CN114823788A - 显示装置 - Google Patents

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许讲旭
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Abstract

本公开涉及显示装置，根据一实施例的显示装置包括：基板，像素电极，位于所述基板上；堤层，位于所述像素电极上，并且包括与所述像素电极重叠的像素开口部；封装层，位于所述像素电极以及所述堤层上；感测电极，位于所述封装层上；第一绝缘层，位于所述感测电极上，并且包括与所述像素开口部重叠的开口部；以及第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上，并且具有高于所述第一绝缘层的折射率，其中，在所述第一绝缘层的开口部，所述第一绝缘层的侧表面倾斜角根据位置而不同。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置以及用于该显示装置的制造工艺的光掩模。
背景技术
显示装置作为显示画面的装置，有诸如液晶显示装置(LCD：Liquid CrystalDisplay)、有机发光显示装置(OLED：Organic Light Emitting Diode)等。这些显示装置用于便携电话、导航仪、数码相机、电子书、便携式游戏机或者各种终端等多种电子设备。
显示装置形成为多层结构。例如，显示装置可以由在基板上堆叠有发光元件、触摸传感器等的多层结构构成。从发光元件产生的光通过这些多个层而向显示装置的外部发出，从而可以显示画面。然而，从发光元件产生的光的一部分可能由于在层间界面处被反射等而无法向外部发出并被消灭。因此，存在显示装置的正面光发出效率以及显示品质下降的问题。
发明内容
实施例用于提供一种能够提高光发出效率以及显示品质的显示装置以及用于该显示装置的制造工艺的光掩模。
并且，目的在于使构成显示装置的图案整体均匀地形成的同时可以具有较薄的厚度，从而提高在可折叠产品等中的稳定性。
根据一实施例的显示装置包括：基板，像素电极，位于所述基板上；堤层，位于所述像素电极上，并且包括与所述像素电极重叠的像素开口部；封装层，位于所述像素电极以及所述堤层上；感测电极，位于所述封装层上；第一绝缘层，位于所述感测电极上，并且包括与所述像素开口部重叠的开口部；以及第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上，并且具有高于所述第一绝缘层的折射率，其中，在所述第一绝缘层的开口部，所述第一绝缘层的侧表面倾斜角根据位置而不同。
所述第一绝缘层的开口部的边缘可以在平面上包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中的所述第一绝缘层的侧表面倾斜角可以小于在所述第二区域中的所述第一绝缘层的侧表面倾斜角。
所述第一绝缘层的开口部可以形成为多边形，所述第一区域可以为所述多边形的边角部，所述第二区域可以为除了所述第一区域之外的其余部分。
所述第一绝缘层的开口部可以形成为边角部被倒角处理的多边形。
所述像素开口部可以在平面上位于所述第一绝缘层的开口部内。
在所述第一区域中的所述像素开口部与所述第一绝缘层的开口部之间的相隔距离可以大于在所述第二区域中的所述开口部与所述第一绝缘层的开口部之间的相隔距离。
在所述第一绝缘层的开口部的边缘，所述第一区域的比率可以低于所述第二区域的比率。
在所述第一区域中的所述第一绝缘层的侧表面倾斜角可以比在所述第二区域中的所述第一绝缘层的侧表面倾斜角小20度以上。
在所述第一区域中的所述第一绝缘层的侧表面倾斜角可以为70度以下。
在所述第二区域中的所述第一绝缘层的侧表面倾斜角可以为50度以上且90度以下。
所述第一绝缘层的开口部可以形成为多边形，所述第一区域可以为所述多边形的各边的中心部，所述第二区域可以为除了所述第一区域之外的其余部分。
所述第一绝缘层的侧表面倾斜可以形成为直线形、曲线形或者阶梯形。
根据一实施例的光掩模可以包括多边形的中心图案以及位于所述中心图案的边角部的***图案，并且所述***图案可以沿与所述边角部并排或者垂直的方向延伸。
所述***图案可以包括沿与所述边角部并排的方向延伸的多个棒形状，所述多个棒形状的长度可以彼此相同或者随着远离所述中心图案而逐渐增加。
所述多个棒形状之间的间隔可以是恒定的，或者可以随着远离所述中心图案而逐渐增加。
所述多个棒形状的宽度可以是恒定的，或者可以随着远离所述中心图案而逐渐变窄。
所述中心图案可以形成为全色调，所述***图案可以形成为半色调，并且可以形成为宽度随着远离所述中心图案而逐渐变宽的梯形。
根据一实施例的显示装置包括：基板；像素电极，位于所述基板上；堤层，位于所述像素电极上，并且包括与所述像素电极重叠的像素开口部；封装层，位于所述像素电极与所述堤层上；感测电极，位于所述封装层上；第一绝缘层，位于所述感测电极上，并且包括与所述像素开口部重叠的开口部；以及第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上，并且具有高于所述第一绝缘层的折射率，其中，在所述堤层的像素开口部，所述堤层的侧表面倾斜角根据位置而不同。
所述像素开口部的边缘可以在平面上包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中的所述像素开口部的侧表面倾斜角可以小于在所述第二区域中的所述像素开口部的侧表面倾斜角。
所述像素开口部可以形成为多边形，所述第一区域可以是所述多边形的边角部，所述第二区域可以是除了所述第一区域之外的其余部分。
根据实施例，可以提高显示装置的光发出效率以及显示品质。
并且，可以以薄的厚度均匀地形成构成显示装置的图案，据此可以减小显示装置的整体的厚度，并且可以稳定地应用于可折叠产品等。
附图说明
图1是根据一实施例的显示装置的示意性的平面图。
图2是在根据一实施例的显示装置中包括感测部的部分的平面图。
图3是示出根据一实施例的显示装置中的显示区域的一部分的剖面图。
图4是示出根据一实施例的显示装置的一部分的平面图。
图5是沿图4的V-V线示出的剖面图。
图6是沿图4的VI-VI线示出的剖面图。
图7是示出在预定的图案上涂覆预定的物质时，根据图案的角度的物质的流动性的图。
图8是示出根据参考例的显示装置中的第一绝缘层的开口部的图。
图9是示出根据一实施例的显示装置中的第一绝缘层的开口部的图。
图10至图21是示出根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部形成用光掩模的多种示例的平面图。
图22是示出根据一实施例的显示装置的一部分的平面图。
图23和图24示出了根据一实施例的显示装置的一部分层。
图25是示出根据一实施例的显示装置的一部分的平面图。
图26是沿图25的XXVI-XXVI线示出的剖面图。
图27是沿图25的XXVII-XXVII线示出的剖面图。
【附图标记说明】
100：基板 191：像素电极
