CN105652601B - 保持装置、光刻设备以及物品制造方法 - Google Patents

保持装置、光刻设备以及物品制造方法 Download PDF

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Abstract

保持装置、光刻设备以及物品制造方法,保持装置包括:具有孔的保持构件,孔用于排空基板和保持构件之间的空间中的空气;和环形密封构件,其位于保持构件的阶梯部分的下表面上,用于限定所述空间。第一区域是与保持构件的表面的平面图形的中心同心并且通过减小平面图形的尺寸2/3以上且4/5以下获得的图形的内部区域。第二区域位于第一区域和密封构件之间。孔形成为使得满足(第二区域中的总孔面积/第二区域的面积)>(第一区域与第二区域的总区域中的总孔面积/第一区域和第二区域的总区域的面积)的关系并且在对应于保持构件的第一区域的位置处与管连通。

Description

保持装置、光刻设备以及物品制造方法
技术领域
本发明涉及一种保持装置、光刻设备以及用于制造物品的方法。
背景技术
存在这样的情况,在所述情况中,在制造半导体装置等的处理中所使用的曝光设备设置有基板,所述基板具有表面不规则部或者弯曲部。当由真空吸引保持基板时,吸力可能因由基板的周缘的弯曲部而造成的空气泄漏而减小。另外,当在吸力较小的状态中将图案转印到基板上并且基板的表面不规则程度或者弯曲程度较大时,转印的图案可能将变形,从而导致制造的装置的产量较低。
日本专利特开No.2002-217276公开了一种保持装置,在所述保持装置中,作为弹性体的密封构件布置在基板保持表面的外周上。由于密封构件以符合基板的周缘的形状的方式变形,因此降低了空气从基板和基板保持表面之间的空间泄漏的可能性,使得吸力增大。保持装置的基板保持表面包括板状构件,所述板状构件具有吸气孔,所述吸气孔具有相同的尺寸和相同的形状并且以特定的间距布置。
与在日本专利特开No.2002-217276中描述的保持装置相同,当通过同时使用具有相同尺寸和相同形状以及以特定间距布置的所有吸气孔实施吸气时,基板保持表面处的负压分布均匀,或者周缘处的负压小于其它部分处的负压。鉴于随着最近用于制造装置的各种处理增加,大多数情况是将已经大幅变形(例如大幅弯曲)的基板运送到曝光设备中的情况,可能难以校正由于基板周缘处的小吸力而导致的基板周缘的弯曲。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种保持装置和一种光刻设备,所述保持装置和所述光刻设备较之通过同时使用相同的真空源和使用具有相同尺寸和相同形状且以特定间距布置的所有吸气孔实施吸气的情况能够更好地校正基板的弯曲。
根据本发明的一个方面的保持装置是这样的保持装置,所述保持装置构造成保持基板并且包括:保持构件,在所述保持构件中形成有多个吸气孔,所述吸气孔用于排空基板和保持构件之间的空间中的空气;和密封构件,所述密封构件具有环状并且布置在保持构件的阶梯部分的下表面上而且限定了所述空间。当与保持构件的保持表面的平面图形的中心同心并且通过减小平面图形的尺寸2/3以上且4/5以下而获得的图形的内部区域被设定为第一区域并且第一区域和密封构件之间的区域被设定为第二区域时,多个吸气孔被形成为使得满足以下关系:形成在第二区域中的吸气孔的总面积与第二区域的面积的比大于形成在包括第一区域加上第二区域的总区域中的吸气孔的总面积与该总区域的面积的比。
参照附图从示例性实施例的以下描述中本发明的其它特征将变得显而易见。
附图说明
图1是图解了根据第一至第三实施例的曝光设备的简图;
图2A和图2B都是图解了根据第一实施例保持装置的简图(从水平方向观察时的截面图);
图3是图解了根据第一实施例的修改方案的保持装置的简图(从水平方向观察时的截面图);
图4是图解了根据第一实施例的保持装置的简图(从正上方观察时的简图);
图5A和图5B都是图解了根据一示例的保持装置的简图;
图6是图解了根据第二实施例的保持装置的简图;
图7是图解了根据第三实施例的保持装置的简图;
图8A和图8B都是图解了根据第三实施例的修改方案的保持装置的简图;
图9是图解了唇形密封件的另一种形状的第一解释性简图;
