CN101359139B - 液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents

液晶显示面板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101359139B
CN101359139B CN2008101312503A CN200810131250A CN101359139B CN 101359139 B CN101359139 B CN 101359139B CN 2008101312503 A CN2008101312503 A CN 2008101312503A CN 200810131250 A CN200810131250 A CN 200810131250A CN 101359139 B CN101359139 B CN 101359139B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mounting terminal
film
distribution
dielectric film
display panels
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008101312503A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101359139A (zh
Inventor
金子英树
堀口正宽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN101359139A publication Critical patent/CN101359139A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101359139B publication Critical patent/CN101359139B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种提高安装端子部可靠性的，在平面膜上配置有上电极及下电极的FFS型液晶显示面板。其特征在于，安装端子部(33A)包括：栅极绝缘膜(14)和钝化膜(17)，其覆盖安装端子用配线(34)的表面；接触孔(36a)，贯穿栅极绝缘膜(14)和钝化膜(17)；第1透明导电膜(38)，与安装端子用配线(34)电性连接；绝缘膜(23)，其在第1透明导电膜(38)的中央部形成有直径小于接触孔(36a)的开口(36b)；安装端子，由与第1透明导电膜(38)电性连接的第2透明导电膜(41)构成；第1透明导电膜(38)和第2透明导电膜(41)分别与FFS型液晶显示面板的下电极和上电极为相同材质，绝缘膜(23)与配置于下电极和上电极之间的绝缘膜为相同材质。

