CN107039342A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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松冈祐哉
广泽俊郎
广泽俊一郎
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Abstract

提供晶片的加工方法。该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护带粘贴步骤(S11)，在晶片(W)的正面(WS)侧粘贴保护带(T)；环状加强部形成步骤(S12)，在保护带粘贴步骤之后，将与器件区域(WA)对应的背面(WR)磨削至第1厚度(t1)，在与外周剩余区域(WB)对应的背面形成环状的加强部(WC)；改质层形成步骤(S13)，在环状加强部形成步骤之后，将激光束(L)定位在晶片的器件区域的内部而从晶片的背面沿着分割预定线在晶片的器件区域的内部形成改质层(K)；以及磨削步骤(S14)，在改质层形成步骤之后，从晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至完工厚度(t2)，通过磨削动作以改质层为起点沿着分割预定线对晶片进行分割。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法。
背景技术
已知当利用切削刀具对例如厚度为300μm以上的厚度较厚的晶片进行切割时，会大幅产生背面崩边。因此，为了抑制背面崩边，提出了一种叫做SDBG(Stealth DicingBefore Grinding：先隐形切割后减薄)法的加工方法。SDBG法是组合了激光加工方法和磨削方法的技术。更详细地说，是如下技术：首先对晶片照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而沿着分割预定线在规定的深度的位置(从晶片的正面起的深度相当于器件芯片的完工厚度以上的位置)形成改质层，并且形成从改质层朝向晶片的正面侧伸长的裂纹层。之后，对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至完工厚度，并且通过磨削压力以裂纹层为分割起点将晶片分割成各个器件芯片(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：国际公开第2003/077295号
但是，当利用激光加工装置在晶片上形成改质层之后，在利用搬送单元将晶片搬送至磨削装置时，晶片因受改质层形成之后伸长的裂纹层的影响而较大地翘曲，存在搬送困难的担心。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供晶片的加工方法，能够减少改质层形成后的晶片的翘曲并能够进行搬送。
为了解决上述的课题并达成目的，本发明的晶片的加工方法对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片进行加工，该器件区域形成有多个器件和多条分割预定线，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护带粘贴步骤，在该晶片的正面侧粘贴保护带；环状加强部形成步骤，在实施了该保护带粘贴步骤之后，通过磨削单元将与该器件区域对应的背面磨削至第1厚度，在与该外周剩余区域对应的背面形成环状的加强部；改质层形成步骤，在实施了该环状加强部形成步骤之后，将对于该晶片具有透过性的波长的激光束定位在该晶片的该器件区域的内部而从该晶片的背面沿着该分割预定线在该晶片的该器件区域的内部形成改质层；以及磨削步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，从该晶片的背面通过磨削单元进行磨削而将晶片薄化至完工厚度，并且通过磨削动作以所述改质层为起点沿着所述分割预定线对该晶片进行分割。
并且，在晶片的加工方法中，优选还具有如下的环状切削槽形成步骤：在实施该保护带粘贴步骤之前，将该晶片的背面侧吸引保持在进行旋转的卡盘工作台上，从该晶片的正面侧利用切削刀具切入该外周剩余区域与该器件区域的边界直到到达该第1厚度，并使该卡盘工作台旋转而在该外周剩余区域与该器件区域的边界形成环状的切削槽。