270：公共电极 350：堤层
351：像素开口部 370：发光层
400：封装层 501：缓冲层
510：第一感测绝缘层 520、540：感测电极
530：第二感测绝缘层 550：第一绝缘层
551：第一绝缘层的开口部 560：第二绝缘层
900：光掩模 910：中心图案
920：***图案
具体实施方式
以下，参考附图对本发明的多个实施例进行详细说明，以使在本发明所属技术领域中具有基本知识的人可以容易地实施。本发明可以实现为多种不同的形态，不限于在此说明的实施例。
为了明确说明本发明，省略了与说明无关的部分，并且贯穿整个说明书，对相同或者相似的构成要素将赋予相同的附图标记。
并且，为了便于说明，任意地示出了附图中示出的各个构成的大小以及厚度，因此本发明并不一定限于图示的内容。附图中为了明确表达多个层以及区域，放大示出了厚度。并且，在附图中，为了便于说明，夸大示出了部分层以及区域的厚度。
并且，当提及层、膜、区域、板等部分位于另一部分“上方”或者“之上”时，其不仅包括位于另一部分“紧邻的上方”的情形，还包括在两者中间还有其他部分的情形。与此相反，当提及到某一部分位于另一部分“紧邻的上方”时，表示在两者中间没有其他部分。并且，所谓位于作为基准的部分“上方”或者“之上”是指位于作为基准的部分的上方或者下方，并不表示一定在与重力相反的方向上位于“上方”或者“之上”。
并且，在整个说明书中，当提及某一部分“包括”某一构成要素时，在没有特别相反的记载的前提下，并不表示排除其他构成要素，而是表示还可能包括其他构成要素。
并且，在整个说明书中，当提及“平面上”时，这表示从上方观察了对象部分，当提及“剖面上”时，这表示从侧面观察了将对象部分垂直切割而成的剖面。
以下参照图1和图2说明根据一实施例的显示装置则如下。
图1是根据一实施例的显示装置的示意性的平面图，图2是在根据一实施例的显示装置中包括感测部的部分的平面图。
如图1所示，根据一实施例的显示装置包括基板100以及垫部30。
基板100包括显示区域DA和非显示区域NA。显示区域DA是形成有包括发光二极管和晶体管的像素而显示图像的区域，非显示区域NA是不显示图像的区域。非显示区域NA可以围绕显示区域DA。非显示区域NA是包括形成有向像素施加驱动信号的垫PAD的垫部30的区域。
在显示区域DA可以布置有包括晶体管(Transistor)、发光二极管(lightemitting diode)等的多个像素(未示出)。多个像素可以以多种形态排列，例如，可以以矩阵形态排列。在显示区域DA的上部还可以布置有包括多个感测电极(图2的520、540)的感测区域TA以识别触摸。
在非显示区域NA可以形成有用于向形成于显示区域DA的像素传递电压、信号等的驱动信号的驱动电压线(未示出)、驱动低电压线(未示出)、垫部30等。并且，在非显示区域NA还可以布置有多个感测布线(图2的512、522)。多个感测布线512、522可以连接于多个感测电极520、540。关于多个感测布线512、522和感测电极520、540将在以下图2中进行进一步说明。
垫部30位于非显示区域NA的一部分，并且包括多个垫PAD。连接于显示区域DA的多条电压线(未示出)、多条感测布线(图2的512、522)等可以通过多个垫PAD而被施加电压、信号等。在非显示区域NA可以附着有柔性印刷电路基板(FPCB：Flexible Printed CircuitBoard)(未示出)。柔性印刷电路基板(FPCB)可以与垫部30电连接。柔性印刷电路基板(FPCB)与垫部30可以借由各向异性导电膜电连接。柔性印刷电路基板(FPCB)可以包括驱动集成电路(Intergrated Chip)(未示出)，并且从驱动集成电路输出的驱动信号可以通过垫部30的多个垫PAD供应至各像素。
如图2所示，基板100还包括：感测区域TA，在显示区域DA的上部形成有多个感测电极520、540；以及***区域PA，围绕感测区域TA。根据实施例，感测区域TA可以包括图1的显示区域DA以及非显示区域NA的一部分，***区域PA可以包括在图1的非显示区域NA中除了感测区域TA之外的区域。然而，这仅为一示例，感测区域TA和***区域PA的位置可以进行多种变更。例如，感测区域TA可以包括显示区域DA的一部分，***区域PA可以包括显示区域DA中除了感测区域TA之外的区域以及非显示区域NA。或者，感测区域TA也可以包括显示区域DA和非显示区域NA。
感测区域TA可以包括多个感测电极520、540。多个感测电极520、540可以包括多个第一感测电极520以及多个第二感测电极540。
第一感测电极520和第二感测电极540可以彼此电分离。根据实施例，第一感测电极520可以是感测输入电极，第二感测电极540可以是感测输出电极。然而，并不限于此，也可以是第一感测电极520为感测输出电极，第二感测电极540为感测输入电极。
多个第一感测电极520和多个第二感测电极540可以在感测区域TA以不彼此重叠的方式交替地分散而布置为网格(Mesh)形态。多个第一感测电极520可以沿列方向和行方向分别布置为多个，多个第二感测电极540也可以沿列方向和行方向分别布置为多个。多个第一感测电极520可以借由多个第一感测电极连接部521沿列方向彼此连接，多个第二感测电极540可以借由第二感测电极连接部541沿行方向彼此连接。
第一感测电极520和第二感测电极540可以位于彼此相同的层。根据实施例，第一感测电极520和第二感测电极540也可以位于彼此不同的层。第一感测电极520和第二感测电极540可以为菱形形状，但并不限于此。第一感测电极520和第二感测电极540可以为诸如四边形、六边形等多边形或者可以为圆形、椭圆形，并且可以为了提高感测传感器的灵敏度而可以实现为具有突出部等的多种形状。第一感测电极520和第二感测电极540也可以由透明导电体或者不透明导电体形成。例如，第一感测电极520和第二感测电极540可以包括透明导电性氧化物(TCO：Transparent Conductive Oxide)，透明导电性氧化物(TCO)可以包括铟-锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、铟-锌氧化物(IZO：Indium Zinc Oxide)、氧化锌(ZnO)、碳纳米管(CNT：carbon nanotube)以及石墨烯(graphene)中的至少一个。并且，第一感测电极520和第二感测电极540可以包括多个开口部。形成于感测电极520、540的开口部起到使从发光二极管发出的光可以不受干涉地从前表面发出的作用。
多个第一感测电极520可以借由第一感测电极连接部521(又被称为“桥”)彼此电连接，多个第二感测电极540可以借由第二感测电极连接部541彼此电连接。在多个第一感测电极520沿第一方向连接的情形下，多个第二感测电极540可以沿与该第一方向交叉的第二方向连接。在第一感测电极520和第二感测电极540位于同一层的情形下，第一感测电极连接部521和第二感测电极连接部541中的一个可以与第一感测电极520和第二感测电极540位于同一层，另一个可以与第一感测电极520和第二感测电极540位于不同的层。其结果，多个第一感测电极520和多个第二感测电极540可以彼此电分离。位于另一层的感测电极连接部可以位于第一感测电极520和第二感测电极540的上部层或者下部层，在以下说明的实施例中，以感测电极连接部位于下部层(即，更靠近基板的层)的实施例为中心进行说明。
