四常闭晶体管、一第五常闭晶体管以及一第二电阻。上述第三电阻耦接至上述供应电压。上述第三常闭晶体管包括耦接至一第三节点的栅极端、耦接至一第四节点的源极端以及耦接至上述第一电阻的漏极端。上述第四常闭晶体管包括耦接至上述第三节点的栅极端、耦接至上述接地端的源极端以及耦接至上述第四节点的漏极端。上述第五常闭晶体管包括耦接至上述一电阻的栅极端、耦接至上述第四节点的源极端以及由上述供应电压供电的漏极端。上述第二电阻耦接至上述第三节点且接收上述控制信号。
根据本发明的一实施例，上述驱动电路为一满摆幅(rail-to-rail)驱动电路，使得上述驱动电压的范围是自上述供应电压至上述接地电平。
本发明更提出一种驱动电路，用以驱动一功率晶体管，其中上述功率晶体管根据一驱动节点的一驱动电压将一功率电流流至一接地端，上述驱动电路包括：一上桥晶体管、一下桥晶体管、一电荷泵、一第一前置驱动电路、一第二前置驱动电路以及一迟滞电路。上述上桥晶体管根据一上桥节点的一上桥电压，将一供应电压提供至上述驱动节点。上述下桥晶体管根据一第一内部信号，将上述驱动节点耦接至上述接地端。上述电荷泵耦接至上述上桥节点以及上述驱动节点，其中上述电荷泵用以根据上述第一内部信号而产生一上桥电压，其中上述上桥电压超过上述供应电压。上述第一前置驱动电路接收一第二内部信号而产生上述第一内部信号。上述第二前置驱动电路接收一第三内部信号而产生上述第二内部信号。上述迟滞电路接收一控制信号而产生上述第三内部信号，并且用以提供一迟滞功能给上述控制信号，其中上述第一前置驱动电路以及上述第二前置驱动电路用以增进上述控制信号的驱动能力。
根据本发明的一实施例，上述上桥晶体管以及上述下桥晶体管为常闭晶体管。
根据本发明的一实施例，上述功率晶体管为氮化镓(GaN)晶体管。
根据本发明的一实施例，上述电荷泵包括：一第一单向导通装置、一电容、一放电电阻、一第二单向导通装置、一第三单向导通装置以及一开关。上述第一单向导通装置单方向地将上述供应电压提供至一第一节点。上述电容耦接于上述第一节点以及一第二节点之间。上述放电电阻耦接于上述第一节点以及上述上桥节点之间，其中当上述第二节点的电压超过上述上桥电压时，上述第二单向导通装置单方向地将上述第二节点耦接至上述上桥节点。一第三单向导通装置，其中当上述驱动电压超过上述第二节点的电压时，上述第三单向导通装置单方向地将供应电压提供至上述第二节点。上述开关接收上述控制信号，并且用以根据上述控制信号而将上述上桥节点耦接至上述接地端。
根据本发明的一实施例，当上述控制信号是位于一高电压电平时，上述开关为导通且上述供应电压经由上述第一单向导通装置、上述第二单向导通装置以及上述开关而对上述电容充电，其中当上述控制信号是位于一低电压电平时，上述开关为不导通，上述第三单向导通装置将上述驱动电压提供至上述第二节点，上述电容经由上述放电电阻而放电至上述驱动节点。
根据本发明的一实施例，上述第一单向导通装置、上述第二单向导通装置以及上述第三单向导通装置的每一者为一二极管或耦接成二极管形式的一常闭晶体管。
根据本发明的一实施例，驱动电路还包括一上桥常开晶体管。上述上桥常开晶体管包括耦接至上述驱动节点的源极端、耦接至上述驱动节点的栅极端以及由上述供应电压供电的漏极端，其中上述上桥常开晶体管用以增进上述上桥晶体管的驱动能力。
根据本发明的一实施例，上述第一前置驱动电路包括：一第一常开晶体管以及一第一常闭晶体管。上述第一常开晶体管，包括耦接至上述驱动电路的栅极端、耦接至上述驱动电路的源极端以及游上述供应电压供电的漏极端。上述第一常闭晶体管包括接收上述控制信号的栅极端、耦接至上述接地端的源极端以及耦接至上述驱动电路的漏极端。
