CN106155571B - 数据储存装置以及数据维护方法 - Google Patents

数据储存装置以及数据维护方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种数据储存装置以及数据维护方法。数据储存装置包括一快闪存储器、一电压源以及一控制器。快闪存储器包括多个区块，其中每一区块包括多个页面。电压源用以提供快闪存储器的一操作电压。控制器被设置为在对快闪存储器执行一既定动作后，判断在既定动作中操作电压是否曾经低于一既定电压值，并且当操作电压在既定动作中低于既定电压值时，致使快闪存储器进行初始化。

Description

数据储存装置以及数据维护方法
技术领域
本发明系关于一种数据储存装置，特别是关于可根据电压进行初始化的数据储存装置。
背景技术
快闪存储器为一种普遍的非挥发性数据储存装置，系以电性方式抹除与程序化。以与非门型的快闪存储器(即NAND FLASH)为例，常用作存储卡(memory card)、通用序列总线闪存装置(USB flash device)、固态硬盘(SSD)、嵌入式快闪存储器模块(eMMC)…等使用。
快闪存储器(如，NAND FLASH)的储存阵列包括多个区块(blocks)，其中浮置栅极晶体管可用以构成快闪存储器。浮置栅极晶体管中的浮置栅极，可捕捉的电荷以储存数据。然而，储存于浮置栅极的电荷会由于快闪存储器的操作以及各种环境参数，自浮置栅极流失，造成数据读取或者写入的错误。另外，当电源不稳定时，也会造成数据读取或者写入的错误。
发明内容
本发明系所提供的一种数据储存装置以及数据维护方法可根据电压致使快闪存储器进行初始化。
本发明提供一种数据储存装置。数据储存装置包括一快闪存储器、一电压源以及一控制器。快闪存储器包括多个区块，其中每一区块包括多个页面。电压源用以提供快闪存储器的一操作电压。控制器被设置为在对快闪存储器执行一既定动作后，判断在既定动作中操作电压是否曾经低于一既定电压值，并且当操作电压在既定动作中低于既定电压值时，致使快闪存储器进行初始化。
在一实施例中，快闪存储器更包括一电压检测装置用以检测操作电压是否低于既定电压值，并且当操作电压低于既定电压值时，将一既定值写入一旗标。在本实施例中，控制器更被设置为在传送用以致能既定动作的一致能命令至快闪存储器时，清除旗标，并且在既定动作结束后，读取旗标，以判断在既定动作中操作电压是否曾经低于既定电压值。
在一实施例中，既定动作为一抹除程序，用以抹除区块中的一第一区块。控制器更被设置为在初始化快闪存储器后，退回(Push Back)第一区块，以选择另一第二区块进行抹除程序。控制器更被设置为当操作电压未低于既定电压值时，传送一抹除确认命令至快闪存储器，以确认抹除程序是否成功，并在抹除程序失败时，将第一区块标记为一坏区块(Mark Bad)。
在另一实施例中，既定动作为一写入程序，用以将数据写入区块中的一第一区块中的一第一页面。控制器更被设置为在初始化快闪存储器后，将第一区块的数据搬移至另一第二区块。控制器更被设置为当操作电压未低于既定电压值时，传送一写入确认命令至快闪存储器，以确认写入程序是否成功，其中在抹除程序失败时，控制器更被设置为将第一区块标记为一坏区块(Mark Bad)，并且将第一区块的数据搬移至另一第二区块。
又另一实施例中，既定动作为一读取程序，用以读取区块中的一第一区块中的一第一页面，其中控制器系被设置为在读取程序对第一页面读取失败后，执行判断在既定动作中操作电压是否曾经低于既定电压值的动作。控制器更被设置为在初始化快闪存储器后，重新读取第一页面。控制器更被设置为当操作电压未低于既定电压值时，将相应于第一页面的一读取失败计数加一。
本发明另提供一种数据维护方法，适用于具有一快闪存储器的一数据储存装置，其中快闪存储器包括多个区块，并且每一区块包括多个页面。数据维护方法包括：对快闪存储器执行一既定动作后，判断在既定动作中操作电压是否曾经低于一既定电压值；以及当操作电压在既定动作中低于既定电压值时，致使快闪存储器进行初始化。
在一实施例中，数据维护方法更包括：检测操作电压是否低于既定电压值；当操作电压低于既定电压值时，将一既定值写入一旗标；在传送用以致能既定动作的一致能命令至快闪存储器时，清除旗标，其中判断在既定动作中操作电压是否曾经低于既定电压值的步骤更包括在既定动作结束后，读取旗标，以判断在既定动作中操作电压是否曾经低于既定电压值。