根据本申请发明的晶片的加工方法，能够减少改质层形成后的晶片的翘曲并能够进行搬送。
附图说明
图1是第一实施方式的晶片的加工方法的流程图。
图2是示出第一实施方式的晶片的加工方法的保护带粘贴步骤中的晶片的结构例的剖视图。
图3是示出第一实施方式的晶片的加工方法的环状加强部形成步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。
图4是示出第一实施方式的晶片的加工方法的改质层形成步骤中的激光加工单元周边的结构例的剖视图。
图5是示出第一实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。
图6是示出第一实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤中的晶片的结构例的放大剖视图。
图7是示出第一实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。
图8是第二实施方式的晶片的加工方法的流程图。
图9是示出第二实施方式的晶片的加工方法的环状切削槽形成步骤中的切削单元周边的结构例的剖视图。
图10是示出第二实施方式的晶片的加工方法的保护带粘贴步骤中的晶片的结构例的剖视图。
图11是示出第二实施方式的晶片的加工方法的环状加强部形成步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。
图12是示出第二实施方式的晶片的加工方法的改质层形成步骤中的激光加工单元周边的结构例的剖视图。
图13是示出第二实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。
图14是示出第二实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。
标号说明
20：磨削装置；21：卡盘工作台；30：第一磨削单元(磨削单元)；31：磨削磨具；40：第二磨削单元(磨削单元)；41：磨削磨具；50：激光加工装置；51：卡盘工作台；52：激光束照射单元；60：切削装置；61：卡盘工作台；62：切削单元(切削刀具)；C：裂纹；D：切削槽；K：改质层；L：激光束；t1：第1厚度；t2：完工厚度；T：保护带；W：晶片；WA：器件区域；WB：外周剩余区域；WC：加强部；WD：边界；WR：背面；WS：正面。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边对本发明的实施方式进行详细地说明。本发明并不仅限于以下的实施方式中记载的内容。并且，在以下所记载的构成要素中，包含本技术领域人员所能够容易想到的、实际上相同的构成要素。进而，能够对以下所记载的结构进行适当组合。并且，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
〔第一实施方式〕
图1是第一实施方式的晶片的加工方法的流程图。图2是示出第一实施方式的晶片的加工方法的保护带粘贴步骤中的晶片的结构例的剖视图。图3是示出第一实施方式的晶片的加工方法的环状加强部形成步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。图4是示出第一实施方式的晶片的加工方法的改质层形成步骤中的激光加工单元周边的结构例的剖视图。图5是示出第一实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。图6是示出第一实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤中的晶片的结构例的放大剖视图。图7是示出第一实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。
本实施方式的晶片的加工方法对在正面上具有形成有多个器件和多条分割预定线的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域的晶片W进行加工。如图1所示，关于晶片的加工方法，按照保护带粘贴步骤S11、环状加强部形成步骤S12、改质层形成步骤S13、磨削步骤S14的顺序执行处理。