图10是图解了唇形密封件的另一种形状的第二解释性简图。
具体实施方式
将参照图1描述根据第一实施例的曝光设备(光刻设备)1的构造。曝光设备1是投影曝光设备,所述投影曝光设备以扫描掩模2和基板3同时通过步进反复曝光***使得掩模2和基板3运动的方式将作为照明光(光束)6的i-线(波长为365nm)发射到掩模2和基板3上,并且将形成在掩模2上的图案(例如,电路图案或类似物)转印到基板3上。在图1中,与投影光学***4的光轴延伸所沿的方向(在第一实施例中为竖直方向)平行的轴线是Z轴线。在垂直于Z轴线的平面中,在掩模2通过被照明光6照射而被扫描时掩模2运动所沿的方向是X轴线,并且垂直于X轴线的非扫描方向是Y轴线。
由照射光学***5形成的照明光6经由掩模2和投影光学***4照射到基板3上。基板3例如为单晶硅基板并且抗蚀剂被施加到基板3的表面。掩模2随着平台7运动。干涉计8将激光束照射到反射镜9上并且接收已经由反射镜9反射的光,以便检测平台7的位置。平台7包括用于掩模2的平台顶板(未示出)和运动机构(未示出),所述运动机构使得平台顶板运动。
基板3连同保持装置10和平台13一起沿着六个轴向方向运动,所述保持装置通过真空吸引保持基板3。干涉计11通过使用反射镜12凭借与在检测平台7的位置的情况中类似的方法来检测平台13的位置。平台13包括用于基板3的平台顶板(未示出)和运动机构(未示出),所述运动机构使得平台顶板运动。
检测***14检测形成在基板3上的对准标记(未示出)和形成在标记台15上的基准标记(未示出),所述标记台15安装在平台13上。检测***14检测对准标记和基准标记,下文将描述的控制单元18设定图案形成位置。检测***14是轴偏离对准检测***,所述轴偏离对准检测***在不使用投影光学***4的情况下检测对准标记和基准标记。
保持装置10包括卡盘(保持构件)16,所述卡盘16吸引并且保持基板3;销17,所述销17在将基板3运送到曝光设备1中或者从曝光设备1运送出来时支撑基板3;和提升机构(未示出),所述提升机构沿着Z轴线方向提升以及降低卡盘16。通过提升和降低卡盘16的操作,当基板3被运送到曝光设备1中时基板3被从销17传送到卡盘16,当将基板3从曝光设备1运送出来时基板3被从卡盘16传送到销17。将下文详细描述保持装置10的构造。
控制单元18连接到平台7和13、检测***14、干涉计8和11以及保持装置10,以便一体地控制它们。例如,当实施曝光处理时,控制单元18基于由检测***14获得的检测结果设定图案形成位置并且基于由干涉计8和11获得的平台7和13的位置信息控制平台7和13的运动。另外,当将基板3运送到曝光设备1中或者从曝光设备1中运送出来时控制单元18控制保持装置10的提升机构和平台13的运动。控制单元18可以布置在壳体中,在所述壳体中容纳有除了控制单元18之外的部件构件,或者控制单元18可以布置在与该壳体不同的壳体中。
将参照图2A和2B描述吸引基板3的操作。图2A和图2B均是通过卡盘16的中心的X-Z平面的截面图,其图解了卡盘16和***构件。
图2A图解了基板3的运送已经完成并且基板3已经被传送到卡盘16的状态。卡盘16包括中央部分(第一区域)和周缘部分(第二区域)。中央部分和周缘部分之间的边界由假想边界38表示。多个吸孔(吸气孔)32形成在中央部分中和周缘部分中。
在此,在第一实施例中,卡盘16的前表面中的中央部分是位于圆形内部的区域,所述前表面是面向基板3的基板保持表面(保持表面),所述圆形被设定作为边界38并且与基板保持表面的中心同心。周缘部分是位于边界38外的区域。边界38设定为使得中央部分的面积和周缘部分的面积相等。周缘部分包括卡盘16的阶梯部分39a的侧表面39b。侧表面39b是面向将在下文详细描述的唇形密封件31的区域并且用于布置唇形密封件31。
