CN108628045B - 阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板、显示面板和显示装置。该阵列基板包括大致沿第一方向延伸的彼此相邻的第一数据线和第二数据线，大致沿与第一方向交叉的第二方向延伸的彼此相邻的第一栅线和第二栅线，以及沿第一方向依次并列布置的至少两个子像素，该第一栅线和第二栅线设置在至少两个子像素的在第一方向上的两侧。该阵列基板、显示面板和显示装置实现了开口率的提升。

Description

阵列基板、显示面板和显示装置
技术领域
本公开的实施例涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display Device)因具有功耗低的特性而倍受消费者青睐，适用于各种电子设备。它的主要原理是利用电场通过液晶控制透光性以显示图像。在液晶显示装置处于全黑显示模式的情况下，数据线和栅线两侧会出现漏光现象，这是由于数据线和栅线两侧液晶分子受到数据线和栅线上传输的电信号的影响而发生了不正确的偏转。为了降低上述漏光现象，需要在数据线和栅线上方设置黑矩阵，但是所设置的黑矩阵会降低液晶显示装置的开口率。
发明内容
本公开的一个实施例提供了一种阵列基板，该包括：沿第一方向延伸的彼此相邻的第一数据线和第二数据线；大致沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的彼此相邻的第一栅线和第二栅线；大致沿所述第一方向依次并列布置的至少两个子像素，所述第一栅线和所述第二栅线设置在所述至少两个子像素的在所述第一方向上的两侧。
本公开的另一个实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括上述的阵列基板。
本公开的再一个实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板或显示面板。
本公开的再一个实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板上覆盖有配向层，并且该阵列基板包括：大致沿第一方向延伸的数据线，大致沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的彼此相邻的第一栅线和第二栅线，以及由所述数据线、所述第一栅线和所述第二栅线限定的像素单元；每个所述像素单元包括沿所述第一方向依次并列布置的至少两个子像素，所述第一栅线和所述第二栅线设置在所述至少两个子像素的在所述第一方向上的两侧。每个所述子像素包括驱动电极，每个所述驱动电极包括：多个第一驱动子电极，沿所述第二方向延伸，并沿所述第一方向上间隔布置；所述配向层的配向方向平行于所述第二方向。
例如，在本公开再一个实施例提供的一种阵列基板中，所述驱动电极还包括：至少一个第二驱动子电极，沿所述第一方向延伸，配置为将多个所述第一驱动子电极电连接；所述第二驱动子电极的至少部分与所述数据线形成的电场平行于摩擦取向方向。
例如，在本公开再一个实施例提供的一种阵列基板中，每个所述第一驱动子电极包括第一电极部和第二电极部，所述第一电极部和所述第二电极部的延伸方向彼此不同，且分别与所述摩擦取向方向相交。
例如，在本公开再一个实施例提供的一种阵列基板中，还包括栅线屏蔽层，所述栅线屏蔽层设置在所述第一栅线和/或所述第二栅线的上方。
例如，在本公开再一个实施例提供的一种阵列基板中，所述第一栅线和/或所述第二栅线对应于所述第一电极部和对应于所述第二电极部的部分分别平行于所述第一电极部和所述第二电极部。
例如，在本公开再一个实施例提供的一种阵列基板中，还包括公共电极线，所述公共电极线不透光，并且设置相邻的两个所述子像素之间。
例如，在本公开再一个实施例提供的一种阵列基板中，所述公共电极线的对应于所述第一电极部和对应于所述第二电极部的部分分别平行于所述第一电极部和所述第二电极部。
例如，在本公开再一个实施例提供的一种阵列基板中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
例如，在本公开再一个实施例提供的一种阵列基板中，所述第一栅线和所述第二栅线设置在两个所述子像素的在所述第一方向上的两侧；所述两个子像素包括与所述第一栅线相邻的第一子像素、与所述第二栅线相邻的第二子像素，所述第一子像素与所述第一栅线和位于所述第一子像素左侧的所述数据线电连接，所述第二子像素与所述第二栅线和位于所述第二子像素右侧的所述数据线电连接。
