KR101973416B1 - 음향 공진기 및 음향 공진기의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기는 제1 전극, 압전층 및 제2 전극을 포함하는 음향 공진부에 캐비티를 형성시킴으로써 횡 방향으로의 음향파의 손실을 저감시킬 수 있고, 상기 음향 공진부와 기판 사이에 에어 갭을 형성시켜 종 방향으로의 음향파의 손실을 저감시킬 수 있다. 이에 따라 품질 계수(Quality Factor)를 개선시킬 수 있다.

Description

음향 공진기 및 음향 공진기의 제조 방법{Acoustic resonator and manufacturing method of the acoustic resonator}
본 발명은 음향 공진기 및 음향 공진기의 제조 방법에 관한 것이다.
오늘날 통신기술이 급속도로 발전함에 따라 그에 상응하는 신호처리기술과 고주파(RF) 부품기술의 발전이 요구되고 있다.
특히 무선 통신 기기의 소형화 추세에 따라 고주파 부품기술의 소형화가 적극적으로 요구되고 있으며, 고주파 부품 중 필터의 소형화는 반도체 박막 웨이퍼 제조기술을 이용하는 벌크 음향 공진기(BAW, Bulk Acoustic Wave) 형태의 필터 제조로 현실화되고 있다.
벌크 음향 공진기(BAW)란 반도체 기판인 실리콘 웨이퍼 상에 압전 유전체 물질을 증착하여 그 압전특성을 이용함으로써 공진을 유발시키는 박막형태의 소자를 필터로 구현한 것이다.
이용분야로는 이동통신기기, 화학 및 바이오기기 등의 소형 경량필터, 오실레이터, 공진소자, 음향공진 질량센서 등이 있다.
한편, 벌크 음향 공진기의 특성을 높이기 위한 여러 가지 구조적 형상 및 기능에 대한 연구가 이루어지고 있으며, 특히 종 방향과 횡 방향에 대한 음향파의 손실을 저감시키기 위한 연구가 필요하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 목적은, 종 방향 및 횡 방향으로의 음향파의 손실을 저감시키고, 품질 계수(Quality Factor)를 개선시킬 수 있는 음향 공진기 및 음향 공진기의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기는 제1 전극, 압전층 및 제2 전극을 포함하는 음향 공진부에 캐비티를 형성시킴으로써 횡 방향으로의 음향파의 손실을 저감시킬 수 있고, 상기 음향 공진부와 기판 사이에 에어 갭을 형성시켜 종 방향으로의 음향파의 손실을 저감시킬 수 있다. 이에 따라 품질 계수(Quality Factor)를 개선시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기의 제조 방법은 상기 에어 갭의 형성을 위한 제1 희생층 및 상기 캐비티의 형성을 위한 제2 희생층을 식각 공정을 통해 동시에 제거함으로써 제조 공정을 간소화할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기 및 음향 공진기의 제조 방법은 종 방향 및 횡 방향으로의 음향파의 손실을 저감시키고, 품질 계수(Quality Factor)를 개선시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기의 단면도.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기의 제조 방법을 도시한 순서도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 음향 공진기의 단면도.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 음향 공진기의 제조 방법을 도시한 순서도.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경 또는 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상의 범위 내에 포함된다고 할 것이다.
아울러, 명세서 전체에서, 어떤 구성이 다른 구성과 '연결'되어 있다 함은 이들 구성들이 '직접적으로 연결'되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 구성을 사이에 두고 '간접적으로 연결'되어 있는 경우도 포함하는 것을 의미한다. 또한, 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
또한, 각 실시예의 도면에 나타나는 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.
우선, 방향에 대한 용어를 정의하면, 종 방향은 제1 전극에서 제2 전극을 향하는 방향 또는 상기 제2 전극에서 상기 제1 전극을 향하는 방향을 의미하고, 횡 방향은 상기 종 방향에 수직한 방향을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기는 기판(110), 음향 공진부(120) 및 에어 갭(130)을 포함한다. 상기 기판(110)과 상기 음향 공진부(120) 사이에 상기 에어 갭(130)이 형성되며, 상기 음향 공진부(120)는 멤브레인층(150) 상에 형성되어 상기 에어 갭(130)을 통해 상기 기판(110)과 이격되게 형성된다.
상기 기판(110)은 실리콘 또는 SOI(Silicon On Insulator) 타입으로 형성될 수 있다. 상기 기판(110)의 상부에는 식각 저지층(140)이 형성된다.
상기 식각 저지층(140)은 식각 공정으로부터 상기 기판(110)을 보호하는 역할을 하며, 상기 식각 저지층(140) 위에 다른 여러 층이 증착되는데 필요한 기단 역할을 한다.