根据本发明的一实施例，上述第二前置驱动电路包括：一第二常开晶体管以及一第二常闭晶体管。上述第二常开晶体管包括耦接至上述第一常闭晶体管的栅极端的栅极端、耦接至上述第一常闭晶体管的栅极端的源极端以及由上述供应电压供电的漏极端。上述第二常闭晶体管包括接收上述控制信号的栅极端、耦接至上述接地端的源极端以及耦接至上述第一常闭晶体管的栅极端的漏极端。
根据本发明的一实施例，上述迟滞电路包括：一第三电阻、一第三常闭晶体管、一第四常闭晶体管、一第五常闭晶体管以及一第二电阻。上述第三电阻耦接至上述供应电压。上述第三常闭晶体管包括耦接至一第三节点的栅极端、耦接至一第四节点的源极端以及耦接至上述第一电阻的漏极端。上述第四常闭晶体管包括耦接至上述第三节点的栅极端、耦接至上述接地端的源极端以及耦接至上述第四节点的漏极端。上述第五常闭晶体管包括耦接至上述一电阻的栅极端、耦接至上述第四节点的源极端以及由上述供应电压供电的漏极端。上述第二电阻耦接至上述第三节点且接收上述控制信号。
根据本发明的一实施例，上述驱动电路为一满摆幅(rail-to-rail)驱动电路。
附图说明
图1是显示一般的电力电路；
图2是显示根据本发明的一实施例所述的电力电路的方块图；
图3是显示根据本发明的一实施例所述的图2的电力电路200的电荷泵的电路图；
图4是显示根据本发明的另一实施例所述的电力电路的方块图；
图5是显示根据本发明的另一实施例所述的电力电路的方块图；
图6是显示根据本发明的另一实施例所述的电力电路的方块图；以及
图7是显示根据本发明的另一实施例所述的电力电路的方块图。
附图标记说明：
100、200、400、500、600、700电力电路
110A第一功率晶体管
110B第二功率晶体管
210、410、510、610、710功率晶体管
220、420、520、620、720驱动电路
221上桥晶体管
222下桥晶体管
230电荷泵
310第一单向导通装置
320第二单向导通装置
330第三单向导通装置
340开关
421上桥晶体管
423上桥常开晶体管
530第一前置驱动电路
531第一常开晶体管
532第一常闭晶体管
630、730第一前置驱动电路
640、740第二前置驱动电路
641第二常开晶体管
642第二常闭晶体管
750迟滞电路
751第三常闭晶体管
752第四常闭晶体管
753第五常闭晶体管
C电容
CB升压电容
DRV1上桥驱动电路
DRV2下桥驱动电路
DB升压二极管
L电感
IP功率电流
R1第一电阻
R2第二电阻
RL负载装置
RD放电电阻
SW切换节点
VB升压电压
VDD供应电压
VD驱动电压
VH上桥电压
VIN输入电压
SC控制信号
SI1第一内部信号
SI2第二内部信号
SI3第三内部信号
ND驱动节点
NH上桥节点
N1第一节点
N2第二节点
N3第三节点
N4第四节点
具体实施方式
以下说明为本发明的实施例。其目的是要举例说明本发明一般性的原则，不应视为本发明的限制，本发明的范围当以权利要求所界定者为准。
值得注意的是，以下所公开的内容可提供多个用以实践本发明的不同特点的实施例或范例。以下所述的特殊的元件范例与安排仅用以简单扼要地阐述本发明的精神，并非用以限定本发明的范围。此外，以下说明书可能在多个范例中重复使用相同的元件符号或文字。然而，重复使用的目的仅为了提供简化并清楚的说明，并非用以限定多个以下所讨论的实施例以及/或配置之间的关系。此外，以下说明书所述的一个特征连接至、耦接至以及/或形成于另一特征之上等的描述，实际可包含多个不同的实施例，包括该等特征直接接触，或者包含其它额外的特征形成于该等特征之间等等，使得该等特征并非直接接触。
