JP2010258454A - 液体回収システム、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板と対向する多孔部材の表面の汚染を抑制できる液体回収システムを提供する。
【解決手段】液体回収システムは、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる。液体回収システムは、液体を回収するための回収流路と、回収流路に面する第１面、第１面と異なる方向を向く第２面、及び第１面と第２面とを結ぶ複数の孔を有する第１多孔部材と、第２面と所定のギャップを介して対向する第３面、第３面と異なる方向を向く第４面、及び第３面と第４面とを結ぶ複数の孔を有する第２多孔部材とを備える。液体回収システムは、第１多孔部材及び第２多孔部材を介して、第４面と対向する物体上の液体を回収する。
【選択図】図５

Description

本発明は、液体回収システム、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、特許文献１に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。液浸露光装置は、液体の供給動作及び回収動作を実行して、露光光の光路を液体で満たす。

米国特許出願公開第２００６／０１５２６９７号明細書

液浸露光装置において、多孔部材を介して基板上の液体を回収する場合、その基板と対向する多孔部材の表面（下面）が汚染される可能性がある。その結果、基板に汚染物（異物）が付着したり、供給された液体が汚染されたりする可能性がある。そのような不具合が生じると、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。

本発明の態様は、基板と対向する多孔部材の表面の汚染を抑制できる液体回収システムを提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、液体を回収するための回収流路と、回収流路に面する第１面、第１面と異なる方向を向く第２面、及び第１面と第２面とを結ぶ複数の孔を有する第１多孔部材と、第２面と所定のギャップを介して対向する第３面、第３面と異なる方向を向く第４面、及び第３面と第４面とを結ぶ複数の孔を有する第２多孔部材と、を備え、第１多孔部材及び第２多孔部材を介して、第４面と対向する物体上の液体を回収する液体回収システムが提供される。

本発明の第２の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、液体を回収するための回収流路と、回収流路に面する第１面、第１面と異なる方向を向く第２面、及び第１面と第２面とを結ぶ複数の孔を有する多孔部材と、を備え、第２面の表面粗さは、第１面，及び孔の内面の少なくとも一方の表面粗さより小さく、多孔部材を介して、第２面と対向する物体上の液体を回収する液体回収システムが提供される。

本発明の第３の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、液体を回収するための回収流路と、回収流路に面する第１面、第１面と異なる方向を向く第２面、及び第１面と第２面とを結ぶ複数の孔を有する多孔部材と、を備え、第２面は、第１面、及び多孔部材の孔の内面の少なくとも一方より液体に対して撥液性であり、多孔部材を介して、第２面と対向する物体上の液体を回収する液体回収システムが提供される。

本発明の第４の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、液体を回収するための回収流路と、回収流路に面する第１面、第１面と異なる方向を向く第２面、及び第１面と第２面とを結ぶ複数の孔を有する多孔部材と、を備え、第２面は、露光光の光路の周囲に配置され、露光光が照射可能な位置に配置された物体の表面との間で液体を保持可能な平坦面の周囲の少なくとも一部に配置され、第２面は、平坦面より液体に対して撥液性であり、多孔部材を介して、第２面と対向する物体上の液体を回収する液体回収システムが提供される。

本発明の第５の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、第１，第２，第３，及び第４の少なくとも一つの液体回収システムを備える露光装置が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、第５の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第７の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、露光光を射出する光学部材の射出面と、射出面と対向する基板との間の光路を液体で満たすことと、光学部材と液体とを介して基板に露光光を照射することと、第１，第２，第３，及び第４の少なくとも一つの液体回収システムを用いて、基板上の液体を回収することと、を含む露光方法が提供される。

本発明の第８の態様に従えば、第７の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の態様によれば、多孔部材の汚染を抑制できる。また本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 第１実施形態に係る液浸部材の近傍を示す側断面図である。 第１実施形態に係る液浸部材の一部を示す側断面図である。 第２実施形態に係る液浸部材の一部を示す側断面図である。 第３実施形態に係る液浸部材の一部を示す側断面図である。 第３実施形態に係る第１多孔部材の一部を示す平面図である。 第３実施形態に係る第２多孔部材の一部を示す平面図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１及び基板ステージ２それぞれの位置情報を計測可能な干渉計システム３と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４とを備えている。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に感光膜が形成されたものを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜とは別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材６を備えている。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

本実施形態において、液浸空間ＬＳは、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子５から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。終端光学素子５は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面９を有する。液浸空間ＬＳは、終端光学素子５と、その終端光学素子５の射出面９と対向する物体との間の光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。物体が射出面９と対向する位置は、射出面９から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。

液浸部材６は、終端光学素子５の近傍に配置されている。液浸部材６は、下面７を有する。本実施形態において、射出面９と対向可能な物体は、下面７と対向可能である。物体の表面が射出面９と対向する位置に配置されたとき、下面７の少なくとも一部と物体の表面とが対向する。射出面９と物体の表面とが対向しているとき、終端光学素子５は、射出面９と物体の表面との間に液体ＬＱを保持できる。また、下面７と物体の表面とが対向しているとき、液浸部材６は、下面７と物体の表面との間に液体ＬＱを保持できる。射出面９及び下面７と物体の表面との間に保持された液体ＬＱによって、液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態において、射出面９及び下面７と対向可能な物体は、終端光学素子５の射出側（投影光学系ＰＬの像面側）で移動可能な物体を含み、射出面９及び下面７と対向する位置に移動可能な物体を含む。本実施形態においては、射出面９及び下面７と対向可能な物体は、基板ステージ２、及びその基板ステージ２に保持された基板Ｐの少なくとも一方を含む。なお、以下においては、説明を簡単にするために、主に、射出面９及び下面７と基板Ｐとが対向している状態を例にして説明する。

本実施形態においては、射出面９及び下面７と対向する位置に配置された基板Ｐの表面の一部の領域（局所的な領域）が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成され、その基板Ｐの表面と下面７との間に液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧが形成される。すなわち、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、基板Ｐの露光時に、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む基板Ｐ上の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳを形成する局所液浸方式を採用する。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ１は、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部１Ｈを有する。本実施形態において、マスク保持部１Ｈは、マスクＭのパターン形成面（下面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ１は、第１駆動システム１Ｄの作動により、マスクＭを保持してＸＹ平面内を移動可能である。第１駆動システム１Ｄは、例えばリニアモータ、あるいは平面モータ等のアクチュエータを含む。本実施形態においては、マスクステージ１は、マスク保持部１ＨでマスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒ＰＫで保持される。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸とほぼ平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ２は、ベース部材８のガイド面８Ｇ上を移動可能である。本実施形態においては、ガイド面８Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。基板ステージ２は、基板Ｐを保持して、ガイド面８Ｇに沿って、ＸＹ平面内を移動可能である。基板ステージ２は、終端光学素子５の射出面９と対向する位置に移動可能である。

基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部２Ｈを有する。本実施形態において、基板保持部２Ｈは、基板Ｐの露光面（表面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２は、第２駆動システム２Ｄの作動により、基板Ｐを保持してＸＹ平面内を移動可能である。第２駆動システム２Ｄは、例えばリニアモータ、あるいは平面モータ等のアクチュエータを含む。本実施形態においては、基板ステージ２は、基板保持部２Ｈで基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

