TWI590426B - 光感測陣列之光感測單元的製造方法及其結構 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種感測單元的製造方法，且特別是有關於一種光感測陣列之光感測單元的製造方法及其結構。
光感測單元是一種普遍用於手機、平板電腦、筆記型電腦或醫療診斷輔助工具等電子裝置的光感元件。傳統上，光感測單元的製造流程是在形成氧化物半導體層後，再形成對應的光感測單元。然而，在進行光感測單元的沉積步驟時，會因為氫離子的產生而對氧化物半導體元件造成電性不穩定或電性退化的現象。基於氫離子對於氧化物半導體層的電性影響，現有的光感測單元的製造流程會衍生良率下降的問題並且造成製造成本的增加。另外，現有的氧化物半導體元件亦容易受到水氣的影響，造成半導體元件的電性不穩定。因此，如何改善光感測單元的製造流程及半導體元件的結構避免氫離子及水氣所帶來的影響為目前極須克服的一個重要課題。
本發明提供一種光感測陣列之光感測單元的製造方法及其結構，可用以解決氫離子以及水氣所帶來的電性影響問題。
本發明的光感測陣列之光感測單元的製造方法，包括提供基板，基板上具有至少一單元區域。在基板上之單元區域內形成主動元件。在基板上的單元區域內形成第一電極層，所述第一電極層與主動元件電性連接。在主動元件上形成保護層。在保護層上形成遮蔽層，以遮蔽主動元件。於形成遮蔽層之後，在單元區域內之保護層上形成光感測層，以及，於光感測層上形成第二電極層。
本發明另提供一種光感測陣列之光感測單元，包括基板、主動元件、第一電極層、保護層、遮蔽層、光感測層以及第二電極層。所述基板包括至少一單元區域。主動元件位於基板之單元區域內。第一電極層位於單元區域內且與主動元件電性連接。保護層覆蓋主動元件以及第一電極層。遮蔽層位於保護層上，其中遮蔽層遮蔽主動元件且遮蔽整個單元區域。光感測層位於保護層上且與第一電極層電性連接。第二電極層位於光感測層上。
基於上述，本發明的製造方法所形成的光感測陣列之光感測單元包括了第一電極層、遮蔽層以及阻隔牆之結構。因此，在後續步驟形成光感測層時，所述結構可用以阻擋氫離子或是水氣的擴散行為，避免造成對半導體元件的電性影響。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是依照本發明一實施例的光感測陣列示意圖。在本實施例中，光感測陣列包括多個光感測單元。每一光感測單元位於多條資料線DL以及多條閘極線GL所定義的區域（亦即單元區域R）內。基於導電性的考量，閘極線 GL與資料線DL一般是使用金屬材料。然，本發明不限於此，根據其他實施例，閘極線GL與資料線DL也可以使用其他導電材料。例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料、或是金屬材料與其它導材料的堆疊層。另外，每一光感測單元各自包括主動元件TFT與光感測層PS，其中，主動元件TFT分別與資料線DL、閘極線GL以及光感測層PS電性連接。以下，將針對單元區域R中之一部份的光感測單元的製造流程進行說明，如圖2A至圖2F以及圖3A至圖3G所示。
圖2A至圖2F為本發明一實施例的光感測單元之製造流程的上視示意圖。圖3A至圖3G為本發明一實施例的光感測單元之製造流程的剖面示意圖。圖3A至圖3F分別為對應圖2A至圖2F的剖面示意圖。首先，請參考圖2A以及圖3A，本實施例的光感測陣列之光感測單元的製造方法包括提供基板Sub，所述基板Sub上具有至少一單元區域R(如圖1所標示)。基板Sub之材質可為玻璃、石英、有機聚合物或是金屬等等。
