CN106932974A - 像素结构 - Google Patents
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Abstract
一种像素结构包含第一及第二栅极线、至少一数据线以及像素单元。像素单元具有第一及第二显示区，像素单元包含第一及第二主动元件、第一像素电极层、共通电极层以及第二像素电极层。第一及第二主动元件分别电性连接第一及第二栅极线。第一像素电极层电性连接第一主动元件。共通电极层设置于第一像素电极层上方，且包含第一以及第二部分分别位于第一与第二显示区。第二像素电极层电性连接第二主动元件且位于共通电极层的第一部分上方且不位于第二部分上方，其中第二像素电极层具有第一狭缝图案，共通电极层的第二部分具有第二狭缝图案。
Description
技术领域
本发明涉及一种像素结构。
背景技术
现有的显示技术仅能提供广视角或窄视角的其中一种显示状态。广视角显示技术例如多区域垂直配向(Multi-domain vertical alignment；MVA)液晶显示技术及平面内切换(In-plane-Switching；IPS)液晶显示技术。窄视角的显示技术例如为传统的扭曲向列(Twisted Nematic；TN)液晶显示技术。无论上述何种显示技术，均仅能呈现出广视角或窄视角的其中一种显示状态，无法具有广视角或窄视角两种显示模式。然而，在许多的电子产品中，用户在不同的使用场所及时间，会需要不同的显示模式。因此，目前极需一种显示器可以提供广视角及窄视角两种显示模式。
发明内容
于本发明的多个实施方式中，在像素结构中，设计液晶在主显示区与次显示区中受到的电场分布不同，利用次显示区上方的液晶转动造成的光学亮度差异，影响整个像素结构的光学亮度变化，使得显示面板所对应的对比度变化，因此，可实现广视角与窄视角模式的切换。
根据本发明的部分实施方式，像素结构包含第一栅极线、第二栅极线、至少一数据线以及至少一像素单元。数据线与第一栅极线以及第二栅极线交错。第一像素单元具有第一显示区与第二显示区，且包含第一主动元件、第二主动元件、第一像素电极层、共通电极层以及第二像素电极层。第一主动元件以及第二主动元件分别电性连接第一栅极线与第二栅极线。第一像素电极层电性连接第一主动元件。共通电极层设置于第一像素电极层上方，包含第一部分以及第二部分分别位于该第一显示区与该第二显示区。第二像素电极层电性连接第二主动元件且位于共通电极层的第一部分上方且不位于共通电极层的第二部分上方，其中第二像素电极层具有第一狭缝图案，共通电极层的第二部分具有第二狭缝图案。
于本发明的部分实施方式中，第二像素电极层于第一像素电极层上的投影与第一像素电极层具有一重叠部分，重叠部分完全落在共通电极层于第一像素电极层上的投影内。
于本发明的部分实施方式中，第一像素电极层设置于该第一显示区与该第二显示区。
于本发明的部分实施方式中第一像素电极层仅设置于该第二显示区而不设置于该第一显示区。
于本发明的部分实施方式中，共通电极层的第一部分为不具有图案的结构。
于本发明的部分实施方式中，共通电极层的第一部分包含第三狭缝图案，其中共通电极层的第一部分的第三狭缝图案的延伸方向平行于第二像素电极层的第一狭缝图案的延伸方向。
于本发明的部分实施方式中，该第一显示区的面积大于该第二显示区的面积，共通电极层的该第一部分的面积大于共通电极层的第二部分的面积。
于本发明的部分实施方式中，该第一显示区的面积小于该第二显示区的面积，第二像素电极层的面积小于第一像素电极层的面积。
于本发明的部分实施方式中，共通电极层的第二部分的第二狭缝图案的延伸方向不平行于第二像素电极层的第一狭缝图案的延伸方向。
于本发明的部分实施方式中，共通电极层的第二部分的第二狭缝图案的延伸方向与第二像素电极层的第一狭缝图案的延伸方向夹角为大约5度至大约80度。
于本发明的部分实施方式中，共通电极层的第二部分的第二狭缝图案的电极宽度不同于该第二像素电极层的该第一狭缝图案的电极宽度。
于本发明的部分实施方式中，像素结构还包含第三栅极线与第二像素单元，其中第二像素单元与第一像素单元相邻，第二像素单元的第一主动元件电性连接第二栅极线，第二像素单元的第二主动元件电性连接第三栅极线。
