CN107643849B

CN107643849B - 触控面板的制造方法

Info

Publication number: CN107643849B
Application number: CN201710928433.7A
Authority: CN
Inventors: 蔡缘蓁
Original assignee: Interface Optoelectronics Shenzhen Co Ltd; Interface Technology Chengdu Co Ltd; General Interface Solution Ltd
Current assignee: Interface Optoelectronics Shenzhen Co Ltd; Interface Technology Chengdu Co Ltd; General Interface Solution Ltd
Priority date: 2017-10-09
Filing date: 2017-10-09
Publication date: 2020-08-25
Anticipated expiration: 2037-10-09
Also published as: CN107643849A; TWI643111B; TW201915685A

Abstract

一种触控面板的制造方法，包含：(i)提供基板；(ii)形成图案化透明导电层，其包含第一部分以及第二部分；(iii)形成图案化遮罩层覆盖图案化透明导电层的第一部分，而图案化透明导电层第二部分未被覆盖而暴露出；(iv)利用电镀在图案化透明导电层的第二部分上形成奈米金属导线；以及(v)去除图案化遮罩层。藉由本发明的制造方法，能缩减边框线路的线宽，进而使边框区域变窄。

Description

触控面板的制造方法

技术领域

本发明是有关于一种触控面板的制造方法。

背景技术

一般触控面板的表面区域可大略分感测区及周边区。感测区为使用者触控操作的部分，周边区则位于感测区的周围。感测区中设置有感测电极，周边区则设置周边线路等组件。一般来说，为避免使用者在操作时直接看到周边区中对应设置的线路等组件，通常会使用遮光层或装饰层遮蔽周边区，因此触控面板呈现出黑色边框。

由于目前行动装置皆以微型化为目标，在产品设计上会希望边框能够越窄越好。传统触控面板边框线路的制造方法主要是以微影蚀刻制程形成周边线路，通常周边线路包含透明导电层及金属层。然而，微影制程因其工艺繁复，具有成本过高的缺点，且线路线宽将受到药液蚀刻选择比、光阻厚度及镀膜金属品质的限制。当线路线宽小于10μm时，线路有断线的风险，并导致不良率提升。

因此，如何缩短边框导电线路线宽，并维持良好的良率以达成行动装置微型化，是该技术领域重要的研究课题。

发明内容

本发明提供一种触控面板的制造方法，用以缩短触控面板的导电线路线宽，并具有更高的良率。

根据本发明之各种实施方式，是提供一种触控面板的制造方法，包含(i)提供基板；(ii)形成图案化透明导电层，其包含第一部分以及第二部分；(iii)形成图案化遮罩层覆盖图案化透明导电层的第一部分，而图案化透明导电层的第二部分未被覆盖而暴露出；(iv)利用电镀在图案化透明导电层的第二部分上形成纳米金属导线，以及(v)去除图案化遮罩层。

根据本发明之某些实施方式，图案化透明导电层的第二部分包含多个导线，且各导线的宽度为约2-8μm。

根据本发明之一或多个实施方式，纳米金属导线的宽度为约2-8μm。

根据本发明之某些实施方式，纳米金属导线的宽度大于图案化透明导电层的第二部分的各导线的宽度。

根据本发明之某些实施方式，纳米金属导线的宽度与图案化透明导电层的第二部分的各导线的宽度之差为约0.06μm至约0.18μm。

根据本发明之某些实施方式，纳米金属导线是以纳米金属线或纳米金属颗粒堆叠而成。

根据本发明之某些实施方式，纳米金属线之线径以及纳米金属颗粒之粒径为约0.03μm至约0.18μm。

根据本发明之某些实施方式，利用电镀在图案化透明导电层的第二部分上形成纳米金属导线的操作包含施加电压至图案化透明导电层的第一部分及第二部分。

根据本发明之某些实施方式，纳米金属导线之穿透率为约30至85％。

根据本发明之某些实施方式，纳米金属导线包含金、银或铜。

根据本发明之某些实施方式，利用电镀在图案化透明导电层的第二部分上形成纳米金属导线的操作包含：(i)提供电解液，包含界面活性剂；(ii)提供参考电极，且参考电极接触电解液；(iii)使图案化透明导电层的第二部分接触电解液；以及(iv)在参考电极与图案化透明导电层的第二部分之间提供电位差。

