JPH07183366A - 大型ガラス基板のエア吸着方法 - Google Patents
大型ガラス基板のエア吸着方法Info
- Publication number
- JPH07183366A JPH07183366A JP34630093A JP34630093A JPH07183366A JP H07183366 A JPH07183366 A JP H07183366A JP 34630093 A JP34630093 A JP 34630093A JP 34630093 A JP34630093 A JP 34630093A JP H07183366 A JPH07183366 A JP H07183366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- mounting table
- suction
- air
- entire surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 載置台2に対して大型ガラス基板11の全面を
確実に密着して安定に固定する。 【構成】 載置台2の表面に、載置される大型ガラス基
板11の中心点Oに関して対称的で、適当な間隔に配列さ
れた複数の方形の吸着溝21a 〜21d を設ける。載置台2
に載置されて周辺が上方に湾曲したガラス基板11を、そ
の中心点Oに近い吸着溝21a から遠い吸着溝21b,21c,21
d の順序で、適当なタイムラッグδtをなして順次にエ
ア吸着し、ガラス基板11の全面を載置台2に密着させ
る。 【効果】 大型ガラス基板11は、載置台2に安定に固定
されるので、位置ズレの発生が防止されるとともに、そ
の全面に対して露光装置の焦点を合焦することができ、
マスク板52のパターンが正確に投影露光される。
確実に密着して安定に固定する。 【構成】 載置台2の表面に、載置される大型ガラス基
板11の中心点Oに関して対称的で、適当な間隔に配列さ
れた複数の方形の吸着溝21a 〜21d を設ける。載置台2
に載置されて周辺が上方に湾曲したガラス基板11を、そ
の中心点Oに近い吸着溝21a から遠い吸着溝21b,21c,21
d の順序で、適当なタイムラッグδtをなして順次にエ
ア吸着し、ガラス基板11の全面を載置台2に密着させ
る。 【効果】 大型ガラス基板11は、載置台2に安定に固定
されるので、位置ズレの発生が防止されるとともに、そ
の全面に対して露光装置の焦点を合焦することができ、
マスク板52のパターンが正確に投影露光される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶パネル用の方形
の大型ガラス基板を、載置台に対してエア吸着する方法
に関する。
の大型ガラス基板を、載置台に対してエア吸着する方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶技術の進歩により、大型の液晶パネ
ルが開発されて各方面に多用されている。液晶パネルの
製作においては、ガラス基板をベースとし、その表面に
微小な画素をマトリックス状に多数形成する工程があ
る。これを図2と図3により説明する。図2において、
大型の液晶パネル1に対するガラス基板11は、縦横の寸
法wY,wX が、例えば300mm,400mmの方形を
なし、その厚さdは約1mmである。ガラス基板11の表
面にはフォトリソグラフ法により、微小な薄膜トランジ
スタや、抵抗、コンデンサ、画素電極などが形成されて
各画素12が構成される。図3は、ガラス基板11の表面に
各画素12を形成する露光装置の概略の構成を示す。ガラ
ス基板11を載置する載置台2は、その表面の適当な位置
に方形をなす吸着溝21が穿溝され、吸着溝21は貫通孔22
を通してエア吸引部3に結合されている。また、載置台
2の下部に設けられ、これをX,Y,Z方向に移動し、
またはθ回転する移動回転機構4と、載置台2の上部に
設けられ、露光光学系51とマスク板52よりなる露光部5
を具備する。
ルが開発されて各方面に多用されている。液晶パネルの
製作においては、ガラス基板をベースとし、その表面に
微小な画素をマトリックス状に多数形成する工程があ
る。これを図2と図3により説明する。図2において、
大型の液晶パネル1に対するガラス基板11は、縦横の寸
法wY,wX が、例えば300mm,400mmの方形を
なし、その厚さdは約1mmである。ガラス基板11の表
面にはフォトリソグラフ法により、微小な薄膜トランジ
スタや、抵抗、コンデンサ、画素電極などが形成されて
各画素12が構成される。図3は、ガラス基板11の表面に
各画素12を形成する露光装置の概略の構成を示す。ガラ
ス基板11を載置する載置台2は、その表面の適当な位置
に方形をなす吸着溝21が穿溝され、吸着溝21は貫通孔22