在一实施例中，既定动作为一抹除程序，用以抹除区块中的一第一区块。数据维护方法更包括在初始化快闪存储器后，退回(Push Back)第一区块，以选择另一第二区块进行抹除程序；当操作电压未低于既定电压值时，传送一抹除确认命令至快闪存储器，以确认抹除程序是否成功；以及当抹除程序失败时，将第一区块标记为一坏区块(Mark Bad)。
在另一实施例中，既定动作为一写入程序，用以将数据写入区块中的一第一区块中的一第一页面。数据维护方法更包括在初始化快闪存储器后，将第一区块的数据搬移至另一第二区块；当操作电压未低于既定电压值时，传送一写入确认命令至快闪存储器，以确认写入程序是否成功；以及当抹除程序失败时，将第一区块标记为一坏区块(Mark Bad)，并且将第一区块的数据搬移至另一第二区块。
在另一实施例中，既定动作为一读取程序，用以读取区块中的一第一区块中的一第一页面，其中判断在既定动作中操作电压是否曾经低于既定电压值的步骤是在读取程序对第一页面读取失败后执行。数据维护方法更包括在初始化快闪存储器后，重新读取第一页面；当操作电压未低于既定电压值时，将相应于第一页面的一读取失败计数加一。
附图说明
图1为本发明所提供的一电子***的一种实施例的方块图。
图2为本发明所提供的一数据维护方法的一种实施例的流程图。
图3为本发明所提供的数据维护方法中的电压判断方法的一种实施例的流程图。
图4为本发明所提供的一数据维护方法的另一种实施例的流程图。
图5为本发明所提供的一数据维护方法的另一种实施例的流程图。
图6为本发明所提供的一数据维护方法的另一种实施例的流程图。
【附图标记说明】
100 电子***；
120 主机；
140 数据储存装置；
160 控制器；
162 运算单元；
164 永久存储器；
166 随机存取存储器；
180 快闪存储器；
182 电压检测装置；
VDD 电压源；
步骤 S200～S202、S300～S308、S400～S412、S500～S510、S600～S604。
具体实施方式
以下将详细讨论本发明各种实施例的装置及使用方法。然而值得注意的是，本发明所提供的许多可行的发明概念可实施在各种特定范围中。这些特定实施例仅用于举例说明本发明的装置及使用方法，但非用于限定本发明的范围。
图1为本发明所提供的一电子***的一种实施例的方块图。电子***100包括一主机120以及一数据储存装置140。值得注意的是，数据储存装置140为一嵌入式快闪存储器模块(eMMC)，但本发明不限于此。数据储存装置140包括一快闪存储器180、一控制器160、一电压源VDD以及一电压检测装置182，且可根据主机110所下达的命令操作。控制器160包括一运算单元162、一永久存储器(如，只读存储器ROM)164以及随机存取存储器(RAM)166。永久存储器164与所载的程序码以及数据组成固件(firmware)，由运算单元162执行，使控制器160基于该固件控制该快闪存储器180。随机存取存储器(RAM)166用以载入程序码与参数以提供控制器160根据所载入的程序码与参数动作。快闪存储器180包括多个页面。在一实施例中，快闪存储器180包括多个区块，并且每一区块包括多个页面，其中快闪存储器180以区块为单位进行抹除，并且以页面为单位进行写入。电压源VDD用以提供快闪存储器180的一操作电压，使得快闪存储器180可借由操作电压进行操作。值得注意的是，电压源VDD可被设置于控制器160中。换言之，快闪存储器180的操作电压是由控制器160所提供的，但本发明不限于此。在另一实施例中，电压源VDD是设置于控制器160之外。举例而言，电压源VDD可被设置在数据储存装置140中的一电源电路(未图示)中。电压检测装置182用以检测电压源VDD提供至快闪存储器180的操作电压是否低于一既定电压值，并且当操作电压低于既定电压值时，将一既定值写入一旗标。举例而言，旗标可被设置于控制器160的随机存储器中，或者旗标亦被设置于快闪存储器的至少一特定页面中，但本发明不限于此。