例如，在本公开再一个实施例提供的一种阵列基板中，每个所述子像素还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与驱动所对应的所述子像素的所述栅线和所述数据线连接。
例如，在本公开再一个实施例提供的一种阵列基板中，在第二方向上相邻的两个子像素之间设置一根所述数据线。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，并非对本公开的限制。
图1是本公开一个实施例提供的一种阵列基板的平面示意图；
图2是本公开另一个实施例提供的一种显示面板和再一个实施例提供的一种显示装置的示意性框图；以及
图3是本公开再一个实施例提供的另一种阵列基板的平面示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述参考在附图中示出并在以下描述中详述的非限制性示例实施例，更加全面地说明本公开的示例实施例和它们的多种特征及有利细节。应注意的是，图中示出的特征不是必须按照比例绘制。本公开省略了已知材料、组件和工艺技术的描述，从而不使本公开的示例实施例模糊。所给出的示例仅旨在有利于理解本公开示例实施例的实施，以及进一步使本领域技术人员能够实施示例实施例。因而，这些示例不应被理解为对本公开的实施例的范围的限制。
除非另外特别定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。此外，在本公开各个实施例中，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
本公开的实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，该阵列基板、显示面板和显示装置实现了开口率的提升。
本公开的至少一个实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括大致沿第一方向延伸的彼此相邻的第一数据线和第二数据线，大致沿与第一方向交叉的第二方向延伸的彼此相邻的第一栅线和第二栅线，以及沿第一方向依次并列布置的至少两个子像素，该第一栅线和第二栅线设置在至少两个子像素的在第一方向上的两侧。例如，本公开的一个实施例以沿第一方向依次并列布置的三个子像素为例对本公开进行详细说明，但本公开不限于此。
例如，图1示出了本公开一个实施例提供的一种阵列基板100的平面示意图。例如，如图1所示，阵列基板100可以包括阵列布置的多个像素单元，每个像素单元可以包括大致沿第一方向D1延伸的彼此相邻的第一数据线111和第二数据线112，大致沿与第一方向D1交叉的第二方向D2延伸的彼此相邻的第一栅线121和第二栅线122，以及沿第一方向D1依次并列布置的三个子像素。
需要说明的是，第一数据线111和第二数据线112大致沿第一方向D1延伸仅限定了第一数据线111和第二数据线112长度的延伸方向，而并不表示第一数据线111和第二数据线112平行于第一方向D1，也即是，根据实际应用需求，第一数据线111和第二数据线112可以平行于第一方向D1或者也可以部分不平行于第一方向D1。例如，第一数据线111的延伸方向可以平行于第一方向D1。又例如，为了更好的提升阵列基板100的开口率，第二数据线112的部分区域可以设计成弯折的形式。
需要说明的是，第一栅线121和第二栅线122大致沿第二方向D2延伸也不表示第一栅线121和第二栅线122平行于第二方向D2。例如，为了减少液晶排列错误(disclination)，以及提升包含该阵列基板100的显示面板的液晶效率，第一栅线121和第二栅线122的部分可以设计成弯折的形式。例如，显示面板的液晶效率为T/T1，T为上偏光片和下偏光片的光轴之间的角度为90度情况下显示面板的透过率，T1为上偏光片和下偏光片的光轴之间的角度为零度情况下显示面板的透过率。
例如，第二方向D2可以垂直于第一方向D1。例如，第一方向D1可以是阵列基板100的列方向(图中的竖直方向)，第二方向D2可以是阵列基板100的行方向(图中的水平方向)。例如，第一栅线121和第二栅线122可以设置在三个子像素的在第一方向D1上的两侧，第一数据线111和第二数据线112可以设置在三个子像素的在第二方向D2上的两侧。
