CN103777793A - 触控面板及其制备方法 - Google Patents

触控面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103777793A
CN103777793A CN201210393725.2A CN201210393725A CN103777793A CN 103777793 A CN103777793 A CN 103777793A CN 201210393725 A CN201210393725 A CN 201210393725A CN 103777793 A CN103777793 A CN 103777793A
Authority
CN
China
Prior art keywords
protective seam
development
electrode layer
perforate
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201210393725.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103777793B (zh
Inventor
刘振宇
龚立伟
林熙乾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TPK Touch Solutions Inc
Original Assignee
TPK Touch Solutions Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TPK Touch Solutions Inc filed Critical TPK Touch Solutions Inc
Priority to CN201210393725.2A priority Critical patent/CN103777793B/zh
Priority to TW102204413U priority patent/TWM457922U/zh
Priority to TW102108425A priority patent/TWI492116B/zh
Priority to TW102136685A priority patent/TWI492124B/zh
Priority to US14/053,605 priority patent/US9760164B2/en
Priority to JP2013216279A priority patent/JP5826809B2/ja
Publication of CN103777793A publication Critical patent/CN103777793A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103777793B publication Critical patent/CN103777793B/zh
Priority to US15/672,268 priority patent/US10203750B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/047—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using sets of wires, e.g. crossed wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种触控面板及其制备方法，该触控面板包括：一基板；一纳米银丝电极层，设置于该基板上，该纳米银丝电极层包括导接区域和非导接区域；一第一保护层，设置于该纳米银丝电极层上，且该第一保护层具有一导接孔，该导接孔对应于该导接区域；一第二保护层，设置于该第一保护层上，且该第二保护层具有一开孔，该开孔对应于该导接孔的位置；以及一导接线，设置于该第二保护层上，且该导接线通过该开孔及该导接孔连接该导接区域的纳米银丝电极层。采用本发明的触控面板，本避免单一保护过厚时蚀刻液无法渗透，以及过薄时纳米银丝层易被氧化和在基板上附着力差的问题，而且在采用不完全蚀刻的工艺时，可避免仅有第一保护层时，在保护层周边形成导接线连接纳米银丝电极层可能存在的短路问题。

Description

触控面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及触控面板及其制备方法。
背景技术
传统的触控面板的感测电极材料较多的采用氧化铟锡(ITO)。近来由于铟矿的来源取得不易以及铟元素的日渐枯竭，使用不同的透明电极来取代氧化铟锡(ITO)成为一个热门的课题。其中使用纳米银丝SNW(Silver Nano-Wire)取代ITO为目前一种可行性的方案。然而，相较于ITO，SNW较易被氧化且SNW在玻璃或PET基板上附着力低，后续加工会存在良率问题。因此，如图1所示，在基板100形成纳米银丝层110之后，会再涂布另外一层保护层120覆盖纳米银丝层110，保护层120可隔绝部分空气，进而提高纳米银丝层110的抗氧化能力。分散于基板100上的纳米银丝层110自身具有一定疏密度，保护层120可通过纳米银丝层110自身的间隙与基板100接触，进而可通过保护层120与基板110较佳的附着力来提高纳米银丝层120在基板110上的附着力。
