CN107850499A - 电子设备中的透明应变传感器 - Google Patents
电子设备中的透明应变传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107850499A CN107850499A CN201680042511.7A CN201680042511A CN107850499A CN 107850499 A CN107850499 A CN 107850499A CN 201680042511 A CN201680042511 A CN 201680042511A CN 107850499 A CN107850499 A CN 107850499A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transparent
- strain
- signal line
- transparent strain
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/205—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using distributed sensing elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/225—Measuring circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0414—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using force sensing means to determine a position
- G06F3/04144—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using force sensing means to determine a position using an array of force sensing means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/045—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using resistive elements, e.g. a single continuous surface or two parallel surfaces put in contact
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/048—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI]
- G06F3/0487—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI] using specific features provided by the input device, e.g. functions controlled by the rotation of a mouse with dual sensing arrangements, or of the nature of the input device, e.g. tap gestures based on pressure sensed by a digitiser
- G06F3/0488—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI] using specific features provided by the input device, e.g. functions controlled by the rotation of a mouse with dual sensing arrangements, or of the nature of the input device, e.g. tap gestures based on pressure sensed by a digitiser using a touch-screen or digitiser, e.g. input of commands through traced gestures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Measurement Of Force In General (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了可被包括在电子设备中的一个或多个应变传感器。每个应变传感器包括应变敏感元件和直接连接到所述应变敏感元件的一个或多个应变信号线。所述一个或多个应变传感器用于检测施加到所述电子设备、所述电子设备中的部件和/或所述电子设备的输入区域或表面上的力。应变敏感元件被形成为或处理成具有第一仪表系数,并且所述一个或多个应变信号线被形成为或处理成具有不同的第二仪表系数。除此之外或另选地,应变敏感元件被形成为或处理成具有第一导电率,并且所述一个或多个应变信号线被形成为或处理成具有不同的第二导电率。
Description
相关专利申请的交叉引用
本专利合作条约主申请要求于2015年7月21日提交的名称为“TransparentStrain Sensors in an Electronic Device”的美国临时专利申请62/195,030以及于2015年8月11日提交的名称为“Transparent Strain Sensors in an Electronic Device”的美国非临时性专利申请14/823,910的优先权,所述专利申请的内容据此全文以引用方式并入本文。
技术领域
本文所述的实施方案总体涉及电子设备。更具体地讲,本发明实施方案涉及电子设备中的一个或多个透明应变传感器。
背景技术
应变仪或应变传感器用于检测或测量对象上的应变。通常,应变传感器的电阻与其正经受的压缩力和张力成比例地变化。应变传感器的仪表系数表示材料对应变的敏感度。换句话讲,仪表系数指示应变传感器的电阻随应变而变化的程度。仪表系数越高,电阻变化越大。更高的仪表系数允许检测和测量更大范围的应变。
在一些情况下,期望应变传感器由透明材料制成。例如,当应变传感器位于应变传感器可由用户(例如,通过显示器)可视地检测到的区域中时,可使用透明应变传感器。然而,用于形成透明应变传感器的一些材料具有低仪表系数或者零仪表系数。
发明内容
一个或多个透明应变传感器可被包括在电子设备中。如本文所用,术语“应变传感器”是指应变敏感元件和直接连接到应变敏感元件的一个或多个应变信号线。在一个实施方案中,该一个或多个应变传感器用于检测施加到电子设备、电子设备中的部件诸如输入按钮和/或电子设备的输入区域或表面的力。在一个非限制性示例中,包括一个或多个应变传感器的力感测设备可被结合到电子设备的显示叠堆中。当用户正在观看显示器时,该一个或多个应变传感器可被定位在显示叠堆的对用户可见的区域中。如此,该一个或多个透明应变传感器可由一种透明导电材料或者两种或更多种透明导电材料形成。
在一些实施方案中,每个透明应变敏感元件被形成为或处理成具有第一仪表系数和第一导电率。每个透明应变信号线被形成为或处理成具有不同的第二仪表系数和不同的第一导电率。例如,在一个实施方案中,形成透明应变敏感元件的一种或多种透明材料可比至少一个透明应变信号线的一种或多种透明材料具有更高的仪表系数,而透明应变敏感元件的导电率可小于一个或多个透明应变信号线的导电率。因此,透明应变敏感元件被配置为对应变比一个或多个透明应变信号线更敏感,并且该一个或多个透明应变信号线被配置为更有效地传输信号。
在一个方面,透明应变传感器包括透明应变敏感元件和直接连接到应变敏感元件的透明应变信号线。透明应变敏感元件被形成为包括具有第一仪表系数的第一透明导电材料。透明应变信号线由具有第二仪表系数的第二透明导电材料形成。在一个实施方案中,第一仪表系数可大于第二仪表系数。除此之外或另选地,第一透明导电材料可具有第一电阻,并且第二透明导电材料可具有第二电阻,其中第一电阻大于第二电阻。在一个非限制性示例中,透明应变敏感元件可由透明GZO膜或透明AZO膜形成,并且至少一个透明应变信号线由透明ITO膜形成。
在另一方面,透明应变传感器可由混合透明导电材料形成,该混合透明导电材料包括具有第一仪表系数和第一电阻的至少一个第一透明导电段和具有第二仪表系数和第二电阻的至少一个第二透明导电段。第一透明导电段连接到第二透明导电段。第一仪表系数可大于第二仪表系数并且第一电阻大于第二电阻。
在另一方面,透明应变传感器可包括透明应变敏感元件和直接连接到该透明应变敏感元件的至少一个透明应变信号线。透明应变敏感元件和一个或多个透明应变信号线可由相同的透明导电材料形成,但应变敏感元件中和/或至少一个应变信号线中的一种或多种透明导电材料可掺杂有一种或多种掺杂物以改变透明导电材料的仪表系数和/或导电率。因此,透明应变敏感元件和至少一个透明应变信号线可具有不同的仪表系数和/或电导率。在一些实施方案中,透明应变敏感元件的仪表系数大于至少一个应变信号线的仪表系数。除此之外或另选地,透明应变敏感元件可具有第一电阻,并且一个或多个透明应变信号线可具有第二总电阻,其中第一电阻大于第二电阻。
在又一方面,一种用于制造透明应变传感器的方法可包括:在基板上提供透明应变敏感元件并且提供透明应变信号线,该透明应变信号线直接连接到基板上的透明应变敏感元件。透明应变敏感元件由具有第一仪表系数的一种或多种透明导电材料形成。透明应变信号线由具有不同的第二仪表系数的一种或多种透明导电材料形成。
在另一方面,一种用于制造透明应变传感器的方法可包括:在基板上提供透明应变敏感元件,其中该透明应变敏感元件包括一种或多种透明导电材料;以及提供透明应变信号线,该透明应变信号线直接连接到基板上的应变敏感元件。对透明应变敏感元件的一种或多种透明导电材料进行处理以增加透明应变敏感元件的仪表系数。在一个非限制性示例中,可对该一种或多种透明导电材料进行激光退火处理以增加透明应变敏感元件的结晶度,这导致更高的仪表系数。在一些实施方案中,透明应变信号线也可由相同或不同的一种或多种透明导电材料形成,并且可对透明应变信号线的一种或多种透明导电材料进行处理以增加透明应变信号线的导电率。
在又一方面,一种用于制造透明应变传感器的方法可包括:在基板上提供透明应变敏感元件并且提供直接连接到基板上的应变敏感元件的透明应变信号线。该透明应变信号线由一种或多种透明导电材料形成。可对透明应变信号线的该一种或多种透明导电材料进行处理以增加透明应变信号线的导电率。在一个非限制性示例中,该一种或多种透明导电材料可掺杂有一种或多种掺杂物,该一种或多种掺杂物降低应变信号线的总电阻,这继而增加了透明应变信号线的导电率。
在又一方面,电子设备可包括覆盖玻璃和定位在覆盖玻璃下方的应变感测结构。应变感测结构可包括基板、定位在基板的第一表面上的第一透明应变敏感元件和定位在基板的第二表面上的第二透明应变敏感元件。一个或多个透明应变信号线连接到每个透明应变敏感元件。在一些实施方案中,第一透明应变敏感元件和第二透明应变敏感元件的仪表系数比透明应变信号线的仪表系数大。感测电路电连接到透明应变信号线,而控制器可操作地连接到感测电路。控制器被配置为基于从感测电路接收到的信号来确定施加到覆盖玻璃上的力的大小。在一些实施方案中,当用户正在观看显示器时,第一透明应变敏感元件和第二透明应变敏感元件以及透明应变信号线被定位在显示叠堆的对用户可见的区域中。
附图说明
通过以下结合附图的具体实施方式,本公开将易于理解,其中类似的附图标号指示类似的结构元件,并且其中:
图1示出了可包括一个或多个应变传感器的电子设备的一个示例;
图2示出了适用于在电子设备的显示叠堆中使用的示例性应变敏感结构的平面图;
图3示出了可在图2所示的示例性应变敏感结构中使用的光学透明螺线形应变敏感元件的一个示例的平面图;
图4是图2中所示区域的放大视图;
图5是用于制造应变传感器的第一方法的流程图;
图6是适于用作图2所示的应变敏感结构的第一应变敏感结构沿图4中的线AA截取的简化横截面图;
图7是适于用作图2所示的应变敏感结构的第二应变敏感结构沿图4中的线AA截取的简化横截面图;
图8是适于用作图2和图4所示的应变敏感元件的应变敏感元件的第三示例的平面图;
图9是用于制造应变传感器的第二方法的流程图;
图10是用于制造应变传感器的第三方法的流程图;
图11是用于制造应变传感器的第四方法的流程图;
图12是可包括一个或多个应变传感器的电子设备的例示性框图;
图13是包括应变传感器的示例性显示叠堆的横截面图;
图14是响应力的应变敏感结构的简化横截面图;并且
图15是可操作地连接到应变传感器的感测电路的简化示意图。
具体实施方式
现在将具体地参考在附图中示出的代表性实施方案。应当理解,以下描述并非旨在将实施方案限制于一个优选实施方案。相反,其旨在涵盖可被包括在由所附权利要求限定的所述实施方案的实质和范围内的另选形式、修改形式和等同形式。
以下公开内容涉及包括一个或多个应变传感器的电子设备,该一个或多个应变传感器被配置为基于施加到电子设备、电子设备中的部件和/或电子设备的输入区域上的力的大小来检测应变。作为一个示例,该一个或多个应变传感器可被结合到电子设备的显示叠堆中,并且显示屏的顶表面的至少一部分可以是输入区域。在一些实施方案中,当用户正在观看显示器时,该一个或多个透明应变传感器位于显示叠堆的对用户可见的区域中。如本文所用,术语“应变传感器”包括应变敏感元件和物理地或直接连接到应变敏感元件的至少一个应变信号线。此外,“光学透明”和“透明”被广义地定义为包括透明、半透明或者肉眼不可辨的材料。
在一些实施方案中,每个应变敏感元件被形成为或处理成具有第一仪表系数和第一导电率。每个应变信号线被形成为或处理成具有不同的第二仪表系数和不同的第一导电率。例如,在一个实施方案中,形成应变敏感元件的一种或多种材料可比至少一个应变信号线的一种或多种材料具有更高的仪表系数,而应变敏感元件的导电率可小于一个或多个应变信号线的导电率。因此,应变敏感元件被配置为对应变比一个或多个应变信号线更敏感,并且一个或多个应变信号线被配置为更有效地传输信号。在非限制性示例中,应变敏感元件可由透明GZO膜或透明AZO膜形成,而至少一个应变信号线由透明ITO膜形成。
在一些实施方案中,应变敏感元件或应变信号线的仪表系数和/或导电率可至少部分地基于包括一个或多个应变传感器的电子设备或该电子设备中的部件的结构和/或操作条件。
在另一个实施方案中,可在应变敏感元件和一个或多个应变信号线形成之后对应变敏感元件和/或连接到应变敏感元件的一个或多个应变信号线进行处理。在非限制性示例中,用于形成应变敏感元件和一个或多个应变信号线的材料可以是相同的一种或多种材料,并且对应变敏感元件中的一种或多种材料和/或应变信号线中的一种或多种材料进行处理以调整该经处理的部件的导电率和/或仪表系数。在一个实施方案中,可对应变敏感元件进行激光退火处理以增加应变敏感元件的结晶度,这导致更高的仪表系数。除此之外或另选地,该一个或多个应变信号线可掺杂有一种或多种掺杂物,该一种或多种掺杂物降低该一个或多个应变信号线的总电阻,这继而增加了该一个或多个应变信号线的导电率。
并且在另一个实施方案中,可调整用于形成应变敏感元件和/或一个或多个应变信号线的构造过程中的一个或多个参数,以增加该部件的仪表系数和/或导电率。例如,在一个实施方案中,当将应变敏感元件沉积到基板上时可增加氧气的流速。较高的氧气流速可降低应变敏感元件中载流子浓度和/或载流子的迁移率。在另一个实施方案中,可调整用于形成应变敏感元件和/或一个或多个应变信号线的材料的厚度,以增加该部件的仪表系数或导电率。
方向性术语,诸如“顶部”、“底部”、“前部”、“后部”、“头部”、“尾部”等参考所述一个或多个附图的取向来使用。因为本文所述的实施例的部件可以多个不同的取向定位,所以方向性术语仅用于说明的目的并且不以任何方式进行限制。当结合显示器或设备的层一起使用时,方向性的术语旨在被广泛地解释,并且因此不应当被解释为排除一个或多个居间层或其他居间特征部或元件的存在。因此,被描述为形成在、定位在或设置在另一个层上或上方或者被描述为形成在、定位在、设置在另一个层下或下方的给定层可由一个或多个附加的层或元件与后一个层分开。
