CN105607364A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105607364A
CN105607364A CN201510794982.0A CN201510794982A CN105607364A CN 105607364 A CN105607364 A CN 105607364A CN 201510794982 A CN201510794982 A CN 201510794982A CN 105607364 A CN105607364 A CN 105607364A
Authority
CN
China
Prior art keywords
peristome
display unit
inorganic insulating
secondary image
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510794982.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105607364B (zh
Inventor
冲田光隆
观田康克
日向野敏行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Central Inc
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Central Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Central Inc filed Critical Japan Display Central Inc
Publication of CN105607364A publication Critical patent/CN105607364A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105607364B publication Critical patent/CN105607364B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

本发明涉及一种显示装置，其技术课题为：当像素尺寸变小时，接触孔部相对于像素面积的面积比例变高且开口率变低，其中，接触孔部用于将像素电极与薄膜晶体管的漏电极连接起来。显示装置具有第一漏电极及第二漏电极、有机绝缘膜、形成在有机绝缘膜上的无机绝缘膜、形成在无机绝缘膜上的第一像素电极及第二像素电极。有机绝缘膜具有跨设于第一漏电极与第二漏电极的有机绝缘膜开口部。覆盖有机绝缘膜开口部的无机绝缘膜具有第一无机绝缘膜开口部及第二无机绝缘膜开口部。第一像素电极经由第一无机绝缘膜开口部而与第一漏电极连接。第二像素电极经由第二无机绝缘膜开口部而与第二漏电极连接。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，例如能够适用于具有将像素电极与源/漏电极连接起来的接触孔的显示装置。
背景技术
近几年，在面向智能手机或平板电脑(tablet)的液晶显示装置中高分辨率化得到发展，液晶显示装置的像素尺寸被精细化，且400ppi(pixelsperinch:每英寸像素数)以上的面板被产品化，也开发着600ppi等级的液晶显示装置。
作为与本发明相关的现有技术，存在日本特开2013-003200号公报或者与此对应的美国专利申请公开2012/0314169号说明书。
现有技术文献
专利文献
专利文献1日本特开2013-003200号公报
专利文献2美国专利申请公开2012/0314169号说明书
发明内容
当像素尺寸变小时，黑矩阵(覆盖栅极布线、信号布线、及用于将像素电极与薄膜晶体管(TFT)的漏电极连接起来的接触孔部等的遮光层)相对于像素面积的面积比例变高，开口率变低。因此，在高精细的液晶显示装置中，透射率变低，所以需要使背光源更明亮，功耗变大。此外，也存在将与像素电极连接的TFT的电极称为源电极的情况，但在本说明书中，称为漏电极。
其它的课题与新的特征将从本发明的记述及附图得以明确。
简单地说明本发明之中的代表性的概要如下。
即，显示装置具有阵列基板和对置基板。上述阵列基板具有第一漏电极及第二漏电极、信号线、形成在上述信号线上的有机绝缘膜、形成在上述有机绝缘膜上的无机绝缘膜、形成在上述无机绝缘膜上的第一像素电极及第二像素电极。上述有机绝缘膜具有跨设于上述第一漏电极和上述第二漏电极的有机绝缘膜开口部。覆盖上述有机绝缘膜开口部的上述无机绝缘膜具有第一无机绝缘膜开口部及第二无机绝缘膜开口部。上述第一像素电极经由上述第一无机绝缘膜开口部而与上述第一漏电极连接。上述第二像素电极经由上述第二无机绝缘膜开口部而与上述第二漏电极连接。