於基板Sub上之單元區域R內形成主動元件。所述主動元件的形成方法包括在基板Sub上形成閘極G以及與閘極G連接的閘極線GL，並且在閘極G以及閘極線GL上形成絕緣層GI。接著，在絕緣層GI上形成半導體層AL。特別是，半導體層AL可為氧化物半導體材料，包括例如氧化銦鎵鋅(Indium-Gallium-Zinc Oxide, IGZO)、氧化鋅(ZnO) 氧化錫(SnO)、氧化銦鋅(Indium-Zinc Oxide, IZO)、氧化鎵鋅(Gallium-Zinc Oxide, GZO)、氧化鋅錫(Zinc-Tin Oxide, ZTO)或氧化銦錫(Indium-Tin Oxide, ITO)等等，但不限於此。半導體層AL也可以是非晶矽、多晶矽或是其他半導體材料。
承上所述，請參考圖2B以及圖3B，在半導體層AL以及絕緣層GI的上方形成蝕刻終止層ES。蝕刻終止層ES中具有開口V1以及第一溝渠T1。特別是，所述第一溝渠T1是貫穿蝕刻終止層ES以及絕緣層GI以延伸至基板Sub的表面，且第一溝渠T1將半導體層AL以及閘極G包圍（如圖2B所示）。
接著，請參考圖2C以及圖3C，在蝕刻終止層ES上形成源極S以及汲極D，並且同時在基板Sub上之單元區域R內形成第一電極層M1。在本實施例中，第一電極層M1與源極S以及汲極D是同時形成，且屬於同一膜層。另外，源極S以及汲極D是透過開口V1與半導體層AL接觸。所述第一電極層M1是與汲極D電性連接。如圖3C所標示，上述閘極G、源極S、汲極D以及半導體層AL組成主動元件TFT。於本實施例中，於主動元件TFT的周圍形成阻隔牆BW0，其中阻隔牆BW0包括第一阻隔牆BW1。在形成第一電極層M1、源極S以及汲極D的同時，更包括於絕緣層GI以及蝕刻終止層ES之第一溝渠T1內形成第一阻隔牆BW1。第一阻隔牆BW1材料可包括金屬氧化物導電材料例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋁銦、氧化銦(InO)、氧化鎵(gallium oxide, GaO)或其它金屬氧化物導電材料、石墨烯、金屬材料例如鉬(Mo)、鈦(Ti)或其它金屬材料，金屬合金例如氮化鉬(MoN)、上述材料之組合、或者其它具有低阻值的導電材料。第一電極層M1為金屬材料包括金屬例如鋁、鈦/鋁/鈦、鉬、鉬/鋁/鉬、上述金屬組成之合金或其它適合之金屬或合金於本實施例中。第一阻隔牆BW1與第一電極層M1可為相同步驟形成。第一阻隔牆BW1是填入第一溝渠T1中，且所述第一阻隔牆BW1圍繞主動元件TFT。本實施例中，第一阻隔牆BW1與第一電極層M1可為不同步驟形成，且材料可為不同，然此並非用以限制本發明。由於第一阻隔牆BW1圍繞主動元件TFT，因此，於後續製程步驟中，可避免氫離子以及水氣擴散而使主動元件TFT的電性受到影響。在本實施例中，主動元件TFT是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。根據其他實施例，所述主動元件TFT可以是頂部閘極型薄膜電晶體。
接著，請參考圖2D以及圖3D，在主動元件TFT上形成第一保護層PL1，其中第一電極層M1是位於第一保護層PL1之下方。第一保護層PL1具有第二溝渠T2以及開口V2。所述第二溝渠T2是貫穿保護層PL1並延伸至第一電極層M1的表面，且第二溝渠T2圍繞上述主動元件TFT（如圖2D所示）。