图2是显示根据本发明的一实施例所述的电力电路的方块图。如图2所示，电力电路200包括功率晶体管210以及驱动电路220。功率晶体管210根据驱动节点ND的驱动电压VD，而将功率电流IP流至接地端。根据本发明的一实施例，功率晶体管210为氮化镓(GaN)晶体管。
驱动电路220包括上桥晶体管221、下桥晶体管222以及电荷泵230。上桥晶体管221根据上桥节点NH的上桥电压VH，将供应电压VDD供应至驱动节点ND。下桥晶体管222是耦接于驱动节点ND以及接地端之间，并且根据控制信号SC而将驱动电压VD拉至接地电平。根据本发明的一实施例，上桥晶体管221以及下桥晶体管222为常闭晶体管。
电荷泵230是由供应电压VDD以及接地端所供应，并且电荷泵230耦接至上桥节点NH以及驱动节点ND。为了完全导通上桥晶体管221，电荷泵230用以产生超过供应电压VDD的上桥电压VH，使得上桥晶体管221的栅极-源极电压至少超过临限电压而将供应电压VDD施加至驱动节点ND。根据本发明的一实施例，驱动电路220为满摆幅(rail-to-rail)驱动电路，使得驱动电压VD的范围从供应电压VDD至接地电平。
图3是显示根据本发明的一实施例所述的图2的电力电路200的电荷泵的电路图。如图3所示，耦接至驱动节点ND以及上桥节点NH的电荷泵300包括第一单向导通装置310、放电电阻RD、电容C、第二单向导通装置320、第三单向导通装置330以及开关340。
当供应电压VDD超过第一节点N1的电压时，第一单向导通装置310为导通。当供应电压VDD并未超过第一节点N1的电压时，第一单向导通装置310为不导通。电容C是耦接于第一节点N1以及第二节点N2之间，放电电阻RD是耦接于第一节点N1以及上桥节点NH之间。
第二单向导通装置320是耦接于第二节点N2以及上桥节点NH之间。当第二节点N2的电压超过上桥电压VH时，第二单向导通装置320为导通。当第二节点N2的电压并未超过上桥电压VH时，第二单向导通装置320为不导通。
第三单向导通装置330是耦接于驱动节点ND以及第二节点N2之间。当驱动节点ND的驱动电压VD超过第二节点N2的电压时，第三单向导通装置330为导通。当驱动电压VD并未超过第二节点N2的电压时，第三单向导通装置330为不导通。
开关340接收控制信号SC，且耦接于上桥节点NH以及接地端之间。此外，开关340用以根据控制信号SC，将上桥节点NH耦接至接地端。
为了简化说明，开关340在此是以N型晶体管作为一举例。根据本发明的一实施例，当控制信号SC是位于高电压电平(如，供应电压VDD)时，开关340为导通且供应电压VDD对电容C充电且经由第一单向导通装置310、第二单向导通装置320以及开关340而至接地端。
根据本发明的另一实施例，当控制信号SC是位于低电压电平(如接地电平)时，开关340为不导通，并且第三单向导通装置330提供驱动电压VD至第二节点N2，使得电容C通过放电电阻RD而放电至上桥节点。
根据本发明的一实施例，放电电阻RD的电阻值是决定电容C所能充电的最高电压，也决定了上桥电压VH所能到达的最高电压。此外，放电电阻RD的电阻值越大，就会造成上桥电压VD的上升时间越慢。因此，放电电阻RD的电阻值存在着权衡取舍(trade-off)。
根据本发明的一实施例，第一单向导通装置310、第二单向导通装置320以及第三单向导通装置330的每一者为二极管。根据本发明的其他实施例，第一单向导通装置310、第二单向导通装置320以及第三单向导通装置330的每一者为耦接成二极管形式的常闭晶体管。