Description

液晶显示面板及其制造方法
技术区域
本发明涉及一种液晶显示面板及其制造方法。该液晶显示面板为向其安装端子部上安装各种部件时不会发生因断线或腐蚀引起的电路阻抗增大等问题，并且在平面膜上配置有像素电极(pixel electrode)及通用电极(common electrode)的FFS(Fringe Field Switching)型液晶显示面板。
背景技术
液晶显示面板大多采用，具有在表面上形成有电极等的一对透明基板和被该一对基板所夹持的液晶层，通过向两个基板上的电极施加电压而使液晶进行重排列，进而显示各种各样的信息的纵向电场方式。此类纵向电场方式的液晶显示面板中，较常见的是TN(TwistedNematic)型。但是，由于其存在视角狭窄的问题，还研发了VA(VerticalAlignment)型或MVA(Multi-domain Vertical Alignment)型等各种经过改良的纵向电场方式液晶显示面板。
另一方面，也有与上述纵向电场方式液晶显示面板不同，只在一侧基板上具备由像素电极和通用电极构成的一对电极的，也被称为横向电场方式液晶显示面板的IPS(In-Plane Switching)型或FFS型液晶显示面板。
其中，IPS型液晶显示面板是将一对电极配置在同一层，将施加于液晶的电场方向控制成大致与基板平行的方向，使液晶分子在与基板平行的方向上进行重排列。因此，该IPS型液晶显示面板与上述的纵向电场方式液晶显示面板相比较，具有视角非常宽的优点。但是，IPS型液晶显示面板为了向液晶施加电场而将一对电极设置在同一层，所以无法充分驱动位于像素电极上侧的液晶分子，具有导致透光率等的下降的问题。
为了解决IPS型液晶显示面板的此类问题，研发了FFS型液晶显示面板(参照下述专利文献1和2)。该FFS型液晶显示面板中，将用于向液晶施加电场的像素电极和通用电极，隔着绝缘膜而分别配置在不同层。该FFS型液晶显示面板的特征为，与IPS型液晶显示面板相比，视角更宽且对比度更高，并且能够低电压驱动的同时还具有高透光率，所以可实现明亮的显示效果。而且，由于FFS型液晶显示面板与IPS型液晶显示面板相比，在俯视时像素电极和通用电极之间的重叠面积较大，因此会随之产生更大保持容量，具有无需另行设置辅助容量线的优点。
在此，参照图8，对形成于现有液晶显示面板边缘部的安装端子部的构成进行说明。
图8(A)为表示现有制品示例的低位配线(lower wiring)的安装端子部的剖面图，图8(B)为表示现有制品示例的高位配线(upperwiring)的安装端子部的剖面图。
安装端子部的制作是与液晶显示面板的阵列(array)基板中的扫描线或信号线的制作同时进行。因此，安装端子部包括，如图8(A)所示，连接于透明基板51上同扫描线和栅极的制作同时制作的低位配线52的，以及如图8(B)所示，连接于覆盖透明基板51表面的栅极绝缘膜53上与信号线同时形成的高位配线54的两种。该高位配线54及栅极绝缘膜53的表面被钝化膜(也称为保护绝缘膜)55覆盖。
并且，如图8(A)所示，低位配线52用的安装端子56，通过形成为同时贯穿钝化膜55和栅极绝缘膜53的接触孔57，在像素电极形成的同时，由透明导电材料所形成。同样，如图8(B)所示，高位配线54用的安装端子58，通过形成为贯穿钝化膜55的接触孔59，在像素电极形成的同时，由透明导电材料所形成。因此，低位配线52和高位配线54在使用照相平版法形成接触孔57及59时，一度被暴露于蚀刻环境中。如此形成的低位配线52用安装端子56及高位配线54用安装端子58，分别被设置成比低位配线52和高位配线54更高的位置上，并且比低位配线52和高位配线54更宽，从而使与这些安装端子56及58连接的各种连接部件之间的电接触良好。
专利文献1日本特开2001-235763号公报
专利文献2日本特开2002-182230号公报
但是，由于现有的FFS型液晶显示面板，在TFT(薄膜晶体管)等开关元件和通用配线(common line)重叠的像素电极表面形成有段差(step)，所以在该段差的部分上，液晶分子的取向发生混乱。因此，现有的FFS型液晶显示面板中，所述段差部分实际上成为未贡献于显示的区域，因而在彩色滤光片基板中由黑矩阵遮光，导致了与该段差相应的孔径比的下降。
为了消除这种段差，可以考虑使用在上述VA方式或MVA方式的液晶显示面板中所使用的平面膜(planar film)，在该平面膜上配置像素电极和通用电极的方案。但是，对FFS型液晶显示面板采用这类构成的话，在平面膜上像素电极和通用电极分别隔着绝缘膜被配置于不同层上，所以在边缘部上形成安装端子部时，在低位配线或高位配线的表面上所形成的绝缘膜将会多出一层。此时，使用照相平版法形成像素部的接触孔的同时，形成用于露出安装部的低位配线或高位配线的接触孔的工序如下。即，在层压于安装端子部的接触孔形成位置上的栅极绝缘膜(氮化膜)和保护膜(氮化膜)上形成开口部，并在层压于除安装端子部之外的部分上的平面膜上，形成了通用电极之后，将绝缘膜层压在所有的面上，并且在安装端子部的接触孔形成位置上，再次形成开口部并使其贯穿至电位配线。而且，在像素部上形成像素电极的同时，在安装端子部的接触孔处形成与通用电极相同材料的电极。但是，应用此方法时，将会使低位配线或高位配线被暴露于蚀刻环境中两次。
由于低位配线和高位配线是由铝、铝合金等具有良好导电性且易腐蚀的金属所构成，因此若被暴露于绝缘膜的蚀刻环境中两次，则会导致损伤加大，安装时可能会发生因断线或腐蚀而引起的配线电阻增大等问题。