所有吸孔32均经由管33a与管33连通,所述管33作为用于所有吸孔32的共用管。管33用于将管33a合并为一根管,所述管33a以各自联接到相应的一个吸孔32的方式分支。管33连接到真空源33b。阀34布置在管33和真空源33b之间。能够通过切换阀34来选择是通过经由管33连接到真空源的所有吸孔32排放卡盘16和基板3之间的空间中存在的气体还是通过经由管33连接到阀34的所有吸孔32将空气送到卡盘16和基板3之间的空间中。管33布置在对应于卡盘16的中央部分的位置处,即,当沿着卡盘16的厚度方向在边界38处切割卡盘16时位于边界38内的位置。特别地,如图2A和2B等所示,管33在X-Y平面中的位置可以靠近中央部分的中心,以便抑制吸孔32和管33之间的距离在X-Y平面中较短的位置和吸孔32和管33之间的距离在X-Y平面中的较长的位置之间出现空气排空力的大小差异。
具有圆状或者环状的唇形密封件(密封构件)31布置在底部表面39c上,所述底部表面39c是卡盘16的阶梯部分39a的下表面。唇形密封件31是弹性体构件并且用粘合剂(诸如粘合片)固定到卡盘16。当基板3放置在卡盘16上时,唇形密封件31与基板3的周缘附近的部分接触。利用这种构造,基板3和基板保持表面之间的空间35的区域由唇形密封件31限定。
阀34被释放到存在大气空间的侧部。尽管基板3的周缘附近的部分和唇形密封件31相互接触,但是所述部分和唇形密封件31没有相互完全紧密接触,而且依照基板3的周缘的弯曲在所述部分和唇形密封件31之间存在小间隙。
通过将阀34从图2A图解的状态切换到布置有真空源33b的一侧,通过所有吸孔32排空空间35中的空气。可以在提升卡盘16时的期间(即,在将基板3从销17完全传送到卡盘16之前)实施切换阀34的操作。
如图2B所示,随着空间35中的负压增大,由大气压力对基板3施压并且所述基板3变形,以便符合卡盘16的基板保持表面的形状。在这种情况中,唇形密封件31开始变形,以便符合基板3的周缘的形状并且逐渐与基板3紧密接触。
因为唇形密封件31的端部部分定位成高于卡盘16的基板保持表面,所以即使在基板3的边缘弯曲的情况中,基板3的弯曲部分和唇形密封件31也易于相互接触。结果,空间35能够易于被严密地密封,并且能够排空空间35中的空气。与没有设置唇形密封件31的情况相比,空间35更易于被严密地密封,并且施加到基板3的吸力增大,使得基板3能够被校正以便成为平面。
因此,唇形密封件31可以是柔软构件,其能够容易地变形并且能够扩展和收缩。可以使用包含合成橡胶(诸如,硅橡胶或者氟橡胶)的聚合材料(弹性聚合材料),并且替代地,可以使用不同的软树脂或者金属材料。
在基板3被保持装置10吸到卡盘16的状态中,曝光设备1实施曝光处理。在已经完成曝光处理之后,控制保持装置10并且使得基板3进入可运送状态。
图4是当从正Z轴线方向观察时卡盘16的视图。吸孔32和销孔36形成为圆形,所述圆形与基板保持表面同心。
销孔36中的每一个均以延伸贯穿卡盘16的三个部分中的一个部分的方式形成。当提升机构使得卡盘16沿着负Z轴线方向运动时,销17从销孔36的内部相对伸出。因为销17和对应销孔36之间的间隙由密封构件(未示出)一直封闭,所以在实施基板3的吸引时不会发生空气泄漏。
就吸孔32而言,在卡盘16的中心部分中形成四个吸孔32,并且在周缘部分中形成十六个吸孔32(八个吸孔32×2个圆),所述十六个吸孔围绕中央部分。所有吸孔32均具有相同的直径。
当区域中的所有吸孔32的总横截面面积是总孔面积(吸气孔的总面积)时,吸孔32被形成为使得周缘部分中的总孔面积大于中央部分中的总孔面积,即,形成在第二区域中的吸气孔的总面积大于形成在第一区域和第二区域的总和的区域中的吸气孔的总面积的50%。因此,周缘部分中的每单位面积的总孔面积大于作为中央部分和周缘部分的总和的区域中的每单位面积的总孔面积。
当通过使用卡盘16(吸孔32以上述方式形成在所述卡盘16中)通过使用真空源33b经由管33排空空间35中的空气时,周缘部分(吸孔32以更高的比率形成在所述周缘部分中)中的吸力大于中央部分中的吸力。
结果,即使在基板3的弯曲量较大并且在已经进行了基板3运送之后在基板3和唇形密封件31之间形成大间隙的情况中,也能够即时封闭间隙,并且能够防止发生空气泄漏。较之在以特定的间距布置具有相同形状的吸孔并且基板具有相同的弯曲量的情况,能够更好地校正基板3的弯曲。因此,能够防止由于基板3变形(例如弯曲)而造成转印的图案发生变形。