于本发明的部分实施方式中，至少一数据线包含第一数据线与第二数据线，第一像素单元的第一主动元件电性连接第一数据线，第一像素单元的第二主动元件电性连接第二数据线。
于本发明的部分实施方式中，像素结构还包含第三数据线与第二像素单元，第二像素单元与第一像素单元相邻，第二像素单元的第一主动元件电性连接第二数据线，第二像素单元的第二主动元件电性连接第三数据线。
附图说明
图1A为根据本发明的第一实施方式的像素结构的上视示意图。
图1B为图1A的部分元件的上视示意图。
图1C为沿图1A的线1C-1C的剖面示意图。
图2为根据本发明的第二实施方式的像素结构的剖面示意图。
图3为根据本发明的第三实施方式的像素结构的剖面示意图。
图4为根据本发明的第四实施方式的像素结构的剖面示意图。
图5为根据本发明的第五实施方式的像素结构的上视示意图。
图6为根据本发明的第六实施方式的像素结构的上视示意图。
图7为根据本发明的部分实施方式的像素结构的上视示意图。
图8为根据本发明的部分实施方式的像素结构的上视示意图。
附图标记说明：
100：像素结构 184：第二绝缘层
110：第一主动元件 186：第三绝缘层
112：漏极 MA：主显示区
120：第二主动元件 SA：次显示区
122：漏极 GL：栅极线
130：第一像素电极层 GL1：第一栅极线
132：像素电极 GL2：第二栅极线
134：电容电极 GL3：第三栅极线
140：共通电极层 DL：数据线
140O：开口 DL1：第一数据线
142：第一部分 DL2：第二数据线
142S：第三狭缝图案 DL3：第三数据线
144：第二部分 PU：像素单元
144S：第二狭缝图案 PU1：第一像素单元
150：第二像素电极层 PU2：第二像素单元
150S：第一狭缝图案 D1、D1’：延伸方向
152：边 D2、D2’：延伸方向
160：基板 P1、P2：狭缝宽度
170：栅极介电层 W1、W2：电极宽度
182：第一绝缘层 1C-1C：线
具体实施方式
以下将以附图公开本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些现有惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式为的。
于本文中，「电性连接」一词是包含任何直接及间接的电气连接手段。举例而言，若文中描述一第一装置电性连接于一第二装置，则代表该第一装置可直接连接于该第二装置，或通过其他装置或连接手段间接地连接至该第二装置。另外，若描述关于电信号的传输、提供，本领域技术人员应该可以了解电信号的传递过程中可能伴随衰减或其他非理想性的变化，但电信号传输或提供的来源与接收端若无特别叙明，实质上应视为同一信号。
图1A为根据本发明的第一实施方式的像素结构100的上视示意图。图1B为图1A的部分元件的上视示意图。图1C为沿图1A的线1C-1C的剖面示意图。同时参考图1A至图1C。像素结构100具有主显示区MA与次显示区SA。像素结构100包含至少一栅极线GL、至少一数据线DL以及至少一像素单元PU。数据线DL与栅极线GL交错。像素单元PU包含第一主动元件110、第二主动元件120、第一像素电极层130、共通电极层140以及第二像素电极层150。第一主动元件110以及第二主动元件120电性连接至少一栅极线GL与至少一数据线DL。
第一像素电极层130电性连接第一主动元件110的漏极112，且至少设置于次显示区SA。共通电极层140设置于第一像素电极层130上，且包含第一部分142以及第二部分144，分别位于主显示区MA与次显示区SA。第二像素电极层150电性连接第二主动元件120的漏极122且位于共通电极层140的第一部分142上且不位于共通电极层140的第二部分144上。换句话说，第二像素电极层150仅位于主显示区MA，而次显示区SA不具有第二像素电极层150，第二像素电极层150具有第一狭缝图案150S，共通电极层140的第二部分144位于次显示区SA的第一像素电极层130上且具有第二狭缝图案144S。于此，主显示区MA与次显示区SA以第二像素电极层150靠近第二部分144的边152为分界。
在像素结构100的实际操作中，共通电极层140可以接地或具有其他稳定电位，第一像素电极层130与第二像素电极层150的电位分别受到第一主动元件110与第二主动元件120的控制，而可不同于共通电极层140的电位。通过以上结构设置，在主显示区MA中，具有第一狭缝图案150S的第二像素电极层150以及共通电极层140的第一部分142能够形成水平电场，进而操控液晶显示器中的液晶转动。在次显示区SA中，具有第二狭缝图案144S的共通电极层140的第二部分144以及第一像素电极层130能够形成水平电场，进而操控液晶显示器中的液晶转动。
如此一来，在广视角模式中，可以使像素结构100中的次显示区SA所对应的显示面板穿透率达到最低，以主显示区MA所对应的显示面板显示画面，此时显示面板在大视角与小视角的位置皆具有优选的对比度(亮态光强度除以暗态光强度)。在窄视角模式中，可以操控像素结构100中的次显示区SA所对应的显示面板具有适当的亮度，以调整显示面板的暗态的亮度，进而造成显示面板在大视角与小视角的位置的对比度下降。即，次显示区SA上方的液晶转动造成的光学亮度差异，影响整个像素结构的光学亮度变化，使得显示面板所对应的对比度变化，因此，可实现广视角与窄视角模式的切换。
在像素结构100中，第一像素电极层130、共通电极层140以及第二像素电极层150彼此分隔开来。具体而言，参照图1C，像素结构100包含基板160、栅极介电层170、第一绝缘层182、第二绝缘层184以及第三绝缘层186。栅极线GL设置于基板160上，栅极介电层170覆盖栅极线GL。数据线DL、第一主动元件110以及第二主动元件120的半导体层SE与漏极112、122设置于栅极介电层170上，第一绝缘层182覆盖数据线DL、第一主动元件110以及第二主动元件120的半导体层SE与漏极112、122。第一像素电极层130设置于第一绝缘层182上，第二绝缘层184覆盖第一像素电极层130。共通电极层140设置于第二绝缘层184上，第三绝缘层186覆盖共通电极层140。第二像素电极层150设置于第三绝缘层186上。于此，第一绝缘层182、第二绝缘层184以及第三绝缘层186设有多个通孔，以使各个电极层分别电性连接主动元件。共通电极140具有开口140O，以使第二像素电极层150通过开口140O电性连接第二主动元件120。如此一来，第一像素电极层130、共通电极层140以及第二像素电极层150互相电性隔离。
以下详细介绍本发明的部分实施方式中各个电极层的结构配置。
于本发明的部分实施方式中，第一像素电极层130具有像素电极132以及电性连接像素电极132的电容电极134，像素电极132设置于次显示区SA，电容电极134由像素电极132延伸至主显示区MA。于本发明的部分实施方式中，第一像素电极层130的像素电极132为不具有图案的结构，亦即，在一个像素单元PE内的像素电极132为完整且不具有狭缝或开口于其中的结构。于其他实施方式中，第一像素电极层130的像素电极132可以具有狭缝图案(未示出)，其中像素电极132的狭缝图案的延伸方向平行共通电极层140的第二部分144的第二狭缝图案144S的延伸方向，且像素电极132的狭缝图案与共通电极层140的第二部分144的第二狭缝图案144S错开。如此一来，至少有部分的像素电极132所产生的电场能与共通电极层140的第二部分144搭配形成水平电场。
于本发明的部分实施方式中，共通电极层140的第一部分142位于第一像素电极层130的电容电极134上，而在共通电极层140的第一部分142以及第一像素电极层130的电容电极134之间夹设有第二绝缘层184，进而形成储存电容，储存电容可以维持第一像素电极层130的电位，第一像素电极层130的电容电极134亦可选择性地具有任意适当图案。
第二像素电极层150位于共通电极层140的第一部分142上。第二像素电极层150于基板160的垂直投影方向上与第一像素电极层130具有重叠部分，重叠部分完全落在共通电极层140的投影内。如此一来，共通电极层140可以屏蔽第一像素电极层130与第二像素电极层150之间的电场效应，避免第二像素电极层150的电场分布受到第一像素电极层130的影响。
于本实施方式中，共通电极层140的第一部分142为不具有图案的整面结构，亦即，共通电极层140的第一部分142不具有狭缝或开口于其中，以达到优选的屏蔽效果。当然不应以此限制本发明的范围，于其他实施方式中，适当设计第一像素电极层130的电容电极134与共通电极层140的第一部分142的图案，例如第一像素电极层130的电容电极134与共通电极层140的第一部分142的图案相同且于基板160的垂直投影方向上重叠，共通电极层140可以具有狭缝或开口于其中，亦能达到前述的屏蔽效果。
于本发明的部分实施方式中，主显示区MA的面积大于次显示区SA的面积，亦即，共通电极层140的第一部分142的面积大于共通电极层140的第二部分144的面积。于本发明的多个实施方式中，所述的面积指包含实质部分与狭缝部分的总面积。如此一来，在广视角模式时，能避免过度降低液晶显示装置的开口率。
于本发明的部分实施方式中，举例而言，基板160材质可为玻璃、石英、陶瓷、金属、合金或聚亚酰胺(polyimide；PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚酰胺(polyamide；PA)等有机材料或其它合适的材料或上述至少两种材料的结合。
于本发明的部分实施方式中，前述的第一像素电极层130、共通电极层140以及第二像素电极层150可由透明导电材料所组成，例如金属氧化物(例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、其它合适的氧化物或者是上述至少二者的堆叠层)。于其他实施方式中，第一像素电极层130、共通电极层140以及第二像素电极层150可由反射式导电材料所组成，例如具有高反射率的金属材料。第一像素电极层130、共通电极层140以及第二像素电极层150的材料可以相同或不同。
于此，为求图1A至图1C的实施方式表述的一致性，第一像素电极层130中并未填有任何图案。然而，于其他附图中，为方便观赏起见，第一像素电极层130中填有斜线图案。应了解到，本公开各种不同的填入图案仅用于便于说明不同的元件的配置与分布，并不限制元件的材料特性。
于本发明的部分实施方式中，栅极介电层170、第一绝缘层182、第二绝缘层184以及第三绝缘层186可由适当的绝缘材料所组成，例如无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述的组合)或有机材料(例如：光致抗蚀剂、聚酰亚胺(polyimide；PI)、苯并环丁烯(BCB)、环氧树脂(Epoxy)、过氟环丁烷(PFCB)、其它合适的材料、或上述的组合)、或其它合适的材料、或上述的组合。栅极介电层170、第一绝缘层182、第二绝缘层184以及第三绝缘层186的材料可以相同或不同。
图2为根据本发明的第二实施方式的像素结构100的剖面示意图。本实施方式与图1C的实施方式相似，差别在于：于本实施方式中，第一像素电极层130不具有电容电极134，而使共通电极层140的第一部分142于基板160的垂直投影方向上不与第一像素电极层130重叠。亦即，第一像素电极层130并未延伸至主显示区MA，而未与共通电极层140的第一部分142形成储存电容。本实施方式的其他细节大致上如前所述，在此不再赘述。
图3为根据本发明的第三实施方式的像素结构的剖面示意图。本实施方式与图2的实施方式相似，差别在于：于本实施方式中，共通电极层140的第一部分142具有第三狭缝图案142S，其中共通电极层140的第一部分142的第三狭缝图案142S的延伸方向平行于第二像素电极层150的第一狭缝图案150S的延伸方向。第二像素电极层150的第一狭缝图案150S与共通电极层140的第一部分142的第三狭缝图案142S错开。如此一来，至少有部分的共通电极层140的第一部分142的条状电极所产生的电场能与第二像素电极层150搭配形成水平电场。本实施方式的其他细节大致如前所述，在此不再赘述。
图4为根据本发明的第四实施方式的像素结构的剖面示意图。本实施方式与图3的实施方式相似，差别在于：于本实施方式中，第一像素电极层130设置于主显示区MA，第二像素电极层150设置于次显示区SA而不设置于主显示区MA。有鉴于主显示区MA的面积大于次显示区SA的面积，第二像素电极层150的面积小于第一像素电极层130的面积。如此一来，在广视角模式时，能避免过度降低液晶显示装置的开口率。本实施方式的其他细节大致如前所述，在此不再赘述。
图5为根据本发明的第五实施方式的像素结构的上视示意图。本实施方式与图1A的实施方式相似，差别在于：于本实施方式中，共通电极层140的第二部分144的第二狭缝图案144S的电极宽度W2不同于第二像素电极层150的第一狭缝图案150S的电极宽度W1。具体而言，本实施方式中，共通电极层140的第二部分144的第二狭缝图案144S的电极宽度W2大于第二像素电极层150的第一狭缝图案150S的电极宽度W1。于此，相对地，第二狭缝图案144S的狭缝宽度P2不同于第一狭缝图案150S的的狭缝宽度P1。具体而言，本实施方式中，第二狭缝图案144S的狭缝宽度P2小于第一狭缝图案150S的的狭缝宽度P1。
如此一来，液晶在主显示区MA与次显示区SA中受到的电场分布不同。由于次显示区SA的液晶转动造成的光学亮度差异，间接地影响主显示区MA的光学亮度变化，使得主显示区MA所对应的对比度差异变大，进而使小视角的对比度变化跟大视角的对比度变化比原先的可调整幅度大，至此，实现广视角与窄视角模式的切换。本实施方式的其他细节大致如前所述，在此不再赘述。
图6为根据本发明的第六实施方式的像素结构100的上视示意图。本实施方式与图1A的实施方式相似，差别在于：于本实施方式中，共通电极层140的第二部分144的第二狭缝图案144S的延伸方向D1、D1’不平行于第二像素电极层150的第一狭缝图案150S的延伸方向D2、D2’。
如此一来，主显示区MA与次显示区SA的液晶倒向不同。由于次显示区SA的液晶转动造成的光学亮度差异，间接地影响主显示区MA的光学亮度变化，使得主显示区MA所对应的对比度差异变大，进而使小视角的对比度变化跟大视角的对比度变化比原先的可调整幅度大。
举例而言，于本发明的部分实施方式中，共通电极层140的第二部分144的第二狭缝图案144S的延伸方向D1与第二像素电极层150的第一狭缝图案150S的延伸方向D2夹角为大约5度至大约80度。本实施方式的其他细节大致如前所述，在此不再赘述。
图7为根据本发明的部分实施方式的像素结构100的上视示意图。于本发明的部分实施方式中，像素结构100包含第一栅极线GL1、第二栅极线GL2以及第三栅极线GL3、第一像素单元PU1以及第二像素单元PU2。第一像素单元PU1与第二像素单元PU2彼此相邻且位于同一行(column)。第一像素单元PU1的第一主动元件110电性连接第一栅极线GL1，第一像素单元PU1的第二主动元件120电性连接该第二栅极线GL2，第二像素单元PU2的第一主动元件110电性连接第二栅极线GL2，该第二像素单元PU2的该第二主动元件120电性连接第三栅极线GL3。
换句话说，位于同一行(column)的各个像素单元的控制次显示区SA(参考图1A)的第二主动元件120事实上与另一相邻的像素单元的控制主显示区MA(参考图1A)的第一主动元件110共用栅极线。此外，位于同一列(line)的各个像素单元中任两相邻像素单元可不共用数据线，但本实施方式并不限定。本实施方式的其他细节大致如前所述，在此不再赘述。
图8为根据本发明的部分实施方式的像素结构100的上视示意图。于本发明的部分实施方式中，像素结构100包含第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3、第一像素单元PU1以及第二像素单元PU2。第一像素单元PU1与第二像素单元PU2彼此相邻且位于同一列(line)。第一像素单元PU1的第一主动元件110电性连接第一数据线DL1，第一像素单元PU1的该第二主动元件120电性连接该第二数据线DL2，第二像素单元PU2的第一主动元件110电性连接第二数据线DL2，该第二像素单元PU2的第二主动元件120电性连接第三数据线DL3。
换句话说，位于同一列(line)的各个像素单元的控制次显示区SA(参照图1A)的第二主动元件120事实上与另一相邻的像素单元的控制主显示区MA(参照图1A)的第一主动元件110共用数据线。此外，位于同一行(column)的各个像素单元中任两相邻像素单元可不共用栅极线，但本实施方式并不限定。本实施方式的其他细节大致如前所述，在此不再赘述。
于本发明的多个实施方式中，在像素结构中，设计液晶在主显示区MA与次显示区SA中受到的电场分布不同。由于次显示区SA的液晶转动造成的光学亮度差异，间接地影响主显示区MA的光学亮度变化，使得主显示区MA所对应的对比度差异变大，进而使小视角的对比度变化跟大视角的对比度变化比原先的可调整幅度大，至此，实现广视角与窄视角模式的切换。
虽然本发明已以多种实施方式公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作各种的变动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
Claims (14)
1.一种像素结构，包含：
一第一栅极线与一第二栅极线；
至少一数据线，与该第一栅极线以及该第二栅极线交错；以及
一第一像素单元，具有一第一显示区与一第二显示区，包含：
一第一主动元件以及一第二主动元件，分别电性连接该第一栅极线与该第二栅极线；
一第一像素电极层，电性连接该第一主动元件；
一共通电极层，设置于该第一像素电极层上方，包含一第一部分以及一第二部分分别位于该第一显示区与该第二显示区；以及
一第二像素电极层，电性连接该第二主动元件且位于该共通电极层的该第一部分上方，且不位于该共通电极层的该第二部分上方，其中该第二像素电极层具有一第一狭缝图案，该共通电极层的该第二部分具有一第二狭缝图案。
2.如权利要求1所述的像素结构，其中该第二像素电极层于该第一像素电极层上的投影与该第一像素电极层具有一重叠部分，该重叠部分完全落在该共通电极层于该第一像素电极层上的投影内。
3.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一像素电极层设置于该第一显示区与该第二显示区。
4.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一像素电极层仅设置于该第二显示区而不设置于该第一显示区。
5.如权利要求1所述的像素结构，其中该共通电极层的该第一部分为不具有图案的结构。
6.如权利要求1所述的像素结构，其中该共通电极层的该第一部分包含一第三狭缝图案，其中该共通电极层的该第一部分的该第三狭缝图案的一延伸方向平行于该第二像素电极层的该第一狭缝图案的一延伸方向。
7.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一显示区的面积大于该第二显示区的面积，该共通电极层的该第一部分大于该共通电极层的该第二部分的面积。
8.如权利要求4所述的像素结构，其中该第一显示区的面积小于该第二显示区的面积，该第二像素电极层的面积小于该第一像素电极层的面积。
9.如权利要求1所述的像素结构，其中该共通电极层的该第二部分的该第二狭缝图案的一延伸方向不平行于该第二像素电极层的该第一狭缝图案的一延伸方向。
10.如权利要求9所述的像素结构，其中该共通电极层的该第二部分的该第二狭缝图案的该延伸方向与该第二像素电极层的该第一狭缝图案的该延伸方向夹角为大约5度至大约80度。
11.如权利要求1所述的像素结构，其中该共通电极层的该第二部分的该第二狭缝图案的电极宽度不同于该第二像素电极层的该第一狭缝图案的电极宽度。
12.如权利要求1所述的像素结构，还包含一第三栅极线与一第二像素单元，其中该第二像素单元与该第一像素单元相邻，该第二像素单元的一第一主动元件电性连接该第二栅极线，该第二像素单元的一第二主动元件电性连接该第三栅极线。
13.如权利要求1所述的像素结构，其中该至少一数据线包含一第一数据线与一第二数据线，该第一像素单元的该第一主动元件电性连接该第一数据线，该第一像素单元的该第二主动元件电性连接该第二数据线。
14.如权利要求13所述的像素结构，其中还包含一第三数据线与一第二像素单元，该第二像素单元与该第一像素单元相邻，该第二像素单元的一第一主动元件电性连接该第二数据线，该第二像素单元的一第二主动元件电性连接该第三数据线。
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