值得注意的是，在本实施例中，电压检测装置182系被设置于快闪存储器180之中，但本发明不限于此。在其他实施例中，电压检测装置182系被设置于快闪存储器180之外。当电压检测装置182系被设置于快闪存储器180之中时，电压检测装置182可直接检测快闪存储器180所接收的操作电压，以直接检测操作电压是否低于一既定电压值。当电压检测装置182系被设置于快闪存储器180之外时，电压检测装置182可由外部检测要提供至快闪存储器180的操作电压，以检测操作电压是否低于一既定电压值。在本实施例中，电压检测装置182可自行判断检测操作电压是否低于一既定电压值，其中当操作电压低于既定电压值时，电压检测装置182可传送一致能信号至控制器160，使得控制器160将既定值写入设置于随机存取存储器160中的旗标，或者电压检测装置182可直接将既定值写入设置于快闪存储器180中的旗标。在另一实施例中，电压检测装置182可将所检测的操作电压的电压值传送至控制器160，控制器160则根据电压检测装置182所检测的检测值判断检测操作电压是否低于一既定电压值，其中当操作电压低于既定电压值时，控制器160将既定值写入设置于随机存取存储器160中的旗标，或者控制器160致使快闪存储器180将既定值写入设置于快闪存储器180中的旗标。
另外，控制器160更被设置为在对快闪存储器180执行一既定动作后，借由旗标判断在既定动作中操作电压是否曾经低于一既定电压值，并且当操作电压在既定动作中低于既定电压值时，致使快闪存储器180进行初始化。值得注意的是，控制器160更被设置为在传送用以致能既定动作的一致能命令至快闪存储器180时，清除旗标，并且在既定动作结束后，读取旗标，以判断在既定动作中操作电压是否曾经低于既定电压值。
在一实施例中，既定动作为一抹除程序，用以抹除快闪存储器180中的区块中的一第一区块。控制器160更被设置为在初始化快闪存储器180后，退回(Push Back)第一区块，以选择另一第二区块进行抹除程序。控制器160更被设置为当操作电压未低于既定电压值时，传送一抹除确认命令至快闪存储器180，以确认抹除程序是否成功，并在抹除程序失败时，将第一区块标记为一坏区块(Mark Bad)。举例而言，当控制器160需要抹除一区块时，可先由一备用池(Spare Pool)中选出一第一区块。当控制器160在对快闪存储器180对第一区块进行抹除程序后，控制器160借由旗标判断在第一区块的抹除程序中操作电压是否曾经低于一既定电压值。当操作电压在既定动作中低于既定电压值时，控制器160致使快闪存储器180进行初始化。在快闪存储器180进行初始化完成后，控制器160更用以将第一区块退回备用池，并且由备用池中选择另一第二区块进行抹除程序。当操作电压在既定动作中未低于既定电压值时，控制器160传送一抹除确认命令至快闪存储器180，以确认抹除程序是否成功。当控制器160则确认第一区块未抹除成功时，控制器160将第一区块则被标记为坏区块(Mark Bad)。
在另一实施例中，既定动作为一写入程序，用以将数据写入快闪存储器180中的一第一区块中的一第一页面。控制器160被设置为在初始化快闪存储器180后，将第一区块的数据搬移至另一第二区块。控制器160更被设置为当操作电压未低于既定电压值时，传送一写入确认命令至快闪存储器180，以确认写入程序是否成功，其中在抹除程序失败时，控制器160更被设置为将第一区块标记为一坏区块(Mark Bad)，并且将第一区块的数据搬移至另一第二区块。举例而言，控制器160对第一区块中的第一页面执行写入程序后，控制器160借由旗标判断在第一区块的抹除程序中操作电压是否曾经低于一既定电压值。当操作电压在既定动作中低于既定电压值时，控制器160致使快闪存储器180进行初始化。在快闪存储器180进行初始化完成后，将第一区块的数据搬移至另一第二区块。当操作电压在既定动作中未低于既定电压值时，控制器160传送一写入确认命令至快闪存储器180，以确认写入程序是否成功，其中在抹除程序失败时，控制器160更被设置为将第一区块标记为一坏区块(Mark Bad)，并且将第一区块的数据搬移至另一第二区块。
又另一实施例中，既定动作为一读取程序，用以读取区块中的一第一区块中的一第一页面。值得注意的是，控制器160系被设置为在读取程序对第一页面读取失败后，执行判断在既定动作中操作电压是否曾经低于既定电压值的动作。控制器160更被设置为在初始化快闪存储器180后，重新读取第一页面。当操作电压未低于既定电压值时，控制器160被设置为将相应于第一页面的一读取失败计数加一。举例而言，当控制器160对一第一页面进行读取并且第一页面的错误比特值太高无法成功被读取后，控制器160借由旗标判断在第一区块的抹除程序中操作电压是否曾经低于一既定电压值。当操作电压在既定动作中低于既定电压值时，控制器160致使快闪存储器180进行初始化。在快闪存储器180进行初始化完成后，控制器160重新读取第一页面。当操作电压在既定动作中未低于既定电压值时，控制器160被设置为将相应于第一页面的一读取失败计数(UECC Count)加一。