在***区域PA布置有分别连接于多个第一感测电极520和多个第二感测电极540的多个感测布线512、522。多个感测布线512、522可以包括多个第一感测布线512和多个第二感测布线522。第一感测布线512可以与沿行方向布置的多个第二感测电极540连接，第二感测布线522可以与沿列方向布置的多个第一感测电极520连接。根据实施例，第一感测布线512以及第二感测布线522也可以与包括于图1的垫部30的垫PAD中的一部分电连接。
在图2示出了使用两个感测电极520、540感测触摸的互电容(mutual-cap)方式的感测部。然而，根据实施例，也可以形成为仅使用一个感测电极感测触摸的自电容(self-cap)方式的感测部。
以下，参照图3以显示区域DA处的剖面图为中心进一步说明根据一实施例的显示装置。
图3是示出根据一实施例的显示装置中的显示区域的一部分的剖面图。
如图3所示，根据一实施例的显示装置的显示区域DA可以包括：基板100；晶体管TFT，包括半导体131、栅极电极124、源极电极173以及漏极电极175；栅极绝缘膜120；第一层间绝缘膜160；第二层间绝缘膜180；像素电极191；发光层370；堤层350；公共电极270以及封装层400。其中，像素电极191、发光层370以及公共电极270可以构成发光元件LED。并且，显示装置还包括位于显示区域DA的上部的感测区域TA，感测区域TA可以包括第一感测绝缘层510、第二感测绝缘层530、多个感测电极520、540、感测电极连接部541。并且，显示装置还可以包括位于感测区域TA的上部的第一绝缘层550和第二绝缘层560。
基板100可以包括如玻璃等具有刚性(rigid)特性的物质或者如塑料、聚酰亚胺(Polyimid)等能够弯曲的柔性的物质。在基板100上还可以布置有用于使基板100的表面变得平坦，并且阻断杂质元素的渗透的缓冲层111。缓冲层111可以包括无机物质，作为一例，可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等无机绝缘物质。缓冲层111可以为上述物质的单一层结构或者多层结构。在基板100上还可以布置有阻挡层(未示出)。此时，阻挡层可以位于基板100与缓冲层111之间。阻挡层可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等无机绝缘物质。阻挡层可以为上述物质的单一层结构或者多层结构。
半导体131可以位于基板100上。半导体131可以包括非晶硅、多晶硅以及氧化物半导体中的任意一个。作为一例，半导体131可以包括低温多晶硅(LTPS)或者包括包含锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)及其混合物中的至少一个的氧化物半导体物质。作为一例，半导体131可以包括铟镓锌氧化物(IGZO：Indium-Gallium-Zinc Oxide)。半导体131可以包括根据是否掺杂有杂质而划分的沟道区域、源极区域以及漏极区域。源极区域和漏极区域可以具有与导电体对应的导电特性。
栅极绝缘膜120可以覆盖半导体131以及基板100。栅极绝缘膜120可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等无机绝缘物质。栅极绝缘膜120可以为上述物质的单一层结构或者多层结构。
栅极电极124可以位于栅极绝缘膜120上。栅极电极124可以包括铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等金属或者金属合金。栅极电极124可以由单一层或多重层构成。半导体131中在平面上与栅极电极124重叠的区域可以为沟道区域。
第一层间绝缘膜160可以覆盖栅极电极124和栅极绝缘膜120。第一层间绝缘膜160可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等无机绝缘物质。第一层间绝缘膜160可以为上述物质的单一层结构或者多层结构。
源极电极173以及漏极电极175可以位于第一层间绝缘膜160上。源极电极173以及漏极电极175借由形成于第一层间绝缘膜160以及栅极绝缘膜120的开口部分别与半导体131的源极区域以及漏极区域连接。据此，前述的半导体131、栅极电极124、源极电极173以及漏极电极175构成一个晶体管TFT。根据实施例，晶体管TFT也可以仅包括半导体131的源极区域和漏极区域以替代源极电极173和漏极电极175。
源极电极173以及漏极电极175可以包括铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)等金属或金属合金。源极电极173以及漏极电极175可以由单一层或多重层构成。根据一实施例的源极电极173和漏极电极175可以形成为包括上部层、中间层以及下部层的三重层，上部层和下部层可以包括钛(Ti)，中间层可以包括铝(Al)。
第二层间绝缘膜180可以位于源极电极173以及漏极电极175上。第二层间绝缘膜180覆盖源极电极173、漏极电极175以及第一层间绝缘膜160。第二层间绝缘膜180用于平坦化配备有晶体管TFT的基板100的表面，可以是有机绝缘膜，并且可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及苯酚树脂构成的群中的一个以上的物质。
像素电极191可以位于第二层间绝缘膜180上。像素电极191又被称作阳极电极，并且可以构成为包括透明导电性氧化膜或者金属物质的单一层或者包括其的多重层。透明导电性氧化膜可以包括铟锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、聚(poly)-铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO：Indium Zinc Oxide)、铟镓锌氧化物(IGZO：Indium Gallium ZincOxide)以及铟锡锌氧化物(ITZO：Indium Tin Zinc Oxide)等中的至少一个。金属物质可以包括银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)以及铝(Al)等。
第二层间绝缘膜180可以包括暴露漏极电极175的通孔81。漏极电极175与像素电极191可以通过第二层间绝缘膜180的通孔81物理连接和电连接。据此，像素电极191可以被施加将从漏极电极175传递至发光层370的输出电流。