再來，請參考圖2E以及圖3E，在保護層PL1上形成遮蔽層SD，以遮蔽主動元件TFT。所述遮蔽層SD遮蔽整個單元區域R中的主動元件TFT，且遮蔽層SD是由不透光金屬所組成。所述金屬材料包括金屬例如鋁、鈦/鋁/鈦、鉬、鉬/鋁/鉬、上述金屬組成之合金或其它適合之金屬或合金於本實施例中。另外，在形成遮蔽層SD的同時，更包括於保護層PL1之第二溝渠T2內形成阻隔牆BW0，其中阻隔牆BW0包括第二阻隔牆BW2，且所述第二阻隔牆BW2圍繞主動元件TFT。第二阻隔牆BW2的材料可包括金屬氧化物導電材料例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋁銦、氧化銦(InO)、氧化鎵(gallium oxide, GaO)或其它金屬氧化物導電材料、石墨烯、金屬材料例如鉬(Mo)、鈦(Ti)或其它金屬材料，金屬合金例如氮化鉬(MoN)、上述材料之組合、或者其它具有低阻值的導電材料。另外，第二阻隔牆BW2與遮蔽層SD可為相同步驟形成，且第二阻隔牆BW2與遮蔽層SD屬於同一膜層。然而，於本實施例中，第二阻隔牆BW2與遮蔽層SD可為不同步驟形成，且材料可為不同，然此並非用以限制本發明。由於第一阻隔牆BW1以及第二阻隔牆BW2圍繞主動元件TFT，因此，於後續製程步驟中，可進一步避免氫離子以及水氣的擴散而使主動元件TFT的電性受到影響。
再來，請參考圖2F以及圖3F，於形成遮蔽層SD之後，在單元區域R內形成光感測層PS，其中，光感測層PS是填入保護層PL1的開口V2中。光感測層PS是透過開口V2與第一電極層M1電性連接。於形成光感測層PS之後，可在光感測層PS的上方分別形成第二保護層PL2、第二電極層M2以及第三保護層PL3以形成如圖3G所示的光感測單元結構。
詳細來說，圖3G所示的光感測單元結構可對應於本發明一實施例的半導體元件，且為對應於圖2F延剖線X-X’的剖面示意圖。參考圖3G，半導體元件包括基板Sub、主動元件TFT、保護層PL1以及第一阻隔牆BW1。主動元件TFT位於基板Sub上。特別是，主動元件TFT包括閘極G、絕緣層GI、半導體層AL、蝕刻終止層ES、源極S以及汲極D。承上所述，絕緣層GI覆蓋閘極G。半導體層AL位於閘極G上方。蝕刻終止層ES覆蓋半導體層AL。源極S以及汲極D位於蝕刻終止層ES上，且與半導體層AL電性接觸。
另外，保護層PL1用以覆蓋主動元件TFT，且第一阻隔牆BW1圍繞主動元件TFT。在圖3G的實施例中，半導體元件更包括第一電極層M1、遮蔽層SD、光感測層PS、第二電極層M2以及第二阻隔牆BW2(見圖3E)。承上所述，第一電極層M1與主動元件TFT電性連接，且保護層PL1覆蓋第一電極層M1。第二阻隔牆BW2位於保護層PL1內，且圍繞主動元件TFT。遮蔽層SD位於保護層PL1上，且遮蔽主動元件TFT。光感測層PS位於保護層PL1上，且與第一電極層M1電性連接。另外，第二電極層M2位於光感測層PL1上。
在圖3G的半導體元件中，由於第一阻隔牆BW1以及第二阻隔牆BW2圍繞主動元件TFT，因此，可進一步避免氫離子以及水氣的擴散而使主動元件TFT的電性受到影響。
圖4為本發明另一實施例的光感測單元示意圖。圖4的光感測單元結構與圖3G的光感測單元結構類似，且同樣為對應於圖2F延剖線X-X’之剖面，因此，相同元件以相同標號表示，且不予贅述。圖4與圖3G的光感測單元差異在於，圖4的光感測單元之製造方法更包括於保護層PL1上形成平坦層PN，且遮蔽層SD是位於保護層PL1以及平坦層PN上，並遮蔽主動元件TFT且遮蔽整個單元區域R。由於增加了平坦層PN，因此可以減少第一電極層M’1與主動元件TFT寄生電容的發生機會，同時也可以確保光感應層PS的平坦性。第一電極層M’1是位於平坦層PN上，且第一電極層M’1與遮蔽層SD是同時形成。換言之，第一電極層M’1與遮蔽層SD是屬於同一膜層。另外，相較於圖3G的光感測單元結構，光感測層PS是曡層於主動元件TFT上，因此增加了光感測層PS的感測面積。在本實施例中，由於第一電極層M’1與遮蔽層SD是同時形成於主動元件TFT的上方，因此，在形成光感測層PS時，可避免氫離子以及水氣的擴散而使主動元件TFT的電性受到影響。