另外，在一实施例中，快闪存储器180的操作电压与控制器160的操作电压不同，并且快闪存储器180的操作电压高于控制器160的操作电压，但本发明不限于此。在一实施例中，控制器160具有检测操作电压的功能。然而，控制器160中具有检测操作电压的功能仅可对控制器160的操作电压进行检测，当快闪存储器180的操作电压的实际上的电压值在快闪存储器180的操作电压的既定电压值以及控制器160的操作电压的既定电压值之间时，控制器160中所具有的检测操作电压的功能则无法判断出快闪存储器180的操作电压异常。因此，快闪存储器180仍需要电压检测装置182以判断快闪存储器180的操作电压是否低于既定电压值。
图2为本发明所提供的一数据维护方法的一种实施例的流程图。数据维护方法适用于图1所示的数据储存装置140。流程开始于步骤S200。
在步骤S200中，控制器160在对快闪存储器180执行一既定动作后，判断在既定动作中操作电压是否曾经低于一既定电压值。当在既定动作中操作电压曾经低于既定电压值时，流程进行至步骤S202；否则，流程结束于步骤S200。
接着，在步骤S202中，控制器160致使快闪存储器180进行初始化。举例而言，控制器160可传送一初始化命令，以使得快闪存储器180根据初始化命令进行初始化，其中快闪存储器180在初始化的过程中可重新调整快闪存储器180的状态，使得快闪存储器180可回到较佳的状态。流程结束于步骤S202。
图3为本发明所提供的数据维护方法中的电压判断方法的一种实施例的流程图。电压判断方法适用于图2所示的步骤S200，用以判断在既定动作中操作电压是否曾经低于一既定电压值。流程开始于步骤S300。
在步骤S300中，控制器160传送用以致能既定动作的一致能命令至快闪存储器180以致能快闪存储器180执行既定动作，并且在传送致能命令的同时清除一旗标。举例而言，控制器160在传送用以致能既定动作的一致能命令至快闪存储器180时，将旗标设置为0，但本发明不限于此。在其他实施例中，被清除后的旗标的值也可以为其他值。
接着，在步骤S302中，电压检测装置182用以检测电压源VDD提供至快闪存储器180的操作电压是否低于一既定电压值。值得注意的是，在图1的实施例中，电压检测装置182系被设置于快闪存储器180之中，但本发明不限于此。在其他实施例中，电压检测装置182系被设置于快闪存储器180之外。当电压检测装置182系被设置于快闪存储器180之中时，电压检测装置182可直接检测快闪存储器180所接收的操作电压，以直接检测操作电压是否低于一既定电压值。当电压检测装置182系被设置于快闪存储器180之外时，电压检测装置182可由外部检测要提供至快闪存储器180的操作电压，以检测操作电压是否低于一既定电压值。当操作电压低于既定电压值时，流程进行至步骤S306。当操作电压未低于既定电压值时，流程进行至步骤S304。
在步骤S304中，控制器160判断既定动作是否完成。当既定动作完成时，流程进行至步骤S308；否则，流程回到步骤S302，电压检测装置182继续检测电压源VDD提供至快闪存储器180的操作电压是否低于一既定电压值。详细而言，控制器160可根据快闪存储器180所回传的信号，判断既定动作是否完成。
接着，在步骤S306中，电压检测装置182将一既定值写入旗标。举例而言，电压检测装置182可将1写入旗标中，但本发明不限于此。在其他实施例中，既定值亦可为其他数值。
接着，在步骤S308中，控制器160读取旗标，以判断在既定动作中操作电压是否曾经低于既定电压值。详细而言，当控制器160读取旗标的结果为既定值时，控制器160判断在既定动作中操作电压曾经低于既定电压值。当控制器160读取旗标的结果仍为清除的状态时，控制器160判断在既定动作中操作电压未曾经低于既定电压值。流程结束于步骤S308。
图4为本发明所提供的一数据维护方法的另一种实施例的流程图。数据维护方法适用于图1所示的数据储存装置140。值得注意的是，在本实施例中，既定动作为一抹除程序，用以抹除一区块。流程开始于步骤S400。
