CN107527935B - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

公开了显示设备，显示设备包括基板、第一导线、钝化层、第一连接线、绝缘层、第二连接线、以及第二导线。第一导线定位在基板的显示区域的外部。钝化层覆盖第一导线的一部分。第一连接线定位在钝化层上，接触第一导线。具有至少一个开口的绝缘层定位在钝化层和第一连接线上。第二连接线定位在绝缘层上。第二连接线通过至少一个开口接触第一连接线并且具有接触第一导线的端部部分。第二导线定位在显示区域与第一导线之间，与第一连接线重叠并且包括孔。第二导线的孔与至少一个开口中的一个重叠。钝化层***在第二导线与第一连接线之间。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年6月16日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0075102号韩国专利申请的优先权，所述申请的公开内容以引用方式整体并入本文。
技术领域
本发明涉及显示设备。
背景技术
显示设备包括显示图像的显示区域以及封装下基板的封装构件。封装构件可以是封装基板或封装薄膜。
当外部冲击施加到显示设备时，可能发生用于向显示区域供应多种信号的布线之间的短路，从而导致显示区域的图像上的缺陷。
发明内容
根据本发明的示例性实施方式，提供如下的显示设备。基板包括显示区域。第一导线定位在基板的显示区域的外部。钝化层覆盖第一导线的一部分。第一连接线定位在钝化层上。第一连接线与第一导线接触。绝缘层定位在钝化层和第一连接线上。绝缘层包括至少一个开口。第二连接线定位在绝缘层上。第二连接线通过至少一个开口与第一连接线接触并且具有接触第一导线的端部部分。第二导线定位在显示区域与第一导线之间。第二导线与第一连接线重叠，并且包括位于与绝缘层的至少一个开口对应的位置中的孔，使得第二导线的孔与绝缘层的至少一个开口中的一个重叠。钝化层***在第二导线与第一连接线之间。
根据本发明的示例性实施方式，提供如下的具有显示区域的显示设备。第一导线定位在第一层间绝缘层上。第二导线定位在第一层间绝缘层上。钝化层覆盖第一导线的一部分和第二导线。第一连接线定位在钝化层上。第一连接线接触第一导线的第一区域。像素电极定位在钝化层上。绝缘层定位在钝化层和第一连接线上。绝缘层覆盖像素电极的边缘并且包括至少一个开口。发射层定位在像素电极上。第二连接线定位在发射层和绝缘层上。第二连接线通过至少一个开口接触第一连接线并且接触第一导线的第二区域。第一导线的第二区域与第一导线的第一区域间隔开。第二导线与第一连接线重叠，并且包括位于与绝缘层的至少一个开口对应的位置中的孔，使得第二导线的孔与绝缘层的至少一个开口中的一个重叠。
根据本发明的示例性实施方式，提供如下的显示设备。显示区域包括：有机发光二极管(OLED)、第一驱动器、第二驱动器、将第一驱动器连接到显示区域的多条扇出线、第一导线、第二导线、连接到第一导线的第一区域的第一连接线，以及连接到第一导线的第二区域、第一连接线和OLED的电极的第二连接线。多条扇出线、第二导线、第一连接线以及第二连接线彼此重叠。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明的示例性实施方式，本发明的这些和其他特征将变得更加显而易见，其中：
图1是根据示例性实施方式的显示设备的示意性平面图；
图2是图1的像素的电路图；
图3是沿着图1的线I-I'截取的部分剖视图；
图4A至图4C是根据示例性实施方式的辅助电极的多种示例的平面图；
图5A至图5C是根据示例性实施方式的第一电源电压线中的孔的多种示例的平面图；
图6A和图6B是根据示例性实施方式的接触部分和孔的多种示例的平面图；
图7是根据示例性实施方式的沿着图1的线I-I'截取的部分剖视图；
图8是根据示例性实施方式的显示设备的示意性平面图；以及
图9是沿着图8的线II-II'截取的部分剖视图。
具体实施方式
以下将参考附图详细地描述本发明的示例性实施方式。然而，本发明可以以不同形式实施且不应将其视作限于本文所述的实施方式。在附图中，为了清楚，层和区域的厚度可能被夸大。还将理解，当元件被称为位于另一元件或基板“上”时，它可能直接位于另一元件或基板“上”，或者也可存在中间层。还将理解，当元件被称为“联接到”或“连接到”另一元件时，它可能直接联接或直接连接到另一元件，或者也可存在中间元件。在整个说明书和附图中，相同的附图标记可指代相同的元件。
图1是根据示例性实施方式的显示设备1的示意性平面图。图2是图1的像素P的电路图。
参考图1，显示设备1可包括具有显示区域DA的基板100。多条扫描线SL、多条数据线DL和多条电力线PL可布置在基板100的显示区域DA中。多条扫描线SL在第二方向上彼此分开，并且扫描线SL中的每条在第一方向上延伸并且将扫描信号传输到像素。多条数据线DL在第一方向上彼此分开，并且数据线DL中的每条在第二方向上延伸并且将数据信号传输到像素。多条电力线PL可平行于扫描线SL和/或数据线DL，并且可以以网格或网形式实现。电力线PL中的每条将第一电源电压ELVDD传输到像素。
多个像素P可各自连接到对应的扫描线SL、对应的数据线DL以及对应的电力线PL。多个像素P可在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上以矩阵形式布置在基板100上。然而，本发明不限于此。例如，第一方向和/或第二方向上的像素P可以多种图案布置，例如，锯齿形。每个像素P发射一种颜色，并且例如可发射红色、蓝色、绿色和白色中的一种。然而，本发明不限于此。例如，每个像素P可发射除了红色、蓝色、绿色和白色之外的另一种颜色。
参考图2，像素P可包括像素电路P-100和连接到像素电路P-100并发光的发光二极管P-200。发光二极管可以是有机发光二极管(OLED)P-200，其包括像素电极、面对像素电极的相对电极、以及位于像素电极与相对电极之间的发射层。第二电源电压ELVSS施加到OLEDP-200的相对电极。OLED P-200的像素电极和相对电极中的一个可以是完全形成在显示区域DA上的公共电极。
图2的像素电路P-100包括两个薄膜晶体管T1和T2以及一个电容器C。第一薄膜晶体管T1的第一电极从电力线PL(图1)接收第一电源电压ELVDD，并且第一薄膜晶体管T1的第二电极连接到OLEDP-200的第一电极。第一薄膜晶体管T1的栅电极连接到第二薄膜晶体管T2的第二电极。第二薄膜晶体管T2的栅电极连接到扫描线SL，并且第二薄膜晶体管T2的第一电极连接到数据线DL。电容器C的第一电极连接到第一薄膜晶体管T1的栅电极，并且电容器C的第二电极从电力线PL接收第一电源电压ELVDD。第二电源电压ELVSS可低于第一电源电压ELVDD。
图2示出用于一个像素P的像素电路P-100包括两个薄膜晶体管T1和T2以及一个电容器C。然而，本发明不限于此。例如，一个像素P可包括两个或更多个薄膜晶体管以及一个或多个电容器，并且因此可具有还包括单独布线的多种像素电路。
驱动器和多条导线可布置在显示区域DA周围，即，显示区域DA的外部。
例如，如图1所示，驱动器可包括第一驱动器200和第二驱动器300。
第一驱动器200可生成数据信号，并且可通过扇出线FL将数据信号发送到布置在显示区域DA中的数据线DL。扇出线FL可各自具有连接到对应数据线DL的一个端部和连接到第一驱动器200的另一端部。作为驱动电路(例如，位移寄存器、电平移位器、视频线、开关等)的第一驱动器200可形成为集成电路芯片并且安装在基板100上。
第二驱动器300可生成扫描信号并且可将扫描信号发送到布置在显示区域DA中的扫描线SL。当形成显示区域DA中的像素P时，作为驱动电路(包括被实现为多个晶体管和电容器的位移寄存器和电平移位器)的第二驱动器300可直接形成在基板100上。例如，可使用用于形成显示区域DA的制造工艺来形成第二驱动器300。
例如，多条导线可包括将第一电源电压ELVDD发送到像素P的第一电源电压线140或将第二电源电压ELVSS发送到像素P的第二电源电压线150。导线还可包括向第一驱动器200和第二驱动器300和/或像素P传输初始化信号、驱动信号、时钟信号、控制信号等的多条信号线。
例如，多条导线可包括第一导线和第二导线，所述第一导线可被称为第二电源电压线150，所述第二导线可被称为第一电源电压线140。
第一电源电压线140可设置在显示区域DA周围，例如，在基板100的至少一侧处。第一电源电压线140在基板100的下侧处在第一方向上延伸。第一电源电压线140可电连接到布置在显示区域DA中的电力线PL。
第二电源电压线150可设置在显示区域DA周围，例如，在基板100的至少一侧处。第二电源电压线150从基板100的下侧开始沿着基板100的左侧和右侧以及上侧围绕显示区域DA延伸。第二电源电压线150的厚度可以是均匀的，或者可根据第二电源电压线150所设置在的一侧而变化。第二电源电压线150可电连接到有机发光器件OLED的相对电极。
驱动器和导线可连接到布置在基板100的边缘上的终端部(未示出)，并且因此可接收从外侧传输的电信号。
图3是沿着图1的线I-I'截取的部分剖视图。
参考图3，缓冲层101可位于基板100上。
基板100可包括多种材料，例如，玻璃、金属或塑料。根据示例性实施方式，基板100可以是柔性的。柔性基板可扭曲或弯曲，使得允许基板折叠或卷曲。柔性基板可包括超薄的玻璃、金属或塑料。
缓冲层101可防止杂质元素通过基板100侵入，可平坦化基板100的表面，并且可包括包含诸如硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx)的无机材料的一层或多层。本发明不限于此。例如，可省略缓冲层101。
薄膜晶体管T可位于基板100的显示区域DA中。薄膜晶体管T可对应于第一薄膜晶体管T1。第二薄膜晶体管T2也可具有与第一薄膜晶体管T1相同的如图3所示的结构。
可利用半导体材料在缓冲层101上形成半导体层，并且可使半导体层图案化以形成有源层121。半导体材料可以是无机半导体材料(例如，非晶硅或多晶硅)、有机半导体材料或氧化物半导体材料。
覆盖有源层121的栅绝缘层102可位于基板100上。栅绝缘层102可以是包括无机材料的一层或多层。例如，栅绝缘层102可包括氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锆(ZrO2)。
栅电极123可位于栅绝缘层102上。栅电极123可连接到向薄膜晶体管T施加扫描信号的扫描线(未示出)，并且可包括低电阻金属材料。例如，栅电极123可以是包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)以及铜(Cu)中的至少一种的单个层或多个层。栅电极123可与有源层121的至少一部分重叠。
在示例性实施方式中，使用栅电极123作为掩模，有源层121可掺杂有杂质。因此，有源层121可包括掺杂有杂质的源区和漏区以及位于源区与漏区之间的沟道区。
覆盖栅电极123的第二层间绝缘层103可位于基板100上。类似于栅绝缘层102，第二层间绝缘层103可以是包括无机材料的一层或多层。例如，第二层间绝缘层103可包括氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锆(ZrO2)。
覆盖第二层间绝缘层103的第一层间绝缘层104可位于基板100上。第一层间绝缘层104可以是包括无机材料的一层或多层。例如，第一层间绝缘层104可包括氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锆(ZrO2)。
源电极125和漏电极127可位于第一层间绝缘层104上。源电极125和漏电极127可以是包括具有高导电性的导电材料的一层或多层。例如，源电极125和漏电极127可包括与栅电极123的材料相同的材料。源电极125和漏电极127可分别通过形成在栅绝缘层102、第二层间绝缘层103和第一层间绝缘层104中的接触孔连接到有源层121的源区和漏区。
在基板100的显示区域DA的外部处，第一电源电压线140和第二电源电压线150可布置在第一层间绝缘层104上。在示例性实施方式中，第一电源电压线140、第二电源电压线150、源电极125和漏电极127可具有相同的材料。第一电源电压线140可位于显示区域DA与第二电源电压线150之间，并且可比第二电源电压线150更接近显示区域DA。
在示例性实施方式中，第一电源电压线140、第二电源电压线150以及薄膜晶体管T的栅电极123可形成在同一层上。例如，第一电源电压线140和第二电源电压线150可形成在第一层间绝缘层104的顶表面上；并且栅电极123可形成在第一层间绝缘层104的底表面上。在示例性实施方式中，第一电源电压线140、第二电源电压线150以及薄膜晶体管T的栅电极123可包括相同的材料。
在示例性实施方式中，第一电源电压线140和第二电源电压线150可形成为不具有与薄膜晶体管T的电极的位置关系。在示例性实施方式中，第一电源电压线140和第二电源电压线150可位于彼此不同的层上。在示例性实施方式中，具有彼此不同的材料的第一电源电压线140和第二电源电压线150可位于同一层或不同层上。
第一电源电压线140可包括具有第一孔H1和第二孔H2的至少一个孔H。孔H可形成在与相对电极135接触辅助电极160的接触部分CNT对应的位置中。在示例性实施方式中，孔H还可形成在不与接触部分CNT对应的位置中，例如如图6B所示。两条相邻扇出线FL之间的第一孔H1可以是对称的，并且第一孔H1的宽度可向上增加。下文将详细描述扇出线FL。第二孔H2可定位在第二电源电压线150与第一扇出线FL1之间，并且可以是不对称的。辅助电极160可被称为第一连接线。
扇出线FL可定位在第一电源电压线140下方。扇出线FL可形成在第一电源电压线140下方，使得扇出线FL和第一电源电压线140重叠。扇出线FL可包括第一扇出线FL1和第二扇出线FL2。在示例性实施方式中，扇出线FL和栅电极123可包括相同的材料。第一扇出线FL1可位于栅绝缘层102上，并且第二扇出线FL2可位于第二层间绝缘层103上。在示例性实施方式中，第一扇出线FL1可形成在第二层间绝缘层103的底表面上，并且第二扇出线FL2可形成在第二层间绝缘层103的顶表面上。
由于第一扇出线FL1和第二扇出线FL2分别布置在彼此不同的层102和103上，位于彼此不同的层上的邻近扇出线之间沿着第二方向的距离(间隔)可减小。因此，形成在距离基板100不同高度处的多条扇出线FL可在单位面积上增加，并且此外，可防止扇出线FL之间的短路。
完全覆盖薄膜晶体管T和第一电源电压线140并且覆盖第二电源电压线150的一部分(例如，第二电源电压线150的端部部分)的钝化层105可位于基板100上。钝化层105可以是包括有机材料的一层或多层。钝化层105可包括包含聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、基于丙烯酸的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及它们的混合物。例如，钝化层105可包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂等。
有机发光器件OLED的像素电极131可在显示区域DA中位于钝化层105上，并且与第一电源电压线140重叠的辅助电极160可位于显示区域DA的外部处。
像素电极131可电连接到薄膜晶体管T的漏电极127，其中，漏电极127通过形成在钝化层105中的通孔VIA暴露。像素电极131可以是包括反射导电材料(例如，银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)及它们的化合物)的反射层。在示例性实施方式中，像素电极131可以是透明导电氧化物层，其包括透明导电氧化物材料，例如，铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或铝锌氧化物(AZO)。在示例性实施方式中，像素电极131可具有包括反射层和透明导电氧化物层的堆叠结构。
在示例性实施方式中，辅助电极160和像素电极131可由相同材料形成。
辅助电极160可位于钝化层105上，并且包括与像素电极131的材料相同的材料。辅助电极160可接触第二电源电压线150的一部分。辅助电极160可接触第二电源电压线150的顶表面的一部分。
绝缘层106可位于钝化层105和辅助电极160上。绝缘层106可覆盖像素电极131的边缘并且可覆盖钝化层105和辅助电极160。绝缘层106可覆盖第二电源电压线150的一部分。绝缘层106可包括位于显示区域DA的外部的至少一个开口OP。
包括发射层的有机层133可位于像素电极131上。发射层可包括低分子有机材料或高分子有机材料。根据发射层的类型，有机发光器件OLED可发射红光、绿光或蓝光。然而，本发明不限于此。例如，多个有机发射层可布置在一个有机发光器件OLED中。例如，发射红光、绿光和蓝光的多个有机发射层可竖直地彼此堆叠或混合以发射白光。在这种情况下，还可提供将发射的白光转换为预定颜色的颜色转换层或滤色器。上述红色、绿色和蓝色是示例，并且用于发射白光的颜色的组合不限于此。
尽管未示出，但还可在像素电极131与发射层之间和/或发射层与相对电极135之间设置空穴注入层、空穴传输层、电子传输层以及电子注入层中的至少一个功能层。根据示例性实施方式，除了上述层之外，还可在像素电极131与相对电极135之间设置一个或多个其他功能层。功能层也可通过使用开口掩模形成在绝缘层106上，作为多个像素的多个有机发光器件OLED的公共层。在这种情况下，在显示区域DA的外部处的绝缘层106上形成的功能层可被从显示区域DA的外部去除。
覆盖显示区域DA的作为公共电极的相对电极135可位于有机层133和绝缘层106上。相对电极135可延伸到显示区域DA的外部并且接触第二电源电压线150。如图1所示，相对电极135可接触围绕显示区域DA的第二电源电压线150的至少一侧。相对电极135可从第二电源电压线150接收第二电源电压ELVSS。相对电极135可通过绝缘层106的形成在接触部分CNT中的开口OP接触辅助电极160。相对电极135可与相对电极135下方的第一电源电压线140和辅助电极160重叠。
在示例性实施方式中，相对电极135可包括定位在显示区域DA内的第一部分135-1。相对电极135的第一部分135-1可被称为公共电极。相对电极135可包括定位在显示区域DA外部的第二部分135-2。相对电极135的第二部分135-2可被称为第二连接线。在示例性实施方式中，第二连接线135-2可与第一电源电压线140和辅助电极160重叠。例如，第一电源电压线140、辅助电极160和第二连接线135-2可按列出的顺序竖直堆叠。
相对电极135可包括一种或多种导电材料。例如，相对电极135可包括包含锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)、铝(Al)、镁(Mg)或银(Ag)的半透明反射层。本发明不限于此。例如，相对电极135可包括诸如ITO、IZO或ZnO的透光金属氧化物。在示例性实施方式中，相对电极135可由单层或由不同材料形成的两个或更多个层形成。
基板100可由封装构件封装。封装构件可以是使用密封材料与基板100组合的封装基板，或者是具有包括交替形成在基板100上的无机材料和有机材料的结构的薄膜封装层。薄膜封装层可封装有机发光器件OLED以防止有机发光器件OLED暴露于外部空气或外来材料，并且由于其非常小的厚度，可用于可弯曲或可折叠的柔性显示设备中的封装。
当第二电源电压线150和相对电极135接触辅助电极160时，与没有辅助电极160的情况相比，从第二电源电压线150传输到相对电极135的第二电源电压ELVSS中的电压降可减小。
存在这样的可能性：当显示设备1的顶部由于外部冲击而可能被按压时，辅助电极160与第一电源电压线140之间的短路可能发生。为了防止辅助电极160与第一电源电压线140之间的这种短路，第一电源电压线140可以在接触部分CNT下方具有孔H。
根据示例性实施方式，可通过减小辅助电极160与第一电源电压线140之间的重叠面积来减少辅助电极160与第一电源电压线140之间的短路的发生。例如，可通过将辅助电极160形成为桥电极来减小辅助电极160与第一电源电压线140的重叠面积。在示例性实施方式中，可通过在与辅助电极160的接触部分CNT对应的位置中形成第一电源电压线140的孔H来减小辅助电极160与第一电源电压线140的重叠面积。在示例性实施方式中，可通过将辅助电极160形成为桥电极并且在与桥电极的接触部分CNT对应的位置中形成第一电源电压线140的孔H来减小辅助电极160与第一电源电压线140的重叠面积。
将参考图4B和图4C描述辅助电极160的桥电极。
在示例性实施方式中，第二电源电压线150可包括与辅助电极160接触的第一区域150-1。第二电源电压线150还可包括与第二连接线135-2接触的第二区域150-2。
图4A至图4C是根据示例性实施方式的辅助电极160的多种示例的平面图。为了便于描述，将从图4A至图4C中省略绝缘层106和第二连接线135-2。
参考图4A，在显示区域DA的周围侧的第一层间绝缘层104(图3)上，第一电源电压线140和第二电源电压线150可各自在第一方向上延伸并且彼此分开预定距离。具有预定图案的多个孔H可形成在第一电源电压线140中。在第一方向上延伸的辅助电极160可形成在第一电源电压线140上。
辅助电极160可在接触部分CNT中接触相对电极135。孔H在第一电源电压线140中的位置可至少对应于接触部分CNT。孔H的尺寸可大于接触部分CNT的尺寸。接触部分CNT的尺寸可以是在辅助电极160上的绝缘层106(图3)中形成的开口OP(图3)的尺寸以部分地暴露辅助电极160。辅助电极160可与第一电源电压线140完全重叠，并且钝化层105(图3)在辅助电极160和第一电源电压线140之间。辅助电极160的一侧可接触钝化层105的顶表面，并且另一侧可接触第二电源电压线150的一部分(区域A)。
图4B和图4C的示例性实施方式与图4A的实施方式不同，不同之处在于辅助电极160和第一电源电压线140的重叠面积。
参考图4B，辅助电极160可包括在第一方向上平行地布置的多个第一子电极160a以及将多个第一子电极160a的端部部分彼此连接的一对第二子电极160b。第一子电极160a可在第二方向上延伸，并且第二子电极160b可在第一方向上延伸。
第一子电极160a可与第一电源电压线140重叠，并且钝化层105(图3)在第一子电极160a和第一电源电压线140之间。第一子电极160a可在接触部分CNT中接触第二连接线135-2。孔H在第一电源电压线140中的位置可至少对应于接触部分CNT。孔H的尺寸可大于接触部分CNT的尺寸。接触部分CNT的尺寸可以是在第一子电极160a上的绝缘层106(图3)中形成的开口OP(图3)的尺寸以部分地暴露第一子电极160a。
所述一对第二子电极160b中的每一个可将彼此分开预定距离的第一子电极160a的端部彼此电连接。例如，第一子电极160a可以是将所述一对第二子电极160b彼此电连接的桥电极。所述一对第二子电极160b中的一个可接触钝化层105的顶表面，并且另一个可接触第二电源电压线150的一部分(区域A)。所述一对第二子电极160b的面积可彼此不同。
在示例性实施方式中，可省略接触钝化层105的顶表面的第二子电极160b，并且可仅提供接触第二电源电压线150的一部分(区域A)的第二子电极160b。在这种情况下，第一子电极160a的端部部分可接触钝化层105的顶表面。例如，第一子电极160a可被实现为梳状电极，并且接触第二电源电压线150的一个第二子电极160b可将梳状电极的端部彼此电连接。
图4C示出了不包括图4A和图4B的所述一对第二子电极160b的辅助电极160。例如，图4C示出了辅助电极160具有彼此分开预定距离的多个第一子电极160a。第一子电极160a中的每个的一个端部可接触钝化层105的顶表面，并且另一个端部可接触第二电源电压线150的一部分(区域A)。换句话说，多个第一子电极160a不需要彼此连接。
在图4B和图4C中，与图4A的实施方式相比，仅辅助电极160的第一子电极160a可与第一电源电压线140重叠，从而减小辅助电极160与第一电源电压线140之间的重叠面积。因此，在辅助电极160与第一电源电压线140之间发生短路的可能性可降低。
图5A至图5C是根据示例性实施方式的第一电源电压线140中的孔H的多种示例的平面图。在图5A至图5C中，辅助电极160的第一子电极160a与第一电源电压线140重叠。
如图5A和图5B所示，第一电源电压线140可包括具有四边形形状的孔H。本发明不限于此。例如，如图5C所示，第一电源电压线140可包括具有圆形形状的孔H。如图5A和5C所示，孔H的宽度Wh可大于辅助电极160的第一子电极160a的宽度We。本发明不限于此。例如，如图5B所示，孔H的宽度Wh可小于辅助电极160的第一子电极160a的宽度We。孔H的宽度Wh可以是在辅助电极160的第一子电极160a的宽度We的方向上的最大值。例如，在图5C中，孔H的宽度Wh可以是穿过孔H的中心的长度(即，孔H的直径)的值。
本发明不限于上述示例性实施方式。例如，如果第一电源电压线140中的孔H的尺寸大于绝缘层106(图3)中的开口OP或接触部分CNT的尺寸，则第一电源电压线140的孔H可具有多种形状，例如圆形形状、多边形形状等。
图6A和图6B是根据示例性实施方式的接触部分CNT和孔H的多种示例的平面图。在图6A和图6B中，辅助电极160的第一子电极160a与第一电源电压线140重叠。
在图4A至图4C中，多个开口OP(图3)布置为使得多个开口OP中的每列具有两个开口OP。例如，多个开口OP中的每列可具有相同数量的开口。绝缘层106的多个开口OP可暴露辅助电极160的第一子电极160a。接触部分CNT可形成在第一子电极160a中的每个上。接触部分CNT中的每个可与对应的开口OP重叠。可在分别对应于开口OP或接触部分CNT的位置中形成与接触部分CNT的数量相同数量的第一电源电压线140中的孔H。
在示例性实施方式中，如图6A和6B所示，可在第一子电极160a中的每个中形成非均匀数量的接触部分CNT。例如，一列接触部分CNT可包括三个接触部分；另一列接触部分CNT可包括一个接触部分。两个相邻列的接触部分CNT可具有不同数量的接触部分CNT。
根据示例性实施方式，如图6A所示，接触部分CNT可以以多种图案形成，并且例如，可在左侧和右侧的第一子电极160a中的每个中形成三个接触部分CNT，并且可在中间的第一子电极160a中形成一个接触部分CNT。可在分别与接触部分CNT对应的位置中形成与接触部分CNT的数量相同数量的第一电源电压线140中的孔H。
根据示例性实施方式，如图6B所示，接触部分CNT可以以多种图案形成，并且例如，可在左侧和右侧的第一子电极160a中的每个中形成两个接触部分CNT，并且可在中间的第一子电极160a中形成一个接触部分CNT。第一电源电压线140中的孔H可不仅形成在分别与接触部分CNT对应的位置中，而且可形成在与第一子电极160a的没有形成接触部分CNT的部分对应的位置中。
在示例性实施方式中，第一电源电压线140中的孔H的数量和尺寸可由第一电源电压线140的预定薄层电阻确定。在示例性实施方式中，辅助电极160的整个区域和辅助电极160的第一子电极160a的宽度可由辅助电极160的预定薄层电阻确定。
图7是根据示例性实施方式的沿着图1的线I-I'截取的部分剖视图。
图7的示例性实施方式与图3的示例性实施方式不同，不同之处在于去除了第二层间绝缘层103，并且扇出线FL1和FL2中的两者均位于栅绝缘层102上，并且其他配置相同。
图8是根据示例性实施方式的显示设备1a的示意性平面图。图9是沿着图8的线II-II'截取的部分剖视图。
与图1的显示设备1相比，显示设备1a还包括位于显示区域DA与第一驱动器200之间的第三驱动器400。第三驱动器400可以是由包括多个电路器件(例如，晶体管)的多个解复用器组成的驱动电路。第三驱动器400的解复用器具有连接到显示区域DA的一条或多条数据线DL的一个端部，以及连接到一条扇出线FL的另一个端部。第三驱动器400通过解复用器将数据信号从第一驱动器200发送到数据线DL。通过使用第三驱动器400的解复用器可形成少于数据线DL的扇出线FL，并且因此可减少扇出线FL的数量。因此，包括在第一驱动器200中的集成电路的数量可减少，从而降低制造成本。
第一电源电压线140和第二电源电压线150可位于第三驱动器400与第一驱动器200之间。第一电源电压线140可接近第三驱动器400，并且第二电源电压线150可接近第一驱动器200。
一起参考图9，第三驱动器400可位于显示区域DA与第一电源电压线140之间。第三驱动器400的晶体管可以是使用与显示区域DA的薄膜晶体管T的工艺相同的工艺形成的薄膜晶体管Td。
薄膜晶体管Td可包括位于缓冲层101上的有源层121'、位于栅绝缘层102上的栅电极123'、以及位于第二层间绝缘层103和第一层间绝缘层104上的源电极125'和漏电极127'。
图9示出了如图3所示的位于彼此不同的层上的第一扇出线FL1和第二扇出线FL2。本发明不限于此。例如，扇出线FL1和FL2可如图7所示位于彼此相同的层上。
由于图8和图9中示出的其他元件与以上示例性实施方式中的元件相同，因此将省略其重复描述。
以上示例性实施方式的薄膜晶体管是顶栅型薄膜晶体管。本发明不限于此。例如，薄膜晶体管可以是底栅型薄膜晶体管。在示例性实施方式中，栅电极可以是第二层间绝缘层103。
在示例性实施方式中，孔H形成在与显示区域DA外部的辅助电极160重叠的第一电源电压线140中。本发明不限于此。例如，孔可在设置在辅助电极160的下层上的导线中形成为与辅助电极160重叠，并且辅助电极160可形成为桥电极。
根据示例性实施方式，在显示区域的外部处彼此重叠的上导电层与下导电层之间的重叠面积可能减小，因此，短路的发生可减少。
虽然已参考本发明的示例性实施方式示出并描述了本发明，但本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可在其中进行各种形式和细节上的改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，包括：
基板，包括显示区域；
第一导线，位于所述基板的所述显示区域的外部；
钝化层，覆盖所述第一导线的一部分；
第一连接线，位于所述钝化层上，所述第一连接线接触所述第一导线；
绝缘层，位于所述钝化层和所述第一连接线上，所述绝缘层包括至少一个开口；
第二连接线，位于所述绝缘层上，所述第二连接线通过所述至少一个开口接触所述第一连接线并且具有接触所述第一导线的端部部分；以及
第二导线，位于所述显示区域与所述第一导线之间，所述第二导线与所述第一连接线重叠，并且包括位于与所述绝缘层的所述至少一个开口对应的位置中的孔，使得所述第二导线的所述孔与所述绝缘层的所述至少一个开口中的一个重叠，
其中，所述钝化层***在所述第二导线与所述第一连接线之间。
2.如权利要求1所述的显示设备，
其中，所述第一连接线包括平行布置的多个第一子电极。
3.如权利要求2所述的显示设备，
其中，所述多个第一子电极与所述第二导线重叠。
4.如权利要求2所述的显示设备，
其中，所述第一连接线包括连接到所述多个第一子电极的端部的第二子电极。
5.如权利要求2所述的显示设备，
其中，所述多个第一子电极中的每一个的宽度小于所述第二导线的所述孔的最大宽度。
6.如权利要求1所述的显示设备，
其中，所述第二导线的所述孔的尺寸大于所述绝缘层的所述至少一个开口的尺寸。
7.如权利要求1所述的显示设备，
其中，所述第一导线围绕所述显示区域。
8.如权利要求1所述的显示设备，
其中，所述第二导线位于所述显示区域的一侧处。
9.如权利要求1所述的显示设备，
其中，所述绝缘层覆盖所述第一连接线。
10.如权利要求1所述的显示设备，还包括：
薄膜晶体管，位于所述显示区域中，所述薄膜晶体管由所述钝化层覆盖；
像素电极，在所述显示区域中位于所述钝化层上，所述像素电极电连接到所述薄膜晶体管；
公共电极，在所述显示区域中位于所述像素电极上；以及
发射层，位于所述像素电极与所述公共电极之间。
11.如权利要求10所述的显示设备，
其中，定位在所述显示区域外部的所述第二连接线延伸以连接到所述公共电极。
12.如权利要求10所述的显示设备，
其中，所述第一导线、所述第二导线以及所述薄膜晶体管的源电极位于同一层上。
13.如权利要求1所述的显示设备，
其中，所述第二导线连接到设置在所述显示区域中的电力线。
14.如权利要求1所述的显示设备，
其中，所述第一连接线包括反射导电材料。
15.如权利要求1所述的显示设备，
其中，所述第一连接线包括透明导电氧化物材料。
16.一种具有显示区域的显示设备，包括：
第一导线，位于第一层间绝缘层上；
第二导线，位于所述第一层间绝缘层上；
钝化层，覆盖所述第一导线的一部分和所述第二导线；
第一连接线，位于所述钝化层上，所述第一连接线接触所述第一导线的第一区域；
像素电极，位于所述钝化层上；
绝缘层，位于所述钝化层和所述第一连接线上，所述绝缘层覆盖所述像素电极的边缘并且包括至少一个开口；
发射层，位于所述像素电极上；以及
第二连接线，位于所述发射层和所述绝缘层上，所述第二连接线通过所述至少一个开口接触所述第一连接线并且接触所述第一导线的第二区域，
其中，所述第一导线的所述第二区域与所述第一导线的所述第一区域间隔开，以及
其中，所述第二导线与所述第一连接线重叠，并且包括位于与所述绝缘层的所述至少一个开口对应的位置中的孔，使得所述第二导线的所述孔与所述绝缘层的所述至少一个开口中的一个重叠。
17.如权利要求16所述的显示设备，
其中，所述第一连接线包括平行布置的多个子电极。
18.如权利要求17所述的显示设备，
其中，所述多个子电极中的每一个的宽度小于所述第二导线中的所述孔的最大宽度。
19.如权利要求16所述的显示设备，
其中，所述第二导线中的所述孔的尺寸大于所述绝缘层的所述至少一个开口的尺寸。
20.如权利要求16所述的显示设备，
其中，所述第一导线和所述第二导线设置在所述显示区域的外部，以及
其中，所述第二导线连接到设置在所述显示区域中的电力线。
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