CN207993891U - 一种led陶瓷复合封装基板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种LED陶瓷复合封装基板，其包括下盖基板、上盖基板和结合层，所述下盖基板通过结合层与上盖基板固定连接，所述下盖基板包括第一表面和第二表面；所述上盖基板包括上盖基板本体和封装腔体，所述上盖基板由氧化铝制成，所述上盖基板本体通过结合层固定于第一表面；通过丝网印刷的工艺在第一表面涂覆粘结剂，以粘合下盖基板和上盖基板，最后固化粘结剂使得下盖基板与上盖基板之间形成结合层，使得下盖基板和上盖基板结合于一体。本实用新型结构新颖，基板具有良好的散热性能，通过陶瓷封装腔体能够提高LED产品的工作寿命以及使其能能够在高温、高湿、强腐蚀性等恶劣环境下工作使用。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED封装基板技术领域，尤其涉及一种LED陶瓷复合封装基板。
背景技术
随着LED应用的普及，LED灯在照明不同领域的使用越来越多。随着LED高集成化的发展，我们希望能用更小尺寸的LED发出更高亮度的光。但随之而来的是大功率带来的散热问题，传统的封装基板已无法匹配高功率LED的各项性能，从而衍生出了LED陶瓷封装基板；陶瓷基板具备高热传导率、高温稳定性、与封装材料匹配的膨胀系数等优点使得越来越多的学者将注意力投入到陶瓷基板的研发中。
现有的陶瓷基板大多数采用硅胶作为保护腔体，现有的硅胶腔体无法满足灯珠在高温、高湿、强腐蚀性等恶劣环境下使用，因此亟需开发一种散热性能好、同时满足在高温、高湿、强腐蚀性等恶劣环境下工作使用。
实用新型内容
有鉴于此，提供一种能够实现小区域面积内封装较大功率的一种LED陶瓷复合封装基板及生产工艺，以提高LED封装基板的散热效率；通过特殊的陶瓷腔体结构，保护LED芯片工作时的环境，提高LED产品的工作寿命以及使其能在高温、高湿、强腐蚀性等恶劣环境下工作使用。
一种LED陶瓷复合封装基板，其包括下盖基板、上盖基板和结合层，所述下盖基板通过结合层与上盖基板固定连接，所述下盖基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面设有若干个固晶区，所述第二表面设有焊盘；所述上盖基板包括上盖基板本体和封装腔体，所述上盖基板由氧化铝制成，所述上盖基板本体通过结合层固定于第一表面，所述封装腔体用于封装LED芯片；所述结合层是通过丝网印刷的工艺在第一表面涂覆粘结剂，以粘合下盖基板和上盖基板，最后固化粘结剂使得下盖基板与上盖基板之间形成结合层，使得下盖基板和上盖基板结合于一体。
进一步地，所述下盖基板由氮化铝材料制成，所述下盖基板呈矩形，下盖盖板的长度为5.8±0.2mm，下盖基板的宽度为2.5±0.1mm，下盖基板的厚度为0.38±0.08mm。
进一步地，所述上盖基板的厚度为0.45±0.05mm。
进一步地，所述封装腔体形状为矩形或多边形，所述上盖基板本体的形状与下盖基板形状一致。
进一步地，所述固晶区为银丝涂层，所述银丝涂层设有四个。
进一步地，粘结剂为银浆、无机玻璃浆料或有机胶水。
相对于现有技术，本实用新型的有益效果为：
（1）、由氮化铝材质的下盖基板的导热率可达到150-200W/m*k，导热性能远远好于PCB材料，可在5mm*3mm大小内封装15w功率的灯珠，同时具有良好的散热性能；
（2）、相比金属封装基板氮化铝材料拥有绝缘性能；
（3）、氧化铝材质的的封装腔体可以保护LED芯片，使得封装后的产品可以在恶劣环境下使用，并且氧化铝材质的的封装腔体比传统硅胶的封装腔体的抗热震性更好，高温下使用不影响寿命。
附图说明
图1是本实用新型实施例的LED陶瓷复合封装基板主视结构示意图。
图2是本实用新型实施例的LED陶瓷复合封装基板后视结构示意图。
图3是本实用新型实施例的LED陶瓷复合封装基板侧视结构示意图。
具体实施方式
以下将结合具体实施例和附图对本实用新型进行详细说明。
请参阅图1、图2和图3，示出一种LED陶瓷复合封装基板10，其包括下盖基板20、上盖基板30和结合层，所述下盖基板20通过结合层与上盖基板30固定连接，所述下盖基板20包括第一表面21和第二表面22，所述第一表面21设有若干个固晶区23，所述第二表面22设有焊盘24；所述上盖基板30包括上盖基板本体31和封装腔体32，所述上盖基板30由氧化铝制成，所述上盖基板本体31通过结合层固定于第一表面21，所述封装腔体32用于封装LED芯片；通过丝网印刷的工艺在第一表面涂覆粘结剂，以粘合下盖基板20和上盖基板30，最后固化粘结剂使得下盖基板20与上盖基板30之间形成结合层，使得下盖基板20和上盖基板30结合于一体，通过氧化铝材料制成的上盖基板的封装腔体32，保护LED芯片工作时的环境，提高LED产品的工作寿命以及使其能在高温、高湿、强腐蚀性等恶劣环境下工作使用。
优选地，作为本实施例的优选，所述下盖基板20由氮化铝材料制成，所述下盖基板20呈矩形，下盖盖板20的长度为5.8±0.2mm，下盖基板20的宽度为2.5±0.1mm，下盖基板20的厚度为0.38±0.08mm。进一步地，所述下盖基板20的长度为5.8mm，宽度为2.5mm，厚度为0.38mm，以满足下盖基板20良好的散热性能，大大提高其使用范围。所述下盖基板采用氮化铝陶瓷基板导热率可达到150-200W/m*k，导热远远好于PCB材料，可在5mm*3mm大小内封装15w功率的灯珠，同时具有良好的散热性能。
优选地，作为本实施例的优选，所述上盖基板30的厚度为0.45±0.05mm，用于保护位于封装腔体32的LED芯片，腔体以满足LED芯片封装使用。更为优选地，所述上盖基板30的厚度为0.45mm。所述封装腔体32形状为矩形或多边形，所述上盖基板本体31的形状与下盖基板20形状一致。
优选地，作为本实施例的优选，所述固晶区23为银丝涂层，所述银丝涂层设有四个，多个所述固晶区23之间设有预定间隙，所述预定间隙为0.2mm。
优选地，作为本实施例的优选，所述粘结剂为银浆、无机玻璃浆料或有机胶水。
以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。
Claims (6)
1.一种LED陶瓷复合封装基板，其特征在于：包括下盖基板、上盖基板和结合层，所述下盖基板通过结合层与上盖基板固定连接，所述下盖基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面设有若干个固晶区，所述第二表面设有焊盘；所述上盖基板包括上盖基板本体和封装腔体，所述上盖基板由氧化铝制成，所述上盖基板本体通过结合层固定于第一表面，所述封装腔体用于封装LED芯片；所述结合层是通过丝网印刷的工艺在第一表面涂覆粘结剂，以粘合下盖基板和上盖基板，最后固化粘结剂使得下盖基板与上盖基板之间形成结合层，使得下盖基板和上盖基板结合于一体。
2.根据权利要求1所述的LED陶瓷复合封装基板，其特征在于：所述下盖基板由氮化铝材料制成，所述下盖基板呈矩形，下盖盖板的长度为5.8±0.2mm，下盖基板的宽度为2.5±0.1mm，下盖基板的厚度为0.38±0.08mm。
3.根据权利要求1所述的LED陶瓷复合封装基板，其特征在于：所述上盖基板的厚度为0.45±0.05mm。
4.根据权利要求1所述的LED陶瓷复合封装基板，其特征在于：所述封装腔体形状为矩形或多边形，所述上盖基板本体的形状与下盖基板形状一致。
5.根据权利要求1所述的LED陶瓷复合封装基板，其特征在于：所述固晶区为银丝涂层，所述银丝涂层设有四个。
6.根据权利要求1所述的LED陶瓷复合封装基板，其特征在于：粘结剂为银浆、无机玻璃浆料或有机胶水。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN108172676A (zh) * | 2018-01-25 | 2018-06-15 | 研创光电科技（赣州）有限公司 | 一种led陶瓷复合封装基板及其生产工艺 |
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