基板ステージ２は、基板保持部２Ｈの周囲に配置された上面２Ｔを有する。本実施形態において、上面２Ｔは、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。また、基板ステージ２は、凹部２Ｃを有する。基板保持部２Ｈは、凹部２Ｃの内側に配置される。本実施形態において、上面２Ｔと、基板保持部２Ｈに保持された基板Ｐの表面とは、ほぼ同一平面内に配置される（面一となる）。

干渉計システム３は、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１及び基板ステージ２のそれぞれの位置情報を計測する。干渉計システム３は、マスクステージ１の位置を計測するレーザ干渉計３Ａと、基板ステージ２の位置を計測するレーザ干渉計３Ｂとを備えている。レーザ干渉計３Ａは、マスクステージ１に配置された反射面１Ｒに計測光を照射し、その反射面１Ｒを介した計測光を用いて、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関するマスクステージ１（マスクＭ）の位置を計測する。レーザ干渉計３Ｂは、基板ステージ２に配置された反射面２Ｒに計測光を照射し、その反射面２Ｒを介した計測光を用いて、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する基板ステージ２（基板Ｐ）の位置を計測する。

また、本実施形態においては、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面の位置を検出するフォーカス・レベリング検出システム（不図示）が配置されている。フォーカス・レベリング検出システムは、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面の位置を検出する。

基板Ｐの露光時、マスクステージ１の位置がレーザ干渉計３Ａで計測され、基板ステージ２の位置がレーザ干渉計３Ｂで計測され、基板Ｐの表面の位置がフォーカス・レベリング検出システムで検出される。制御装置４は、レーザ干渉計３Ａの計測結果に基づいて、第１駆動システム１Ｄを作動し、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置制御を実行する。また、制御装置４は、レーザ干渉計３Ｂの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、第２駆動システム２Ｄを作動し、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置制御を実行する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光時、制御装置４は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、露光光ＥＬの光路（光軸ＡＸ）と交差するＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置４は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、基板Ｐは露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。

次に、液浸部材６について説明する。図２は、液浸部材６の近傍を示す側断面図である。なお、以下の説明においては、終端光学素子５の射出面９及び液浸部材６の下面７と対向する位置に基板Ｐが配置されている場合を例にして説明するが、上述のように、終端光学素子５の射出面９及び液浸部材６の下面７と対向する位置には、基板ステージ２等、基板Ｐ以外の物体も配置可能である。

液浸部材６は、露光光ＥＬの光路周囲の少なくとも一部に配置され、終端光学素子５と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。本実施形態において、液浸部材６は、環状の部材であって、露光光ＥＬの光路の周囲に配置されている。本実施形態において、液浸部材６の一部は、終端光学素子５の周囲に配置されている。本実施形態においては、液浸部材６は、終端光学素子５の周囲に配置される本体部１１と、Ｚ軸方向に関して少なくとも一部が終端光学素子５の射出面９と基板Ｐの表面との間に配置されるプレート部１２とを有する。

プレート部１２は、射出面９と対向する位置に開口１０を有する。射出面９から射出された露光光ＥＬは、開口１０を通過可能である。例えば、基板Ｐの露光中、射出面９から射出された露光光ＥＬは、開口１０を通過し、液体ＬＱを介して基板Ｐの表面に照射される。

プレート部１２は、射出面９の一部と対向する上面１３と、基板Ｐの表面と対向可能な下面１４とを有する。上面１３及び下面１４のそれぞれは、開口１０の周囲に配置されている。すなわち、上面１３及び下面１４のそれぞれは、終端光学素子５の射出面９から射出される露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。

本実施形態において、液浸部材６の下面７は、プレート部１２の下面１４を含む。下面１４は、終端光学素子５からの露光光ＥＬが照射可能な位置に配置された基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持可能である。下面１４は、平坦面である。本実施形態において、下面１４は、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。

本実施形態において、上面１３と下面１４とは、ほぼ平行である。また、射出面９と、上面１３及び下面１４とは、ほぼ平行である。

なお、下面１４が、ＸＹ平面に対して傾斜していてもよい。また、下面１４と射出面９とが非平行でもよいし、上面１３と射出面９とが非平行でもよいし、上面１３と下面１４とが非平行でもよい。また、上面１３の少なくとも一部が曲面でもよいし、下面１４の少なくとも一部が曲面でもよい。また、射出面９の少なくとも一部が曲面でもよい。

以下の説明において、下面１４を適宜、平坦面１４、と称する。

また、液浸部材６は、液体ＬＱを供給するための供給口１５及びその供給口１５に接続された供給流路１６と、液体ＬＱを回収するための回収口１７及びその回収口１７に接続された回収流路１８とを備えている。

供給口１５は、露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面する液浸部材６の所定位置に配置されている。本実施形態においては、供給口１５は、光路に対してＹ軸方向両側のそれぞれに設けられている。本実施形態においては、供給口１５は、射出面９と上面１３との間の空間に液体ＬＱを供給する。供給口１５は、液浸空間ＬＳを形成するために、露光光ＥＬの光路に液体ＬＱを供給する。

なお、供給口１５は、光路に対してＸ軸方向両側のそれぞれに設けられてもよいし、Ｘ軸方向両側のそれぞれ及びＹ軸方向両側のそれぞれに設けられてもよい。また、供給口１５が、光路の周囲において、任意の複数位置に設けられてもよい。なお、供給口１５が下面７に設けられていてもよい。

本実施形態において、回収口１７は、基板Ｐの表面と対向する液浸部材６の所定位置に配置されている。本実施形態において、回収口１７は、平坦面１４の周囲の少なくとも一部に配置されている。本実施形態においては、回収口１７は、平坦面１４（露光光ＥＬの光路）の周囲に連続的に配置されている。回収口１７は、液浸部材６の下面７と対向する物体上の液体ＬＱを回収可能である。

供給流路１６は、液浸部材６の内部に形成されている。供給口１５は、供給流路１６、及び供給管１９Ｐの流路１９を介して、液体供給装置２０と接続されている。液体供給装置２０は、クリーンで温度調整された液体ＬＱを送出可能である。液体供給装置２０から送出された液体ＬＱは、流路１９、及び供給流路１６を介して、供給口１５に供給される。供給口１５は、液体供給装置２０からの液体ＬＱを露光光ＥＬの光路に供給する。

回収流路１８は、液浸部材６の内部に形成されている。回収口１７は、回収流路１８、及び回収管２１Ｐの流路２１を介して、液体回収装置２２と接続されている。液体回収装置２２は、圧力調整装置を含み、流路２１及び回収流路１８の圧力を調整可能である。本実施形態において、液体回収装置２２は、真空システムと流路２１及び回収流路１８とを接続し、流路２１及び回収流路１８を所定の負圧に調整可能である。液体回収装置２２は、流路２１及び回収流路１８を負圧にして、液体ＬＱを吸引して回収可能である。回収口１７から回収された液体ＬＱは、回収流路１８、及び流路２１を介して、液体回収装置２２に回収される。