例如，沿第一方向D1依次并列布置的三个子像素可以包括与第一栅线121相邻的第一子像素131、与第二栅线122相邻的第三子像素133以及位于中间的第二子像素132，第一子像素131可以与第一栅线121和第一数据线111电连接(也即子像素根据栅线和数据线提供的信号而工作)，第三子像素133可以与第二栅线122和第一数据线111电连接，第二子像素132可以与第一栅线121或第二栅线122与第二数据线112电连接。例如，每个子像素可以包括作为开关元件的薄膜晶体管141，薄膜晶体管141可以与驱动所对应的子像素的栅线和数据线连接。例如，薄膜晶体管的栅极与栅线电连接，源极与数据线电连接，漏极与子像素的像素电极电连接。
例如，三个子像素可以分别为红、绿、蓝色子像素单元，由此第一栅线121和第二栅线122、第一数据线111和第二数据线112所限定区域中的三个子像素可以构成一个像素单元。
例如，本公开实施例提供的阵列基板100通过在第一栅线121和第二栅线122、第一数据线111和第二数据线112限定的区域设置三个子像素，可以使得夹置在第一栅线121和第二栅线122之间每六个子像素(也即是，两列子像素的位于第一栅线121和第二栅线122之间部分)仅使用两列黑矩阵遮挡沿第一方向D1延伸的数据线(由于上述六个子像素中的设置在左/右侧的三个子像素与其左侧/右侧子像素共用遮挡数据线的黑矩阵，遮挡左侧和右侧的数据线的黑矩阵设定为1/2列)。对于普通双栅结构的阵列基板，夹置在第一栅线121和第二栅线122之间每六个子像素(也即是，三列子像素的位于第一栅线121和第二栅线122之间部分)需要使用三列黑矩阵遮挡沿第一方向D1延伸的数据线(由于上述六个子像素中的设置在左/右侧的三个子像素与其左侧/右侧子像素共用遮挡数据线的黑矩阵，遮挡左侧和右侧的数据线的黑矩阵设定为1/2列)。由此本公开实施例提供的阵列基板100可以减少设置黑矩的数目，从而相应地可以提高阵列基板100的开口率。
例如，每个子像素可以包括驱动电极150。例如，驱动电极150可以是像素电极或者可以是公共电极，然后与另一个电极(相应地为公共电极或者像素电极)合作以产生驱动液晶分子偏转的电场，例如，图1所示的驱动电极150为像素电极。例如，每个驱动电极150可以包括沿第二方向D2延伸并沿第一方向D1上间隔布置多个第一驱动子电极151和至少一个第二驱动子电极152，该至少一个第二驱动子电极152沿第一方向D1延伸并配置为将多个第一驱动子电极151的电连接。例如，第二驱动子电极152可以设置成第二驱动子电极152的至少部分与第一数据线111和/或第二数据线112形成的电场平行于阵列基板上设置的配向层的摩擦取向方向的形式。
例如，图1示例性的示出了每个驱动电极150包括5个第一驱动子电极151，但本申请的实施例不限于此。例如，每个驱动电极150还可以包括9个第一驱动子电极151。
例如，图1示出的每个第一驱动子电极151沿第二方向D2的长度均相等，但本申请的实施例不限于此。例如，对于第一子像素131的驱动电极150，靠近第一栅线121的两个第一驱动子电极151的沿第二方向D2的长度可以小于其它第一驱动子电极151沿第二方向D2的长度。又例如，对于第三子像素133的驱动电极150，靠近第二栅线122的两个第一驱动子电极151的沿第二方向D2的长度可以小于其它第一驱动子电极151沿第二方向D2的长度。
例如，图1示例性的示出了每个驱动电极150包括2个第二驱动子电极152，但本申请的实施例不限于此。例如，根据实际应用需求，每个驱动电极150还可以设置1个或者4个第一驱动子电极151。
例如，图1示出的每个第二驱动子电极152为平行于第一方向D1的电极条，但本申请的实施例不限于此。例如，在第一驱动子电极151沿第二方向D2的长度不完全相等的情况下，第二驱动子电极152可以设计成弯折的形式。例如，第二子电极可以包括两个平行于第一方向D1的电极条，以及一个用于连接上述两个电极条的、且平行于第一驱动子电极151对应部分的电极条。例如，上述三个电极条可以通过图案化工艺一体形成。