在步骤S400中，控制器160由一备用池(Spare Pool)中选出一区块，以进行抹除。举例而言，当控制器160需要抹除一区块时，可先由一备用池(Spare Pool)中选出一第一区块。
接着，在步骤S402中，控制器160对所选择的区块进行抹除程序。举例而言，当控制器160在步骤S400中由备用池选择了第一区块。在步骤S402中，控制器160则对第一区块进行抹除。
接着，在步骤S404中，控制器160判断在区块的抹除程序中，操作电压是否曾经低于一既定电压值。当操作电压是在抹除程序中曾经低于一既定电压值时，流程进行至步骤S408；否则，流程进行至步骤S416。详细而言，控制器160可根据快闪存储器180所回传的信号判断抹除程序是否完成。当抹除程序完成时，控制器160可读取旗标，以判断在区块的抹除程序中操作电压是否曾经低于既定电压值。
在步骤S406中，控制器160传送一抹除确认命令至快闪存储器180，以确认抹除程序是否成功。当抹除程序成功时，流程结束于步骤S406；否则，流程进行至步骤S412。
在步骤S408中，控制器160致使快闪存储器180进行初始化。举例而言，控制器160可传送一初始化命令，以使得快闪存储器180根据初始化命令进行初始化。
接着，在步骤S410中，控制器160更用以将区块退回(Push Back)备用池。举例而言，当步骤S400中所选择的区块为第一区块并且在步骤S402中抹除第一区块时操作电压低于既定电压值时，控制器160在快闪存储器180初始化后，将第一区块退回备用池。接着，流程回到步骤S400，控制器160自备用池中重新选择一区块以进行抹除。
在步骤S412中，控制器160将区块则标记为坏区块(Mark Bad)。接着，流程回到步骤S400，控制器160自备用池中重新选择一区块以进行抹除。
图5为本发明所提供的一数据维护方法的另一种实施例的流程图。数据维护方法适用于图1所示的数据储存装置140。值得注意的是，在本实施例中，既定动作为一写入程序，用以将数据写入区块中的一第一区块中的一第一页面。流程开始于步骤S500。
在步骤S500中，控制器160对第一区块中的第一页面执行写入程序。
接着，在步骤S502中，控制器160判断在第一页面的写入程序中，操作电压是否曾经低于一既定电压值。当操作电压是在写入程序中曾经低于一既定电压值时，流程进行至步骤S510；否则，流程进行至步骤S504。详细而言，控制器160可根据快闪存储器180所回传的信号判断写入程序是否完成。当写入程序完成时，控制器160可读取旗标，以判断在第一页面的写入程序中操作电压是否曾经低于既定电压值。
在步骤S504中，控制器160传送一写入确认命令至快闪存储器180，以确认写入程序是否成功。当写入程序成功时，结束于步骤S504；否则，流程进行至步骤S506。
在步骤S506中，控制器160将第一区块标记为一坏区块(Mark Bad)。
接着，在步骤S508中，控制器160将第一区块的数据搬移至另一第二区块。流程结束于步骤S508。
在步骤S510中，控制器160致使快闪存储器180进行初始化。举例而言，控制器160可传送一初始化命令，以使得快闪存储器180根据初始化命令进行初始化。接着，流程进行至步骤S508，控制器160将第一区块的数据搬移至另一第二区块。
图6为本发明所提供的一数据维护方法的另一种实施例的流程图。数据维护方法适用于图1所示的数据储存装置140。值得注意的是，在本实施例中，既定动作为一读取程序，用以读取区块中的一第一区块中的一第一页面。流程开始于步骤S600。
在步骤S600中，控制器160对一第一页面进行读取程序。当第一页面被成功读取时，流程结束于步骤S600。当第一页面读取失败时，流程进行至步骤S602。详细而言，当第一页面的错误比特值太高无法被成功被读取时，流程进行至步骤S602。
接着，在步骤S602中，控制器160借由判断在第一页面的读取程序中，操作电压是否曾经低于一既定电压值。当操作电压是在抹除程序中曾经低于一既定电压值时，流程进行至步骤S606；否则，流程进行至步骤S604。详细而言，控制器160可根据快闪存储器180所回传的信号判断读取程序是否完成。当读取程序完成时，控制器160可读取旗标，以判断在第一页面的读取程序中操作电压是否曾经低于既定电压值。