因此，采取了以下工艺：进行像素电极的接触孔开口时，在安装端子部的接触孔配置位置的栅极绝缘膜(氮化膜)和保护膜(氮化膜)上不设置开口，在介于像素电极和通用电极之间的绝缘膜被形成之后，通过对安装端子部的接触孔进行整体的蚀刻，从而使各电极配线不被暴露于蚀刻环境。但是，该工艺中存在如下问题：由于栅极绝缘膜、保护膜与绝缘膜的膜质不同，因此蚀刻率不同，绝缘膜会变成倒锥形，从而在各氮化膜之间产生段差，当用上电极覆盖接触部时，会发生断开(step disconnection)，从而变成非接触状态。
发明内容
本发明是为了至少解决上述问题的一部分而进行的，其可以用下述的形态或应用例来实现。
【应用例1】本应用例的液晶显示面板为，具有在显示区域的边缘部形成有安装端子部的阵列基板的液晶显示面板，其特征在于，所述显示区域包括：多个扫描线和信号线，其分别形成为矩阵状；下电极和具有多个槽(slit)的上电极，其被形成于平面膜上，隔着绝缘膜相面对地配置在每个被所述扫描线和所述信号线所包围的区域，并且分别由透明导电材料构成，所述安装端子部包括：第1绝缘膜，其覆盖安装端子用配线的表面；接触孔，其被形成为贯穿所述安装端子用配线上的所述第1绝缘膜；第1导电膜，其至少覆盖所述接触孔底部的一部分，并与所述安装端子用配线电性连接；第2绝缘膜，其被设置在所述第1绝缘膜表面，且具有在俯视时至少与所述接触孔局部重叠的开口；第2导电膜，其覆盖所述接触孔周围的所述第2绝缘膜的表面，并且，所述第1导电膜和所述第2导电膜在上述开口处形成电性连接。
根据上述结构，则显示区域具备：多个扫描线和信号线，其各自被形成为矩阵状；下电极和具有多个槽的上电极，其被形成于平面膜上，隔着绝缘膜相面对地配置在每个被所述扫描线和所述信号线所包围的区域，并且分别由透明导电材料构成。通过所述构成，可将液晶显示面板作为FFS型液晶显示面板驱动。
而且，在液晶显示面板中，由于通过绝缘膜被方向相对地配置的，分别由透明导电材料构成的下电极和具有多个槽的上电极被形成在平面膜上，所以，在下电极和上电极上，不会产生因开关元件和通用配线等引起的段差。因此，通过液晶显示面板，另一侧基板与上电极之间的间隔，即网格间隙(Cell gap)为均等，并且，由于在显示区域内，需要用黑矩阵进行遮光的区域的面积减少，因此孔径比变大。所以，通过液晶显示面板能够实现明亮的显示，可获得显示画质优良的FFS型液晶显示面板。在FFS型液晶显示面板中，上电极和下电极的任何一个都能够作为像素电极或通用电极发挥作用。即，上电极和下电极中，连接于开关元件的一方成为像素电极，连接于通用配线的一方则成为通用电极。
并且，在液晶显示面板中，安装端子部的安装端子用配线的表面被第1导电膜覆盖。因此，使用照相平版法在第2绝缘膜的中央部附近形成开口时，安装端子用配线的表面不会被暴露，因而安装端子用配线的损伤会变少。因此，通过该液晶显示面板，向安装端子部安装规定的部件时，不会产生因断线或腐蚀而引起的配线电阻增大等的问题，从而能够获得安装部可靠性较高的FFS型液晶显示面板。
【应用例2】在上述应用例的液晶显示面板中，所述第2绝缘膜优选为，覆盖所述接触孔的内周面和边缘部表面，并且在所述接触孔的中央部附近，具有其直径小于所述接触孔直径的开口。
根据该结构，第2绝缘膜被形成至接触孔的内周。因此，即使第2绝缘膜在蚀刻环境中被急剧地蚀刻而被侵蚀至接触孔的壁，由于第2绝缘膜所覆盖的表面的面积较广，所以也不会被侵蚀到成为安装端子部的安装部的接触孔边缘部，从而能够维持安装部的高度。由此，各安装端子部上不易发生高度的不均，能够抑制非接触部分的产生。
【应用例3】在上述应用例的液晶显示面板中，所述第2绝缘膜优选形成在所述接触孔的边缘部。
根据该结构，第2绝缘膜不会被形成到接触孔的底部(bottom)，而是被设置在接触孔的边缘部，因此，第1导电膜和第2导电膜之间的接触面积变广。由此，各安装端子部成为低电阻化，能够提供稳定的电压。
【应用例4】在上述应用例的液晶显示面板中，所述第1导电膜优选与安装端子用配线电性连接，并形成为覆盖所述接触孔的底部(bottom)。
根据该结构，第1导电膜被形成为覆盖接触孔的底部(底部：安装端子用配线的表面)，因此可以使安装端子用配线不会被暴露于蚀刻环境中。所以，能够更有效地保护安装端子用配线。
【应用例5】在上述应用例的液晶显示面板中，所述第1导电膜优选为，与所述实际安装端子用配线电性连接，并形成在所述安装端子用配线表面的部分区域上。
根据该结构，第1导电膜与安装端子用配线电性连接的同时，形成在所述安装端子用配线表面的部分区域上，所以，在该形成区域中，即使由于蚀刻环境，使露出面受到一定程度的破坏，也能够保护安装端子用配线。
【应用例6】在上述应用例的液晶显示面板中，所述第1导电膜和所述第2导电膜优选为，分别与所述下电极和所述上电极采用相同的材质，所述第2绝缘膜与配置于所述下电极和所述上电极之间的所述绝缘膜采用相同的材质。
根据这种结构，由于能够在形成显示区域的同时形成安装端子部，所以能够在不增加工序的情况下形成显示区域和安装端子部。其中，所谓“相同的材质”，除了包含各自以相同的材料形成的情况之外，还意味着例如一方为多层构造时，另一方也具备同样的多层构造。
另外，作为下电极和上电极，可以使用ITO(Indium Tin Oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)等透明导电材料。此时，下电极和上电极可以是同样的组分，也可以是不同的组分。另外，作为平面膜，只要是表面至少具有平坦性的透明有机绝缘性膜就可以使用，例如可以使用丙稀树脂、聚酰亚胺树脂等透明树脂。并且，作为各种绝缘膜可以使用氧化硅、氮化硅等无机绝缘膜。
【应用例7】在上述应用例的液晶显示面板中，所述安装端子用配线优选为，由与所述显示区域的所述扫描线同材质的金属材料所形成，所述第1绝缘膜优选为由复层膜形成，且该复层膜与覆盖在所述显示区域的所述扫描线上的栅极绝缘膜及覆盖在所述信号线上的钝化膜采用相同的材质。