根据本发明之某些施方式，界面活性剂包含溴化十六烷基三甲铵(hexadecyltrimethyl ammonium bromide,CTAB)、油酸及油胺。

根据本发明之另外某些实施方式，是提供一种触控面板的制造方法，包含(i)提供基板，具有周边区以及感测区，周边区紧邻基板之边缘，感测区毗邻周边区；(ii)形成图案化透明导电层于基板上，图案化透明导电层包含至少一感测电极以及至少一周边导线，且感测电极及周边导线分别位于感测区及周边区中；(iii)形成图案化遮罩层覆盖感测电极，周边导线未被图案化遮罩层覆盖而暴露出；(iv)利用电镀在周边导线上形成纳米金属导线，纳米金属导线对准周边导线，以及(v)去除图案化遮罩层。

附图说明

图1为根据本发明之某些实施方式绘示的触控面板的制造方法流程图。

图2-图6为根据本发明之某些实施方式绘示的触控面板的制程各步骤的剖面图。

图7为根据本发明之某些实施方式绘示的电镀装置示意图。

附图标记：

10:方法

11、12、13、14、15:操作

100:触控面板

110:基板

110a:感测区

110b:周边区

110c:边缘

120:图案化透明导电层

120a:第一部分

120b:第二部分

122:感测电极

124:周边导线

130:图案化遮罩层

140:纳米金属导线

200:电镀装置

210:参考电极

220:工作电极

230:相对电极

240:电解液

D1、D2:宽度

具体实施方式

以下将以图式揭露本发明之复数个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图示起见，一些习知惯用的结构与组件在图标中将以简单示意的方式绘示之。

图1绘示本发明各种实施方式之制造触控面板的方法10的流程图。如图1所示，方法10包含操作11、操作12、操作13、操作14及操作15。图2-图6绘示本发明某些实施方式之方法10在各制程阶段的剖面图。

请参照图1及图2，在操作11中，提供基板110。根据本发明某些实施方式，基板110具有感测区110a以及周边区110b，周边区110b紧邻基板110之边缘110c，感测区110a毗邻周边区110b。基板110可为可挠性基板或刚性基板，可挠性基板例如为聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate,PET)基板或聚酰亚胺(Polyimide,PI)基板，但并不限于此。硬性基板可为例如玻璃基板。

请参照图1及图3，在操作12中，形成图案化透明导电层120于基板110上，其中图案化透明导电层120包含第一部分120a以及第二部分120b。根据本发明某些实施方式，图案化透明导电层120的第二部分120b包含多个导线，且各导线的宽度D1为约2-8μm，例如为约3、5或7μm。在本发明某些实施方式中，图案化透明导电层120的第一部分120a包含多个感测电极122，图案化透明导电层120的第二部分120b包含多条周边导线124，感测电极122及周边导线124分别位于感测区110a及周边区110b中。

根据本发明某些实施方式，图案化透明导电层120之材料可以为氧化铟锡(IndiumTin Oxide,ITO)。应了解到，以上所举之图案化透明导电层120的材料仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，选择合适的材料。根据本发明某些实施方式，图案化透明导电层120可藉由沉积、微影及蚀刻制程形成，但并不限于此。沉积制程包含电浆化学气相沈积法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,PECVD)、物理气相沉积法(physical vapor deposition,PVD)、溅镀或是其他合适的沉积制程。在其他实施方式中，图案化透明导电层120可藉由其他合适的制程形成，例如:网印、旋转涂布、喷墨等。

