CN106129066A - 一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法，通过在基底与第一信号线之间设置具有导电性能的第一连接层，由于第一连接层具有导电性能，即使当第一信号线区域对应的位置过孔刻蚀时第一信号线发生过刻断线，第一连接层与第一信号线也能够电连接，起到与第一信号线相同的作用，以保证电连接，实现电压的传输，从而对第一信号线起到保护作用，解决第一信号线过刻带来的线不良的问题，提高显示效果。此外，由于第一连接层具有一定的厚度，因此，刻蚀工艺条件可以相对放宽，并可以适当减小第一信号线的厚度，从而降低工艺要求，更易于实现。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法。
背景技术
在TFT LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示面板)的制作过程中，通常采用6次构图工艺。如图1所示，现有的阵列基板的周边区域包括：基底1、第一信号线2、绝缘层3、第二信号线4和保护层5，第二信号线4形成在基底1上，绝缘层3形成在基底1和第二信号线4上，第一信号线2形成在绝缘层3上，保护层5形成在绝缘层3和第一信号线2上。为了提升良率和产能，如图1所示，不单独通过构图工艺在栅绝缘层3上形成过孔，而是同时在第二信号线4所在位置对应的保护层5上刻蚀形成第二过孔6，以及在第一信号线2所在位置对应的保护层5和绝缘层3上刻蚀形成第一过孔7。为了保证第二过孔6可以刻蚀到第二信号线4，第一信号线2必须过刻。
然而，第一信号线2被过刻后，其表面变得粗糙，抗腐蚀能力差，在后续的清洗、掩膜、刻蚀、去膜、对盒等工艺过程中，容易残留液体，将第一信号线2腐蚀断，从而产生线不良，在显示时出现暗线或亮线的现象。由于工艺波动，第一信号线2的厚度不均，腐蚀通常发生在第一信号线2厚度较薄的区域。而工艺改善难度很大，特别是线不良具有进行性，很难及时检测，由此增大品质风险。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述不足，提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法，用以至少部分解决信号线过刻带来的线不良，显示效果差的问题。
本发明为解决上述技术问题，采用如下技术方案：
本发明提供一种阵列基板，包括基底，还包括形成在所述基底上第一信号线区域的第一连接层和第一信号线，所述第一连接层位于所述第一信号线与基底之间，且具有导电性能。
进一步的，所述阵列基板还包括形成在所述基底上第二信号线区域的第二信号线和形成在所述基底和第二信号线上的绝缘层；
所述第一连接层和第一信号线形成在所述绝缘层上，所述第一连接层位于所述第一信号线与绝缘层之间。
进一步的，所述阵列基板还包括形成在所述绝缘层和第一信号线上的保护层；
所述保护层中与所述第一信号线区域相对应的位置形成有贯穿所述保护层的第一过孔，所述保护层和绝缘层中与所述第二信号线区域相对应的位置形成有贯穿所述保护层和绝缘层的第二过孔。
进一步的，所述阵列基板还包括形成在所述保护层上与所述第一信号线区域相对应位置的第二连接层。
优选的，所述第一连接层和/或第二连接层的材料为氧化铟锡。
优选的，所述第一连接层的形状与所述第一信号线的形状相同。
本发明还提供一种显示面板，包括如前所述的阵列基板。
本发明还提供一种阵列基板制备方法，所述方法包括：
通过构图工艺在基底上的第一信号线区域形成包括第一连接层和第一信号线的图形；其中，所述第一连接层位于所述第一信号线与基底之间，且具有导电性能。
进一步的，所述通过构图工艺在基底上的第一信号线区域形成包括第一连接层和第一信号线的图形之前，所述方法还包括：
通过构图工艺在基底上的第二信号线区域形成包括第二信号线的图形；
形成绝缘层；
所述通过构图工艺在基底上的第一信号线区域形成包括第一连接层和第一信号线的图形，具体包括：
通过构图工艺在所述绝缘层上与所述第一信号线区域相对应的位置形成包括第一连接层和第一信号线的图形，其中，所述第一连接层位于所述第一信号线与绝缘层之间。