圖5為本發明另一實施例的光感測單元示意圖。圖5實施例的光感測單元是以類似於圖4光感測單元的製造方法所形成。圖5的光感測單元結構與圖4的光感測單元結構類似，且同樣為對應於圖2F延剖線X-X’之剖面，因此，相同元件以相同標號表示，且不予贅述。圖5與圖4的光感測單元差異在於，圖5的光感測單元之製造方法更包括於主動元件TFT的周圍形成第一阻隔牆BW’1。在本實施例中，由於第一阻隔牆BW’1圍繞主動元件TFT，因此，於後續製程步驟中，可避免氫離子以及水氣的擴散而使主動元件TFT的電性受到影響。
圖6為本發明另一實施例的光感測單元示意圖。圖6實施例的光感測單元是以類似於圖5光感測單元的製造方法所形成。圖6的光感測單元結構與圖5的光感測單元結構類似，且同樣為對應於圖2F延剖線X-X’之剖面，因此，相同元件以相同標號表示，且不予贅述。圖6與圖5的光感測單元差異在於，圖6的光感測單元之製造方法更包括於平坦層PN內形成第二阻隔牆BW’2，其中，第二阻隔牆BW’2圍繞主動元件TFT。在本實施例中，由於第一阻隔牆BW’1以及第二阻隔牆BW’2圍繞主動元件TFT，因此，於後續製程步驟中，可進一步避免氫離子以及水氣的擴散而使主動元件TFT的電性受到影響。
圖7為本發明另一實施例的光感測單元示意圖。圖7實施例的光感測單元是以類似於圖4光感測單元的製造方法所形成。圖7的光感測單元結構與圖4的光感測單元結構類似，且同樣為對應於圖2F延剖線X-X’之剖面，因此，相同元件以相同標號表示，且不予贅述。圖7與圖4的光感測單元差異在於，圖7的光感測單元不包括平坦層PN，且光感測層PS直接形成於第一電極層M’1與遮蔽層SD的上方，並且曡層於主動元件TFT上。在本實施例中，由於第一電極層M’1與遮蔽層SD是同時形成於主動元件TFT的上方，因此，在形成光感測層PS時，可避免氫離子以及水氣的擴散而使主動元件TFT的電性受到影響。
圖8為本發明另一實施例的光感測單元示意圖。圖8實施例的光感測單元是以類似於圖7光感測單元的製造方法所形成。圖8的光感測單元結構與圖7的光感測單元結構類似，且同樣為對應於圖2F延剖線X-X’之剖面，因此，相同元件以相同標號表示，且不予贅述。圖8與圖7的光感測單元差異在於，圖8的光感測單元之製造方法更包括於主動元件TFT的周圍形成第一阻隔牆BW’1。在本實施例中，由於第一阻隔牆BW’1圍繞主動元件TFT，因此，於後續製程步驟中，可避免氫離子以及水氣的擴散而使主動元件TFT的電性受到影響。
圖9A為本發明另一實施例的光感測單元之半導體元件的上視示意圖。圖9B為圖9A延剖線A-A’的剖面示意圖。圖9C為圖9A延剖線B-B’的剖面示意圖。請同時參考圖9A、圖9B以及圖9C。在本實施例的光感測單元之半導體元件包括基板Sub、主動元件TFT、保護層PL1以及遮蔽層SD。主動元件TFT位於基板Sub上，且主動元件TFT包括閘極G、絕緣層GI、半導體層AL、蝕刻終止層ES、源極S以及汲極D。承上所述，絕緣層GI覆蓋閘極G，半導體層AL位於閘極G上方。蝕刻終止層ES覆蓋半導體層AL。源極S以及汲極D位於蝕刻終止層ES上，且與半導體層AL電性接觸。