首先，实施保护带粘贴步骤S11。如图2所示，在保护带粘贴步骤S11中，在晶片W的正面WS侧粘贴保护带T。更详细地说，在保护带粘贴步骤S11中，将形成有晶片W的器件的正面WS与保护带T的粘着层Ta重叠，一边通过辊10进行按压，一边在晶片W的正面WS整个面上粘贴保护带T。然后，将粘贴着保护带T的晶片W收纳在未图示的提供/回收盒中。然后，通过未图示的移送机构或操作人员将提供/回收盒移送并收纳到磨削装置20中。
在实施了保护带粘贴步骤S11之后，实施环状加强部形成步骤S12。在环状加强部形成步骤S12中，使用磨削装置20的第一磨削单元30。
图3所示的磨削装置20具有对晶片W进行吸附保持的卡盘工作台21。卡盘工作台21由多孔质材料形成，该多孔质材料具有在板厚方向上贯通的多个细小的吸引孔。卡盘工作台21可以利用真空卡盘***对晶片W进行吸附保持，也可以使用其他方法来进行保持。卡盘工作台21例如设置在圆盘状的旋转自如的旋转工作台上而能够进行位置变位。卡盘工作台21被旋转驱动机构设置成能够独自在一个方向或两个方向上旋转。在本实施方式中，磨削装置20具有第一磨削单元30和第二磨削单元40。
第一磨削单元30与卡盘工作台21对置。第一磨削单元30借助未图示的支承机构被安装成在上下方向自由升降。第一磨削单元30在磨削装置20的规定的粗磨削位置处与卡盘工作台21对置并借助未图示的支承机构被安装成在上下方向自由升降，能够通过由滚珠丝杠、滚珠螺母和电动机等构成的未图示的进给驱动机构来使第一磨削单元30升降从而进行磨削进给。第一磨削单元30具有呈环状固定的多个分段状的磨削磨具31等。为了在整个面的区域内对与器件区域WA对应的晶片W的背面WR进行磨削，磨削磨具31的旋转直径大致为晶片W的直径的一半。
在环状加强部形成步骤S12中，通过磨削装置20的第一磨削单元30将与器件区域WA对应的背面WR磨削至第1厚度t1，并在与外周剩余区域WB对应的背面WR形成环状的加强部WC。在环状加强部形成步骤S12中，将晶片W的正面WS侧保持在卡盘工作台21上，利用第一磨削单元30残留出加强部WC而将与器件区域WA对应的晶片W的背面WR磨削成凹状(大鼓状)。更详细地说，首先，从提供/回收盒取出1张晶片W而利用未图示的搬送单元的搬送垫对晶片W进行吸引保持，以晶片W的背面WR侧朝上的状态将晶片W的正面WS侧载置在卡盘工作台21上。然后，将磨削磨具31定位在与器件区域WA对应的晶片W的背面WR。此时，将配置在径向最外侧的磨削磨具31的磨具位置定位在比晶片W的外周按照加强部WC的宽度的量靠径向内侧的位置。然后，一边使磨削磨具31旋转一边朝向下方进行加工进给，将磨削磨具31按压在晶片W的背面WR。由于卡盘工作台21也被旋转驱动，所以被吸附保持的晶片W也旋转。然后，使第一磨削单元30朝向下方加工进给而对与器件区域WA对应的晶片W的背面WR进行磨削，直到与器件区域WA对应的晶片W的厚度成为第1厚度t1。当与器件区域WA对应的晶片W的厚度成为第1厚度t1时，停止第一磨削单元30朝向下方的加工进给。这样，在环状加强部形成步骤S12中，晶片W被磨削成在与围绕器件区域WA的外周剩余区域WB对应的背面WR上残留有环状的加强部WC。利用搬送单元的搬送垫对磨削后的晶片W进行吸引保持而收纳在提供/回收盒中。然后，通过未图示的移送机构或操作人员将提供/回收盒移送并收纳到激光加工装置50中。
在实施了环状加强部形成步骤S12之后，实施改质层形成步骤S13。在改质层形成步骤S13中，使用激光加工装置50。
图4所示的激光加工装置50对晶片W照射激光束L。激光加工装置50具有：卡盘工作台51，其对晶片W进行保持；激光束照射单元52，其对保持在卡盘工作台51上的晶片W照射对于晶片W具有透过性的波长的激光束L而在晶片W的内部形成改质层K；以及未图示的移动单元，其使卡盘工作台51和激光束照射单元52相对地移动。
在改质层形成步骤S13中，将对于晶片W具有透过性的波长的激光束L定位在晶片W的器件区域WA的内部而从晶片W的背面WR沿着分割预定线在晶片W的器件区域WA的内部形成改质层K。