附图说明
图1是用于说明比较例1涉及的显示装置的俯视图。
图2是用于说明比较例1涉及的显示装置的剖视图。
图3是用于说明实施方式涉及的显示装置的俯视图。
图4是用于说明实施方式涉及的显示装置的剖视图。
图5是用于说明实施例1涉及的显示装置的俯视图。
图6是用于说明实施例1涉及的显示装置的剖视图。
图7是用于说明实施例1涉及的显示装置的剖视图。
图8是用于说明实施例1涉及的显示装置的俯视图。
图9是用于说明实施例1涉及的显示装置的剖视图。
图10是用于说明实施例2涉及的显示装置的俯视图。
图11是用于说明比较例2涉及的显示装置的俯视图。
图12是用于说明实施例2涉及的显示装置的俯视图。
图13是用于说明实施例2涉及的显示装置的剖视图。
附图标记说明
1显示面板
2驱动器IC
3背光源
10A阵列基板
12-1、12-2、12-3、12-4信号线
13-1、13-2、13-3漏电极
14有机绝缘膜
14C-1、14C-2、14C-3有机绝缘膜的开口部
16无机绝缘膜
16C-1、16C-2、16C-3无机绝缘膜的开口部
18像素电极
20A对置基板
30液晶层
40密封件
50A、50B偏振片
100显示装置
GL1、GL2、GL3扫描线
SL1、SL2、SL3、SL4、SL5、SL6、SL7、SL8、SL9信号线
具体实施方式
以下，参照附图说明实施方式、实施例及比较例。另外，本发明只不过是一个例子，在本领域技术人员中，关于具有发明的主旨的适当变更能够容易地想到的实施方式应当包含在本发明的范围中。另外，由于附图的作用是使说明更加明确，所以与实际的方式相比，存在关于各部分的宽度、厚度、形状等示意性地表示的情况，但只不过是一个例子，不限定本发明的解释。另外，在本说明书与各图中，关于出现过的图，对与上述相同的要素标注相同的附图标记，适当省略详细的说明。
＜比较例1＞
首先，使用图1及图2说明本申请发明者们所研究的技术(以下，称为比较例1。)。图1是表示比较例1涉及的显示装置的构成的俯视图，示出1个像素(3个副像素)的量。图2是图1的A-A′线的剖视图。
比较例1涉及的显示装置100R具有信号线12-1、12-2、12-3、和漏电极13-1、13-2、13-3、和形成在信号线12-1、12-2、12-3及漏电极13-1、13-2、13-3之上的有机绝缘膜14。显示装置100R还具有形成在有机绝缘膜14的开口部(接触孔)14C-1、14C-2、14C-3及有机绝缘膜14之上的无机绝缘膜16、和形成在无机绝缘膜16的开口部(接触孔)16C-1、16C-2、16C-3及无机绝缘膜16之上的像素电极18-1、18-2、18-3。即，在显示装置100R中，按每个副像素设置有机绝缘膜的开口部，并使像素电极与漏电极连接。另外，由于有机绝缘膜作为平坦化膜发挥作用，所以与无机绝缘膜相比形成得厚。在该像素构造中，当像素尺寸微细化而像素尺寸变小时，需要有机绝缘膜的开口部也变小。但是，有机绝缘膜的最小开口宽度不能像无机绝缘膜的最小开口宽度那样小，且由于需要漏电极与有机绝缘膜的最小开口宽度相比增大而导致开口率变低，从而在高精细像素中像素布局变得困难。
＜实施方式＞
使用图3及图4说明实施方式涉及的显示装置。图3是表示实施方式涉及的显示装置的构成的俯视图。图4是图3的A-A′线的剖视图。
实施方式涉及的显示装置100具有漏电极13-1、13-2、和形成在漏电极13-1、13-2之上的有机绝缘膜14、形成在有机绝缘膜14的开口部14C及有机绝缘膜14之上的无机绝缘膜16、和形成在无机绝缘膜16的开口部16C-1、16C-2及无机绝缘膜16之上的像素电极18-1、18-2。
即，在显示装置100中，以跨设于多个副像素的方式设置有机绝缘膜的开口部，并使像素电极与漏电极连接。在该像素构造中，即使像素尺寸被微细化且像素尺寸变小，也不需要使有机绝缘膜的开口部缩小。漏电极的大小比无机绝缘膜的最小开口宽度大即可。漏电极的Y方向的宽度既可以比有机绝缘膜的开口部14C的Y方向的宽度宽，也可以比有机绝缘膜的开口部14C的Y方向的宽度窄。如上述，由于无机绝缘膜的最小开口宽度能够比有机绝缘膜的最小开口宽度小，所以能够缩小漏电极的大小。因此，能够增大开口率，另外即使为像素间距变小的高精细像素也能够进行像素布局。
实施例1
使用图5～图9说明实施例1涉及的显示装置。图5是实施例1涉及的显示装置的整体俯视图。图6是图5的A-A′线的剖视图。图7是用于说明实施例1涉及的显示装置的像素、扫描线及信号线的配置的俯视图。图8是表示图7的A的部分的像素接触的俯视图，示出1个像素(3个副像素)的量。图9是图8的A-A′线的剖视图。