在像素电极191和第二层间绝缘膜180上可以布置有堤层350。堤层350又被称作像素限定层(PDL：Pixel Defining Layer)，并且包括与像素电极191的至少一部分重叠的像素开口部351。此时，像素开口部351可以与像素电极191的中心部重叠，并且可以与像素电极191的边缘部不重叠。据此，像素开口部351的大小可以小于像素电极191的大小。堤层350可以以使发光层370能够位于暴露有像素电极191的上部表面的部分上的方式划分发光层370的形成位置。堤层350可以是包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及苯酚树脂构成的群中的一个以上的物质的有机绝缘膜。根据实施例，堤层350可以由包括黑色颜料的黑色像素限定层(BPDL：Black Pixel Define Layer)形成。
发光层370可以位于借由堤层350划分的像素开口部351内。发光层370可以包括发出红色、绿色、蓝色等的光的有机物。发出红色、绿色、蓝色的光的发光层370可以包括低分子有机物或者高分子有机物。虽然在图3中将发光层370示出为单一层，但实际上在发光层370的上下也可以包括诸如电子注入层、电子传输层、空穴传输层以及空穴注入层等辅助层，在发光层370的下部可以布置有空穴注入层以及空穴传输层，在发光层370的上部可以布置有电子传输层以及电子注入层。
公共电极270可以位于堤层350以及发光层370上。公共电极270又被称作阴极电极，并且可以由包括铟锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、铟锌氧化物(IZO：Indium ZincOxide)、铟镓锌氧化物(IGZO：Indium Gallium Zinc Oxide)以及铟锡锌氧化物(ITZO：Indium Tin Zinc Oxide)等中的至少一个的透明导电层形成。并且，公共电极270可以具有半透明特性，此时，公共电极270可以与像素电极191一起形成微腔(micro cavity)。根据微腔结构，借由两个电极之间的间距以及特性，可以使特定波长的光向上部发出，其结果，可以显示红色、绿色或者蓝色。
封装层400可以位于公共电极270上。封装层400可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。在本实施例中，封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420以及第二无机封装层430。然而，这仅为一示例，构成封装层400的无机膜和有机膜的数量可以进行多种变更。第一无机封装层410、有机封装层420以及第二无机封装层430可以位于显示区域DA和非显示区域NA的一部分。根据实施例，有机封装层420可以以显示区域DA为中心而形成，并且第一无机封装层410和第二无机封装层430可以形成至非显示区域NA。封装层400用于保护发光元件LED免受可能从外部流入的水分或者氧气等的影响，第一无机封装层410和第二无机封装层430的一侧端部可以形成为直接接触。
在封装层400上可以布置有缓冲层501。缓冲层501可以由无机绝缘膜形成，并且包括于无机绝缘膜的无机物质可以是硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物以及硅氮氧化物中的至少一个。根据实施例，缓冲层501可以被省略。
在缓冲层501上可以布置有感测电极连接部521、541、第一感测绝缘层510以及多个感测电极520、540。第一感测电极连接部521和第二感测电极连接部541中的某一个可以与多个感测电极520、540位于同一层，另一个可以与多个感测电极520、540位于不同层。以下，以第二感测电极连接部541与多个感测电极520、540位于不同层的情形为例进行说明。
感测电极连接部541、第一感测绝缘层510以及多个感测电极520、540可以构成感测传感器。感测传感器可以分类为电阻膜方式(resistive type)、电容方式(capacitivetype)、电磁感应方式(electro-magnetic type)、光感测方式(optical type)等方式。根据一实施例的感测传感器可以使用电容方式的传感器。
在缓冲层501上可以布置有感测电极连接部541，第一感测绝缘层510可以位于缓冲层501以及第二感测电极连接部541上。第一感测绝缘层510可以包括无机绝缘物质或者有机绝缘物质。无机绝缘物质可以包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物以及硅氮氧化物中的至少一个。有机绝缘物质可以包括丙烯酸系树脂、甲基丙烯酸系树脂、聚异戊二烯、乙烯系树脂、环氧系树脂、聚氨酯系树脂、纤维素系树脂以及苝系树脂中的至少一个。
在第一感测绝缘层510上可以布置有多个感测电极520、540。多个感测电极520、540可以包括多个第一感测电极520和多个第二感测电极540。第一感测电极520与第二感测电极540可以电绝缘。第一感测绝缘层510可以包括暴露第二感测电极连接部541的上表面的开口部，第二感测电极连接部541可以通过第一感测绝缘层510的开口部而与第二感测电极540连接，从而使相邻的两个第二感测电极540电连接。此外，连接第一感测电极520的第一感测电极连接部521可以与第一感测电极520以及第二感测电极540形成在同一层。
多个感测电极520、540可以包括导电性好的导电物质。例如，多个感测电极520、540可以包括铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)等金属或者金属合金。多个感测电极520、540可以构成为单一层或者多重层。此时，多个感测电极520、540可以包括开口部而使从发光二极管发出的光不受干涉地向上部发出。根据实施例，多个感测电极520、540可以构成为包括上部层、中间层及下部层的三重层，并且上部层及下部层可以包括钛(Ti)，中间层可以包括铝(Al)。
在多个感测电极520、540以及第一感测绝缘层510上可以布置有第二感测绝缘层530。第二感测绝缘层530可以包括无机绝缘物质或者有机绝缘物质。无机绝缘物质可以包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物以及硅氮氧化物中的至少一个。有机绝缘物质可以包括丙烯酸系树脂、甲基丙烯酸系树脂、聚异戊二烯、乙烯系树脂、环氧系树脂、聚氨酯系树脂、纤维素系树脂以及苝系树脂中的至少一个。
在第二感测绝缘层530上布置有第一绝缘层550。第一绝缘层550可以包括具有低折射率的透光性有机绝缘物质。例如，第一绝缘层550可以包括丙烯酸(acrylic)树脂、聚酰亚胺(polyimide)树脂、聚酰胺(polyamide)树脂以及三(8-羟基喹啉)铝(Alq3：Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium)中的至少一个。第一绝缘层550可以具有相对小于将后述的第二绝缘层560的折射率。例如，第一绝缘层550可以具有1.40至1.59的折射率。
第一绝缘层550包括开口部551。开口部551表示第二感测绝缘层530未被第一绝缘层550覆盖的部分。第一绝缘层550的开口部551可以与像素开口部351重叠。
像素开口部351与第一绝缘层550的开口部551之间的相隔距离S表示像素开口部351的边缘与开口部551的边缘之间的最短距离。像素开口部351的边缘表示堤层350的边缘与像素电极191接触的位点。开口部551的边缘表示第一绝缘层550的边缘与第二感测绝缘层530接触的位点。
在第二感测绝缘层530以及第一绝缘层550上可以布置有第二绝缘层560。第二绝缘层560可以包括具有高折射率的透光性有机绝缘物质。第二绝缘层560可以具有相对大于第一绝缘层550的折射率。例如，第二绝缘层560可以具有1.60至1.80的折射率。
第二绝缘层560可以位于第一绝缘层550的开口部551内。此时，第二绝缘层560将与第一绝缘层550的侧表面接触。进一步，第二绝缘层560也可以以与第一绝缘层550的上部表面接触的方式位于第一绝缘层550的上部表面上。
虽然省略了图示，但在感测区域TA上还可以布置有包括线性偏光板、相位差板等的偏光层。并且，在感测区域TA上还可以布置有保护感测区域TA和显示区域DA的覆盖窗。此时，在偏光层与覆盖窗之间还可以布置有粘结层。
感测区域TA包括包含开口部551的第一绝缘层550以及位于第一绝缘层550的开口部551内的第二绝缘层560，从而可以提高显示装置的正面识别性以及光发出效率。即，从发光元件LED产生的光的至少一部分在第一绝缘层550与第二绝缘层560之间的界面处被全反射，使得光可以被集光至正面。
从发光层370产生的光L可以沿多种方向发光，并且会具有多种入射角而入射到感测区域TA。此时，入射到感测区域TA的第二绝缘层560的光L的至少一部分在第一绝缘层550与第二绝缘层560之间的界面处被反射。尤其是，在入射到第二绝缘层560的光L的入射角大于临界角的情形下，入射的光L可以在第一绝缘层550与第二绝缘层560的界面处被全反射。即，入射到具有相对较大的折射率的第二绝缘层560的光L可以在向具有相对较小的折射率的第一绝缘层550行进的同时，在第一绝缘层550与第二绝缘层560之间的界面处发生全反射。
此时，第一绝缘层550与第二绝缘层560之间的界面可以与平行于基板100的直线形成预定角度。第一绝缘层550与第二绝缘层560之间的界面可以为第一绝缘层550的侧表面。因此，第一绝缘层550的侧表面可以相对于第二感测绝缘层530的上部表面具有预定的倾斜角θ倾斜。即，第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ表示第一绝缘层550的侧表面在第一绝缘层550的开口部551相对于第二感测绝缘层530的上部表面形成的角度。
在根据一实施例的显示装置中，在第一绝缘层550的开口部551，第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ可以根据位置而不同。以下参照图4至图6对根据第一绝缘层550的开口部551的位置的第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ进行说明。
图4是示出根据一实施例的显示装置的一部分的平面图，图5是沿图4的V-V线示出的剖面图，图6是沿图4的VI-VI线示出的剖面图。图4示出了根据一实施例的显示装置的像素开口部以及第一绝缘层的开口部。图5和图6示出了根据一实施例的显示装置的一部分层。图5和图6示出了像素电极191以及位于其上的层。即，省略了位于像素电极191下方的层。
如图4所示，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层550的开口部551可以在平面上大致形成为多边形。例如，第一绝缘层550的开口部551可以在平面上形成为四边形。此时，第一绝缘层550的开口部551可以在平面上形成为边角部被倒角处理的多边形。第一绝缘层550的开口部551的边角部可以以直线方式或者曲线方式被倒角处理。然而，第一绝缘层550的开口部551的平面形状并不限于此，可以进行多种变更。例如，第一绝缘层550的开口部551也可以形成为圆形、椭圆形等。
第一绝缘层550的开口部551的边缘可以在平面上包括第一区域R1和第二区域R2。第一区域R1可以是构成第一绝缘层550的开口部551的多边形的边角部，第二区域R2可以是除了第一区域R1之外的其余部分。在第一绝缘层550的开口部551的边缘，第一区域R1的比率可以低于第二区域R2的比率。
如图5和图6所示，在第一区域R1中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ1可以与在第二区域R2中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ2不同。图5示出了在第一区域R1中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ1，图6示出了在第二区域R2中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ2。
在第一区域R1中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ1可以小于在第二区域R2中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ2。例如，在第一区域R1中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ1可以比在第二区域R2中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ2小大约20度以上。可以将在第一区域R1中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ1设计为大约50度，将在第二区域R2中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ2设计为大约70度。此时，假设工艺误差最大为20度，则在第一区域R1中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ1可以为大约30度以上且大约70度以下。在第一区域R1中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ1也可以为大约30度以下。并且，在第二区域R2中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ2也可以为大约50度以上且大约90度以下。
第一绝缘层550的开口部551可以与像素开口部351重叠。像素开口部351的平面形状可以与第一绝缘层550的开口部551的平面形状相似。像素开口部351可以在平面上大致形成为多边形。像素开口部351可以在平面上位于第一绝缘层550的开口部551的内侧。即，第一绝缘层550的开口部551的大小可以大于像素开口部351的大小。
在第一区域R1中像素开口部351与第一绝缘层550的开口部551之间的相隔距离S1可以与在第二区域R2中像素开口部351与第一绝缘层550的开口部551之间的相隔距离S2不同。例如，在第一区域R1中像素开口部351与第一绝缘层550的开口部551之间的相隔距离S1可以大于在第二区域R2中像素开口部351与第一绝缘层550的开口部551之间的相隔距离S2。然而，并不限于此，在第一区域R1中像素开口部351与第一绝缘层550的开口部551之间的相隔距离S1也可以与在第二区域R2中像素开口部351与第一绝缘层550的开口部551之间的相隔距离S2相同。
以下将进一步参照图7至图9对根据位置而不同地形成第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ带来的效果进行说明。
图7是示出在预定的图案上涂覆预定的物质时，根据图案的角度的物质的流动性的图。图8是示出根据参考例的显示装置中的第一绝缘层的开口部的图，图9是示出根据一实施例的显示装置中的第一绝缘层的开口部的图。在图8和图9一并示出有第二绝缘层形成用物质在第一绝缘层的开口部周围处的移动路径。
如图7所示，在倾斜度为0度(即，没有倾斜角)的预定的图案上涂覆预定的物质的情形下可以顺利实现物质的扩散。可以确认在液滴滴下的位点处的初始角度为大约65度，并且液滴从滴下的位点顺利地扩散。可以确认相比倾斜度为0度的情形，在倾斜度为10度的预定的图案上涂覆预定的物质的情形下物质的流动性下降。即，涂覆在图案上的物质将移动至倾斜部的一部分位点之后停止。可以确认在预定的图案的倾斜角为20度以上的情形下物质的流动性变得更低，从而涂覆在图案上的物质将无法进入倾斜部。即，如果图案的倾斜角增加，则可以降低涂覆于图案上的物质的流动性而阻碍物质进入倾斜部。
在根据参考例的显示装置中，第一绝缘层的侧表面倾斜角可以是恒定的，此时侧表面倾斜角可以为大约70度以上。在形成第一绝缘层之后，为了在其上形成第二绝缘层，可以涂覆第二绝缘层形成用物质。此时，涂敷于第一绝缘层上的第二绝缘层形成用物质可以向多个方向移动。如图8所示，在根据参考例的显示装置中，由于第一绝缘层的较高的侧表面倾斜角，第二绝缘层形成用物质可能无法进入第一绝缘层的开口部551内。第一绝缘层可以包括多个开口部551，并且在多个开口部551中的一部分内可能不布置有第二绝缘层形成用物质。因此，在根据参考例的显示装置中，第二绝缘层可能无法整体均匀地形成在基板上。此时，为了均匀地形成第二绝缘层，可以考虑较厚地形成第二绝缘层的方案，据此显示装置的厚度可能变厚。并且，在后续工艺中可能发生其他问题，并且具有诸如在应用于可折叠产品时耐冲击特性下降等问题。
在根据一实施例的显示装置中，使在第一区域R1中第一绝缘层的侧表面倾斜角形成得相对较低，从而如图9所示，第二绝缘层形成用物质可以顺利地进入第一绝缘层的开口部551内。即，可以借由在第一区域R1中的第一绝缘层的较低的倾斜角而形成第二绝缘层形成用物质的移动路径。第一绝缘层可以包括多个开口部551，在多个开口部551内可以整体地布置有第二绝缘层形成用物质。因此，在根据一实施例的显示装置中，可以以较薄的厚度均匀地形成第二绝缘层。据此，可以减小显示装置的整体的厚度，且可以解决在后续工艺中发生的问题，并且可以稳定地应用于可折叠产品等。
并且，在根据一实施例的显示装置中，使在第二区域R2中第一绝缘层的侧表面倾斜角形成得较高，从而可以使入射到第一绝缘层与第二绝缘层之间的界面的光能够被全反射而朝向显示装置的正面集光。即，可以提高显示装置的正面的光发出效率。
此时，在第一绝缘层的开口部551的边缘，第一区域R1与第二区域R2的比率可以进行多种变更。此时，第一区域R1的比率可以低于第二区域R2的比率。在使第一区域R1的比率过低的情形下，由于第二绝缘层形成用物质的移动路径减少，从而可能难以均匀地形成第二绝缘层。在使第一区域R1的比率过高的情形下，显示装置的正面的光发出效率可能相对降低。因此，可以适当地选择第一区域R1与第二区域R2的比率，以均匀地形成第二绝缘层的同时提高显示装置的正面光发出效率。例如，第一区域R1的比率可以为第二区域R2的比率的1％以上且20％以下。
以下，将参考图10至图21对用于形成根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部的光掩模进行说明。
图10至图21是示出根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部形成用光掩模的多种示例的平面图。
根据一实施例的显示装置的第一绝缘层可以利用负型光敏性物质构成。首先，整体地涂覆第一绝缘层形成用物质，并使光掩模对应之后实施曝光工序。此时，第一绝缘层中暴露于光的部分被保留，被光掩模的图案掩蔽的部分将被去除而形成开口部。然而，并不限于此，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层也可以由正型光敏性物质形成。此时，可以相反地构成用于形成第一绝缘层的开口部的光掩模的图案。
如图10所示，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部形成用光掩模900包括大致为多边形的中心图案910以及布置为与中心图案910的边角部相邻的***图案920。
中心图案910可以形成为多边形，例如，可以形成为四边形。此时，中心图案910的边角部可以以直线方式或者曲线方式被倒角处理。
***图案920可以位于中心图案910的各个边角部。在中心图案910形成为四边形的情形下，***图案920可以分别位于中心图案910的四个边角部。即，可以与一个中心图案910相邻地布置有四个***图案920。
***图案920可以形成为多个棒形状并排地布置的形态。此时，多个棒的长度可以随着远离中心图案910而逐渐变长。多个棒的宽度可以是恒定的。
如图11至图21所示，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部形成用光掩模900可以包括中心图案910和***图案920。在图11至图21所示的光掩模900中，中心图案910的形状可以与图10所示的光掩模实质上相同，***图案920的形状可以与图10所示的光掩模不同。以下对***图案920的多种形状进行说明。
如图11所示，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部形成用光掩模900的***图案920可以形成为多个棒形状并排地布置的形态。此时，可以恒定地形成多个棒的长度。多个棒的宽度可以是恒定的。
如图12所示，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部形成用光掩模900的***图案920可以形成为多个棒形状并排地布置的形态。此时，多个棒的长度可以随着远离中心图案910而逐渐变长。多个棒的宽度可以是恒定的。相邻的棒之间的间距可以随着远离中心图案910而逐渐增加。
如图13所示，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部形成用光掩模900的***图案920可以形成为多个棒形状并排地布置的形态。此时，多个棒的长度可以是恒定的。多个棒的宽度可以是恒定的。相邻的棒之间的间距可以随着远离中心图案910而逐渐增加。
如图14所示，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部形成用光掩模900的***图案920可以形成为多个棒形状并排地布置的形态。此时，多个棒的长度可以随着远离中心图案910而逐渐变长。多个棒的宽度可以随着远离中心图案910而逐渐减小。相邻的棒之间的间距可以随着远离中心图案910而逐渐增加。
如图15所示，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部形成用光掩模900的***图案920可以形成为多个棒形状并排地布置的形态。此时，多个棒的长度可以是恒定的。多个棒的宽度可以随着远离中心图案910而逐渐减小。相邻的棒之间的间距可以随着远离中心图案910而逐渐增加。
如图16所示，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部形成用光掩模900的***图案920可以形成为多个棒形状并排地布置的形态。此时，棒的形状可以形成为至少弯曲一次的形状。多个棒的长度可以是恒定的。多个棒的宽度可以是恒定的。相邻的棒之间的间距可以随着远离中心图案910而逐渐增加。
如图17所示，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部形成用光掩模900的***图案920可以形成为多个棒形状并排地布置的形态。此时，多个棒可以沿相对于中心图案910的边角部垂直的方向延伸。多个棒的长度可以是恒定的，多个棒的宽度可以是恒定的。
如图18所示，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部形成用光掩模900的***图案920可以由多个棒形状布置成扇形的形态。此时，多个棒的一侧端部与中心图案910的边角部相邻而聚集于一个位点，多个棒的另一侧端部具有预定的间距而相隔。多个棒的长度和宽度可以是恒定的。
如图19所示，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部形成用光掩模900的***图案920可以形成为棒形状。此时，可以以与中心图案910的各边角部相邻的方式布置有一个棒形状。棒可以沿相对于中心图案910的边角部垂直的方向延伸。
如图20所示，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部形成用光掩模900的***图案920可以由多个四边形布置成大致三角形的形态。此时，四边形的数量可以随着远离中心图案910的边角部而增加。
如图21所示，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部形成用光掩模900的***图案920可以形成为梯形形状。此时，***图案920可以具有随着远离中心图案910而逐渐变宽的宽度。此时，中心图案910可以形成为全色调(full-tone)，***图案920可以形成为半色调(half-tone)。
可以利用如图10至图21所示的多种光掩模900来形成根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部。此时，可以形成与中心图案910的形状大致对应的开口部，并且在与***图案920对应的位置，开口部的倾斜相对较低地形成。
接下来，参照图22说明根据一实施例的显示装置则如下。
图22所示的根据实施例的显示装置与图1至图6所示的根据实施例的显示装置有相当一部分相同，因此省略对相同部分的说明。在本实施例中，第一区域和第二区域的位置与在先实施例不同，以下将进一步说明。
图22是示出根据一实施例的显示装置的一部分的平面图。图22示出了根据一实施例的显示装置的像素开口部以及第一绝缘层的开口部。
如图22所示，根据一实施例的显示装置的第一绝缘层的开口部551可以在平面上大致形成为多边形。例如，第一绝缘层的开口部551可以形成为四边形，四边形的各边角部可以以直线方式或者曲线方式被倒角处理。
第一绝缘层的开口部551的边缘可以在平面上包括第一区域R1和第二区域R2。第一区域R1可以是形成第一绝缘层的开口部551的四边形的各边的中心部，第二区域R2可以是除了第一区域R1之外的其余部分。第二区域R2可以包括构成第一绝缘层的开口部551的四边形的各边角部及其***。此时，第一区域R1的比率可以低于第二区域R2的比率。
在第一区域R1中第一绝缘层的侧表面倾斜角可以小于在第二区域R2中第一绝缘层的侧表面倾斜角。在先实施例中，第一区域R1可以位于四边形的各边角部，在本实施例中，第一区域R1可以位于四边形的各边的中心部。
由于在第一区域R1中第一绝缘层的侧表面倾斜角相对较低，因此在第一区域R1，朝向正面的光发出效率可能相对较低。在先实施例中，将像素开口部351与第一绝缘层的开口部551之间的相隔距离相对较远的边角部作为第一区域R1，从而可以最小化光发出效率的减小量。在像素开口部351与第一绝缘层的开口部551之间的相隔距离在所有区域实质上相同的情形下，第一区域R1的位置可能不会对光发出效率产生较大的影响。因此，第一区域R1的位置可以进行多种变更。例如，如在本实施例，第一区域R1可以位于形成第一绝缘层的开口部551的四边形的各边的中心部，也可以位于从中心部偏向一侧的位点。
接下来，参照图23和图24说明根据一实施例的显示装置则如下。
图23和图24所示的根据实施例的显示装置与图1至图6所示的根据实施例的显示装置有相当一部分相同，因此省略对相同部分的说明。在本实施例中，在第一绝缘层的侧表面的倾斜形成为梯形这一方面与在先实施例不同，以下将进一步说明。
图23和图24示出了根据一实施例的显示装置的一部分层。
如图23和图24所示，在第一区域R1中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ1可以与在第二区域R2中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ2不同。在第一区域R1中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ1可以小于在第二区域R2中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ2。图23示出了在第一区域R1中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ1，图24示出了在第二区域R2中第一绝缘层550的侧表面倾斜角θ2。
在先实施例中，第一绝缘层550的侧表面的倾斜可以形成为连续的直线形状或者曲线形状。在本实施例中，第一绝缘层550的侧表面的倾斜可以形成为阶梯形状。在第一绝缘层550的侧表面的倾斜形成为阶梯形状的情形下，第一绝缘层550的侧表面倾斜角可以是连接连续布置的阶梯的虚拟的线与第二感测绝缘层530的上部表面形成的角度。
第一绝缘层550的侧表面的倾斜部的形状并不限于此，可以根据用于图案化第一绝缘层550的光掩模的形状、曝光量、曝光时间、构成第一绝缘层550的物质、显影液的种类等而进行多种变更。
接下来，参照图25至图27说明根据一实施例的显示装置则如下。
图25至图27所示的根据实施例的显示装置与图1至图6所示的根据实施例的显示装置有相当一部分相同，因此省略对相同部分的说明。在本实施例中，在堤层的侧表面的倾斜根据位置而不同这一方面与在先实施例不同，以下将进一步说明。
图25是示出根据一实施例的显示装置的一部分的平面图，图26是沿图25的XXVI-XXVI线示出的剖面图，图27是沿图25的XXVII-XXVII线示出的剖面图。图25示出了根据一实施例的显示装置的像素开口部以及第一绝缘层的开口部。图26和图27示出了根据一实施例的显示装置的一部分层。
如图25所示，根据一实施例的显示装置的像素开口部351可以在平面上大致形成为多边形。例如，像素开口部351可以在平面上形成为四边形。此时，像素开口部351可以在平面上形成为边角部被倒角处理的多边形。像素开口部351的边角部可以以直线方式或者曲线方式被倒角处理。然而，像素开口部351的平面形状并不限于此，可以进行多种变更。例如，像素开口部351也可以形成为圆形、椭圆形等。
像素开口部351的边缘可以在平面上包括第一区域R11以及第二区域R22。第一区域R11可以是形成像素开口部351的多边形的边角部，第二区域R22可以是除了第一区域R11之外的其余部分。在像素开口部351的边缘，第一区域R11的比率可以低于第二区域R22的比率。
如图26和图27所示，在第一区域R11中堤层350的侧表面倾斜角θ11可以与在第二区域R22中堤层350的侧表面倾斜角θ22不同。图26示出了在第一区域R11中堤层350的侧表面倾斜角θ11，图27示出了在第二区域R22中堤层350的侧表面倾斜角θ22。
在第一区域R11中堤层350的侧表面倾斜角θ11可以小于在第二区域R22中堤层350的侧表面倾斜角θ22。例如，在第一区域R11中堤层350的侧表面倾斜角θ11可以比在第二区域R22中堤层350的侧表面倾斜角θ22小大约20度以上。可以将在第一区域R11中堤层350的侧表面倾斜角θ11设计为大约50度，并且可以将在第二区域R22中堤层350的侧表面倾斜角θ22设计为大约70度。此时，假设工艺误差最大为20度，则在第一区域R11中堤层350的侧表面倾斜角θ11可以为大约30度以上且大约70度以下。在第一区域R11中堤层350的侧表面倾斜角θ11也可以为大约30度以下。并且，在第二区域R22中堤层350的侧表面倾斜角θ22可以为大约50度以上且大约90度以下。
在堤层350上将形成封装层400，封装层400可以包括有机封装层420。在堤层350的侧表面具有预定的倾斜角，并且具有高倾斜角的情形下，有机封装层420形成用物质可能无法进入堤层350的像素开口部351内。
在一根据实施例的显示装置中，可以在第一区域R11中相对较低地形成堤层350的侧表面倾斜角，以使有机封装层420形成用物质能够顺利进入堤层350的像素开口部351内。即，可以借由在第一区域R11中的堤层350的低倾斜角而形成封装层形成用物质的移动路径。堤层350可以包括多个像素开口部351，在多个像素开口部351内可以整体地布置有封装层形成用物质。据此，可以在根据一实施例的显示装置中以薄的厚度均匀地形成封装层。因此，可以减小显示装置的整体厚度，可以解决在后续工艺中发生的问题，并且可以稳定地应用于可折叠产品等。
在根据一实施例的显示装置中，在第一绝缘层550的开口部551，第一绝缘层550的侧表面倾斜角可以是恒定的。然而，并不限于此，在第一绝缘层550的开口部551，第一绝缘层550的侧表面倾斜角可以根据位置而不同。
以上对本发明的实施例进行了详细说明，然而本发明的权利范围并不限于此，本领域技术人员利用权利要求书中所定义的本发明的基本概念而进行的多种变形以及改良形态也属于本发明的权利范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
基板，
像素电极，位于所述基板上；
堤层，位于所述像素电极上，并且包括与所述像素电极重叠的像素开口部；
封装层，位于所述像素电极以及所述堤层上；
感测电极，位于所述封装层上；
第一绝缘层，位于所述感测电极上，并且包括与所述像素开口部重叠的开口部；以及
第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上，并且具有高于所述第一绝缘层的折射率，
其中，在所述第一绝缘层的开口部，所述第一绝缘层的侧表面倾斜角根据位置而不同。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层的开口部的边缘在平面上包括第一区域和第二区域，
在所述第一区域中的所述第一绝缘层的侧表面倾斜角小于在所述第二区域中的所述第一绝缘层的侧表面倾斜角。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层的开口部形成为多边形，
所述第一区域为所述多边形的边角部，
所述第二区域为除了所述第一区域之外的其余部分。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层的开口部形成为边角部被倒角处理的多边形。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中，
所述像素开口部在平面上位于所述第一绝缘层的开口部内。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，
在所述第一区域中的所述像素开口部与所述第一绝缘层的开口部之间的相隔距离大于在所述第二区域中的所述开口部与所述第一绝缘层的开口部之间的相隔距离。
7.如权利要求2所述的显示装置，其中，
在所述第一绝缘层的开口部的边缘，所述第一区域的比率低于所述第二区域的比率。
8.如权利要求2所述的显示装置，其中，
在所述第一区域中的所述第一绝缘层的侧表面倾斜角比在所述第二区域中的所述第一绝缘层的侧表面倾斜角小20度以上，
在所述第一区域中的所述第一绝缘层的侧表面倾斜角为70度以下，
在所述第二区域中的所述第一绝缘层的侧表面倾斜角为50度以上且90度以下。
9.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层的开口部形成为多边形，
所述第一区域为所述多边形的各边的中心部，
所述第二区域为除了所述第一区域之外的其余部分。
10.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层的侧表面倾斜形成为直线形、曲线形或者阶梯形。
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