図３は、図２の一部を拡大した図である。本実施形態において、回収口１７には、多孔部材３１が配置されている。多孔部材３１は、液体ＬＱを回収するための回収流路１８に面する第１面４１と、第１面４１と異なる方向を向く第２面４２と、第１面４１と第２面４２とを結ぶ複数の孔４５とを有する。

多孔部材３１は、複数の小さい孔４５が形成されたプレート状の部材である。多孔部材３１は、プレート部材（基材）を加工して、複数の孔４５を形成した部材であり、メッシュプレートとも呼ばれる。本実施形態において、多孔部材３１は、チタンで形成されている。なお、多孔部材３１が、ステンレスで形成されてもよい。

本実施形態において、第１面４１は、回収流路１８に面するように、上方向（＋Ｚ方向）を向いている。第２面４２は、第１面４１の逆方向（−Ｚ方向、下方向）を向いている。なお、本実施形態において、上方向は、光軸ＡＸと平行であって、露光光ＥＬが進行する方向と逆方向である。下方向は、光軸ＡＸと平行であって、露光光ＥＬが進行する方向である。

本実施形態において、第１面４１と第２面４２とは、ほぼ平行である。本実施形態において、第１面４１と第２面４２とは、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。

なお、第１面４１と第２面４２とが、非平行でもよい。また、第１面４１がＸＹ平面に対して傾斜していてもよい。すなわち、第１面４１の法線が、光軸ＡＸと非平行でもよい。また、第２面４２がＸＹ平面に対して傾斜していてもよい。また、第１面４１の少なくとも一部が曲面でもよいし、第２面４２の少なくとも一部が曲面でもよい。

以下の説明において、第１面４１を適宜、上面４１、と称し、第２面４２を適宜、下面４２、と称する。

本実施形態において、多孔部材３１の下面４２は、平坦面１４の周囲の少なくとも一部に配置されている。本実施形態において、下面４２は、平坦面１４を囲むように配置されている。本実施形態において、平坦面１４と下面４２とは同一面内に形成される。本実施形態において、液浸部材６の下面７は、平坦面１４及び下面４２を含む。

なお、下面４２は、平坦面１４の周囲の一部に配置されていてもよい。例えば、下面４２が、光路に対してＹ軸方向両側の一部に配置されてもよいし、Ｘ軸方向両側の一部に配置されてもよい。また、下面４２が、平坦面１４の周囲において、任意の複数位置に設けられてもよい。

複数の孔４５のそれぞれは、上面４１と下面４２との間に形成され、上面４１と下面４２とを貫通するように形成されている。本実施形態において、孔４５は、上面４１と下面４２との間を、Ｚ軸方向とほぼ平行に貫通する。液体ＬＱは、孔４５を流通可能である。上面４１及び下面４２の一方に配置された孔４５の開口に流入した液体ＬＱは、他方に配置された孔４５の開口より流出可能である。

本実施形態において、下面４２は、上面４１、及び孔４５の内面の少なくとも一方より、液体ＬＱに対して撥液性である。本実施形態において、下面４２は、上面４１及び孔４５の内面より、液体ＬＱに対して撥液性である。液体ＬＱに対する下面４２の接触角は、例えば９０度以上である。一方、液体ＬＱに対する上面４１の接触角、及び液体ＬＱに対する孔４５の内面の接触角は、９０度より小さい。本実施形態において、上面４１及び孔４５の内面は液体ＬＱに対して親液性である。

本実施形態において、下面４２は、液体ＬＱに対して撥液性の膜５０の表面で形成されている。本実施形態において、膜５０を形成する材料は、フッ素を含むフッ素系材料である。本実施形態において、膜５０は、ＰＦＡ（Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）の膜である。なお、膜５０が、ＰＴＦＥ（Poly tetra fluoro ethylene）、ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）、テフロン（登録商標）等の膜でもよい。

上面４１及び孔４５の内面は、チタンの表面で形成されている。本実施形態において、液体ＬＱに対する上面４１の接触角と、液体ＬＱに対する孔４５の内面の接触角とは、ほぼ等しい。なお、液体ＬＱに対する上面４１の接触角と、液体ＬＱに対する孔４５の内面の接触角とが、異なってもよい。また、上面４１、及び孔４５の内面の少なくとも一方が、膜５０とは異なる材料で形成された膜の表面を含んでもよい。

なお、多孔部材３１を液体ＬＱに対して撥液性の材料で形成し、上面４１及び孔４５の内面の少なくとも一方が、下面４２よりも親液性の膜の表面を含んでもよい。

また、本実施形態においては、下面４２は、平坦面１４より液体ＬＱに対して撥液性である。本実施形態において、液体ＬＱに対する平坦面１４の接触角は９０°より小さい。本実施形態において、平坦面１４は、液体ＬＱに対して親液性である。本実施形態において、平坦面１４は、チタンの表面で形成されている。本実施形態において、プレート部１２は、チタンで形成されており、上面１３及び平坦面１４のそれぞれが、チタンの表面で形成されている。なお、平坦面１４が、例えばステンレスの表面で形成されていてもよい。また、平坦面１４が、膜５０とは異なる材料で形成された膜の表面を含んでもよい。

図２に示すように、本実施形態においては、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収するとき、回収流路１８が液体ＬＱで満たされ、上面４１は、回収流路１８に存在する液体ＬＱと接触する。また、本実施形態において、制御装置４は、液体回収装置２２を制御して、回収流路１８を所定の負圧に調整する。本実施形態においては、露光装置ＥＸは、チャンバ装置（不図示）の内部空間に配置されており、チャンバ装置は、その内部空間をほぼ大気圧に調整する。したがって、本実施形態において、下面４２と基板Ｐとの間の圧力は、ほぼ大気圧である。制御装置４は、回収流路１８の圧力が、液浸部材６が配置されている内部空間の圧力（大気圧）より低くなるように調整する。

制御装置４は、液体回収装置２２を作動して、回収流路１８を負圧にして、上面４１と下面４２との間に圧力差を発生させることによって、下面４２と対向する基板Ｐ上の液体ＬＱの少なくとも一部を、多孔部材３１を介して回収する。下面４２と接触した基板Ｐ上の液体ＬＱは、多孔部材３１の孔４５を介して、回収流路１８に回収される。回収流路１８に回収された液体ＬＱは、流路２１を介して、液体回収装置２２に回収される。

本実施形態において、制御装置４は、多孔部材３１を介して回収流路１８に液体ＬＱのみが吸引されるように、すなわち、多孔部材３１を介して回収流路１８に気体が流入しないように、液体回収装置２２を制御して、回収流路１８の圧力を調整する。制御装置４は、回収流路１８に液体ＬＱのみが吸引されるように、回収流路１８の圧力を調整して、上面４１と下面４２との圧力差を調整する。

制御装置４は、液体ＬＱ、及び多孔部材３１に応じて、回収流路１８の圧力を調整する。例えば、多孔部材３１の孔４５の径、液体ＬＱに対する孔４５の内面の接触角、及び液体ＬＱの表面張力等に応じて、回収流路１８の圧力を調整する。制御装置４は、液体ＬＱ、及び多孔部材３１に応じて、回収流路１８の圧力を調整することによって、多孔部材３１を介して、回収流路１８に液体ＬＱのみを流入させることができる。なお、多孔部材の一側と他側との圧力差を調整して、多孔部材の一側から他側へ液体ＬＱのみを通過させる技術は、例えば米国特許第７２９２３１３号明細書、国際公開第２００６／１０６９０７号パンフレット等に開示されている。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを液浸露光する方法について説明する。

