CN106129240B - 基于石墨烯材质的大功率led芯片及其cob封装方法 - Google Patents

基于石墨烯材质的大功率led芯片及其cob封装方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开本发明一种基于石墨烯材质的大功率LED芯片及COB封装方法,该大功率LED芯片包括:透镜、光源组件、PCB板以及散热基板,透镜与PCB板之间形成封闭空间,光源组件设置于该封闭空间内,且光源组件通过第一粘结层与PCB板的一侧连接,PCB板的相对另一侧通过第二粘结层与散热基板连接;第一粘结层与第二粘结层分别包括:多层石墨烯材料以及导热胶。本发明基于石墨烯材质的大功率LED芯片及其COB封装方法可以有效提高大功率LED芯片的散热效果,延长其使用寿命。

Description

基于石墨烯材质的大功率LED芯片及其COB封装方法
技术领域
本发明涉及大功率LED单芯片的技术领域,尤其涉及一种基于石墨烯材质的大功率LED芯片及其COB封装方法。
背景技术
随着微光机电加工技术的进步和制造工艺的改进,LED芯片的封装结构和工艺不断进步,单芯片尺寸的LED功率越来越高,芯片的光效越来越好,大功率LED在同样亮度下,耗电量是普通白炽灯的1/10,是荧光灯管的1/4,节能环保效益非常显著,广泛应用在商业照明、工业照明和可穿戴照明领域。大功率器件的输入功率在1W以上,芯片尺寸在1mm×mm到2.5mm×2.5mm之间,芯片的功率密度很大。目前,大功率LED 80%的输入功率都转化为热能,这些热量如果不能及时地排出,会使得LED灯发光效率降低、荧光粉加速老化、使用寿命缩短。基于目前的半导体制造技术,LED芯片趋于大功率化,芯片尺寸趋于小型化,***散发的热量越来越多,对大功率LED芯片进行优良的散热设计变得尤为重要。
针对大功率LED芯片散热设计,要考虑***的发热功耗,体积和重量要求,以及散热装置的可操作性。采用有效的热沉结构来将大功率LED***的热量散发出去,热沉结构有主动式散热和被动式散热之分,主动式散热有加装风扇、热管、液体对流等方式,被动式散热通过散热片、具有散热效果的机械结构来散热。
故一种可以有效提高散热效果,延长使用寿命的基于石墨烯材质的大功率LED芯片及其COB封装方法亟待提出。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提出了基于石墨烯材质的大功率LED芯片及其COB封装方法,该技术可以有效提高大功率LED芯片的散热效果,延长其使用寿命。
为了达到上述目的,本发明的技术方案如下:
基于石墨烯材质的大功率LED芯片包括:透镜、光源组件、PCB板以及散热基板,透镜与PCB板之间形成封闭空间,光源组件设置于该封闭空间内,且光源组件通过第一粘结层与PCB板的一侧连接,PCB板的相对另一侧通过第二粘结层与散热基板连接;
第一粘结层与第二粘结层均包括:多层石墨烯材料以及导热胶。
本发明一种基于石墨烯材质的大功率LED芯片结构简单,采用石墨烯材料可以有效实现散热,延长大功率LED芯片的使用寿命。
在上述技术方案的基础上,还可做如下改进:
作为优选的方案,光源组件包括:LED晶片以及包覆于LED晶片外表面的荧光体,LED晶片通过第一粘结层与PCB板连接。
采用上述优选的方案,荧光体为荧光粉混着胶层,荧光体立体均匀地涂覆在LED晶片上,保证光色的均匀性。
作为优选的方案,散热基板为工字型AlN陶瓷基板热沉。
采用上述优选的方案,散热效果好。
作为优选的方案,在工字型AlN陶瓷基板热沉内设有多个微通道。
采用上述优选的方案,能够增大散热面积。
作为优选的方案,在每个微通道的内壁上涂覆有多层石墨烯材料。