然而，保护层太厚或太薄，均存在设计上的缺陷：
如果保护层过厚：
在纳米银丝层形成电极图形时，蚀刻工艺中蚀刻液较难渗透保护层对SNW进行蚀刻。
如果保护层太薄：
纳米银丝层的抗氧化能力下降，而且保护层与基板的接合效果亦将减弱，进而导致纳米银丝层在基板上的附着力下降，因此会影响制造后产品的良率。
发明内容
本发明的所要解决的技术问题在于提供一种触控面板及其制备方法，以解决现有技术中单一保护层太厚和太薄存在的问题。
本发明提供一种触控面板，该触控面板包括：一基板；一纳米银丝电极层，设置于该基板上，该纳米银丝电极层包括导接区域和非导接区域；一第一保护层，设置于该纳米银丝电极层上，且该第一保护层具有一导接孔，该导接孔对应于该导接区域；一第二保护层，设置于该第一保护层上，且该第二保护层具有一开孔，该开孔对应于该导接孔的位置；以及一导接线，设置于该第二保护层上，且该导接线通过该开孔及该导接孔连接该导接区域的纳米银丝电极层。
其中，该第一保护层的厚度为50nm至500nm。
其中，该第二保护层的厚度为0.2μm至5μm。
其中，该第一保护层的材料为可透视的绝缘材料。
其中，该第二保护层的材料为可透视的绝缘材料。
其中，该导接线采用银、铝、铜、钼铝钼合金、氧化铟锡（ITO），或上述各材料的组合。
其中，该导接孔不贯穿该第一保护层。
其中，该纳米银丝电极层包含多条条状的电极。
其中，该纳米银丝电极层包含多个沿第一方向排列的第一电极块，多条电性连接相邻第一电极块的第一连接线，以及多个沿第二方向排列的第二电极块，且各第二电极块分别设置于第一连接线两侧，且各第二电极块上的第一保护层420和第二保护层分别形成有导接孔和与导接孔对应的开孔；所述第二保护层上设置有多条第二连接线，各第二连接线通过设置于第二电极块上的导接孔和开孔，电性连接相邻的第二电极块。
其中，所述第二连接线的材料采用银、铝、铜、钼铝钼合金、氧化铟锡（ITO），或上述各材料之组合。
本发明同时提供一种触控面板的制备方法，包括：步骤1：提供一基板；步骤2：于该基板上形成纳米银丝层；步骤3：于该纳米银丝层上形成一第一保护层；步骤4：对该纳米银丝层进行处理形成纳米银丝电极层，该纳米银丝电极层包括导接区域和非导接区域；步骤5：于该第一保护层上形成一具有一开孔的第二保护层，且该开孔对应于该导接区域；步骤6：于该开孔对应处的第一保护层形成一导接孔；步骤7：于该第二保护层上形成导接线，且该导接线通过该开孔和该导接孔电性连接该导接区域的纳米银丝电极层。
其中，该第一保护层的厚度为50nm至500nm。
其中，该第二保护层的厚度为0.2μm至5μm。
其中，形成该具有一开孔的第二保护层采用印刷涂布的工艺或微影蚀刻的工艺。
其中，该第一保护层上形成该导接孔采用电浆蚀刻的工艺。
其中，该步骤6可采用完全蚀刻的工艺或不完全蚀刻的工艺。
本发明通过在第一保护层上设置第二保护层，第一保护层可以减薄，蚀刻工艺中蚀刻液容易渗透保护层对纳米银丝层进行蚀刻。同时，之后形成的导接线易于与下方的纳米银丝电极层连接。第二保护层提高了纳米银丝电极层在基板上的抗氧化能力以及附着力。另外，当采用不完全蚀刻的工艺时，由于第一保护层上额外设置了第二保护层，则保护层整体不至很薄，可避免仅有第一保护层时，在保护层周边形成导接线连接纳米银丝电极层时可能存在的短路问题。
附图说明
图1为现有技术纳米银丝层上一层保护层的示意图；
图2为本发明触控面板制备方法的工艺步骤图；
图3a至图3g为对应于图2工艺步骤图各步骤的触控面板示意图；
图4为完全蚀刻与不完全蚀刻工艺的示意图；
图5a为本发明一触控面板的示意图，图5b为沿图5aA-A’方向的剖面图；
图6a为本发明一纳米银丝电极层的示意图，图6b为采用图6a纳米银丝电极层的触控面板的剖面图；
其中，附图标记：
100、200、300、400基板
110、210a纳米银丝层
210b、310b、410b纳米银丝电极层
120、220、320、420第一保护层
230、330、430、第二保护层
240、340、440开孔
250、350、450导接孔
260、360、460导接线
411、第一电极块  412、第一连接线
413、第二电极块  470、第二连接线
M1、导接区域  M2、非导接区域
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。以下文中的方位“上”及“下”仅是用来表示各元件相对的位置关系，并不用以限定本发明的保护范围。
请参考图2，图2为本发明触控面板的制备方法的工艺步骤图，本发明触控面板的制备方法包括：
步骤1：提供一基板；请参照图3a，提供一基板200，基板200采用可透视的材料，可以是玻璃基板或者聚对苯二甲酸类塑料（Polyethyleneterephthalate，PET）基板。基板200的表面可为平面或者曲面。
步骤2：于该基板上形成纳米银丝层；请参照图3b，于基板200上形成一整层的纳米银丝层210a。形成纳米银丝层210a可采用沉积、溅射等工艺。
步骤3：于该纳米银丝层上形成一第一保护层；请参照图3c,于纳米银丝层210a上形成第一保护层220。第一保护层的厚度为50nm至500nm，在此厚度范围内，蚀刻液可渗透保护层对纳米银丝层进行蚀刻。第一保护层220采用可透视的绝缘材料，如二氧化硅。
