CN107634782B - 高频前端电路以及通信装置 - Google Patents

Abstract

发明提供一种即使在进行CA动作时也能够维持低损耗的信号传播特性的小型的高频前端电路。高频前端电路(1)具备：第一滤波器(11)，其具有第一通带并与天线共用端子(101)连接；第二滤波器(12)，其与天线共用端子(101)连接并具有第二通带；开关(21)，其具有共用端子(21c)以及选择端子(21a)、(21b)，且共用端子(21c)与第一滤波器(11)连接；以及第三滤波器(13)，其与选择端子(21a)连接并配置在开关(21)与输入输出端子(102)之间，在从天线共用端子(101)侧以单体观察第一滤波器(11)的情况下的第二通带中的反射系数比从天线共用端子(101)侧以单体观察第三滤波器(13)的情况下的第二通带中的反射系数大。

Description

高频前端电路以及通信装置

技术领域

本发明涉及高频前端电路以及通信装置。

背景技术

对于近年来的移动电话，希望利用一个终端来对应多个频率以及无线方式(多频段化以及多模化)。为了对应多频段化以及多模化的前端模块，寻求不使品质劣化地对多个收发信号进行高速处理。特别寻求进行同时收发多个频段的高频信号的载波聚合。

在专利文献1中，公开了具备LB(低频段)分集天线、MB(中频段)/HB(高频段)分集天线以及分集模块的RF***(参照专利文献1的图6)。分集模块具有与MB/HB分集天线连接的单极多掷型开关、与该单极多掷型开关连接的多个滤波器以及与该多个滤波器连接的放大电路。多个滤波器分别将各频段作为通带。根据该结构，能够实现同时使用多个频段的高频信号进行通信的载波聚合(CA)动作。

专利文献1：日本特开2015－208007号公报

在专利文献1所记载的RF***中，在使两个以上的滤波器进行CA动作的情况下，需要在一个滤波器中将其他滤波器的通带设为打开状态。由此，即使在进行CA动作的情况下，一个滤波器也能够不受其他滤波器的阻抗的影响地以低损耗传播高频信号。

然而，若进行CA动作的频段的组合增多，存在多个该组合，则需要对每个频段的组合调整各滤波器的阻抗，所以各滤波器设计复杂化，难以使全部的滤波器的滤波器特性最佳化。另外，由于进行CA动作的频段的组合越多，单极多掷型开关的选择端子数越多，所以导致单极多掷型开关大型化。

发明内容

因此，本发明是为了解决上述课题而完成的，目的在于提供一种即使在进行CA动作时也能够维持低损耗的信号传播特性的小型的高频前端电路以及通信装置。

为了实现上述目的，本发明的一个方式的高频前端电路具备：天线共用端子，与天线元件连接；第一输入输出端子及第二输入输出端子；第一滤波器，具有第一端子以及第二端子并具有第一通带，上述第一端子与上述天线共用端子连接；第二滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第二输入输出端子之间，且具有与上述第一通带不同的第二通带；开关，其具有共用端子以及多个选择端子，上述共用端子与上述第二端子连接；以及第三滤波器，其与上述多个选择端子中的第一选择端子连接并配置在上述开关与上述第一输入输出端子之间，在从上述天线共用端子侧以单体观察上述第一滤波器的情况下的上述第二通带中的反射系数比在从上述天线共用端子侧以单体观察上述第三滤波器的情况下的上述第二通带中的反射系数大。

在构成分波/合波电路的第一滤波器和第二滤波器是通过天线共用端子共用连接的结构的情况下，第二滤波器的第二通带中的***损耗除了第二滤波器单体的***损耗以外，还受到从第一滤波器的天线共用端子侧观察到的反射特性的影响。更具体而言，从第一滤波器的共用端子侧观察到的第二通带中的反射系数越大，第二滤波器的第二通带中的***损耗越减少。

根据上述结构，第一滤波器的第二通带中的反射系数比第三滤波器的第二通带中的反射系数大。这里，对于配置在第一滤波器的后段的第三滤波器而言，与反射特性相比滤波器通过特性以及衰减特性更被重视，所以能够实现第一滤波器与第三滤波器的良好的通过特性。换句话说，由于不用在天线元件与第一滤波器以及第二滤波器之间配置开关，就能够有效地减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗，所以能够提供一种即使在进行CA动作时也能够维持低损耗的信号传播特性的小型的高频前端电路。

另外，也可以为上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含两个以上的弹性波谐振器，在从上述天线共用端子侧以单体观察构成上述第一滤波器的上述两个以上的弹性波谐振器中配置于上述天线共用端子侧的一个以上的弹性波谐振器的情况下的上述第二通带中的反射系数比在从上述天线共用端子侧以单体观察构成上述第三滤波器的上述两个以上的弹性波谐振器中配置于上述天线共用端子侧的一个以上的弹性波谐振器的情况下的上述第二通带中的反射系数大。

在由多个弹性波谐振器构成的滤波器中，对于从共用端子侧观察到的反射系数而言，最接近共用端子的一个弹性波谐振器的反射系数为主导性的。由此，能够有效地减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。

另外，也可以为上述第一滤波器以及上述第三滤波器的至少一方具有梯型的滤波器结构，配置于上述天线共用端子侧的一个以上的弹性波谐振器包含串联臂谐振器以及并联臂谐振器的至少一方。

由此，能够确保第一滤波器以及第三滤波器的低损耗性，并且减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。

另外，也可以为上述第一滤波器以及上述第三滤波器的至少一方具有纵向耦合型的滤波器结构。

由此，能够使第一滤波器以及第三滤波器适应要求衰减强化等的滤波器特性。

另外，也可以为上述第二输入输出端子与第二放大电路连接，在上述第二滤波器与上述第二放大电路之间不配置滤波电路。

在第二滤波器的后段通常还配置与包含于第二通带且比该第二通带窄带的多个频段对应的多个滤波器。但是，在无需比第二滤波器的滤波器特性高的滤波器特性的频段的信号路径上，换句话说在第二滤波器与第二放大电路之间，也可以不用进一步配置滤波电路。由此，能够使高频前端电路进一步小型化。

另外，也可以为还具备：第三输入输出端子；以及第四滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第三输入输出端子之间，且具有第三通带，上述第一滤波器、上述第二滤波器以及上述第四滤波器构成三工器，上述第一通带、上述第二通带以及上述第三通带应用于低频段(LB：698－960MHz)、中频段(MBa：1710－2200MHz)、高频段(HBa：2300－2690MHz)，上述第一通带是上述低频段、上述中频段以及上述高频段的任意一个。

由此，第一滤波器以及第二滤波器可应用于LB、MBa以及HBa对应的三工器。因此，能够实现在包含LB、MBa以及HBa对应的三工器的结构中，即使在进行CA动作时也能够维持低损耗的信号传播特性的小型的高频前端电路。

另外，也可以为还具备：第三输入输出端子以及第四输入输出端子；第四滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第三输入输出端子之间，且具有第三通带；以及第五滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第四输入输出端子之间，且具有第四通带，上述第一滤波器、上述第二滤波器、上述第四滤波器以及上述第五滤波器构成四工器，上述第一通带、上述第二通带、上述第三通带以及上述第四通带应用于低频段(LB：698－960MHz)、中频段(MBa：1710－2200MHz)、中高频段(MHBa：2300－2400MHz)、高频段(HBb：2496－2690MHz)，上述第一通带是上述低频段、上述中频段、上述中高频段以及上述高频段的任意一个。

由此，第一滤波器以及第二滤波器可应用于LB、MBa、MHBa以及HBa对应的四工器。因此，能够实现在包含LB、MBa、MHBa以及HBa对应的四工器的结构中，即使在进行CA动作时也能够维持低损耗的信号传播特性的小型的高频前端电路。

另外，也可以为还具备：第三输入输出端子以及第四输入输出端子；第四滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第三输入输出端子之间，且具有第三通带；第五滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第四输入输出端子之间，且具有第四通带，上述第一滤波器、上述第二滤波器、上述第四滤波器以及上述第五滤波器构成四工器，上述第一通带、上述第二通带、上述第三通带以及上述第四通带应用于中低频段(MLB：1475.9－2025MHz)、中频段(MBb：2110－2200MHz)、中高频段(MHBa：2300－2400MHz或者MHBb：2300－2370MHz)、高频段(HBb：2496－2690MHz)，上述第一通带是上述中低频段、上述中频段、上述中高频段以及上述高频段的任意一个。

由此，第一滤波器以及第二滤波器可应用于MLB、MBb、MHBa以及HBb对应的四工器。因此，能够实现在包含MLB、MB、MHB以及HB对应的四工器的结构中，即使在进行CA动作时也能够维持低损耗的信号传播特性的小型的高频前端电路。

另外，也可以为还具备：第三输入输出端子以及第四输入输出端子；第四滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第三输入输出端子之间，且具有第三通带；以及第五滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第四输入输出端子之间，且具有第四通带，上述第一滤波器、上述第二滤波器、上述第四滤波器以及上述第五滤波器构成四工器，上述第一通带、上述第二通带、上述第三通带以及上述第四通带应用于中低频段(MLB：1475.9－2025MHz)、中频段(MBb：2110－2200MHz)、中高频段(MHBa：2300－2400MHz或者MHBb：2300－2370MHz)、高频段(HBb：2496－2690MHz)，上述第一通带是上述中低频段、上述中频段以及上述高频段的任意一个，上述第二通带是上述中高频段，在连接上述第二滤波器和上述第二放大电路的信号路径上，不配置滤波电路。

由此，第一滤波器以及第二滤波器可应用于MLB、MBb、MHBa以及HBb对应的四工器。另外，在MHBa所包含的频段的通过特性被第二滤波器的通过特性满足的情况下，在该频段的信号路径上也可以不配置滤波电路。因此，能够实现在包含MLB、MBb、MHBa以及HBb对应的四工器的结构中，即使在进行CA动作时也能够维持低损耗的信号传播特性的更小型的高频前端电路。

另外，也可以为连接上述第二滤波器和上述第二放大电路的信号路径是进行Band40a(接收频带：2300－2370MHz)的收发的路径。

由此，由于MHBa所包含的Band40a的通过特性被第二滤波器的通过特性满足，所以在Band40a的信号路径上也可以不配置滤波电路。因此，能够实现在包含MLB、MBb、MHBa以及HBb对应的四工器的结构中，即使在进行CA动作时也能够维持低损耗的信号传播特性的更小型的高频前端电路。

另外，也可以为连接上述第二滤波器和上述第二放大电路的上述信号路径是进行Band40(接收频带：2300－2400MHz)的收发的路径。

由此，由于MHBa所包含的Band40的通过特性被第二滤波器的通过特性满足，所以在Band40的信号路径上也可以不配置滤波电路。因此，能够实现在包含MLB、MBb、MHBa以及HBb对应的四工器的结构中，即使在进行CA动作时也能够维持低损耗的信号传播特性的更小型的高频前端电路。

另外，也可以为还具备：第三输入输出端子以及第四输入输出端子；第四滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第三输入输出端子之间，且具有第三通带；以及第五滤波器，其与上述天线共用端子连接，并配置在上述天线共用端子与上述第四输入输出端子之间，且具有第四通带，上述第一滤波器、上述第二滤波器、上述第四滤波器以及上述第五滤波器构成四工器，上述第一通带、上述第二通带、上述第三通带以及上述第四通带应用于中低频段(MLB：1475.9－2025MHz)、中频段(MBb：2110－2200MHz)、中高频段(MHBa：2300－2400MHz或者MHBb：2300－2370MHz)、高频段(HBb：2496－2690MHz)，上述第一通带是上述中低频段、上述中频段以及上述中高频段的任意一个，上述第二通带是上述高频段，在连接上述第二滤波器和上述第二放大电路的信号路径上，不配置滤波电路。

由此，第一滤波器以及第二滤波器可应用于MLB、MBb、MHBa以及HBb对应的四工器。另外，在HBb所包含的频段的通过特性被第二滤波器的通过特性满足的情况下，在该频段的信号路径上也可以不配置滤波电路。因此，能够实现在包含MLB、MBb、MHBa以及HBb对应的四工器的结构中，即使在进行CA动作时也能够维持低损耗的信号传播特性的更小型的高频前端电路。

另外，也可以为连接上述第二滤波器和上述第二放大电路的上述信号路径是进行Band41(接收频带：2496－2690MHz)的收发的路径。

由此，由于HBb所包含的Band41的通过特性被第二滤波器的通过特性满足，所以在Band41的信号路径上也可以不配置滤波电路。因此，能够实现在包含MLB、MBb、MHBa以及HBb对应的四工器的结构中，即使在进行CA动作时也能够维持低损耗的信号传播特性的更小型的高频前端电路。

另外，也可以为上述第一通带位于比上述第二通带靠高频侧，上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，构成上述第一滤波器的上述一个以上的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，在上述第一滤波器中，将以下任意一个作为弹性表面波来利用：(1)在由LiNbO₃构成的上述压电体层中传播的瑞利波；(2)在由LiTaO₃构成的上述压电体层中传播的泄漏波；以及(3)在由LiNbO₃构成的上述压电体层中传播的洛夫波。

对于比弹性波谐振器的谐振点以及反谐振点靠低频范围内的反射损耗而言，在利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波、在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波以及在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波的任意一个作为弹性表面波的情况下，比利用其他弹性波的情况小。

因此，在第一滤波器是高频侧滤波器，第二滤波器是低频侧滤波器的情况下，能够使第一滤波器的第二通带中的反射系数比第三滤波器的第二通带中的反射系数大。由此，能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。

另外，也可以为在上述第三滤波器中，弹性波谐振器由SMR(Solidly MountedResonator：固态装配型谐振器)或者FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator：薄膜体声波谐振器)构成。

由此，能够增大第一滤波器的反射系数，并且确保第三滤波器的低损耗性以及通带的陡度。

另外，也可以为上述第一通带位于比上述第二通带靠高频侧，上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，构成上述第一滤波器的上述一个以上的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，在上述第一滤波器中，弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有上述IDT电极的上述压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板、以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构，在上述第三滤波器中，弹性波谐振器由SMR或者FBAR构成。

对于比弹性波谐振器的谐振点以及反谐振点低频范围内的反射系数而言，具有音速膜层叠结构的情况比由SMR或者FBAR构成弹性波谐振器的情况大。

因此，在第一滤波器是高频侧滤波器，第二滤波器是低频侧滤波器的情况下，能够使第一滤波器的第二通带中的反射系数比第三滤波器的第二通带中的反射系数大。由此，能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。另外，能够增大第一滤波器的反射系数，并且确保第三滤波器的低损耗性以及通带的陡度。

另外，也可以为上述第一通带位于比上述第二通带靠低频侧，上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，在上述第一滤波器中，是以下任意一种情况：(1)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波；(2)弹性波谐振器由SMR构成；以及(3)弹性波谐振器由FBAR构成。

在比弹性波谐振器的谐振点以及反谐振点高频范围内，产生由体波泄漏引起的无用波，该无用波强度能够在以下任意一种情况下最小：利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波；利用SMR构成弹性波谐振器以及利用FBAR构成弹性波谐振器。

因此，在第一滤波器是低频侧滤波器，第二滤波器是高频侧滤波器的情况下，能够使第一滤波器的第二通带中的反射系数比第三滤波器的第二通带中的反射系数大。由此，能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。

另外，也可以为在上述第三滤波器中，是以下任意一种情况：(1)弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有IDT电极的压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板、以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构；(2)利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波；以及(3)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波。

由此，能够增大第一滤波器的反射系数，并且在使第三滤波器成为音速膜层叠结构的情况下，能够确保第三滤波器的低损耗性以及良好的温度特性，另外，在第三滤波器中利用由LiNbO₃引起的洛夫波作为弹性表面波的情况下，能够确保第三滤波器的较宽的带宽。

另外，也可以为上述第一通带位于比上述第二通带靠低频侧，上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，构成上述第一滤波器以及上述第三滤波器的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，在上述第一滤波器中，弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有上述IDT电极的上述压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板、以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构，在上述第三滤波器中，(1)利用在由LiTaO₃构成的上述压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波或者(2)利用在由LiNbO₃构成的上述压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波。

在比弹性波谐振器的谐振点以及反谐振点高频范围内，产生由体波泄漏引起的无用波，在采用了音速膜层叠结构的情况下，该无用波强度能够比利用LiTaO₃的泄漏波作为弹性表面波或者利用LiNbO₃的洛夫波作为弹性表面波的情况小。

因此，在第一滤波器是低频侧滤波器，第二滤波器是高频侧滤波器的情况下，能够使第一滤波器的第二通带中的反射系数比第三滤波器的第二通带中的反射系数大。由此，能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。并且，在第三滤波器中在利用由LiNbO₃引起的洛夫波作为弹性表面波的情况下，能够确保第三滤波器的较宽的带宽。

另外，也可以为上述第一通带位于比上述第二通带靠低频侧，上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，构成上述第一滤波器以及上述第三滤波器的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，在上述第一滤波器中，利用在由LiTaO₃构成的上述压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波，在上述第三滤波器中，利用在由LiNbO₃构成的上述压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波。

在比弹性波谐振器的谐振点以及反谐振点高频范围内，产生由体波泄漏引起的无用波，在利用LiTaO₃的泄漏波作为弹性表面波的情况下，该无用波强度能够比利用LiNbO₃的洛夫波作为弹性表面波的情况小。

因此，在第一滤波器是低频侧滤波器，第二滤波器是高频侧滤波器的情况下，能够使第一滤波器的第二通带中的反射系数比第三滤波器的第二通带中的反射系数大。由此，能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。并且，在第三滤波器中利用由LiNbO₃引起的洛夫波作为弹性表面波的情况下，能够确保第三滤波器的较宽的带宽。

另外，也可以为上述第一通带位于比上述第二通带靠高频侧，上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，在上述第一滤波器中，是以下任意一种情况：(1)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波；(2)利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波；(3)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波；(4)弹性波谐振器由SMR构成；以及(5)弹性波谐振器由FBAR构成，在上述第三滤波器中，弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有IDT电极的压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构。

在作为弹性波谐振器具有音速膜层叠结构的情况下，在弹性波谐振器的谐振频率的0.76倍附近产生瑞利波的杂波。因此，通过使第三滤波器成为音速膜层叠结构，使第一滤波器不成为音速膜层叠结构，能够确保第三滤波器的低损耗性以及良好的温度特性并且增大第一滤波器的第二通带中的反射系数。

因此，在第一滤波器是高频侧滤波器，第二滤波器是低频侧滤波器的情况下，能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。

另外，也可以为上述第一通带位于比上述第二通带靠高频侧，上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，在上述第一滤波器中，是以下任意一种情况：(1)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波；(2)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波；(3)弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有IDT电极的压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板、以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构；(4)弹性波谐振器由SMR构成；以及(5)弹性波谐振器由FBAR构成，在上述第三滤波器中，利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波。

在利用LiTaO₃的泄漏波作为弹性波的情况下，在弹性波谐振器的谐振频率的0.76倍附近产生瑞利波的杂波。因此，通过在第三滤波器中利用LiTaO₃的泄漏波作为弹性波，在第一滤波器中不利用LiTaO₃的泄漏波作为弹性波，能够有效地增大第一滤波器的第二通带中的反射系数。

因此，在第一滤波器是高频侧滤波器、第二滤波器是低频侧滤波器的情况下，能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。

另外，也可以为上述第一通带位于比上述第二通带靠低频侧，上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，在上述第一滤波器中，是以下任意一种情况：(1)弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有IDT电极的压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板、以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构；(2)利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波；(3)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波；(4)弹性波谐振器由SMR构成；以及(5)弹性波谐振器由FBAR构成，在上述第三滤波器中，利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波。

在利用LiNbO₃的瑞利波作为弹性波的情况下，在弹性波谐振器的谐振频率的1.2倍附近产生高次模。因此，通过在第三滤波器中利用LiNbO₃的瑞利波作为弹性波，在第一滤波器中不利用LiNbO₃的瑞利波作为弹性波，能够有效地增大第一滤波器的第二通带中的反射系数。

因此，在第一滤波器是低频侧滤波器、第二滤波器是高频侧滤波器的情况下，能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。

另外，上述第一通带位于比上述第二通带靠低频侧，上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，在上述第一滤波器中，是以下任意一种情况：(1)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波；(2)弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有IDT电极的压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构；(3)利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波；(4)弹性波谐振器由SMR构成；以及(5)弹性波谐振器由FBAR构成，在上述第三滤波器中，利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波。

在利用LiNbO₃的洛夫波作为弹性波的情况下，在弹性波谐振器的谐振频率的1.2倍附近产生高次模。因此，通过在第三滤波器中利用LiNbO₃的洛夫波作为弹性波，在第一滤波器中不利用LiNbO₃的洛夫波作为弹性波，能够有效地增大第一滤波器的第二通带中的反射系数。

因此，在第一滤波器是低频侧滤波器、第二滤波器是高频侧滤波器的情况下，能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。

另外，也可以为构成上述第一滤波器以及上述第三滤波器的上述两个以上的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，在上述第一滤波器以及上述第三滤波器中，利用在由LiTaO₃构成的上述压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波，在构成上述第一滤波器的上述IDT电极和构成上述第三滤波器的上述IDT电极中，膜厚或者占空比不同。

在利用LiTaO₃的泄漏波作为弹性波的情况下，在弹性波谐振器的谐振频率的低频侧产生瑞利波的杂波。与此相对，通过在第一滤波器和第三滤波器中使IDT电极的膜厚或者占空比不同，能够使第一滤波器中的瑞利波杂波的产生频率向第二通带外偏移。由此，能够有效地增大第一滤波器的第二通带中的反射系数，并能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。

另外，也可以为构成上述第一滤波器以及上述第三滤波器的上述两个以上的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，在上述第一滤波器以及上述第三滤波器中，弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有IDT电极的上述压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构，在上述第一滤波器和上述第三滤波器中，上述IDT电极的膜厚、上述IDT电极的占空比以及上述低音速膜的膜厚的任意一个不同。

在采用音速膜层叠结构的情况下，在弹性波谐振器的谐振频率的低频侧产生瑞利波的杂波。与此相对，通过在第一滤波器和第三滤波器中，使IDT电极的膜厚或者占空比不同，能够使第一滤波器中的瑞利波杂波的产生频率向第二通带外偏移。由此，能够有效地增大第一滤波器的第二通带中的反射系数，并能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。

另外，也可以为构成上述第一滤波器以及上述第三滤波器的上述两个以上的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板、形成在该基板上的IDT电极以及形成在该IDT电极上的保护膜构成的弹性表面波谐振器，在上述第一滤波器以及上述第三滤波器中，利用(1)在由LiNbO₃构成的上述压电体层中传播的瑞利波，或者(2)在由LiNbO₃构成的上述压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波，在上述第一滤波器和上述第三滤波器中，上述IDT电极的膜厚、上述IDT电极的占空比以及上述保护膜的膜厚的任意一个不同。

在利用LiNbO₃的瑞利波或者LiNbO₃的洛夫波作为弹性表面波的情况下，在弹性波谐振器的谐振频率的高频侧产生高次模。与此相对，在第一滤波器和第三滤波器中，通过使IDT电极的膜厚、IDT电极的占空比或者低音速膜的膜厚不同，能够使第一滤波器中的高次模的产生频率向第二通带外偏移。由此，能够有效地增大第一滤波器的第二通带中的反射系数，并能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。

另外，也可以为构成上述第一滤波器以及上述第三滤波器的上述两个以上的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，在上述第一滤波器以及上述第三滤波器中，弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有IDT电极的上述压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板、以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构，上述高音速支承基板由硅晶体构成，在上述第一滤波器和上述第三滤波器中，上述压电体层的膜厚、上述低音速膜的膜厚以及上述高音速支承基板的硅晶体取向的任意一个不同。

在采用音速膜层叠结构的情况下，在弹性波谐振器的谐振频率的高频侧产生高次模。与此相对，通过在第一滤波器和第三滤波器中，使压电体层的膜厚、低音速膜的膜厚或者高音速支承基板的硅晶体取向不同，能够使第一滤波器中的高次模的产生频率向第二通带外偏移。由此，能够有效地增大第一滤波器的第二通带中的反射系数，并能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。

另外，也可以为构成上述第一滤波器以及上述第三滤波器的上述两个以上的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，在上述第一滤波器以及上述第三滤波器中，利用(1)在由LiTaO₃构成的上述压电体层中传播的泄漏波，或者(2)在由LiNbO₃构成的上述压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波，在上述第一滤波器和上述第三滤波器中，上述IDT电极的膜厚不同。

在利用LiTaO₃的泄漏波或者LiNbO₃的洛夫波作为弹性表面波的情况下，在弹性波谐振器的谐振频率的高频侧产生体波(无用波)。与此相对，通过在第一滤波器和第三滤波器中，使IDT电极的膜厚不同，能够使第一滤波器中的体波的产生频率向第二通带外偏移。由此，能够有效地增大减小第一滤波器的第二通带中的反射系数，并能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。

另外，也可以还具备：第一放大电路，其与上述第一输入输出端子连接；以及第二放大电路，其与上述第二输入输出端子连接。

由此，在包含放大电路的高频前端电路中，能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗。

另外，本发明的一个方式的通信装置具备：RF信号处理电路，其对由上述天线元件收发的高频信号进行处理；以及上述记载的高频前端电路，其在上述天线元件与上述RF信号处理电路之间传递上述高频信号。

由此，能够提供一种能够减少第二滤波器的第二通带中的***损耗中由第一滤波器、第三滤波器或者其双方引起的***损耗的小型的通信装置。

根据本发明，能够提供一种即使在进行CA动作时也可减少高频信号的传播损耗的小型的高频前端电路或者通信装置。

附图说明

图1A是实施方式1的高频前端电路的电路结构图。

图1B是对实施方式1的高频前端电路的反射特性进行说明的图。

图2是对将两个滤波器通过共用端子共用连接的情况下的课题进行说明的图。

图3A是实施方式1的变形例1的分波电路的电路结构图。

图3B是实施方式1的变形例2的分波电路的电路结构图。

图3C是实施方式1的变形例3的分波电路的电路结构图。

图4是实施方式1的变形例4的通信装置的电路结构图。

图5A是实施方式1的变形例5的高频前端电路的电路结构图。

图5B是实施方式1的变形例6的高频前端电路的电路结构图。

图5C是实施方式1的变形例7的高频前端电路的电路结构图。

图5D是实施方式1的变形例8的高频前端电路的电路结构图。

图6是示意性地表示实施方式2的滤波器谐振器的俯视图以及剖视图的一个例子。

图7A是对实施方式2的高频前端电路的低频区域1中的反射特性进行说明的图。

图7B是表示实施方式2的第一滤波器以及第三滤波器的结构的组合的图。

图8A是对实施方式2的变形例1的高频前端电路的高频区域1中的体波泄漏进行说明的图。

图8B是表示实施方式2的变形例1的第一滤波器以及第三滤波器的结构的组合的图。

图9A是对实施方式2的变形例2的高频前端电路的低频区域2中的杂波的产生进行说明的图。

图9B是表示实施方式2的变形例2的第一滤波器以及第三滤波器的结构的组合的图。

图10A是对实施方式2的变形例3的高频前端电路的高频区域2中的高次模的产生进行说明的图。

图10B是表示实施方式2的变形例3的第一滤波器以及第三滤波器的结构的组合的图。

图11A是表示实施方式2的由第一滤波器的高次模引起的反射损耗的劣化的图。

图11B是表示实施方式2的变形例4的使第一滤波器以及第三滤波器的结构不同的参数的图。

图11C是表示实施方式2的变形例5的使第一滤波器以及第三滤波器的结构不同的参数的图。

图12是表示实施方式2的变形例6的使第一滤波器以及第三滤波器的结构不同的参数的图。

图13A是实施方式3的高频前端电路的电路结构图。

图13B是比较例的高频前端电路的电路结构图。

具体实施方式

以下，使用附图对本发明的实施方式进行详细说明。应予说明，以下所说明的实施方式均表示概括性或者具体的例子。通过以下的实施方式表示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，并不意图限定本发明。关于以下的实施方式中的构成要素中未记载于独立权利要求的构成要素，说明为任意的构成要素。另外，附图所示的构成要素的大小或者大小之比未必是严格的。

(实施方式1)

[1.1高频前端电路的结构]

图1A是实施方式1的高频前端电路1的电路结构图。如该图所示，高频前端电路1具备第一滤波器11、第二滤波器12、第三滤波器13、开关21、天线共用端子101、输入输出端子102以及103。高频前端电路1是具备通过天线共用端子101共用连接的第一滤波器11以及第二滤波器12的复合弹性波滤波装置。

共用端子101例如能够与天线元件连接，输入输出端子102以及103能够经由放大电路与高频信号处理电路连接。

第一滤波器11是具有第一端子以及第二端子，该第一端子与天线共用端子101连接，且具有第一通带的滤波器。

第二滤波器12是与天线共用端子101连接，并配置在天线共用端子101与输入输出端子103之间，并具有与第一通带不同的第二通带的滤波器。

第一滤波器11以及第二滤波器12构成分波/合波电路。

开关21是具有共用端子21c、选择端子21a(第一选择端子)以及21b，且共用端子21c与第一滤波器11的第二端子连接的开关电路。

第三滤波器13是与选择端子21a(第一选择端子)连接，并配置在开关21与输入输出端子102之间的滤波器。

此外，在开关21的选择端子21b(第二选择端子)也可以连接与第三滤波器通带不同的滤波器，另外，也可以直接连接放大电路。另外，开关21的选择端子的数量也可以是3个以上。另外，与选择端子21b(第二选择端子)连接的滤波器的通带也可以与第三滤波器的通带重叠。即使在该情况下，也能够通过开关21使通过第一滤波器11的高频信号集中到经由选择端子21a或者21b的1条路径来传播。

另外，第二滤波器12的后段(与天线共用端子101相反侧)的电路结构也可以是与第一滤波器11的后段的电路结构相同的电路结构，另外，也可以不配置开关而使第二滤波器12与放大电路直接连接。

图1B是对实施方式1的高频前端电路1的反射特性进行说明的图。在该图中，示有通过天线共用端子101共用连接的第一滤波器11以及第二滤波器12的通过特性以及第一滤波器11以及第三滤波器13的反射特性。这里，在本实施方式的高频前端电路1中，在从天线共用端子101侧以单体观察第一滤波器11的情况下的通带12H(第二通带)中的反射系数比从共用端子101侧以单体观察第三滤波器13的情况下的通带12H(第二通带)中的反射系数大。

此外，第一滤波器和第三滤波器的频率关系并不限于如图1B那样，第一滤波器11是低频侧且第二滤波器是高频侧，也可以第一滤波器11是高频侧且第二滤波器是低频侧。

[1.2由高频前端电路的第一滤波器、第三滤波器或者其两方引起的第二滤波器的***损耗减少效果]

图2是对将两个滤波器(滤波器A以及滤波器B)通过天线共用端子共用连接的情况下的课题进行说明的图。如图2所示，假定滤波器A(通带A)以及滤波器B(通带B)是通过天线共用端子共用连接的分波电路。考虑该情况下的分波电路的***损耗。

滤波器A中的通带A的***损耗除了滤波器A本身的***损耗以外，还受到滤波器B的影响而劣化。这里，滤波器A的***损耗中由滤波器B引起的***损耗受滤波器B的通带A中的反射特性的影响。更具体而言，对于滤波器A的***损耗中由滤波器B引起的***损耗而言，在通过天线共用端子共用连接的前面的滤波器B中从天线共用端子侧观察滤波器B的情况下的反射系数越大，滤波器A的***损耗中由滤波器B引起的***损耗越减少。

在将减少由共用连接的对象方的滤波器引起的上述***损耗的结构应用于本实施方式的高频前端电路1的情况下，为了使从天线共用端子101向输入输出端子103传播的第二通带的高频信号抑制由被共用连接的对象方的滤波器引起的***损耗地通过，需要增大想要从天线共用端子101向输入输出端子102传播的第二通带的高频信号的反射系数。换句话说，为了减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗，需要增大从天线共用端子101观察串联连接的第一滤波器11以及第三滤波器13的情况下的第二通带中的反射系数。

并且，在串联连接有多个滤波器的情况下，串联连接的滤波器中接近天线共用端子的滤波器对从天线共用端子侧观察所串联连接的滤波器的情况下的反射系数的贡献度高。换句话说，为了减少第二滤波器12的***损耗中由共用连接的对象方的滤波器引起的***损耗，增大串联连接的第一滤波器11以及第三滤波器13中接近天线共用端子101的第一滤波器11的第二通带中的反射系数会有效。

另一方面，需要如上述那样提高串联连接的第一滤波器11以及第三滤波器13的反射特性，并且根据所需规格等确保串联连接的第一滤波器11以及第三滤波器13的通过特性、衰减特性、温度特性以及带宽等滤波器特性。根据滤波器结构，有不兼顾反射特性和上述滤波器特性的情况。

从以上的观点来看，发明者们发现了采取在串联连接的第一滤波器11以及第三滤波器13中，优先在对反射特性影响较大的第一滤波器11中增大反射系数，在对反射特性影响较小的第三滤波器13中，确保通过特性、衰减特性、温度特性以及带宽等滤波器特性的结构。

根据本实施方式的高频前端电路1的结构，第一滤波器11的第二通带中的反射系数比第三滤波器13的第二通带中的反射系数大。这里，由于对于配置在后段的第三滤波器13而言，与反射特性相比更重视滤波器通过特性以及衰减特性，所以能够不使第三滤波器13的滤波器特性劣化地更加有效地增大从天线共用端子101侧观察第一滤波器11、开关21以及第三滤波器13的情况下的第二通带中的反射系数。由此，由于不用在天线元件与由第一滤波器11以及第二滤波器12构成的分波/合波电路之间配置开关就能够有效地减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗，所以能够提供一种即使在进行CA动作时也能够维持低损耗的信号传播特性的小型的高频前端电路1。

此外，优选第一滤波器11的第二通带中的反射系数是0.9以上。

另外，在本实施方式的高频前端电路1中，通过天线共用端子101共用连接的滤波器并不限于第一滤波器11以及第二滤波器12这两个，也可以将三个以上的滤波器通过天线共用端子101共用连接。

[1.3变形例的分波/合波电路的结构]

图3A是实施方式1的变形例1的分波电路的电路结构图。在该图中，例示有应用于本实施方式的高频前端电路的分波/合波电路的三工器的电路结构。

本变形例的高频前端电路作为分波/合波电路，具备与天线共用端子101连接的LB(低频段：698－960MHz)滤波器11L、MBa(中频段：1710－2200MHz)滤波器11M1以及HBa(高频段：2300－2690MHz)滤波器11H1。

换句话说，变形例1的高频前端电路除了第一滤波器11以及第二滤波器12以外，还具备与天线共用端子101连接，并具有第三通带的第四滤波器。这里，实施方式1的第一滤波器11相当于本变形例中的LB滤波器11L、MBa滤波器11M1以及HBa滤波器11H1的任意一个。

图3B是实施方式1的变形例2的分波电路的电路结构图。在该图中，例示有应用于本实施方式的高频前端电路的分波/合波电路的四工器的电路结构。

本变形例的高频前端电路作为分波/合波电路，具备与天线共用端子101连接的LB(低频段：698－960MHz)滤波器11L、MBa(中频段：1710－2200MHz)滤波器11M1、MHBa(中高频段：2300－2400MHz)滤波器11MH1以及HBb(中高频段：2496－2690MHz)滤波器11H2。