根据本发明某些实施方式，可于形成图案化透明导电层120之前进行老化处理，使基板110预收缩，从而降低后续加工过程中的变形。

请参照图1及图4，在操作13中，形成图案化遮罩层130覆盖图案化透明导电层的第一部分120a，图案化透明导电层的第二部分120b未被图案化遮罩层130覆盖而暴露出。在某些实施方式中，所形成的图案化遮罩层130覆盖感测电极122，周边导线124未被图案化遮罩层130覆盖而暴露出。根据本发明某些实施例，图案化遮罩层130可例如为光阻，可由任何合适的制程形成，例如藉由涂布、干燥、曝光及显影而形成。在其他实施例中，图案化遮罩层130例如为高分子层，并藉由网印制程而形成。

请参照图1及图5，在操作14中，利用电镀在图案化透明导电层120的第二部分120b上形成纳米金属导线140。在某些实施方式中，利用电镀在周边导线124上形成纳米金属导线140，纳米金属导线140对准周边导线124。

图7绘示本发明之一实施方式的电镀装置200的示意图。根据本发明某些实施方式，电镀装置200包含参考电极210、工作电极220、相对电极230以及电解液240。根据本发明某些实施方式，操作14还包含以下步骤：(i)提供电解液240，其包含界面活性剂(未于图上示出)，(ii)提供参考电极210，且参考电极210接触电解液240，(iii)以具有图案化透明导电层120于其上的基板110为工作电极220，并使工作电极220接触电解液240，以及(iv)在参考电极210与工作电极220之间提供电位差。在某些实施方式中，界面活性剂包含溴化十六烷基三甲铵(hexadecyl trimethyl ammonium bromide,CTAB)、油酸及油胺。在某些实施方式中，操作14包含使电流通过相对电极230而释放电子，电解液中的金属离子则在工作电极220接受电子，并沉积于工作电极220上之周边导线124表面。在某些实施方式中，感测电极122被图案化遮罩层130覆盖，并未接触电解液240，因此感测电极122上并不会形成电镀层。

根据本发明某些实施例，电镀时间为约10-30秒，例如14、20或25秒。在某些实施例中，通过电极的电流为约0.1-50mA，例如为0.5、1、5、10、25、30或45mA。在某些实施例中，电解液浓度为约0.005-0.5mol/L，例如0.02、0.05或0.1mol/L。在某些实施例中，电解液包含硝酸银(AgNO3)溶液、四氯金酸(HAuCl4.3H2O)溶液以及(hfac)Cu(PMe3)溶液，但并不限于此，在其他实施例中，可视实际需要，选择合适的溶液作为电解液。在某些实施例中，参考电极及相对电极为铂丝(Pt)，但并不限于此，在其他实施例中，可视实际需要，选择合适的材料。

根据本发明某些实施方式，纳米金属导线140的宽度为约2-8μm，例如为约4、6或7μm。在某些实施方式中，纳米金属导线140的宽度D2大于图案化透明导电层120的第二部分120b的各导线(周边导线124)的宽度D1。根据本发明某些实施方式，纳米金属导线140的宽度D2与图案化透明导电层120的第二部分120b的各导线(周边导线124)的宽度D1之差为约0.06μm至约0.18μm，例如为约0.1、0.12或0.15μm。

根据本发明某些实施方式，纳米金属导线140是以纳米金属线(未于图上示出)或纳米金属颗粒(未于图上示出)堆叠而成。在某些实施方式中，纳米金属线之线径以及纳米金属颗粒之粒径为约0.03μm至约0.18μm，例如为约0.05、0.1、0.12或0.15μm。根据本发明某些实施方式，纳米金属导线140在可见光波长范围的平均穿透率为约30至约85％，例如为40％、50％、60％或70％。因此，所形成的纳米金属导线140可为透明的导线。在某些实施方式中，可藉由纳米金属线或纳米金属球间密度分布不同控制纳米金属导线140之穿透率。具体的说，可藉由电镀时间控制纳米金属线或纳米金属球的覆盖面积及厚度，从而形成不同穿透率的纳米金属导线140。