在本實施例中，半導體元件更包括平坦層PLN位於保護層PL1的上方。開口OP圍繞主動元件TFT，並位於平坦層PLN以及保護層PL1中。遮蔽層SD位於該保護層PL1上，其中遮蔽層SD遮蔽主動元件TFT，且遮蔽層SD遮蔽整個單元區域。遮蔽層SD是由不透光金屬所組成，所述金屬材料包括金屬例如鋁、鈦/鋁/鈦、鉬、鉬/鋁/鉬、上述金屬組成之合金或其它適合之金屬或合金於本實施例中。另外，於剖線A-A’之剖面中，阻隔牆BW0會填入平坦層PLN以及保護層PL1的開口OP。但值得注意的是，於剖線B-B’之剖面中，開口OP透過平坦層PLN並延伸至保護層PL1的表面。換言之，於剖線B-B’之剖面中，遮蔽層SD僅會填入平坦層PLN的開口OP，以使其與資料線DL電性絕緣。
阻隔牆BW0的材料可包括金屬氧化物導電材料例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋁銦、氧化銦(InO)、氧化鎵(gallium oxide, GaO)或其它金屬氧化物導電材料、石墨烯、金屬材料例如鎢、鉬、鈦、銅、鋁或銀或其它金屬材料，金屬合金例如氮化鉬(MoN)、上述材料之組合、或者其它具有低阻值的導電材料。遮蔽層SD與阻隔牆BW0可為相同步驟形成，然而，本發明不限於此。於本實施例中，阻隔牆BW0與遮蔽層SD可為不同步驟形成，且材料可為不同，然此並非用以限制本發明。
參考圖9A至圖9C，阻隔牆BW0是圍繞主動元件TFT。也就是說，阻隔牆BW0是填入開口OP並且環繞著主動元件TFT的側邊，且遮蔽層SD覆蓋主動元件TFT的上邊。阻隔牆BW0藉由開口OP之接觸孔CH與主動元件TFT的汲極D接觸。另外，遮蔽層SD的厚度是大於100奈米。在本實施例中，由於阻隔牆BW0會圍繞主動元件TFT，因此，可阻擋氫離子以及水氣的擴散，避免主動元件TFT的電性受到影響。另外，於圖9A至圖9C的所示的半導體元件中，可於阻隔牆BW0上方形成光感測層，使光感測層曡層於主動元件TFT上，以達成本發明另一實施例的光感測單元結構。
實例
為了證明本發明光感測單元的半導體元件可用以阻擋氫離子以及水氣的擴散，避免主動元件TFT的電性受到影響，特別以下列實例作為說明。
圖10A為習知的半導體元件之IV曲線圖(Ids-Vgs curve)。於圖10A的實施例中，是在無任何氫離子以及水氣的狀態下，針對習知的半導體元件量測電壓與電流關係的IV曲線圖。由圖10A可得知，在無任何氫離子以及水氣的狀態下，一般的半導體元件之主動元件在不同的電壓VD下(0.1V與10V)，皆可正常的進行開關。
圖10B為本發明一實施例的光感測單元之半導體元件之IV曲線圖。圖10B是在具有氫離子以及水氣的狀態下，針對圖9A至圖9C的光感測單元之半導體元件，也就是具有阻隔牆BW0的半導體元件所量測的電壓與電流關係之IV曲線圖。由圖10B的實驗結果發現，即使在具有氫離子以及水氣的狀態下，圖9A至圖9C的半導體元件的IV曲線圖與圖10A的IV曲線圖無異。也就是說，本發明的半導體元件由於包括了阻隔牆BW0用以阻擋氫離子以及水氣對主動元件TFT的影響，因此，其電壓與電流關係與正常狀態下無異。換言之，在具有氫離子以及水氣的狀態下，本發明的半導體元件之主動元件TFT在不同的電壓VD下(0.1V與10V)，皆可正常的進行開關。
圖10C為本發明一比較例的光感測單元之半導體元件之IV曲線圖。圖10C是在具有氫離子以及水氣的狀態下，針對習知的半導體元件，也就是不包括阻隔牆BW0的半導體元件所量測的電壓與電流關係之IV曲線圖。由圖10C的實驗結果發現，在具有氫離子以及水氣的狀態下，習知的半導體元件之主動元件的電性特性會受到的影響。詳細來說，由於習知的半導體元件不包括阻隔牆BW0，因此，無法有效的阻擋氫離子以及水氣的擴散。換言之，在具有氫離子以及水氣的狀態下，習知的半導體元件之主動元件在不同的電壓VD下(0.1V與10V)，無法正常的進行開關。
綜上所述，本發明的製造方法所形成的光感測陣列之光感測單元包括了第一電極層M1(M’1)、遮蔽層SD、阻隔牆BW0(包括第一、第二阻隔牆)結構。特別是，第一電極層M1(M’1)以及遮蔽層SD是形成於主動元件TFT的上方，用以遮蔽主動元件TFT。另外，阻隔牆BW0會將主動元件TFT包圍。因此，在後續形成光感測層PS的步驟時，上述結構可用以阻擋氫離子或是水氣的擴散效應避免主動元件TFT的電性受到影響。另外，在上述的實施例中，由於光感測層PS是在第一電極層M1(M’1)以及遮蔽層SD之後形成，因此，可避免在光感測層PS的蝕刻過程中，所使用的電漿對主動元件TFT之通道產生的損壞。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
DL：資料線 GL：閘極線 TFT：主動元件 PS：光感測層 R：單元區域 Sub：基板 G：閘極
GI‧‧‧絕緣層
AL‧‧‧半導體層
ES‧‧‧蝕刻終止層
V1、V2、OP‧‧‧開口
T1‧‧‧第一溝渠
T2‧‧‧第二溝渠
S‧‧‧源極
D‧‧‧汲極
M1、M’1‧‧‧第一電極層
M2‧‧‧第二電極層
BW0‧‧‧阻隔牆
BW1、BW’1‧‧‧第一阻隔牆
BW2、BW’2‧‧‧第二阻隔牆
PL1‧‧‧第一保護層
PL2‧‧‧第二保護層
PL3‧‧‧第三保護層
SD‧‧‧遮蔽層
PN、PLN‧‧‧平坦層
CH‧‧‧接觸孔
圖1是依照本發明一實施例的光感測陣列示意圖。 圖2A至圖2F為本發明一實施例的光感測單元之製造流程的上視示意圖。 圖3A至圖3G為本發明一實施例的光感測單元之製造流程的剖面示意圖。 圖4為本發明另一實施例的光感測單元示意圖。 圖5為本發明另一實施例的光感測單元示意圖。 圖6為本發明另一實施例的光感測單元示意圖。 圖7為本發明另一實施例的光感測單元示意圖。 圖8為本發明另一實施例的光感測單元示意圖。 圖9A為本發明另一實施例的光感測單元之半導體元件的上視示意圖。 圖9B為圖9A延剖線A-A’的剖面示意圖。 圖9C為圖9A延剖線B-B’的剖面示意圖。 圖10A為習知的半導體元件之IV曲線圖。 圖10B為本發明一實施例的光感測單元之半導體元件之IV曲線圖。 圖10C為本發明一比較例的光感測單元之半導體元件之IV曲線圖。
TFT：主動元件 Sub：基板 G：閘極 GI：絕緣層 AL：半導體層 ES：蝕刻終止層 S：源極 D：汲極 M1：第一電極層 M2：第二電極層 PL1：第一保護層 PL2：第二保護層 PL3：第三保護層 PS：光感測層 SD：遮蔽層 BW0：阻隔牆 BW1：第一阻隔牆 BW2：第二阻隔牆
Claims (20)
- 一種光感測陣列之光感測單元的製造方法，包括：提供一基板，該基板上具有至少一單元區域；在該基板上之該單元區域內形成一主動元件；在該基板上之該單元區域內形成一第一電極層，該第一電極層與該主動元件電性連接；於該主動元件的周圍形成一阻隔牆；在該主動元件上形成一保護層；在該保護層上形成一遮蔽層，以遮蔽該主動元件；於形成該遮蔽層之後，在該單元區域內之該保護層上形成一光感測層；以及於該光感測層上形成一第二電極層。