根据该结构，显示区域的扫描线通常作为低位配线直接形成在透明基板上，所以与该扫描线同时形成的安装端子用配线表面被栅极绝缘膜和钝化膜两者所覆盖，因此，该栅极绝缘膜和钝化膜这二者成为第1绝缘膜。根据该形态的液晶显示面板，即使安装端子用配线为直接形成在基板上的低位配线，也能获得具有上述发明效果的液晶显示面板。然而，虽然在上述的结构中，将栅极绝缘膜和钝化膜两者作为了第1绝缘膜，但是，形成于安装端子用配线上的绝缘膜无论是一层还是两层，都相当于第1绝缘膜。
【应用例8】在上述应用例的液晶显示面板中，所述安装端子用配线优选为，由与所述显示区域的所述信号线相同的金属材料形成，所述第1绝缘膜优选为，由与覆盖在所述显示区域的所述信号线上的钝化膜相同材质的膜形成。
根据该结构，显示区域的信号线通常作为高位配线形成在栅极绝缘膜表面上，所以与该信号线同时被形成的安装端子用配线的表面被钝化膜所覆盖，因此，该钝化膜成为第1绝缘膜。根据所述形态的液晶显示面板，即使在安装端子用配线为栅极绝缘膜表面上的高位配线的情况下，也能得到具有上述发明效果的液晶显示面板。
【应用例9】在上述应用例的液晶显示面板中，可以采用在所述显示区域的所述平面膜和所述下电极之间，部分形成有反射板的结构。
根据本形态的液晶显示面板，在平面膜和下电极之间被部分形成为反射板的部位，作为反射部发挥作用，而其余部分作为透光部发挥作用，因此，能获得FFS型的半透光型液晶显示面板。
【应用例10】本应用例中的液晶显示面板制造方法为，一种具有显示区域和安装端子部的液晶显示面板的制造方法，所述显示区域包括：多个扫描线和信号线，其分别形成为矩阵状；显示区域，包括下电极和具有多个槽(slit)的上电极，其被形成于平面膜上，隔着绝缘膜相对地配置在每个被所述扫描线和所述信号线包围的区域，并且分别由透明导电材料构成；并且，所述实际安装端子部，被形成于所述显示区域的周围。本液晶显示面板制造方法的特征在于，所述安装端子部是通过以下的(1)～(7)的工序而进行制造的。(1)在基板表面的安装端子形成位置上，形成与所述扫描线或所述信号线相同材质的具有规定图形的安装端子用配线的工序；(2)用第1绝缘膜覆盖所述安装端子用配线的工序；(3)形成贯穿所述安装端子用配线上的所述第1绝缘膜的接触孔的工序；(4)以至少覆盖所述接触孔底部(bottom)的一部分，且能与所述安装端子用配线电性连接的方式，形成与所述下电极相同材质的第1导电膜的工序；(5)在所述第1绝缘膜的表面，形成与配置于所述显示区域的所述下电极和所上电极之间的绝缘膜相同组分的第2绝缘膜的工序；(6)在所述第2绝缘膜上，形成在俯视时至少与接触孔局部重叠的开口的工序；(7)形成安装端子的工序，该安装端子由覆盖所述接触孔周围的所述第2绝缘膜表面并且在所述开口处与所述第1导电膜被电性连接的，采用与所述上电极相同材质的第2导电膜所构成。
根据本形态的液晶显示面板的制造方法，能够制造出易于达成上述发明效果的液晶显示面板。
附图说明
图1为透视实施例1的FFS型液晶显示面板的彩色滤光片基板时，阵列基板的1像素的模式俯视图。
图2为沿图1中II-II线的剖视图。
图3为实施例1的液晶显示面板低位配线的端子部的模式剖视图。
图4为实施例1的液晶显示面板高位配线的端子部的模式剖视图。
图5为透视实施例2的FFS型半透光型液晶显示面板的彩色滤光片基板时，阵列基板的1像素的模式俯视图。
图6为沿图5中的VI-VI线的剖视图。
图7为端子部改变例的模式剖视图。
图8(A)为现有技术的低位配线安装端子部剖面的示意图，图8(B)为现有技术的高位配线安装端子部剖面的示意图。
【符号说明】
10A、10B：液晶显示面板              11：透明基板
12：扫描线        13：通用配线      14：栅极绝缘膜
15：半导体层      16：信号线        17：钝化膜
18：平面膜        19：反射板        20：反射部
21、24：接触孔    22：下电极        23：绝缘膜
25：槽            26：上电极        27：第2透明基板
28：黑矩阵        29：彩色滤光层    30：保护层
31：液晶          33A：低位配线用安装端子部
33B：高位配线用安装端子部           34、35：安装端子用配线
36a、37a：接触孔                    36b、37b：开口
38、39：第1透明导电膜               41、42：第2透明导电膜
具体实施方式
下面，参照附图，以各种实施例为例对本发明的最优选的实施方式进行说明。在下面所示的实施例中，作为将本发明的技术思想具体化了的液晶显示面板，例示了FFS型液晶显示面板，但是并不意味着本发明仅特定于该FFS型液晶显示面板，同样也适应于所有包含于权利要求所请求的保护范围内的其它实施方式。
图1为透视了实施例1的FFS型液晶显示面板10A的彩色滤光片基板时，阵列基板的1像素的俯视模式图。图2为沿图1中的II-II线的剖视图。图3为实施例1的液晶显示面板低位配线的端子部的模式剖视图。图4为实施例1的液晶显示面板高位配线的端子部的模式剖视图。图5为透视了实施例2的FFS型半透光型液晶显示面板的彩色滤光片基板时，阵列基板的1像素的俯视模式图。图6为沿图5中的VI-VI线的剖视图。
实施例1
作为实施例1的FFS型液晶显示面板，以具有平面膜的FFS型液晶显示面板10A为例，按照其制造工序的顺序，使用图1～图4对其进行说明。在制造该液晶显示面板10A的阵列基板AR时，最先在如玻璃基板等透明基板11的表面整体，形成由例如铝或铝合金所构成的导电层。其后，使用公知的照相平板法和蚀刻法，在显示区域上相互平行地形成多个扫描线12和多个通用配线13，同时，在显示区域边缘部的低位配线用安装端子部33A(参照图3)处，形成由栅极线构成的安装端子用配线34。该栅极线并非必须作为扫描线12用配线使用，而是因与扫描线12为相同材质的配线，故而被称为“栅极线”，虽然省略了图示，但是其可以作为各种适当的配线使用。另外，在此虽然例举了通用配线13为沿着本像素的扫描线12形成的示例，但是也可以将其沿着邻接像素的扫描线12一侧形成，或者可以将其形成于两个扫描线12之间。
接着，在该表面整体覆盖由氮化硅层或氧化硅层构成的栅极绝缘膜14。其后，通过CVD(化学气相沉积)法，将例如非晶硅(以下称为“a-Si”)层覆盖于栅极绝缘膜14的表面整体。之后，同样地，通过照相平板法及蚀刻法，在TFT形成区域上，形成由a-Si层构成的半导体层15。该形成有半导体层15的位置的扫描线12的区域，形成TFT的栅极G。
接着，在栅极绝缘膜14和半导体层15的表面上，形成例如由铝或铝合金构成的导电层。并且，对该导电层，通过照相平板法及蚀刻法，以在显示区域中与扫描线12交叉的形式，形成含有源极S的信号线16，在TFT形成区域上形成漏极D，并且，在高位配线用安装端子部33B(参照图4)处，形成由源极线构成的安装端子用配线35。该源极线与栅极线的情况相同，并非必须作为信号线16的配线被使用，而因与信号线16为相同材质的配线，故而被称为“源极线”，虽然省略了图示，但是其可以作为各种适当的配线被使用。
其后，在上述工序中获得的透明基板11的表面整体，覆盖钝化膜17。作为该钝化膜17，可以使用由氮化硅或氧化硅构成的膜，但从绝缘性的角度考虑，优选为氮化硅层。其中，存在于低位配线用安装端子部33A的安装端子用配线34表面上的栅极绝缘膜14和钝化膜17，对应于发明的第1绝缘膜。同样地，存在于高位配线用安装端子部33B的安装端子用配线35表面上的钝化膜17也对应于第1绝缘膜。
接着，通过照相平板法和蚀刻法，在通用配线13上及低位配线用实际安装端子部33A的安装端子用配线34上的表面的栅极绝缘膜14和钝化膜17上，分别形成接触孔21和36a。与此同时，在高位配线用安装端子部33B的安装端子用配线35上的钝化膜17上形成接触孔37a。该接触孔21、36a及37a的形成，可以采用干式蚀刻法之一的等离子蚀刻法，或缓冲氢氟酸的湿式蚀刻法。由此，通用配线13、安装端子用配线34和35的表面被露出。此时在漏极D上的钝化膜17上，还未形成接触孔。并且，在显示区域的钝化膜17表面上的，除去接触孔21部分及漏极D上的接触孔预定形成部分之外处，通过照相平板法，层压例如由丙烯树脂或聚酰亚胺树脂构成的平面膜(也被称为层间膜)18。
接着，在形成有平面膜18的透明基板11的表面整体，覆盖如ITO或IZO构成的透明导电层。其后，通过照相平板法和蚀刻法，以各自的每个像素在平面膜18的表面上形成下电极22的同时，覆盖安装端子用配线34、35的表面及其周围的钝化膜17的形态，分别形成第1透明导电膜38及39。此时，各个每一像素的下电极22通过接触孔21，与通用配线13电性连接。
接着，在形成了下电极22、第1透明导电膜38和39的透明性基板11的表面整体，形成由氮化硅层或氧化硅层构成的绝缘膜23。此时，漏极D上的接触孔预定形成部分的钝化膜17的表面、第1透明导电膜38及39的表面也被绝缘膜23所覆盖。接着，通过照相平板法和蚀刻法，对漏极D上的接触孔预定形成部分的钝化膜17以及绝缘膜23，形成接触孔24；对位于第1透明导电膜38和39表面上的绝缘膜23，分别形成开口36b和37b。对该接触孔24、开口36b和37b的形成，可以采用干式蚀刻法之一的等离子蚀刻法、或应用缓冲氢氟酸的湿式蚀刻法。此外，在图1中，绝缘膜23虽然应出现于除下文详述的上电极26的部分之外的全部面上，但为了使液晶显示面板10A更容易理解，省略了其图示。
因此，漏极D虽然在此初次暴露于蚀刻环境，但由于在安装端子用配线34及35的表面存在第1透明导电膜38和39，所以在形成开口36b和37b时，安装端子用配线34和35不会直接被暴露于蚀刻环境中。因此，在开口36b和37b形成时，安装端子用配线34和35不会再次受到损伤或腐蚀。
并且，该开口36b和37b的直径小于，形成在安装端子用配线34上的栅极绝缘膜14和钝化膜17上的接触孔36a的直径以及形成在安装端子用配线35上的钝化膜17上的接触孔37a的直径。因此，第1透明导电膜38和39上的绝缘膜23，在开口36b和37b的边缘侧，部分覆盖第1透明导电膜38和39。通过采用该构造，使绝缘膜23被形成至接触孔36a、37a的内周，所以，即使例如绝缘膜23在蚀刻环境中受到激烈的蚀刻，被侵蚀至接触孔36a、37a的壁，由于绝缘膜23所覆盖的表面的面积广，因而也不会被侵蚀到成为各安装端子部33A、33B的安装部的，接触孔36a、37a的边缘部，从而能够维持安装部的高度。因此，在各安装端子部33A、33B处，不易发生高度差异，能够抑制非接触部分的产生。此外，该绝缘膜23中，存在于安装端子用配线34和35上的第1透明导电膜38和39的表面上所形成的部分，对应于第2绝缘膜。
并且，在形成了绝缘膜23的透明基板11的表面整体，覆盖例如由ITO或IZO构成的透明导电层。其后，通过照相平板法和蚀刻法，在形成以各自的每个像素在绝缘膜23的表面上形成有多个槽25的上电极26的同时，以覆盖第1透明导电膜38、39的表面及其周围的绝缘膜23的形态，分别形成第2透明导电膜41及42。该第2透明导电膜41及42，通过形成在绝缘膜23上的开口36b和37b，分别与第1透明导电膜38及39的表面接触，并且各自对应于安装端子。其后，通过在包括显示部的上电极26的表面整体，设置取向膜(未图示)，从而完成实施例1的液晶显示面板10A的阵列基板AR。
在本实施例中虽然采用了以下电极为通用电极，上电极为像素电极的结构，但是也可以采用例如以下电极作为像素电极与漏极D连接，以上电极为通用电极与配置在像素内或者显示区域周边部上的通用配线13电性连接的结构。
此外，对于被配置在显示区域外的安装端子部的导电材料，第1透明导电膜38及39、和第2透明导电膜41及42，不仅由ITO或IZO等的透明电极形成，还可以由例如铝、钼、钛、铬等导电性遮光膜来形成。
对于彩色滤光片基板CF，如图2所示，在第2透明基板27的表面上，以覆盖阵列基板AR的扫描线12、信号线16及对应于TFT的位置的形态，形成黑矩阵28。并且，在被黑矩阵28所包围的第2透明基板27的表面上，形成有规定色彩的彩色滤光片层29，此外，以覆盖黑矩阵28和彩色滤光片层29表面的方式，形成保护层30。并且，在保护层30的表面上，形成取向膜(未图示)，从而完成彩色滤光片基板CF。
并且，以阵列基板AR的上电极26和彩色滤光片基板CF的彩色滤光片层29相互面对的形态，使阵列基板AR和彩色滤光片基板CF相互面对，通过将液晶31封入其间，从而获得实施例1的FFS型液晶显示面板10A。
根据用这种方法制造的实施例1的液晶显示面板10A，被形成于显示区域边缘部上的安装端子部33A及33B，可以在制作显示部的同时进行制作，而且，实际安装端子用配线34和35，在被形成于其表面的各种绝缘层上形成接触孔或开口时，仅被暴露于蚀刻环境中一次。因此，通过实施例1的液晶显示面板10A，由于安装端子用配线34和35变得不易因蚀刻环境而受到损伤，因此向对应于安装端子的第2透明导电膜41和42上安装各种部件时，因断线或腐蚀而引起的配线电阻增大等问题的发生将会减少，从而能够获得提高了安装端子部33A和33B的可靠性的FFS型液晶显示面板10A。
实施例2
作为实施例1的液晶显示面板10A，例示了全透光型的FFS型液晶显示面板，但也可以采用半透光型的FFS型液晶显示面板。在此，作为实施例2，对半透光型的FFS型液晶显示面板10B的结构，参照图5和图6进行说明。此外，在实施例2的液晶显示面板10B中，对于与实施例1的液晶显示面板10A相同的构成部分，使用相同的参照符号并省略其详细说明。
实施例2的半透光型的FFS型液晶显示面板10B，与实施例1的全透光型的FFS型液晶显示面板10A在结构上的不同点在于，平面膜18表面的一部分上形成有凹凸(省略图示)，在该形成有凹凸的平面膜18表面上，形成有由光反射性金属构成的反射板19。该反射板19被配置于平面膜18的表面与下电极22之间。因此，实施例2的液晶显示面板10B中，在形成有各自的上电极26的部分上，形成有反射板19的部分形成反射部20，其余部分则形成透光部。此外，作为光反射性金属，可以适当选用铝、铝合金或银等的作为半透光型液晶显示面板的反射板形成材料而被广泛使用的物质。
在此实施例2的液晶显示面板10B中，形成平面膜18之后，在表面整体，形成光反射性金属膜，其后，再通过照相平板法和蚀刻法形成反射板19。接着再通过照相平板法和蚀刻法，首先保留各个每一像素的反射板19部分，而对其余部分的光反射性金属膜进行去除。然后再通过进一步进行蚀刻，在通用配线13上、及低位配线用安装端子部33A的安装端子用配线34上的表面的栅极绝缘膜14及钝化膜17上，分别形成接触孔21和36a，与此同时，在高位配线用安装端子部33B的安装端子用配线35上的钝化膜17上，形成接触孔37a。其后的制造工序与实施例1的液晶显示面板10A的工序相同。
并且，在该实施例2的液晶显示面板10B中的显示区域边缘部上形成的安装端子部33A和33B的结构，与实施例1的液晶显示面板10A的相应结构相同。因此，通过实施例2的液晶显示面板10B，也能够获得与实施例1液晶显示面板10A具有同样效果的半透光型的FFS型液晶显示面板。
下面，对实施例1的改变例，即图7中的安装端子部33C～33E进行说明。其中，对于与实施例1的液晶显示面板10A相同的构成部分使用相同的参照符号并省略其详细说明。此外，虽然在下述改变例中基于低位配线进行说明，但是对于高位配线也同样适用。
(改变例1)
图7的安装端子部33C的构成为，绝缘膜23未形成至接触孔36a的底部，而被设置在第1透明导电膜38的两端部上(接触孔36a的边缘部)，第1透明导电膜38与第2透明导电膜41的接触面积比实施例1的接触面积广。因此，能够使各安装端子部低电阻化，从而可提供稳定的电压。
(改变例2)
图7中的安装端子部33D的被形成为，第1透明导电膜38至少覆盖与安装端子用配线34电性连接的接触孔36a的底部。详细说明的话，第1透明导电膜38覆盖接触孔36a的底部(底部：安装端子用配线34的上部)，以从其上方能够露出第1透明导电膜38与安装端子用配线34的接触部的方式，形成绝缘膜23，而第2透明导电膜41被设置于最外表面上。这是一种安装端子用配线34的表面至少被第1透明导电膜38所覆盖的结构，由此，能够防止安装端子用配线34被暴露于蚀刻环境中。因此，能更有效地保护安装端子用配线34。
(改变例3)
图7的安装端子部33E的构成为，第1透明导电膜38被形成在接触孔36a底部(bottom部)的部分区域(例如除去了两端部的中央部)上，并覆盖安装端子用配线34的上部，绝缘膜23被形成于接触孔36a的边缘部，第2透明导电膜41以覆盖它们的形态被设置。该结构为，为使安装端子用配线34不会被暴露于蚀刻环境中，例如将安装端子用配线34的两端部稍微露出，而只将中央部分的表面用第1透明导电膜38覆盖的结构。使用该结构时，在其形成区域中，即使由于蚀刻环境，使暴露面受到一定程度的破坏，也能保护安装端子用配线34。

Claims (10)

1.一种液晶显示面板，具有，在显示区域的边缘部形成有安装端子部的阵列基板，其特征在于，
所述显示区域包括：多个扫描线和信号线，其分别形成为矩阵状；下电极和具有多个槽的上电极，其被形成在平面膜上，隔着绝缘膜相互面对地被配置在每个被所述扫描线和所述信号线所包围的区域，并且分别由透明导电材料构成；
并且，所述安装端子部，包括：
第1绝缘膜，其覆盖安装端子用配线的表面；
接触孔，其被形成为贯穿所述安装端子用配线上的所述第1绝缘膜；
第1导电膜，其至少覆盖所述接触孔底部的一部分，并覆盖所述接触孔周围的所述第1绝缘膜表面，且与所述安装端子用配线电性连接；
第2绝缘膜，其被设置在所述第1绝缘膜表面，且具有至少与所述接触孔局部重叠的开口；
第2导电膜，其覆盖所述接触孔周围的所述第2绝缘膜表面；
并且，所述第1导电膜和所述第2导电膜在所述开口处形成电性连接。
2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第2绝缘膜覆盖所述接触孔的内周面和边缘部表面，并且在所述接触孔中央部附近具有其直径小于所述接触孔直径的开口。 
3.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第2绝缘膜形成在所述接触孔的边缘部。
4.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第1导电膜电性连接在所述安装端子用配线，并覆盖所述接触孔的底部。
5.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第1导电膜电性连接在所述安装端子用配线，并形成于所述安装端子用配线表面的部分区域上。
6.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第1导电膜和所述第2导电膜分别与所述下电极和所述上电极为相同材质，且所述第2绝缘膜与配置于所述下电极和所述上电极之间的所述绝缘膜为相同材质。
7.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述安装端子用配线采用与所述显示区域的所述扫描线相同材质的金属材料形成，所述第1绝缘膜是由复层膜形成，且该复层膜与覆盖在所述显示区域的所述扫描线上的栅极绝缘膜及覆盖在所述信号线上的钝化膜为相同材质。
8.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述安装端子用配线采用与所述显示区域的所述信号线相同材质的金属材料形成，所述第1绝缘膜采用与覆盖在所述显示区域的所述信号线上的钝化膜相同材质的膜形成。
9.如权利要求1至4任意一项所述的液晶显示面板，其特征在于，在所述显示区域的所述平面膜和所述下电极之间，局部形成有反射板。 
10.一种液晶显示面板的制造方法，是具有显示区域和形成于所述显示区域周围的安装端子部的液晶显示面板的制造方法，所述显示区域包括：多个扫描线和信号线，其分别形成为矩阵状；下电极和具有多个槽的上电极，其被形成于平面膜上，隔着绝缘膜相面对地配置在每个被所述扫描线和所述信号线所包围的区域，并且分别由透明导电材料构成；
所述液晶显示面板的制造方法的特征在于，所述安装端子部是通过以下的(1)～(7)的工序来制造的：
(1)在基板表面的安装端子形成位置上，形成与所述扫描线或所述信号线相同材质的，具有规定图形的安装端子用配线的工序；
(2)用第1绝缘膜覆盖所述安装端子用配线的工序；
(3)形成贯穿所述安装端子用配线上的所述第1绝缘膜的接触孔的工序；
(4)以至少覆盖所述接触孔底部的一部分且与所述安装端子用配线电性连接的方式，形成与所述下电极相同材质的第1导电膜的工序；
(5)在所述第1绝缘膜的表面，形成与配置于所述显示区域的所述下电极和所述上电极之间的绝缘膜相同组分的第2绝缘膜的工序；
(6)在所述第2绝缘膜上，形成至少与所述接触孔局部重叠的开口的工序；
(7)形成安装端子的工序，该安装端子由覆盖所述接触孔周围的所述第2绝缘膜表面并且在所述开口处与所述第1导电膜电性连接的，与所述上电极相同材质的第2导电膜所构成。 
CN2008101312503A 2007-08-01 2008-08-01 液晶显示面板及其制造方法 Active CN101359139B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007200435 2007-08-01
JP2007200435 2007-08-01
JP2007-200435 2007-08-01
JP2008-125571 2008-05-13
JP2008125571 2008-05-13
JP2008125571A JP5154298B2 (ja) 2007-08-01 2008-05-13 液晶表示パネル、その製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101359139A CN101359139A (zh) 2009-02-04
CN101359139B true CN101359139B (zh) 2011-04-20