根据本发明某些实施方式，纳米金属导线140之材料包含金、银或铜。应了解到，以上所举之纳米金属导线140之材料仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具通常知识者，应视实际需要，弹性选择纳米金属导线140之材料。

请参照图1及图6，在操作15中，去除图案化遮罩层130，形成具有纳米金属导线140的触控面板100。

如上所述，根据本发明的实施方式，以电镀使金属纳米枝晶选择性沉积于图案化透明导电层上，形成纳米金属导线。此方法与传统微影制程相比，由于不受药液蚀刻选择比的影响，可将边框线路中金属层与透明导电层的宽度之差由约4-6μm大幅缩减为约0.06-0.18μm，且边框线路的线宽能够变窄，进而使边框区域变窄，达成行动装置微型化的目标。

虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明之精神和范围内，当可作为各种之更动与润饰，因此本发明之保护范围当视后附之申请专利范围所界定者为准。

Claims

1.一种触控面板的制造方法，其特征在于，包含:

提供一基板；

形成一图案化透明导电层于该基板上，其中该图案化透明导电层包含一第一部分以及一第二部分，该第二部分包含多个导线，且各该导线具有一宽度；

形成一图案化遮罩层覆盖该第一部分，其中该第二部分未被该图案化遮罩层覆盖而暴露出；

利用电镀在该图案化透明导电层的该第二部分上形成一纳米金属导线，其中该纳米金属导线的一宽度大于该图案化透明导电层的该第二部分的各该导线的该宽度；以及

去除该图案化遮罩层。

2.如权利要求1所述之触控面板的制造方法，其特征在于，其中该图案化透明导电层的该第二部分的各该导线的该宽度系2-8μm。

3.如权利要求2所述之触控面板的制造方法，其特征在于，其中该纳米金属导线的该宽度与该图案化透明导电层的该第二部分的各该导线的该宽度之差系0.06μm至0.18μm。

4.如权利要求1所述之触控面板的制造方法，其特征在于，其中该纳米金属导线的一宽度系2-8μm。

5.如权利要求1所述之触控面板的制造方法，其特征在于，其中该纳米金属导线系以纳米金属线或纳米金属颗粒堆叠而成。

6.如权利要求5所述之触控面板的制造方法，其特征在于，其中该纳米金属线之线径以及该纳米金属颗粒之粒径为0.03μm至0.18μm。

7.如权利要求1所述之触控面板的制造方法，其特征在于，其中利用电镀在该图案化透明导电层的该第二部分上形成该纳米金属导线的操作包含施加电压至该图案化透明导电层的该第一部分及该第二部分。

8.如权利要求7所述之触控面板的制造方法，其特征在于，其中该纳米金属导线之穿透率系30至85％。

9.如权利要求1所述之触控面板的制造方法，其特征在于，其中该纳米金属导线包含金、银或铜。

10.如权利要求1所述之触控面板的制造方法，其特征在于，其中利用电镀在该图案化透明导电层的该第二部分上形成该纳米金属导线的操作包含：

提供一电解液，该电解液包含一界面活性剂；

提供一参考电极，且该参考电极接触该电解液；

使该图案化透明导电层的该第二部分接触该电解液；以及

在该参考电极与该第二部分之间提供一电位差。

11.如权利要求10所述之触控面板的制造方法，其特征在于，其中该界面活性剂系包含溴化十六烷基三甲铵、油酸及油胺。

12.一种触控面板的制造方法，其特征在于，包含:

提供一基板，该基板具有一周边区以及一感测区，该周边区紧邻该基板之一边缘，感测区毗邻该周边区；

形成一图案化透明导电层于该基板上，其中该图案化透明导电层包含至少一感测电极以及至少一周边导线，该感测电极及该周边导线分别位于该感测区及该周边区中；

形成一图案化遮罩层覆盖该感测电极，其中该周边导线未被该图案化遮罩层覆盖而暴露出；

利用电镀在该周边导线上形成一纳米金属导线，其中该纳米金属导线对准该周边导线；以及

去除该图案化遮罩层。