进一步的，所述通过构图工艺在所述绝缘层上与所述第一信号线区域相对应的位置形成包括第一连接层和第一信号线的图形之后，还包括：
形成保护层；
通过构图工艺在所述第一信号线区域相对应的位置形成贯穿所述保护层的第一过孔，并在所述第二信号线区域相对应的位置形成贯穿所述保护层和绝缘层的第二过孔。
进一步的，所述通过构图工艺在所述第一信号线区域相对应的位置形成贯穿所述保护层的第一过孔，并在所述第二信号线区域相对应的位置形成贯穿所述保护层和绝缘层的第二过孔之后，还包括：
通过构图工艺在所述保护层上与所述第一信号线区域相对应位置形成第二连接层。
优选的，所述第一连接层和/或第二连接层的材料为氧化铟锡。
优选的，所述通过构图工艺在所述绝缘层上与所述第一信号线区域相对应的位置形成包括第一连接层和第一信号线的图形，具体包括：
在所述绝缘层上与所述第一信号线区域相对应的位置依次沉积第一导电薄膜和第二导电薄膜，并通过一次构图工艺形成包括第一连接层和第一信号线的图形。
优选的，所述通过一次构图工艺形成包括第一连接层和第一信号线的图形，具体包括：
在所述第二导电薄膜上涂覆光刻胶；
对完成上述步骤的基底采用掩膜板进行曝光、显影、刻蚀，在所述绝缘层上与所述第一信号线区域相对应的位置形成包括第一连接层和第一信号线的图形。
本发明能够实现以下有益效果：
本发明通过在基底与第一信号线之间设置具有导电性能的第一连接层，由于第一连接层具有导电性能，即使当第一信号线区域对应的位置过孔刻蚀时第一信号线发生过刻断线，第一连接层与第一信号线也能够电连接，起到与第一信号线相同的作用，以保证电连接，实现电压的传输，从而对第一信号线起到保护作用，解决第一信号线过刻带来的线不良的问题，提高显示效果。此外，由于第一连接层具有一定的厚度，因此，刻蚀工艺条件可以相对放宽，并可以适当减小第一信号线的厚度，从而降低工艺要求，更易于实现。
附图说明
图1为现有阵列基板的制备流程图；
图2为本发明实施例的阵列基板周边区域的结构示意图；
图3为本发明实施例的阵列基板的制备流程图。
图例说明：
1、基底 2、第一信号线 3、绝缘层 4、第二信号线
5、保护层 6、第二过孔 7、第一过孔 8、第一连接层
9、第二连接层
具体实施方式
下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下结合图2，详细说明本发明的阵列基板的结构。
如图2示，本发明提供一种阵列基板，包括基底1，还包括形成在基底1上第一信号线区域的第一连接层8和第一信号线2，第一连接层8位于第一信号线2与基底1之间，且具有导电性能。
本发明通过在基底与第一信号线之间设置具有导电性能的第一连接层，即使当第一信号线区域对应的位置过孔刻蚀时第一信号线发生过刻断线，第一连接层与第一信号线也能够电连接，起到与第一信号线相同的作用，以保证电连接，实现电压的传输，从而对第一信号线起到保护作用，解决第一信号线过刻带来的线不良的问题，提高显示效果。此外，由于第一连接层具有一定的厚度，因此，第一信号线的厚度可以适当减小，刻蚀工艺条件可以相对放宽，即刻蚀时间和功率适当减小，气体的压力和配比等参数范围适当扩大，从而降低工艺要求，更易于实现。
优选的，第一连接层8的材料可以为氧化铟锡(ITO)，ITO化学性质不活泼，导电性强，且抗干刻能力强。
需要说明的是，所述阵列基板还可以包括第二信号线4和绝缘层3，第二信号线4形成在基底上的第二信号线区域，绝缘层3形成在基底1和第二信号线4上。相应的，第一连接层8和第一信号线2形成在绝缘层3上，第一连接层8位于第一信号线2与绝缘层3之间，即第一连接层8位于第一信号线2的下方(邻近基底1)，从而对第一信号线起到过刻保护的作用。
优选的，第一信号线2可以为数据线(SD)，第二信号线4可以为栅线，绝缘层3可以为栅绝缘层。保证SD在过孔刻蚀时，增加了ITO layer对其保护，从而解决了过孔处SDlayer被腐蚀断，产生线不良。
进一步的，所述阵列基板还包括保护层5，保护层5形成在绝缘层3和第一信号线2上。保护层5中与第一信号线区域相对应的位置形成有第一过孔7，第一过孔7贯穿保护层5，用于与第一信号线2连接，以便向第一信号线2引入信号。保护层5和绝缘层3中与第二信号线区域相对应的位置形成有第二过孔6，第二过孔6贯穿保护层5和绝缘层3，用于与第二信号线4连接，以便向第二信号线4引入信号。
需要说明的是，第一过孔7与第二过孔6通过一次构图工艺同时形成，且第一过孔7与第二过孔6的深度相同。这样，无需单独通过构图工艺在绝缘层3上形成过孔，简化制备工艺。
需要说明的是，第一连接层8的宽度大于或等于第一信号线2在第一过孔7处的宽度，这样，即使第一信号线2发生过刻，也能够保证第一连接层8与第一信号线2有效连接，避免线不良的发生，提高显示效果。
优选的，第一连接层8的形状与第一信号线2的形状相同，这样，一方面，第一连接层8与第一信号线2可以采用相同的掩膜板制备，从而降低生产成本；另一方面，第一连接层8可以有效对第一信号线2进行过刻保护。
需要说明的是，第一连接层8和第一信号线2的形状不限，可以是方形、圆形等任何形状，只要能够起到保护第一信号线2的作用即可。
进一步的，所述阵列基板还可以包括第二连接层9，第二连接层9形成在保护层5上与第一信号线区域相对应的位置，从而能够通过第一过孔7与第一连接层8连接，从而实现向第一信号线2引入信号。
优选的，第二连接层9的材料可以为氧化铟锡(ITO)。
当第一信号线2不发生过刻腐蚀时，第二连接层9与第一信号线2之间的电阻最小，当第一信号线2发生过刻腐蚀时，第二连接层9与第一信号线2之间的电阻增大，导致传输效率降低。本发明通过在第一信号线2的下方设置具有导电性能的第一连接层8，能够在第一信号线2发生过刻腐蚀时有效降低第二连接层9与第一信号线2之间的电阻，保证传输效率。
本发明的另一实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括如前所述的阵列基板。
通过在基底与第一信号线之间设置具有导电性能的第一连接层，即使当第一信号线区域对应的位置过孔刻蚀时第一信号线发生过刻断线的情况，第一连接层与第一信号线也能够电连接，起到与第一信号线相同的作用，以保证电连接，实现电压的传输，从而对第一信号线起到保护作用，解决第一信号线过刻带来的线不良的问题，提高显示效果。此外，由于第一连接层具有一定的厚度，因此，刻蚀工艺条件可以相对放宽，并可以适当减小第一信号线的厚度，从而降低工艺要求，更易于实现。
本发明的另一实施例还提供一种阵列基板制备方法，如图3所示，所述方法包括以下步骤：
步骤11，通过构图工艺在基底上的第一信号线区域形成包括第一连接层和第一信号线的图形。
具体的，第一连接层8位于第一信号线2与基底1之间，且具有导电性能，以便起到保护第一信号线2保护的作用。
优选的，第一连接层8的材料为氧化铟锡。
通过在基底与第一信号线之间设置具有导电性能的第一连接层，即使当第一信号线区域对应的位置过孔刻蚀时第一信号线发生过刻断线，第一连接层与第一信号线也能够电连接，起到与第一信号线相同的作用，以保证电连接，实现电压的传输，从而对第一信号线起到保护作用，解决第一信号线过刻带来的线不良的问题，提高显示效果。此外，由于第一连接层具有一定的厚度，因此，第一信号线的厚度可以适当减小，刻蚀工艺条件可以相对放宽，即刻蚀时间和功率适当减小，气体的压力和配比等参数范围适当扩大，从而降低工艺要求，更易于实现。
需要说明的是，基底1上还形成有第二信号线4和绝缘层3，第一连接层8和第一信号线形成在绝缘层3上，因此，在步骤11之前还包括以下步骤：
步骤10，通过构图工艺在基底上的第二信号线区域形成包括第二信号线的图形。
具体的，在基底1上与第二信号线区域相对应的位置沉积第三导电薄膜，在基底1上涂覆光刻胶，并对完成上述步骤的基底1采用掩膜板进行曝光、显影、刻蚀，在基底1上与第二信号线区域相对应的位置形成包括第二信号线4的图形。
第二信号线可以为栅线，第三导电薄膜可以为金属薄膜，其材料可以采用铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、钕(Nd)中的一种，也可以采用上述金属的合金。可以通过采用溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积第三导电薄膜。
步骤10’，形成绝缘层。
具体的，在基底1和第二信号线4上形成绝缘层3。形成绝缘层3可采用等离子体增强化学气相沉积等方法，绝缘层3的材料可选用硅的氧化物(如SiOx)或者硅的氮化物(如SiNx)等，也可以是两者的组合。
所述通过构图工艺在基底上的第一信号线区域形成包括第一连接层和第一信号线的图形(即步骤11)，具体包括：
通过构图工艺在绝缘层3上与第一信号线区域相对应的位置形成包括第一连接层8和第一信号线2的图形，其中，第一连接层8位于第一信号线2与绝缘层3之间。
进一步的，在通过构图工艺在所述绝缘层上与所述第一信号线区域相对应的位置形成包括第一连接层和第一信号线的图形(即步骤11)之后，所述方法还包括以下步骤：
步骤12，形成保护层。
具体的，在绝缘层3和第一信号线2上形成保护层5。
步骤13，通过构图工艺在所述第一信号线区域相对应的位置形成贯穿所述保护层的第一过孔，并在所述第二信号线区域相对应的位置形成贯穿所述保护层和绝缘层的第二过孔。
具体的，为了提升产品良率和产能，节省工序，同时在第一信号线区域对应的位置刻蚀形成贯穿保护层5的第一过孔7，以及在第二信号线区域相对应的位置形成贯穿保护层5和绝缘层3的第二过孔6。
进一步的，在步骤13之后，所述方法还包括：
步骤14，通过构图工艺在所述保护层上与所述第一信号线区域相对应位置形成第二连接层。
具体的，在保护层5上与第一信号线区域相对应的位置沉积第四导电薄膜，在第四导电薄膜上涂覆光刻胶，并对完成上述步骤的基底1采用掩膜板进行曝光、显影、刻蚀，在保护层5上与第一信号线区域相对应的位置形成包括第二连接层9的图形。
优选的，第二连接层9的材料可以为氧化铟锡，即第四导电薄膜的材料为氧化铟锡。
需要说明的是，为了节省工艺流程，降低制备成本，第一连接层8的形状可以与第一信号线2的形状相同，这样，第一连接层8与第一信号线2可以在一次工序中完成。
具体的，所述通过构图工艺在所述绝缘层上与所述第一信号线区域相对应的位置形成包括第一连接层和第一信号线的图形，具体包括：
在绝缘层3上与第一信号线区域相对应的位置依次沉积第一导电薄膜和第二导电薄膜，并通过一次构图工艺形成包括第一连接层8和第一信号线2的图形。
第一导电薄膜用于形成第一连接层8，第一导电薄膜的材料为氧化铟锡。优选的，第二导电薄膜的材料可以与第三导电薄膜的材料相同，第二导电薄膜和第三导电薄膜可以均为金属薄膜，例如，可以采用铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、钕(Nd)中的一种，也可以采用上述金属的合金。可以通过采用溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积第二导电薄膜。
其中，所述通过一次构图工艺形成包括第一连接层8和第一信号线2的图形，具体包括：
在第二导电薄膜上涂覆光刻胶，对完成上述步骤的基底1采用掩膜板进行曝光、显影、刻蚀，在绝缘层3上与第一信号线区域相对应的位置形成包括第一连接层8和第一信号线2的图形。
由此可以看出，本发明在形成包括第一连接层8和第一信号线2的图形的过程中，采用同一张掩膜板进行曝光、显影、刻蚀，从而形成包括第一连接层8和第一信号线2的图形，不但可以使第一连接层8和第一信号线2准确对位，还节省了掩膜板，进一步降低生产成本。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (14)
1.一种阵列基板，包括基底，其特征在于，还包括形成在所述基底上第一信号线区域的第一连接层和第一信号线，所述第一连接层位于所述第一信号线与基底之间，且具有导电性能。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括形成在所述基底上第二信号线区域的第二信号线和形成在所述基底和第二信号线上的绝缘层；
所述第一连接层和第一信号线形成在所述绝缘层上，所述第一连接层位于所述第一信号线与绝缘层之间。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括形成在所述绝缘层和第一信号线上的保护层；
所述保护层中与所述第一信号线区域相对应的位置形成有贯穿所述保护层的第一过孔，所述保护层和绝缘层中与所述第二信号线区域相对应的位置形成有贯穿所述保护层和绝缘层的第二过孔。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括形成在所述保护层上与所述第一信号线区域相对应位置的第二连接层。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接层和/或第二连接层的材料为氧化铟锡。
6.如权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接层的形状与所述第一信号线的形状相同。
7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
8.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：
通过构图工艺在基底上的第一信号线区域形成包括第一连接层和第一信号线的图形；其中，所述第一连接层位于所述第一信号线与基底之间，且具有导电性能。
9.如权利要求8所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺在基底上的第一信号线区域形成包括第一连接层和第一信号线的图形之前，所述方法还包括：
通过构图工艺在基底上的第二信号线区域形成包括第二信号线的图形；
形成绝缘层；
所述通过构图工艺在基底上的第一信号线区域形成包括第一连接层和第一信号线的图形，具体包括：
通过构图工艺在所述绝缘层上与所述第一信号线区域相对应的位置形成包括第一连接层和第一信号线的图形，其中，所述第一连接层位于所述第一信号线与绝缘层之间。
10.如权利要求9所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺在所述绝缘层上与所述第一信号线区域相对应的位置形成包括第一连接层和第一信号线的图形之后，还包括：
形成保护层；
通过构图工艺在所述第一信号线区域相对应的位置形成贯穿所述保护层的第一过孔，并在所述第二信号线区域相对应的位置形成贯穿所述保护层和绝缘层的第二过孔。
11.如权利要求10所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺在所述第一信号线区域相对应的位置形成贯穿所述保护层的第一过孔，并在所述第二信号线区域相对应的位置形成贯穿所述保护层和绝缘层的第二过孔之后，还包括：
通过构图工艺在所述保护层上与所述第一信号线区域相对应位置形成第二连接层。
12.如权利要求11所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述第一连接层和/或第二连接层的材料为氧化铟锡。
13.如权利要求9-12任一项所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺在所述绝缘层上与所述第一信号线区域相对应的位置形成包括第一连接层和第一信号线的图形，具体包括：
在所述绝缘层上与所述第一信号线区域相对应的位置依次沉积第一导电薄膜和第二导电薄膜，并通过一次构图工艺形成包括第一连接层和第一信号线的图形。
14.如权利要求13所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成包括第一连接层和第一信号线的图形，具体包括：
在所述第二导电薄膜上涂覆光刻胶；
对完成上述步骤的基底采用掩膜板进行曝光、显影、刻蚀，在所述绝缘层上与所述第一信号线区域相对应的位置形成包括第一连接层和第一信号线的图形。
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