采用上述优选的方案,散热效果好。
作为优选的方案,在透镜的外表面上均匀涂覆有亲水涂层。
采用上述优选的方案,透镜表面涂覆一层亲水涂层能够有效提高出光效率,对透镜表面有一定的机械保护作用。
作为优选的方案,PCB板上设有静电保护电路、控制补偿电路以及驱动电路。
采用上述优选的方案,结构简单。
基于石墨烯材质的大功率LED芯片的COB封装方法,用于封装基于石墨烯材质的大功率LED芯片,具体包括以下步骤:
1)用扩张机将整张LED晶片薄膜均匀扩张;
2)用点胶机将混有石墨烯材料的导热胶点在PCB板的一侧上,形成第一粘结层;
3)工作人员将LED晶片用刺晶笔刺在PCB板上,将刺好LED晶片放在温度箱中静置,待导热胶固化后从温度箱中取出;
4)用真空吸笔将组成静电保护电路、控制补偿电路、驱动电路的电子元器件点在PCB板上,将PCB板放置在恒温恒湿箱中静置;
5)用铝丝焊线机进行COB封装的内引线焊接;
6)将混有荧光粉的胶层用点胶机均匀涂覆在LED晶片上,形成荧光体;
7)将透镜粘接在PCB板上;
8)最后,利用点胶机将混有石墨烯材料的导热胶点在PCB板上,形成第二粘结层,将PCB板和散热基板进行连接。
本发明基于石墨烯材质的大功率LED芯片的COB封装方法封装密度好、光密度高、散热性能佳。
作为优选的方案,还包括以下步骤:
9)在透镜的外表面涂覆均匀有亲水涂层。
采用上述优选的方案,透镜表面涂覆一层亲水涂层能够有效提高出光效率,对透镜表面有一定的机械保护作用。
附图说明
图1为本发明实施例提供的基于石墨烯材质的大功率LED芯片的结构示意图。
图2为本发明实施例提供的工字型AlN陶瓷基板热沉的结构示意图。
图3为本发明实施例提供的双层石墨烯材料的结构示意图。
图4为本发明实施例提供的双层石墨烯材料的俯视图。
其中:1透镜、2光源组件、21 LED晶片、22荧光体、3 PCB板、4散热基板、5第一粘结层、6第二粘结层、7微通道、8亲水涂层。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的优选实施方式。
为了达到本发明的目的,基于石墨烯材质的大功率LED芯片及其COB封装方法的其中一些实施例中,
如图1所示,基于石墨烯材质的大功率LED芯片包括:透镜1、光源组件2、PCB板3以及散热基板4,透镜1与PCB板3之间形成封闭空间,光源组件2设置于该封闭空间内,且光源组件2通过第一粘结层5与PCB板3的一侧连接,PCB板3的相对另一侧通过第二粘结层6与散热基板4连接;
第一粘结层5与第二粘结层6均包括:双层石墨烯材料以及导热胶。
光源组件2包括:LED晶片21以及包覆于LED晶片外表面的荧光体22,LED晶片通过第一粘结层5与PCB板3连接。
散热基板4为工字型氮化铝(AlN)陶瓷基板热沉,在工字型AlN陶瓷基板热沉内设有多个微通道7,在每个微通道7的内壁上涂覆有双层石墨烯材料。
PCB板3上设有静电保护电路、控制补偿电路以及驱动电路。
基于石墨烯材质的大功率LED芯片的COB封装方法,用于封装基于石墨烯材质的大功率LED芯片,具体包括以下步骤:
1)用扩张机将整张LED晶片薄膜均匀扩张;
2)用点胶机将混有石墨烯材料的导热胶点在PCB板3的一侧上,形成第一粘结层5;
3)工作人员将LED晶片用刺晶笔刺在PCB板3上,将刺好LED晶片放在温度箱中静置,待导热胶固化后从温度箱中取出;
4)用真空吸笔将组成静电保护电路、控制补偿电路、驱动电路的电子元器件点在PCB板3上,将PCB板3放置在恒温恒湿箱中静置;
5)用铝丝焊线机进行COB封装的内引线焊接;
6)将混有荧光粉的胶层用点胶机均匀涂覆在LED晶片21上,形成荧光体22;
7)将透镜1粘接在PCB板3上;