吸孔32中的至少一个可以形成在侧表面39b和底部表面39c中的至少一个中。图3图解了示例性状态,在所述示例性状态中,吸孔32中的至少一个形成在侧表面39b中。
在基板保持表面和基板3相互接触的状态中,难以经由形成在基板保持表面中的吸孔32排空空气。因此,可能存在这样的情况,在所述情况中,将不能充分排空底部表面39c和基板3之间的空间中的空气,并且不能充分校正基板3的弯曲。如果吸孔32中的至少一个形成在侧表面39b和底部表面39c中的至少一个中,则能够在吸引基板3的同时排空底部表面39c和基板3之间的空间中的空气,使得能够校正基板3的弯曲。
在吸孔32中的至少一个形成在侧表面39b的情况中,沿着竖直方向加工的孔的数量较少,并且因此,能够削减形成吸孔32所需的加工成本。
第一实施例的保持装置10不仅仅能够吸引以凸出的方式向下弯曲成碗状的基板而且还能够吸引以凸出的方式向上弯曲成倒置碗状的基板以及非对称弯曲的基板,这些基板能够被校正以便成为平面。
在图解了吸孔32的布置方案的图4中,中央部分可以设置成作为下述图形的内部区域,所述图形与基板保持表面的平面图形的中心同心并且通过减小平面图形的尺寸2/3以上且4/5以下来获得,并且周缘部分可以设置成作为中央部分和唇形密封件31之间的区域。
在这种情况中,吸孔32的布置方案满足(周缘部分中的总孔面积/周缘部分的面积)>(中央部分和周缘部分的总区域中的总孔面积/中央部分和周缘部分的总区域的面积)的关系,并且周缘部分中的每单位面积的总孔面积大于作为中央部分和周缘部分的总和的区域中的每单位面积的总孔面积。换言之,满足形成在周缘部分中的吸气孔32的总面积与周缘部分的面积的比大于形成在包括中央部分加上周缘部分的总区域中的吸气孔32的总面积与总区域的面积的比的关系。结果,能够增大周缘部分(吸孔32以更高的比率形成在所述周缘部分中)中的吸力。
注意的是“>”是表示左侧表达式大于右侧表式的不等号,并且“/”表示除号。例如,“(周缘部分中的总孔面积/周缘部分的面积)”表示用周缘部分中的总孔面积除以周缘部分的面积而获得的数值。在本说明书中,基板保持表面的平面图形指的从基板3将被沿着竖直方向运送到曝光设备1中的一侧观察基板保持表面时基板保持表面的轮廓形状。
吸孔32的布置方案不局限于第一实施例的布置方案,而是可以进行多种修改。例如,如在图5A中图解的第一实施例的修改方案,两个吸孔32可以形成在中央部分中,并且四个吸孔32可以以使得这些吸孔32彼此成一直线的方式形成在周缘部分中。
现在将描述第一实施例的示例。通过使用图5A中图解的卡盘16来验证抽吸效应,所述抽吸效应通过以如下方式形成吸孔32而获得,即,使得形成在卡盘16的周缘部分中的吸孔32的数量大于形成在卡盘32的中央部分中的吸孔32的数量。进行吸引基板3的操作,所述基板3具有碗状的形状并且以使得基板3的外周部分定位成在竖直方向上高于基板3的中心1.7mm的方式向上弯曲。另外,如图5B所示,作为比较示例,通过使用卡盘50进行吸引基板的操作,所述基板的弯曲量与基板3的弯曲程度相同,所述卡盘50具有形成在其中央部分中的六个吸孔48和唇形密封件45,所述唇形密封件45沿着卡盘50的外周布置。
流量计布置在阀34附近,并且使用流量计测量吸引基板3所需的流量(排气的流量)。
结果,在使用图5A中图解的卡盘16的情况中需要2L/min的流量,而在使用图5B图解的卡盘50的情况中需要20L/min的流量。在吸引弯曲至较大量的基板的情况中,卡盘16能够较之卡盘50以相对较小的流量吸引基板。
从结果可知,发现的是,根据第一实施例的卡盘16的构造使得能够采用具有低空气排空性能的小尺寸的真空源33b。这具有减小真空源33b的安装空间的大小并且削减真空源33b的制造成本的有利效果。
现在将描述第二实施例。与第一实施例的保持装置10的不同之处在于吸孔37,各个吸孔37的尺寸与各个吸孔32的尺寸不同并且吸孔32和37的布置方案也不同。
图6是当从正Z轴线方向观察时根据第二实施例的保持装置10的视图。边界38代表卡盘16的中央部分和卡盘16的周缘部分之间的边界,并且中央部分是下述图形的内部区域,所述图形通过减小基板保持表面的平面图形的尺寸4/5获得。在基板保持表面中,周缘部分是位于中央部分和唇形密封件31之间的区域。