以下参考图1至图15来论述这些和其他实施方案。然而,本领域的技术人员将容易地理解,本文相对于这些附图所给出的详细描述仅出于说明性目的,而不应被理解为是限制性的。
图1示出了可包括一个或多个应变传感器的电子设备的一个示例。在例示的实施方案中,电子设备100被实现为智能电话。其他实施方案可以不同方式来实现该电子设备。例如,电子设备可以是膝上型计算机、平板计算设备、可穿戴计算设备、智能手表、数字音乐播放器、显示器输入设备、遥控设备以及包括一个或多个应变传感器的其他类型的电子设备。
电子设备100包括围绕显示器104和一个或多个输入/输出(I/O)设备106(示出为按钮)的外壳102。外壳102可形成电子设备100的内部部件的外表面或部分外表面,并可至少部分地围绕显示器104。外壳102可由可操作地连接在一起的一个或多个部件形成,诸如前件和后件。另选地,该外壳102可由可操作地连接到显示器104的单个件形成。
显示器104可使用任何合适的显示器来实现,包括但不限于使用液晶显示器(LCD)技术、发光二极管(LED)技术、有机发光显示器(OLED)技术或有机电致发光(OEL)技术的多触摸感测触摸屏设备。
在一些实施方案中,I/O设备106可采取home按钮的形式,其可为机械按钮、软按钮(例如,不能物理地移动但仍接受输入的按钮)、显示器上的图标或图像等等。此外,在一些实施方案中,按钮可集成为电子设备的覆盖玻璃的一部分。虽然在图1中未示出,但电子设备100可包括其他类型的I/O设备,诸如麦克风、扬声器、相机以及一个或多个端口(诸如网络通信端口和/或电源线端口)。
应变传感器可被包括在电子设备100的一个或多个位置中。例如,在一个实施方案中,一个或多个应变传感器可被包括在I/O设备106中。一个或多个应变传感器可用于测量施加到I/O设备106上的力的大小和/或力的变化。除此之外或另选地,一个或多个应变传感器可被定位在外壳的至少一部分下方,以检测施加到外壳上的力和/或力的变化。除此之外或另选地,一个或多个应变传感器可被包括在显示器104的显示叠堆中。一个或多个应变传感器可用于测量施加到显示器或显示器的一部分上的力的大小和/或力的变化。如前所述,应变传感器包括应变敏感元件和物理地或直接连接到应变敏感元件的至少一个应变信号线。
在一个非限制性示例中,显示器的整个顶表面可以是被配置为从用户接收一个或多个力输入的输入区域。图2示出了适用于在显示叠堆中使用的示例性应变敏感结构的平面图。应变敏感结构200可包括形成在基板202之中或之上的独立光学透明应变敏感元件204的栅格。应变敏感元件204可形成在基板202的一个或两个表面的至少一部分之中或之上。基板202可由任何合适的一种或多种材料形成。在一个实施方案中,基板202由光学透明材料诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。
如前所述,应变敏感元件204被配置为基于施加到显示器的输入区域上的力的大小来检测应变。应变敏感元件204可由一种或多种透明导电材料例如聚乙烯氧基噻吩(PEDOT)、掺锡氧化铟(ITO)膜、掺镓氧化锌(GZO)膜、掺铝锌氧化物(AZO)膜、碳纳米管、石墨烯、银纳米线、其他金属纳米线等形成。在某些实施方案中,应变敏感元件204可至少部分地基于温度特性来选择。例如,为透明应变敏感元件204所选择的材料可具有负温度系数的电阻,使得电阻随温度升高而减小。
在该示例中,透明应变敏感元件204被形成为直线型感测元件阵列,但也可使用其他形状和阵列图案。在许多示例中,每个单独的应变敏感元件204可具有所选择的形状和/或图案。例如,在某些实施方案中,应变敏感元件204可以以螺线形图案(诸如图3所示的图案)沉积。在其他实施方案中,应变敏感元件204可具有不同的图案或配置。
应变敏感元件204可包括被配置为物理地或直接连接到一个或多个应变信号线(未示出)的至少两个电极300、302。该一个或多个应变信号线可连接到导电接触件206,该导电接触件可操作地将应变敏感元件204连接到感测电路(未示出)。导电接触件206可以是连续接触件或者可被形成为围绕或部分围绕应变敏感元件204的阵列的区段。在其他实施方案中,应变敏感元件204可电连接到感测电路而无需使用电极。例如,应变敏感元件204可使用被形成为膜层的一部分的导电迹线连接到感测电路。
现在参见图4,其示出了图2所示区域208的放大视图。每个应变敏感元件204的电极300、302分别使用应变信号线400、402连接到导电接触件206。应变敏感元件204和物理地或直接连接到应变敏感元件204的应变信号线400、402一起形成应变传感器404。在一些实施方案中,应变敏感元件204和/或一个或多个应变信号线400、402的仪表系数和/或导电率可至少部分地基于应变敏感结构200的配置、包括一个或多个应变传感器的电子设备的操作条件和/或该电子设备中的部件(例如,显示器)的操作条件。
图5是用于制造应变传感器的第一方法的流程图。首先,提供一个或多个应变敏感元件,该一个或多个应变敏感元件具有已被形成为或处理成具有第一导电率和第一仪表系数的材料或材料组合(框500)。接下来,如框502中所示,提供直接连接到每个应变敏感元件的一个或多个应变信号线,其中该一个或多个应变信号线包括已被形成为或处理成具有不同的第二导电率和不同的第二仪表系数的材料或材料组合。结合图6至图11更详细地描述了此类应变敏感元件和一个或多个应变信号线的各种实施方案。
在一个实施方案中,每个应变敏感元件的一种或多种材料具有比至少一个应变信号线的一种或多种材料的导电率更低的导电率。例如,每个应变敏感元件的一种或多种材料可比至少一个应变信号线的一种或多种材料具有更高的电阻。此外,应变敏感元件的第一仪表系数高于连接到应变敏感元件的至少一个应变信号线的第二仪表系数。因此,应变敏感元件对应变比一个或多个应变信号线更敏感,并且该一个或多个应变信号线被配置为更有效地传输信号。在非限制性示例中,应变敏感元件可由透明GZO膜或透明AZO膜形成,并且至少一个应变信号线由透明ITO膜形成。
现在参见图6,其示出了适于用作图2所示的应变敏感结构200的第一应变敏感结构沿图4中的线AA截取的简化横截面图。应变敏感结构600包括设置在基板202的表面上的应变敏感元件204。应变敏感元件204连接到至少一个应变信号线400。如前所述,应变敏感元件204由具有第一导电率和第一仪表系数的材料或材料组合制成,并且至少一个应变信号线400由具有不同的第二导电率和不同的第二仪表系数的材料或材料组合制成。
至少一个应变信号线400连接到导电接触件206。在一些实施方案中,导电接触件由铜制成并且被定位在电子设备的不可见区域中(例如,在显示器的不可见区域中)。电介质或绝缘层602可设置在至少一个应变信号线400和应变敏感元件204的至少一部分上方。绝缘层602可用作应变信号线400和应变敏感元件204的保护层。在应变敏感元件和一个或多个应变信号线由基本上透明的一种或多种材料形成的实施方案中,绝缘层602可由具有与应变敏感元件204和/或至少一个应变信号线400的折射率基本上匹配的折射率的材料或材料组合制成。
图7是适于用作图2所示的应变敏感结构200的第二应变敏感结构沿图4中的线AA截取的简化横截面图。除了应变敏感元件204之外,应变敏感结构700与图6所示的应变敏感结构600类似。在图7的实施方案中,应变敏感元件204是包括位于两个导电材料层704之间的绝缘材料层702的交替的多层透明导电结构。每个导电材料层704可由具有第一导电率和第一仪表系数的材料或材料组合制成。在一些实施方案中,应变敏感元件204的多层结构被配置为比图6中的应变敏感元件204(例如,导电材料的固体层)具有更低的总电阻同时仍提供更高的仪表系数。在一个非限制性示例中,每个透明导电材料层可由透明GZO膜或透明AZO膜形成。
连接到应变敏感元件204的应变信号线400可由具有与应变敏感元件204的多层结构的总导电率和仪表系数不同的导电率和仪表系数的材料或材料组合形成。如前所述,应变敏感元件204的总导电率可小于一个或多个应变信号线的导电率,而应变敏感元件204的仪表系数可大于一个或多个应变信号线的仪表系数。
在图6和图7所示的实施方案中,应变敏感元件具有比连接到应变敏感元件的至少一个应变信号线的仪表系数更高的仪表系数。更高的仪表系数允许应变敏感元件对应变比一个或多个应变信号线更敏感。另外,在一些实施方案中,一个或多个应变信号线的导电率高于应变敏感元件的导电率。因为较高的导电率,该一个或多个应变信号线有效地将由应变敏感元件产生的信号传输到导电接触件206。
现在参见图8,其示出了适于用作图2和图4所示的应变敏感元件204的应变敏感元件的第三示例的平面图。应变敏感元件800是由两种或更多种具有不同特性的材料形成的混合应变敏感元件。在例示的实施方案中,混合应变敏感元件800中的一个区段802由具有第一导电率和第一仪表系数的第一导电材料制成,而另一区段804由具有不同的第二导电率和不同的第二仪表系数的第二导电材料制成,其中第一导电率大于第二导电率并且第二仪表系数大于第一仪表系数。
直接连接到混合应变敏感元件的一个或多个应变信号线被形成为或处理成具有与应变敏感元件的总仪表系数和总导电率不同的仪表系数和导电率。例如,应变敏感元件具有比至少一个应变信号线的仪表系数更大的总仪表系数。较高的总仪表系数允许应变敏感元件对应变比一个或多个应变信号线更敏感。另外,在一些实施方案中,一个或多个应变信号线的导电率高于应变敏感元件的总导电率。基于较高的导电率,一个或多个应变信号线可将由应变敏感元件产生的信号有效地传输到导电接触件206(参见图2和图4)。
区段802、804可具有相同的尺寸,或者一个区段(例如,区段802)可具有不同于另一区段(例如,区段804)的尺寸的尺寸。例如,一个区段可比另一区段更长,这可导致特定的仪表系数和/或导电率。在一些实施方案中,该特定的仪表系数可以是等于或大于阈值仪表系数的仪表系数。该特定的仪表系数和/或导电率可至少部分地基于包括一个或多个混合应变传感器的电子设备或该电子设备中的部件的结构和/或操作条件。在一个实施方案中,至少两个相同的区段(例如,至少两个区段802)可具有不同的尺寸。因此,至少一个区段802可具有不同于另一区段802的尺寸和/或至少一个区段804可具有不同于另一区段804的尺寸。在另一个实施方案中,所有的区段可具有不同的尺寸。并且在一些实施方案中,混合应变敏感元件800可由三种或更多种具有不同特性的材料形成。
图6至图8所示的实施方案的应变传感器由两种或更多种不同的材料形成。材料针对特定的仪表系数和/或电导率来选择。其他实施方案可通过在应变敏感元件和一个或多个应变信号线形成之后对应变敏感元件和/或连接到应变敏感元件的一个或多个应变信号线进行处理来制造应变传感器。例如,在一些实施方案中,用于形成应变敏感元件和应变信号线的材料是相同的材料,并且对应变敏感元件和/或应变信号线进行处理以调整该经处理的部件的导电率和/或仪表系数。图9和图10所示的方法分别对应变敏感元件和一个或多个应变信号线进行处理。
图9是用于制造应变传感器的第二方法的流程图。首先,如框900所示,提供应变敏感元件和连接到应变敏感元件的一个或多个应变信号线。应变敏感元件和一个或多个应变信号线均由一种或多种合适的材料形成。如前所述,在一些实施方案中,应变敏感元件和一个或多个应变信号线由相同的材料例如透明导电氧化物膜形成。接下来,如框902所示,对应变敏感元件进行处理以增加应变敏感元件的仪表系数。可使用增加应变敏感元件的仪表系数的任何合适的技术来对应变敏感元件进行处理。例如,在一个实施方案中,对应变敏感元件进行激光退火处理以增加应变敏感元件的结晶度,这导致更高的仪表系数。
图10是用于制造应变传感器的第三方法的流程图。首先,如框900所示,提供应变敏感元件和连接到应变敏感元件的一个或多个应变信号线。应变敏感元件和一个或多个应变信号线均由一种或多种合适的材料形成。如前所述,在一些实施方案中,应变敏感元件和一个或多个应变信号线由相同的材料例如透明导电氧化物膜形成。
接下来,如框1000所示,对该一个或多个应变信号线进行处理以增加该一个或多个应变信号线的导电率。可使用增加一个或多个应变信号线的导电率的任何合适的技术来对一个或多个应变信号线进行处理。例如,在一个实施方案中,该一个或多个应变信号线掺杂有一种或多种掺杂物,该一种或多种掺杂物降低该一个或多个应变信号线的总电阻,这继而增加了该一个或多个应变信号线的导电率。例如,该一种或多种掺杂物可扩散到一个或多个应变信号线中以增加该一个或多个应变信号线的导电率。
在又一些实施方案中,可调整用于形成应变敏感元件和/或一个或多个应变信号线的构造过程中的一个或多个参数,以增加该部件的仪表系数和/或导电率。图11是用于制造应变传感器的第四示例性方法的流程图。首先,调整用于在基板上形成应变敏感元件的过程的一个或多个参数,以产生具有较高仪表系数的应变敏感元件。例如,在一个实施方案中,当将应变敏感元件沉积到基板上时增加氧气的流速。较高的氧气流速可降低应变敏感元件中载流子浓度和/或载流子的迁移率。在另一个实施方案中,调整用于形成应变敏感元件的材料的厚度以增加应变敏感元件的仪表系数和/或降低电阻。例如,可将应变敏感元件中的材料形成为较薄的层以产生较低的电阻率。
接下来,如框1102所示,一个或多个应变信号线被形成在基板上并且连接到应变敏感元件。可改变用于形成一个或多个应变信号线的构造过程中的一个或多个参数以增加该一个或多个应变信号线的导电率。除此之外或另选地,可在形成之后对该一个或多个应变信号线进行处理以增加该一个或多个应变信号线的导电率。
在一些实施方案中,可在基板(例如,图2中的基板202)的表面上方或延伸整个表面形成整片的透明导电氧化物膜,并且选择待处理以产生应变敏感元件和/或应变信号线的膜的区域或面积。例如,可在透明导电氧化物膜上方形成掩模,其中移除与应变敏感元件的位置对应的掩模的选定区域。然后可对透明导电氧化物膜的暴露的选定区域进行掺杂,以在整片的透明导电氧化物膜中产生应变敏感元件。可选择一种或多种掺杂物以产生具有特定仪表系数或者具有等于或大于阈值仪表系数的仪表系数的应变敏感元件。类似地,可移除与应变信号线的位置对应的掩模的选定区域,并且可对透明导电氧化物膜的暴露的选定区域进行掺杂,以在整片的透明导电氧化物膜中产生应变信号线。可选择一种或多种掺杂物以产生具有特定导电率或者具有等于或大于阈值导电率的导电率的应变信号线。
在其他实施方案中,可在基板(例如,图2中的基板202)的表面上方形成两个或更多个透明导电氧化物膜片,并且选择待处理以产生应变敏感元件和/或应变信号线的膜的区域或面积。例如,可在透明导电氧化物膜的至少一部分上形成具有对应于应变敏感元件的位置的开口的掩模。然后可对透明导电氧化物膜的暴露区域进行掺杂以在整片的透明导电氧化物膜中产生应变敏感元件。可在导电氧化物薄膜片的至少一部分上方形成第二掩模。第二掩模可在对应于应变信号线的位置的位置处具有开口。可对透明导电氧化物膜的暴露选定区域进行掺杂以产生应变信号线。
现在参见图12,其示出了可包括一个或多个应变传感器的电子设备的例示性框图。如前所述,一个或多个应变传感器可位于电子设备的各种部件上和/或一个或多个不同位置处,以检测施加在部件上或电子设备上的力。所示的电子设备1200可包括一个或多个处理设备1202、存储器1204、一个或多个输入/输出(I/O)设备1206、电源1208、一个或多个传感器1210、网络通信接口1212和显示器1214,其中将更详细地讨论每个部件。
该一个或多个处理设备1202可控制电子设备1200的一些或所有操作。一个或多个处理设备1202可直接或间接地与设备的基本上所有部件进行通信。例如,一个或多个***总线1216或其他通信机构可提供一个或多个处理设备1202、存储器1204、一个或多个I/O设备1206、电源1208、一个或多个传感器1210、网络通信接口1212和/或显示器1214之间的通信。至少一个处理设备可被配置为基于从一个或多个应变传感器接收到的信号来确定施加到I/O设备1206、显示器和/或电子设备1200上的力的大小和/或力的变化。