图4是显示根据本发明的另一实施例所述的电力电路的方块图。如图4所示的电力电路400中，功率晶体管410以及驱动电路420分别对应至图2的功率晶体管210以及驱动电路220。
驱动电路420还包括上桥常开晶体管423。上桥常开晶体管423的源极端以及栅极端是皆耦接至驱动节点ND，上桥常开晶体管423的漏极端是由供应电压VDD所供电。上桥常开晶体管423为持续导通，用以增进上桥晶体管421的驱动能力。
图5是显示根据本发明的另一实施例所述的电力电路的方块图。如图5所示，电力电路500包括功率晶体管510、驱动电路520以及第一前置驱动电路530，其中功率晶体管510以及驱动电路520分别对应至图2的功率晶体管210以及驱动电路220。
第一前置驱动电路530接收控制信号SC而产生第一内部信号SI1至驱动电路520，用以增进控制信号SC的驱动能力。第一前置驱动电路530包括第一常开晶体管531以及第一常闭晶体管532。
第一常开晶体管531的栅极端以及源极端是皆耦接至驱动电路520，并且第一常开晶体管531的漏极端是由供应电压所供电。第一常闭晶体管532的栅极端接收控制信号SC，第一常闭晶体管532的源极端是耦接至接地端，第一常闭晶体管532的漏极端是耦接至驱动电路520。
图6是显示根据本发明的另一实施例所述的电力电路的方块图。如图6所示，电力电路600包括功率晶体管610、驱动电路620、第一前置驱动电路630以及第二前置驱动电路640，其中功率晶体管610、驱动电路620以及第一前置驱动电路630分别对应至图5的功率晶体管510、驱动电路520以及第一前置驱动电路530。
第二前置驱动电路640接收控制信号SC而产生第二内部信号SI2至第一前置驱动电路630，用以进一步增进控制信号SC的驱动能力。第二前置驱动电路640包括第二常开晶体管641以及第二常闭晶体管642。
第二常开晶体管641的栅极端以及源极端是皆耦接至第一前置驱动电路630，并且第二常开晶体管641的漏极端是由供应电压VDD所供电。第二常闭晶体管642的栅极端接收控制信号SC，第二常闭晶体管642的源极端是耦接至接地端，而第二常闭晶体管642的漏极端是耦接至第一前置驱动电路630。
图7是显示根据本发明的另一实施例所述的电力电路的方块图。如图7所示，电力电路700包括功率晶体管710、驱动电路720、第一前置驱动电路730、第二前置驱动电路740以及迟滞电路750，其中功率晶体管710、驱动电路720、第一前置驱动电路730以及第二前置驱动电路740分别对应至图6的功率晶体管610、驱动电路620、第一前置驱动电路630以及第二前置驱动电路640。
迟滞电路750接收控制信号SC而产生第三内部信号SI3，用以进一步提供迟滞功能给控制信号SC。迟滞电路750包括第一电阻R1、第三常闭晶体管751、第四常闭晶体管752、第五常闭晶体管753以及第二电阻R2。
第一电阻R1是耦接至供应电压VDD，第三常闭晶体管751的栅极端是耦接至第三节点N3，第三常闭晶体管751的源极端是耦接至第四节点N4，第三常闭晶体管751的漏极端是耦接至第一电阻R1。第四常闭晶体管752的栅极端是耦接至第三节点N3，第四常闭晶体管752的源极端是耦接至接地端，第四常闭晶体管的漏极端是耦接至第四节点N4。
第五常闭晶体管753的栅极端是耦接至第一电阻R1，第五常闭晶体管753的源极端是耦接至第四节点N4，第五常闭晶体管753的漏极端是由供应电压VDD所供电。第二电阻R2是耦接至第三节点N3，并且接收控制信号SC。
由于电荷泵的电容并未经由功率晶体管充电，因此上桥电压VH可保持稳定且且避免干扰。