卡盘16具有形成在中央部分中的两个吸孔32和形成在周缘部分中的四个吸孔37。形成在周缘部分中的吸孔37中的一个吸孔的孔面积是形成在中央部分中的吸孔32中的一个吸孔的孔面积的两倍或者更多倍。吸孔32沿着Y轴线方向布置,并且吸孔37沿着X轴线方向布置。
而且在第二实施例中,周缘部分中的每单位面积的总孔面积大于作为中央部分和周缘部分的总和的区域中的每单位面积的总孔面积。通过以如下方式布置吸孔32,即,使得即使在中央部分是通过减小基板保持表面的平面图形的尺寸4/5获得的图形的内部区域的情况中也满足上述关系,进一步增大了基板3的端部部分中的吸力。
如在第一实施例中,与以特定的间距布置具有相同尺寸的吸孔的情况相比,这有助于校正基板3的弯曲。因此,能够防止因基板3的变形(例如弯曲)而导致转印的图案发生变形。另外,通过布置具有低排气率的真空源33b,能够减小真空源33b的安装空间的大小并且能够削减真空源33b的制造成本。
通过增加形成在周缘部分中的吸孔37中的每一个吸孔的孔面积来减小形成在周缘部分中的吸孔37的数量。能够减小形成在卡盘16中的、从卡盘16的中心延伸到吸孔37的管的数量,并且因此能够削减加工成本。
吸孔37被布置成使得所有吸孔37(吸孔37中的至少三个)没有如上文参照图5A所描述的那样彼此成一直线。这防止空间35中的负压沿着一个轴向方向不均匀地分布。
在第一实施例和第二实施例二者中,即使在中央部分中没有形成吸孔32的情况中(即使在周缘部分中的总孔面积是作为中央部分和周缘部分的总和的区域的100%的情况中),也能够执行基板3的吸引。然而,至少一个吸孔32可以形成在中央部分中,原因在于如果没有吸孔32形成在中央部分中,则由于基板3被校正以使其从端部部分开始变平,因此仍然存在弯曲的区域可能会将留在基板3的中心处。
现在将描述第三实施例。图7是当从正Z轴线方向观察根据第三实施例的保持装置10时的视图。卡盘16的吸孔32具有相同的尺寸和相同的形状并且形成为以特定的间距布置。在图7中,通过减小基板保持表面的平面图形的尺寸2/3获得的图形的内部区域是中央部分。然而,中央部分可以是通过减小基板保持表面的平面图形的尺寸2/3以上且4/5以下获得的图形的内部区域。
连接到属于作为卡盘16的中央部分的第一区域的吸孔32的管和连接到属于作为卡盘16的周缘部分的第二区域的吸孔32的管设置有阀(未示出),所述阀能够基于逐个区域地开启和封闭。控制单元55控制对应于中央区域的阀和对应于周缘区域的阀的开启和关闭。控制单元55在空气排空期间在预定时刻控制经由形成在中央部分中的吸孔32排空的空气的流量和经由形成在周缘部分中的吸孔32排空的空气的流量,使得满足(经由形成在周缘部分中的吸孔32实施的空气排空的排气流量/周缘部分的面积)>(经由形成在中央部分和周缘部分的总区域中的吸孔32实施的空气排空的排气流量/中央部分和周缘部分的总区域的面积)的关系。换言之,满足如下关系:通过形成在周缘部分中的吸孔32实施的空气排空的排气流量与周缘部分的面积的比大于经由包括中央部分加上周缘部分的总区域中的吸气孔32实施的空气排空的排气流量与总区域的面积的比。
例如,控制单元55通过仅仅使用形成在中央部分中的吸孔32来吸引基板3,然后关闭连接到形成在中央部分中的吸孔32的管的阀,此后,通过仅仅使用形成在周缘部分中的吸孔32来吸引基板3。由于控制单元55以这种方式实施控制,暂时仅仅经由形成在周缘部分中的吸孔32来实施空气排空。以这种方式,能够增大周缘部分中的吸力。另外,通过采用具有低空气排空性能的真空源33b,能够减小真空源33b的安装空间的大小并且削减真空源33b的制造成本。
只要能够以如下方式控制第一区域中的排气流量和第二区域中的排气流量,即,使得在特定时间,周缘部分中的每单位面积的总排气流量可以有时高于当经由所有吸气孔32实施的空气排空时的每单位面积的总排气流量,便可以通过调节对应于中央部分的阀打开程度和对应于周缘部分的阀的打开程度来分别执行第一区域中的排气流量的调节和第二区域中的排气流量的调节。
作为另一个示例,卡盘16可以包括环状突出部分43和44,所述环状突出部分43和44如图8A和8B所示沿着从卡盘16的中心朝向外侧的方向以此顺序形成在卡盘16上。在由突出部分43围绕的区域40、由突出部分43和突出部分44围绕的区域41以及位于突出部分44外侧的区域42中的每一个区域中形成有八个吸孔32。