一个或多个处理设备1202可以实现为能够处理、接收或传输数据或指令的任何电子设备。例如,一个或多个处理设备1202可为微处理器、中央处理单元(CPU)、专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)或多个此类设备的组合。如本文所述,术语“处理设备”意在涵盖单个处理器或处理单元、多个处理器、多个处理单元或其他适当配置的一个或多个计算元件。
存储器1204可存储可由电子设备1200使用的电子数据。例如,存储器1204可存储电子数据或内容诸如音频文件、文档文件、定时和控制信号、操作设置和数据以及图像数据。存储器1204可被配置为任何类型的存储器。仅以举例的方式,存储器1204可以实现为任何组合形式的随机存取存储器、只读存储器、闪存存储器、可移除存储器或其他类型的存储元件。
一个或多个I/O设备1206可将数据传输到用户或另一个电子设备或从用户或另一个电子设备接收数据。一个或多个示例性I/O设备1206包括但不限于触摸感测设备,诸如触摸屏或触控板、一个或多个按钮、麦克风、触觉设备、扬声器和/或力感测设备1218。力感测设备1218可包括一个或多个应变传感器。该一个或多个应变传感器可被配置为前文结合图2至图11所述的应变传感器中的一者。
作为一个示例,图1所示的I/O设备106可包括力感测设备1218。如前所述,力感测设备1218可包括根据图2至图11所示的实施方案中的一者来配置的一个或多个应变传感器。可基于从一个或多个应变传感器接收到的一个或多个信号来确定施加到I/O设备106上的力的大小和/或所施加的力的大小的变化。
电源1208可利用能够向电子设备1200提供能量的任何设备来实现。例如,电源1208可为一个或多个电池或可再充电电池,或将电子设备连接至另一电源诸如壁式电源插座的连接缆线。
电子设备1200还可包括基本上被定位在电子设备1200之上或之中的任何位置处的一个或多个传感器1210。一个或多个传感器1210可被配置为基本上感测任何类型的特性,诸如但不限于图像、压力、光、热、接触、力、温度、湿度、移动、相对运动、生物识别数据等。例如,一个或多个传感器1210可以是图像传感器、温度传感器、光或光学传感器、加速器、环境传感器、陀螺仪、磁体、健康监测传感器等。在一些实施方案中,一个或多个传感器1210可包括力感测设备,该力感测设备包括一个或多个应变传感器。该一个或多个应变传感器可被配置为前文结合图2至图11所述的应变传感器中的一者。
作为一个示例,图1所示的电子设备可包括在外壳102的至少一部分之中或之下的力感测设备1220。力感测设备1220可包括一个或多个应变传感器,该一个或多个应变传感器可被配置为前文结合图2图11所述的应变传感器中的一者。可基于从一个或多个应变传感器接收到的一个或多个信号来确定施加到外壳102上的力的大小和/或所施加的力的大小的变化。
网络通信接口1212可促进向或从其他电子设备进行数据传输。例如,网络通信接口可经由无线网络和/或有线网络连接来传输电子信号。无线和有线网络连接的示例包括但不限于蜂窝网络、Wi-Fi、蓝牙、红外、RFID、以太网和NFC。
显示器1214可向用户提供视觉输出。显示器1214可使用任何合适的技术来实现,该显示器包括但不限于使用液晶显示器(LCD)技术、发光二极管(LED)技术、有机发光显示器(OLED)技术、有机电致发光(OEL)技术或另一类型的显示技术的多触摸感测触摸屏。在一些实施方案中,显示器1214可充当允许用户与电子设备1200进行交互的输入设备。例如,显示器可包括触摸感测设备1222。触摸感测设备1222可允许显示器充当触摸显示器或多触摸显示器。
除此之外或另选地,显示器1214可包括力感测设备1224。在一些实施方案中,力感测设备1224被包括在显示器1214的显示叠堆中。力感测设备1224可包括一个或多个应变传感器。可基于从一个或多个应变传感器接收到的一个或多个信号来确定施加到显示器1214上或设置在显示器上方的覆盖玻璃上的力的大小和/或所施加的力的大小的变化。该一个或多个应变传感器可被配置为前文结合图2至图11所述的应变传感器中的一者。
应当注意,图12仅为示例性的。在其他示例中,电子设备可包括比图12中所示的那些部件更少或更多的部件。除此之外或另选地,电子设备可被包括在***中,并且图12中所示的一个或多个部件与电子设备独立但与电子设备进行通信。例如,电子设备可操作性地与单独的显示器连接或通信。作为另一示例,可在与电子设备分开的存储器中存储一个或多个应用程序或数据。在一些实施方案中,独立的存储器可在基于云端的***中或在相关联的电子设备中。
如前所述,包括一个或多个应变传感器的力感测设备可以被包括在显示器(例如,图1中的显示器104)的显示叠堆中。图13示出了包括应变传感器的示例性显示叠堆的横截面图。显示叠堆1300包括定位在前偏光器1302上方的覆盖玻璃1301。覆盖玻璃1301可以是由任何合适的材料例如玻璃、塑料、蓝宝石或其组合制成的柔性可触摸表面。覆盖玻璃1301可通过从用户接收触摸和力输入来充当触摸感测设备和力感测设备的输入区域。用户可利用一个或多个手指或利用另一元件诸如触笔来触摸覆盖玻璃1301或向其施加力。
粘合剂层1304可被设置在覆盖玻璃1301与前偏光器1302之间。可为粘合剂层使用任何合适的粘合剂,例如光学透明粘合剂。显示层1306可被定位在前偏光器1302下方。如前所述,显示层1306可采取多种形式,包括液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)显示器以及有机发光二极管(OLED)显示器。在一些实施方案中,显示层1306可由玻璃形成,或具有玻璃基板。本文所述的实施方案包括多点触摸触摸屏LCD显示层。
另外,显示层406可包括一个或多个层。例如,显示层406可包括VCOM缓冲层、LCD显示层、以及设置在该显示层上方和/或下方的导电层。在一个实施方案中,导电层可包括氧化铟锡(ITO)层。
后偏光器1308可被定位在显示层1306下方,并且应变敏感结构1310可被定位在后偏光器1308下方。应变敏感结构1310包括基板1312,该基板具有在基板1312的第一表面1316上的第一组独立透明应变传感器1314和在基板1312的第二表面1320上的第二组独立透明应变传感器1318。在例示的实施方案中,第一组透明应变传感器和第二组透明应变传感器位于显示叠堆的对用户可见的区域中。如前所述,应变传感器包括应变敏感元件和物理地或直接连接到应变敏感元件的一个或多个应变信号线。在例示的实施方案中,第一表面1316和第二表面1320分别是基板1312的相对的顶表面和底表面。粘合剂层1322可将基板1312附接到后偏光器1308。
如前所述,应变传感器可形成为直线型应变传感器阵列。第一组独立应变传感器1314中的每个应变敏感元件与第二组独立应变传感器1318中的相应一个应变敏感元件垂直对准。在许多实施方案中,每个单独的应变敏感元件可采取所选择的形状。例如,在某些实施方案中,应变敏感元件可类似于图3中所示的螺线形图案以螺线形图案沉积。
背光单元1324可被设置在(例如,附接到)应变敏感结构1310下方。背光单元1324可被配置为支撑不包括应变敏感元件的基板1312的一个或多个部分。例如,如图13所示,背光单元1324可支撑基板1312的端部。其他实施方案可以不同方式来配置背光单元。
应变传感器通常通过导电连接器1328连接到感测电路1326。感测电路1326被配置为检测每个应变敏感元件的电特性的变化。在该示例中,感测电路1326可被配置为检测应变敏感元件的电阻的变化,该应变敏感元件可与施加到覆盖玻璃1301上的力相关联。在一些实施方案中,感测电路1326还可被配置为基于应变传感器1314、1318的电阻变化的相对差值来提供有关触摸的位置的信息。
如前所述,在一些实施方案中,应变敏感元件由透明导电氧化物膜形成。当将力施加到输入区域(例如,覆盖玻璃1301)时,平面应变敏感结构1310发生应变,并且透明导电氧化物膜的电阻与应变成比例地变化。如图14所示,该力可使应变敏感结构1310略微弯曲。应变敏感结构1310的底表面1400在顶表面1402压缩时伸长。应变敏感元件测量表面的伸长或压缩,并且这些测量结果可与施加到输入区域上的力的大小相关。
两个垂直对准的应变敏感元件(例如,1330和1332)形成应变感测设备1334。感测电路1326可被适配为接收来自每个应变感测设备1334的信号并且确定每个应变感测设备的电特性的差异。例如,如上所述,可在覆盖玻璃1301处接收力,这继而使得应变敏感结构1310弯曲。感测电路1326被配置为基于从一个或多个应变感测设备1334接收到的信号来检测一个或多个应变感测设备的电特性(例如,电阻)的变化,而这些变化与施加到覆盖玻璃1301上的力相关。
在例示的实施方案中,在应变敏感结构1310与背光单元1324之间存在间隙1336。应变测量基本上测量基板1312的顶表面1316上的点处的力加上来自底部的基板1312的底表面1320上的该点处的力。当存在间隙1336时,底表面1320上没有力。因此,顶表面1316上的力与底表面1320上的力可独立地测量。在另选的实施方案中,当显示叠堆1300不包括间隙1336时应变敏感结构1310可被定位在显示层上方。
其他实施方案可以不同方式来配置应变敏感结构。例如,应变敏感结构可在基板的表面上仅包括一组应变敏感元件。处理设备可被配置为基于从该组应变敏感元件接收到的信号来确定施加到输入区域上的力的大小或力的变化。
现在参见图15,其示出了可操作地连接到应变感测设备的感测电路的简化示意图。包括两个垂直对准的应变敏感元件的应变感测设备1334(参见图13)可被建模成被配置为分压器的两个电阻器R感测。参考分压器1502包括两个参考电阻器RREF。作为一个示例,应变感测设备1334和参考分压器1502可以被建模成惠斯通电桥电路,其中应变感测设备1334形成惠斯通电桥电路的一个半电桥,并且参考分压器1502形成惠斯通电桥电路的另一半电桥。其他实施方案可以不同的方式对应变传感器和参考电阻器进行建模。例如,应变敏感结构可仅包括一组应变敏感元件,并且特定的应变敏感元件和参考电阻器可被建模成惠斯通半桥电路。
第一参考电压(VREF_TOP)在节点1504处被接收,第二参考电压(VREF_BOT)在节点1506处被接收。由感测电路1512来接收应变感测设备1334的节点1508处的力信号和参考分压器1502的节点1510处的参考信号。感测电路1512被配置为基于两个分压器的力和参考信号的差值来检测应变感测设备1334的电特性(例如,电阻)的变化。这些变化可与施加到电子设备的相应输入区域(例如,图12中的覆盖玻璃1201)上的力的大小相关。
尽管已具体参考各种实施方案的某些特征对各种实施方案进行了详述,但是应当理解,在本公开的实质和范围内可进行变型和修改。例如,一个或多个应变敏感元件可由非金属不透明材料形成。除此之外或另选地,可在一个层上形成一个或多个应变敏感元件,并且在另一层上形成一个或多个应变信号线,从而使应变敏感元件和对应的一个或多个应变信号线不是共面的(在不同的平面表面上)。可通过***一个或多个层形成通孔,以在应变敏感元件和应变信号线之间产生电接触件。
尽管本文已描述了具体实施方案,但应当注意,本专利申请并不限于这些实施方案。具体地,在兼容的情况下,相对于一个实施例所述的任何特征还可用于其他实施例。同样地,在兼容的情况下,可交换不同实施例的特征。
Claims (24)
1.一种定位在电子设备的可见区域中的透明应变传感器,所述透明应变传感器包括:
透明应变敏感元件,所述透明应变敏感元件由具有第一仪表系数的第一透明导电材料构成;
透明应变信号线,所述透明应变信号线直接连接到所述透明应变敏感元件并由具有第二仪表系数的第二透明导电材料构成,其中所述第一仪表系数大于所述第二仪表系数。
2.根据权利要求1所述的透明应变传感器,其中所述第一透明导电材料具有第一电阻,并且所述第二透明导电材料具有第二电阻,并且所述第一电阻大于所述第二电阻。
3.根据权利要求1所述的透明应变传感器,其中所述第一透明导电材料和所述第二透明导电材料各自包括透明导电氧化物膜。
4.根据权利要求3所述的透明应变传感器,其中所述第一透明导电材料包括掺镓氧化锌膜和掺铝氧化锌膜中的一者。
5.根据权利要求3所述的透明应变传感器,其中所述第二透明导电材料包括氧化铟锡膜。
6.根据权利要求3所述的透明应变传感器,其中所述第一透明导电材料包含多层透明导电结构,所述多层透明导电结构包括设置在两个透明导电氧化物膜之间的绝缘层。
7.根据权利要求2所述的透明应变传感器,其中所述应变信号线中的所述第二透明导电材料被处理以产生所述第二电阻。
8.根据权利要求7所述的透明应变传感器,其中所述第二透明导电材料掺杂有一种或多种掺杂物以产生所述第二电阻。
9.根据权利要求1所述的透明应变传感器,其中所述应变敏感元件的所述第一透明导电材料被处理以产生所述第一仪表系数。
10.根据权利要求8所述的透明应变传感器,其中所述应变敏感元件的所述第一透明导电材料被激光退火以产生所述第一仪表系数。
11.根据权利要求1所述的透明应变传感器,其中所述电子设备的所述可见区域包括所述电子设备的显示叠堆。
12.一种定位在电子设备的可见区域中的透明应变传感器,所述透明应变传感器包含混合透明导电材料,所述混合透明导电材料包括具有第一仪表系数和第一电阻的第一透明导电段和连接到所述第一导电段的具有第二仪表系数和第二电阻的第二导电段,其中所述第一仪表系数大于所述第二仪表系数并且所述第一电阻大于所述第二电阻。
13.根据权利要求12所述的透明应变传感器,还包括至少一个透明应变信号线,所述至少一个透明应变信号线直接连接到所述透明应变传感器,其中所述至少一个透明信号线具有第三仪表系数和第三电阻,其中所述第三电阻小于所述第一电阻和所述第二电阻。
14.根据权利要求12所述的透明应变传感器,其中所述电子设备的可见区域包括所述电子设备的显示叠堆。
15.一种用于制造透明应变传感器的方法,所述方法包括:
在基板上提供透明应变敏感元件,其中所述透明应变敏感元件包含具有第一仪表系数的一种或多种透明导电材料;以及
提供透明应变信号线,所述透明应变信号线直接连接到所述基板上的所述透明应变敏感元件,其中所述透明应变信号线包含具有不同的第二仪表系数的一种或多种透明导电材料。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述透明应变敏感元件中的所述一种或多种透明导电材料具有第一电阻,并且所述透明应变信号线中的所述一种或多种透明导电材料具有第二电阻,所述第一电阻大于所述第二电阻。
17.一种用于制造透明应变传感器的方法,所述方法包括:
在基板上提供透明应变敏感元件,其中所述透明应变敏感元件包含一种或多种透明导电材料;
提供透明应变信号线,所述透明应变信号线直接连接到所述基板上的所述透明应变敏感元件;以及
对所述透明应变敏感元件的所述一种或多种透明导电材料进行处理以增加所述透明应变敏感元件的仪表系数。
18.根据权利要求17所述的方法,其中所述透明应变信号线由相同的一种或多种透明导电材料构成。
19.根据权利要求18所述的方法,还包括对所述透明应变信号线的所述一种或多种透明导电材料进行处理以增加所述透明应变信号线的导电率。
20.根据权利要求17所述的方法,其中对所述透明应变敏感元件的所述一种或多种透明导电材料进行处理以增加所述透明应变敏感元件的仪表系数包括对所述透明应变敏感元件的所述一种或多种透明导电材料进行激光退火以增加所述透明应变敏感元件的仪表系数。
21.一种用于制造透明应变传感器的方法,所述方法包括:
在基板上提供透明应变敏感元件;
提供透明应变信号线,所述透明应变信号线直接连接到所述基板上的所述透明应变敏感元件,其中所述透明应变信号线包含一种或多种透明导电材料;以及
对所述透明应变信号线的所述一种或多种透明导电材料进行处理以增加所述透明应变信号线的导电率。
22.根据权利要求21所述的方法,其中对所述透明应变敏感元件的所述一种或多种透明导电材料进行处理以增加所述透明应变敏感元件的仪表系数包括对所述透明应变敏感元件的所述一种或多种透明导电材料进行激光退火以增加所述透明应变敏感元件的仪表系数。
23.一种电子设备,包括:
显示器的显示叠堆,所述显示叠堆包括:
覆盖玻璃;和
应变感测结构,所述应变感测结构定位在所述覆盖玻璃下方,所述应变感测结构包括基板、定位在所述基板的第一表面上的第一透明应变敏感元件和定位在所述基板的第二表面上的第二透明应变敏感元件;和
一个或多个透明应变信号线,所述一个或多个透明应变信号线直接连接到每个透明应变敏感元件,其中所述第一透明应变敏感元件和所述第二透明应变敏感元件的仪表系数大于所述透明应变信号线的仪表系数,并且其中在观看所述显示器时所述第一透明应变敏感元件和所述第二透明应变敏感元件以及所述透明应变信号线被定位在可见的区域中;
感测电路,所述感测电路电连接到所述透明应变信号线;和
控制器,所述控制器可操作地连接到所述感测电路并被配置为基于从所述感测电路接收到的所述信号来确定施加到所述覆盖玻璃上的力的大小。
24.根据权利要求23所述的电子设备,其中所述第一透明应变敏感元件和所述第二透明应变敏感元件各自由掺镓氧化锌膜和掺铝氧化锌膜中的一者构成,并且所述透明应变信号线由铟锡氧化物膜构成。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562195030P | 2015-07-21 | 2015-07-21 | |
US62/195,030 | 2015-07-21 | ||
US14/823,910 | 2015-08-11 | ||
US14/823,910 US9612170B2 (en) | 2015-07-21 | 2015-08-11 | Transparent strain sensors in an electronic device |
PCT/US2016/037613 WO2017014870A1 (en) | 2015-07-21 | 2016-06-15 | Transparent strain sensors in an electronic device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107850499A true CN107850499A (zh) | 2018-03-27 |
Family
ID=56204051
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201680042511.7A Pending CN107850499A (zh) | 2015-07-21 | 2016-06-15 | 电子设备中的透明应变传感器 |
CN201720244150.6U Active CN207019619U (zh) | 2015-07-21 | 2016-07-21 | 位于电子设备的显示器堆叠中的应变传感器及电子设备 |
CN201620774441.1U Active CN205940446U (zh) | 2015-07-21 | 2016-07-21 | 位于电子设备的可见区域中的透明应变传感器及电子设备 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201720244150.6U Active CN207019619U (zh) | 2015-07-21 | 2016-07-21 | 位于电子设备的显示器堆叠中的应变传感器及电子设备 |
CN201620774441.1U Active CN205940446U (zh) | 2015-07-21 | 2016-07-21 | 位于电子设备的可见区域中的透明应变传感器及电子设备 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9612170B2 (zh) |
JP (1) | JP2018529934A (zh) |
KR (1) | KR20180031028A (zh) |
CN (3) | CN107850499A (zh) |
AU (1) | AU2016296116B2 (zh) |
DE (1) | DE112016003264T5 (zh) |
WO (1) | WO2017014870A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111833747A (zh) * | 2020-07-09 | 2020-10-27 | 云谷(固安)科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及电子设备 |
CN112840126A (zh) * | 2018-10-08 | 2021-05-25 | 纬湃技术有限公司 | 用于识别泵的干运行的*** |
CN113358012A (zh) * | 2020-03-06 | 2021-09-07 | 深圳普赢创新科技股份有限公司 | 电磁感应式坐标定位装置 |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112013002288T5 (de) | 2012-05-03 | 2015-04-16 | Apple Inc. | Momentkompensierter Biegebalkensensor zur Lastmessung auf einer Biegebalken-gestützten Plattform |
US9983715B2 (en) | 2012-12-17 | 2018-05-29 | Apple Inc. | Force detection in touch devices using piezoelectric sensors |
WO2014149023A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Rinand Solutions Llc | Force sensing of inputs through strain analysis |
US10120478B2 (en) | 2013-10-28 | 2018-11-06 | Apple Inc. | Piezo based force sensing |
AU2015100011B4 (en) | 2014-01-13 | 2015-07-16 | Apple Inc. | Temperature compensating transparent force sensor |
US9612170B2 (en) * | 2015-07-21 | 2017-04-04 | Apple Inc. | Transparent strain sensors in an electronic device |
US10055048B2 (en) | 2015-07-31 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Noise adaptive force touch |
US9874965B2 (en) | 2015-09-11 | 2018-01-23 | Apple Inc. | Transparent strain sensors in an electronic device |
US9886118B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-02-06 | Apple Inc. | Transparent force sensitive structures in an electronic device |
US10234978B2 (en) * | 2016-01-29 | 2019-03-19 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Array substrate and display panel |
US10006820B2 (en) | 2016-03-08 | 2018-06-26 | Apple Inc. | Magnetic interference avoidance in resistive sensors |
US10209830B2 (en) | 2016-03-31 | 2019-02-19 | Apple Inc. | Electronic device having direction-dependent strain elements |
CN105892664B (zh) * | 2016-03-31 | 2021-05-18 | 联想(北京)有限公司 | 一种信息处理方法及电子设备 |
KR102555596B1 (ko) * | 2016-06-21 | 2023-07-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
US10133418B2 (en) | 2016-09-07 | 2018-11-20 | Apple Inc. | Force sensing in an electronic device using a single layer of strain-sensitive structures |
US10838126B2 (en) | 2016-09-19 | 2020-11-17 | Apple Inc. | Electronic devices with infrared blocking filters |
US10444091B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-10-15 | Apple Inc. | Row column architecture for strain sensing |
CN107340917B (zh) * | 2017-06-30 | 2020-02-07 | 上海天马微电子有限公司 | 一种触控显示面板、触控显示装置及驱动方法 |
US10309846B2 (en) | 2017-07-24 | 2019-06-04 | Apple Inc. | Magnetic field cancellation for strain sensors |
US20190094069A1 (en) * | 2017-09-27 | 2019-03-28 | Apple Inc. | Electronic Devices Having Infrared Blocking Light Guides |
CN109959358B (zh) * | 2017-12-22 | 2020-10-23 | 深圳光启超材料技术有限公司 | 测量薄膜、测量薄膜的制造方法、平面应变场测量方法 |
US10782818B2 (en) | 2018-08-29 | 2020-09-22 | Apple Inc. | Load cell array for detection of force input to an electronic device enclosure |
US11638353B2 (en) * | 2018-09-17 | 2023-04-25 | Hutchinson Technology Incorporated | Apparatus and method for forming sensors with integrated electrical circuits on a substrate |
CN109489542A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-03-19 | 华东理工大学 | 应变传感器及其制造方法 |
WO2020100384A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
RU2698958C1 (ru) * | 2018-12-21 | 2019-09-02 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет" | Сенсорная система |
MX2021011447A (es) * | 2019-03-20 | 2021-10-13 | Cipher Skin | Diseño de circuito flexible para monitorear cuerpos físicos. |
US11556240B2 (en) | 2019-04-02 | 2023-01-17 | Google Llc | Gesture recognition on watch bezel using strain gauges |
US10694607B1 (en) | 2019-06-24 | 2020-06-23 | Apple Inc. | Electronic devices with light sensor waveguides |
WO2021056150A1 (zh) * | 2019-09-23 | 2021-04-01 | 华南理工大学 | 基于竖直石墨烯的可拉伸应力传感器及其用途 |
CN111029484B (zh) * | 2019-12-20 | 2022-07-01 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板以及显示装置 |
JP2021110703A (ja) * | 2020-01-15 | 2021-08-02 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
WO2021185001A1 (zh) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | 深圳纽迪瑞科技开发有限公司 | 一种应变感测膜、压力传感器、混合应变感测*** |
RU2766425C1 (ru) * | 2021-04-12 | 2022-03-15 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет" | Способ измерения спектра распределенного термомеханического воздействия |
CN115792431B (zh) * | 2022-11-07 | 2024-04-02 | 荣耀终端有限公司 | 一种异常位置检测方法和电子设备 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5915285A (en) * | 1993-01-21 | 1999-06-22 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Transparent strain sensitive devices and method |
US20020097039A1 (en) * | 1999-12-17 | 2002-07-25 | Khuri-Yakub Butrus T. | Strain gauge and method |
US20090309172A1 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-17 | Florida State University Research Foundation | Sensor and a method of making a sensor |
CN101839703B (zh) * | 2008-11-28 | 2012-08-15 | 香港理工大学 | 应变传感器 |
CN103411712A (zh) * | 2013-07-18 | 2013-11-27 | 电子科技大学 | 接触应力传感器 |
CN103582807A (zh) * | 2011-06-07 | 2014-02-12 | 贾瓦哈拉尔尼赫鲁高级科学研究中心 | 从金属和碳基体制造应变敏感传感器和/或耐应变导管 |
CN104423714A (zh) * | 2013-09-09 | 2015-03-18 | 三星电子株式会社 | 电子设备的输入传感器 |
Family Cites Families (204)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5142947B2 (zh) | 1971-09-28 | 1976-11-18 | ||
US3876912A (en) | 1972-07-21 | 1975-04-08 | Harris Intertype Corp | Thin film resistor crossovers for integrated circuits |
DE3043139C2 (de) | 1980-11-15 | 1985-08-08 | Bizerba-Werke Wilhelm Kraut Kg, 7460 Balingen | Elektromechanischer Biegekraftaufnehmer, insbesondere für Wägezellen |
US4345477A (en) | 1980-12-03 | 1982-08-24 | Honeywell Inc. | Semiconduction stress sensing apparatus |
US4516112A (en) | 1982-02-22 | 1985-05-07 | Eaton Corporation | Transparent touch switching system |
JPS60221288A (ja) | 1984-04-13 | 1985-11-05 | 株式会社 富士電機総合研究所 | 圧覚認識制御装置 |
US4634917A (en) | 1984-12-26 | 1987-01-06 | Battelle Memorial Institute | Active multi-layer piezoelectric tactile sensor apparatus and method |
CH674588A5 (zh) | 1988-03-07 | 1990-06-15 | Bruyne Pieter De | |
US4951510A (en) | 1988-07-14 | 1990-08-28 | University Of Hawaii | Multidimensional force sensor |
US5135062A (en) | 1990-07-18 | 1992-08-04 | Flintab Ab | Strain gage transducer system with guard circuit |
US5481905A (en) | 1992-11-03 | 1996-01-09 | Philips Electronics North America Corporation | Transducer circuit having negative integral feedback |
TW241352B (en) | 1994-03-30 | 1995-02-21 | Whitaker Corp | Reflective mode ultrasonic touch sensitive switch |
GB9406702D0 (en) * | 1994-04-05 | 1994-05-25 | Binstead Ronald P | Multiple input proximity detector and touchpad system |
US5790215A (en) * | 1995-03-15 | 1998-08-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
US5708460A (en) | 1995-06-02 | 1998-01-13 | Avi Systems, Inc. | Touch screen |
TW464785B (en) | 1996-11-21 | 2001-11-21 | Seiko Epson Corp | Input device, liquid crystal device, and electronic equipment using the liquid crystal device |
US7800592B2 (en) | 2005-03-04 | 2010-09-21 | Apple Inc. | Hand held electronic device with multiple touch sensing devices |
US6504180B1 (en) | 1998-07-28 | 2003-01-07 | Imec Vzw And Vrije Universiteit | Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom |
US6288829B1 (en) * | 1998-10-05 | 2001-09-11 | Fuji Photo Film, Co., Ltd. | Light modulation element, array-type light modulation element, and flat-panel display unit |
US6386023B1 (en) | 1999-03-24 | 2002-05-14 | Delphi Technologies, Inc. | Sensor for increasing signal response time |
NO20001360D0 (no) | 2000-03-15 | 2000-03-15 | Thin Film Electronics Asa | Vertikale elektriske forbindelser i stabel |
AU2001212370A1 (en) | 2000-10-27 | 2002-05-06 | Elo Touchsystems, Inc. | Dual sensor touchscreen utilizing projective-capacitive and force touch sensors |
US20020149571A1 (en) | 2001-04-13 | 2002-10-17 | Roberts Jerry B. | Method and apparatus for force-based touch input |
GB2369889B (en) | 2001-07-13 | 2004-06-09 | John David Barnett | Strain sensing installation |
US7176897B2 (en) | 2002-05-17 | 2007-02-13 | 3M Innovative Properties Company | Correction of memory effect errors in force-based touch panel systems |
US8087087B1 (en) | 2002-06-06 | 2011-12-27 | International Business Machines Corporation | Management of computer security events across distributed systems |
US7456823B2 (en) | 2002-06-14 | 2008-11-25 | Sony Corporation | User interface apparatus and portable information apparatus |
US7154481B2 (en) | 2002-06-25 | 2006-12-26 | 3M Innovative Properties Company | Touch sensor |
US7755616B2 (en) | 2003-03-28 | 2010-07-13 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device having electromagnetic type touch panel |
US20040263483A1 (en) | 2003-06-24 | 2004-12-30 | Aufderheide Brian E | Sensing device |
JP4329478B2 (ja) | 2003-10-06 | 2009-09-09 | 株式会社日立製作所 | 力学量測定装置 |
US7430920B2 (en) | 2005-12-16 | 2008-10-07 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for measuring a mechanical quantity |
JP2006146176A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-06-08 | Canon Inc | 画像表示装置 |
US6988412B1 (en) | 2004-11-30 | 2006-01-24 | Endevco Corporation | Piezoresistive strain concentrator |
CN1796955A (zh) | 2004-12-28 | 2006-07-05 | 中国科学院合肥智能机械研究所 | 一种柔性触觉传感器 |
KR101651975B1 (ko) | 2005-03-04 | 2016-08-29 | 애플 인크. | 다기능 휴대용 장치 |
CN101017419B (zh) | 2005-06-30 | 2010-05-12 | 智点科技(深圳)有限公司 | 触控式平板显示器 |
US8050876B2 (en) | 2005-07-18 | 2011-11-01 | Analog Devices, Inc. | Automatic environmental compensation of capacitance based proximity sensors |
US20070040810A1 (en) | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Eastman Kodak Company | Touch controlled display device |
KR101146530B1 (ko) | 2005-08-30 | 2012-05-25 | 삼성전자주식회사 | 스피커 겸용 터치 패널 |
US7331245B2 (en) | 2005-11-22 | 2008-02-19 | Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd | Pressure distribution sensor and sensing method |
WO2007074800A1 (ja) | 2005-12-27 | 2007-07-05 | Showa Denko K.K. | 生体情報計測用シーツ |
US20070159561A1 (en) | 2006-01-10 | 2007-07-12 | Trendon Touch Technology Corp. | Display panel having touching circuit |
JP4697004B2 (ja) | 2006-03-29 | 2011-06-08 | 株式会社日立製作所 | 力学量測定装置 |
US7538760B2 (en) | 2006-03-30 | 2009-05-26 | Apple Inc. | Force imaging input device and system |
US7511702B2 (en) | 2006-03-30 | 2009-03-31 | Apple Inc. | Force and location sensitive display |
JP4654211B2 (ja) | 2006-05-09 | 2011-03-16 | アップル インコーポレイテッド | 力・位置感知ディスプレイ |
US7441467B2 (en) | 2006-07-12 | 2008-10-28 | Cts Corporation | Compression strain sensor |
FR2907563A1 (fr) | 2006-10-20 | 2008-04-25 | Ingenico Sa | Ecran tactile et terminal de paiement comprenant cet ecran. |
US20080218488A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-09-11 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Active driving type visual-tactile display device |
WO2008076393A1 (en) | 2006-12-14 | 2008-06-26 | Qsi Corporation | Force-based input device having a modular sensing component |
US20100013785A1 (en) | 2007-03-01 | 2010-01-21 | Atsuhito Murai | Display panel substrate, display panel, display appratus, and method for manufacturing display panel substrate |
JP2008226641A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Kochi Univ Of Technology | 透明導電膜積層体 |
US9329719B2 (en) | 2007-03-15 | 2016-05-03 | Apple Inc. | Hybrid force sensitive touch devices |
US8144453B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-03-27 | F-Origin, Inc. | Integrated feature for friction less movement of force sensitive touch screen |
US20090002199A1 (en) | 2007-06-28 | 2009-01-01 | Nokia Corporation | Piezoelectric sensing as user input means |
US8077154B2 (en) | 2007-08-13 | 2011-12-13 | Motorola Mobility, Inc. | Electrically non-interfering printing for electronic devices having capacitive touch sensors |
CN100585352C (zh) | 2007-11-23 | 2010-01-27 | 清华大学 | 阵列式超薄柔顺力传感器及其制备方法 |
JPWO2009084502A1 (ja) | 2007-12-27 | 2011-05-19 | 日本写真印刷株式会社 | 保護パネル付きの電子機器 |
US9665197B2 (en) | 2008-01-30 | 2017-05-30 | Nokia Technologies Oy | Apparatus and method for enabling user input |