步骤4：对该纳米银丝层进行处理形成纳米银丝电极层。请同时参考图3d和图4，纳米银丝层210a进行处理，形成纳米银丝电极层210b。在一实施例中，纳米银丝电极层210b可为图4中的条状电极结构。纳米银丝电极层210b亦可采用其它电极结构。如图4所示，在一实施例中，对纳米银丝层210a可采用完全蚀刻的工艺A。在另一实施例中，对纳米银丝层210a可采用不完全蚀刻的工艺B,即在蚀刻过程中，可不蚀刻掉非电极结构区域的所有纳米银丝，仅将该区域蚀刻成与电极结构区域电性隔离的区域。相较于完全蚀刻的工艺A，采用非完全蚀刻的工艺B，经蚀刻后，蚀刻区的电极与非蚀刻区的电极色差较小，即产品结构会有较好的外观效果。纳米银丝电极层210b上需与外界导接以传递电信号的区域为导接区域M1。
步骤5：于该第一保护层上形成一具有一开孔的第二保护层，该开孔对应于该导接区域；请参考图3e，在第一保护层220上形成一第二保护层230，其中第二保护层230对应于导接区域M1具有一开孔240。形成具开孔的第二保护层230可采用印刷涂布的工艺或微影蚀刻的工艺。该第二保护层230采用可透视的绝缘材料，如二氧化硅、环氧树脂、压克力聚合物等，或前述各材料之组合。第二保护层230的厚度为0.2μm至5μm。
步骤6：于该开孔对应处的第一保护层形成一导接孔。请参考图3f，对第一保护层220进行处理，形成一导接孔250，该导接孔250对应于开孔240的位置。在第一保护层220上形成该导接孔250可采用电浆蚀刻的工艺。
步骤7：形成导接线连接该导接区域的电极。请参考图3g，形成一导接线260，该导接线260通过开孔240和导接孔250电性连接导接区域M1的纳米银丝电极层210b。
需说明的是，导接孔250可不贯穿第一保护层220，即第一保护层220减薄至可导通导接线260与导接区域M1的纳米银丝电极层210b即可。导接线260可采用银、铝、铜等金属材料，或钼铝钼等合金材料、或氧化铟锡（ITO）等可透视的导电材料、或上述各材料之组合。
如图3g所示，采用本发明的制备方法，形成的触控面板，包括：一基板200；一纳米银丝电极层210b，设置于该基板200上，该纳米银丝电极层210b上需与外界导接一传递电信号的区域为导接区域M1；一第一保护层220，设置于该纳米银电极层210b上，且该第一保护层220具有一导接孔250，对应于该导接区域M1；一第二保护层230，设置于该第一保护层220上，且该第二保护层具有一开孔240，该开孔240对应于该导接孔250的位置；以及一导接线260，设置于该第二保护层上，且该导接线260通过该开孔240及该导接孔250电性连接该导接区域M1的纳米银丝电极层210b。在本实施例中，纳米银丝电极层包含多条条状的电极。
其中，该基板200采用可透视的材料，如玻璃基板或者聚对苯二甲酸类塑料（Polyethylene terephthalate，PET）。基板200的表面可为平面或者曲面。
其中，该第一保护层220的厚度为50nm至500nm。
其中，该第二保护层230的厚度为0.2μm（微米）至5μm。
其中，该第一保护层220的材料为可透视的绝缘材料，如二氧化硅。
其中，该第二保护层230的材料为可透视的绝缘材料，如二氧化硅或环氧树脂、压克力聚合物等。
其中，该第一保护层220或第二保护层230的厚度可依不同的材料进行选择。
其中，导接线260可采用银、铝、铜等金属材料，或钼铝钼等合金材料、或氧化铟锡（ITO）等可透视的导电材料、或上述各材料之组合。
如图5a和图5b所示，图5a绘示了本发明触控面板的一实施例，图5b为沿图5a A-A’方向的剖面图。在本实施例中，纳米银丝电极层310b包含多条条状的电极结构，且各条状电极两侧都连接有导接线360，导接线360会聚一接合区S。会聚至接合区S的导接线360另一端通过接合一软性电路板连接至一控制器上（图未示），并借由该控制器处理由导接线所传递的感测信号。在另一实施例中，导接线360可仅接至条状电极的一侧。在另一实施例中，接合区S的数目可为多个，即可依具体的纳米银丝电极层310b作调整。在各条状电极两侧都连接有导接线360，当触控面板的尺寸较大时，两侧的导接线360通过在软性电路板连接形成一封闭回路，可降低感测信号因受阻值影响而产生信号之衰减，以提升触控面板的感测灵敏度。本实施例触控面板的其它特性与前述实施例相同，此处不再赘述。
如图6a和图6b所示，图6a绘示了本发明另一纳米银丝电极层的图示，图6b为对应于该纳米银丝电极层B－B’方向的触控面板的剖面图。如图6a所示，纳米银丝电极层410b包含多个沿第一方向排列的第一电极块411，多条电性连接相邻第一电极块的第一连接线412，以及多个沿第二方向排列的第二电极块413，且各第二电极块413分别设置于第一连接线412两侧。较佳者，第一方向与第二方向垂直。如图6b所示，采用纳米银丝电极层410b的触控面板，与前一实施例的不同点在于，各第二电极块413上的第一保护层420和第二保护层430分别形成有导接孔450和对应于导接孔450的开孔440。本实施例的触控面板第二保护层430上，除了设置有导接线460，更设置有多条第二连接线470，各第二连接线470通过设置于各第二电极块413上的导接孔450和开孔440，电性连接相邻的第二电极块413。第二连接线470可采用银、铝、铜等金属材料，或钼铝钼等合金材料、或氧化铟锡（ITO）等可透视的导电材料、或上述各材料之组合。在一实施例中，导接线460与第二连接线470采用相同的材料，两者可在同一步骤中形成。本实施例的触控面板其它特性与前述实施例相同，此处不再赘述。
本发明的效果：
1）本发明通过在第一保护层上设置第二保护层，第一保护层可以减薄，蚀刻工艺中蚀刻液容易渗透保护层对纳米银丝层进行蚀刻。同时，之后形成的导接线易于与下方的纳米银丝电极层连接。