液浸空間ＬＳを形成するために、制御装置４は、供給口１５を用いて、終端光学素子５から射出される露光光ＥＬの光路に液体ＬＱを供給する。液体ＬＱを供給するときには、制御装置４は、射出面９及び下面７と対向する位置に、基板Ｐ（基板ステージ２）等の物体を配置する。液体供給装置２０から送出された液体ＬＱは、流路１９及び供給流路１６を介して供給口１５に供給される。供給口１５は、射出面９と上面１３との間の空間に液体ＬＱを供給する。液体ＬＱは、射出面９と上面１３との間の空間を流れ、開口１０を介して、液浸部材６の下面７と基板Ｐの表面との間の空間に流入し、その下面７と基板Ｐの表面との間に保持される。これにより、露光光ＥＬを射出する終端光学素子５の射出面９と、その射出面９と対向する基板Ｐの表面との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

また、本実施形態においては、制御装置４は、供給口１５による液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口１７による液体ＬＱの回収動作を実行することによって、液浸空間ＬＳを形成する。回収口１７に配置されている多孔部材３１の下面４２と接触した基板Ｐ上の液体ＬＱの少なくとも一部は、多孔部材３１の孔４５を介して回収される。

液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置４は、基板Ｐの露光を開始する。制御装置４は、射出面９及び下面７と基板Ｐの表面との間に液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成した状態で、終端光学素子５及び液浸部材６に対して、基板ＰをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液体ＬＱとを介して露光光ＥＬを基板Ｐに照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。

本実施形態においては、基板Ｐの表面と対向する多孔部材３１の下面４２が液体ＬＱに対して撥液性なので、その下面４２の汚染が抑制される。

例えば、下面４２が液体ＬＱに対して親液性である場合、下面４２が汚染される可能性が高くなる。なお、下面４２が液体ＬＱに対して親液性であることは、液体ＬＱに対する下面４２の接触角が９０度より小さいことを含む。下面４２が液体ＬＱに対して親液性である場合、例えば基板Ｐの露光中に基板Ｐから放出され、汚染物（異物、パーティクル）として液浸空間ＬＳの液体ＬＱ中に混入した物質（例えば感光材等の有機物）、あるいは空中（液浸部材６が配置された空間）から液体ＬＱ中に混入した汚染物が、その液体ＬＱと接触した下面４２に付着する可能性が高くなる。また、液体ＬＱが下面４２に残留しやすくなるため、下面４２に残留した液体ＬＱ中の異物が下面４２に付着する可能性も高くなる。

本実施形態においては、下面４２が液体ＬＱに対して撥液性なので、下面４２に汚染物が付着することが抑制される。すなわち、下面４２は撥液性なので、液体ＬＱと接触しても、その液体ＬＱ中に存在する汚染物が下面４２に付着することが抑制される。

また、下面４２に汚染物が付着したとしても、その汚染物は、下面４２に留まらずに、下面４２から離れ、多孔部材３１の孔４５を介して回収される可能性が高い。したがって、下面４２に汚染物が付着し続けたり、下面４２において汚染物が凝集（成長）したりすることが抑制される。したがって、その汚染物が基板Ｐの表面に付着したり、基板ステージ２の上面２Ｔに付着したり、供給口１５から供給された液体ＬＱを汚染したり、露光光ＥＬの光路上に移動したりすることが抑制される。

以上説明したように、本実施形態によれば、基板Ｐの表面と対向する多孔部材３１の下面４２が液体ＬＱに対して撥液性なので、下面４２の汚染を抑制することができる。そのため、基板Ｐの表面、あるいは基板ステージ２の上面２Ｔに汚染物（異物）が付着したり、供給された液体ＬＱが汚染されたりすることを抑制することができる。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。

また、液浸部材６の下面７に、液浸空間ＬＳの液体ＬＱとほぼ常に接触する第１領域と、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触する状態と接触しない状態とを繰り返す第２領域と、液浸空間ＬＳの液体ＬＱとほとんど接触しない第３領域とが含まれる場合、第２領域及び第３領域の少なくとも一方は、第１領域より汚染されやすくなる可能性がある。本実施形態においては、第１領域が平坦面１４に形成され、第２領域及び第３領域が下面４２に形成される可能性が高いが、下面４２が平坦面１４より液体ＬＱに対して撥液性なので、その下面４２の汚染が抑制される。

また、本実施形態においては、孔４５の内面及び上面４１は、液体ＬＱに対して親液性である。なお、孔４５の内面及び上面４１が液体ＬＱに対して親液性であることは、液体ＬＱに対する孔４５の内面及び上面４１の接触角が９０度より小さいことを含む。孔４５の内面及び上面４１が液体ＬＱに対して親液性なので、制御装置４は、回収流路１８の圧力を調整して、多孔部材３１を介して回収流路１８に液体ＬＱのみを円滑に吸引させることができる。

本実施形態によれば、孔４５の内面は、液体ＬＱに対して親液性であるが、孔４５の内面が撥液性であってもよい。すなわち、孔４５の内面が下面４２よりも液体ＬＱに対して撥液性、あるいは孔４５の内面と下面４２とが液体ＬＱに対してほぼ同じ撥液性であってもよい。

また、多孔部材３１を介して液体ＬＱが気体とともに回収流路１８に流入するようにしてもよい。この場合、上面４１，下面４２，及び孔４５の内面のすべてが液体ＬＱに対して撥液性であってもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図４は、第２実施形態に係る液浸部材６Ｂの近傍を示す側断面図である。図４に示すように、回収口１７には、多孔部材３１Ｂが配置されている。多孔部材３１Ｂは、液体ＬＱを回収するための回収流路１８に面する上面４１Ｂと、上面４１Ｂと異なる方向を向く下面４２Ｂと、上面４１Ｂと下面４２Ｂとを結ぶ複数の孔４５Ｂとを有する。多孔部材３１Ｂは、チタンで形成されている。なお、多孔部材３１Ｂが、ステンレスで形成されてもよい。

多孔部材３１の下面４２Ｂは、平坦面１４の周囲の少なくとも一部に配置されている。本実施形態において、下面４２Ｂは、平坦面１４を囲むように配置されている。本実施形態において、平坦面１４と下面４２Ｂとは同一面内に形成される。本実施形態において、液浸部材６の下面７Ｂは、平坦面１４及び下面４２Ｂを含む。なお、下面４２Ｂが、平坦面１４の周囲の一部に配置されていてもよい。

孔４５Ｂは、上面４１Ｂと下面４２Ｂとの間に形成され、上面４１Ｂと下面４２Ｂとを貫通するように形成されている。孔４５Ｂは、上面４１Ｂと下面４２Ｂとの間を、Ｚ軸方向とほぼ平行に貫通する。

本実施形態において、下面４２Ｂの表面粗さは、上面４１Ｂ及び多孔部材３１Ｂの孔４５Ｂの内面の少なくとも一方の表面粗さより小さい。本実施形態においては、下面４２Ｂの表面粗さは、上面４１Ｂ及び孔４５Ｂの内面の表面粗さより小さい。