在步骤S604中，控制器160被设置为将相应于第一页面的一读取失败计数(UECCCount)加一。流程结束于步骤S604。
在步骤S606中，控制器160致使快闪存储器180进行初始化。举例而言，控制器160可传送一初始化命令，以使得快闪存储器180根据初始化命令进行初始化。接着，流程回到步骤S600，控制器160重新对第一页面进行读取。
本发明系所提供的一种数据储存装置以及数据维护方法可根据电压致使快闪存储器进行初始化。
本发明的方法，或特定型态或其部分，可以以程序码的型态存在。程序码可储存于实体媒体，如软盘、光盘片、硬盘、或是任何其他机器可读取(如电脑可读取)储存媒体，亦或不限于外在形式的电脑程序产品，其中，当程序码被机器，如电脑载入且执行时，此机器变成用以参与本发明的装置。程序码也可通过一些传送媒体，如电线或电缆、光纤、或是任何传输型态进行传送，其中，当程序码被机器，如电脑接收、载入且执行时，此机器变成用以参与本发明的装置。当在一般用途处理单元实作时，程序码结合处理单元提供一操作类似于应用特定逻辑电路的独特装置。
惟以上所述者，仅为本发明的较佳实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，即大凡依本发明权利要求及发明说明内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利涵盖的范围内。另外本发明的任一实施例或权利要求不须达成本发明所揭露的全部目的或优点或特点。此外，摘要部分和标题仅是用来辅助专利文件搜寻之用，并非用来限制本发明的权利范围。

Claims (20)

1.一种数据储存装置，包括：
一快闪存储器，包括多个区块，其中每一上述区块包括多个页面；
一电压源，用以提供上述快闪存储器的一操作电压；以及
一控制器，被设置为在对上述快闪存储器执行一既定动作后，判断在上述既定动作中上述操作电压是否曾经低于一既定电压值，并且当上述操作电压在上述既定动作中低于上述既定电压值时，致使上述快闪存储器进行初始化；
上述快闪存储器更包括一电压检测装置用以检测上述操作电压是否低于上述既定电压值，并且当上述操作电压低于上述既定电压值时，将一既定值写入一旗标，
其中上述控制器更被设置为在传送用以致能上述既定动作的一致能命令至上述快闪存储器时，清除上述旗标，并且在上述既定动作结束后，读取上述旗标，以判断在上述既定动作中上述操作电压是否曾经低于上述既定电压值。
2.根据权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于，上述既定动作为一抹除程序，用以抹除上述区块中的一第一区块。
3.根据权利要求2所述的数据储存装置，其特征在于，上述控制器更被设置为在初始化上述快闪存储器后，退回上述第一区块，以选择另一第二区块进行上述抹除程序。
4.根据权利要求2所述的数据储存装置，其特征在于，上述控制器更被设置为当上述操作电压未低于上述既定电压值时，传送一抹除确认命令至上述快闪存储器，以确认上述抹除程序是否成功，并在上述抹除程序失败时，将上述第一区块标记为一坏区块。
5.根据权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于，上述既定动作为一写入程序，用以将数据写入上述区块中的一第一区块中的一第一页面。
6.根据权利要求5所述的数据储存装置，其特征在于，上述控制器更被设置为在初始化上述快闪存储器后，将上述第一区块的数据搬移至另一第二区块。
7.根据权利要求5所述的数据储存装置，其特征在于，上述控制器更被设置为当上述操作电压未低于上述既定电压值时，传送一写入确认命令至上述快闪存储器，以确认上述写入程序是否成功，其中在上述写入程序失败时，上述控制器更被设置为将上述第一区块标记为一坏区块，并且将上述第一区块的数据搬移至另一第二区块。
8.根据权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于，上述既定动作为一读取程序，用以读取上述区块中的一第一区块中的一第一页面，其中上述控制器系被设置为在上述读取程序对上述第一页面读取失败后，执行判断在上述既定动作中上述操作电压是否曾经低于上述既定电压值的动作。
9.根据权利要求8所述的数据储存装置，其特征在于，上述控制器更被设置为在初始化上述快闪存储器后，重新读取上述第一页面。