2)本发明于第一保护层上再设置第二保护层，起到了保护效果，提高了纳米银丝层在基板上的附着力及抗氧化能力。
3）当采用不完全蚀刻的工艺时，由于第一保护层上额外设置了第二保护层，则保护层整体不至很薄，可避免仅有第一保护层时，在保护层周边形成导接线连接纳米银丝电极层可能存在的短路问题。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (16)

1.一种触控面板，其特征在于，包括：
一基板；
一纳米银丝电极层，设置于该基板上，该纳米银丝电极层包括导接区域；
一第一保护层，设置于该纳米银丝电极层上，且该第一保护层具有一导接孔，该导接孔对应于该导接区域；
一第二保护层，设置于该第一保护层上，且该第二保护层具有一开孔，该开孔对应于该导接孔的位置；以及
一导接线，设置于该第二保护层上，且该导接线通过该开孔及该导接孔连接该导接区域的纳米银丝电极层。
2.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该第一保护层的厚度为50nm至500nm。
3.根据权利要求1所述的电触控面板，其特征在于，该第二保护层的厚度为0.2μm至5μm。
4.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该第一保护层的材料为可透视的绝缘材料。
5.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该第二保护层的材料为可透视的绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该导接线采用银、铝、铜、钼铝钼合金、氧化铟锡（ITO），或上述各材料的组合。
7.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该导接孔不贯穿该第一保护层。
8.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该纳米银丝电极层包含多条条状的电极。
9.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该纳米银丝电极层包含多个沿第一方向排列的第一电极块，多条电性连接相邻第一电极块的第一连接线，以及多个沿第二方向排列的第二电极块，且各第二电极块分别设置于第一连接线两侧，且各第二电极块上的第一保护层420和第二保护层分别形成有导接孔和与导接孔对应的开孔；所述第二保护层上设置有多条第二连接线，各第二连接线通过设置于第二电极块上的导接孔和开孔，电性连接相邻的第二电极块。
10.根据权利要求9所述的触控面板，其特征在于，所述第二连接线的材料采用银、铝、铜、钼铝钼合金、氧化铟锡（ITO），或上述各材料之组合。
11.一种触控面板的制备方法，其特征在于，包括：
步骤1：提供一基板；
步骤2：于该基板上形成纳米银丝层；
步骤3：于该纳米银丝层上形成一第一保护层；
步骤4：对该纳米银丝层进行处理形成纳米银丝电极层，该纳米银丝电极层包括导接区域；
步骤5：于该第一保护层上形成一具有一开孔的第二保护层，且该开孔对应于该导接区域；
步骤6：于该开孔对应处的第一保护层形成一导接孔；
步骤7：于该第二保护层上形成导接线，且该导接线通过该开孔和该导接孔电性连接该导接区域的纳米银丝电极层。
12.根据权利要求11所述的触控面板的制备方法，其特征在于，该第一保护层的厚度为50nm至500nm。
13.根据权利要求11所述的触控面板的制备方法，其特征在于，该第二保护层的厚度为0.2μm至5μm。
14.根据权利要求11所述的触控面板的制备方法，其特征在于，形成该具有一开孔的第二保护层采用印刷涂布的工艺或微影蚀刻的工艺。
15.根据权利要求11所述的触控面板的制备方法，其特征在于，该第一保护层上形成该导接孔采用电浆蚀刻的工艺。
16.根据权利要求11所述的触控面板的制备方法，其特征在于，该步骤6可采用完全蚀刻的工艺或不完全蚀刻的工艺。
CN201210393725.2A 2012-10-17 2012-10-17 触控面板及其制备方法 Active CN103777793B (zh)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210393725.2A CN103777793B (zh) 2012-10-17 2012-10-17 触控面板及其制备方法
TW102204413U TWM457922U (zh) 2012-10-17 2013-03-11 觸控面板
TW102108425A TWI492116B (zh) 2012-10-17 2013-03-11 觸控面板及其製備方法
TW102136685A TWI492124B (zh) 2012-10-17 2013-10-11 觸控面板及其製備方法
US14/053,605 US9760164B2 (en) 2012-10-17 2013-10-15 Touch panel and a manufacturing method thereof
JP2013216279A JP5826809B2 (ja) 2012-10-17 2013-10-17 タッチパネル及び製造方法