Family

ID=40331619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101312503A Active CN101359139B (zh) 2007-08-01 2008-08-01 液晶显示面板及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5154298B2 (zh)
KR (1) KR100995428B1 (zh)
CN (1) CN101359139B (zh)
TW (1) TWI400523B (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5470894B2 (ja) * 2009-02-18 2014-04-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
CN103606549B (zh) * 2009-04-23 2017-06-09 群创光电股份有限公司 显示面板及应用该显示面板的图像显示***
CN101872780B (zh) * 2009-04-23 2013-11-27 群创光电股份有限公司 显示面板及应用该显示面板的图像显示***
US8593597B2 (en) 2009-05-29 2013-11-26 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device having the same
JP5078176B2 (ja) 2010-07-21 2012-11-21 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 液晶表示装置
US8659734B2 (en) * 2011-01-03 2014-02-25 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof
CN102156369B (zh) * 2011-01-18 2013-09-04 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管液晶显示阵列基板及其制造方法
JP5929097B2 (ja) * 2011-10-27 2016-06-01 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、及び電子機器
JP5907697B2 (ja) 2011-11-09 2016-04-26 三菱電機株式会社 配線構造及びそれを備える薄膜トランジスタアレイ基板並びに表示装置
CN103185999B (zh) * 2011-12-31 2015-09-16 上海中航光电子有限公司 液晶显示器阵列基板及其扫描线结构
JP5951329B2 (ja) * 2012-04-10 2016-07-13 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR20130114998A (ko) 2012-04-10 2013-10-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP5197873B2 (ja) * 2012-07-10 2013-05-15 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 液晶表示装置
KR102029986B1 (ko) 2012-12-13 2019-10-10 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101994974B1 (ko) * 2013-01-10 2019-07-02 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR102078807B1 (ko) * 2013-07-03 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN103399434B (zh) * 2013-08-01 2015-09-16 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其扇出线结构
CN112054031B (zh) * 2019-06-06 2023-06-27 夏普株式会社 有源矩阵基板及其制造方法
CN110989259B (zh) * 2019-12-12 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3920630B2 (ja) * 2001-11-16 2007-05-30 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2004094020A (ja) * 2002-09-02 2004-03-25 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
JP4517063B2 (ja) * 2003-05-27 2010-08-04 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP4381782B2 (ja) * 2003-11-18 2009-12-09 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP4223993B2 (ja) * 2004-05-25 2009-02-12 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP4039444B2 (ja) * 2005-07-15 2008-01-30 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置及び電子機器
JP2007093859A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 液晶装置および電子機器
KR100744404B1 (ko) * 2006-04-06 2007-07-30 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN101359139A (zh) 2009-02-04
TWI400523B (zh) 2013-07-01
KR100995428B1 (ko) 2010-11-18
JP5154298B2 (ja) 2013-02-27
JP2009053658A (ja) 2009-03-12
KR20090013723A (ko) 2009-02-05
TW200916898A (en) 2009-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101359139B (zh) 液晶显示面板及其制造方法
CN100514657C (zh) 有源矩阵衬底及其制造方法
US7636144B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
CN100592172C (zh) 水平电场施加型液晶显示器及其制造方法
US7205570B2 (en) Thin film transistor array panel
CN102053415B (zh) 水平电场液晶显示设备
US8218117B2 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
CN105470269A (zh) Tft阵列基板及其制作方法
CN100371813C (zh) 面内切换型液晶显示装置中的液晶显示板及其制造方法
TW201508928A (zh) 液晶顯示器的陣列基板
KR101622655B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2017067830A (ja) 表示装置
KR100673331B1 (ko) 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치
KR20110116803A (ko) 표시 기판, 이를 포함하는 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20120129746A (ko) 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US8576367B2 (en) Liquid crystal display panel device with a transparent conductive film formed pixel electrode and gate pad and data pad on substrate and method of fabricating the same
KR101479997B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US8218116B2 (en) Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
US9459505B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
KR20060082096A (ko) 박막 트랜지스터 표시판
KR100926429B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20070082756A (ko) 액정 표시 장치
JPH04338728A (ja) アクティブマトリクス基板
CN217543620U (zh) 阵列基板及电泳显示面板
KR20010083298A (ko) 액정 표시장치 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NANKAI UNIVERSITY

Free format text: FORMER OWNER: SANYO EPSON IMAGING DEVICES CO.

Effective date: 20100729

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: NAGANO-KEN, JAPAN TO: TOKYO-DU, JAPAN

TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20100729

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: Sony Corp.

Address before: Nagano

Applicant before: Sanyo Epson Imaging Devices Co.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NIPPON DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SONY CORPORATION

Effective date: 20121115

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121115

Address after: Aichi

Patentee after: Japan display West Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Sony Corp.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20211025

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: JAPAN DISPLAY Inc.

Address before: Aichi

Patentee before: Japan display West Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right