10.根据权利要求8所述的数据储存装置，其特征在于，上述控制器更被设置为当上述操作电压未低于上述既定电压值时，将相应于上述第一页面的一读取失败计数加一。
11.一种数据维护方法，适用于具有一快闪存储器的一数据储存装置，其中上述快闪存储器包括多个区块，并且每一上述区块包括多个页面，上述数据维护方法包括：
对上述快闪存储器执行一既定动作后，检测上述快闪存储器之一操作电压是否低于一既定电压值；
当上述操作电压低于上述既定电压值时，将一既定值写入一旗标；
在传送用以致能上述既定动作的一致能命令至上述快闪存储器时，清除上述旗标
在上述既定动作结束后，读取上述旗标，以判断在上述既定动作中上述操作电压是否曾经低于上述既定电压值；以及
当上述操作电压在上述既定动作中低于上述既定电压值时，致使上述快闪存储器进行初始化。
12.根据权利要求11所述的数据维护方法，其特征在于，上述既定动作为一抹除程序，用以抹除上述区块中的一第一区块。
13.根据权利要求12所述的数据维护方法，其特征在于，更包括在初始化上述快闪存储器后，退回上述第一区块，以选择另一第二区块进行上述抹除程序。
14.根据权利要求12所述的数据维护方法，其特征在于，更包括：
当上述操作电压未低于上述既定电压值时，传送一抹除确认命令至上述快闪存储器，以确认上述抹除程序是否成功；以及
当上述抹除程序失败时，将上述第一区块标记为一坏区块。
15.根据权利要求11所述的数据维护方法，其特征在于，上述既定动作为一写入程序，用以将数据写入上述区块中的一第一区块中的一第一页面。
16.根据权利要求15所述的数据维护方法，其特征在于，更包括在初始化上述快闪存储器后，将上述第一区块的数据搬移至另一第二区块。
17.根据权利要求15所述的数据维护方法，其特征在于，更包括：
当上述操作电压未低于上述既定电压值时，传送一写入确认命令至上述快闪存储器，以确认上述写入程序是否成功；以及
当上述写入程序失败时，将上述第一区块标记为一坏区块，并且将上述第一区块的数据搬移至另一第二区块。
18.根据权利要求11所述的数据维护方法，其特征在于，上述既定动作为一读取程序，用以读取上述区块中的一第一区块中的一第一页面，其中上述判断在上述既定动作中上述操作电压是否曾经低于上述既定电压值的步骤是在上述读取程序对上述第一页面读取失败后执行。
19.根据权利要求18所述的数据维护方法，其特征在于，更包括在初始化上述快闪存储器后，重新读取上述第一页面。
20.根据权利要求18所述的数据维护方法，其特征在于，更包括当上述操作电压未低于上述既定电压值时，将相应于上述第一页面的一读取失败计数加一。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI609378B (zh) * 2016-06-15 2017-12-21 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置與操作方法
US10289341B2 (en) * 2017-06-30 2019-05-14 Western Digital Technologies, Inc. Operating parameter offsets in solid state memory devices
US10936456B1 (en) * 2019-02-20 2021-03-02 Apple Inc. Handling malfunction in a memory system comprising a nonvolatile memory by monitoring bad-block patterns
TWI733360B (zh) * 2020-03-09 2021-07-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置與資料處理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200416745A (en) * 2002-10-04 2004-09-01 Sharp Kk Semiconductor storage device, control method therefor and portable electronic equipment