US15/672,268 US10203750B2 (en) 2012-10-17 2017-08-08 Touch panel and a manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210393725.2A CN103777793B (zh) 2012-10-17 2012-10-17 触控面板及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103777793A true CN103777793A (zh) 2014-05-07
CN103777793B CN103777793B (zh) 2017-05-31

Family

ID=49228417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210393725.2A Active CN103777793B (zh) 2012-10-17 2012-10-17 触控面板及其制备方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9760164B2 (zh)
JP (1) JP5826809B2 (zh)
CN (1) CN103777793B (zh)
TW (3) TWI492116B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106155403A (zh) * 2015-04-27 2016-11-23 南昌欧菲光显示技术有限公司 触控元件
CN107643849A (zh) * 2017-10-09 2018-01-30 业成科技（成都）有限公司 触控面板的制造方法
CN110162220A (zh) * 2019-05-28 2019-08-23 业成科技（成都）有限公司 触控装置及其制作方法
CN110333793A (zh) * 2019-05-09 2019-10-15 业成科技（成都）有限公司 可挠触控结构
CN111506216A (zh) * 2020-04-08 2020-08-07 Tcl华星光电技术有限公司 触控面板以及显示装置
CN113272966A (zh) * 2019-01-25 2021-08-17 深圳市柔宇科技股份有限公司 柔性触摸传感器电极及其制造方法
CN113383398A (zh) * 2018-12-27 2021-09-10 英属维京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 银纳米线透明导电薄膜

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103777793B (zh) * 2012-10-17 2017-05-31 宸鸿光电科技股份有限公司 触控面板及其制备方法
CN105975126A (zh) * 2013-09-29 2016-09-28 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板及其制作方法
US20150204490A1 (en) * 2014-01-18 2015-07-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Printed led layer with diffusing dielectric and conductor layers
TWM505004U (zh) * 2014-04-14 2015-07-11 Ind Tech Res Inst 觸控面板
US10411078B2 (en) 2014-04-14 2019-09-10 Industrial Technology Research Institute Sensing display apparatus
CN104091761B (zh) * 2014-06-30 2017-02-08 京东方科技集团股份有限公司 一种图案化薄膜的制备方法、显示基板及显示装置
US9891769B2 (en) 2014-11-25 2018-02-13 Lg Innotek Co., Ltd. Touch window
KR102367248B1 (ko) * 2015-05-12 2022-02-25 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널
KR102555869B1 (ko) 2015-08-06 2023-07-13 삼성전자주식회사 도전체 및 그 제조 방법
US20170068359A1 (en) * 2015-09-08 2017-03-09 Apple Inc. Encapsulated Metal Nanowires
CN105425996B (zh) * 2015-11-11 2018-04-24 业成光电（深圳）有限公司 触控面板及其边框线路的制造方法
CN112346602A (zh) * 2019-08-08 2021-02-09 英属维尔京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 触控面板及其制作方法
CN115016663A (zh) * 2021-03-05 2022-09-06 天材创新材料科技(厦门)有限公司 叠构结构及触控感应器