8)利用点胶机将混有石墨烯材料的导热胶点在PCB板3上,形成第二粘结层6,将PCB板3和散热基板4进行连接。
LED芯片有金属支架式封装、表面贴片式封装、晶片直装式(COB,Chip On Board)封装、***级封装式等四种形式。金属支架式封装热阻较大、寿命较短;表面贴片式封装可靠性高,便于自动化生产;***封装式产品的良品率不高、投资成本较大。随着电子元器件向着微纳米尺度转变,COB封装具有高封装密度、高出光密度等特性,并且散热功能较佳,选用COB封装结构的大功率LED芯片能够满足半导体照明行业的发展要求与市场需求。值得注意的是,在COB封装后,可以用专用检测工具检测COB封装的质量。
本发明的散热基板4采用表面加工成工字型形状的AlN陶瓷基板热沉结构,并且在内部开有微通道7,微通道7类似于毛细血管,能够快速散热,这样的设计能够满足大功率LED芯片的散热要求,另一方面产品的制造成本相比较于主动式散热也有一定的降低。
石墨烯是众多碳质材料的基元,硬度高,具有优异的电学和热学特性,单层石墨烯热导率值高达3080~5150W/mK,单层石墨烯通过堆叠方式可以形成多层石墨烯,实验制备的石墨烯都存在一定的厚度,本实施例选用双层石墨烯作为大功率LED芯片的热界面材料,能有效的解决半导体照明技术中散热方面的问题。
本发明一种基于石墨烯材质的大功率LED芯片的工作过程如下:
当接通电源后,LED晶片开始工作并产生热量,第一粘结层5将热量转移给PCB板3,PCB板3的下端面连接第二粘结层6,第二粘结层6将热量转移到散热基板4,散热基板4利用其内部独特的多个微通道7和内部管壁上粘有的石墨烯材料,可以迅速将LED晶片散发的热量散发掉。
本发明一种基于石墨烯材质的大功率LED芯片及其COB封装方法具有以下有益效果:
第一,透镜1能够减小LED向外发出的光的损失。
第二,荧光粉混着胶层立体均匀地涂覆在LED晶片上,形成荧光体,这样能够保证光色的均匀性。
第三,PCB板3为金属材质,其是大功率LED芯片的供电载体,同时也是散热载体,PCB板3上有静电保护电路、控制补偿电路、驱动电路。
第四,第一粘结层5用于连接LED晶片和金属PCB板3,将LED芯片散发出来的热量转移给金属PCB板3,工字型AlN陶瓷基板热沉通过第二粘结层6和金属PCB板3进行热的传递。
第五,采用COB封装结构封装密度好、光密度高、散热性能佳,采用石墨烯材料作为散热结构的热界面材料,导热系数是铝板的四倍,能够简化大功率LED芯片的热沉结构,快速冷却LED芯片和功率元件。
第六,如图2所示,工字型AlN热沉结构的微通道7,类似于毛细血管,可以增大散热面积,使得一部分热量通过小细管散发掉,微通道7的内壁喷涂双层石墨烯材料。
第七,如图3和4所示,图3为热量传导的主要材料双层石墨烯材料的结构图,将其混合着导热胶连接LED晶片和金属PCB板3,沉积在工字型AlN陶瓷基板热沉上,并喷涂在微通道7的内壁上,更加有利于热量的散发。
本发明一种基于石墨烯材质的大功率LED芯片及其COB封装方法提出基于石墨烯材质的散热设计,采用COB封装,通过改变散热材料和热沉结构来改善大功率LED芯片存在的散热问题。
为了进一步地优化本发明的实施效果,在另外一些实施方式中,其余特征技术相同,不同之处在于,在透镜1的外表面上均匀涂覆有亲水涂层8。
同时,基于石墨烯材质的大功率LED芯片的COB封装方法还包括以下步骤:
9)在透镜1的外表面均匀涂覆有亲水涂层8。
采用上述优选实施例的方案,透镜1表面涂覆一层亲水涂层8能够有效提高出光效率,对透镜1表面有一定的机械保护作用,减小水滴和灰尘对LED照明的影响。
以上的仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。

Claims (6)

1.基于石墨烯材质的大功率LED芯片,其特征在于,包括:透镜、光源组件、PCB板以及散热基板,所述透镜与所述PCB板之间形成封闭空间,所述光源组件设置于该封闭空间内,且所述光源组件通过第一粘结层与所述PCB板的一侧连接,所述PCB板的相对另一侧通过第二粘结层与所述散热基板连接;
所述第一粘结层与所述第二粘结层均包括:多层石墨烯材料以及导热胶;
所述散热基板为工字型AlN陶瓷基板热沉,在所述工字型AlN陶瓷基板热沉内设有多个微通道,在每个所述微通道的内壁上涂覆有多层石墨烯材料。
2.根据权利要求1所述的基于石墨烯材质的大功率LED芯片,其特征在于,所述光源组件包括:LED晶片以及包覆于所述LED晶片外表面的荧光体,所述LED晶片通过所述第一粘结层与所述PCB板连接。
3.根据权利要求1或2所述的基于石墨烯材质的大功率LED芯片,其特征在于,在所述透镜的外表面上均匀涂覆有亲水涂层。
4.根据权利要求3所述的基于石墨烯材质的大功率LED芯片,其特征在于,所述PCB板上设有静电保护电路、控制补偿电路以及驱动电路。
5.基于石墨烯材质的大功率LED芯片的COB封装方法,用于封装权利要求4所述的基于石墨烯材质的大功率LED芯片,其特征在于,具体包括以下步骤:
1)用扩张机将整张LED晶片薄膜均匀扩张;
2)用点胶机将混有石墨烯材料的导热胶点在PCB板的一侧上,形成第一粘结层;
3)工作人员将LED晶片用刺晶笔刺在PCB板上,将刺好LED晶片放在温度箱中静置,待导热胶固化后从温度箱中取出;
4)用真空吸笔将组成静电保护电路、控制补偿电路、驱动电路的电子元器件点在PCB板上,将PCB板放置在恒温恒湿箱中静置;
5)用铝丝焊线机进行COB封装的内引线焊接;
6)将混有荧光粉的胶层用点胶机均匀涂覆在LED晶片上,形成荧光体;
7)将透镜粘接在PCB板上;
8)利用点胶机将混有石墨烯材料的导热胶点在PCB板上,形成第二粘结层,将PCB板和散热基板进行连接。
6.根据权利要求5所述的基于石墨烯材质的大功率LED芯片的COB封装方法,其特征在于,还包括以下步骤:
9)在所述透镜的外表面均匀涂覆有亲水涂层。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106935686B (zh) * 2017-03-14 2019-01-29 华中科技大学 一种溶液式荧光粉胶涂覆方法以及应用
CN107272259A (zh) * 2017-07-13 2017-10-20 武汉天马微电子有限公司 一种led灯条及背光模组
CN107994102A (zh) * 2017-11-01 2018-05-04 江苏稳润光电科技有限公司 一种led灯丝制作方法
CN108198805A (zh) * 2017-12-06 2018-06-22 浙江亿米光电科技有限公司 一种高功率led螺旋形灯丝
CN110518108A (zh) * 2019-07-09 2019-11-29 安徽捷鑫光电科技有限公司 一种led灯条制备方法
WO2022178669A1 (zh) * 2021-02-23 2022-09-01 深圳市艾比森光电股份有限公司 一种led显示屏

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103311411A (zh) * 2013-06-24 2013-09-18 江西量一光电科技有限公司 一种led芯片封装方法
CN104214739A (zh) * 2014-08-22 2014-12-17 浙江工业大学 大功率led石墨烯基散热装置
CN105198491A (zh) * 2015-09-14 2015-12-30 武汉利之达科技有限公司 一种含导电铜柱的陶瓷基板制备方法
CN105627113A (zh) * 2016-01-14 2016-06-01 杨阳 大功率led植物生长灯单元及植物生长灯

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120032871A (ko) * 2010-09-29 2012-04-06 삼성전기주식회사 방열 기판 및 그 제조 방법, 그리고 상기 방열 기판을 구비하는 발광소자 패키지
CN104087216B (zh) * 2014-07-17 2016-04-20 湖南元素密码石墨烯高科技有限公司 用于led铝基板与散热器之间散热粘合剂的制作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103311411A (zh) * 2013-06-24 2013-09-18 江西量一光电科技有限公司 一种led芯片封装方法
CN104214739A (zh) * 2014-08-22 2014-12-17 浙江工业大学 大功率led石墨烯基散热装置
CN105198491A (zh) * 2015-09-14 2015-12-30 武汉利之达科技有限公司 一种含导电铜柱的陶瓷基板制备方法
CN105627113A (zh) * 2016-01-14 2016-06-01 杨阳 大功率led植物生长灯单元及植物生长灯

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