CN103021460A (zh) * 2011-09-22 2013-04-03 爱思开海力士有限公司 包括存储器件和***的半导体器件的设定数据储存

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6282145B1 (en) * 1999-01-14 2001-08-28 Silicon Storage Technology, Inc. Array architecture and operating methods for digital multilevel nonvolatile memory integrated circuit system
US6856556B1 (en) * 2003-04-03 2005-02-15 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem with embedded circuit for protecting against anomalies in power signal from host
US7940572B2 (en) * 2008-01-07 2011-05-10 Mosaid Technologies Incorporated NAND flash memory having multiple cell substrates
TWI469148B (zh) * 2009-05-15 2015-01-11 Chi Mei Comm Systems Inc 快閃記憶體資料擦除系統及方法
US20100332922A1 (en) * 2009-06-30 2010-12-30 Mediatek Inc. Method for managing device and solid state disk drive utilizing the same
TWI433157B (zh) * 2009-09-04 2014-04-01 Silicon Motion Inc 存取快閃記憶體的方法以及相關之記憶裝置
US8605533B2 (en) * 2009-11-27 2013-12-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for protecting data in flash memory
TWI397818B (zh) * 2010-07-27 2013-06-01 Transcend Information Inc 儲存裝置及其運作方法
CN102375765A (zh) * 2010-08-19 2012-03-14 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 服务器掉电侦测***及方法
TWI483107B (zh) * 2012-04-03 2015-05-01 Winbond Electronics Corp 串列介面快閃記憶體裝置及其狀態暫存器的寫入方法
TWI509615B (zh) * 2012-08-03 2015-11-21 Phison Electronics Corp 資料儲存方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置
CN109767803A (zh) * 2013-08-09 2019-05-17 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置及其电压保护方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200416745A (en) * 2002-10-04 2004-09-01 Sharp Kk Semiconductor storage device, control method therefor and portable electronic equipment
CN103021460A (zh) * 2011-09-22 2013-04-03 爱思开海力士有限公司 包括存储器件和***的半导体器件的设定数据储存

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