US11494040B2 (en) 2021-04-08 2022-11-08 Cambrios Film Solutions Corporation Stacking structure and touch sensor using same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102081486A (zh) * 2010-12-21 2011-06-01 东南大学 一种电容式触摸感应器
KR20120082311A (ko) * 2011-01-13 2012-07-23 엘지이노텍 주식회사 터치 패널
CN202422049U (zh) * 2011-09-21 2012-09-05 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板结构
CN202838266U (zh) * 2012-10-17 2013-03-27 宸鸿光电科技股份有限公司 触控面板

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5942768A (en) * 1994-10-07 1999-08-24 Semionductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having improved crystal orientation
JP2001291844A (ja) * 2000-04-06 2001-10-19 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7416993B2 (en) * 2003-09-08 2008-08-26 Nantero, Inc. Patterned nanowire articles on a substrate and methods of making the same
WO2005041311A1 (en) * 2003-10-28 2005-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same, and liquid crystal television reciever
SG10201502808UA (en) * 2006-10-12 2015-05-28 Cambrios Technologies Corp Nanowire-Based Transparent Conductors And Applications Thereof
US8018568B2 (en) * 2006-10-12 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
KR101058461B1 (ko) * 2007-10-17 2011-08-24 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법
WO2010013679A1 (ja) * 2008-07-31 2010-02-04 グンゼ株式会社 面状体及びタッチスイッチ
JP2011022659A (ja) * 2009-07-13 2011-02-03 Shin Etsu Polymer Co Ltd 静電容量型入力装置
KR101811068B1 (ko) * 2009-12-28 2017-12-20 도레이 카부시키가이샤 도전 적층체 및 그것을 이용하여 이루어지는 터치 패널
KR101726623B1 (ko) * 2010-03-16 2017-04-14 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널
JP2012033466A (ja) * 2010-07-02 2012-02-16 Fujifilm Corp 導電層転写材料、及びタッチパネル
CN103154812B (zh) * 2010-07-30 2016-08-10 小利兰·斯坦福大学托管委员会 导电膜
JP5533530B2 (ja) * 2010-10-06 2014-06-25 Ｄｉｃ株式会社 両面粘着シートを用いた透明導電膜積層体およびタッチパネル装置
US8603574B2 (en) * 2010-11-05 2013-12-10 Apple Inc. Curved touch sensor
JP5538566B2 (ja) * 2010-12-09 2014-07-02 シャープ株式会社 タッチパネル及びそれを備えた表示装置並びにタッチパネルの製造方法
WO2012114552A1 (ja) * 2011-02-23 2012-08-30 ソニー株式会社 透明導電膜、情報入力装置、および電子機器
CN202120241U (zh) 2011-06-03 2012-01-18 富创得科技股份有限公司 触控面板架桥结构
CN103777793B (zh) * 2012-10-17 2017-05-31 宸鸿光电科技股份有限公司 触控面板及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102081486A (zh) * 2010-12-21 2011-06-01 东南大学 一种电容式触摸感应器
KR20120082311A (ko) * 2011-01-13 2012-07-23 엘지이노텍 주식회사 터치 패널
CN202422049U (zh) * 2011-09-21 2012-09-05 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板结构