상기 음향 공진부(120)는 제1 전극(121), 압전층(123) 및 제2 전극(125)을 포함한다. 상기 기판(110)의 상부에는 상기 제1 전극(121), 상기 압전층(123) 및 상기 제2 전극(125)이 순서대로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 전극(121)와 상기 제2 전극(125) 사이에 상기 압전층(123)이 배치된다.
상기 음향 공진부(120)는 상기 멤브레인층(150) 상에 형성되므로, 결국 상기 기판(110)의 상부에는 상기 멤브레인층(150), 상기 제1 전극(121), 상기 압전층(123) 및 상기 제2 전극(125)이 순서대로 형성된다.
상기 음향 공진부(120)는 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(125)에 인가되는 신호에 따라 상기 압전층(123)을 공진시켜 공진 주파수 및 반공진 주파수를 발생시킬 수 있다.
상기 제1 전극(121) 및 상기 제2 전극(125)은 금, 몰리브덴, 루테늄, 알루미늄, 백금, 티타늄, 텅스텐, 팔라듐, 크롬, 니켈 등과 같은 금속으로 형성될 수 있다.
상기 음향 공진부(120)는 상기 압전층(123)의 음향파를 이용한다. 예를 들어, 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(125)에 RF 신호가 인가되면, 상기 압전층(123)의 두께 방향으로 기계적 진동이 발생되어 음향파가 생성된다.
여기서, 상기 압전층(123)에는 산화 아연(ZnO), 질화 알루미늄(AlN) 및 쿼츠(Quartz) 등이 포함될 수 있다.
상기 압전층(123)의 공진 현상은 인가된 RF 신호 파장의 1/2이 상기 압전층(123)의 두께와 일치할 때 발생한다. 공진 현상이 발생할 때, 전기적 임피던스가 급격하게 변하므로 본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기는 주파수를 선택할 수 있는 필터로 사용될 수 있다.
공진 주파수는 상기 압전층(123)의 두께, 상기 압전층(123)을 감싸고 있는 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(125) 및 상기 압전층(123)의 고유 탄성파 속도 등에 의해 결정된다.
일 예로 상기 압전층(123)의 두께가 얇으면 얇을수록 공진 주파수는 커지게 된다.
상기 음향 공진부(120)는 보호층(127)을 더 포함할 수 있다. 상기 보호층(127)은 상기 제2 전극(125)의 상부에 형성되어 상기 제2 전극(125)이 외부 환경에 노출되는 것을 방지한다.
상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(125)은 상기 압전층(123)의 외측으로 연장 형성되고, 연장된 부분에 각각 제1 전극 패드(180)와 제2 전극 패드(190)가 증착된다.
상기 제1 전극 패드(180)와 상기 제2 전극 패드(190)는 각각 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(125)에 전기 에너지를 공급하는 역할을 한다.
상기 음향 공진부(120)는 품질 계수(Quality Factor)를 향상시키기 위하여 상기 에어 갭(130)을 통해 상기 기판(110)과 이격 배치된다.
예를 들어, 상기 음향 공진부(120)와 상기 기판(110) 사이에는 상기 에어 갭(130)이 형성되어 상기 압전층(123)에서 발생되는 상기 음향파(Acoustic Wave)가 상기 기판(110)의 영향을 받지 않도록 할 수 있다.
또한, 상기 에어 갭(130)을 통하여 상기 음향 공진부(120)에서 발생하는 상기 음향파의 반사특성이 향상되게 된다. 상기 에어 갭(130)은 빈 공간으로서 임피던스가 무한대에 가까우므로, 상기 음향파는 상기 에어 갭(130)으로 손실되지 않고, 상기 음향 공진부(120) 내에 잔존할 수 있다.
따라서, 상기 에어 갭(130)을 통해 종 방향의 상기 음향파의 손실을 감소시킴으로써 상기 음향 공진부(120)의 품질 계수(High Quality Factor) 값을 개선시킬 수 있다.
상기 제1 전극(121) 및 상기 제2 전극(125) 중 적어도 하나와 상기 압전층(123) 사이에 캐비티(160)가 형성된다.
또한, 상기 캐비티(160)는 상기 제1 전극(121), 상기 제2 전극(125) 및 상기 압전층(123)이 중첩되는 영역 내에 형성된다.
구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기는 상기 제1 전극(121), 상기 제2 전극(125) 및 상기 압전층(123)이 중첩된 활성 영역을 가지며, 상기 캐비티(160)는 상기 활성 영역 내에 형성된다.
또한, 상기 캐비티(160)는 상기 에어 갭(130)의 상부 영역 내에 위치하도록 형성된다.
본 실시예에서, 상기 캐비티(160)는 복수개가 마련되고, 서로 이격 배치되어 각각 상기 음향 공진부(120)의 끝단에 위치한다. 예를 들어, 상기 복수의 캐비티(160)는 각각 상기 활성 영역의 끝단에 위치한다.
본 실시예에서, 상기 제1 전극(121)은 상기 에어 갭(130)을 향하는 상기 압전층(123)의 일면에 형성되고, 상기 제2 전극(125)은 상기 압전층(123)의 타면에 형성되며, 상기 복수의 캐비티(160)는 상기 제2 전극(125)과 상기 압전층(123) 사이에 형성된다.
상기 복수의 캐비티(160)는 상기 압전층(123)의 타면에 희생층을 형성하고, 상기 압전층(123)의 타면과 상기 희생층에 제2 전극(125)을 형성한 뒤, 상기 희생층을 제거함으로써 형성된다.
따라서, 상기 복수의 캐비티(160)가 형성되는 위치에서 상기 제2 전극(125)은 단차지게 형성되어 상대적으로 돌출된 형상을 갖게 된다. 즉, 상기 제2 전극(125)에는 복수의 돌출부(125a)가 형성되게 된다.
상기 복수의 돌출부(125a)의 위치는 상기 복수의 캐비티(160)의 위치와 각각 대응된다. 예를 들어, 상기 복수의 돌출부(125a)는 상기 활성 영역 내에서 상기 제2 전극(125)의 끝단에 마련된다.
상기 제2 전극(125)은 상기 활성 영역 내에서 동일한 두께를 가진다. 즉, 상기 제2 전극(125) 중 상기 복수의 돌출부(125a)가 형성되는 부분과 나머지 부분은 동일한 두께를 가진다.
본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기에서는 상기 제2 전극(125)에 상기 복수의 돌출부(125a)를 형성함으로써 상기 음향 공진부(120)가 가진 주파수(Exciting Frequency)보다 큰 차단 주파수(Cut-Off Frequency)를 가지도록 하고, 이에 따라 횡 방향으로의 음향파의 손실을 저감할 수 있고, 상기 음향 공진부(120)의 품질 계수(High Quality Factor) 값을 개선시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기에서는 상기 제2 전극(125)의 두께를 변화시키지 않으면서도 상기 복수의 캐비티(160)를 통해 상기 제2 전극(125)에 상기 복수의 돌출부(125a)를 형성함으로써 횡 방향으로의 음향파의 손실을 저감시킬 수 있고, 상기 음향 공진부(120)의 품질 계수(High Quality Factor) 값을 개선시킬 수 있다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 공진기의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 상기 기판(110)의 상부에 식각 저지층(140) 및 제1 희생층(130a)을 순서대로 형성한다.
상기 식각 저지층(140)은 상기 에어 갭(130)을 형성하기 위해 상기 제1 희생층(130a)을 제거할 때 상기 기판(110)을 보호하는 역할을 한다. 상기 식각 저지층(140)에는 실리콘산화막 또는 실리콘질화막 등이 포함될 수 있다.
상기 제1 희생층(130a)은 추후의 식각 공정을 통해 제거되어 상기 에어 갭(130)을 형성하기 위하여 상기 기판(110)의 상부에 형성된다. 상기 제1 희생층(130a)은 폴리실리콘 또는 폴리머 등을 포함할 수 있다.
다음으로, 상기 식각 저지층(140) 및 상기 제1 희생층(130a)의 상부에 상기 멤브레인층(150) 및 상기 제1 전극(121)을 순서대로 형성한다.
상기 멤브레인층(150)은 상기 에어 갭(130)의 상부에 위치하여 상기 에어 갭(130)의 형상을 유지시키고, 상기 음향 공진부(120)의 구조를 지지하는 역할을 한다.
상기 제1 전극(121)은 상기 멤브레인층(150)의 상부에 금, 몰리브덴, 루테늄, 알루미늄, 백금, 티타늄, 텅스텐, 팔라듐, 크롬, 니켈 등과 같은 금속을 포함하는 도전층을 형성하고, 상기 도전층의 상부에 포토레지스트를 증착하며, 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝을 수행한 후, 패터닝 된 포토레지스트를 마스크로 하여 원하는 형태로 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 제1 전극(121)의 상부에 상기 압전층(123)을 형성하고, 상기 압전층(123)의 상부에 제2 희생층(160a)을 형성한다.
여기서, 상기 제2 희생층(160a)은 추후의 식각 공정을 통해 제거되어 상기 복수의 캐비티(160)를 형성하기 위하여 상기 압전층(123)의 상부에 형성된다. 상기 제2 희생층(160a)은 몰리브덴을 포함하는 금속으로 형성될 수 있다.
상기 제2 희생층(160a)은 상기 제1 전극(121)과 상기 압전층(123)이 중첩되는 부분에 형성되며, 상기 제1 희생층(130a)의 상부 영역 내에 위치하도록 형성된다.
다음으로, 상기 압전층(123) 및 상기 제2 희생층(160a)의 상부에 상기 제2 전극(125)을 형성한다.
상기 제2 전극(125)은 상기 압전층(123) 및 상기 제2 희생층(160a)의 상부에 금, 몰리브덴, 루테늄, 알루미늄, 백금, 티타늄, 텅스텐, 팔라듐, 크롬, 니켈 등과 같은 금속을 포함하는 도전층을 형성하고, 상기 도전층의 상부에 포토레지스트를 증착하며, 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝을 수행한 후, 패터닝 된 포토레지스트를 마스크로 하여 원하는 형태로 형성될 수 있다.
상기 제2 전극(125)은 상기 제2 희생층(160a)에 대응되는 위치에서 돌출부(125a)를 갖도록 형성된다.
다음으로, 상기 제2 전극(125)의 상부에 상기 보호층(127)을 형성하고, 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(125)에 각각 전기 에너지를 공급하는 상기 제1 전극 패드(180)와 상기 제2 전극 패드(190)를 형성한다.
상기 보호층(127)은 절연 물질로 형성될 수 있으며, 상기 절연 물질에는 실리콘 옥사이드 계열, 실리콘 나이트라이드 계열 및 알루미늄 나이트라이드 계열의 물질이 포함될 수 있다.
다음으로, 상기 제1 희생층(130a) 및 상기 제2 희생층(160a)을 식각 공정을 통해 제거하여 상기 에어 갭(130) 및 상기 복수의 캐비티(160)를 구현한다.
예를 들어, 건식 식각을 통해 상기 제1 희생층(130a)과 상기 제2 희생층(160a)을 동시에 제거하여 상기 에어 갭(130) 및 상기 복수의 캐비티(160)를 형성시킬 수 있다.
따라서, 상기 복수의 캐비티(160)를 형성시키기 위한 추가적인 공정이 필요치 않으며, 상기 에어 갭(130)을 형성시키면서 동시에 상기 복수의 캐비티(160)를 형성하는 것이 가능하다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 음향 공진기의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 음향 공진기는 복수의 반사층(170)을 더 포함한다는 것을 제외하고는 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기와 동일하므로, 상기 복수의 반사층(170)에 대하여만 설명한다.
상기 복수의 반사층(170)은 상기 음향 공진부(120)와 상기 에어 갭(130) 사이에 형성된다.
상기 복수의 반사층(170)은 적어도 두 가지 특성을 가지는 반사층(171, 173, 175)들의 결합구조로 형성된다. 상기 복수의 반사층(170)은 각각 서로 다른 크기의 음향 임피던스를 가진다.
종 방향으로 발생하는 상기 음향파가 상기 복수의 반사층(170)에 입사되는 경우, 음향 임피던스의 차이가 있는 상기 복수의 반사층(170)의 계면에서 상기 음향파가 반사될 수 있다.
따라서, 종 방향으로 발생하는 상기 음향파의 손실이 감소하게 되어 상기 음향 공진부의 품질 계수(Quality Factor) 값이 더욱 개선될 수 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 음향 공진기의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 음향 공진기의 제조 방법에서는 상기 식각 저지층(140) 및 상기 제1 희생층(130a)의 상부에 상기 복수의 반사층(170)을 순서대로 형성한 뒤에, 상기 복수의 반사층(170)의 상부에 상기 멤브레인층(150) 및 상기 제1 전극(121)을 형성한다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기의 제조 방법과 비교하면, 상기 식각 저지층(140) 및 상기 제1 희생층(130a)의 상부에 상기 멤브레인층(150) 및 상기 제1 전극(121)을 형성하기 전에, 상기 복수의 반사층(170)을 형성하는 공정을 거치게 된다.
이와 같은 구성을 통해, 본 발명의 일 실시예에 따른 음향 공진기 및 음향 공진기의 제조 방법은 종 방향 및 횡 방향으로의 음향파의 손실을 저감시키고, 품질 계수(Quality Factor)를 개선시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명에 따른 일 실시예를 기준으로 본 발명의 구성과 특징을 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상과 범위내에서 다양하게 변경 또는 변형할 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게 명백한 것이며, 따라서 이와 같은 변경 또는 변형은 첨부된 특허청구범위에 속함을 밝혀둔다.
110: 기판 120: 음향 공진부
121: 제1 전극 123: 압전층
125: 제2 전극 127: 보호층
130: 에어 갭 130a: 제1 희생층
140: 식각 저지층 150: 멤브레인층
160: 캐비티 160a: 제2 희생층
170: 반사층 180: 제1 전극 패드
190: 제2 전극 패드

Claims (19)

  1. 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 압전층을 포함하는 음향 공진부;
    상기 음향 공진부의 하부에 구비되는 기판; 및
    상기 음향 공진부와 상기 기판 사이에 구비되고, 상기 음향 공진부에서 발생되는 음향파를 반사시키는 에어 갭;을 포함하며,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나와 상기 압전층 사이에는 복수의 캐비티가 형성되고,
    상기 음향 공진부는 상기 제1 전극, 상기 압전층 및 상기 제2 전극이 중첩되는 활성영역을 구비하며,
    상기 복수의 캐비티는 상기 활성영역 내에 형성되는 음향 공진기.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 캐비티는 각각 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 압전층이 중첩되는 영역의 끝단에 위치하는 음향 공진기.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 캐비티는 각각 상기 음향 공진부의 끝단에 위치하는 음향 공진기.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극의 끝단에는 돌출부가 마련되는 음향 공진기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 돌출부의 위치는 상기 복수의 캐비티가 형성되는 위치와 대응되는 음향 공진기.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 에어 갭을 향하는 상기 압전층의 일면에 형성되고, 상기 제2 전극은 상기 압전층의 타면에 형성되는 음향 공진기.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 캐비티는 상기 제2 전극과 상기 압전층 사이에 형성되는 음향 공진기.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 복수의 캐비티는 서로 이격 형성되는 음향 공진기.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 복수의 캐비티가 형성되는 부분에서 복수의 돌출부를 구비하는 음향 공진기.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 전극 중 상기 돌출부가 형성되는 부분과 나머지 부분은 동일한 두께로 형성되는 음향 공진기.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 음향 공진부와 상기 에어 갭 사이에 구비되는 복수의 반사층;을 더 포함하는 음향 공진기.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 반사층은 서로 다른 크기의 음향 임피던스를 갖는 음향 공진기.
  14. 압전층, 상기 압전층의 일면에 형성되는 제1 전극 및 상기 압전층의 타면에 형성되는 제2 전극을 포함하는 음향 공진부;
    상기 음향 공진부의 하부에 구비되는 기판; 및
    상기 음향 공진부와 상기 기판 사이에 구비되고, 상기 음향 공진부에서 발생되는 음향파를 반사시키는 에어 갭;을 포함하며,
    상기 압전층, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 중첩되는 활성 영역은 상기 에어 갭의 상부 영역 내에 위치하며,
    상기 활성 영역 내에 복수의 캐비티가 형성되는 음향 공진기.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 음향 공진부에는 상기 복수의 캐비티가 형성되는 부분과 대응되는 부분에 복수의 돌출부가 구비되는 음향 공진기.
  16. 기판의 상부에 식각 저지층 및 제1 희생층을 순서대로 형성하는 단계;
    상기 식각 저지층 및 상기 제1 희생층의 상부에 멤브레인층 및 제1 전극을 순서대로 형성하는 단계;
    상기 제1 전극의 상부에 압전층을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극과 상기 압전층이 중첩되는 영역에서, 상기 압전층의 상부에 제2 희생층을 형성하는 단계;
    상기 압전층 및 상기 제2 희생층의 상부에 제2 전극을 형성하는 단계; 및
    에어 갭을 형성하도록 상기 제1 희생층을 제거하고, 복수의 캐비티를 형성하도록 상기 제2 희생층을 제거하는 단계;를 포함하는 음향 공진기의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제2 전극을 형성하는 단계는,
    상기 제2 희생층에 대응되는 위치에서 상기 제2 전극이 돌출부를 갖도록 형성하는 단계인 음향 공진기의 제조 방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 제1 희생층 및 상기 제2 희생층을 제거하는 단계는,
    건식 식각에 의해 상기 제1 희생층 및 상기 제2 희생층을 동시에 제거하는 단계인 음향 공진기의 제조 방법.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 식각 저지층과 상기 제1 희생층, 및 상기 멤브레인층 사이에 복수의 반사층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 음향 공진기의 제조 방법.
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