通过将阀45切换到布置有真空源的一侧而通过定位在区域40中的吸孔32实施空气排空。通过将阀46切换到布置有真空源的一侧而通过定位在区域41中的吸孔32实施空气排空。通过将阀47切换到布置有真空源的一侧而通过定位在区域42中的吸孔32来实施空气排空。阀45、46和47连接到控制单元55,并且控制单元55根据预定时刻控制将被用来吸引基板3的吸孔32的切换。
已经在上文描述的第三实施例适于这样的情况,在所述情况中,唇形密封件31的端部部分的高度不能设置成相对于基板保持表面的高度非常高,以便防止将基板3运送到卡盘16的运送手(未示出)与唇形密封件31接触。换言之,第三实施例适于这样的情况,在所述情况中,销17和唇形密封件31的端部部分之间的高度差在将基板3运送到曝光设备1中或者运送出曝光设备1时变小。
在唇形密封件31的高度足够高的情况中,唇形密封件31易于与基板3的边缘的弯曲部分接触。然而,在唇形密封件31的高度小的情况中,存在这样的可能性,即,取决于基板3的弯曲量唇形密封件31将不能与基板3接触,使得不能充分地实施空间35中的空气的排空。
通过以阀45、46和47的顺序切换阀45、46和47,基板3能够以使得唇形密封件31和基板3的端部之间的距离逐渐减小的方式被吸引。在唇形密封件31和基板3已经相互接触之后,区域42中的吸孔32的每单位面积的排气流量被控制成大于区域40中的吸孔32的每单位面积的排气流量和区域41中的吸孔32的每单位面积的排气流量。
利用这种构造,能够防止唇形密封件31和运送手之间接触,并且另外,能够校正基板3的弯曲。
其它实施例
在第一至第三实施例中,可以在实施基板3的运送的时段期间排空阀34和真空源33b之间的空间中的空气。在这种情况中,能够在开始排空操作时在一个行程中排空空间35中的空气,并且即使真空源33b具有低排气流量也能够容易地实施基板3的吸引。
如第三实施例中那样控制吸孔32的释放顺序的实施例可以与卡盘16组合,在所述卡盘16中吸孔32被形成为以根据上述实施例中的一个实施例的方式布置。
吸孔32中的每一个的形状均不局限于圆形而是可以为椭圆形或者四边形。唇形密封件31可以布置成使得唇形密封件31的端部定位成较之切口区域(例如被形成作为标准的凹口或者定向平面)位于更内部。通过致使曝光不直接照射到唇形密封件31中可以防止唇形密封件31退化。
就吸孔32的布置方案而言,吸孔32可以至少形成为相对于通过基板保持表面的中心的一条轴线对称。在这种情况中,能够防止局部形成因施加到基板3上的吸力的分布不均匀而不能被校正为平面的区域。
与卡盘6一体地形成的多个销(未示出)可以布置在基板保持表面上以便减小基板保持表面和基板3之间的接触面积。通过减小基板保持表面和基板3之间的接触面积,能够防止保持表面上的灰尘附着在基板3上。
另外,在唇形密封件31密封空间的能力不足的情况中,与卡盘16形成为一体的突出结构(未示出)可以形成在基板保持表面的比唇形密封件31位于更内侧的部分上。由于突出结构辅助限定了空间,因此基板3的中央部分可以容易地被校正成为平面。然而,用于通过排空环状突出结构外侧空间中的空气来校正基板3的弯曲的吸孔32需要形成在位于环状突出结构外部的区域中,所述区域定位成比唇形密封件31位于更内侧。
然而,即使在形成上述销和环状突出结构的情况中,考虑的也是在基板保持表面的区域、中央部分的区域和周缘部分的区域中,不要由于销和环状突出结构而使得表面面积增加。
卡盘16和基板保持表面的平面图形的每一个的形状并不局限于圆形。例如,在基板保持表面具有四边形的情况中,中央部分是类似的图形,所述类似的图形与四边形的中心同中心并且通过减小四边形形状的尺寸2/3以上且4/5以下获得。
唇形密封件31不需要如在第一至第三实施例中那样形成在水平平面中。例如,唇形密封件31可以固定到卡盘16的侧表面。
唇形密封件31可以具有这样的形状,在所述形状中,唇形密封件31的端部面向卡盘16的中心(图9)。在这种情况中,唇形密封件31易于在吸引基板3的操作过程中朝向中央部分变形,并且由此,基板3更易于紧密接触唇形密封件31,使得有利于校正基板的周缘的弯曲。
替代地,唇形密封件31的横截面形状可以是手风琴状(图10)。唇形密封件31可以具有低刚性,原因在于,在这种情况中,唇形密封件31和基板3之间的接触程度能够提高。然而,因制造唇形密封件31的工艺上的限制,难以将唇形密封件31形成为使其具有不大于预定厚度的厚度。因此,如果通过使用具有手风琴状的唇形密封件31而使得唇形密封件31的与基板3接触的一部分的刚性减小,则基板3易于紧密接触唇形密封件31,并且有利于校正基板3的周缘的弯曲。这种构造尤其适于吸引相对于通过基板3的中心对称弯曲的基板3以及具有非对称形状的基板3的情况。
在包括唇形密封件31的保持装置10中,由于制造唇形密封件31的工艺中出现的个体差异或安装误差,在吸引基板3的操作之前和之后基板3可有时沿着预定方向移动大约10μm至大约1,000μm。在这种情况中,通过在开始曝光之前使用检测***14来测量基板3的位置偏移,并且通过包括在控制单元18或类似物中的操作电路来计算校正量。然后,平台7和13运动以便被针对校正量扫描。这能够减小因唇形密封件31而导致的基板3位置偏移并且防止重叠精度退化。
唇形密封件31的角度并不局限于图2A中示出的角度并且可以在0度至180度的范围内适当地变化。如果鉴于难以校正基板3的比基板3和唇形密封件31的接触点定位在更朝向设置有基板3的外周的一侧的部分以使该部分成平面,唇形密封件31的角度被设定成较小,则基板3和唇形密封件31易于相互紧密接触。
在图4中,唇形密封件31直接固定到卡盘16。然而,通过使用其它部件通过将唇形密封件31固定在合适位置中可以有助于更换唇形密封件31。唇形密封件31可以具有这样的构造,在所述构造中,可以通过将唇形密封件31分成包括与基板3接触的端部部分和其它部分来单独更换唇形密封件31的已经磨损的端部部分。
尽管在上述实施例中已经描述了在实施曝光处理之后将基板3运送出曝光设备1时通过切换阀34实施空气释放操作的情况,但是未连接到真空源33b而是连接到大气空间的小孔可以独立于吸孔32形成,以便使得空气进入到空间35中。
从根据本发明的光刻设备照射到基板3上的光并不局限于i-线(波长为365nm)而可以是处于远紫外线区域中的光,例如KrF光(波长为248nm)或者ArF光(波长为193nm),或者可以是g-线(波长为436nm),其是处于可见光区域中的光。
另外,根据本发明的光刻设备并不局限于曝光设备。本发明可以应用于将带电粒子束照射到基板上并且在基板上形成潜像图案的设备或通过压印方法在基板上形成图案的设备。
用于制造物品的方法
根据本发明的实施例的用于制造物品(半导体集成电路元件、液晶显示元件、摄像元件、磁头、CD-RW、光学元件、光掩模或类似物)的方法包括通过使用光刻设备使得基板(晶片、玻璃板或类似物)曝光以在基板上形成图案的步骤和在已经曝光的基板上实施蚀刻操作以及离子注入操作中的至少一个的步骤。所述方法还可以包括其它众所周知的处理步骤(显影、氧化、成膜、汽相淀积、展平、光刻胶分离、切割,结合、包装等)。
尽管已经参照示例性实施例描述了本发明,但是应当理解的是本发明并不局限于公开的示例性实施例。给予所附权利要求的范围广泛的理解,以便涵盖所有修改方案和等效结构以及功能。

Claims (12)

1.一种构造成保持基板的保持装置,所述保持装置包括:
保持构件,在所述保持构件中形成多个吸气孔,所述多个吸气孔用于排空在所述基板和所述保持构件之间的空间中的空气;和
密封构件,所述密封构件具有环状并且布置在所述保持构件的具有外周的阶梯部分的下表面上并且被构造成在所述空间被排空时密封所述空间,
其中,当与所述保持构件的保持表面的平面图形的中心同心并且通过减小所述平面图形的尺寸2/3以上且减小4/5以下获得的图形的内部区域被设定为第一区域、所述第一区域和所述密封构件之间的区域被设定为第二区域时,所述多个吸气孔被形成为使得满足以下关系:形成在所述第二区域中的吸气孔的总面积与所述第二区域的面积的比大于形成在包括所述第一区域加上所述第二区域的总区域中的吸气孔的总面积与所述总区域的面积的比,
其中,环状突出部分在密封构件的内侧形成在保持构件上,并且所述吸气孔中的至少一个吸气孔形成在由环状突出部分围绕的区域中,并且所述吸气孔中的至少一个吸气孔形成在环状突出部分外侧的区域中,
其中,所述吸气孔中的至少一个吸气孔以面向密封构件的方式形成在阶梯部分的侧表面中。
2.根据权利要求1所述的保持装置,
其中,所述吸气孔中的至少一个吸气孔形成在所述第一区域中。
3.根据权利要求2所述的保持装置,
其中,所述第二区域中的吸气孔中的一个吸气孔的孔面积是所述第一区域中的吸气孔中的一个吸气孔的孔面积的两倍或者更多倍。
4.根据权利要求1所述的保持装置,
其中,所述第一区域是通过减小所述平面图形的尺寸4/5获得的图形的内部区域。
5.根据权利要求1所述的保持装置,
其中,形成在所述保持构件中的所述多个吸气孔是三个或者更多个吸气孔,并且所述吸气孔中的至少三个吸气孔没有彼此成一直线。
6.根据权利要求1所述的保持装置,
其中,所述多个吸气孔与带有真空源的共用管连通以便经由共用管排空所述空间。
7.根据权利要求1所述的保持装置,
其中,所述密封构件由弹性体聚合物材料制成。
8.一种保持装置,所述保持装置被构造成保持基板,所述保持装置包括:
保持构件,在所述保持构件中形成有多个吸气孔,所述多个吸气孔用于排空基板和所述保持构件之间的空间中的空气;
密封构件,所述密封构件具有环形并且布置在所述保持构件的具有外周的阶梯部分的下表面上并且被构造成在所述空间被排空时密封所述空间;和
控制单元,所述控制单元控制通过所述多个吸气孔实施的空气排空的排气流量,
其中,当与所述保持构件的保持表面的平面图形的中心同心并且通过减小所述平面图形的尺寸2/3以上且减小4/5以下获得的图形的内部区域被设定为第一区域、所述第一区域和所述密封构件之间的区域被设定为第二区域、并且第一区域和第二区域中的每个区域中具有所述吸气孔中的至少一个吸气孔时,所述控制单元控制排气流量使得满足以下关系:通过形成在所述第二区域中的吸气孔实施的空气排空的排气流量与所述第二区域的面积的比大于通过包括所述第一区域加上所述第二区域的总区域中的吸气孔实施的空气排空的排气流量与所述总区域的面积的比,
其中,环状突出部分在密封构件的内侧形成在保持构件上,并且所述吸气孔中的至少一个吸气孔形成在由环状突出部分围绕的区域中,并且所述吸气孔中的至少一个吸气孔形成在环状突出部分外侧的区域中,
其中,所述吸气孔中的至少一个吸气孔以面向所述密封构件的方式形成在所述阶梯部分的侧表面中。
9.一种构造成保持基板的保持装置,所述保持装置包括:
保持构件,在所述保持构件中形成多个吸气孔,所述多个吸气孔用于排空在基板和所述保持构件之间的空间中的空气;和
密封构件,所述密封构件具有环状并且布置在所述保持构件的包括外周的阶梯部分的下表面上并且被构造成在所述空间被排空时密封所述空间,
其中,当与所述保持构件的保持表面的中心同心的圆形被设定成使得所述保持构件的位于所述圆形内的第一区域的面积和所述保持构件的位于所述圆形外的第二区域的面积相等时,所述多个吸气孔被形成为使得形成在所述第二区域中的吸气孔的总面积大于形成在作为所述第一区域和所述第二区域的总和的区域中的吸气孔的总面积的50%,并且
其中,环状突出部分在密封构件的内侧形成在保持构件上,并且所述吸气孔中的至少一个吸气孔形成在由环状突出部分围绕的区域中,并且所述吸气孔中的至少一个吸气孔形成在环状突出部分外侧的区域中,
其中,所述吸气孔中的至少一个吸气孔以面向所述密封构件的方式形成在所述阶梯部分的侧表面中。
10.根据权利要求9所述的保持装置,
其中,所述多个吸气孔被形成为使得形成在所述第二区域中的吸气孔的总面积是形成在作为所述第一区域和所述第二区域的总和的区域中的吸气孔的总面积的100%或者更少。
11.一种光刻设备,包括:
根据权利要求1至10中的任意一项所述的保持装置,
其中,所述光刻设备将光束照射到由保持装置保持的基板上并且在所述基板上形成图案。
12.一种用于制造物品的方法,所述方法包括:
通过使用包括根据权利要求1至10中的任意一项所述的保持装置的光刻设备将光束照射到基板上;和
在所述基板上实施蚀刻操作以及离子注入操作中的至少一种操作。
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