CN202838266U (zh) * 2012-10-17 2013-03-27 宸鸿光电科技股份有限公司 触控面板

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106155403A (zh) * 2015-04-27 2016-11-23 南昌欧菲光显示技术有限公司 触控元件
CN107643849A (zh) * 2017-10-09 2018-01-30 业成科技（成都）有限公司 触控面板的制造方法
CN107643849B (zh) * 2017-10-09 2020-08-25 业成科技（成都）有限公司 触控面板的制造方法
CN113383398A (zh) * 2018-12-27 2021-09-10 英属维京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 银纳米线透明导电薄膜
CN113383398B (zh) * 2018-12-27 2023-01-24 英属维京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 银纳米线透明导电薄膜
CN113272966A (zh) * 2019-01-25 2021-08-17 深圳市柔宇科技股份有限公司 柔性触摸传感器电极及其制造方法
CN110333793A (zh) * 2019-05-09 2019-10-15 业成科技（成都）有限公司 可挠触控结构
CN110333793B (zh) * 2019-05-09 2022-12-09 业成科技（成都）有限公司 可挠触控结构
CN110162220A (zh) * 2019-05-28 2019-08-23 业成科技（成都）有限公司 触控装置及其制作方法
CN111506216A (zh) * 2020-04-08 2020-08-07 Tcl华星光电技术有限公司 触控面板以及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9760164B2 (en) 2017-09-12
TW201416939A (zh) 2014-05-01
US10203750B2 (en) 2019-02-12
US20170336859A1 (en) 2017-11-23
JP2014081939A (ja) 2014-05-08
US20140104511A1 (en) 2014-04-17
TWI492116B (zh) 2015-07-11
JP5826809B2 (ja) 2015-12-02
TW201416935A (zh) 2014-05-01
TWI492124B (zh) 2015-07-11
CN103777793B (zh) 2017-05-31
TWM457922U (zh) 2013-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103777793A (zh) 触控面板及其制备方法
CN103412668B (zh) 触摸屏感应模组及其制作方法和显示器
CN102870071A (zh) 触摸面板用片及利用其的触摸面板
CN104951155B (zh) 电容式触控装置及其制作方法
KR101322333B1 (ko) 금속 메쉬 구조의 터치스크린 패널 및 이의 제조방법
CN103902082B (zh) 触控面板及其制造方法
CN105830170A (zh) 导电结构体及其制备方法
CN104076982B (zh) 一种触摸屏及其制作方法、显示装置
JP2015064756A (ja) タッチパネルの製造方法
CN108984032A (zh) 触控基板及其制作方法、显示装置
CN103430133A (zh) 触摸面板用垫板的制造方法及通过该制造方法制造的触摸面板用垫板
CN108845704A (zh) 触控面板及其制作方法、显示装置
JP2015069908A (ja) 導電性構造体およびその製造方法
CN202838266U (zh) 触控面板
JP2013156773A (ja) タッチパネルセンサおよびフレキシブルプリント配線板付タッチパネルセンサ
KR101383673B1 (ko) 터치패널 제조용 패드, 이를 이용한 터치패널 제조방법 및 이에 의해 제조되는 터치패널
CN103870044A (zh) 触控电极结构及其制程工艺
CN102637101B (zh) 新型ito通孔一体式电容触摸屏及其制造方法
CN104407743A (zh) 一种触控面板及其制作方法、触控显示装置
US20150169090A1 (en) Laser patterning of frame wire area on touch panel
CN104503644A (zh) 一种电容式触控面板及制作方法
CN103870043B (zh) 触控电极结构及其制造工艺
CN108874238B (zh) 触控面板及其制造方法
TWM399374U (en) Narrow side of a touch panel
CN110752200B (zh) 显示面板、显示装置和显示面板的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant