CN107195687B - 一种tft及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
一种tft及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107195687B CN107195687B CN201710422080.3A CN201710422080A CN107195687B CN 107195687 B CN107195687 B CN 107195687B CN 201710422080 A CN201710422080 A CN 201710422080A CN 107195687 B CN107195687 B CN 107195687B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tft
- active layer
- insulating layer
- source electrode
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 165
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 5
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000027950 fever generation Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 silicon nitride Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78642—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41741—Source or drain electrodes for field effect devices for vertical or pseudo-vertical devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42384—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
Abstract
本发明公开了一种TFT及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置，用以实现超大开态电流的TFT，进而使得应用该TFT的显示面板提高开口率，应用该显示面板的显示装置实现窄边框。本发明提供的一种TFT，包括基板，位于基板之上的源极、位于源极之上的漏极、连接于源极与漏极之间的有源层，以及的栅极，其中，源极与漏极之间设有用于将源极与漏极绝缘的第一绝缘层，有源层与栅极之间设有用于将有源层与栅极绝缘的第二绝缘层，有源层包围第一绝缘层的至少一部分侧面，所述栅极包围所述有源层至少一部分侧面。
Description
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种TFT及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，显示面板发展迅速，高分辨率、窄边框的需求也随之变大，薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，TFT)需要更小化，充电效率要求更高，由于像素电极的充电速率与TFT的开态电流有关，而TFT的开态电流与TFT的沟道的宽度有关。
发明内容
本发明实施例提供了一种TFT及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置，用以通过增大TFT的沟道的宽度，提高TFT的开态电流，进而使得应用该TFT的显示面板提高开口率，使得应用该显示面板的显示装置实现窄边框。
本发明实施例提供的一种TFT，包括基板，位于所述基板之上的源极、位于所述源极之上的漏极、连接于所述源极与所述漏极之间的有源层，以及栅极，其中，所述源极与所述漏极之间设有用于将所述源极与所述漏极绝缘的第一绝缘层，所述有源层与所述栅极之间设有用于将所述有源层与所述栅极绝缘的第二绝缘层，所述有源层包围所述第一绝缘层的至少一部分侧面，所述栅极包围所述有源层至少一部分侧面。
本申请实施例提供的TFT，由于该TFT的有源层包围第一绝缘层的至少一部分侧面，由于沟道形成在源极与漏极之间，而第一绝缘层在源极与漏极之间，即有源层与第一绝缘层侧面接触的部分形成沟道。有源层包围第一绝缘层的至少一部分侧面，说明至少这一部分形成沟道，而包围第一绝缘层的长度即沟道的宽度，因此可以增大沟道的宽度，提高TFT的开态电流，进而使得应用该TFT的显示面板提高开口率，使得应用该显示面板的显示装置实现窄边框。
可选地，所述第一绝缘层为六面体，所述有源层包围所述六面体的至少两个侧面，所述侧面为所述六面体上除了与所述源极和所述漏极相接触的面之外的面。
本申请实施例提供的TFT的有源层至少包围六面体第一绝缘层的两个侧面，可以使得至少两个侧面形成沟道，使得沟道的宽度至少增大为现有的沟道的宽度的2倍，使得沟道的宽度变为原来的2倍，使得TFT的开态电流变大。
可选地，所述有源层包围所述六面体的四个侧面。
本申请实施例提供的TFT的有源层包围六面体第一绝缘层的四个侧面，可以使得四个侧面均形成沟道，使得沟道的宽度增大为原沟道的宽度的四倍，使得沟道的宽度变为原来的四倍，使得TFT的开态电流增加到最大。
可选地，所述栅极包围所述六面体的四个侧面。
本申请实施例提供的TFT的栅极完全包围所述六面体的四个侧面，使得有源层受控，避免漏电，导致TFT性能变差。
可选地，所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层所采用的材料包括Al2O3。
本申请实施例提供的TFT，由于Al2O3材料的介电性更好，可以保证第一绝缘层和第二绝缘层的绝缘性，避免漏电的问题。