を通してエア吸引部3に結合されている。また、載置台
2の下部に設けられ、これをX,Y,Z方向に移動し、
またはθ回転する移動回転機構4と、載置台2の上部に
設けられ、露光光学系51とマスク板52よりなる露光部5
を具備する。
【0003】上記の露光装置の露光作業においては、表
面に所定の材料の薄膜が成膜されたガラス基板11を載置
台2に載置し、エア吸引部3を動作してエアAを吸引す
ると、ガラス基板11は吸着溝21により載置台2にエア吸
着される。移動機構4によりガラス基板11をXまたはY
移動、またはθ回転して、所定の範囲を露光光学系51に
対応させて位置合わせし、さらにZ移動してマスク板52
をガラス基板11に合焦させた後、露光光学系51により投
影露光がなされる。
面に所定の材料の薄膜が成膜されたガラス基板11を載置
台2に載置し、エア吸引部3を動作してエアAを吸引す
ると、ガラス基板11は吸着溝21により載置台2にエア吸
着される。移動機構4によりガラス基板11をXまたはY
移動、またはθ回転して、所定の範囲を露光光学系51に
対応させて位置合わせし、さらにZ移動してマスク板52
をガラス基板11に合焦させた後、露光光学系51により投
影露光がなされる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】さて、大型の液晶パネ
ル1に対するガラス基板11は、前記したように縦横の寸
法wY:300mm,wX;400mmに対して、厚さdが
約1mmと薄いために湾曲し易い。またこれが載置台2
に載置されると、その表面の薄膜の性質により上方に
凹、下方に凸に湾曲する特徴がある。図4は載置台2に
載置されて湾曲したガラス基板11を示し、図示のように
湾曲したガラス基板11は、中心部分のみが載置台2に接
触して外方は離間しているので、吸着溝21の部分のみが
吸着され、他の部分は吸着されず不安定であって、移動
の際に位置ズレが生ずるおそれがある。さらに、外方に
なるほど離間が大きいので、マスク板52がガラス基板11
の全面に対して合焦せず、従って正確に転写されない欠
点がある。この発明は以上に鑑みてなされたもので、載
置台2に対して大型ガラス基板11の全面を確実に密着し
て安定化し、かつ全面をマスク板52に合焦できるエア吸
着方法を提供することを目的とする。
ル1に対するガラス基板11は、前記したように縦横の寸
法wY:300mm,wX;400mmに対して、厚さdが
約1mmと薄いために湾曲し易い。またこれが載置台2
に載置されると、その表面の薄膜の性質により上方に
凹、下方に凸に湾曲する特徴がある。図4は載置台2に
載置されて湾曲したガラス基板11を示し、図示のように
湾曲したガラス基板11は、中心部分のみが載置台2に接
触して外方は離間しているので、吸着溝21の部分のみが
吸着され、他の部分は吸着されず不安定であって、移動
の際に位置ズレが生ずるおそれがある。さらに、外方に
なるほど離間が大きいので、マスク板52がガラス基板11
の全面に対して合焦せず、従って正確に転写されない欠
点がある。この発明は以上に鑑みてなされたもので、載
置台2に対して大型ガラス基板11の全面を確実に密着し
て安定化し、かつ全面をマスク板52に合焦できるエア吸
着方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、大型ガラス
基板のエア吸着方法であって、前記の露光装置におい
て、載置台の表面に、載置されるガラス基板の中心点に
関して対称的で、適当な間隔に配列された複数の方形の
吸着溝を設ける。載置台に載置されて周辺が上方に湾曲
した大型ガラス基板を、その中心点に近い吸着溝から遠
い吸着溝の順序で、適当なタイムラッグをなして順次に
エア吸着し、その全面を載置台に密着させるものであ
る。
基板のエア吸着方法であって、前記の露光装置におい
て、載置台の表面に、載置されるガラス基板の中心点に
関して対称的で、適当な間隔に配列された複数の方形の
吸着溝を設ける。載置台に載置されて周辺が上方に湾曲
した大型ガラス基板を、その中心点に近い吸着溝から遠
い吸着溝の順序で、適当なタイムラッグをなして順次に
エア吸着し、その全面を載置台に密着させるものであ
る。
【0006】
【作用】上記のエア吸着方法においては、載置台の表面
に配列された複数の方形の吸着溝は、載置される大型ガ
ラス基板の中心点に関して対称的で、適当な間隔をなし
ている。載置台に載置された大型ガラス基板は、前記し
たように周辺が上方に湾曲しており、その中心点に近い
吸着溝から遠い吸着溝の順序で、適当なタイムラッグを
なして順次にエア吸着すると、その全面が載置台に確実
に密着し、安定に固定されて位置ズレが生じない。この
場合、もし上記と反対に、中心点から遠い吸着溝から近
い吸着溝の順序とすると、大型ガラス基板は周辺部が先
に吸着されて中心部が離間し、この部分に対する吸着溝
の吸引力が良好に作用しないので、吸着順序としては上
記のように中心点に近い吸着溝を先に動作させることが
この発明の特徴である。
に配列された複数の方形の吸着溝は、載置される大型ガ
ラス基板の中心点に関して対称的で、適当な間隔をなし
ている。載置台に載置された大型ガラス基板は、前記し
たように周辺が上方に湾曲しており、その中心点に近い
吸着溝から遠い吸着溝の順序で、適当なタイムラッグを
なして順次にエア吸着すると、その全面が載置台に確実
に密着し、安定に固定されて位置ズレが生じない。この
場合、もし上記と反対に、中心点から遠い吸着溝から近
い吸着溝の順序とすると、大型ガラス基板は周辺部が先
に吸着されて中心部が離間し、この部分に対する吸着溝
の吸引力が良好に作用しないので、吸着順序としては上
記のように中心点に近い吸着溝を先に動作させることが
この発明の特徴である。
【0007】
【実施例】図1はこの発明の一実施例を示し、(a) は複
数の吸着溝を設けた載置台2の平面および断面図、(b)
はエア制御部6の構成図、(c) はエア制御部6の各制御
信号Sのタイミングを示す信号波形図である。図1(a)
において、載置台2の表面には、複数(この場合は4
個)の方形の吸着溝21a 〜21d が中心点Oに関して対称
的に、適当な間隔dをなして設けられ、吸着溝21a 〜21
d は内部の貫通孔22a 〜22d により、それぞれの出力端
23a 〜23d に接続される。なお、この場合は吸着溝の個
数を4個としたが、ガラス基板11の大きさに応じて個数
を増加または減少する。次に図(b) に示すエア制御部6
は、各出力端23a 〜23d と従来のエア吸引部3との間に
それぞれ接続された電磁弁61a 〜61d と、これらに対し
て制御信号Sa 〜Sd を出力する制御回路62とにより構
成される。
数の吸着溝を設けた載置台2の平面および断面図、(b)
はエア制御部6の構成図、(c) はエア制御部6の各制御
信号Sのタイミングを示す信号波形図である。図1(a)
において、載置台2の表面には、複数(この場合は4
個)の方形の吸着溝21a 〜21d が中心点Oに関して対称
的に、適当な間隔dをなして設けられ、吸着溝21a 〜21
d は内部の貫通孔22a 〜22d により、それぞれの出力端
23a 〜23d に接続される。なお、この場合は吸着溝の個
数を4個としたが、ガラス基板11の大きさに応じて個数
を増加または減少する。次に図(b) に示すエア制御部6
は、各出力端23a 〜23d と従来のエア吸引部3との間に
それぞれ接続された電磁弁61a 〜61d と、これらに対し
て制御信号Sa 〜Sd を出力する制御回路62とにより構
成される。
【0008】以下図1に図3を併用して、上記の載置台
2に対する大型ガラス基板11のエア吸着動作を説明す
る。載置台2に載置された大型ガラス基板11は、前記し
た図4のように周辺が上方に湾曲している。ここで、各
電磁弁61a 〜61d に対して制御回路62より、(c) に示す
ように、制御信号Sa,Sb,Sc,Sd の順序で、タイムラ
ッグδtをなして供給すると、まず電磁弁61a が動作し
て吸着溝21a によりガラス基板11の中心部が吸着され、
ついで電磁弁61b,61c,61d が順序に動作して周辺部まで
が吸着され、全面が載置台2に確実に密着して載置台2
に固定される。なお、上記における各制御信号Sa 〜S
d のタイムラッグδtは、試行実験により適切な値を決
定して制御回路62に設定する。ただし、場合によっては
制御部6を省略し、エア吸引部3により直接各吸着溝21
a 〜21d を動作して同時にエアを吸引する方法としても
よい。その理由は、各吸着溝21a 〜21d の吸引力は、載
置台2との離間距離に依存し、離間距離は中心部の吸着
溝21a が最も小さいために、その吸引力が最も大きく、
ガラス基板11は中心部がまず吸着され、離間距離が順次
に大きい吸着溝21b 〜21d の順序で遅れて吸着する、す
なわち自らタイムラッグδtの間隔で吸着するからであ
る。以上により載置台2に固定された大型ガラス基板11
は、移動機構4によりZ移動して、マスク板52のパター
ンがガラス基板11の全面に合焦し、その正確な映像が投
影露光されるものである。
2に対する大型ガラス基板11のエア吸着動作を説明す
る。載置台2に載置された大型ガラス基板11は、前記し
た図4のように周辺が上方に湾曲している。ここで、各
電磁弁61a 〜61d に対して制御回路62より、(c) に示す
ように、制御信号Sa,Sb,Sc,Sd の順序で、タイムラ
ッグδtをなして供給すると、まず電磁弁61a が動作し
て吸着溝21a によりガラス基板11の中心部が吸着され、