换句话说，变形例2的高频前端电路除了第一滤波器11以及第二滤波器12以外，还具备与天线共用端子101连接，并具有第三通带的第四滤波器、具有第四通带的第五滤波器。这里，实施方式1的第一滤波器11相当于本变形例中的LB滤波器11L、MBa滤波器11M1、MHBa滤波器11MH1以及HBb滤波器11H2的任意一个。

图3C是实施方式1的变形例3的分波电路的电路结构图。在该图中，例示有应用于本实施方式的高频前端电路的分波/合波电路的四工器的电路结构。

本变形例的高频前端电路作为分波/合波电路，具备与天线共用端子101连接的MLB(中低频段：1475.9－2025MHz)滤波器11L1、MBb(中频段：2110－2200MHz)滤波器11M2、MHBa(中高频段：2300－2400MHz或者2300－2370MHz)滤波器11MH1以及HBb(中高频段：2496－2690MHz)滤波器11H2。

换句话说，变形例3的高频前端电路除了第一滤波器11以及第二滤波器12以外，还具备与天线共用端子101连接并具有第三通带的第四滤波器以及具有第四通带的第五滤波器。这里，实施方式1的第一滤波器11相当于本变形例中的MLB滤波器11L1、MBb滤波器11M2、MHBa滤波器11MH1以及HBb滤波器11H2的任意一个。

[1.4变形例4的高频前端电路的结构]

图4是实施方式1的变形例4的通信装置3的电路结构图。在该图中，示有本实施方式的通信装置3。通信装置3由变形例4的高频前端电路2和高频信号处理电路(RFIC)40构成。

高频前端电路2具备天线共用端子101、分波电路10及14、开关21和22、滤波电路15以及放大电路30。

分波电路10与天线共用端子101连接，并由低通滤波器10A(通带：699－960MHz)以及高通滤波器10B(通带：1475.9－2690MHz)构成。

分波电路14与高通滤波器10B连接，并由MLB滤波器11A(1475.9－2025MHz)、MBb滤波器11B(2110－2200MHz)、MHBa滤波器11C(2300－2400MHz或者2300－2370MHz)以及HBb滤波器11D(2496－2690MHz)构成。

开关21由开关21A、21C以及21D构成。开关22由开关22A、22B、22C以及22D构成。

滤波电路15由滤波器13a、13b、13c、13d、13e、13f、13g、13h、13j、以及13k构成。

放大电路由LNA31、32、33、34、35以及36构成。

分波电路14将高频信号的频带分割为4个频带组。更具体而言，MLB滤波器11A使Ba(频段a)、Bb(频段b)、Bc(频段c)、Bd(频段d)以及Be(频段e)的信号通过，MBb滤波器11B使Bp(频段p)的信号通过，MHBa滤波器11C使Bf(频段f)以及Bg(频段g)的信号通过，HBb滤波器11D使Bh(频段h)、Bj(频段j)以及Bk(频段k)的信号通过。

开关21A的共用端子与MLB滤波器11A连接，各选择端子与滤波器13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)连接。

开关21C的共用端子与MHBa滤波器11C连接，各选择端子与滤波器13f(Bf)以及13g(Bg)连接。

开关21D的共用端子与HBb滤波器11D连接，各选择端子与滤波器13h(Bh)、13j(Bj)以及13k(Bk)连接。

开关22B的共用端子与LNA31连接，各选择端子与MBb滤波器11B以及滤波器13d连接。

开关22A的共用端子与LNA32连接，各选择端子与滤波器13c、13b以及13e连接。

开关22D的共用端子与LNA33连接，各选择端子与滤波器13k、13h以及13j连接。

开关22C的共用端子与LNA34连接，各选择端子与滤波器13f以及13g连接。

此外，MLB滤波器11A的通带(1475.9－2025MHz)比滤波器13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)的各通带宽，并包含该各通带。MBb滤波器11B(2110－2200MHz)包含Bp的各通带。MHBa滤波器11C(2300－2400MHz或者2300－2370MHz)比滤波器13f(Bf)以及13g(Bg)的各通带宽，并包含该各通带。HBb滤波器11D(2496－2690MHz)比滤波器13h(Bh)、13j(Bj)以及13k(Bk)的各通带宽，包含该各通带。

高频信号处理电路(RFIC)40与LNA31～36的输出端子连接，通过下变频等对从天线元件经由各频段的接收信号路径输入的高频接收信号进行信号处理，并将该信号处理所生成的接收信号输出至后段的基带信号处理电路。RF信号处理电路40例如是RFIC。另外，高频信号处理电路(RFIC)40根据所使用的频段，将控制信号S1A、S1C、S1D、S2A、S2B、S2C以及S2D分别输出至开关21A、21C、21D、22A、22B、22C以及22D。由此，各开关切换信号路径的连接。

在具有上述结构的通信装置3中，例如通过切换开关21A、21C以及21D，从MLB(1475.9－2025MHz)、MBb(2110－2200MHz)、MHBa(2300－2400MHz或者2300－2370MHz)以及HBb(2496－2690MHz)分别选择1个频段，从而能够进行CA动作。

这里，能够将实施方式1的高频前端电路1的结构应用于本变形例的高频前端电路2。换句话说，作为高频前端电路1中的第一滤波器11以及第三滤波器13的组合，可举出(1)MLB滤波器11A以及滤波器13a(Ba)；(2)MLB滤波器11A以及滤波器13b(Bb)；(3)MLB滤波器11A以及滤波器13c(Bc)；(4)MLB滤波器11A以及滤波器13d/13e(Bd/Be)；(5)MHBa滤波器11C以及滤波器13f(Bf)；(6)MHBa滤波器11C以及滤波器13g(Bg)；(7)HBb滤波器11D以及滤波器13h(Bh)；(8)HBb滤波器11D以及滤波器13j(Bj)、HBb滤波器11D以及滤波器13k(Bk)。另外，作为第二滤波器12，可举出MLB滤波器11A、MBb滤波器11B、MHBa滤波器11C以及HBb滤波器11D的至少一个。

例如，在作为第一滤波器11以及第三滤波器13的组合选择了(1)MLB滤波器11A以及滤波器13a(Ba)，作为第二滤波器12选择了MBb滤波器11B的情况下，将MLB滤波器11A的2110－2200MHz(MBb滤波器11B的通带)中的反射系数设定为比滤波器13a的2110－2200MHz(MBb滤波器11B的通带)中的反射系数小很多。

另外，例如，在作为第一滤波器11以及第三滤波器13的组合选择了(1)MLB滤波器11A以及滤波器13a(Ba)，作为第二滤波器12选择了MBb滤波器11B、MHBa滤波器11C以及HBb滤波器11D三个滤波器的情况下，将MLB滤波器11A的2110－2200MHz(MBb滤波器11B的通带)、2300－2400MHz或者2300－2370MHz(MHBa滤波器11C的通带)以及2496－2690MHz(HBb滤波器11D的通带)中的反射系数设定为比滤波器13a的2110－2200MHz、2300－2400MHz或者2300－2370MHz以及2496－2690MHz中的反射系数大。

根据以上的结构，即使进行CA动作的频段的数量增多，通过将分波电路14以及滤波电路15的反射特性的关系设定为成为实施方式1中的第一滤波器11以及第三滤波器13的反射特性的关系，例如能够与3GPP标准所规定的全部的CA组合对应。另外，通过设定有分波电路14以及滤波电路15的反射特性的关系，能够容易地变更与后段的滤波电路15对应的频段。因此，能够对每个目的地以简单化的电路设计来提供最佳的频段结构的模块。

此外，在本变形例中，例示了接收来自天线元件的高频信号并传递到高频信号处理电路40的接收用的高频前端电路，但也可以是发送用或者收发用的高频前端电路。在是发送用的高频前端电路的情况下，放大电路30由功率放大器构成。另外，在是收发用的高频前端电路的情况下，滤波电路15由被分配给各频段的双工器构成。

[1.5变形例5的高频前端电路的结构]

图5A是实施方式1的变形例5的高频前端电路2A的电路结构图。本变形例的高频前端电路2A与变形例4的高频前端电路2相比较，未配置滤波器13g以及13k的点不同。以下，对于本变形例的高频前端电路2A，对与变形例4的高频前端电路2相同的点省略说明，以不同点为中心进行说明。

在高频前端电路2A中，在MHBa滤波器11C的通带是2300－2370MHz的情况下，例如，与配置在MHBa滤波器11C的后段的B40a(相当于Bg：通带2300－2370MHz)的通带一致。另一方面，配置于MHBa滤波器11C的后段的滤波器13f例如与B30(通带2350－2360MHz)对应，包含于MHBa滤波器11C的通带2300－2370MHz。这里，由于B40a的信号的通过特性被MHBa滤波器11C的通过特性满足，所以在B40a的信号路径上无需配置滤波器13g。因此，能够实现在包含MLB、MBb、MHBa以及HBb对应的分波电路14(四工器)的结构中，即使在进行CA动作时也能够成为低损耗的信号传播特性的更小型的高频前端电路。

另外，在高频前端电路2A中，MHBa滤波器11C的通带是2300－2400MHz的情况下，例如，与配置于MHBa滤波器11C的后段的B40(相当于Bg：通带2300－2400MHz)的通带一致。另一方面，配置于MHBa滤波器11C的后段的滤波器13f例如与B30(通带2350－2360MHz)对应，包含于MHBa滤波器11C的通带2300－2400MHz。这里，由于B40的信号的通过特性被MHBa滤波器11C的通过特性满足，所以在B40的信号路径上无需配置滤波器13g。因此，能够实现在包含MLB、MBb、MHBa以及HBb对应的分波电路14(四工器)的结构中，即使在进行CA动作时也能够成为低损耗的信号传播特性的更小型的高频前端电路。

另外，在高频前端电路2A中，HBb滤波器11D的通带为2496－2690MHz，与配置于HBb滤波器11D的后段的B41的通带一致。另一方面，配置于HBb滤波器11D的后段的滤波器13h例如与B38(通带2570－2620MHz)对应，包含于HBb滤波器11D的通带2496－2690MHz。另外，配置于HBb滤波器11D的后段的滤波器13j例如与B7(通带2620－2690MHz)对应，包含于HBb滤波器11D的通带2496－2690MHz。这里，由于B41的信号的通过特性被HBb滤波器11D的通过特性满足，所以在B41的信号路径上无需配置滤波器13k。因此，能够实现在包含MLB、MBb、MHBa以及HBb对应的分波电路14(四工器)的结构中，即使在进行CA动作时也能够成为低损耗的信号传播特性的更小型的高频前端电路。

[1.6变形例6的高频前端电路的结构]

图5B是实施方式1的变形例6的高频前端电路2B的电路结构图。本变形例的高频前端电路2B与变形例4的高频前端电路2相比较，附加有发送(Tx)旁路路径的点不同。以下，对于本变形例的高频前端电路2B，对与变形例4的高频前端电路2相同的点省略说明，以不同点为中心进行说明。

高频前端电路2B具备天线共用端子101、分波电路10(低通滤波器10A、高通滤波器10B)及14(MLB滤波器11A、MBb滤波器11B、MHBa滤波器11C、HBb滤波器11D)、开关21(开关21E、开关21C、开关21D)及22(未图示)、滤波电路15(滤波器13a－13k)以及放大电路30(未图示)。

开关21由开关21E、21C以及21D构成。

开关21E的共用端子与MLB滤波器11A连接，各选择端子与发送(Tx)旁路路径、滤波器13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)连接。

发送(Tx)旁路路径是传播属于MLB/LMB的频段的发送信号的路径，例如，是传播频段a、频段b、频段c、频段d以及频段e的至少一个发送范围的信号的路径。

此外，MLB滤波器11A的通带(1475.9－2025MHz)比在发送(Tx)旁路路径中进行传播的发送通带以及滤波器13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)的各通带宽，并包含该各通带。MBb滤波器11B(2110－2200MHz)包含Bp的各通带。MHBa滤波器11C(2300－2400MHz或者2300－2370MHz)比滤波器13f(Bf)以及13g(Bg)的各通带宽，并包含该各通带。HBb滤波器11D(2496－2690MHz)比滤波器13h(Bh)、13j(Bj)以及13k(Bk)的各通带宽，并包含该各通带。

根据上述结构，能够使用连结发送(Tx)旁路路径、开关21E、MLB滤波器11A、高通滤波器10B以及天线共用端子101的信号路径作为发送信号路径。

根据上述结构，也能够通过与天线共用端子101连接的天线使属于MLB/LMB的发送信号和属于MB、MHB、HB的接收信号进行CA动作。换句话说，与天线共用端子101连接的天线不仅作为接收用，也能够作为收发共用的天线来使用。

此外，在本变形例中，为发送(Tx)旁路路径与切换MLB/LMB内的频段的开关21E连接的结构，但也可以为发送(Tx)旁路路径与切换MHB内的频段的开关21C或者切换HB内的频段的开关21D连接的结构。

[1.7变形例7的高频前端电路的结构]

图5C是实施方式1的变形例7的高频前端电路2C的电路结构图。本变形例的高频前端电路2C与变形例4的高频前端电路2相比较，附加有包含发送滤波器的发送(Tx)路径的点不同。以下，对于本变形例的高频前端电路2C，对与变形例4的高频前端电路2相同的点省略说明，以不同点为中心进行说明。

高频前端电路2C具备天线共用端子101、分波电路10(低通滤波器10A、高通滤波器10B)及14(MLB滤波器11A、MBb滤波器11B、MHBa滤波器11C、HBb滤波器11D)、开关21(开关21F、开关21C、开关21D)及22(未图示)、滤波电路15(滤波器13a－13k及发送滤波器13t)以及放大电路30(未图示)。

开关21由开关21F、21C以及21D构成。

开关21F的共用端子与MLB滤波器11A连接，各选择端子与发送(Tx)路径、滤波器13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)连接。开关21F是能够同时与共用端子和两个以上的选择端子连接的开关。

在发送(Tx)路径中配置有发送滤波器13t。

此外，MLB滤波器11A的通带(1475.9－2025MHz)比发送滤波器13t、滤波器13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)的各通带宽，并包含该各通带。MBb滤波器11B(2110－2200MHz)包含Bp的各通带。MHBa滤波器11C(2300－2400MHz或者2300－2370MHz)比滤波器13f(Bf)以及13g(Bg)的各通带宽，并包含该各通带。HBb滤波器11D(2496－2690MHz)比滤波器13h(Bh)、13j(Bj)以及13k(Bk)的各通带宽，并包含该各通带。

根据上述结构，能够同时使用连结发送(Tx)路径、开关21F、MLB滤波器11A、高通滤波器10B以及天线共用端子101的发送信号路径、和连结天线共用端子101、高通滤波器10B、MLB滤波器11A、开关21F以及滤波器13a～13e的任意一个的接收信号路径。由此，也能够在相同频段中同时进行收发。另外，与天线共用端子101连接的天线不仅作为接收用，也能够作为收发共用的天线来使用。

进一步假定上述发送(Tx)路径还与和高频前端电路2C不同的高频前端电路连接的结构，在该情况下，通过高频前端电路2C和该不同的高频前端电路这两个***，能够进行基于两个天线的所谓的基于两个上行的发送动作。

此外，在本变形例中，为发送(Tx)路径与切换MLB/LMB内的频段的开关21F连接的结构，但也可以为发送(Tx)路径与切换MHB内的频段的开关21C或者切换HB内的频段的开关21D连接的结构。

[1.8变形例8的高频前端电路的结构]

图5D是实施方式1的变形例8的高频前端电路2D的电路结构图。本变形例的高频前端电路2D与变形例4的高频前端电路2相比较，附加有包含双工器的收发(Tx/Rx)路径的点不同。以下，对于本变形例的高频前端电路2D，对与变形例4的高频前端电路2相同的点省略说明，以不同点为中心进行说明。

高频前端电路2D具备天线共用端子101、分波电路10(低通滤波器10A、高通滤波器10B)及14(MLB滤波器11A、MBb滤波器11B、MHBa滤波器11C、HBb滤波器11D)、开关21(开关21G、开关21C、开关21D)及22(未图示)、滤波电路15(滤波器13a－13k)以及放大电路30(未图示)。

开关21由开关21G、21C以及21D构成。

开关21G的共用端子与MLB滤波器11A连接，各选择端子与收发(Tx/Rx)路径、滤波器13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)连接。

在收发(Tx/Rx)路径中配置有由发送滤波器13t1以及接收滤波器13r1构成的双工器。

此外，MLB滤波器11A的通带(1475.9－2025MHz)比配置于收发(Tx/Rx)路径的双工器、滤波器13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)的各通带宽，并包含该各通带。MBb滤波器11B(2110－2200MHz)包含Bp的各通带。MHBa滤波器11C(2300－2400MHz或者2300－2370MHz)比滤波器13f(Bf)以及13g(Bg)的各通带宽，并包含该各通带。HBb滤波器11D(2496－2690MHz)比滤波器13h(Bh)、13j(Bj)以及13k(Bk)的各通带宽，并包含该各通带。

根据上述结构，上述收发(Tx/Rx)路径能够使用连结开关21G、MLB滤波器11A、高通滤波器10B以及天线共用端子101的信号路径。由此，也能够同时收发在上述收发(Tx/Rx)路径中传播的相同频段的发送信号以及接收信号。另外，将与天线共用端子101连接的天线不仅作为接收用，也能够作为收发共用的天线来使用。

进一步，假定上述收发(Tx/Rx)路径是还与和高频前端电路2D不同的高频前端电路连接的结构，在该情况下，能够通过高频前端电路2D和该不同的高频前端电路这两个***，进行基于两个天线的所谓的基于两个上行的发送动作。

此外，在本变形例中，为收发(Tx/Rx)路径与切换MLB/LMB内的频段的开关21G连接的结构，但也可以为收发(Tx/Rx)路径与切换MHB内的频段的开关21C或者切换HB内的频段的开关21D连接的结构。

(实施方式2)

在实施方式1中，对优选采用在第一滤波器11和第二滤波器12通过天线共用端子共用连接，第一滤波器11和第三滤波器13经由开关串联连接的结构中，优先在对反射特性影响大的第一滤波器11中增大反射系数，在对反射特性影响小的第三滤波器13中确保通过特性、衰减特性、温度特性以及带宽等滤波器特性的结构的情况进行了说明。在本实施方式中，从上述观点考虑，例示第一滤波器11以及第三滤波器13的结构的组合。

在本实施方式中，第一滤波器11以及第三滤波器13由弹性波谐振器构成，也可以具有梯型的滤波器结构。在该情况下，配置于天线共用端子101侧的一个以上的弹性波谐振器包含串联臂谐振器以及并联臂谐振器的至少一方。由此，能够确保第一滤波器11以及第三滤波器13的低损耗性，并且减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。

另外，第一滤波器11以及第三滤波器13也可以具有纵向耦合型的滤波器结构。由此，能够使第一滤波器11以及第三滤波器13适应要求衰减强化等的滤波器特性。

另外，作为弹性波谐振器的结构，例示弹性表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)谐振器、SMR(Solidly Mounted Resonator)以及使用了BAW(Bulk Acoustic Wave)的FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)等。

这里，第一滤波器11以及第三滤波器13分别包含两个以上的弹性波谐振器，在从天线共用端子101侧以单体观察构成第一滤波器11的上述两个以上的弹性波谐振器中配置于天线共用端子101侧的一个以上的弹性波谐振器的情况下的第二通带中的反射系数也可以比在从天线共用端子101侧以单体观察构成第三滤波器13的上述两个以上的弹性波谐振器中配置于天线共用端子101侧的一个以上的弹性波谐振器的情况下的第二通带中的反射系数大。

在由多个弹性波谐振器构成的滤波器中，对于从天线共用端子101侧观察到的反射系数而言，最接近天线共用端子101的一个弹性波谐振器的反射系数是主导性的。由此，能够有效减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。

以下，例示通过前段的第一滤波器11增大反射系数，通过后段的第三滤波器提高通过特性、衰减特性、温度特性以及带宽等滤波器特性的具体的结构的组合。

首先，对弹性波谐振器的结构的一个例子进行说明。

[2.1弹性波谐振器结构]

图6是示意性地表示实施方式2的滤波器谐振器的俯视图以及剖视图的一个例子。在图6中，示出了本实施方式的弹性波谐振器(串联臂谐振器以及并联臂谐振器)例如是弹性表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)谐振器的情况。此外，在该图中，例示出表示构成第一滤波器11以及第三滤波器13的多个谐振器中的一个弹性波谐振器的结构的平面示意图以及剖面示意图。此外，图6所示的弹性波谐振器是用于说明上述多个谐振器的典型的结构的例子，构成电极的电极指的根数、长度等并不限于此。

第一滤波器11以及第三滤波器13的各谐振器由具有压电体层83的基板80、具有梳形形状的IDT(InterDigital Transducer：叉指式换能器)电极71a以及71b构成。

如图6的俯视图所示，在压电体层83上形成有相互对置的一对IDT电极71a以及71b。IDT电极71a由相互平行的多个电极指172a和连接多个电极指172a的母线电极171a构成。另外，IDT电极71b由相互平行的多个电极指172b和连接多个电极指172b的母线电极171b构成。多个电极指172a以及172b沿着与X轴方向正交的方向形成。

另外，如图7的剖视图所示，多个电极指172a及172b以及由母线电极171a及171b构成的IDT电极71为紧贴层72和主电极层73的层叠结构。

紧贴层72是用于提高压电体层83与主电极层73的紧贴性的层，作为材料例如可使用Ti。紧贴层72的膜厚例如是10nm左右。

对于主电极层73而言，作为材料，例如可使用含有1％的Cu的Al。主电极层73的膜厚例如为130nm左右。

保护膜84形成为覆盖IDT电极71a以及71b。保护膜84是保护主电极层73以防外部环境影响的、以调整频率温度特性以及提高耐湿性等为目的的层，例如，是以二氧化硅为主要成分的膜。保护膜84的膜厚例如为30nm左右。

此外，构成紧贴层72、主电极层73以及保护膜84的材料并不限于上述的材料。另外，IDT电极71也可以不是上述层叠结构。IDT电极71例如可以由Ti、Al、Cu、Pt、Au、Ag、Pd等金属或者合金构成，另外，也可以通过由上述的金属或者合金构成的多个层叠体构成。另外，也可以不形成保护膜84。

接着，对基板80的层叠结构进行说明。

如图6的下段所示，基板80具备高音速支承基板81、低音速膜82以及压电体层83，并具有依次层叠高音速支承基板81、低音速膜82以及压电体层83而成的结构(音速膜层叠结构)。

压电体层83例如由42°Y切割X传播LiTaO₃压电单晶或者压电陶瓷(是通过将以X轴为中心轴从Y轴旋转了42°的轴作为法线的面切断而成的钽酸锂单晶或者陶瓷、弹性表面波沿X轴方向传播的单晶或者陶瓷)构成。在该情况下，弹性波谐振器利用泄漏波作为弹性波。

另外，压电体层83例如由128°Y切割X传播LiNbO₃压电单晶或者压电陶瓷构成。在该情况下，弹性波谐振器利用瑞利波作为弹性波。

另外，压电体层83例如由Y切割X传播LiNbO₃压电单晶或者压电陶瓷构成。在该情况下，弹性波谐振器利用洛夫波作为弹性波。

此外，压电体层83的单晶材料、切割角、层叠结构可以根据滤波器的要求式样(通过特性、衰减特性、温度特性以及带宽等滤波器特性)等适当地选择。

高音速支承基板81是支承低音速膜82、压电体层83以及IDT电极71的基板。高音速支承基板81还是与在压电体层83中传播的表面波、边界波的弹性波相比，高音速支承基板81中的体波的音速为高速的基板，起到将弹性表面波封闭到层叠压电体层83以及低音速膜82而成的部分，避免其泄漏到高音速支承基板81靠下方的功能。高音速支承基板81例如是硅基板，厚度例如为200μm。此外，高音速支承基板81也可以由以下任意一种材料构成：(1)氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂或者水晶等的压电体，(2)矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石或者镁橄榄石等各种陶瓷，(3)镁钻石，(4)以上述各材料为主要成分的材料，以及(5)以上述各材料的混合物为主要成分的材料。

低音速膜82是与在压电体层83中传播的弹性波的音速相比，低音速膜82中的体波的音速为低速的膜，配置在压电体层83与高音速支承基板81之间。通过该结构和弹性波将能量集中于本质上为低音速的介质的性质，可抑制弹性表面波能量向IDT电极外的泄漏。低音速膜82例如是以二氧化硅为主要成分的膜。低音速膜82的厚度例如为500nm左右。

根据基板80的上述音速膜层叠结构，与使用单层的压电基板的以往的结构相比较，能够大幅提高谐振频率以及反谐振频率中的Q值。即，由于可构成Q值较高的弹性表面波谐振器，所以能够使用该弹性表面波谐振器，构成***损耗较小的滤波器。

此外，高音速支承基板81也可以具有层叠支承基板和与在压电体层83中传播的表面波、边界波的弹性波相比所传播的体波的音速为高速的高音速膜而成的结构。在该情况下，支承基板能够使用蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、水晶等压电体；矾土、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石等各种陶瓷；玻璃等电介质；或者硅、氮化镓等半导体以及树脂基板等。另外，高音速膜能够使用氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或者钻石、以上述材料为主要成分的介质、以上述材料的混合物为主要成分的介质等各种高音速材料。

此外，在上述说明中，示出了构成弹性波谐振器的IDT电极71形成在具有压电体层83的基板80上的例子，但形成IDT电极71的基板也可以是由压电体层83的单层构成的压电基板。该情况下的压电基板例如由LiTaO₃的压电单晶或者LiNbO₃等其他压电单晶构成。

另外，形成IDT电极71的基板只要具有压电体层83，除了整体由压电体层构成的结构以外，也可以使用在支承基板上层叠有压电体层的结构。

这里，对IDT电极71的设计参数进行说明。所谓的弹性表面波谐振器的波长由图6的中段所示的构成IDT电极71的多个电极指172a或者172b的反复周期亦即波长λ来规定。另外，电极间距为波长λ的1/2，在将构成IDT电极71a以及71b的电极指172a以及172b的线宽设为W，将相邻的电极指172a与电极指172b之间的空间宽度设为S的情况下，通过(W+S)来定义。另外，如图6的上段所示，IDT电极的交叉宽度L为IDT电极71a的电极指172a和IDT电极71b的电极指172b的从X轴方向观察的情况下的重叠的电极指长度。另外，各谐振器的电极占空比是多个电极指172a以及172b的线宽占有率，是该线宽相对于多个电极指172a以及172b的线宽与空间宽度的相加值的比例，通过W/(W+S)来定义。

[2.2弹性波谐振器结构-低频区域1中的反射系数]

以下，例示通过第一滤波器11增大反射系数，通过第三滤波器13提高通过特性、衰减特性、温度特性以及带宽等滤波器特性的具体的结构的组合。

图7A是对实施方式2的变形例2的高频前端电路的低频区域1中的反射特性进行说明的图。如该图的下段所示，在弹性波谐振器的阻抗特性中，确认阻抗为极小值的谐振点以及阻抗为极大值的反谐振点。这里，在比谐振点靠低频侧的区域(图7A的低频区域1)，根据弹性波谐振器的结构，阻抗不同，根据该阻抗的大小反射特性存在优劣。更具体而言，利用(1)在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波、(2)在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波、及(3)在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波的任意一个作为弹性表面波来利用的结构、以及(4)上述音速膜层叠结构与SMR或者FBAR相比，低频区域1中的反射系数损耗较大。

图7B是表示实施方式2的第一滤波器11以及第三滤波器13的结构的组合的图。

根据上述反射系数的关系，在第一滤波器11的第一通带位于比第二滤波器12的第二通带靠高频侧的情况下，如图7B所示，在本实施方式的高频前端电路中，在第一滤波器11中可以为将以下任意一个作为弹性表面波来利用的结构：(1)在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波；(2)在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波；以及(3)在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波。

由此，在高频前端电路中，能够使第一滤波器11的第二通带(第二滤波器12的通带)中的反射系数比第三滤波器13的第二通带(第二滤波器12的通带)中的反射系数大。由此，能够减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。

另一方面，在第三滤波器13中，弹性波谐振器也可以由SMR或者FBAR构成。

由此，通过第一滤波器11的结构能够增大第二滤波器12的反射系数，并且通过第三滤波器13的上述结构，能够确保第二滤波器12的低损耗性以及通带的陡度。

另外，如图7B所示，也可以为构成第一滤波器11的弹性波谐振器分别具有上述的音速膜层叠结构，在第三滤波器13中，弹性波谐振器由SMR或者FBAR构成。

由此，在高频前端电路中，能够使第一滤波器11的第二通带(第二滤波器12的通带)中的反射系数比第三滤波器13的第二通带(第二滤波器12的通带)中的反射系数大。因此，能够减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。通过第一滤波器11的结构能够增大第二滤波器12的反射系数，并且通过第三滤波器13的上述结构，能够确保第二滤波器12的低损耗性以及通带的陡度。

[2.3弹性波谐振器结构-高频区域1中的体波泄漏]

图8A是对实施方式2的变形例1的高频前端电路的高频区域1中的体波泄漏进行说明的图。如该图的下段所示，在比弹性波谐振器的反谐振点靠高频侧的区域(图8A的高频区域1)中，产生由体波泄漏(无用波)引起的阻抗的变化，根据该阻抗的变化反射特性存在优劣。更具体而言，高频区域1中的由体波泄漏引起的反射损耗从小到大依次为：(1)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性波的结构、SMR、FBAR；(2)音速膜层叠结构；(3)利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性波的结构；(4)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性波的结构。

图8B所示表示实施方式2的变形例1的第一滤波器11以及第三滤波器13的结构的组合的图。

根据上述反射损耗的优劣顺序，在第一滤波器11的第一通带位于比第二滤波器12的第二通带靠低频侧的情况下，如图8B所示，在高频前端电路的低频侧的第一滤波器11中，也可以为以下任意一种情况：(1)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波的结构；(2)弹性波谐振器由SMR构成；以及(3)弹性波谐振器由FBAR构成。

由此，在高频前端电路中，能够使低频侧的第一滤波器11的第二通带(高频侧的第二滤波器12的通带)中的反射系数比第三滤波器13的第二通带(高频侧的第二滤波器12的通带)中的反射系数大。因此，能够减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。

另一方面，第三滤波器13也可以具有以下任意一种结构：(1)上述音速膜层叠结构；(2)利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波的结构；以及(3)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波的结构。

由此，通过第一滤波器11的结构能够增大第一滤波器11的反射系数，并且在使第三滤波器13成为音速膜层叠结构的情况下，能够确保第三滤波器13的低损耗性以及良好的温度特性。另外，在第三滤波器13中利用由LiNbO₃的洛夫波作为弹性表面波的情况下，能够确保第三滤波器13的较宽的带宽。

另外，也可以为在第一滤波器11中，弹性波谐振器具有上述音速膜层叠结构，在第三滤波器13中，具有(1)利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波的结构、或者(2)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波的结构。

由此，在高频前端电路中，能够使低频侧的第一滤波器11的第二通带(高频侧的第二滤波器12的通带)中的反射系数比第三滤波器13的第二通带(高频侧的第二滤波器12的通带)中的反射系数大。因此，能够减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。进一步，在第三滤波器13中利用了LiNbO₃的洛夫波作为弹性表面波的情况下，能够确保第三滤波器13的较宽的带宽。

另外，也可以为在第一滤波器11中，具有利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波的结构，在第三滤波器13中，具有利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波的结构。

因此，在高频前端电路中，能够使低频侧的第一滤波器11的第二通带(高频侧的第二滤波器12的通带)中的反射系数比第三滤波器13的第二通带(高频侧的第二滤波器12的通带)中的反射系数大。由此，能够减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。进一步，在第三滤波器13中利用LiNbO₃的洛夫波作为弹性表面波的情况下，能够确保第三滤波器13的较宽的带宽。

[2.4弹性波谐振器结构-低频区域2中的杂波]

图9A是对实施方式2的变形例2的高频前端电路的低频区域2中的杂波的产生进行说明的图。如该图的下段所示，在比弹性波谐振器的谐振点靠低频侧的区域(图9A的低频区域2)，特别是，在上述音速膜层叠结构或者利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性波的结构中，在谐振频率的0.76倍附近产生瑞利波的杂波。由于该杂波产生，阻抗发生变化，随着该阻抗的变化反射系数变小。

图9B是表示实施方式2的变形例2的第一滤波器以及第三滤波器的结构的组合的图。

在第一滤波器11的第一通带位于比第二滤波器12的第二通带靠高频侧的情况下，如图9B所示，也可以为第一滤波器11是以下的任意一种情况：(1)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波的结构；(2)利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波的结构；(3)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波的结构；(4)弹性波谐振器由SMR构成；以及(5)弹性波谐振器由FBAR构成，第三滤波器13的弹性波谐振器具有上述音速膜层叠结构。

换句话说，通过使第三滤波器13成为音速膜层叠结构，并不使第一滤波器11成为音速膜层叠结构，能够增大第一滤波器11的第二通带(低频侧的第二滤波器12的通带)中的反射系数。因此，在高频前端电路中，能够减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。

另外，如图9B所示，也可以为第一滤波器11是以下的任意一种情况：(1)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波的结构；(2)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波的结构；(3)上述音速膜层叠结构；(4)弹性波谐振器由SMR构成；以及(5)弹性波谐振器由FBAR构成，第三滤波器13具有利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波的结构。

换句话说，通过在第三滤波器13中利用LiTaO₃的泄漏波作为弹性波，在第一滤波器11中不利用LiTaO₃的泄漏波作为弹性波，能够增大第一滤波器11的第二通带(低频侧的第二滤波器12的通带)中的反射系数。因此，在高频前端电路中，能够减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。

[2.5弹性波谐振器结构-高频区域2中的高次模]

图10A是对实施方式2的变形例3的高频前端电路的高频区域2中的高次模的产生进行说明的图。如该图的下段所示，在比弹性波谐振器的谐振点靠高频侧的区域(图10A的高频区域2)，特别是，在利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波的结构、或者利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波的结构中，在谐振频率的1.2倍附近产生高次模。由于产生该高次模，阻抗发生变化，随着该阻抗的变化反射系数变小。

图10B是表示实施方式2的变形例3的第一滤波器11以及第三滤波器13的结构的组合的图。

在第一滤波器11的第一通带位于比第二滤波器12的第二通带靠低频侧的情况下，如图10B所示，也可以为第一滤波器11具有以下的任意一种结构：(1)上述音速膜层叠结构；(2)利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波的结构；(3)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波的结构；(4)SMR；以及(5)FBAR，第三滤波器13具有利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波的结构。

换句话说，通过在第三滤波器13中利用LiNbO₃的瑞利波作为弹性波，在第一滤波器11中不利用LiNbO₃的瑞利波作为弹性波，能够增大第一滤波器11的第二通带(高频侧的第二滤波器12的通带)中的反射系数。因此，在高频前端电路中，能够减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。

另外，如图10B所示，也可以为第一滤波器11具有以下的任意一种结构：(1)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波的结构；(2)上述音速膜层叠结构；(3)利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波的结构；(4)SMR；以及(5)FBAR，在第三滤波器13中，具有利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波的结构。

换句话说，通过在第三滤波器13中利用LiNbO₃的洛夫波作为弹性波，在第一滤波器11中不利用LiNbO₃的洛夫波作为弹性波，能够增大第一滤波器11的第二通带(高频侧的第二滤波器12的通带)中的反射系数。因此，在高频前端电路中，能够减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。

[2.6弹性波谐振器结构参数的调整]

图11A是表示实施方式2的第一滤波器11的由高次模引起的反射损耗的劣化的图。如该图所示，对于从天线共用端子101(Port1)观察到的第一滤波器11的反射损耗而言，在谐振点的高频侧，因高次模而增大(图11A的虚线区域)。这里，通过使弹性波谐振器的结构参数变化，能够使因高次模而反射损耗增大的频率向高频侧或者低频侧偏移。或者，通过使弹性波谐振器的结构参数变化，能够抑制反射损耗因高次模的增大。

从该观点考虑，发明者们发现了在对反射特性影响较大的第一滤波器11中，通过使结构参数变化来使高次模、杂波等的产生频率向第二滤波器12的通带外偏移，在对反射特性影响较小的第三滤波器13中，为了确保通过特性、衰减特性、温度特性以及带宽等滤波器特性使结构参数最佳化。

图11B是表示实施方式2的变形例4的使第一滤波器11以及第三滤波器13的结构不同的参数的图。

构成第一滤波器11的弹性波谐振器分别是由具有压电体层83的基板80和形成在该基板上的IDT电极71构成的弹性表面波谐振器。在第一滤波器11以及第三滤波器中，如图11B所示，利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波，在构成第一滤波器11的IDT电极71和构成第三滤波器13的IDT电极71中，电极膜厚或者占空比不同。

在利用LiTaO₃的泄漏波作为弹性波的情况下，在弹性波谐振器的谐振频率的低频侧产生瑞利波的杂波。与此相对，在第一滤波器11和第三滤波器13中，通过使IDT电极71的电极膜厚或者占空比不同，能够使第一滤波器11中的瑞利波杂波的产生频率向第二通带(低频侧的第二滤波器12的通带)外偏移。由此，能够增大第一滤波器11的第二通带(低频侧的第二滤波器12的通带)中的反射系数，并能够减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。

另外，在第一滤波器11以及第三滤波器13中，如图11B所示，弹性波谐振器具有上述音速膜层叠结构，在第一滤波器11和第三滤波器13中，也可以使IDT电极71的电极膜厚、IDT电极71的占空比以及低音速膜82的膜厚的任意一个不同。

在采用音速膜层叠结构的情况下，在弹性波谐振器的谐振频率的低频侧产生瑞利波的杂波。与此相对，在第一滤波器11和第三滤波器13中，通过使IDT电极71的电极膜厚或者占空比不同，能够使第一滤波器11中的瑞利波杂波的产生频率向第二通带(低频侧的第二滤波器12的通带)外偏移。由此，能够增大第一滤波器11的第二通带(低频侧的第二滤波器12的通带)中的反射系数，并能够减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。

图11C是表示实施方式2的变形例5的使第一滤波器11以及第三滤波器13的结构不同的参数的图。

构成第一滤波器11以及第三滤波器13的弹性波谐振器分别是由具有压电体层83的基板80、形成在该基板上的IDT电极71以及形成在该IDT电极71上的保护膜84构成的弹性表面波谐振器。在低频侧的第一滤波器11以及第三滤波器13中，如图11C所示，利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波、或者在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波，在第一滤波器11和第三滤波器13中，IDT电极71的电极膜厚、IDT电极71的占空比以及保护膜84的膜厚的任意一个不同。

在利用LiNbO₃的瑞利波、或者LiNbO₃的洛夫波作为弹性表面波的情况下，在弹性波谐振器的谐振频率的高频侧产生高次模。与此相对，在第一滤波器11和第三滤波器13中，通过使IDT电极71的电极膜厚、IDT电极71的占空比或者低音速膜82的膜厚不同，能够使第一滤波器11中的高次模的产生频率向第二通带(高频侧的第二滤波器12的通带)外偏移。由此，能够增大第一滤波器11的第二通带(高频侧的第二滤波器12的通带)中的反射系数，并能够减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。

另外，在第一滤波器11以及第三滤波器13中，如图11C所示，弹性波谐振器具有上述音速膜层叠结构，高音速支承基板81由硅晶体构成，在第一滤波器11和第三滤波器13中，压电体层83的膜厚、低音速膜82的膜厚以及高音速支承基板81的硅晶体取向的任意一个也可以不同。

在采用音速膜层叠结构的情况下，在弹性波谐振器的谐振频率的高频侧产生高次模。与此相对，在第一滤波器11和第三滤波器13中，通过使压电体层83的膜厚、低音速膜82的膜厚或者高音速支承基板81的硅晶体取向不同，能够使第一滤波器11中的高次模的产生频率向第二通带(高频侧的第二滤波器12的通带)外偏移。由此，能够增大第一滤波器11的第二通带(高频侧的第二滤波器12的通带)中的反射系数，并能够减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。

图12是表示实施方式2的变形例6的使第一滤波器11以及第三滤波器13的结构不同的参数的图。

构成第一滤波器11以及第三滤波器13的弹性波谐振器分别是由具有压电体层83的基板80和形成在该基板上的IDT电极71构成的弹性表面波谐振器。在第一滤波器11以及第三滤波器13中，利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波、或者在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波，在第一滤波器11和第三滤波器13中，IDT电极71的电极膜厚不同。

在利用LiTaO₃的泄漏波或者LiNbO₃的洛夫波作为弹性表面波的情况下，在弹性波谐振器的谐振频率的高频侧产生体波(无用波)。与此相对，在第一滤波器11和第三滤波器13中，通过使IDT电极71的电极膜厚不同，能够使第一滤波器11中的体波的产生频率向第二通带(高频侧的第二滤波器12的通带)外偏移。由此，能够增大第一滤波器11的第二通带(高频侧的第二滤波器12的通带)中的反射系数，并能够减少第二滤波器12的第二通带中的***损耗中由第一滤波器11、第三滤波器13或者其双方引起的***损耗。

(实施方式3)

在本实施方式中，对实现由与天线共用端子连接的分波电路和配置于该分波电路的后段的与各频段对应的滤波器构成的高频前端电路的低损耗化以及小型化的结构进行说明。

图13A是实施方式3的高频前端电路6的电路结构图。该图所示的高频前端电路6具备天线共用端子101、LB滤波器11L、MB滤波器11M、HB滤波器11H、B3用的滤波器13b、B30用的13f、LNA31、32以及34。

LB滤波器11L、MB滤波器11M以及HB滤波器11H是与天线元件连接的分波电路。

LB滤波器11L是以低频段范围(例如2GHz以下)为通带的低频区域通过侧滤波器。

HB滤波器11H是以高频段范围(例如2.3GHz以上)为通带的高频区域通过侧滤波器。

MB滤波器11M是以Band66(2110－2200MHz)为通带的带通滤波器。

滤波器13b是以Band3(1805－1880MHz)为通带的带通滤波器。

滤波器13f是以Band30(2350－2360MHz)为通带的带通滤波器。

这里，Band66的通带(2110－2200MHz)处于包含Band1的通带(2110－2170MHz)以及Band4的通带(2110－2155MHz)的关系。

由此，能够使Band1以及Band4的信号传播路径共用Band66的信号传播路径。换句话说，Band1以及Band4的高频信号在从MB滤波器11M到LNA31的信号路径上传播。

此外，在上述电路结构中，作为进行CA动作的组合，为Band1与Band3的CA动作、以及Band4与Band30的CA动作。换句话说，频带重叠的Band1和Band4不进行CA动作。

图13B是比较例的高频前端电路600的电路结构图。作为实现Band1与Band3的CA动作、以及Band4与Band30的CA动作的电路结构，以往，提出了比较例的高频前端电路600。高频前端电路600具备天线共用端子101、开关21、B1用的滤波器13p、B3用的滤波器13b、B4用的滤波器13p及B30用的滤波器13f、以及LNA31、32、31及34。在该结构中，通过切换开关21，来选择Band1与Band3的CA动作或者Band4与Band30的CA动作。

在实施这样的CA动作的情况下，如比较例所示，一般另准备B1用的滤波器13p和B4用的滤波器13p，并通过利用开关21进行切换来应对。然而，由于Band1和Band4的通带大部分重叠，所以如本实施方式的高频前端电路6那样，能够通过使用宽带的MB滤波器11M使滤波器共享化。与此相对，在比较例中，在占有面积上产生浪费。

换句话说，根据本实施方式的高频前端电路6，能够使Band1以及Band4的高频信号共享以Band66为通带的MB滤波器11M。由此，通过一个带通滤波器实现多个频段的通带，从而可实现节省空间化。进一步，由于能够减少Band1以及Band4的高频信号所通过的滤波器的数量，所以能够改善高频信号的传播损耗。

(其他变形例等)

以上，对于本发明的实施方式的复用器、高频前端电路以及通信装置，举出实施方式及其变形例进行了说明，但组合上述实施方式以及变形例中的任意的构成要素来实现的其它的实施方式、对上述实施方式在不脱离本发明的主旨的范围内实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置有本发明的高频前端电路以及通信装置的各种设备也包含于本发明。

例如，在上述说明中，作为复用器，以两个接收信号路径通过共用端子共用连接而成的2分波/合波电路为例进行了说明，但本发明也能够应用于例如包含发送路径以及接收路径双方的电路、三个以上的信号路径通过共用端子共用连接而成的分波/合波电路。

另外，在复用器所具有的各滤波器中，还可以在输入输出端子以及接地端子等的各端子之间连接有电感器、电容器，也可以附加电阻元件等电感器以及电容器以外的电路元件。

本发明作为能够应用于多频段化以及多模化的频率规格的低损耗、小型以及低成本的复用器、高频前端电路以及通信装置，能够广泛利用于移动电话等通信设备。

附图标记说明

1、2、2A、2B、2C、2D、6、600…高频前端电路；3…通信装置；10、14…分波电路；10A…低通滤波器；10B…高通滤波器；11…第一滤波器；11A、11L1…MLB滤波器；11B、11M2…MBb滤波器；11C、11MH1…MHBa滤波器；11D、11H2…HBb滤波器；11H…HB滤波器；11H1…HBa滤波器；11L…LB滤波器；11M…MB滤波器；11M1…MBa滤波器；11X、12H…通带；12…第二滤波器；13…第三滤波器；13a、13b、13c、13d、13e、13f、13g、13h、13j、13k、13p…滤波器；13r1…接收滤波器；13t、13t1…发送滤波器；15…滤波电路；21、22、21A、21C、21D、21E、21F、21G、22A、22B、22C、22D…开关；21a，12b…选择端子；21c…共用端子；30…放大电路；31、32、33、34、35、36…LNA；71、71a、71b…IDT电极；72…紧贴层；73…主电极层；80…基板；81…高音速支承基板；82…低音速膜；83…压电体层；84…保护膜；101…天线共用端子；102、103…输入输出端子；171a、171b…母线电极；172a、172b…电极指。

Claims (31)

1.一种高频前端电路，具备：

天线共用端子，其与天线元件连接；

第一输入输出端子及第二输入输出端子；

第一滤波器，其具有第一端子以及第二端子并具有第一通带，上述第一端子与上述天线共用端子连接；

第二滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第二输入输出端子之间，且具有与上述第一通带不同的第二通带；

开关，其具有共用端子及多个选择端子，上述共用端子与上述第二端子连接；以及

第三滤波器，其与上述多个选择端子中的第一选择端子连接，并配置在上述开关与上述第一输入输出端子之间，

上述第二通带中的反射系数在从上述天线共用端子侧以单体观察上述第一滤波器时比在从上述天线共用端子侧以单体观察上述第三滤波器时大。

2.根据权利要求1所述的高频前端电路，

上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含两个以上的弹性波谐振器，

在从上述天线共用端子侧以单体观察构成上述第一滤波器的上述两个以上的弹性波谐振器中配置于上述天线共用端子侧的一个以上的弹性波谐振器的情况下的上述第二通带中的反射系数比在从上述天线共用端子侧以单体观察构成上述第三滤波器的上述两个以上的弹性波谐振器中配置于上述天线共用端子侧的一个以上的弹性波谐振器的情况下的上述第二通带中的反射系数大。

3.根据权利要求1或者2所述的高频前端电路，

上述第一滤波器以及上述第三滤波器的至少一方具有梯型的滤波器结构，

配置于上述天线共用端子侧的一个以上的弹性波谐振器包含串联臂谐振器以及并联臂谐振器的至少一方。

4.根据权利要求1或2所述的高频前端电路，

上述第一滤波器以及上述第三滤波器的至少一方具有纵向耦合型的滤波器结构。

5.根据权利要求1或2所述的高频前端电路，

上述第二输入输出端子与第二放大电路连接，

在上述第二滤波器与上述第二放大电路之间不配置滤波电路。

6.根据权利要求1或2所述的高频前端电路，还具备：

第三输入输出端子；以及

第四滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第三输入输出端子之间，且具有第三通带，

上述第一滤波器、上述第二滤波器以及上述第四滤波器构成三工器，

上述第一通带、上述第二通带以及上述第三通带应用于低频段即LB：698－960MHz、中频段即MBa：1710－2200MHz、高频段即HBa：2300－2690MHz，

上述第一通带是上述低频段、上述中频段以及上述高频段的任意一个。

7.根据权利要求1或2所述的高频前端电路，还具备：

第三输入输出端子及第四输入输出端子；

第四滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第三输入输出端子之间，且具有第三通带；以及

第五滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第四输入输出端子之间，且具有第四通带，

上述第一滤波器、上述第二滤波器、上述第四滤波器以及上述第五滤波器构成四工器，

上述第一通带、上述第二通带、上述第三通带以及上述第四通带应用于低频段即LB：698－960MHz、中频段即MBa：1710－2200MHz、中高频段即MHBa：2300－2400MHz、高频段即HBb：2496－2690MHz，

上述第一通带是上述低频段、上述中频段、上述中高频段以及上述高频段的任意一个。

8.根据权利要求1或2所述的高频前端电路，还具备：

第三输入输出端子及第四输入输出端子；

第四滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第三输入输出端子之间，且具有第三通带；以及

第五滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第四输入输出端子之间，且具有第四通带，

上述第一滤波器、上述第二滤波器、上述第四滤波器以及上述第五滤波器构成四工器，

上述第一通带、上述第二通带、上述第三通带以及上述第四通带应用于中低频段即MLB：1475.9－2025MHz、中频段即MBb：2110－2200MHz、中高频段即MHBa：2300－2400MHz或者MHBb：2300－2370MHz、高频段即HBb：2496－2690MHz，

上述第一通带是上述中低频段、上述中频段、上述中高频段以及上述高频段的任意一个。

9.根据权利要求5所述的高频前端电路，还具备：

第三输入输出端子及第四输入输出端子；

第四滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第三输入输出端子之间，且具有第三通带；以及

第五滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第四输入输出端子之间，且具有第四通带，

上述第一滤波器、上述第二滤波器、上述第四滤波器以及上述第五滤波器构成四工器，

上述第一通带、上述第二通带、上述第三通带以及上述第四通带应用于中低频段即MLB：1475.9－2025MHz、中频段即MBb：2110－2200MHz、中高频段即MHBa：2300－2400MHz或者MHBb：2300－2370MHz、高频段即HBb：2496－2690MHz，

上述第一通带是上述中低频段、上述中频段以及上述高频段的任意一个，

上述第二通带是上述中高频段，

在连接上述第二滤波器和上述第二放大电路的信号路径上，不配置滤波电路。

10.根据权利要求9所述的高频前端电路，

连接上述第二滤波器和上述第二放大电路的信号路径是进行Band40a的收发的路径，Band40a的接收频带为2300－2370MHz。

11.根据权利要求9所述的高频前端电路，

连接上述第二滤波器和上述第二放大电路的上述信号路径是进行Band40的收发的路径，Band40的接收频带为2300－2400MHz。

12.根据权利要求5所述的高频前端电路，还具备：

第三输入输出端子及第四输入输出端子；

第四滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第三输入输出端子之间，且具有第三通带；以及

第五滤波器，其与上述天线共用端子连接并配置在上述天线共用端子与上述第四输入输出端子之间，且具有第四通带，

上述第一滤波器、上述第二滤波器、上述第四滤波器以及上述第五滤波器构成四工器，

上述第一通带、上述第二通带、上述第三通带以及上述第四通带应用于中低频段即MLB：1475.9－2025MHz、中频段即MBb：2110－2200MHz、中高频段即MHBa：2300－2400MHz或者MHBb：2300－2370MHz、高频段即HBb：2496－2690MHz，

上述第一通带是上述中低频段、上述中频段以及上述中高频段的任意一个，

上述第二通带是上述高频段，

在连接上述第二滤波器和上述第二放大电路的信号路径上，不配置滤波电路。

13.根据权利要求10所述的高频前端电路，

连接上述第二滤波器和上述第二放大电路的上述信号路径是进行Band41的收发的路径，Band41的接收频带为2496－2690MHz。

14.根据权利要求1或2所述的高频前端电路，

上述第一通带位于比上述第二通带靠高频侧，

上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，

构成上述第一滤波器的上述一个以上的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，

在上述第一滤波器中，利用以下任意一个作为弹性表面波：(1)在由LiNbO₃构成的上述压电体层中传播的瑞利波；(2)在由LiTaO₃构成的上述压电体层中传播的泄漏波；以及(3)在由LiNbO₃构成的上述压电体层中传播的洛夫波。

15.根据权利要求14所述的高频前端电路，

在上述第三滤波器中，弹性波谐振器由SMR(Solidly Mounted Resonator)或者FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)构成。

16.根据权利要求1或2所述的高频前端电路，

上述第一通带位于比上述第二通带靠高频侧，

上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，

构成上述第一滤波器的上述一个以上的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，

在上述第一滤波器中，弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有上述IDT电极的上述压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板、以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构，

在上述第三滤波器中，弹性波谐振器由SMR或者FBAR构成。

17.根据权利要求1或2所述的高频前端电路，

上述第一通带位于比上述第二通带靠低频侧，

上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，

在上述第一滤波器中，是以下任意一种情况：(1)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波；(2)弹性波谐振器由SMR构成；以及(3)弹性波谐振器由FBAR构成。

18.根据权利要求17所述的高频前端电路，

在上述第三滤波器中，是以下任意一种情况：(1)弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有IDT电极的压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板、以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构；(2)利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波；以及(3)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波。

19.根据权利要求1或2所述的高频前端电路，

上述第一通带位于比上述第二通带靠低频侧，

上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，

构成上述第一滤波器以及上述第三滤波器的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，

在上述第一滤波器中，弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有上述IDT电极的上述压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板、以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构，

在上述第三滤波器中，(1)利用在由LiTaO₃构成的上述压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波，或者(2)利用在由LiNbO₃构成的上述压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波。

20.根据权利要求1或2所述的高频前端电路，

上述第一通带位于比上述第二通带靠低频侧，

上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，

构成上述第一滤波器以及上述第三滤波器的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，

在上述第一滤波器中，利用在由LiTaO₃构成的上述压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波，

在上述第三滤波器中，利用在由LiNbO₃构成的上述压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波。

21.根据权利要求1或2所述的高频前端电路，

上述第一通带位于比上述第二通带靠高频侧，

上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，

在上述第一滤波器中，是以下任意一种情况：(1)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波；(2)利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波；(3)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波；(4)弹性波谐振器由SMR构成；以及(5)弹性波谐振器由FBAR构成，

在上述第三滤波器中，弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有IDT电极的压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板、以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构。

22.根据权利要求1或2所述的高频前端电路，

上述第一通带位于比上述第二通带靠高频侧，

上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，

在上述第一滤波器中，是以下任意一种情况：(1)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波；(2)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波；(3)弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有IDT电极的压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板、以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构；(4)弹性波谐振器由SMR构成；以及(5)弹性波谐振器由FBAR构成，

在上述第三滤波器中，利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波。

23.根据权利要求1或2所述的高频前端电路，

上述第一通带位于比上述第二通带靠低频侧，

上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，

在上述第一滤波器中，是以下任意一种情况：(1)弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有IDT电极的压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板、以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构；(2)利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波；(3)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波；(4)弹性波谐振器由SMR构成；以及(5)弹性波谐振器由FBAR构成，

在上述第三滤波器中，利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波。

24.根据权利要求1或2所述的高频前端电路，

上述第一通带位于比上述第二通带靠低频侧，

上述第一滤波器以及上述第三滤波器分别包含一个以上的弹性波谐振器，

在上述第一滤波器中，是以下任意一种情况：(1)利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的瑞利波作为弹性表面波；(2)弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有IDT电极的压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板、以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构；(3)利用在由LiTaO₃构成的压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波；(4)弹性波谐振器由SMR构成；以及(5)弹性波谐振器由FBAR构成，

在上述第三滤波器中，利用在由LiNbO₃构成的压电体层中传播的洛夫波作为弹性表面波。

25.根据权利要求2所述的高频前端电路，

构成上述第一滤波器以及上述第三滤波器的上述两个以上的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，

在上述第一滤波器以及上述第三滤波器中，利用在由LiTaO3构成的上述压电体层中传播的泄漏波作为弹性表面波，

在构成上述第一滤波器的上述IDT电极和构成上述第三滤波器的上述IDT电极中，膜厚或者占空比不同。

26.根据权利要求2所述的高频前端电路，

构成上述第一滤波器以及上述第三滤波器的上述两个以上的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，

在上述第一滤波器以及上述第三滤波器中，弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有IDT电极的上述压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板、以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构，

在上述第一滤波器和上述第三滤波器中，上述IDT电极的膜厚、上述IDT电极的占空比以及上述低音速膜的膜厚的任意一个不同。

27.根据权利要求2所述的高频前端电路，

构成上述第一滤波器以及上述第三滤波器的上述两个以上的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板、形成在该基板上的IDT电极以及形成在该IDT电极上的保护膜构成的弹性表面波谐振器，

在上述第一滤波器以及上述第三滤波器中，利用(1)在由LiNbO₃构成的上述压电体层中传播的瑞利波或者(2)在由LiNbO₃构成的上述压电体层中传播的洛夫波，来作为弹性表面波；

在上述第一滤波器和上述第三滤波器中，上述IDT电极的膜厚、上述IDT电极的占空比以及上述保护膜的膜厚的任意一个不同。

28.根据权利要求2所述的高频前端电路，

构成上述第一滤波器以及上述第三滤波器的上述两个以上的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，

在上述第一滤波器以及上述第三滤波器中，弹性波谐振器具有由在一方的主面上形成有IDT电极的上述压电体层、与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为高速的高音速支承基板、以及配置在上述高音速支承基板与上述压电体层之间且与在上述压电体层中传播的弹性波音速相比所传播的体波音速为低速的低音速膜构成的音速膜层叠结构，

上述高音速支承基板由硅晶体构成，

在上述第一滤波器和上述第三滤波器中，上述压电体层的膜厚、上述低音速膜的膜厚以及上述高音速支承基板的硅晶体取向的任意一个不同。

29.根据权利要求2所述的高频前端电路，

构成上述第一滤波器以及上述第三滤波器的上述两个以上的弹性波谐振器分别是由具有压电体层的基板和形成在该基板上的IDT电极构成的弹性表面波谐振器，

在上述第一滤波器以及上述第三滤波器中，利用(1)在由LiTaO₃构成的上述压电体层中传播的泄漏波或者(2)在由LiNbO₃构成的上述压电体层中传播的洛夫波，来作为弹性表面波，

在上述第一滤波器和上述第三滤波器中，上述IDT电极的膜厚不同。

30.根据权利要求1或2所述的高频前端电路，还具备：

第一放大电路，其与上述第一输入输出端子连接；以及

第二放大电路，其与上述第二输入输出端子连接。

31.一种通信装置，具备：

RF信号处理电路，其对由天线元件收发的高频信号进行处理；以及

在上述天线元件与上述RF信号处理电路之间传递上述高频信号的权利要求1～30中任一项所述的高频前端电路。

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