可选地，所述源极所述漏极，为单层金属结构或多层金属结构。
本申请实施例提供的TFT，采用单层金属结构或多层金属结构，是为了保证源极和漏极形成良好的坡度角，使得第二绝缘层和有源层形成良好的坡度。
本发明实施例提供的一种阵列基板，包括本发明实施例提供的任一所述TFT。
本发明实施例提供的一种显示面板，包括通过大开态电流的TFT实现的阵列基板，所述TFT为本发明实施例提供的任一所述的TFT，所述阵列基板为本发明实施例提供的任一所述的阵列基板。
本发明实施例提供的一种显示装置，包括通过该大开态电流的TFT实现的阵列基板，通过该阵列基板实现高开口率的显示面板，所述TFT为本发明实施例提供的任一所述的TFT，所述阵列基板为本发明实施例提供的任一所述的阵列基板，所述显示面板为本发明实施例提供的任一所述的显示面板。
本发明实施例提供的一种薄膜晶体管TFT的制作方法，包括：
在基板上形成源极；
在所述源极上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成漏极；
形成连接于所述源极与漏极之间的有源层，所述有源层包围所述第一绝缘层的至少一部分侧面；
形成覆盖所述有源层上的第二绝缘层；
形成包围所述有源层至少一部分侧面的栅极。
附图说明
图1为本发明实施例提供的TFT的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的TFT的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的TFT的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的TFT的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的TFT的结构示意图
图6为本发明实施例提供的TFT的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的TFT的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的TFT的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的TFT的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的TFT的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的TFT的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的TFT的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种TFT及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置，用以增大TFT的沟道的宽度，提高TFT的开态电流，进而使得应用该TFT的显示面板提高开口率，使得应用该显示面板的显示装置实现窄边框。
附图中各膜层的形状和尺寸不反应薄膜晶体管的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种TFT，包括基板，位于基板之上的源极、位于源极之上的漏极、连接于源极与漏极之间的有源层，以及栅极，其中，源极与漏极之间设有用于将源极与漏极绝缘的第一绝缘层，有源层与栅极之间设有用于将有源层与栅极绝缘的第二绝缘层，第一绝缘层与第二绝缘层的材料可以是同一种材料也可以不是同一种材料，有源层包围第一绝缘层的至少一部分侧面，栅极包围所述有源层至少一部分侧面。所述的栅极包围有源层的侧面包括有源层包围第一绝缘层的侧面。源极与漏极之间的导电区域即为沟道，因此，有源层包围的第一绝缘层的长度，就是沟道的宽度，源极与漏极之间的垂直距离为沟道的长度。
例如：当第一绝缘层为六面体时，有源层可以包围第一绝缘层的两个侧面，也可以包括三个侧面或是四个侧面，侧面为六面体上除了与源极和漏极相接触的面之外的面，有源层包围的六面体的侧面越多时，沟道的宽度越长，在沟道长度不变的情况下，沟道的宽度越长，进而TFT的开态电流越大；开态电流的增大不仅可以提高显示面板开口率，还可以减少显示装置的周边电路，减小周边电路在边框的占用面积，使得显示装置实现窄边框，其中所述周边电路例如可以包括源极驱动电路和栅极驱动电路。
当有源层包围六面体的四个侧面时，沟道的宽度为漏极在源极上的正投影的边长之和减去漏极信号线的宽度。此时，沟道的宽度最长，在沟道长度不变的情况下，沟道的宽长比最大，进而使得TFT的开态电流最大。
可选地，所述第一绝缘层的形状可以选择六面体，但不限于六面体，例如，正方体、其他不规则形状的立体结构等。
当然，本申请实施例提供的TFT还可以包括其他膜层，在此不再赘述。
下面结合附图介绍本申请实施例中提供的一种TFT的举例说明。
如图1所示，本申请实施例中提供的一种TFT，包括基板1，位于基板1上的源极2、位于源极2之上的漏极3、连接于源极2与漏极3之间的有源层4，以及栅极5，其中，源极2与所述漏极3之间设有用于将源极2与漏极3绝缘的第一绝缘层6，有源层4与栅极5之间设有用于将有源层4与栅极5绝缘的第二绝缘层7，有源层4包围第一绝缘层6的所有侧面，栅极5包围所述有源层4的所有侧面，并且为了便于制作，有源层4覆盖在漏极3之上；漏极3在源极2之上的投影区域为矩形，因此，第一绝缘层为立方体，有四个侧面。
需要说明的是，如图2所示，有源层4与源极2的接触区域的作用是使得源极2与漏极3之间导通电流，接触区域的宽度为图中标识的a段，接触区域的长度为图中标识的b段，如果接触区域太小的话，电流导通面积小，电流比较集中，容易局部发热，因此，例如a的取值范围为大于或等于100nm，从而使有源层4与源极2的接触区域尽可能的大，即导通面积尽可能的大，这样可以使得电流容易分散，减少由于电流集中导致的热度过大致使显示面板烧毁的问题。图2中标识长度为c段、宽度为d段的凸起部分为漏极信号线8。
需要说明的是，除了包围四个侧面，如图3和图4所示，有源层4也可以包围立方体第一绝缘层6的两个侧面，此时，沟道的宽度为W＝W1+W2，沟道的长度为L，在沟道长度不变的情况下，沟道的宽度变长，使得TFT的开态电流变大。需要说明的是，当有源层4包围第一绝缘层6的两个侧面时，栅极5包围有源层4的侧面包括有源层4包围第一绝缘层的两个侧面，此时栅极5可以包围有源层4的2个侧面、3个侧面或4个侧面。
其中，有源层4不仅可以采用包围第一绝缘层6的方式还可以采用有源层4覆盖第一绝缘层6的方式，如图5和图6所示，有源层4完全覆盖漏极3在源极2上的投影，使得有源层4将第一绝缘层6的所有侧面包围，此时，沟道的宽度W＝W1+W2+W3+W4，沟道的长度为L，在沟道长度不变的情况下，使得沟道的宽度最长，使TFT的开态电流达到最大。
有源层4包围第一绝缘层6的形式在此不限定。
可选地，如图7和图8所示，栅极5包围立方体的四个侧面。有源层4被栅极5完全覆盖，能够避免TFT漏电，导致TFT性能变差。与有源层4包围或覆盖第一绝缘层6侧面的形式同理，栅极5也可以采取包围有源层4侧面的形式或是采取覆盖有源层4的方式。在此不再赘述。
可选地，所述第一绝缘层6和/或所述第二绝缘层7所采用的材料包括Al2O3。
与其他化合物相比，例如：氮化硅，Al2O3材料的节点性更好，可以保证第一绝缘层6和第二绝缘层7的绝缘性，所以本申请中第一绝缘层6和/或第二绝缘层7采用Al2O3材料，避免漏电。当然也可以采用其他材料，第一绝缘层6与第二绝缘层7也可以采用不同的绝缘材料，在此不做限定。
可选地，所述源极2所述漏极3，为单层金属结构或多层金属结构。
本发明一种TFT中，源极2与漏极3为单层金属结构时，可以是钼(Mo)、钨(W)、铝(Al)合金、铜(Cu)合金等，对于多层金属结构，应通过刻蚀液成分调整(湿刻适用)或刻蚀气氛调整(干刻适用)来确保源极2与漏极3没有坡度角产生；这样才能保证第二绝缘层7和有源层4有良好的坡度。如果第二绝缘层7和有源层4出现坡度角，就可能将有源层4扎破，造成TFT漏电，导致TFT性能变差。
本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括本发明实施例提供的任一所述TFT。
当然本发明实施例提供的阵列基板可以应用于液晶显示面板，也可以应用于有机电致发光显示面板，在此不做限定，
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括：通过该大开态电流的TFT实现的阵列基板，所述阵列基板为本发明实施例提供的任一所述的阵列基板。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括：通过该大开态电流的TFT实现的阵列基板，通过该阵列基板实现高开口率的显示面板，所述TFT为本发明实施例提供的任一所述的TFT，所述阵列基板为本发明实施例提供的任一所述的阵列基板，所述显示面板为本发明实施例提供的任一所述的显示面板。
上述显示装置可以为：手机、电视机、平板电脑、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例还提供了薄膜晶体管TFT的制作方法，包括：
如图9和图10所示，在基板1上沉积源极2，并将源极2进行图案化；
如图11和图12所示，在所述源极2上沉积第一绝缘层6和漏极3，并对第一绝缘层6和漏极3进行图案化；
如图5和图6所示，沉积连接于所述源极2与漏极3之间的有源层4，所述有源层4包围所述第一绝缘层6的至少一部分侧面；
如图1和图8所示，沉积覆盖所述有源层4的第二绝缘层7；在所述第二绝缘层7上沉积栅极5，栅极5有源层4的一部分侧面，所述的栅极5包围有源层4的侧面包括有源层4包围第一绝缘层6的侧面。
其中，有源层4膜层的要求较高，为避免不必要的缺陷，需要将有源层4沉积50nm至100nm的厚度以保证不断线，沉积有源层4时可以采用原子层沉积技术(Atomic LayerDeposition，ALD)进行沉积，以增加有源层4的覆盖力，减小缺陷。ALD工艺可以更好地保护有机材料不受氧气和水的影响，同时提成显示面板的整体寿命和性能。
第一绝缘层6与第二绝缘层7进行成膜时，也可以选用ALD工艺进行成膜，以提高第一绝缘层6和第二绝缘层7的覆盖力和成膜质量。
综上所述，本发明实施例提出了一种实现超大开态电流的TFT，包括基板、位于基板上的源极、漏极、有源层、栅极以及第一绝缘层和第二绝缘层，有源层包围第一绝缘层的至少一部分侧面，本发明实施例将有源层包围第一绝缘层的两个侧面、三个侧面或是四个侧面，增大了沟道的宽度，即在沟道的长度不变的情况下，增大了沟道的宽度，实现大开态电流的TFT；使得应用该超大开态电流TFT的显示面板提高开口率，并减少了显示装置的周边电路，减小了周边电路占用的面积，实现显示装置的窄边框。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种薄膜晶体管TFT，其特征在于，包括基板，位于所述基板之上的源极、位于所述源极之上的漏极、连接于所述源极与所述漏极之间的有源层，以及栅极，其中，所述源极与所述漏极之间设有用于将所述源极与所述漏极绝缘的第一绝缘层，所述有源层与所述栅极之间设有用于将所述有源层与所述栅极绝缘的第二绝缘层，所述有源层包围所述第一绝缘层的至少一部分侧面，所述栅极包围所述有源层至少一部分侧面；其中，所述第一绝缘层为六面体，所述有源层包围所述六面体的至少两个侧面，所述侧面为所述六面体上除了与所述源极和所述漏极相接触的面之外的面。
2.根据权利要求1所述的TFT，其特征在于，所述有源层包围所述六面体的四个侧面。
3.根据权利要求1所述的TFT，其特征在于，所述栅极包围所述六面体的四个侧面。
4.根据权利要求1所述的TFT，其特征在于，所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层所采用的材料包括Al2O3。
5.根据权利要求1所述的TFT，其特征在于，所述源极和/或所述漏极，为单层金属结构或多层金属结构。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管TFT。
7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求6所述的阵列基板。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的显示面板。
9.一种薄膜晶体管TFT的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成源极；
在所述源极上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成漏极；
形成连接于所述源极与所述漏极之间的有源层，所述有源层包围所述第一绝缘层的至少一部分侧面，其中，所述第一绝缘层为六面体，所述有源层包围所述六面体的至少两个侧面，所述侧面为所述六面体上除了与所述源极和所述漏极相接触的面之外的面；
形成覆盖所述有源层的第二绝缘层；
形成包围所述有源层至少一部分侧面的栅极。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710422080.3A CN107195687B (zh) | 2017-06-07 | 2017-06-07 | 一种tft及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置 |
| US16/327,208 US11004980B2 (en) | 2017-06-07 | 2018-05-29 | Thin film transistor having vertical channel and manufacturing method therefor, array substrate, display panel and display device |
| PCT/CN2018/088844 WO2018223871A1 (zh) | 2017-06-07 | 2018-05-29 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710422080.3A CN107195687B (zh) | 2017-06-07 | 2017-06-07 | 一种tft及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107195687A CN107195687A (zh) | 2017-09-22 |
| CN107195687B true CN107195687B (zh) | 2019-07-09 |
Family
ID=59877344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710422080.3A Expired - Fee Related CN107195687B (zh) | 2017-06-07 | 2017-06-07 | 一种tft及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11004980B2 (zh) |
| CN (1) | CN107195687B (zh) |
| WO (1) | WO2018223871A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107195687B (zh) * | 2017-06-07 | 2019-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种tft及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN112397579B (zh) * | 2020-10-22 | 2022-12-06 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板 |
| CN113345967B (zh) * | 2021-05-21 | 2022-09-09 | Tcl华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管及led背板 |
| CN113325647B (zh) * | 2021-06-04 | 2023-04-25 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104022156A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、阵列基板及相应的制作方法、显示装置 |
| CN105932066A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-09-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3376302B2 (ja) * | 1998-12-04 | 2003-02-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN100490180C (zh) * | 2004-10-04 | 2009-05-20 | 松下电器产业株式会社 | 纵向场效应晶体管及其制造方法 |
| KR20130074954A (ko) * | 2011-12-27 | 2013-07-05 | 한국전자통신연구원 | 수직 채널 박막 트랜지스터 |
| US20160365370A1 (en) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | Eastman Kodak Company | Dual-gate vtft |
| KR102568778B1 (ko) * | 2016-05-12 | 2023-08-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102587728B1 (ko) * | 2016-10-07 | 2023-10-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
| CN107195687B (zh) | 2017-06-07 | 2019-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种tft及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置 |
-
2017
- 2017-06-07 CN CN201710422080.3A patent/CN107195687B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-05-29 WO PCT/CN2018/088844 patent/WO2018223871A1/zh active Application Filing
- 2018-05-29 US US16/327,208 patent/US11004980B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104022156A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、阵列基板及相应的制作方法、显示装置 |
| CN105932066A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-09-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2018223871A1 (zh) | 2018-12-13 |
| US11004980B2 (en) | 2021-05-11 |
| US20190221673A1 (en) | 2019-07-18 |
| CN107195687A (zh) | 2017-09-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107195687B (zh) | 一种tft及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置 | |
| US10153346B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JP6261937B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| US9911853B2 (en) | Semiconductor device | |
| WO2019071725A1 (zh) | 顶栅自对准金属氧化物半导体tft及其制作方法 | |
| CN103022150B (zh) | 一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置 | |
| JP7282236B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP7238014B2 (ja) | トランジスタ | |
| CN105097941B (zh) | 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置 | |
| CN109638078B (zh) | Tft的制备方法、tft、oled背板和显示装置 | |
| EP3179518A1 (en) | Thin-film transistor and preparation method therefor, array substrate, and display device | |
| US10504927B2 (en) | Thin film transistor array panel | |
| CN109686794A (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法、显示装置 | |
| CN102723359A (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | |
| TW202343784A (zh) | 金屬氧化物及半導體裝置 | |
| US9614095B2 (en) | Semiconductor device | |
| CN112490275B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN104103646A (zh) | 一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| TWI590426B (zh) | 光感測陣列之光感測單元的製造方法及其結構 | |
| JP6692382B2 (ja) | 表示装置 | |
| CN106711155B (zh) | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 | |
| CN204029807U (zh) | 一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板、显示装置 | |
| CN113571533B (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
| CN108987485A (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法、显示装置 | |
| JP6861871B2 (ja) | 表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190709 Termination date: 20200607 |