US7726199B2 (en) | 2008-04-08 | 2010-06-01 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Dielectrostrictive sensor for measuring deformation |
WO2009143267A2 (en) | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Qsi Corporation | Stress-limiting device for forced-based input panels |
US8132468B2 (en) | 2008-05-29 | 2012-03-13 | Zoran Radivojevic | Flexural deformation sensing device and a user interface using the same |
US8421483B2 (en) | 2008-06-13 | 2013-04-16 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Touch and force sensing for input devices |
TWI442293B (zh) | 2008-07-09 | 2014-06-21 | Egalax Empia Technology Inc | 電容式感測裝置及方法 |
JP5332599B2 (ja) | 2008-07-11 | 2013-11-06 | 住友化学株式会社 | 偏光板、その製造方法及びそれを用いた複合偏光板 |
US9477342B2 (en) | 2008-08-26 | 2016-10-25 | Google Technology Holdings LLC | Multi-touch force sensing touch-screen devices and methods |
US8482545B2 (en) | 2008-10-02 | 2013-07-09 | Wacom Co., Ltd. | Combination touch and transducer input system and method |
JP2010108490A (ja) | 2008-10-03 | 2010-05-13 | Daikin Ind Ltd | タッチパネルおよび透明圧電シート |
US20100103115A1 (en) | 2008-10-24 | 2010-04-29 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Display arrangement and electronic device |
US20100117809A1 (en) | 2008-11-11 | 2010-05-13 | Motorola Inc. | Display module with piezoelectric haptics |
US20100123686A1 (en) | 2008-11-19 | 2010-05-20 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Piezoresistive force sensor integrated in a display |
US8266971B1 (en) | 2008-11-25 | 2012-09-18 | Randall Jones | Surface force distribution sensor by frequency-domain multiplexing |
US9116569B2 (en) | 2008-11-26 | 2015-08-25 | Blackberry Limited | Touch-sensitive display method and apparatus |
US8305358B2 (en) * | 2009-02-10 | 2012-11-06 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Sensor, display including a sensor, and method for using a sensor |
JP2010197066A (ja) | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Casio Computer Co Ltd | 圧力センサ及び圧力センサの圧力測定方法 |
TWI483145B (zh) | 2009-02-26 | 2015-05-01 | Htc Corp | 可攜式電子裝置及避免誤觸其觸控面板之方法 |
JP5157969B2 (ja) | 2009-03-09 | 2013-03-06 | ソニー株式会社 | 情報処理装置、閾値設定方法及びそのプログラム |
US9459734B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-10-04 | Synaptics Incorporated | Input device with deflectable electrode |
TWI528249B (zh) | 2009-04-15 | 2016-04-01 | 財團法人工業技術研究院 | 觸控裝置之結構 |
EP2442213B1 (en) | 2009-06-11 | 2022-05-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Touch screen and touch-type input device |
JP2011017626A (ja) | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Sony Corp | 力学量検知部材及び力学量検知装置 |
JP5389568B2 (ja) | 2009-08-19 | 2014-01-15 | 富士フイルム株式会社 | 透明導電性フィルム |
US8456430B2 (en) | 2009-08-21 | 2013-06-04 | Motorola Mobility Llc | Tactile user interface for an electronic device |
US8072437B2 (en) * | 2009-08-26 | 2011-12-06 | Global Oled Technology Llc | Flexible multitouch electroluminescent display |
US8730199B2 (en) | 2009-09-04 | 2014-05-20 | Atmel Corporation | Capacitive control panel |
US8669952B2 (en) | 2011-06-09 | 2014-03-11 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Metallic nanoparticle pressure sensor |
CN102667678A (zh) | 2009-11-20 | 2012-09-12 | 夏普株式会社 | 带触摸传感器功能的挠性显示面板 |
US8605053B2 (en) | 2009-12-02 | 2013-12-10 | Analog Devices, Inc. | Method and device for detecting user input |
US8519974B2 (en) | 2010-01-19 | 2013-08-27 | Sony Corporation | Touch sensing device, touch screen device comprising the touch sensing device, mobile device, method for sensing a touch and method for manufacturing a touch sensing device |
JP5442519B2 (ja) | 2010-04-07 | 2014-03-12 | ダイキン工業株式会社 | 透明圧電シート、それをそれぞれ含有するフレーム付透明圧電シート、タッチ位置検出用タッチパネル、ディスプレイ装置、タッチパネルおよび電子機器 |
JP5216041B2 (ja) | 2010-04-07 | 2013-06-19 | ダイキン工業株式会社 | 透明圧電シートをそれぞれ有するフレーム付透明圧電シート、タッチパネル、および電子装置 |
US20110248839A1 (en) | 2010-04-08 | 2011-10-13 | Research In Motion Limited | Portable electronic device and method of controlling same |
JP2013140190A (ja) | 2010-04-21 | 2013-07-18 | Sharp Corp | 表示装置 |
JP2011242386A (ja) | 2010-04-23 | 2011-12-01 | Immersion Corp | 接触センサと触覚アクチュエータとの透明複合圧電材結合体 |
JP5355515B2 (ja) | 2010-05-06 | 2013-11-27 | 株式会社村田製作所 | タッチパネル、ならびにタッチ式入力装置およびその制御方法 |
US20110273394A1 (en) | 2010-05-10 | 2011-11-10 | Symbol Technologies, Inc. | Methods and apparatus for a transparent and flexible force-sensitive touch panel |
US9057653B2 (en) | 2010-05-11 | 2015-06-16 | Synaptics Incorporated | Input device with force sensing |
US20110285660A1 (en) | 2010-05-18 | 2011-11-24 | Prabhu Krishnanand | Touch screen power generation |
JP5610430B2 (ja) * | 2010-06-11 | 2014-10-22 | 国立大学法人広島大学 | 透明導電薄膜、及びタッチパネル |
KR20130109090A (ko) | 2010-06-11 | 2013-10-07 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 힘 측정을 갖는 포지셔널 터치 센서 |
US20120019448A1 (en) | 2010-07-22 | 2012-01-26 | Nokia Corporation | User Interface with Touch Pressure Level Sensing |
US20120038577A1 (en) | 2010-08-16 | 2012-02-16 | Floatingtouch, Llc | Floating plane touch input device and method |
US20120127136A1 (en) | 2010-08-18 | 2012-05-24 | Kent Displays Incorporated | Display device including piezoelectric and liquid crystal layers |
JP5462113B2 (ja) * | 2010-09-01 | 2014-04-02 | 尾池工業株式会社 | 回路パターンを有する電極体およびその製造方法 |
US9454268B2 (en) | 2010-10-12 | 2016-09-27 | Parade Technologies, Ltd. | Force sensing capacitive hybrid touch sensor |
CN103250119B (zh) | 2010-10-27 | 2016-01-06 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 输入设备以及显示装置 |
US20120105367A1 (en) | 2010-11-01 | 2012-05-03 | Impress Inc. | Methods of using tactile force sensing for intuitive user interface |
US8780060B2 (en) | 2010-11-02 | 2014-07-15 | Apple Inc. | Methods and systems for providing haptic control |
US9262002B2 (en) | 2010-11-03 | 2016-02-16 | Qualcomm Incorporated | Force sensing touch screen |
US8711128B2 (en) | 2010-11-05 | 2014-04-29 | Synaptics Incorporated | Method and apparatus for sensing an input object relative to a sensing region of an ultrasound sensor device |
US9223445B2 (en) | 2010-12-02 | 2015-12-29 | Atmel Corporation | Position-sensing and force detection panel |
TW201227440A (en) | 2010-12-16 | 2012-07-01 | Wintek Corp | Touch panel |
KR20120084860A (ko) | 2011-01-21 | 2012-07-31 | 삼성전자주식회사 | 정전식 터치스크린 단말기에서 입력 방법 및 장치 |
US9417696B2 (en) | 2011-01-27 | 2016-08-16 | Blackberry Limited | Portable electronic device and method therefor |
CN102175362A (zh) | 2011-03-07 | 2011-09-07 | 合肥工业大学 | 多功能柔性触觉传感器 |
JP2012208032A (ja) | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Minebea Co Ltd | ひずみゲージおよびその製造方法 |
US8692646B2 (en) | 2011-04-05 | 2014-04-08 | Kang Won LEE | Piezoresistive type touch panel; manufacturing method thereof; and display device, touch pad, pressure sensor, touch sensor, game console and keyboard having the panel |
US9557857B2 (en) | 2011-04-26 | 2017-01-31 | Synaptics Incorporated | Input device with force sensing and haptic response |
US10198097B2 (en) | 2011-04-26 | 2019-02-05 | Sentons Inc. | Detecting touch input force |
CN103443751B (zh) * | 2011-04-29 | 2015-12-09 | 日本写真印刷株式会社 | 无间隔件输入设备 |
TWI448935B (zh) | 2011-05-20 | 2014-08-11 | Nat Univ Tsing Hua | 三維觸控單元及三維觸控面板 |
US9081460B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-07-14 | Gwangju Institute Of Science And Technology | Electronic device, method for manufacturing the same and touch panel including the same |
US8434369B2 (en) | 2011-05-23 | 2013-05-07 | Universal Cement Corporation | Preloaded pressure sensor module |
US8780074B2 (en) | 2011-07-06 | 2014-07-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dual-function transducer for a touch panel |
US8870087B2 (en) | 2011-09-12 | 2014-10-28 | Siemens Industry, Inc. | Thermostat control device with integrated feedback and notification capability |
US20130074988A1 (en) | 2011-09-23 | 2013-03-28 | Calvin Chou | Toolrest mechanism for wood turning lathe |
US8988384B2 (en) | 2011-09-23 | 2015-03-24 | Apple Inc. | Force sensor interface for touch controller |
CN102368191A (zh) | 2011-11-09 | 2012-03-07 | 友达光电股份有限公司 | 一种触控显示器 |
KR101850680B1 (ko) | 2011-11-18 | 2018-04-20 | 센톤스 아이엔씨. | 터치 입력 힘 검출 |
KR101823691B1 (ko) | 2011-11-30 | 2018-01-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 터치 패널 |
WO2013083207A1 (en) | 2011-12-08 | 2013-06-13 | Sony Mobile Communications Ab | Input interface, handheld electronic device and method of producing an input interface |
US9246486B2 (en) * | 2011-12-16 | 2016-01-26 | Apple Inc. | Electronic device with noise-cancelling force sensor |
US20130155018A1 (en) | 2011-12-20 | 2013-06-20 | Synaptics Incorporated | Device and method for emulating a touch screen using force information |
US9367173B2 (en) | 2012-01-17 | 2016-06-14 | Apple Inc. | Finger sensor having pixel sensing circuitry for coupling electrodes and pixel sensing traces and related methods |
EP2629075A1 (en) | 2012-02-20 | 2013-08-21 | Sony Ericsson Mobile Communications AB | Method for determining a sensor value |
US9007333B1 (en) | 2012-02-23 | 2015-04-14 | Cypress Semiconductor Corporation | Touch sensor pattern |
EP2634552B1 (en) | 2012-02-28 | 2015-04-08 | Sony Mobile Communications AB | Electronic device and method for determining a temperature of an electronic device |
WO2013135252A1 (en) | 2012-03-15 | 2013-09-19 | Sony Mobile Communications Ab | Method for controlling a touch sensor |
US9383848B2 (en) | 2012-03-29 | 2016-07-05 | Intermec Technologies Corporation | Interleaved piezoelectric tactile interface |
US9223162B2 (en) * | 2012-04-11 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Display having a flexured element |
US9024910B2 (en) | 2012-04-23 | 2015-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Touchscreen with bridged force-sensitive resistors |
DE112013002288T5 (de) | 2012-05-03 | 2015-04-16 | Apple Inc. | Momentkompensierter Biegebalkensensor zur Lastmessung auf einer Biegebalken-gestützten Plattform |
US9471169B2 (en) | 2012-05-22 | 2016-10-18 | Synaptics Incorporated | Force enhanced input device |
KR101395195B1 (ko) | 2012-06-11 | 2014-05-15 | 양희봉 | 메쉬 전극 패턴을 가지는 터치 스크린 |
JP2013257657A (ja) | 2012-06-11 | 2013-12-26 | Fujitsu Ltd | 情報端末装置及び表示制御方法 |
TWI463389B (zh) | 2012-06-28 | 2014-12-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 電容觸控系統和操作電容觸控系統的方法 |
US9466783B2 (en) | 2012-07-26 | 2016-10-11 | Immersion Corporation | Suspension element having integrated piezo material for providing haptic effects to a touch screen |
FR2993999B1 (fr) * | 2012-07-27 | 2014-09-12 | Nanomade Concept | Procede pour la fabrication d'une surface tactile transparente et surface tactile obtenue par un tel procede |
US9024918B2 (en) | 2012-08-16 | 2015-05-05 | Eastman Kodak Company | Display apparatus with pixel-aligned electrode |
KR101934310B1 (ko) | 2012-08-24 | 2019-01-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 힘을 인식하는 터치 표시장치 |
US9182859B2 (en) | 2012-08-29 | 2015-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Capacitive touch panel with force sensing |
US9158407B2 (en) | 2012-08-29 | 2015-10-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Capacitive touch panel with a ‘dual layer’ force sensor |
US20140085247A1 (en) | 2012-09-21 | 2014-03-27 | Apple Inc. | Force Sensing Using Dual-Layer Cover Glass with Gel Adhesive and Capacitive Sensing |
US9292115B2 (en) | 2012-11-19 | 2016-03-22 | Nokia Technologies Oy | Apparatus and method for detecting user input |
US9983715B2 (en) | 2012-12-17 | 2018-05-29 | Apple Inc. | Force detection in touch devices using piezoelectric sensors |
US10088936B2 (en) | 2013-01-07 | 2018-10-02 | Novasentis, Inc. | Thin profile user interface device and method providing localized haptic response |
JP2014135010A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明電極基板の製造方法、デバイスの製造方法およびタッチパネルセンサの製造方法 |
KR102058699B1 (ko) | 2013-01-24 | 2019-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 및 휨 감지 기능을 가지는 플렉서블 표시장치 |
JP5855604B2 (ja) | 2013-02-23 | 2016-02-09 | 日本写真印刷株式会社 | 押圧力測定を備えたタッチパネル |
WO2014149023A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Rinand Solutions Llc | Force sensing of inputs through strain analysis |
CN103197821B (zh) | 2013-04-03 | 2016-06-15 | 清华大学 | 可感知触控力度和精准定位的电容-压电复合式触摸屏 |
JP6069500B2 (ja) | 2013-05-27 | 2017-02-01 | 株式会社村田製作所 | 押圧センサ付き表示パネル、および押圧入力機能付き電子機器 |
JP5679366B2 (ja) | 2013-06-04 | 2015-03-04 | 日本写真印刷株式会社 | 圧力検出表示装置および電子機器 |
US9864450B2 (en) | 2013-06-04 | 2018-01-09 | Nissha Co., Ltd. | Piezoelectric sensor and pressure detection apparatus |
WO2014196367A1 (ja) | 2013-06-05 | 2014-12-11 | 日本写真印刷株式会社 | 圧力検出装置および入力装置 |
JP5722954B2 (ja) | 2013-06-23 | 2015-05-27 | 日本写真印刷株式会社 | 押圧検出機能付タッチパネル |
US9729730B2 (en) | 2013-07-02 | 2017-08-08 | Immersion Corporation | Systems and methods for perceptual normalization of haptic effects |
US10007380B2 (en) | 2013-07-29 | 2018-06-26 | Hideep Inc. | Touch input device with edge support member |
KR101681305B1 (ko) | 2014-08-01 | 2016-12-02 | 주식회사 하이딥 | 터치 입력 장치 |
US10032592B2 (en) | 2013-08-23 | 2018-07-24 | Apple Inc. | Force sensing switch |
WO2015038098A1 (en) | 2013-09-10 | 2015-03-19 | Pearl Capital Developments Llc | Sealed button for an electronic device |
US9658722B2 (en) | 2013-09-26 | 2017-05-23 | Synaptics Incorporated | Using a printed circuit to offset charge during capacitive sensing |
CN105593798B (zh) | 2013-10-04 | 2018-11-23 | 株式会社村田制作所 | 触摸传感器 |
DE102013111267B4 (de) | 2013-10-11 | 2019-10-24 | Schott Ag | Kochfeld mit einem transparenten elektrischen Leiter und Verfahren zur Herstellung |
US10120478B2 (en) | 2013-10-28 | 2018-11-06 | Apple Inc. | Piezo based force sensing |
JP5689523B1 (ja) | 2013-12-18 | 2015-03-25 | 日本写真印刷株式会社 | 圧力検出器を備えたタッチパネル |
AU2015100011B4 (en) | 2014-01-13 | 2015-07-16 | Apple Inc. | Temperature compensating transparent force sensor |
US20150242037A1 (en) | 2014-01-13 | 2015-08-27 | Apple Inc. | Transparent force sensor with strain relief |
WO2015143121A1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-24 | Immersion Corporation | System, method and computer-readable medium for force-based object manipulation and haptic sensations |
GB2525174A (en) | 2014-04-14 | 2015-10-21 | Nokia Technologies Oy | An apparatus and method for sensing |
JP2015207034A (ja) | 2014-04-17 | 2015-11-19 | アルパイン株式会社 | 情報入力装置及び情報入力方法 |
CN105260043A (zh) | 2014-06-13 | 2016-01-20 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 具有指纹识别功能的触控面板 |
US9841850B2 (en) | 2014-06-16 | 2017-12-12 | Synaptics Incorporated | Device and method for proximity sensing with force imaging |
JP6212000B2 (ja) | 2014-07-02 | 2017-10-11 | 株式会社東芝 | 圧力センサ、並びに圧力センサを用いたマイクロフォン、血圧センサ、及びタッチパネル |
US9759648B2 (en) | 2014-07-03 | 2017-09-12 | The Governors Of The University Of Alberta | Stimulus responsive polymeric system |
US9851845B2 (en) | 2014-08-12 | 2017-12-26 | Apple Inc. | Temperature compensation for transparent force sensors |
US9645023B2 (en) | 2014-08-26 | 2017-05-09 | Shenzhen New Degree Technology Co., Ltd. | Discrete pressure sensor with cantilevered force centralizers |
US20160062517A1 (en) | 2014-09-02 | 2016-03-03 | Apple Inc. | Multi-Layer Transparent Force Sensor |
US9690408B1 (en) | 2014-09-26 | 2017-06-27 | Apple Inc. | Electronic device with an integrated touch sensing and force sensing device |
US9501167B2 (en) | 2014-10-22 | 2016-11-22 | Synaptics Incorporated | Scanned piezoelectric touch sensor device |
US10222889B2 (en) | 2015-06-03 | 2019-03-05 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Force inputs and cursor control |
US9612170B2 (en) * | 2015-07-21 | 2017-04-04 | Apple Inc. | Transparent strain sensors in an electronic device |
US10055048B2 (en) | 2015-07-31 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Noise adaptive force touch |
CN105185290B (zh) | 2015-09-06 | 2017-10-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种移位寄存器、其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 |
US9874965B2 (en) | 2015-09-11 | 2018-01-23 | Apple Inc. | Transparent strain sensors in an electronic device |
CN105117089B (zh) | 2015-09-17 | 2018-06-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控基板、触控显示面板及其驱动方法、触控显示装置 |
US20170090655A1 (en) | 2015-09-29 | 2017-03-30 | Apple Inc. | Location-Independent Force Sensing Using Differential Strain Measurement |
US9886118B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-02-06 | Apple Inc. | Transparent force sensitive structures in an electronic device |
CN105444662B (zh) | 2015-12-04 | 2018-02-02 | 浙江工业大学 | 可测量双侧片外轴向偏导的轴向偏差六敏感栅全桥混合叉指金属应变片 |
US10006820B2 (en) | 2016-03-08 | 2018-06-26 | Apple Inc. | Magnetic interference avoidance in resistive sensors |
US10209830B2 (en) | 2016-03-31 | 2019-02-19 | Apple Inc. | Electronic device having direction-dependent strain elements |
WO2018038367A1 (ko) | 2016-08-26 | 2018-03-01 | 주식회사 하이딥 | 스트레인 게이지가 형성된 디스플레이 패널을 포함하는 터치 입력 장치 및 스트레인 게이지가 형성된 디스플레이 패널 제조 방법 |
CN106354328B (zh) | 2016-09-14 | 2023-11-14 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 压力感测模组、压力感测触控*** |
-
2015
- 2015-08-11 US US14/823,910 patent/US9612170B2/en active Active
-
2016
- 2016-06-15 DE DE112016003264.1T patent/DE112016003264T5/de active Pending
- 2016-06-15 JP JP2018502374A patent/JP2018529934A/ja active Pending
- 2016-06-15 KR KR1020187004960A patent/KR20180031028A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-06-15 WO PCT/US2016/037613 patent/WO2017014870A1/en active Application Filing
- 2016-06-15 CN CN201680042511.7A patent/CN107850499A/zh active Pending
- 2016-06-15 AU AU2016296116A patent/AU2016296116B2/en not_active Ceased
- 2016-07-21 CN CN201720244150.6U patent/CN207019619U/zh active Active
- 2016-07-21 CN CN201620774441.1U patent/CN205940446U/zh active Active
-
2017
- 2017-03-13 US US15/457,992 patent/US10139294B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5915285A (en) * | 1993-01-21 | 1999-06-22 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Transparent strain sensitive devices and method |
US20020097039A1 (en) * | 1999-12-17 | 2002-07-25 | Khuri-Yakub Butrus T. | Strain gauge and method |
US20090309172A1 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-17 | Florida State University Research Foundation | Sensor and a method of making a sensor |
CN101839703B (zh) * | 2008-11-28 | 2012-08-15 | 香港理工大学 | 应变传感器 |
CN103582807A (zh) * | 2011-06-07 | 2014-02-12 | 贾瓦哈拉尔尼赫鲁高级科学研究中心 | 从金属和碳基体制造应变敏感传感器和/或耐应变导管 |
CN103411712A (zh) * | 2013-07-18 | 2013-11-27 | 电子科技大学 | 接触应力传感器 |
CN104423714A (zh) * | 2013-09-09 | 2015-03-18 | 三星电子株式会社 | 电子设备的输入传感器 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112840126A (zh) * | 2018-10-08 | 2021-05-25 | 纬湃技术有限公司 | 用于识别泵的干运行的*** |
US12006939B2 (en) | 2018-10-08 | 2024-06-11 | Vitesco Technologies GmbH | System for detecting dry running of a pump |
CN113358012A (zh) * | 2020-03-06 | 2021-09-07 | 深圳普赢创新科技股份有限公司 | 电磁感应式坐标定位装置 |
CN113358012B (zh) * | 2020-03-06 | 2022-12-02 | 深圳普赢创新科技股份有限公司 | 电磁感应式坐标定位装置 |
CN111833747A (zh) * | 2020-07-09 | 2020-10-27 | 云谷(固安)科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及电子设备 |
CN111833747B (zh) * | 2020-07-09 | 2022-03-25 | 云谷(固安)科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017014870A1 (en) | 2017-01-26 |
JP2018529934A (ja) | 2018-10-11 |
DE112016003264T5 (de) | 2018-04-19 |
CN207019619U (zh) | 2018-02-16 |
AU2016296116B2 (en) | 2019-01-31 |
AU2016296116A1 (en) | 2018-03-08 |
US9612170B2 (en) | 2017-04-04 |
CN205940446U (zh) | 2017-02-08 |
KR20180031028A (ko) | 2018-03-27 |
US20170023420A1 (en) | 2017-01-26 |
US10139294B2 (en) | 2018-11-27 |
US20170191884A1 (en) | 2017-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107850499A (zh) | 电子设备中的透明应变传感器 | |
US9874965B2 (en) | Transparent strain sensors in an electronic device | |
US9886118B2 (en) | Transparent force sensitive structures in an electronic device | |
US20210325993A1 (en) | Electronic Device Having a Touch Sensor, Force Sensor, and Haptic Actuator in an Integrated Module | |
EP3172694B1 (en) | High-resolution electric field sensor in cover glass | |
KR102636735B1 (ko) | 표시장치 | |
WO2017045382A1 (zh) | 触摸屏及其压力触控检测方法 | |
US10558287B2 (en) | Pressure-sensitive display touch unit, touch screen, and manufacturing method thereof | |
TWM526124U (zh) | 壓力感應觸控面板 | |
KR101859713B1 (ko) | 사용자 인터페이스 제공을 위한 터치 입력 장치 및 방법 | |
WO2015070596A1 (zh) | 触控结构、液晶面板以及显示装置 | |
CN104541236A (zh) | 多点触摸感测装置 | |
CN103677385A (zh) | 触控面板及其制造方法 | |
CN107422930A (zh) | 触控基板和触摸屏 | |
CN105183223B (zh) | 一种显示屏制造方法及显示屏、用户设备 | |
TW201610800A (zh) | 具有z形電極圖型的電容式觸控感測器 | |
CN204833207U (zh) | 触控显示装置 | |
KR20180062832A (ko) | 사용자 인터페이스 제공을 위한 터치 입력 방법 및 장치 | |
CN203616743U (zh) | 触控结构 | |
CN106557211B (zh) | 一种三维触控总成 | |
US10146391B2 (en) | Transparent conductive oxide film for sensing deformation | |
KR101183060B1 (ko) | 서로 다른 2가지 이상의 저항 성분을 갖는 아이티오를 구비한 터치 패널 및 그 제조 방법 | |
KR20150134656A (ko) | 메쉬 타입 전극이 형성된 터치 센서 및 그 제조 방법 | |
CN109669570A (zh) | 一种显示屏及电子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20180327 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |