JP6835038B2 - 弾性波装置及び高周波フロントエンド回路 - Google Patents

Description

本発明は、一般に弾性波装置及び高周波フロントエンド回路に関し、より詳細には、圧電体層を備える弾性波装置、及び、弾性波装置を備える高周波フロントエンド回路に関する。

従来、圧電体層及び基板を備える弾性波装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載された弾性波装置は、基板と、層と、圧電体層と、ＩＤＴ電極とを備える。基板は、バルク領域と、表面領域とを有する。表面領域は、基板と層との境界部分に位置する。つまり、表面領域は、バルク領域と層との間に位置する。

米国特許出願公開第２０１７／００６３３３２号明細書

しかしながら、特許文献１に記載された従来の弾性波装置のように、基板及び圧電体層の積層構造が用いられる場合、メインモードよりも高周波側に高次モードが発生する。さらに、支持基板における表面領域の中での結晶性が同じである場合、高次モードが大きくなるという問題があった。

本発明は上記の点に鑑みてなされた発明であり、本発明の目的は、メインモードよりも高周波側に発生する高次モードを低減させることができる弾性波装置及び高周波フロントエンド回路を提供することにある。

本発明の一態様に係る弾性波装置は、圧電体層と、ＩＤＴ電極と、高音速支持基板と、低音速膜とを備える。前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体層上に直接又は間接的に設けられている。前記高音速支持基板は、前記圧電体層の厚さ方向において前記圧電体層を挟んで前記ＩＤＴ電極とは反対側に位置している。前記高音速支持基板は、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である基板である。前記低音速膜は、前記厚さ方向において前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に設けられている。前記低音速膜は、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である膜である。前記高音速支持基板は、ベース領域と、表面領域とを有する。前記表面領域は、前記厚さ方向において前記ベース領域よりも前記低音速膜側に設けられている。前記表面領域は、第１層と、第２層とを有する。前記第２層は、前記厚さ方向において前記第１層よりも前記ベース領域側に設けられている。前記高音速支持基板の前記ベース領域の結晶性は、前記表面領域の結晶性よりも良い。前記第２層の結晶性は、前記第１層の結晶性よりも良い。

本発明の他の一態様に係る弾性波装置は、圧電体層と、ＩＤＴ電極と、支持基板と、低音速膜と、高音速膜とを備える。前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体層上に直接又は間接的に設けられている。前記支持基板は、前記圧電体層の厚さ方向において前記圧電体層を挟んで前記ＩＤＴ電極とは反対側に位置している。前記低音速膜は、前記厚さ方向において前記支持基板と前記圧電体層との間に設けられている。前記低音速膜は、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速の膜である。前記高音速膜は、前記低音速膜と前記支持基板との間に設けられている。前記高音速膜は、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速の膜である。前記支持基板は、ベース領域と、表面領域とを有する。前記表面領域は、前記厚さ方向において前記ベース領域よりも前記低音速膜側に設けられている。前記表面領域は、第１層と、第２層とを有する。前記第２層は、前記厚さ方向において前記第１層よりも前記ベース領域側に設けられている。前記支持基板の前記ベース領域の結晶性は、前記表面領域の結晶性よりも良い。前記第２層の結晶性は、前記第１層の結晶性よりも良い。

本発明の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、第１増幅回路と、第２増幅回路と、送信フィルタと、受信フィルタとを備える。前記第１増幅回路は、第１周波数の第１送信信号を増幅する。前記第２増幅回路は、前記第１周波数とは異なる周波数である第２周波数の第２送信信号を増幅する。前記送信フィルタは、前記第１周波数を含む第１通過帯域を有し、前記第１増幅回路とアンテナとの間に設けられており、前記第１送信信号を通過させる。前記受信フィルタは、第２通過帯域を有し、前記アンテナからの受信信号を通過させる。前記第２通過帯域の周波数が、ｎ×Ｔｘ１±ｍ×Ｔｘ２（Ｔｘ１は前記第１周波数、Ｔｘ２は前記第２周波数、ｎ、ｍはともに自然数）を満たす複数の周波数のうちの少なくとも１つを含む。前記送信フィルタは、前記弾性波装置を含む。

本発明の上記態様に係る弾性波装置及び高周波フロントエンド回路によれば、メインモードよりも高周波側に発生する高次モードを低減させることができる。

図１は、実施形態１に係る弾性波装置の断面図である。 図２Ａは、同上の弾性波装置の要部平面図である。図２Ｂは、図２ＡのＡ−Ａ線断面図である。 図３は、同上の弾性波装置の厚さ方向における音響インピーダンスの分布図である。 図４は、同上の弾性波装置の高次モード位相を示すグラフである。 図５Ａ〜図５Ｄは、同上の弾性波装置における表面領域の電子線回折パターン像を示す図である。 図６は、実施形態１の実施例１に係る高周波フロントエンド回路の回路図である。 図７は、実施形態１の実施例２に係る高周波フロントエンド回路の回路図である。 図８は、実施形態２に係る弾性波装置の断面図である。

以下、実施形態１，２に係る弾性波装置及び高周波フロントエンド回路について、図面を参照して説明する。下記の実施形態等において説明する各図は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

（実施形態１）
（１）弾性波装置の全体構成
まず、実施形態１に係る弾性波装置１の全体構成について、図面を参照して説明する。

実施形態１に係る弾性波装置１は、図１に示すように、圧電体層２と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極３と、低音速膜４と、高音速支持基板５とを備える。

（２）弾性波装置の各構成要素
次に、実施形態１に係る弾性波装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。

（２．１）圧電体層
圧電体層２は、例えば、Γ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶から形成されている。Γ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶は、ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶の３つの結晶軸をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸とした場合に、Ｘ軸を中心軸としてＹ軸からＺ軸方向にΓ°回転した軸を法線とする面で切断したＬｉＴａＯ_３単結晶であって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶である。圧電体層２のカット角は、カット角をΓ［°］、圧電体層２のオイラー角を（φ，θ，ψ）をすると、Γ＝θ＋９０°である。ただし、Γと、Γ±１８０×ｎ（ｎは自然数）は同義である（結晶学的に等価である）。圧電体層２は、Γ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶に限定されず、例えば、Γ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電セラミックスであってもよい。

圧電体層２は、低音速膜４上に直接又は間接的に設けられている。高音速支持基板５の厚さ方向（第１方向Ｄ１）における圧電体層２の厚さは、３．５λ以下である。圧電体層２の厚さが３．５λ以下である場合、Ｑ値が高くなる。また、圧電体層２の厚さを２．５λ以下とすることで、ＴＣＦを小さくすることができる。さらに、圧電体層２の厚さを１．５λ以下とすることで、弾性波の音速の調整が容易になる。

ところで、圧電体層２の厚さが３．５λ以下である場合、上述したようにＱ値が高くなるが、高次モードが発生する。

弾性波装置１では、圧電体層２を伝搬する弾性波のモードとして、縦波、ＳＨ波、若しくはＳＶ波、又はこれらが複合したモードが存在する。弾性波装置１では、ＳＨ波を主成分とするモードをメインモードとして使用している。高次モードとは、圧電体層２を伝搬する弾性波のメインモードよりも高周波数側に発生するスプリアスモードのことである。圧電体層２を伝搬する弾性波のモードが「ＳＨ波を主成分とするモードをメインモード」であるか否かについては、例えば、圧電体層２のパラメータ（材料、オイラー角及び厚さ等）、ＩＤＴ電極３のパラメータ（材料、厚さ及び電極指周期等）、低音速膜４のパラメータ（材料、厚さ等）のパラメータを用いて、有限要素法により変位分布を解析し、ひずみを解析することにより、確認することができる。圧電体層２のオイラー角は、分析により求めることができる。

なお、ここでいうメインモードとは、弾性波装置１が共振子である場合には、フィルタの通過帯域内に共振周波数及び***振周波数の少なくとも一方が存在しており、かつ、共振周波数でのインピーダンスと***振周波数でのインピーダンスとの差が一番大きい波のモードである。また、弾性波装置１がフィルタである場合には、フィルタの通過帯域を形成するために使用される波のモードである。

圧電体層２の材料は、ＬｉＴａＯ_３に限定されず、例えば、ＬｉＮｂＯ_３であってもよい。圧電体層２が、例えば、ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ_３圧電単結晶又は圧電セラミックスからなる場合、弾性波装置１は、ラブ波を弾性波として利用することにより、ＳＨ波を主成分とするモードをメインモードとして使用することができる。なお、圧電体層２の単結晶材料、カット角については、例えば、フィルタの要求仕様（通過特性、減衰特性、温度特性及び帯域幅等のフィルタ特性）等に応じて、適宜、決定すればよい。

（２．２）ＩＤＴ電極
ＩＤＴ電極３は、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、第１バスバー３１と、第２バスバー３２と、複数の第１電極指３３と、複数の第２電極指３４とを含み、圧電体層２の主面２１に設けられている。

第１バスバー３１は、第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状に形成されており、複数の第１電極指３３と電気的に接続されている。第２バスバー３２は、第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状に形成されており、複数の第２電極指３４と電気的に接続されている。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１と直交する方向である。

複数の第１電極指３３は、第２方向Ｄ２において互いに並んで配置されている。各第１電極指３３は、第３方向Ｄ３を長手方向とする長尺状に形成されている。複数の第１電極指３３は、第２方向Ｄ２において互いに対向する状態で平行に配置されている。複数の第２電極指３４は、第２方向Ｄ２において互いに並んで配置されている。各第２電極指３４は、第３方向Ｄ３を長手方向とする長尺状に形成されている。複数の第２電極指３４は、第２方向Ｄ２において互いに対向する状態で平行に配置されている。複数の第１電極指３３及び複数の第２電極指３４が１本ずつ交互に並んで配置されている。第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の両方に直交する方向である。

ＩＤＴ電極３の電極指周期は、隣り合う第１電極指３３と第２電極指３４との互いに対応する辺間の距離である。図２Ｂに示すように、ＩＤＴ電極３の電極指周期は、第１電極指３３及び第２電極指３４の幅Ｗ１と、隣り合う第１電極指３３と第２電極指３４とのスペース幅Ｓ１との和（Ｗ１＋Ｓ１）で定義される。ＩＤＴ電極３において、電極指の幅Ｗ１を電極指周期で除した値であるデューティ比は、Ｗ１／（Ｗ１＋Ｓ１）で定義される。デューティ比は、例えば、０．５である。ＩＤＴ電極３の電極指周期で定まる弾性波の波長λは、複数の第１電極指３３及び複数の第２電極指３４の繰り返し周期Ｐ１で定義される。

ＩＤＴ電極３の材料は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、若しくはＷ、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金など適宜の金属材料である。また、ＩＤＴ電極３は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有してもよい。

（２．３）低音速膜
図１に示す低音速膜４は、圧電体層２を伝搬する弾性波の音速より、低音速膜４を伝搬する横波バルク波の音速が低速となる膜である。低音速膜４は、高音速支持基板５と圧電体層２との間に設けられている。低音速膜４が高音速支持基板５と圧電体層２との間に設けられていることにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、圧電体層２内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極３内への弾性波のエネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。その結果、低音速膜４が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。

低音速膜４の材料は、例えば酸化ケイ素である。なお、低音速膜４の材料は、酸化ケイ素に限定されず、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料であってもよい。

低音速膜４の厚さは、ＩＤＴ電極３の電極指（後述の第１電極指３３及び第２電極指３４）の周期で定まる弾性波の波長をλとすると、２．０λ以下であることが好ましい。低音速膜４の厚さを２．０λ以下とすることにより、膜応力を低減させることができ、その結果、ウェハの反りを低減させることができ、良品率の向上及び特性の安定化が可能となる。また、低音速膜４の厚さが０．１λ以上０．５λ以下の範囲内であれば、電気機械結合係数がほとんど変わらない。なお、低音速膜４は、伝搬する横波バルク波の音速が低速となる膜が複数積層された多層構造であってもよい。複数の伝搬する横波バルク波の音速が低速となる膜の間にチタンやニッケルなどからなる中間層を含んでいてもよい。この場合の低音速膜４の厚さは多層構造全体の厚さを示す。

（２．４）高音速支持基板
高音速支持基板５は、図１に示すように、圧電体層２を挟んでＩＤＴ電極３とは反対側に位置している。高音速支持基板５では、圧電体層２を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速支持基板５を伝搬するバルク波の音速が高速である。高音速支持基板５は、低音速膜４、圧電体層２、及びＩＤＴ電極３を支持する。

なお、高音速支持基板５を伝搬するバルク波は、高音速支持基板５を伝搬する複数のバルク波のうち最も低音速なバルク波である。

高音速支持基板５は、弾性波を圧電体層２及び低音速膜４が積層されている部分に閉じ込め、高音速支持基板５より下方に漏れないように機能する。

高音速支持基板５の材料は、例えばシリコンであり、高音速支持基板５の厚さは、例えば１２５μｍである。なお、高音速支持基板５の材料は、シリコンに限定されず、シリコンカーバイド、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、若しくは水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、若しくはフォルステライト等の各種セラミック、若しくは、マグネシア、ダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、又は、上記各材料の混合物を主成分とする材料であってもよい。

ところで、高音速支持基板５は、ベース領域５１と、表面領域５２とを有する。

ベース領域５１は、バルク領域である。

表面領域５２は、第１方向Ｄ１においてベース領域５１よりも低音速膜４側に位置している。表面領域５２の結晶性は、ベース領域５１の結晶性よりも悪い。本明細書における結晶性は、例えば電子線回折パターン像の単位面積当たりの回折スポットの数に対応する。回折スポット数が多いほど、結晶性が良く、回折スポット数が少ないほど、結晶性が悪い。「表面領域５２の結晶性がベース領域５１の回折スポット数よりも悪い」とは、表面領域５２における回折スポット数がベース領域５１における回折スポット数よりも多い状態をいう。

表面領域５２は、複数の層を有する。より詳細には、表面領域５２は、第１層５３と、第２層５４と、第３層５５と、第４層５６とを有する。第１層５３は、第１方向Ｄ１において表面領域５２のうち最も低音速膜４側に設けられている。第１層５３は、低音速膜４と接している。第２層５４は、第１方向Ｄ１において第１層５３に隣接して設けられている。第３層５５は、第１方向Ｄ１において第２層５４に隣接して設けられている。第４層５６は、第１方向Ｄ１において第３層５５に隣接して設けられている。第４層５６は、第１方向Ｄ１において最もベース領域５１側に設けられている。第４層５６は、ベース領域５１に接している。

表面領域５２は、第１方向Ｄ１において、結晶性が異なる。より詳細には、第２層５４の結晶性は、第１層５３の結晶性よりも良い。第３層５５の結晶性は、第２層５４の結晶性よりも良い。第４層５６の結晶性は、第３層５５の結晶性よりも良い。すなわち、表面領域５２の結晶性は、低音速膜４側からベース領域５１側に近づくにつれて良くなる。

表面領域５２では、結晶性が良くなると、高音速支持基板５を伝搬するバルク波の音速が速い。一方、結晶性が悪くなると、高音速支持基板５を伝搬するバルク波の音速が遅い。

上述したように、表面領域５２の結晶性は、低音速膜４側からベース領域５１側に近づくにつれて良くなる。これにより、表面領域５２の音響インピーダンスは、図３に示すように、低音速膜４側からベース領域５１側に近づくにつれて高くなる。ただし、表面領域５２の音響インピーダンスは、低音速膜４の音響インピーダンスよりも高く、ベース領域５１の音響インピーダンスよりも低い。

上記のように、表面領域５２が設けられていることによって、基本波よりも高周波側に発生する高次モードの位相を低減させることができる。

次に、第１方向Ｄ１における表面領域５２の厚さと高次モード位相の大きさとの関係について、図４を参照して説明する。図４は、表面領域５２の厚さに対する高次モード位相を示す。図４の特性Ａ１は、実施形態１に係る弾性波装置１の高次モード特性である。図４の特性Ａ２は、表面領域の結晶性が厚さ方向において一定である場合の弾性波装置（比較例の弾性波装置）の高次モード特性である。なお、図４において、表面領域５２の厚さは、ＩＤＴ電極３の電極指周期で定まる弾性波の波長λで規格化されている。

表面領域５２が少なくとも０より大きく０．１５λ以下の範囲では、表面領域５２の厚さが比較例の弾性波装置の表面領域の厚さと同じ場合において、特性Ａ１のほうが、特性Ａ２に比べて、高次モードが小さい。言い換えると、実施形態１に係る弾性波装置１の高次モードのほうが、比較例の弾性波装置の高次モードに比べて小さい。

また、実施形態１に係る弾性波装置１では、表面領域５２の厚さが０．１４５λ以下である場合、表面領域５２の厚さが厚くなると、表面領域５２が存在しない場合（表面領域５２の厚さが０である場合）に比べて、高次モードが小さくなる。表面領域５２の厚さが０．０２λ以上０．１１以下である場合がより好ましく、この場合、高次モードは−５０°以下となる。さらに、表面領域５２の厚さが０．０２５λ以上０．１０５λ以下である場合が好ましく、この場合、表面領域５２の高次モードは−６０°以下となる。図４の例では、表面領域５２が０．０７λである場合、高次モードが最も小さく、−７５°である。

一方、比較例の弾性波装置では、表面領域が０．６０λ以下である場合、表面領域が存在しない場合に比べて、高次モードが小さくなる。しかしながら、表面領域が０．６０λより大きくなると、表面領域が存在しない場合よりも高次モードが大きくなる。

上記より、実施形態１に係る弾性波装置１では、比較例の弾性波装置に比べて、高次モードを小さくすることができる。また、実施形態１に係る弾性波装置１では、比較例の弾性波装置に比べて、高次モードが小さくなる表面領域５２の厚さ範囲を広げることができる。

（３）弾性波装置の製造方法
次に、実施形態１に係る弾性波装置１の製造方法について、図１を参照して説明する。実施形態１に係る弾性波装置１は、第１工程から第５工程により製造される。

第１工程では、高音速支持基板５を準備する。

第２工程では、高音速支持基板５のうち低音速膜４が設けられる側の主面に対してイオン照射を行う。上記イオン照射を行うことにより、高音速支持基板５の主面側の領域の結晶性が劣化し、上記イオン照射のダメージを受けていない領域であるベース領域５１よりも結晶性の悪い表面領域５２を形成する。主面側からイオン照射を実行するので、主面に近い層（図１の例では第１層５３）ほど結晶性が悪く、主面から遠い層（図１の例では第４層５６）ほど結晶性が良い。ただし、表面領域５２の結晶性は、ベース領域５１の結晶性よりも悪くなる。ベース領域５１は、高音速支持基板５の元になるシリコン基板の結晶性を維持している。

第３工程では、高音速支持基板５上に低音速膜４を形成する。第４工程では、低音速膜４上に圧電体層２を形成する。第５工程では、圧電体層２上にＩＤＴ電極３を形成する。

なお、上記製造方法は弾性波装置１の製造方法の一例であり、弾性波装置１は、他の製造方法を用いて製造してもよい。例えば、イオン照射に代えて、成膜により、表面領域５２を形成してもよい。以下、実施形態１に係る弾性波装置１の他の製造方法について説明する。

第１工程では、ベース領域５１となる支持基板を準備する。上記支持基板は、高音速支持基板５と同様の基板であってもよい。

第２工程では、イオン照射に代えて、上記支持基板に成膜を行うことにより、表面領域５２を形成する。より詳細には、成膜条件を変えながら、第４層５６、第３層５５、第２層５４、第１層５３をこの順に形成する。

その後、実施形態１と同様、第３工程、第４工程、及び第５工程を行う。高音速支持基板５上に低音速膜４、圧電体層２、及びＩＤＴ電極３を形成する。

上記の他の製造方法によって製造された弾性波装置１であっても、表面領域５２における結晶性を厚さ方向に変えることができる。

（４）弾性波装置の測定方法
次に、実施形態１に係る弾性波装置１において、高音速支持基板５の結晶性の測定方法（評価方法）について、図５Ａ〜図５Ｄを参照して説明する。

ここでは、電子線回折法によって結晶性を測定する。図５Ａは、表面領域５２の第１層５３の電子線回折パターン像を示す図、図５Ｂは、表面領域５２の第２層５４の電子線回折パターン像を示す図である。図５Ｃは、表面領域５２の第３層５５の電子線回折パターン像を示す図、図５Ｄは、表面領域５２の第４層５６の電子線回折パターン像を示す図である。図５Ａ〜図５Ｄは、互いに同じ面積の電子線回折パターン像を示す。図５Ａ〜図５Ｄに示すように、図５Ｄの回折スポット数が最も多く、図５Ａの回折スポット数が最も少ない。結晶性が良い場合に回折スポット数が多くなるため、第４層５６、第３層５５、第２層５４、第１層５３の順に、結晶性が良い。つまり、表面領域５２において、ベース領域５１に近いほど、結晶性が良い。

上記より、電子線回折法を用いることによって、表面領域５２の結晶性の傾向を測定することができる。

なお、弾性波装置１の結晶性の測定方法は、電子線回折法に限定されず、他の方法であってもよい。弾性波装置１の結晶性の測定方法は、例えばＸ線回折法であってもよい。

（５）高周波フロントエンド回路
次に、実施形態１の実施例１に係る高周波フロントエンド回路１０１について、図６を参照して説明する。

高周波フロントエンド回路１０１は、図６に示すように、第１マルチプレクサ１１１と、第２マルチプレクサ１１２と、第１増幅回路１２１と、第２増幅回路１２２とを備える。

第１増幅回路１２１は、高周波フロントエンド回路１０１の外部（例えば、ＲＦ信号処理回路）から出力された第１送信信号を増幅し、増幅した第１送信信号を第１アンテナ２０１に出力する。第１増幅回路１２１は、パワーアンプ回路である。

第２増幅回路１２２は、高周波フロントエンド回路１０１の外部（例えば、ＲＦ信号処理回路）から出力された第２送信信号を増幅し、増幅した第２送信信号を第２アンテナ２０２に出力する。第２増幅回路１２２は、パワーアンプ回路である。

第１マルチプレクサ１１１は、第１送信フィルタ１３１と、第１受信フィルタ１４１とを備える。

第１送信フィルタ１３１は、第１送信フィルタ１３１の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。より詳細には、第１送信フィルタ１３１は、第１増幅回路１２１から出力された第１送信信号を通過させ、第１アンテナ２０１に出力する。

第１受信フィルタ１４１は、第１受信フィルタ１４１の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。より詳細には、第１受信フィルタ１４１は、第１アンテナ２０１からの第１受信信号を通過させる。

第２マルチプレクサ１１２は、第２送信フィルタ１３２と、第２受信フィルタ１４２とを備える。

第２送信フィルタ１３２は、第２送信フィルタ１３２の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。より詳細には、第２送信フィルタ１３２は、第２増幅回路１２２から出力された第２送信信号を通過させ、第２アンテナ２０２に出力する。

第２受信フィルタ１４２は、第２受信フィルタ１４２の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。より詳細には、第２受信フィルタ１４２は、第２アンテナ２０２からの第２受信信号を通過させる。

上記の高周波フロントエンド回路１０１において、第１送信フィルタ１３１に弾性波装置１（図１参照）が用いられている。

第１送信信号、第１受信信号、第２送信信号、第２受信信号の周波数として、以下の組合せがある。例えば、第１送信信号の周波数が３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１の送信周波数帯（１９５０ＭＨｚ帯）、第１受信信号がＢａｎｄ１の受信周波数帯（２１４０ＭＨｚ帯）、第２送信信号が３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３の送信周波数帯（１７６０ＭＨｚ帯）、第２受信信号がＢａｎｄ３の受信周波数帯（１８５５ＭＨｚ帯）である。

弾性波装置１が用いられている第１送信フィルタ１３１には、第１送信信号が入力されると共に、第２送信信号が混信波として入力される。そうすると、第１送信信号の２倍波の周波数（３９００ＭＨｚ）と第２送信信号の基本周波数（１７６０ＭＨｚ）との差分周波数（２１４０ＭＨｚ）の高次モードが発生する。

上記差分周波数は、第１受信信号の周波数帯と重なるため、上記差分周波数の高調波が受信側に漏洩してしまう可能性がある。

しかしながら、高周波フロントエンド回路１０１では、第１送信フィルタ１３１に弾性波装置１が用いられていることにより、高次モードを抑制し、かつ、上記差分周波数の高調波も抑制することができる。

第１送信信号、第１受信信号、第２送信信号、第２受信信号の周波数が以下の組合せである場合も同様である。第１送信信号の周波数がＢａｎｄ２の送信周波数帯（１８６０ＭＨｚ帯）、第１受信信号がＢａｎｄ２の受信周波数帯（１９４０ＭＨｚ帯）、第２送信信号がＢａｎｄ６６の送信周波数帯（１７８０ＭＨｚ帯）、第２受信信号がＢａｎｄ６６の受信周波数帯（２１８０ＭＨｚ帯）である。

第１送信信号、第１受信信号、第２送信信号、第２受信信号の周波数の他の例として、以下の組合せがある。第１送信信号の周波数がＢａｎｄ３の送信周波数帯（１７２０ＭＨｚ）、第１受信信号がＢａｎｄ３の受信周波数帯（１８１５ＭＨｚ）、第２送信信号が３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ５の送信周波数帯（８３７．５ＭＨｚ）、第２受信信号がＢａｎｄ５の受信周波数帯（８８２．５ＭＨｚ）である。

この場合、第２送信フィルタ１３２に弾性波装置１（図１参照）が用いられている。第２送信フィルタ１３２には、第２送信信号が入力されると共に、第１送信信号が混信波として入力される。そうすると、第１送信信号の基本周波数（１７２０ＭＨｚ）と第２送信信号の基本周波数（８３７．５ＭＨｚ）との差分周波数（８８２．５ＭＨｚ）の高次モードが発生する。

しかしながら、高周波フロントエンド回路１０１では、第２送信フィルタ１３２に弾性波装置１が用いられていることにより、上記の場合であっても、上記高次モードを抑制することができる。

次に、実施形態１の実施例２に係る高周波フロントエンド回路１０２について、図７を参照して説明する。

高周波フロントエンド回路１０２は、図７に示すように、第１マルチプレクサ１１３と、第２マルチプレクサ１１４と、第１増幅回路１２１と、第２増幅回路１２２とを備える。

第１増幅回路１２１は、高周波フロントエンド回路１０２の外部（例えば、ＲＦ信号処理回路）から出力された第１送信信号を増幅し、増幅した第１送信信号を第１アンテナ２０３に出力する。第１増幅回路１２１は、パワーアンプ回路である。

第２増幅回路１２２は、高周波フロントエンド回路１０２の外部（例えば、ＲＦ信号処理回路）から出力された第２送信信号を増幅し、増幅した第２送信信号を第２アンテナ２０４に出力する。第２増幅回路１２２は、パワーアンプ回路である。

第１マルチプレクサ１１３は、第１送信フィルタ１３３と、第２送信フィルタ１３４と、第１受信フィルタ１４３と、第２受信フィルタ１４４とを備える。

第１送信フィルタ１３３は、第１送信フィルタ１３３の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。より詳細には、第１送信フィルタ１３３は、第１増幅回路１２１から出力された第１送信信号を通過させ、第１アンテナ２０３に出力する。

第２送信フィルタ１３４は、第２送信フィルタ１３４の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。より詳細には、第２送信フィルタ１３４は、第２増幅回路１２２から出力された第２送信信号を通過させ、第１アンテナ２０３に出力する。

第１受信フィルタ１４３は、第１受信フィルタ１４３の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。より詳細には、第１受信フィルタ１４３は、第１アンテナ２０３からの第１受信信号を通過させる。

第２受信フィルタ１４４は、第２受信フィルタ１４４の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。より詳細には、第２受信フィルタ１４４は、第２アンテナ２０４からの第２受信信号を通過させる。

第２マルチプレクサ１１４は、第１送信フィルタ１３５と、第２送信フィルタ１３６と、第１受信フィルタ１４５と、第２受信フィルタ１４６とを備える。

第１送信フィルタ１３５は、第１送信フィルタ１３５の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。より詳細には、第１送信フィルタ１３５は、第１増幅回路１２１から出力された第３送信信号を通過させ、第２アンテナ２０４に出力する。

第２送信フィルタ１３６は、第２送信フィルタ１３６の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。より詳細には、第２送信フィルタ１３６は、第２増幅回路１２２から出力された第４送信信号を通過させ、第２アンテナ２０４に出力する。

第１受信フィルタ１４５は、第１受信フィルタ１４５の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。より詳細には、第１受信フィルタ１４５は、第２アンテナ２０４からの第３受信信号を通過させる。

第２受信フィルタ１４６は、第２受信フィルタ１４６の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。より詳細には、第２受信フィルタ１４６は、第２アンテナ２０４からの第４受信信号を通過させる。

上記の高周波フロントエンド回路１０２において、第２送信フィルタ１３６及び第２受信フィルタ１４６に弾性波装置１（図１参照）が用いられている。

第１送信信号、第１受信信号、第２送信信号、第２受信信号、第３送信信号、第３受信信号、第４送信信号、第４受信信号の周波数として、以下の組合せがある。例えば、第１送信信号の周波数がＢａｎｄ３の送信周波数帯（１７２０ＭＨｚ帯）、第１受信信号がＢａｎｄ３の受信周波数帯（１８５５ＭＨｚ帯）、第２送信信号の周波数がＢａｎｄ１の送信周波数帯（１９５０ＭＨｚ帯）、第２受信信号がＢａｎｄ１の受信周波数帯（２１４０ＭＨｚ帯）である。また、第３送信信号の周波数がＢａｎｄ６６の送信周波数帯（１７８０ＭＨｚ帯）、第３受信信号がＢａｎｄ６６の受信周波数帯（２１８０ＭＨｚ帯）、第４送信信号の周波数がＢａｎｄ２の送信周波数帯（１８６０ＭＨｚ帯）、第４受信信号の周波数がＢａｎｄ２の受信周波数帯（２１４０ＭＨｚ帯）である。

弾性波装置１が用いられている第２送信フィルタ１３６には、第２送信信号が入力されると共に、第１送信信号が混信波として入力される。そうすると、第２送信信号の２倍波の周波数（３９００ＭＨｚ）と第１送信信号の基本周波数（１７６０ＭＨｚ）との差分周波数（２１４０ＭＨｚ）の相互変調歪み（Intermodulation Distortion：ＩＭＤ）が発生する。

上記差分周波数は、第２受信信号の周波数帯と重なるため、上記差分周波数の高調波が受信側に漏洩してしまう可能性がある。

しかしながら、第２送信フィルタ１３６及び第２受信フィルタ１４４に弾性波装置１が用いられていることにより、高次モードを抑制し、かつ、相互変調歪みも抑制することができる。

（６）効果
以上説明したように、実施形態１に係る弾性波装置１では、高音速支持基板５において低音速膜４とベース領域５１との間の表面領域５２が設けられており、高音速支持基板５の結晶性が表面領域５２の結晶性よりも良く、第２層５４の結晶性が第１層５３の結晶性よりも良い。これにより、メインモードよりも高周波側に発生する高次モードを低減させることができる。

実施形態１に係る弾性波装置１では、表面領域５２の結晶性が厚さ方向（第１方向Ｄ１）において徐々に変化する。これにより、表面領域５２の結晶性が厚さ方向において段階的に変化する場合に比べて、高次モードを更に低減させることができる。

実施形態１に係る弾性波装置１では、表面領域５２の厚さが０より大きく０．１５λ以下である。これにより、高次モードを更に低減させることができる。

実施形態１に係る弾性波装置１では、低音速膜４の材料が酸化ケイ素である。これにより、弾性波装置１の温度特性を改善することができる。

（実施形態２）
実施形態２に係る弾性波装置１ａは、図８に示すように、高音速支持基板５に代えて、高音速膜６及び支持基板７を備える点で、実施形態１に係る弾性波装置１（図１参照）と相違する。なお、実施形態２に係る弾性波装置１ａに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係る弾性波装置１ａは、図８に示すように、圧電体層２とＩＤＴ電極３と低音速膜４とを備えると共に、高音速膜６及び支持基板７を更に備える。

高音速膜６は、支持基板７上に直接又は間接的に設けられている。高音速膜６は、メインモードの弾性波のエネルギーが高音速膜６より下の構造に漏れないように機能する。

高音速膜６の厚さが十分に厚い場合、メインモードの弾性波のエネルギーは圧電体層２及び低音速膜４の全体に分布し、高音速膜６の低音速膜４側の一部にも分布し、支持基板７には分布しないことになる。高音速膜６により弾性波を閉じ込めるメカニズムは非漏洩なＳＨ波であるラブ波型の表面波の場合と同様のメカニズムであり、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２６−２８に記載されている。

高音速膜６の材料は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト及びマグネシアダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料である。

支持基板７の材料は、例えばシリコンであり、支持基板７の厚さは、例えば１２５μｍである。なお、支持基板７の材料は、シリコンに限定されず、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、若しくは水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、若しくは、ガラス等の誘電体、又は、窒化ガリウム等の半導体及び樹脂基板等であってもよい。

以上説明したように、実施形態２に係る弾性波装置１ａでは、低音速膜４と支持基板７との間に高音速膜６が設けられている。これにより、弾性波が支持基板７に漏れるのを抑制することができる。

以上説明した実施形態は、本発明の様々な実施形態及び変形例の一部に過ぎない。また、実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

（態様）
以上説明した実施形態及び変形例より以下の態様が開示されている。

第１の態様に係る弾性波装置（１）は、圧電体層（２）と、ＩＤＴ電極（３）と、高音速支持基板（５）と、低音速膜（４）とを備える。ＩＤＴ電極（３）は、圧電体層（２）の厚さ方向（第１方向Ｄ１）上に直接又は間接的に設けられている。高音速支持基板（５）は、圧電体層（２）の厚さ方向において圧電体層（２）を挟んでＩＤＴ電極（３）とは反対側に位置している。高音速支持基板（５）は、圧電体層（２）を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速の基板である。低音速膜（４）は、上記厚さ方向において高音速支持基板（５）と圧電体層（２）との間に設けられている。低音速膜（４）は、圧電体層（２）を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速の膜である。高音速支持基板（５）は、ベース領域（５１）と、表面領域（５２）とを有する。表面領域（５２）は、上記厚さ方向においてベース領域（５１）よりも低音速膜（４）側に設けられている。表面領域（５２）は、第１層（５３）と、第２層（５４）とを有する。第２層（５４）は、上記厚さ方向において第１層（５３）よりもベース領域（５１）側に設けられている。高音速支持基板（５）のベース領域（５１）の結晶性は、表面領域（５２）の結晶性よりも良い。第２層（５４）の結晶性は、第１層（５３）の結晶性よりも良い。

第１の態様に係る弾性波装置（１）によれば、メインモードよりも高周波側に発生する高次モードを低減させることができる。

第２の態様に係る弾性波装置（１ａ）は、圧電体層（２）と、ＩＤＴ電極（３）と、支持基板（７）と、低音速膜（４）と、高音速膜（６）とを備える。ＩＤＴ電極（３）は、圧電体層（２）上に直接又は間接的に設けられている。支持基板（７）は、圧電体層（２）の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において圧電体層（２）を挟んでＩＤＴ電極（３）とは反対側に位置している。低音速膜（４）は、上記厚さ方向において支持基板（７）と圧電体層（２）との間に設けられている。低音速膜（４）は、圧電体層（２）を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速の膜である。高音速膜（６）は、低音速膜（４）と支持基板（７）との間に設けられている。高音速膜（６）は、圧電体層（２）を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速の膜である。支持基板（７）は、ベース領域（７１）と、表面領域（７２）とを有する。表面領域（７２）は、上記厚さ方向においてベース領域（７１）よりも低音速膜（４）側に設けられている。表面領域（７２）は、第１層（７３）と、第２層（７４）とを有する。第２層（７４）は、上記厚さ方向において第１層（７３）よりもベース領域（７１）側に設けられている。支持基板（７）のベース領域（７１）の結晶性は、表面領域（７２）の結晶性よりも良い。第２層（７４）の結晶性は、第１層（７３）の結晶性よりも良い。

第２の態様に係る弾性波装置（１ａ）によれば、メインモードよりも高周波側に発生する高次モードを低減させることができる。

第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１又は２の態様において、表面領域（５２；７２）の結晶性は、厚さ方向（第１方向Ｄ１）において徐々に変化する。

第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）によれば、表面領域（５２；７２）の結晶性が厚さ方向（第１方向Ｄ１）において段階的に変化する場合に比べて、高次モードを更に低減させることができる。

第４の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１〜３の態様のいずれか１つにおいて、ＩＤＴ電極（３）は、複数の電極指（複数の第１電極指３３、複数の第２電極指３４）を有する。表面領域（５２；７２）の厚さは、ＩＤＴ電極（３）の複数の電極指の周期である電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、０より大きく０．１５λ以下である。

第４の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、表面領域（５２；７２）の厚さが０より大きく０．１５λ以下である。これにより、高次モードを更に低減させることができる。

第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第４の態様において、表面領域（５２；７２）の厚さは、０．１４５λ以下である。

第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）によれば、高次モードを更に低減させることができる。

第６の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第５の態様において、表面領域（５２；７２）の厚さは、０．０２λ以上０．１１λ以下である。
第６の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）によれば、高次モードを更に低減させることができる。

第７の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１〜６の態様のいずれか１つにおいて、低音速膜（４）の材料は酸化ケイ素である。

第７の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）によれば、弾性波装置（１；１ａ）の温度特性を改善することができる。

第８の態様に係る弾性波装置（１）は、第１の態様において、第１フィルタ（第１送信フィルタ１３１；第１受信フィルタ１４１）と、第２フィルタ（第２送信フィルタ１３２；第２受信フィルタ１４２）とを備える。第１フィルタは、アンテナ（第２アンテナ２０４）に電気的に接続されており、第１通過帯域を有する。第２フィルタは、アンテナに電気的に接続されており、第１通過帯域よりも低い第２通過帯域を有する。第２フィルタは、圧電体層（２）と、ＩＤＴ電極（３）と、高音速支持基板（５）と、低音速膜（４）とを含む。

第９の態様に係る弾性波装置（１ａ）は、第２の態様において、第１フィルタ（第１送信フィルタ１３５；第１受信フィルタ１４５）と、第２フィルタ（第２送信フィルタ１３６；第２受信フィルタ１４６）とを備える。第１フィルタは、アンテナ（第２アンテナ２０４）に電気的に接続されており、第１通過帯域を有する。第２フィルタは、アンテナに電気的に接続されており、第１通過帯域よりも低い第２通過帯域を有する。第２フィルタは、圧電体層（２）と、ＩＤＴ電極（３）と、支持基板（７）と、低音速膜（４）と、高音速膜（６）とを含む。

第１０の態様に係る高周波フロントエンド回路（１０１；１０２）は、第１増幅回路（１２１）と、第２増幅回路（１２２）と、送信フィルタと、受信フィルタとを備える。第１増幅回路（１２１）は、第１周波数の第１送信信号を増幅する。第２増幅回路（１２２）は、第１周波数と異なる周波数である第２周波数の第２送信信号を増幅する。送信フィルタは、第１周波数を含む第１通過帯域を有し、第１増幅回路（１２１）とアンテナとの間に設けられており、第１送信信号を通過させる。受信フィルタは、第２通過帯域を有し、アンテナからの受信信号を通過させる。第２通過帯域の周波数が、ｎ×Ｔｘ１±ｍ×Ｔｘ２を満たす複数の周波数のうちの少なくとも１つを含む。Ｔｘ１は第１周波数、Ｔｘ２は第２周波数、ｎ、ｍはともに自然数である。送信フィルタは、第１〜７の態様のいずれか１つの弾性波装置（１；１ａ）を含む。

第１０の態様に係る高周波フロントエンド回路（１０１；１０２）では、弾性波装置（１；１ａ）の低音速膜（４）とベース領域（５１；７１）との間の表面領域（５２；７２）が設けられており、ベース領域（５１；７１）の結晶性が表面領域（５２；７２）の結晶性よりも良く、第２層（５４；７４）の結晶性が第１層（５３；７３）の結晶性よりも良い。これにより、高次モードを低減させることができる。

また、第１０の態様に係る高周波フロントエンド回路（１０１；１０２）によれば、相互変調歪みを低減させることができる。

１，１ａ 弾性波装置
２ 圧電体層
２１ 主面
３ ＩＤＴ電極
３１ 第１バスバー
３２ 第２バスバー
３３ 第１電極指
３４ 第２電極指
４ 低音速膜
５ 高音速支持基板
５１ ベース領域
５２ 表面領域
５３ 第１層
５４ 第２層
５５ 第３層
５６ 第４層
６ 高音速膜
７ 支持基板
７１ ベース領域
７２ 表面領域
７３ 第１層
７４ 第２層
７５ 第３層
７６ 第４層
１０１，１０２ 高周波フロントエンド回路
１１１，１１３ 第１マルチプレクサ
１１２，１１４ 第２マルチプレクサ
１２１ 第１増幅回路
１２２ 第２増幅回路
１３１，１３３，１３５ 第１送信フィルタ
１３２，１３４，１３６ 第２送信フィルタ
１４１，１４３，１４５ 第１受信フィルタ
１４２，１４４，１４６ 第２受信フィルタ
１５１ 第１スイッチ
１５２ 第２スイッチ
１６１，１６３ 第１増幅回路
１６２，１６４ 第２増幅回路
２０１，２０３ 第１アンテナ
２０２，２０４ 第２アンテナ
Ａ１，Ａ２ 特性
Ｄ１ 第１方向
Ｄ２ 第２方向
Ｄ３ 第３方向
Ｐ１ 周期
Ｓ１ スペース幅
Ｗ１ 幅

Claims (10)

1. 圧電体層と、
   前記圧電体層上に直接又は間接的に設けられているＩＤＴ電極と、
   前記圧電体層の厚さ方向において前記圧電体層を挟んで前記ＩＤＴ電極とは反対側に位置しており、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板と、
   前記厚さ方向において前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に設けられており、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜と、
   を備え、
   前記高音速支持基板は、
   ベース領域と、
   前記厚さ方向において前記ベース領域よりも前記低音速膜側に設けられている表面領域と、
   を有し、
   前記表面領域は、
   第１層と、
   前記厚さ方向において前記第１層よりも前記ベース領域側に設けられている第２層と、
   を有し、
   前記高音速支持基板の前記ベース領域の結晶性は、前記表面領域の結晶性よりも良く、
   前記第２層の結晶性は、前記第１層の結晶性よりも良い、
   弾性波装置。
2. 圧電体層と、
   前記圧電体層上に直接又は間接的に設けられているＩＤＴ電極と、
   前記圧電体層の厚さ方向において前記圧電体層を挟んで前記ＩＤＴ電極とは反対側に位置している支持基板と、
   前記厚さ方向において前記支持基板と前記圧電体層との間に設けられており、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜と、
   前記低音速膜と前記支持基板との間に設けられており前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜と、
   を備え、
   前記支持基板は、
   ベース領域と、
   前記厚さ方向において前記ベース領域よりも前記低音速膜側に設けられている表面領域と、
   を有し、
   前記表面領域は、
   第１層と、
   前記厚さ方向において前記第１層よりも前記ベース領域側に設けられている第２層と、
   を有し、
   前記支持基板の前記ベース領域の結晶性は、前記表面領域の結晶性よりも良く、
   前記第２層の結晶性は、前記第１層の結晶性よりも良い、
   弾性波装置。
3. 前記表面領域は、
   前記厚さ方向において前記第２層よりも前記ベース領域側に設けられている少なくとも１つの第３層を更に有し、
   前記第３層の結晶性は、前記第２層の結晶性よりも良い、
   請求項１又は２に記載の弾性波装置。
4. 前記ＩＤＴ電極は、複数の電極指を有し、
   前記表面領域の厚さは、前記ＩＤＴ電極の前記複数の電極指の周期である電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、０より大きく０．１５λ以下である、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
5. 前記表面領域の前記厚さは、０．１４５λ以下である、
   請求項４に記載の弾性波装置。
6. 前記表面領域の前記厚さは、０．０２λ以上０．１１λ以下である、
   請求項５に記載の弾性波装置。
7. 前記低音速膜の材料は酸化ケイ素である、
   請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
8. アンテナに電気的に接続されており、第１通過帯域を有する第１フィルタと、
   前記アンテナに電気的に接続されており、前記第１通過帯域よりも低い第２通過帯域を有する第２フィルタと、
   を備え、
   前記第２フィルタは、
   前記圧電体層と、
   前記ＩＤＴ電極と、
   前記高音速支持基板と、
   前記低音速膜と、
   を含む、
   請求項１に記載の弾性波装置。
9. アンテナに電気的に接続されており、第１通過帯域を有する第１フィルタと、
   前記アンテナに電気的に接続されており、前記第１通過帯域よりも低い第２通過帯域を有する第２フィルタと、
   を備え、
   前記第２フィルタは、
   前記圧電体層と、
   前記ＩＤＴ電極と、
   前記支持基板と、
   前記低音速膜と、
   前記高音速膜と、
   を含む、
   請求項２に記載の弾性波装置。
10. 第１周波数の第１送信信号を増幅する第１増幅回路と、
    前記第１周波数と異なる周波数である第２周波数の第２送信信号を増幅する第２増幅回路と、
    前記第１周波数を含む第１通過帯域を有し前記第１増幅回路とアンテナとの間に設けられており前記第１送信信号を通過させる送信フィルタと、
    第２通過帯域を有し前記アンテナからの受信信号を通過させる受信フィルタと、
    を備え、
    前記第２通過帯域の周波数が、ｎ×Ｔｘ１±ｍ×Ｔｘ２（Ｔｘ１は前記第１周波数、Ｔｘ２は前記第２周波数、ｎ、ｍはともに自然数）を満たす複数の周波数のうちの少なくとも１つを含み、
    前記送信フィルタは、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置を含む、
    高周波フロントエンド回路。