- 如申請專利範圍第1項所述的光感測陣列之光感測單元的製造方法，其中該主動元件的形成方法包括：在該基板上形成一閘極；在該閘極上形成一絕緣層；在該絕緣層上形成一半導體層；在該半導體層上形成一蝕刻終止層；以及在該蝕刻終止層上形成一源極以及一汲極，該源極以及該汲極與該半導體層接觸，其中於該絕緣層以及該蝕刻終止層內形成該阻隔牆，該阻隔牆包括一第一阻隔牆，且該第一阻隔牆圍繞該主動元件。
- 如申請專利範圍第2項所述的光感測陣列之光感測單元的製造方法，更包括於該保護層內形成該阻隔牆，該阻隔牆包括一第二阻隔牆，該第二阻隔牆圍繞該主動元件。
- 如申請專利範圍第2項所述的光感測陣列之光感測單元的製造方法，其中該第一電極層位於該保護層之下方，且該第一電極層與該源極以及汲極同時形成。
- 如申請專利範圍第1項所述的光感測陣列之光感測單元的製造方法，其中該遮蔽層遮蔽該主動元件且遮蔽整個該單元區域。
- 如申請專利範圍第5項所述的光感測陣列之光感測單元的製造方法，其中疊層該光感測層於該主動元件上。
- 如申請專利範圍第1項所述的光感測陣列之光感測單元的製造方法，更包括於該保護層上形成一平坦層，且該遮蔽層位於該平坦層上。
- 如申請專利範圍第7項所述的光感測陣列之光感測單元的製造方法，其中該第一電極層位於該平坦層上，且該第一電極層與該遮蔽層同時形成。
- 一種光感測陣列之光感測單元，包括：一基板，包括至少一單元區域；一主動元件，位於該基板之該單元區域內；一阻隔牆，圍繞該主動元件；一第一電極層，位於該單元區域內且與該主動元件電性連接； 一保護層，覆蓋該主動元件以及該第一電極層；一遮蔽層，位於該保護層上，其中該遮蔽層遮蔽該主動元件；一光感測層，位於該保護層上且與該第一電極層電性連接；以及一第二電極層，位於該光感測層上。
- 如申請專利範圍第9項所述的光感測陣列之光感測單元，其中該主動元件包括：一閘極，位於該基板上；一絕緣層，位於該閘極上；一半導體層，位於該絕緣層上；一蝕刻終止層，位於該半導體層上；以及一源極以及一汲極位於該蝕刻終止層上，該源極以及該汲極與該半導體層接觸。
- 如申請專利範圍第10項所述的光感測陣列之光感測單元，其中該第一阻隔牆位於該蝕刻終止層以及該保護層中，且該第一阻隔牆為金屬材料。
- 如申請專利範圍第10項所述的光感測陣列之光感測單元，其中該第一電極層位於該保護層之下方，且該第一電極層與該源極以及該汲極屬於同一膜層。
- 如申請專利範圍第12項所述的光感測陣列之光感測單元，其中該阻隔牆包括一第一阻隔牆，該第一阻隔牆位於該絕緣層以及該蝕刻終止層內，且該第一阻隔牆圍繞該主動元件。
- 如申請專利範圍第13項所述的光感測陣列之光感測單元，其中該第一阻隔牆與該第一電極層屬於同一膜層。
- 如申請專利範圍第13項所述的光感測陣列之光感測單元，其中該阻隔牆包括一第二阻隔牆，該第二阻隔牆位於該保護層內，且該第二阻隔牆圍繞該主動元件。
- 如申請專利範圍第15項所述的光感測陣列之光感測單元，其中該第二阻隔牆與該遮蔽層屬於同一膜層。
- 如申請專利範圍第16項所述的光感測陣列之光感測單元，更包括一平坦層，位於該保護層上，且該遮蔽層位於該平坦層上。
- 如申請專利範圍第17項所述的光感測陣列之光感測單元，其中該第一電極層位於該平坦層上，且該第一電極層與該遮蔽層屬於同一膜層。
- 如申請專利範圍第9項所述的光感測陣列之光感測單元，其中該遮蔽層遮蔽整個該單元區域。
- 如申請專利範圍第19項所述的光感測陣列之光感測單元，其中疊層該光感測層於該主動元件上。
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