CN107716431B - 一种多晶片料清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种多晶片料清洗方法，针对碎片料中各种非硅杂质逐一去除，不仅可以有效去除多晶碎片料中含有的杂质以及表面附着的浆料，金属等，提升碎片料的清洗质量，使得多晶碎片料的质量达到高纯度硅料要求，同时可降低分选工人劳动强度，提高生产效率和经济效益。

Description

一种多晶片料清洗方法
技术领域
本发明涉及一种多晶片料清洗方法，应用于料理工序半自动岗位。
背景技术
多晶片料为多晶小方锭经过砂浆切割或者金刚线切割后形成的碎片，其碎片中含有大量非硅杂质（玻璃、胶条、钢线，螺丝等），表面还附着浆料、金属离子、氧化层，传统方法统一采取碱洗——漂洗——混酸中和——漂洗——烘干——分选——包装，通常这种方法清洗出来的碎片表面存在碱斑，水斑，以及玻璃、胶条、钢线，螺丝等非硅杂质，工人分选难度大，且难以全部分选出，碎片料质量无法达到高纯度要求，再回炉质量波动大。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种针对多晶碎片料中存在的非硅杂质逐一去除的清洗方法，以提高多晶片料纯度。
本发明具体采用如下技术方案：
第一步：碎片料经过磁辊式输送带除铁器吸出其中含有的铁磁性杂质；
第二步：经过采用电磁耦合平衡接收原理的有色金属过滤器，将碎片中的金属杂质去除；
第三步：使用800-850度高温煅烧，将碎片料中含胶物质分解成粉末状；
第四步：使用70%浓度以上的纯氢氟酸溶液浸泡碎片料24h-48h，将碎片料中玻璃溶解且去除碎片料表面氧化层；
第五步：使用99%纯度以上的氢氧化钠水溶液腐蚀碎片料，用量为每4kg氢氧化钠腐蚀碎片料30kg，去除碎片料表面附着的浆料、杂质等，腐蚀时间控制在3-4分钟；
第六步：使用氢氟酸和盐酸按重量比1:5比例中和的溶液对碎片料进行漂洗，然后进行烘干、分选、包装。
通过本发明对多晶碎片料清洗方法的改进，针对碎片料中各种非硅杂质逐一去除，不仅可以有效去除多晶碎片料中含有的杂质以及表面附着的浆料，金属等，提升碎片料的清洗质量，使得多晶碎片料的质量达到高纯度硅料要求，同时可降低分选工人劳动强度，提高生产效率和经济效益。
具体实施方式
实施例一
本发明的高纯度多晶片料清洗方法包括如下步骤：
第一步：碎片料经过磁辊式输送带除铁器吸出其中含有铁磁性杂质，磁辊的磁场强度为背景14000GS，梯度18000GS；
第二步：经过采用电磁耦合平衡接收原理的有色金属过滤器，将碎片中的金属杂质去除；
第三步：使用800度高温煅烧，将碎片料中含胶物质分解成粉末状；
第四步：使用70%浓度的纯氢氟酸溶液浸泡碎片料48h，将碎片料中玻璃溶解且去除表面氧化层；
第五步：使用99%纯度以上的氢氧化钠溶液腐蚀碎片料，用量为每4kg氢氧化钠腐蚀碎片料30kg，去除碎片料表面附着的浆料、杂质等，腐蚀时间控制在3-4分钟，理论上可以腐蚀硅表面2.5微微米。
第六步：使用氢氟酸和盐酸按重量比1:5比例中和的溶液对碎片料进行漂洗，然后进行烘干、分选、包装。
实施例二
本发明的高纯度多晶片料清洗方法包括如下步骤：
第一步：碎片料经过磁辊式输送带除铁器吸出其中含有铁磁性杂质，磁辊的磁场强度为背景14000GS，梯度18000GS；
第二步：经过采用电磁耦合平衡接收原理的有色金属过滤器，将碎片中的金属杂质去除；
第三步：使用825度高温煅烧，将碎片料中含胶物质分解成粉末状；
第四步：使用73%浓度的纯氢氟酸溶液浸泡碎片料36h，将碎片料中玻璃溶解且去除表面氧化层；
第五步：使用99%纯度以上的氢氧化钠溶液腐蚀碎片料，用量为每4kg氢氧化钠腐蚀碎片料30kg，去除碎片料表面附着的浆料、杂质等，腐蚀时间控制在3-4分钟，理论上可以腐蚀硅表面2.5微微米；
第六步：使用氢氟酸和盐酸按重量比1:5比例中和的溶液对碎片料进行漂洗，然后进行烘干、分选、包装。
实施例三
本发明的高纯度多晶片料清洗方法包括如下步骤：
第一步：碎片料经过磁辊式输送带除铁器吸出其中含有铁磁性杂质，磁辊的磁场强度为背景14000GS，梯度18000GS；
第二步：经过采用电磁耦合平衡接收原理的有色金属过滤器，将碎片中的金属杂质去除；
第三步：使用850度高温煅烧，将碎片料中含胶物质分解成粉末状；
第四步：使用75%浓度的纯氢氟酸溶液浸泡碎片料24h，将碎片料中玻璃溶解且去除表面氧化层；
第五步：使用99%纯度以上的氢氧化钠溶液腐蚀碎片料，用量为每4kg氢氧化钠腐蚀碎片料30kg，去除碎片料表面附着的浆料、杂质等，腐蚀时间控制在3-4分钟，理论上可以腐蚀硅表面2.5微微米。
第六步：使用氢氟酸和盐酸按重量比1:5比例中和的溶液对碎片料进行漂洗，然后进行烘干、分选、包装。

Claims (3)

1.一种多晶片料清洗方法，其特征在于包括如下步骤：
第一步：碎片料经过磁辊式输送带除铁器吸出其中含有的铁磁性杂质；
第二步：经过采用电磁耦合平衡接收原理的有色金属过滤器，将碎片中的金属杂质去除；
第三步：使用800-850度高温煅烧，将碎片料中含胶物质分解成粉末状；
第四步：使用70％浓度以上的纯氢氟酸溶液浸泡碎片料24h-48h，将碎片料中玻璃溶解且去除碎片料表面氧化层；
第五步：使用99％纯度以上的氢氧化钠水溶液腐蚀碎片料，用量为每4kg氢氧化钠腐蚀碎片料30kg，去除碎片料表面附着的浆料、杂质，腐蚀时间控制在3-4分钟；
第六步：使用氢氟酸和盐酸按重量比1:5比例中和的溶液对碎片料进行漂洗，然后进行烘干、分选、包装。
2.如权利要求1所述的多晶片料清洗方法，其特征在于第五步，硅表面腐蚀深度为2.5微微米。
3.如权利要求1所述的多晶片料清洗方法，其特征在于第一步，磁辊的磁场强度为背景14000GS，梯度18000GS。
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