在改质层形成步骤S13中，从提供/回收盒取出1张晶片W而利用未图示的搬送单元的搬送垫对晶片W进行吸引保持，以晶片W的背面WR侧朝上的状态将晶片W的正面WS侧载置在激光加工装置50的卡盘工作台51上，并利用卡盘工作台51对晶片W的正面WS侧进行吸引保持。之后，激光加工装置50的未图示的对准单元完成加工位置的对准。然后，一边通过移动单元使卡盘工作台51与激光束照射单元52相对地移动，一边使聚光点从晶片W的背面WR对位在晶片W的内部而沿着分割预定线照射对于晶片W具有透过性的波长的激光束L。然后，沿着分割预定线在晶片W的内部形成改质层K。这样，在改质层形成步骤S13中，沿着全部的分割预定线在晶片W的内部形成改质层K。利用搬送单元的搬送垫对形成改质层K的晶片W进行吸引保持而收纳在提供/回收盒中。然后，通过移送机构或操作人员将提供/回收盒移送并收纳到磨削装置20中。
改质层形成步骤S13中的激光加工装置50的加工条件的一例按照以下方式进行。
光源：YAG脉冲激光
平均输出：1.7W
重复频率：90kHz
进给速度：700mm/s
改质层K是指密度、折射率、机械强度和其他的物理特性与周围不同的状态的区域，能够例示出熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域以及混合了这些区域的区域等。
在实施了改质层形成步骤S13之后，实施磨削步骤S14。在磨削步骤S14中，使用磨削装置20的第二磨削单元40。
图5所示的第二磨削单元40构成为与第一磨削单元30同样。对第二磨削单元40的各构成要素赋予与第一磨削单元30的各构成要素对应的标号并省略详细的说明。
在磨削步骤S14中，如图5所示，从晶片W的背面WR通过第二磨削单元40进行磨削并薄化至完工厚度t2(参照图7)，并且使如图6所示通过磨削动作而产生的以改质层K为起点的裂纹C一直产生到晶片W的正面WS侧，由此，沿着分割预定线对晶片W进行分割。在磨削步骤S14中，将晶片W的正面WS侧保持在卡盘工作台21上，并利用第二磨削单元40对与加强部WC对应的晶片W的背面WR进行磨削。更详细地说，首先，从提供/回收盒取出1张晶片W而利用搬送单元的搬送垫对晶片W进行吸引保持，以晶片W的背面WR侧朝上的状态将晶片W的正面WS侧载置在卡盘工作台21上。然后，将磨削磨具41定位在与加强部WC对应的晶片W的背面WR。此时，将配置在径向最外侧的磨削磨具41的磨具位置定位在比晶片W的外周靠径向外侧的位置。然后，一边使磨削磨具41旋转一边朝向下方进行加工进给，将磨削磨具41按压在晶片W的背面WR。由于卡盘工作台21也被旋转驱动，所以被吸附保持的晶片W也旋转。然后，如图7所示，使第二磨削单元40朝向下方加工进给而对与加强部WC对应的晶片W的背面WR进行磨削，直到加强部WC被去除且晶片W的厚度成为完工厚度t2。当与器件区域WA对应的晶片W的厚度成为完工厚度t2时，停止第二磨削单元40朝向下方的加工进给。这样，在磨削步骤S14中，晶片W被磨削至完工厚度t2而将加强部WC去除。利用搬送单元的搬送垫对加工后的晶片W进行吸引保持而收纳在提供/回收盒中。
在磨削步骤S14中，随着晶片W的磨削而将磨削磨具41按压在晶片W的背面WR，由此，如图6所示，以改质层K为起点的裂纹C一直产生到晶片W的正面WS侧。裂纹C以改质层K为起点伸长到晶片W的正面WS侧。进而换言之，裂纹C沿着分割预定线形成。
通过实施这样的保护带粘贴步骤S11、环状加强部形成步骤S12、改质层形成步骤S13、磨削步骤S14，由于在利用环状的加强部WC来加强晶片W的状态下实施改质层形成步骤S13和磨削步骤S14，所以能够减少改质层K形成后的晶片W的翘曲并能够进行搬送。
如以上那样，根据本实施方式的晶片的加工方法，对于在环状加强部形成步骤S12中残留出加强部WC被磨削成凹状(大鼓状)的晶片W，在改质层形成步骤S13中，利用激光加工装置50来形成改质层K。因此，当在改质层形成步骤S13中形成改质层K之后，即使裂纹C从改质层K伸长，也能够通过环状的加强部WC来加强晶片W，因此减少了晶片W的翘曲。
由于减少了晶片W的翘曲，所以在改质层形成步骤S13之后，在为了在磨削步骤S14中进行磨削而将晶片W从激光加工装置50搬送到第二磨削单元40时，能够通过例如以吸引保持着晶片的状态进行搬送的搬送单元等各种搬送单元来进行搬送。在晶片W的翘曲较大的情况下，需要为翘曲准备的特殊的治具，但根据本实施方式的晶片的加工方法，由于减少了晶片W的翘曲，所以不需要那样的特殊的治具。这样，根据本实施方式的晶片的加工方法，能够不用按照搬送单元的种类而容易地搬送所加工的晶片W。
〔第二实施方式〕
一边参照图8至图14一边对本实施方式进行说明。图8是第二实施方式的晶片的加工方法的流程图。图9是示出第二实施方式的晶片的加工方法的环状切削槽形成步骤中的切削单元周边的结构例的剖视图。图10是示出第二实施方式的晶片的加工方法的保护带粘贴步骤中的晶片的结构例的剖视图。图11是示出第二实施方式的晶片的加工方法的环状加强部形成步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。图12是示出第二实施方式的晶片的加工方法的改质层形成步骤中的激光加工单元周边的结构例的剖视图。图13是示出第二实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。图14是示出第二实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。
关于本实施方式的晶片的加工方法，在图1所示的流程图中，在实施步骤S11之前实施步骤S10这一点上与第一实施方式的晶片的加工方法不同。在本实施方式的各步骤中使用的装置的基本结构与在第一实施方式的各步骤中使用的装置同样。在以下的说明中，对与在第一实施方式的各步骤中使用的装置同样的构成要素赋予相同的标号或对应的标号，省略了其详细的说明。
如图8所示，本实施方式的晶片的加工方法按照环状切削槽形成步骤S10、保护带粘贴步骤S11、环状加强部形成步骤S12、改质层形成步骤S13、磨削步骤S14的顺序执行处理。
首先，在保护带粘贴步骤S11的实施之前，实施环状切削槽形成步骤S10。在环状切削槽形成步骤S10中，使用切削装置60。
图9所示的切削装置60对晶片W进行切削而形成环状的切削槽D。切削装置60具有：卡盘工作台61，其对晶片W进行保持；以及切削单元(切削刀具)62，其对保持在卡盘工作台61上的晶片W进行切削。
在环状切削槽形成步骤S10中，从未图示的提供/回收盒取出1张晶片W而将晶片W的背面WR侧吸引保持在卡盘工作台61上，利用切削单元62从晶片W的正面WS侧切入外周剩余区域WB与器件区域WA的边界WD直到达到第1厚度t1，使卡盘工作台61旋转而在外周剩余区域WB与器件区域WA的边界WD处形成环状的切削槽D。切削槽D的深度只要为第1厚度t1以上而未到晶片W的厚度即可。利用未图示的搬送单元的搬送垫对切削后的晶片W进行吸引保持而收纳在提供/回收盒中。
在实施了环状切削槽形成步骤S10之后，实施保护带粘贴步骤S11。由此，如图10所示，形成于晶片W的正面WS侧的切削槽D被保护带T覆盖。然后，通过移送机构或操作人员将提供/回收盒移动并收纳到磨削装置20中。
在实施了保护带粘贴步骤S11之后，实施环状加强部形成步骤S12。在环状加强部形成步骤S12中，首先，从提供/回收盒取出1张晶片W而利用搬送单元的搬送垫对晶片W进行吸引保持，并将晶片W的正面WS侧载置在卡盘工作台21上。如图11所示，将配置在径向最外侧的磨削磨具31的磨具位置定位在比晶片W的外周按照加强部WC的宽度的量靠径向内侧的、与切削槽D对应的晶片W的背面WR上。当磨削结束且与器件区域WA对应的晶片W的厚度成为第1厚度t1时，切削槽D在形成于晶片W的背面WR的加强部WC的内侧露出。这样，在环状加强部形成步骤S12中，当晶片W的厚度成为第1厚度t1并形成有加强部WC时，外周剩余区域WB隔着切削槽D而从器件区域WA分离。此时，外周剩余区域WB借助保护带T而与器件区域WA一起保持在卡盘工作台21上。利用搬送单元的搬送垫对磨削后的晶片W进行吸引保持并收纳在提供/回收盒中。然后，通过移送机构或操作人员将提供/回收盒移送并收纳到激光加工装置50中。
在实施了环状加强部形成步骤S12之后，实施改质层形成步骤S13。在改质层形成步骤S13中，首先，从提供/回收盒取出1张晶片W而利用搬送单元的搬送垫对晶片W进行吸引保持，并将晶片W的正面WS侧载置在卡盘工作台51上。然后，如图12所示，将对于晶片W具有透过性的波长的激光束L定位在晶片W的器件区域WA的内部而从晶片W的背面WR的切削槽D的内周侧沿着分割预定线在晶片W的器件区域WA的内部形成改质层K。这样，在改质层形成步骤S13中，沿着器件区域WA的、全部的分割预定线在晶片W的内部形成改质层K。利用搬送单元的搬送垫对形成有改质层K的晶片W进行吸引保持而收纳在提供/回收盒中。然后，通过移送机构或操作人员将提供/回收盒移送并收纳到磨削装置20中。
在实施了改质层形成步骤S13之后，实施磨削步骤S14。在磨削步骤S14中，首先，从提供/回收盒取出1张晶片W而利用搬送单元的搬送垫对晶片W进行吸引保持，并将晶片W的正面WS侧载置在卡盘工作台21上。然后，如图13所示，从晶片W的背面WR通过第二磨削单元40进行磨削，如图14所示，使晶片W薄化至完工厚度t2并且使通过磨削动作而产生的以改质层K为起点的裂纹C一直产生到晶片W的正面WS侧，并沿着分割预定线对晶片W进行分割。这样，在磨削步骤S14中，当晶片W被磨削至完工厚度t2时，加强部WC被去除。由于外周剩余区域WB隔着切削槽D而从器件区域WA分离，所以在磨削步骤S14中，即使改质层K的裂纹C伸长，也可以通过切削槽D来限制朝向晶片W的径向外侧的裂纹C的伸长。利用搬送单元的搬送垫对加工后的晶片W进行吸引保持而收纳在提供/回收盒中。
如以上那样，根据本实施方式的晶片的加工方法，与第一实施方式同样，即使裂纹C从改质层K伸长，也能够通过环状的加强部WC来加强晶片W，因此减少了晶片W的翘曲。因此，在改质层形成步骤S13之后，在为了在磨削步骤S14中进行磨削而将晶片W从激光加工装置50搬送至第二磨削单元40时，能够通过例如以吸引保持着晶片的状态进行搬送的搬送单元等各种搬送单元进行搬送。这样，根据本实施方式的晶片的加工方法，能够不用按照搬送单元的种类而容易地搬送所加工的晶片W。
根据本实施方式的晶片的加工方法，在步骤S11～步骤S14的实施之前，在环状切削槽形成步骤S10中，从晶片W的正面WS侧切入外周剩余区域WB与器件区域WA的边界WD直到到达第1厚度t1，由此，能够形成环状的切削槽D。在环状加强部形成步骤S12中，当晶片W的厚度成为第1厚度t1并形成有加强部WC时，能够使外周剩余区域WB隔着切削槽D而从器件区域WA分离。由此，关于晶片的加工方法，在磨削步骤S14中，即使形成于晶片W的改质层K的裂纹C伸长，也能够通过切削槽D来限制朝向晶片W的径向外侧的裂纹C的伸长。
另外，本发明并不限定于上述实施方式。即，能够在不脱离本发明的主旨的范围内实施各种变形。例如，虽然说明了在环状切削槽形成步骤S10中将切削槽D的深度切削形成为距晶片W的正面WS为t1的深度，但只要切削槽D的深度为t1以上而未到晶片W的厚度即可。

Claims (2)

1.一种晶片的加工方法，对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片进行加工，该器件区域形成有多个器件和多条分割预定线，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：
保护带粘贴步骤，在该晶片的正面侧粘贴保护带；
环状加强部形成步骤，在实施了该保护带粘贴步骤之后，通过磨削单元将与该器件区域对应的背面磨削至第1厚度，在与该外周剩余区域对应的背面形成环状的加强部；
改质层形成步骤，在实施了该环状加强部形成步骤之后，将对于该晶片具有透过性的波长的激光束定位在该晶片的该器件区域的内部而从该晶片的背面沿着该分割预定线在该晶片的该器件区域的内部形成改质层；以及
磨削步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，从该晶片的背面通过磨削单元进行磨削而将晶片薄化至完工厚度，并且通过磨削动作以所述改质层为起点沿着所述分割预定线对该晶片进行分割。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法还具有如下的环状切削槽形成步骤：在实施该保护带粘贴步骤之前，将该晶片的背面侧吸引保持在进行旋转的卡盘工作台上，从该晶片的正面侧利用切削刀具切入该外周剩余区域与该器件区域的边界直到到达该第1厚度，并使该卡盘工作台旋转而在该外周剩余区域与该器件区域的边界形成环状的切削槽。
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