例如，图1所示的第二数据线112平行于第一方向D1，但本申请的实施例不限于此。例如，为了减少设置在第二数据线112两侧子像素的在第二方向D2上的间距，位于第一栅线121和第二栅线122之间的第二数据线112可以包括平行于第一方向D1的上部和下部以及连接上部和下部的连接部，并且下部在第二方向D2上更靠近设置在第二数据线112左侧的子像素。
例如，阵列基板100的摩擦取向方向可以平行于第二方向D2，由于图1所示的第二驱动子电极152和第二数据线112均平行于第一方向D1，第二驱动子电极152与第一数据线111和第二数据线112形成的电场平行于摩擦取向方向，因此可以降低数据线上传输的电压引起的数据线两侧液晶分子异常偏转的程度以及数据线两侧漏光的程度，由此可以减少用于遮挡数据线漏光的黑矩阵在第二方向D2上的设置宽度，以及进一步提升阵列基板100的开口率。
例如，每个第一驱动子电极151可以包括第一电极部154和第二电极部155，第一电极部154和第二电极部155的延伸方向彼此不同，并且分别与摩擦取向方向相交。例如，第一电极部154和第二电极部155与第二方向D2的夹角的绝对值可以均为7度，但是本申请的实施例不限于此。由此包含本申请实施例提供的阵列基板100的显示面板的相邻两个子像素之间(例如，第一子像素和第二子像素之间)的液晶分子可以不出现排列错误，进而可以提升包含该阵列基板100的显示面板的液晶效率。例如，显示面板的液晶效率为T/T1，T为上偏光片和下偏光片的光轴之间的角度为90度情况下显示面板的透过率，T1为上偏光片和下偏光片的光轴之间的角度为零度情况下显示面板的透过率。
例如，第一栅线121和/或第二栅线122对应于第一电极部154和对应于第二电极部155的部分可以设置成分别平行于第一电极部154和第二电极部155的形式，由此子像素的驱动电极150与第一栅线121和/或第二栅线122之间的液晶分子可以不出现排列错误，进而可以进一步提升包含该阵列基板100的显示面板的液晶效率。
例如，该阵列基板100还可以包括栅线屏蔽层(图1中未示出)。例如，栅线屏蔽层可以设置在第一栅线121和/或第二栅线122上方(例如，至少设置在第一栅线121和/或第二栅线122上方的对应于第一驱动子电极151的部分)。例如，栅线屏蔽层上的电压可以为零，由此栅线屏蔽层可被配置为可降低在第一栅线121和/或第二栅线122与第一驱动子电极151之间形成的电场强度，因此栅线屏蔽层可以降低第一栅线121和/或第二栅线122上传输的电压引起的第一栅线121和/或第二栅线122两侧液晶分子的异常偏转的程度，以及第一栅线121和/或第二栅线122两侧漏光的程度，由此可以减少用于遮挡第一栅线121和/或第二栅线122的黑矩阵在第一方向D1上的设置宽度，以及进一步提升阵列基板100的开口率。
例如，栅线屏蔽层的宽度、材料和形状可根据实际应用需求进行设定，本申请的实施例对此不做具体限定。例如，栅线屏蔽层的在第一方向的宽度可以大于第一栅线121和第二栅线122在第一方向上的宽度之和，由此可以更好的降低第一栅线121和/或第二栅线122与第一驱动子电极151之间形成的电场强度，例如，可以使得第一栅线121和/或第二栅线122与第一驱动子电极151之间形成的电场强度降低至零。例如，为了降低阵列基板100制造工艺的掩模次数，栅线屏蔽层可以与像素电极同层形成，由此栅线屏蔽层的材料可以为透明导电材料，但本申公开的实施例不限于此。例如，栅线屏蔽层的对应于第一电极部154和对应于第二电极部155的部分可以分别平行于第一电极部154和第二电极部155，由此子像素的驱动电极150与栅线屏蔽层之间的液晶分子可以不出现排列错误，进而可以进一步提升包含该阵列基板100的显示面板的液晶效率。
例如，该阵列基板100还可以包括不透光的且设置在相邻的两个子像素之间的公共电极线160，由此可以降低子像素发射的光线对相邻子像素的影响。例如，在第一方向D1上相邻子像素发射的光线的颜色不相同的情况下，可以避免混色现象的发生。
例如，公共电极线160的对应于第一电极部154和对应于第二电极部155的部分可以分别平行于第一电极部154和第二电极部155，由此子像素的驱动电极150与公共电极线160之间的液晶分子可以不出现排列错误，进而可以进一步提升包含该阵列基板100的显示面板的液晶效率。
例如，在第二方向D2上相邻的子像素之间可以设置一根第二数据线112或两根第一数据线111。例如，在第一方向D1上相邻的像素单元(也即是，在第一方向D1上并列布置的三个子像素)之间可以设置一根第一栅线121和一根第二栅线122。
本公开的至少一个实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括上述的阵列基板。本公开的至少一个实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以包括上述的显示面板或上述的阵列基板。
例如，图2是本公开另一个实施例提供的一种显示面板和再一个实施例提供的一种显示装置的示意性框图。
例如，如图2所示，该显示面板可以包括阵列基板。需要说明的是，对于该显示面板的其它必不可少的组成部分(例如对置基板、液晶层等)均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明实施例的限制。该显示面板实现了开口率的提升。
例如，如图2所示，该显示装置可以包括上述的显示面板或上述的阵列基板。需要说明的是，对于该显示装置的其它必不可少的组成部分(例如控制装置、图像数据编码/解码装置、行扫描驱动器、列扫描驱动器、时钟电路等)均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明实施例的限制。该显示装置实现了开口率的提升。
本公开的至少一个实施例还提供了一种阵列基板，该阵列基板上覆盖有配向层(例如聚酰亚胺层)，并且该阵列基板包括：大致沿第一方向延伸的数据线，大致沿与第一方向交叉的第二方向延伸的彼此相邻的第一栅线和第二栅线，以及由数据线、第一栅线和第二栅线限定的像素单元。每个像素单元包括沿第一方向依次并列布置的至少两个子像素，并且第一栅线和第二栅线设置在至少两个子像素的在第一方向上的两侧。每个子像素包括驱动电极，每个驱动电极包括沿第二方向延伸并沿第一方向上间隔布置的多个第一驱动子电极。配向层的配向方向平行于第二方向。对于配向层可以使用毛刷等进行摩擦而在配向层表面形成沿摩擦方向的微细的凹槽，此时配向层的配向方向为摩擦方向；或者，对于配向层也可以使用光取向方法使其表面具有沿一定方向的配向作用，而具有配向方向。
例如，图3是本公开再一个实施例提供的另一种阵列基板200的平面示意图。例如，如图3所示，该阵列基板200上覆盖有配向层(图3中未示出)，该阵列基板200包括大致沿第一方向D1延伸的数据线210，大致沿与第一方向D1交叉的第二方向D2延伸的彼此相邻的第一栅线221和第二栅线222，以及由数据线210、第一栅线221和第二栅线222限定的像素单元；每个像素单元包括沿第一方向D1依次间隔布置的两个子像素。
需要说明的是，第一栅线221和第二栅线222大致沿第二方向D2延伸并不表示第一栅线221和第二栅线222平行于第二方向D2。例如，为了减少液晶排列错误，以及提升包含该阵列基板200的显示面板的液晶效率，第一栅线221和第二栅线222的部分区域可以设计成弯折的形式。例如，显示面板的液晶效率为T/T1，T为上偏光片和下偏光片的光轴之间的角度为90度情况下显示面板的透过率，T1为上偏光片和下偏光片的光轴之间的角度为零度情况下显示面板的透过率。
例如，第二方向D2可以垂直于第一方向D1。例如，第一方向D1可以是阵列基板200的列方向，第二方向D2可以是阵列基板200的行方向。例如，第一栅线221和第二栅线222可以设置在两个子像素的在第一方向D1上的两侧。例如，在第二方向D2上相邻的两个子像素之间可以设置一根数据线210。例如，沿第一方向D1依次并列布置的两个子像素包括与第一栅线221相邻的第一子像素231和与第二栅线222相邻的第二子像素232，第一子像素231与第一栅线221和位于第一子像素231左侧的数据线210电连接，第二子像素232与第二栅线222和位于第二子像素232右侧的数据线210电连接。例如，每个子像素可以包括薄膜晶体管241，薄膜晶体管241可以与驱动所对应的子像素的栅线和数据线210连接。
例如，每个子像素包括驱动电极250。例如，驱动电极250可以是像素电极或者可以是公共电极，然后与另一个电极(相应地为公共电极或者像素电极)合作以产生驱动液晶分子偏转的电场，例如，图3所示的驱动电极250为像素电极。例如，每个驱动电极250可以包括沿第二方向D2延伸并沿第一方向D1上间隔布置的多个第一驱动子电极251。例如，图3示例性的示出了每个驱动电极250包括5个第一驱动子电极251，但本申请的实施例不限于此。例如，每个驱动电极250还可以包括9个第一驱动子电极251。
例如，图3示出的每个第一驱动子电极251沿第二方向D2的长度均相等，但本申请的实施例不限于此。例如，对于第一子像素231的驱动电极250，靠近第一栅线221的两个第一驱动子电极251的沿第二方向D2的长度可以小于其它第一驱动子电极251沿第二方向D2的长度。又例如，对于第二子像素232的驱动电极250，靠近第二栅线222的两个第一驱动子电极251的沿第二方向D2的长度可以小于其它第一驱动子电极251沿第二方向D2的长度。
例如，每个驱动电极250还可以包括沿第一方向D1延伸的至少一个第二驱动子电极252，该至少一个第二驱动子电极252可以配置为将多个第一驱动子电极251电连接。例如，第二驱动子电极252可以设置成第二驱动子电极252的至少部分与数据线210形成的电场平行于阵列基板上设置的配向层的配向方向的形式。
例如，配向层的配向方向可以平行于第二方向D2，由于图3所示的第二驱动子电极252和数据线210均平行于第一方向D1，第二驱动子电极252与数据线210形成的电场平行于配向层的配向方向，因此可以降低数据线210上传输的电压引起的数据线210两侧液晶分子异常偏转的程度，以及数据线210两侧漏光的程度，由此可以减少用于遮挡数据线210的黑矩阵在第二方向D2上的设置宽度，以及提升阵列基板200的开口率。
例如，每个第一驱动子电极251可以包括第一电极部254和第二电极部255，第一电极部254和第二电极部255的延伸方向彼此不同，并且分别与摩擦取向方向相交。由此包含本申请实施例提供的阵列基板200的显示面板的相邻两个子像素之间的液晶分子可以不出现排列错误，进而可以提升包含该阵列基板200的显示面板的液晶效率以及在全白显示模式下的透光率。
例如，第一栅线221和/或第二栅线222对应于第一电极部254和对应于第二电极部255的部分可以设置成分别平行于第一电极部254和第二电极部255的形式，由此子像素驱动电极250与第一栅线221和/或第二栅线222之间的液晶分子可以不出现排列错误，进而可以进一步提升包含该阵列基板200的显示面板的液晶效率。
例如，该阵列基板200还可以包括栅线屏蔽层。例如，栅线屏蔽层可以设置在所述第一栅线和/或所述第二栅线的上方。例如，栅线屏蔽层可以至少设置在所述第一栅线和/或所述第二栅线的上方的对应于第一驱动子电极251的部分。例如，栅线屏蔽层上的电压可以为零，由此配置为可降低第一栅线221和/或第二栅线222与第一驱动子电极251形成的电场强度。因此可以降低栅线(第一栅线221和/或第二栅线222)上传输的电压引起的栅线两侧液晶分子异常偏转的程度，以及栅线两侧漏光的程度，由此可以减少用于遮挡栅线的黑矩阵在第一方向D1上的设置宽度，以及进一步提升阵列基板200的开口率。
例如，栅线屏蔽层的宽度、材料和形状可根据实际应用需求进行设定，本申请的实施例对此不做具体限定。例如，栅线屏蔽层的在第一方向的宽度可以大于第一栅线221和第二栅线222在第一方向上的宽度之和，由此可以更好的降低第一栅线221和/或第二栅线222与第一驱动子电极251之间形成的电场强度，例如，可以使得第一栅线221和/或第二栅线222与第一驱动子电极251之间形成的电场强度降低至零。例如，为了降低阵列基板200制造工艺的掩模次数，栅线屏蔽层可以与像素电极同层形成，由此栅线屏蔽层的材料可以为透明导电材料，但本申公开的实施例不限于此。例如，栅线屏蔽层的对应于第一电极部254和对应于第二电极部255的部分可以分别平行于第一电极部254和第二电极部255，由此子像素的驱动电极250与栅线屏蔽层之间的液晶分子可以不出现排列错误，进而可以进一步提升包含该阵列基板200的显示面板的液晶效率。
例如，该阵列基板200还可以包括不透光的且设置相邻的两个子像素之间的公共电极线260，由此可以降低子像素发射的光线对相邻子像素的影响。例如，在第一方向D1上相邻子像素发射的光线的颜色不相同的情况下，可以避免混色现象的发生。
例如，公共电极线260的对应于第一电极部254和对应于第二电极部255的部分可以分别平行于第一电极部254和第二电极部255，由此子像素驱动电极250与公共电极线260之间的液晶分子可以不出现排列错误，进而可以进一步提升包含该阵列基板200的显示面板的液晶效率。
对于图1所示的实施例的阵列基板，其上涂敷的配向层的配向方向同样可以平行于第二方向，从而取得相关的效果。
本公开的实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，该阵列基板、显示面板和显示装置实现了开口率的提升。
虽然上文中已经用一般性说明及具体实施方式，对本公开作了详尽的描述，但在本公开实施例基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本公开精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本公开要求保护的范围。

Claims (11)

1.一种阵列基板，包括：
大致沿第一方向延伸的彼此相邻的第一数据线和第二数据线；
大致沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的彼此相邻的第一栅线和第二栅线；
沿所述第一方向依次并列布置的三个子像素；以及
公共电极线，
其中，所述第一栅线和所述第二栅线设置在所述三个子像素的在所述第一方向上的两侧；
所述三个子像素分别为红、绿、蓝色子像素单元，由此构成一个像素单元；
所述公共电极线不透光，并且设置在相邻的两个颜色不同的所述子像素之间，以抑制混色现象；
所述三个子像素包括与所述第一栅线相邻的第一子像素、与所述第二栅线相邻的第三子像素以及位于中间的第二子像素，
所述第一子像素与所述第一栅线和所述第一数据线电连接，
所述第三子像素与所述第二栅线和所述第一数据线电连接，
所述第二子像素与所述第一栅线或所述第二栅线与所述第二数据线电连接；
通过在第一栅线和第二栅线、第一数据线和第二数据线限定的区域设置三个子像素，使得夹置在第一栅线和第二栅线之间的每六个子像素仅使用两列黑矩阵遮挡沿所述第一方向延伸的所述第一数据线和所述第二数据线。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，
每个所述子像素包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与驱动所对应的所述子像素的栅线和数据线连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述第一数据线和所述第二数据线设置在所述三个子像素的在所述第二方向上的两侧。
4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，每个所述子像素包括驱动电极，所述驱动电极包括：
多个第一驱动子电极，沿所述第二方向延伸，并沿所述第一方向上间隔布置；
至少一个第二驱动子电极，沿所述第一方向延伸，配置为将多个所述第一驱动子电极电连接；
所述第二驱动子电极的至少部分与所述第一数据线和/或所述第二数据线形成的电场平行于摩擦取向方向，所述摩擦取向方向平行于所述第二方向。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，
所述第一驱动子电极包括沿不同方向延伸的第一电极部和第二电极部，所述第一电极部和所述第二电极部分别与所述摩擦取向方向相交。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，还包括栅线屏蔽层，其中，
所述栅线屏蔽层设置在所述第一栅线和/或所述第二栅线的上方。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，
所述第一栅线和/或所述第二栅线对应于所述第一电极部和对应于所述第二电极部的部分分别平行于所述第一电极部和所述第二电极部。
9.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述公共电极线的对应于所述第一电极部和对应于所述第二电极部的部分分别平行于所述第一电极部和所述第二电极部。
10.一种显示面板，包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
11.一种显示装置，包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板或如权利要求10所述的显示面板。
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