以上所述为实施例的概述特征。所属技术领域技术人员应可以轻而易举地利用本发明为基础设计或调整以实行相同的目的和/或实现此处介绍的实施例的相同优点。所属技术领域技术人员也应了解相同的配置不应背离本发明的精神与范围，在不背离本发明的精神与范围下他们可做出各种改变、取代和交替。说明性的方法仅表示示范性的步骤，但这些步骤并不一定要以所表示的顺序执行。可另外加入、取代、改变顺序和/或消除步骤以视情况而作调整，并与所公开的实施例精神和范围一致。

Claims (19)

1.一种电力电路，包括：
一功率晶体管，根据一驱动节点的一驱动电压而将一功率电流流至一接地端；以及
一驱动电路，包括：
一上桥晶体管，根据一上桥节点的一上桥电压，将一供应电压提供至上述驱动节点；
一下桥晶体管，根据一第一内部信号，将上述驱动节点耦接至上述接地端；以及
一电荷泵，耦接至上述上桥节点以及上述驱动节点，其中上述电荷泵用以根据上述第一内部信号而产生一上桥电压，其中上述上桥电压超过上述供应电压；
其中，上述电荷泵包括：
一第一单向导通装置，单方向地将上述供应电压提供至一第一节点；
一电容，耦接于上述第一节点以及一第二节点之间；
一放电电阻，耦接于上述第一节点以及上述上桥节点之间；
一第一前置驱动电路，接收一第二内部信号而产生上述第一内部信号；
一第二前置驱动电路，接收一第三内部信号而产生上述第二内部信号；以及
一迟滞电路，接收一控制信号而产生上述第三内部信号，并且用以提供一迟滞功能给上述控制信号，其中上述第一前置驱动电路以及上述第二前置驱动电路用以增进上述控制信号的驱动能力。
2.如权利要求1所述的电力电路，其中上述上桥晶体管以及上述下桥晶体管为常闭晶体管。
3.如权利要求1所述的电力电路，其中上述功率晶体管为一氮化镓晶体管。
4.如权利要求1所述的电力电路，其中上述电荷泵包括：
一第二单向导通装置，其中当上述第二节点的电压超过上述上桥电压时，上述第二单向导通装置单方向地将上述第二节点耦接至上述上桥节点；
一第三单向导通装置，其中当上述驱动电压超过上述第二节点的电压时，上述第三单向导通装置单方向地将驱动电压提供至上述第二节点；以及
一开关，接收一第一内部信号，并且用以根据上述第一内部信号而将上述上桥节点耦接至上述接地端。
5.如权利要求4所述的电力电路，其中当上述第一内部信号是位于一高电压电平时，上述开关为导通且上述供应电压对上述电容充电，并经过上述第一单向导通装置、上述第二单向导通装置以及上述开关而至上述接地端，当上述第一内部信号是位于一低电压电平时，上述开关为不导通，上述第三单向导通装置提供上述驱动电压至上述第二节点，上述电容是经由上述放电电阻放电至上述上桥节点。
6.如权利要求4所述的电力电路，其中上述第一单向导通装置、上述第二单向导通装置以及上述第三单向导通装置的每一者为一二极管或耦接成二极管形式的一常闭晶体管。
7.如权利要求4所述的电力电路，其中上述驱动电路还包括：
一上桥常开晶体管，包括耦接至上述驱动节点的源极端、耦接至上述驱动节点的栅极端以及由上述供应电压供电的漏极端，其中上述上桥常开晶体管用以增进上述上桥晶体管的驱动能力。
8.如权利要求1所述的电力电路，其中上述第一前置驱动电路包括：
一第一常开晶体管，包括耦接至上述驱动电路的栅极端、耦接至上述驱动电路的源极端以及由上述供应电压供电的漏极端；以及
一第一常闭晶体管，包括接收上述第二内部信号的栅极端、耦接至上述接地端的源极端以及耦接至上述驱动电路的漏极端。
9.如权利要求8所述的电力电路，其中上述第二前置驱动电路包括：
一第二常开晶体管，包括耦接至上述第一常闭晶体管的栅极端的栅极端、耦接至上述第一常闭晶体管的栅极端的源极端以及由上述供应电压供电的漏极端；以及
一第二常闭晶体管，包括接收上述第三内部信号的栅极端、耦接至上述接地端的源极端以及耦接至上述第一常闭晶体管的栅极端的漏极端。
10.如权利要求9所述的电力电路，其中上述迟滞电路包括：
一第一电阻，第一电阻的一端，耦接至上述供应电压；
一第三常闭晶体管，包括耦接至一第三节点的栅极端、耦接至一第四节点的源极端以及耦接至上述第一电阻的另一端的漏极端；
一第四常闭晶体管，包括耦接至上述第三节点的栅极端、耦接至上述接地端的源极端以及耦接至上述第四节点的漏极端；
一第五常闭晶体管，包括耦接至上述第一电阻的另一端的栅极端、耦接至上述第四节点的源极端以及由上述供应电压供电的漏极端；以及
第二电阻，一端耦接至上述第三节点，另一端接收上述控制信号。
11.如权利要求1所述的电力电路，其中上述驱动电路为一满摆幅驱动电路，使得上述驱动电压的范围是自上述供应电压至接地电平。
12.一种驱动电路，用以驱动一功率晶体管，其中上述功率晶体管根据一驱动节点的一驱动电压将一功率电流流至一接地端，上述驱动电路包括：
一上桥晶体管，根据一上桥节点的一上桥电压，将一供应电压提供至上述驱动节点；
一下桥晶体管，根据一第一内部信号，将上述驱动节点耦接至上述接地端；
一电荷泵，耦接至上述上桥节点以及上述驱动节点，其中上述电荷泵用以根据上述第一内部信号而产生一上桥电压，其中上述上桥电压超过上述供应电压；
其中，上述电荷泵包括：
一第一单向导通装置，单方向地将上述供应电压提供至一第一节点；
一电容，耦接于上述第一节点以及一第二节点之间；
一放电电阻，耦接于上述第一节点以及上述上桥节点之间；
一第一前置驱动电路，接收一第二内部信号而产生上述第一内部信号；
一第二前置驱动电路，接收一第三内部信号而产生上述第二内部信号；以及
一迟滞电路，接收一控制信号而产生上述第三内部信号，并且用以提供一迟滞功能给上述控制信号，其中上述第一前置驱动电路以及上述第二前置驱动电路用以增进上述控制信号的驱动能力。
13.如权利要求12所述的驱动电路，其中上述上桥晶体管以及上述下桥晶体管为常闭晶体管。
14.如权利要求12所述的驱动电路，其中上述功率晶体管为氮化镓晶体管。
15.如权利要求12所述的驱动电路，其中上述电荷泵包括：
一第二单方向导通装置，其中当上述第二节点的电压超过上述上桥节点的电压时，上述第二单方向导通装置单方向地将上述第二节点耦接至上述上桥节点；
一第三单向导通装置，其中当上述驱动电压超过上述第二节点的电压时，上述第三单向导通装置单方向地将上述驱动电压提供至上述第二节点；以及
一开关，接收一第一内部信号且用以根据上述第一内部信号而将上述上桥节点耦接至上述接地端。
16.如权利要求15所述的驱动电路，其中当上述第一内部信号是位于一高电压电平时，上述开关为导通且上述供应电压经由上述第一单向导通装置、上述第二单方向导通装置以及上述开关而对上述电容充电，其中当上述第一内部信号是位于一低电压电平时，上述开关为不导通，上述第三单向导通装置将上述驱动电压提供至上述第二节点，上述电容经由上述放电电阻而放电至上述上桥节点。
17.如权利要求15所述的驱动电路，其中上述第一单向导通装置、上述第二单方向导通装置以及上述第三单向导通装置的每一者为一二极管或耦接成二极管形式的一常闭晶体管。
18.如权利要求15所述的驱动电路，还包括：
一上桥常开晶体管，包括耦接至上述驱动节点的源极端、耦接至上述驱动节点的栅极端以及由上述供应电压供电的漏极端，其中上述上桥常开晶体管用以增进上述上桥晶体管的驱动能力。
19.如权利要求12所述的驱动电路，其中上述驱动电路为一满摆幅驱动电路。
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