なお、下面４２Ｂの表面粗さが、上面４１Ｂの表面粗さより小さく、且つ、孔４５Ｂの内面の表面粗さより大きくてもよい。また、下面４２Ｂの表面粗さが、上面４１Ｂの表面粗さより大きく、且つ、孔４５Ｂの内面の表面粗さより小さくてもよい。

本実施形態において、下面４２Ｂは、鏡面研磨されている。下面４２Ｂと対向する基板Ｐ上の液体ＬＱは、多孔部材３１Ｂの孔４５Ｂを介して回収される。

以上説明したように、本実施形態によれば、基板Ｐの表面と対向する多孔部材３１Ｂの下面４２Ｂの表面粗さが十分小さいので、下面４２Ｂの汚染を抑制することができる。すなわち、下面４２Ｂの表面粗さが十分に小さいので、その下面４２Ｂに液体ＬＱ中の汚染物（異物）が付着することが抑制される。また、下面４２Ｂに汚染物が付着したとしても、その汚染物は、下面４２Ｂに留まらずに、下面４２Ｂから離れ、多孔部材３１Ｂの孔４５Ｂを介して回収される可能性が高い。そのため、下面４２Ｂの汚染が抑制される。したがって、本実施形態においても、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。

また、本実施形態においても、下面４２Ｂを、上面４１Ｂ及び孔４５Ｂの内面の少なくとも一方より、液体ＬＱに対して撥液性とすることができる。例えば、下面４２Ｂを、上面４１Ｂ及び孔４５Ｂの内面より液体ＬＱに対して撥液性にすることができる。例えば、下面４２Ｂを撥液性の膜の表面で形成してもよいし、上面４１Ｂ及び孔４５Ｂの内面の少なくとも一方を、液体ＬＱに対する接触角を調整するための膜の表面で形成してもよい。こうすることにより、より一層、下面４２Ｂの汚染を抑制することができる。

また、本実施形態において、下面４２Ｂを、平坦面１４より液体ＬＱに対して撥液性とすることができる。 また、本実施形態においても、多孔部材３１を介して液体ＬＱが気体とともに回収流路１８に流入するようにしてもよい。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図５は、第３実施形態に係る液浸部材６Ｃの近傍を示す側断面図である。図５に示すように、本実施形態において、回収口１７と回収流路１８との間には第１多孔部材３１Ｃが配置され、回収口１７には、第２多孔部材３２Ｃが配置されている。第１多孔部材３１Ｃは、回収流路１８に面する上面４１Ｃと、上面４１Ｃと異なる方向を向く下面４２Ｃと、上面４１Ｃと下面４２Ｃとを結ぶ複数の孔４５Ｃとを有する。第２多孔部材３２Ｃは、第１多孔部材３１Ｃの第２面４２ＣとギャップＧを介して対向する上面４３Ｃと、上面４３Ｃと異なる方向を向く下面４４Ｃと、上面４３Ｃと下面４４Ｃとを結ぶ複数の孔４６Ｃとを有する。

第１多孔部材３１Ｃは、複数の小さい孔４５Ｃが形成されたプレート状の部材である。第２多孔部材３２Ｃは、複数の孔４６Ｃが形成されたプレート状の部材である。本実施形態において、第１多孔部材３１Ｃ及び第２多孔部材３２Ｃは、チタンで形成されている。なお、第１多孔部材３１Ｃ及び第２多孔部材３２Ｃの少なくとも一方が、ステンレスで形成されてもよい。また第１多孔部材３１Ｃと第２多孔部材３２Ｃとが異なる材料で形成されていてもよい。

本実施形態において、上面４１Ｃは、回収流路１８に面するように、上方向（＋Ｚ方向）を向いている。下面４２Ｃは、上面４１Ｃの逆方向（−Ｚ方向、下方向）を向いている。本実施形態において、上面４１Ｃと下面４２Ｃとは、ほぼ平行である。本実施形態において、上面４１Ｃと下面４２Ｃとは、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。

本実施形態において、上面４３Ｃは、下面４２Ｃと対向するように、上方向（＋Ｚ方向）を向いている。下面４４Ｃは、上面４３Ｃの逆方向（−Ｚ方向、下方向）を向いている。本実施形態において、上面４３Ｃと下面４４Ｃとは、ほぼ平行である。本実施形態において、上面４３Ｃと下面４４Ｃとは、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。

なお、上面４１Ｃと下面４２Ｃとが、非平行でもよい。また、上面４１ＣがＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、下面４２ＣがＸＹ平面に対して傾斜していてもよい。また、上面４１Ｃの少なくとも一部が曲面でもよいし、下面４２Ｃの少なくとも一部が曲面でもよい。また、上面４３Ｃと下面４４Ｃとが、非平行でもよい。また、下面４２Ｃと上面４３Ｃとが、非平行でもよい。また、上面４３ＣがＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、下面４４ＣがＸＹ平面に対して傾斜していてもよい。また、上面４３Ｃの少なくとも一部が曲面でもよいし、下面４４Ｃの少なくとも一部が曲面でもよい。

本実施形態において、第２多孔部材３２Ｃの下面４４Ｃは、平坦面１４の周囲の少なくとも一部に配置されている。本実施形態において、下面４４Ｃは、平坦面１４を囲むように配置されている。本実施形態において、平坦面１４と下面４４Ｃとは同一面内に形成される。本実施形態において、液浸部材６Ｃの下面７Ｃは、平坦面１４及び下面４４Ｃを含む。なお、下面４４Ｃが、平坦面１４の周囲の一部に配置されていてもよい。

孔４５Ｃは、上面４１Ｃと下面４２Ｃとの間に形成され、上面４１Ｃと下面４２Ｃとを貫通するように形成されている。孔４６Ｃは、上面４３Ｃと下面４４Ｃとの間に形成され、上面４３Ｃと下面４４Ｃとを貫通するように形成されている。

本実施形態において、下面４４Ｃの表面粗さは、上面４１Ｃ、下面４２Ｃ、及び上面４３Ｃの少なくとも一つの表面粗さより小さい。本実施形態においては、下面４４Ｃの表面粗さは、上面４１Ｃ、下面４２Ｃ、及び上面４３Ｃの表面粗さより小さい。

また、本実施形態において、下面４４Ｃの表面粗さは、第１多孔部材３１Ｃの孔４５Ｃの内面、及び第２多孔部材３２Ｃの孔４６Ｃの内面の少なくとも一方の表面粗さより小さい。本実施形態においては、下面４４Ｃの表面粗さは、孔４５Ｃの内面及び孔４６Ｃの内面の表面粗さより小さい。本実施形態においては、下面４４Ｃの表面粗さは、上面４１Ｃ、下面４２Ｃ、上面４３Ｃ、孔４５Ｃの内面、及び孔４６Ｃの内面の表面粗さより小さい。

本実施形態においては、下面４４Ｃは、鏡面研磨されている。また、本実施形態においては、上面４１Ｃ、下面４２Ｃ、及び上面４３Ｃは、鏡面研磨されていない。なお、上面４１Ｃ、下面４２Ｃ、及び上面４３Ｃの少なくとも一つが鏡面研磨されてもよい。