ついで電磁弁61b,61c,61d が順序に動作して周辺部まで
が吸着され、全面が載置台2に確実に密着して載置台2
に固定される。なお、上記における各制御信号Sa 〜S
d のタイムラッグδtは、試行実験により適切な値を決
定して制御回路62に設定する。ただし、場合によっては
制御部6を省略し、エア吸引部3により直接各吸着溝21
a 〜21d を動作して同時にエアを吸引する方法としても
よい。その理由は、各吸着溝21a 〜21d の吸引力は、載
置台2との離間距離に依存し、離間距離は中心部の吸着
溝21a が最も小さいために、その吸引力が最も大きく、
ガラス基板11は中心部がまず吸着され、離間距離が順次
に大きい吸着溝21b 〜21d の順序で遅れて吸着する、す
なわち自らタイムラッグδtの間隔で吸着するからであ
る。以上により載置台2に固定された大型ガラス基板11
は、移動機構4によりZ移動して、マスク板52のパター
ンがガラス基板11の全面に合焦し、その正確な映像が投
影露光されるものである。
【0009】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明によるエ
ア吸着方法によれば、載置台に載置されて周辺が上方に
湾曲した大型ガラス基板は、その全面が載置台に密着さ
れて安定に固定されるもので、これにより位置ズレが防
止されるとともに、その全面に対して露光装置の焦点が
合焦されて、マスク板のパターンが正確に投影露光でき
る効果には大きいものがある。
ア吸着方法によれば、載置台に載置されて周辺が上方に
湾曲した大型ガラス基板は、その全面が載置台に密着さ
れて安定に固定されるもので、これにより位置ズレが防
止されるとともに、その全面に対して露光装置の焦点が
合焦されて、マスク板のパターンが正確に投影露光でき
る効果には大きいものがある。
【図1】 この発明の一実施例を示し、(a) は複数の吸
着溝を設けた載置台2の平面および断面図、(b) はエア
制御部6の構成図、(c) はエア制御部6の各制御信号S
のタイミングを示す信号波形図である。
着溝を設けた載置台2の平面および断面図、(b) はエア
制御部6の構成図、(c) はエア制御部6の各制御信号S
のタイミングを示す信号波形図である。
【図2】 大型の液晶パネル1に対するガラス基板11の
外観寸法図である。
外観寸法図である。
【図3】 ガラス基板11に対する露光装置の概略の構成
図である。
図である。
【図4】 載置台2に載置されて湾曲したガラス基板11
の説明図である。
の説明図である。
1…大型液晶パネル、11…大型ガラス基板、12…画素、
2…載置台、21,21a〜21d …吸着溝、22,22a〜22d …貫
通孔、23a 〜23d …出力端、3…エア吸引部、4…移動
回転機構、5…露光部、51…露光光学系、52…マスク
板、6…制御部、61a 〜61d …電磁弁、62…制御回路、
A…エア、Sa 〜Sd …制御信号、δt…タイムラッ
グ。
2…載置台、21,21a〜21d …吸着溝、22,22a〜22d …貫
通孔、23a 〜23d …出力端、3…エア吸引部、4…移動
回転機構、5…露光部、51…露光光学系、52…マスク
板、6…制御部、61a 〜61d …電磁弁、62…制御回路、
A…エア、Sa 〜Sd …制御信号、δt…タイムラッ
グ。
Claims (1)
- 【請求項1】 液晶パネル用の方形の大型ガラス基板を
対象とし、載置台に載置され、エア吸着された該ガラス
基板に対して、マスク板のパターンを転写する露光装置
において、前記載置台の表面に、前記載置されるガラス
基板の中心点に関して対称的で、適当な間隔に配列され
た複数の方形の吸着溝を設け、前記載置台に載置されて
周辺が上方に湾曲した大型ガラス基板を、該中心点に近
い吸着溝から遠い吸着溝の順序で、適当なタイムラッグ
をなして順次にエア吸着してその全面を前記載置台に密
着させることを特徴とする、大型ガラス基板のエア吸着
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34630093A JPH07183366A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 大型ガラス基板のエア吸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34630093A JPH07183366A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 大型ガラス基板のエア吸着方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07183366A true JPH07183366A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18382468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34630093A Pending JPH07183366A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 大型ガラス基板のエア吸着方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07183366A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0963984A (ja) * | 1995-08-18 | 1997-03-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置 |
JPH11125811A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Sharp Corp | 液晶表示素子の製造方法および液晶表示素子製造装置 |
JPH11150176A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持方法,基板保持装置及び基板処理方法 |
JP2004102215A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-04-02 | Hitachi Industries Co Ltd | 基板組立装置 |
KR100757286B1 (ko) * | 2005-01-19 | 2007-09-11 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 접합 기판 제조 장치 및 접합 기판 제조 방법 |
JP2008053572A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プリプレグシート固定装置とプリプレグシート固定方法及び多層プリント配線基板の製造方法 |
US7513949B2 (en) | 1995-07-19 | 2009-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and apparatus for producing semiconductor device |
WO2010071274A1 (en) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Secron Co., Ltd. | Apparatus for holding a wafer |
CN102608872A (zh) * | 2011-01-21 | 2012-07-25 | 株式会社拓普康 | 吸附台 |
JP2015038982A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-26 | Nskテクノロジー株式会社 | 基板の保持装置及び密着露光装置並びに近接露光装置 |
KR20160065017A (ko) * | 2014-11-28 | 2016-06-08 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유지 장치, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법 |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP34630093A patent/JPH07183366A/ja active Pending
Cited By (11)
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---|---|---|---|---|
US7513949B2 (en) | 1995-07-19 | 2009-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and apparatus for producing semiconductor device |
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WO2010071274A1 (en) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Secron Co., Ltd. | Apparatus for holding a wafer |
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