また、本実施形態において、上面４３Ｃと下面４４Ｃとの距離Ｄ２は、上面４１Ｃと下面４２Ｃとの距離Ｄ１より大きい。上面４１Ｃと下面４２Ｃとの距離Ｄ１は、第１多孔部材３１Ｃの厚みである。上面４３Ｃと下面４４Ｃとの距離Ｄ２は、第２多孔部材３２Ｃの厚みである。すなわち、本実施形態においては、第２多孔部材３２Ｃの厚みＤ２は、第１多孔部材３１Ｃの厚みＤ１より、大きい（厚い）。

図６は、第１多孔部材３１Ｃの一例を示す平面図、図７は、第２多孔部材３２Ｃの一例を示す平面図である。図６及び図７に示すように、本実施形態において、第１多孔部材３１Ｃの孔４５Ｃの大きさ（径）は、第２多孔部材３２Ｃの孔４６Ｃの大きさ（径）より小さい。なお、複数の孔４５Ｃのすべてが同じ大きさでなくてもよいし、複数の孔４６Ｃのすべてが同じ大きさでなくてもよい。また、第１多孔部材３１Ｃの孔４５Ｃの径が、第２多孔部材３２Ｃの孔４６Ｃの径より小さいことは、第１多孔部材３１Ｃの複数の孔４５Ｃのすべてが、第２多孔部材３２Ｃの複数の孔４６Ｃのより小さいことに限られない。例えば、第１多孔部材３１Ｃの複数の孔４５Ｃの径の平均が、第２多孔部材３２Ｃの複数の孔４６Ｃの径の平均より小さい場合も含む。あるいは第１多孔部材３１Ｃの複数の孔４５Ｃの中の最も小さい孔の径が、第２多孔部材３２Ｃの複数の孔４６Ｃの中の最も小さい孔の径より小さい場合も含む。

また、本実施形態においては、下面４２Ｃ（上面４１Ｃ）における孔４５Ｃの単位面積当たりの数は、下面４４Ｃ（上面４３Ｃ）における孔４６Ｃの単位面積当たりの数より多い。

なお、本実施形態において、ＸＹ平面内における孔４５Ｃ，４６Ｃの形状は、円形である。なお、ＸＹ平面内における孔４５Ｃ，４６Ｃの形状が、円形以外の形状、例えば５角形、６角形等の多角形でもよい。また、孔４５Ｃの形状と、孔４６Ｃの形状とが異なってもよい。

本実施形態においては、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収するとき、回収流路１８が液体ＬＱで満たされ、上面４１Ｃは、回収流路１８に存在する液体ＬＱと接触する。また、本実施形態において、制御装置４は、液体回収装置２２を制御して、回収流路１８を所定の負圧に調整する。本実施形態においては、露光装置ＥＸは、チャンバ装置（不図示）の内部空間に配置されており、チャンバ装置は、その内部空間をほぼ大気圧に調整する。したがって、本実施形態において、下面４４Ｃと基板Ｐとの間の圧力は、ほぼ大気圧である。制御装置４は、回収流路１８の圧力が、内部空間の圧力（大気圧）より低くなるように調整する。

制御装置４は、液体回収装置２２を作動して、回収流路１８を負圧にして、上面４１Ｃと下面４２Ｃとの間に圧力差を発生させることによって、すなわち上面４１Ｃと下面４４Ｃとの間に圧力差を発生させることによって、下面４４Ｃと対向する基板Ｐ上の液体ＬＱの少なくとも一部を、第１多孔部材３１Ｃ及び第２多孔部材３２Ｃを介して回収する。すなわち、制御装置４は、上面４１Ｃと下面４２Ｃとの間に圧力差を発生させて、下面４４Ｃと接触した液体ＬＱを、孔４６Ｃを介して、第１多孔部材３１Ｃと第２多孔部材３２Ｃとの間の空間に流入させることができる。第１多孔部材３１Ｃと第２多孔部材３２Ｃとの間において下面４２Ｃに接触した液体ＬＱは、第１多孔部材３１Ｃの孔４５Ｃを介して、回収流路１８に流入する。なお、第１多孔部材３１Ｃと第２多孔部材３２Ｃとの間は、液体ＬＱで満たされていてもよいし、液体ＬＱで形成される液体空間と気体空間とが混在していてもよい。

このように、本実施形態においては、下面４４Ｃと対向する基板Ｐ上の液体ＬＱは、第２多孔部材３２Ｃの孔４６Ｃを介して、第１多孔部材３１Ｃと第２多孔部材３２Ｃとの間の空間に流入する。第１多孔部材３１Ｃと第２多孔部材３２Ｃとの間の空間に流入し、下面４２Ｃに接触した液体ＬＱは、第１多孔部材３１Ｃの孔４５Ｃを介して、回収流路１８に回収される。回収流路１８に回収された液体ＬＱは、流路２１を介して、液体回収装置２２に回収される。

本実施形態において、制御装置４は、第１多孔部材３１Ｃを介して回収流路１８に液体ＬＱのみが吸引されるように、液体回収装置２２を制御して、回収流路１８の圧力を調整する。

制御装置４は、液体ＬＱ、及び第１多孔部材３１Ｃに応じて、回収流路１８の圧力を調整する。例えば、制御装置４は、第１多孔部材３１Ｃの孔４５Ｃの径、液体ＬＱに対する孔４５Ｃの内面の接触角、及び液体ＬＱの表面張力等に応じて、回収流路１８の圧力を調整することによって、第１多孔部材３１Ｃを介して、回収流路１８に液体ＬＱのみを流入させることができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、回収流路１８に面する第１多孔部材３１Ｃの汚染を抑制しつつ、物体（基板Ｐ）上の液体ＬＱを、第２多孔部材３２Ｃの孔４６Ｃ、及び第１多孔部材３１Ｃの孔４５Ｃを介して、回収することができる。本実施形態においては、第１多孔部材３１が、液浸部材６の下面７よりも物体（基板Ｐ）の表面から離れているので、例えば基板Ｐから発生した物質が、第１多孔部材３１Ｃに付着することが抑制される。さらに、第１多孔部材３１Ｃと物体（基板Ｐ）の表面との間には、第２多孔部材３２Ｃが配置されているので、例えば基板Ｐから発生した物質が、第１多孔部材３１Ｃの下面４２Ｃに付着することが抑制される。したがって、第１多孔部材３１Ｃの汚染によって、物体（基板Ｐ）が汚染されたり、液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱが汚染されたりするのを抑制できる。

また、本実施形態においては、第２多孔部材３２Ｃの孔４６Ｃは、第１多孔部材３１Ｃの孔４５Ｃよりも大きく、第２多孔部材３２Ｃの下面４４Ｃの表面粗さが十分に小さいので、第２多孔部材３２Ｃの汚染（異物の付着）が抑制される。したがって、第２多孔部材３２Ｃの汚染によって、第２多孔部材３２Ｃと対向する物体（基板Ｐ）が汚染されたり、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが汚染されたりすることも抑制される。

本実施形態においては、第１多孔部材３１Ｃを介して回収流路１８に液体ＬＱのみが流入するように、第１多孔部材３１Ｃの孔４５Ｃの大きさ、配置、数、及び液体ＬＱに対する孔４５Ｃの内面の撥液性等が決められている。したがって、その第１多孔部材３１Ｃの汚染が抑制されることによって、第１多孔部材３１Ｃの液体回収性能が維持される。また、第２多孔部材３２Ｃは、容易にメンテナンス可能（クリーニング可能、交換可能）な位置に配置されているので、第２多孔部材３２Ｃが汚染された場合には、その第２多孔部材３２Ｃを円滑にメンテナンスすることができる。

また、本実施形態においては、第１多孔部材３１Ｃの厚みＤ１は、第２多孔部材３２Ｃの厚みＤ２より薄い。これにより、孔４５Ｃを形成するための処理（加工）を円滑に実行することができる。すなわち、第１多孔部材３１Ｃの基材となるプレート部材の厚みが薄い場合、厚い場合に比べて、そのプレート部材に小さい孔４５Ｃを多数形成する処理を円滑に実行することができる。

また、第１多孔部材３１Ｃの孔４５Ｃの大きさ（寸法、サイズ）を小さくすることができるので、制御装置４は、回収流路１８の圧力を調整して、第１多孔部材３１を介して、回収流路１８に液体ＬＱのみを円滑に吸引させることができる。すなわち、第１多孔部材３１Ｃの孔４５Ｃの大きさが大きい場合、回収流路１８に液体ＬＱのみを吸引させることが困難になる可能性がある。本実施形態によれば、第１多孔部材３１Ｃの基材となる薄いプレート部材に小さい孔４５Ｃを円滑に形成することができ、その小さい第１多孔部材３１Ｃの孔４５Ｃを介して、回収流路１８に液体ＬＱのみを円滑に吸引させることができる。また、下面４２Ｃにおける孔４５Ｃの単位面積の数を多くすることによって、第２多孔部材３２Ｃの孔４６Ｃを介して第１多孔部材３１Ｃと第２多孔部材３２Ｃとの間の空間に流入した液体ＬＱを、第１多孔部材３１Ｃの孔４５Ｃを介して回収流路１８に円滑に流入させることができる。

また、本実施形態においては、第２多孔部材３２Ｃの厚みＤ２は、第１多孔部材３１Ｃの厚みＤ１より厚い。これにより、下面４４Ｃの表面粗さを小さくするための処理（加工）を円滑に実行することができる。すなわち、下面４４Ｃを鏡面研磨する場合、第２多孔部材３２Ｃの厚みＤ２が薄いと、鏡面研磨を円滑に実行することが困難となる可能性がある。本実施形態によれば、第２多孔部材３２Ｃの厚みＤ２は、少なくとも第１多孔部材３１Ｃの厚みＤ１より大きい（厚い）ので、第２多孔部材３２Ｃを円滑に鏡面研磨することができる。

上述のように本実施形態においては、第１多孔部材３１Ｃの孔４５Ｃは比較的小さく、汚染されやすい構造であるが、第１多孔部材３１Ｃと物体（基板Ｐ）との間には、第１多孔部材３１Ｃよりも汚染されにくい構造である第２多孔部材３２Ｃを配置しているので、第１多孔部材３１Ｃによって、物体（基板Ｐ）が汚染されたり、液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱが汚染されたりするのを抑制できる。また、第２多孔部材３２Ｃの汚染によって、第２多孔部材３２Ｃと対向する物体（基板Ｐ）が汚染されたり、液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱが汚染されたりすることも抑制できる。また、第１多孔部材３１Ｃは物体（基板Ｐ）から離れて配置されているが、汚染されにくい第２多孔部材３２Ｃの下面４４Ｃが物体（基板Ｐ）の表面と近接するように配置されているので、下面４４Ｃと物体（基板Ｐ）との間で液体ＬＱ（液浸空間ＬＳの界面ＬＧ）の動きを抑えられるので、液浸部材６Ｃの下面７Ｃと物体（基板Ｐ）の表面との間からの液体ＬＱの漏れ出しを抑制できる。また、本実施形態においては、下面４４Ｃと平坦面１４とが面一なので、液浸部材６Ｃの下面７Ｃ（例えば、下面４４Ｃと平坦面１４との境界部分）に汚染物（異物）が付着するのも防止できる。もちろん、下面４４Ｃと平坦面１４とが同一面内に形成されていなくてもよい。

なお、本実施形態においても、下面４４Ｃを、上面４１Ｃ、下面４２Ｃ、及び上面４３Ｃの少なくとも一つより、液体ＬＱに対して撥液性とすることができる。例えば、下面４４Ｃを、上面４１Ｃ、下面４２Ｃ、及び上面４３Ｃより、液体ＬＱに対して撥液性とすることができる。

また、本実施形態において、下面４４Ｃを、第１多孔部材３１Ｃの孔４５Ｃの内面、及び第２多孔部材３２Ｃの孔４６Ｃの内面の少なくとも一方より、液体ＬＱに対して撥液性とすることができる。例えば、下面４４Ｃを、孔４５Ｃの内面、及び孔４６Ｃの内面より、液体ＬＱに対して撥液性とすることができる。

また、本実施形態において、下面４４Ｃを、平坦面１４より、液体ＬＱに対して撥液性とすることができる。

下面４４Ｃを、液体ＬＱに対して撥液性にすることによって、より一層、下面４４Ｃの汚染を抑制することができる。

なお、下面４４Ｃを、撥液性の膜の表面で形成することによって、下面４４Ｃを撥液性にしてもよいし、上面４１Ｃ、下面４２Ｃ、上面４３Ｃ、孔４５Ｃの内面、及び孔４６Ｃの内面の少なくとも一つを、液体ＬＱに対する接触角を調整するための膜の表面で形成してもよい。

なお、本実施形態において、第１多孔部材３１Ｃを介して液体ＬＱが気体とともに回収流路１８に流入するようにしてもよい。

また、本実施形態において、第１多孔部材３１Ｃと第２多孔部材３２Ｃとが同じ構造であってもよい。すなわち、孔の大きさ、孔の配置、厚みの少なくとも１つが、第１多孔部材３１Ｃと第２多孔部材３２Ｃとで同じであってもよい。

なお、上述の第１，第２，及び第３実施形態において、多孔部材（３１，３１Ｂ，３１Ｃ，３２Ｃ）としては、メッシュプレートに限られず、複数の孔が形成された部材を複数組み合わせて、網目状又はハニカム状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタでもよい。また、多孔部材（３１，３１Ｂ，３１Ｃ，３２Ｃ）として、多数の孔（pore）が形成された焼結部材（例えば、焼結金属）、発泡部材（例えば、発泡金属）等を用いてもよい。

また、上述の各実施形態において、射出面９の周囲の少なくとも一部に平坦面１４を配置し、平坦面１４の周囲の少なくとも一部に多孔部材（３１、３１Ｂ、３１Ｃ、３２Ｃ）を配置してもよい。この場合、平坦面１４が射出面９と同じ高さ、あるいは射出面９よりも上方（＋Ｚ側）に配置されてもよい。

また、上述の第１、第２，及び第３実施形態において、液浸部材（６，６Ｂ，６Ｃ）として、国際公開第２００８／１４３３５７号に開示されている液浸部材を用いることもできる。

なお、上述の各実施形態において、投影光学系ＰＬは、終端光学素子５の射出側（像面側）の光路を液体ＬＱで満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子５の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たす投影光学系を採用することもできる。

なお、上述の実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する感光材（フォトレジスト）の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル、セダー油等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６４００４４１号明細書、米国特許第６５４９２６９号明細書、米国特許第６５９０６３４号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

更に、例えば対応米国特許第６８９７９６３号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。計測ステージが終端光学素子の射出面及び液浸部材の下面と対向する位置に配置されることによって、終端光学素子及び液浸部材は、計測ステージとの間で液浸空間を形成することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計３Ａ、３Ｂを含む干渉計システム３を用いてマスクステージ１及び基板ステージ２の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージ１、２に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとしてもよい。

また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。

なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図８に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

２…基板ステージ、４…制御装置、６…液浸部材、１７…回収口、１８…回収流路、２２…液体回収装置、３１…多孔部材、３１Ｂ…多孔部材、３１Ｃ…第１多孔部材、３２Ｃ…第２多孔部材、４１…上面、４１Ｂ…上面、４１Ｃ…上面、４２…下面、４２Ｂ…下面、４２Ｃ…下面、４３Ｃ…上面、４４Ｃ…下面、４５…孔、４５Ｂ…孔、４５Ｃ…孔、４６Ｃ…孔、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、Ｐ…基板

Claims (26)

1. 液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、
   液体を回収するための回収流路と、
   前記回収流路に面する第１面、前記第１面と異なる方向を向く第２面、及び前記第１面と前記第２面とを結ぶ複数の孔を有する第１多孔部材と、
   前記第２面と所定のギャップを介して対向する第３面、前記第３面と異なる方向を向く第４面、及び前記第３面と前記第４面とを結ぶ複数の孔を有する第２多孔部材と、を備え、
   前記第１多孔部材及び前記第２多孔部材を介して、前記第４面と対向する物体上の液体を回収する液体回収システム。
2. 前記第４面の表面粗さは、前記第１面、前記第２面、及び前記第３面の少なくとも一つの表面粗さより小さい請求項１記載の液体回収システム。
3. 前記第４面の表面粗さは、前記第１多孔部材の孔の内面、及び前記第２多孔部材の孔の内面の少なくとも一方の表面粗さより小さい請求項１又は２記載の液体回収システム。
4. 前記第４面は、鏡面研磨されている請求項１〜３のいずれか一項記載の液体回収システム。
5. 前記第３面と前記第４面との距離は、前記第１面と前記第２面との距離より大きい請求項１〜４のいずれか一項記載の液体回収システム。
6. 前記第１多孔部材の孔の大きさは、前記第２多孔部材の孔の大きさより小さい請求項１〜５のいずれか一項記載の液体回収システム。
7. 前記第２面における前記孔の単位面積当たりの数は、前記第４面における前記孔の単位面積当たりの数より多い請求項６記載の液体回収システム。
8. 前記第４面は、前記第１面、前記第２面、及び前記第３面の少なくとも一つより前記液体に対して撥液性である請求項１〜７のいずれか一項記載の液体回収システム。
9. 前記第４面は、前記第１多孔部材の孔の内面、及び前記第２多孔部材の孔の内面の少なくとも一方より前記液体に対して撥液性である請求項１〜８のいずれか一項記載の液体回収システム。
10. 前記第４面は、前記露光光の光路の周囲に配置され、前記露光光が照射可能な位置に配置された物体の表面との間で液体を保持可能な平坦面の周囲の少なくとも一部に配置される請求項１〜９のいずれか一項記載の液体回収システム。
11. 前記第４面は、前記平坦面より前記液体に対して撥液性である請求項１０記載の液体回収システム。
12. 液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、
    液体を回収するための回収流路と、
    前記回収流路に面する第１面、前記第１面と異なる方向を向く第２面、及び前記第１面と前記第２面とを結ぶ複数の孔を有する多孔部材と、を備え、
    前記第２面の表面粗さは、前記第１面，及び前記孔の内面の少なくとも一方の表面粗さより小さく、
    前記多孔部材を介して、前記第２面と対向する物体上の液体を回収する液体回収システム。
13. 前記第２面は、鏡面研磨されている請求項１２記載の液体回収システム。
14. 前記第２面は、前記露光光の光路の周囲に配置され、前記露光光が照射可能な位置に配置された物体の表面との間で液体を保持可能な平坦面の周囲の少なくとも一部に配置される請求項１３記載の液体回収システム。
15. 前記第２面は、前記平坦面より前記液体に対して撥液性である請求項１４記載の液体回収システム。
16. 前記第２面は、前記第１面、及び前記多孔部材の孔の内面の少なくとも一方より前記液体に対して撥液性である請求項１２〜１５のいずれか一項記載の液体回収システム。
17. 液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、
    液体を回収するための回収流路と、
    前記回収流路に面する第１面、前記第１面と異なる方向を向く第２面、及び前記第１面と前記第２面とを結ぶ複数の孔を有する多孔部材と、を備え、
    前記第２面は、前記第１面、及び前記多孔部材の孔の内面の少なくとも一方より前記液体に対して撥液性であり、
    前記多孔部材を介して、前記第２面と対向する物体上の液体を回収する液体回収システム。
18. 前記第２面は、前記露光光の光路の周囲に配置され、前記露光光が照射可能な位置に配置された物体の表面との間で液体を保持可能な平坦面の周囲の少なくとも一部に配置される請求項１７記載の液体回収システム。
19. 前記第２面は、前記平坦面より前記液体に対して撥液性である請求項１８記載の液体回収システム。
20. 液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、
    液体を回収するための回収流路と、
    前記回収流路に面する第１面、前記第１面と異なる方向を向く第２面、及び前記第１面と前記第２面とを結ぶ複数の孔を有する多孔部材と、を備え、
    前記第２面は、前記露光光の光路の周囲に配置され、前記露光光が照射可能な位置に配置された物体の表面との間で液体を保持可能な平坦面の周囲の少なくとも一部に配置され、
    前記第２面は、前記平坦面より前記液体に対して撥液性であり、
    前記多孔部材を介して、前記第２面と対向する物体上の液体を回収する液体回収システム。
21. 前記回収流路の圧力を調整する圧力調整装置を備え、
    前記圧力調整装置は、前記回収流路に液体のみが吸引されるように前記回収流路の圧力を調整する請求項１〜２０のいずれか一項記載の液体回収システム。
22. 前記物体は、前記基板を含む請求項１〜２１のいずれか一項記載の液体回収システム。
23. 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    請求項１〜２２のいずれか一項記載の液体回収システムを備える露光装置。
24. 請求項２３記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
25. 液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    前記露光光を射出する光学部材の射出面と、前記射出面と対向する前記基板との間の光路を液体で満たすことと、
    前記光学部材と前記液体とを介して前記基板に前記露光光を照射することと、
    請求項１〜２２のいずれか一項記載の液体回収システムを用いて、前記基板上の液体を回収することと、を含む露光方法。
26. 請求項２５記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。

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