如图5及图6所示，实施例1涉及的显示装置100A具有显示面板1、驱动器IC2、背光源3。显示面板1具有阵列基板10A、对置基板20A、封入阵列基板10A与对置基板20A之间的液晶材料30。阵列基板10A与对置基板20A通过包围显示区域DA的环状的密封材料40粘接，液晶材料30密封在由阵列基板10A、对置基板20A、及密封材料40所包围的空间中。另外，在朝向阵列基板10A及对置基板20A的外侧的面，即与液晶材料30对置的面的背面分别设置有下偏振片50A及上偏振片50B。另外，显示区域DA由例如配置成矩阵状的多个像素的集合构成。阵列基板10A具有驱动由后述的沿Y方向延伸的信号线和沿X方向延伸的扫描线、像素电极，及未图示的由TFT形成扫描线的扫描电路等。对置基板20A具有未图示的黑矩阵和彩色滤光片等。驱动器IC2具有驱动未图示的信号线的电路等。
如图7所示，显示装置100A中存在由红色(R)的副像素、绿色(G)的副像素及白色(W)的副像素构成的第一像素和由红色的副像素、绿色的副像素及蓝色(B)的副像素构成的第二像素。由于显示装置100通过白色的副像素的追加而使透射率提高，所以将蓝色的副像素数的1/2替换为白色的副像素。第一像素的红色的副像素、绿色的副像素及白色的副像素在X方向上相邻配置。第二像素的红色的副像素、绿色的副像素及蓝色的副像素在X方向上相邻配置。第一像素与第二像素在X方向上交替地配置，第一像素与第二像素在Y方向上交替地配置。
红色的副像素、绿色的副像素、蓝色的副像素及白色的副像素具有分别与扫描线(栅极线)及信号线(源极线)连接的薄膜晶体管(TFT)。扫描线与TFT的栅电极连接，信号线与TFT的源电极连接。另外，有时也将信号线称为漏极线，将与漏极线连接的TFT的电极称为漏电极。红色的副像素与信号线SL1连接，绿色的副像素与信号线SL2连接，白色的副像素及蓝色的副像素与信号线SL3连接。
如图8及图9所示，显示装置100A的阵列基板10A具有信号线12-1(SL1)、12-2(SL2)、12-3(SL3)、漏电极13-1、13-2、13-3、以及形成在信号线12-1、12-2、12-3和漏电极13-1、13-2、13-3之上的有机绝缘膜14。阵列基板10A还具有形成在有机绝缘膜14的开口部(接触孔)14C及有机绝缘膜14之上的无机绝缘膜16、和形成在无机绝缘膜16的开口部(接触孔)16C-1、16C-2、16C-3及无机绝缘膜16之上的像素电极18-1、18-2、18-3。此外，阵列基板10A也具有与未图示的玻璃基板和漏电极连接的TFT、与TFT的栅电极连接的扫描线、配置在有机绝缘膜14与无机绝缘膜16之间的公共电极等。由于有机绝缘膜14作为平坦化膜发挥作用，所以与无机绝缘膜16相比形成得厚。信号线与未图示的TFT的源电极连接。
即，在显示装置100A中，以跨设于3个副像素(1个像素)的方式设置有机绝缘膜的开口部14C，并使漏电极13-1、13-2、13-3与像素电极18-1、18-2、18-3连接。在该像素构造中，即使像素尺寸被微细化且像素尺寸变小，也无需缩小有机绝缘膜的开口部。漏电极的大小比绝缘膜的最小开口宽度大即可。如上述，由于无机绝缘膜的最小开口宽度能够比有机绝缘膜的最小开口宽度小，所以能够缩小漏电极的大小。
虽然以跨设于3个副像素(1个像素)的方式设置有机绝缘膜的开口部14C，但也可以以跨设于多个像素或X方向的全部像素的方式设置有机绝缘膜的开口部14C。漏电极的Y方向的宽度虽然比有机绝缘膜的开口部14C的Y方向的宽度宽，但也可以比有机绝缘膜的开口部14C的Y方向的宽度窄。
实施例2
使用图10、图12及图13说明实施例2涉及的显示装置。图10是用于说明实施例2涉及的显示装置的像素、扫描线及信号线的配置的俯视图。图12是表示图7的A的部分的像素接触的俯视图，示出1个像素(3个副像素)的量。图13是图12的A-A′线的剖视图。
实施例2涉及的显示装置100B与实施例1涉及的显示装置100A和像素及信号线的配置不同，除此以外基本上为与显示装置100A相同的构成。如图10所示，显示装置100B存在由红色的副像素、绿色的副像素及白色的副像素构成的第一像素，和由红色的副像素、绿色的副像素及蓝色的副像素构成的第二像素。由于显示装置100B通过白色的副像素的追加而使透射率提高，所以将蓝色的副像素数的1/2替换成白色的副像素。绿色的副像素及红色的副像素各自的开口面积设为蓝色的副像素及白色的副像素的各自的开口面积的大约1/2。第一像素的红色的副像素和绿色的副像素在Y方向上相邻配置，红色的副像素及绿色的副像素和白色的副像素在X方向上相邻配置。第二像素的红色的副像素和绿色的副像素在Y方向上相邻配置，红色的副像素及绿色的副像素和蓝色的副像素在X方向上相邻配置。第一像素与第二像素在X方向上交替地配置，第一像素与第二像素在Y方向上交替地配置。
红色的副像素、绿色的副像素、蓝色的副像素及白色的副像素具有分别与扫描线(栅极线)及信号线(源极线)连接的薄膜晶体管(TFT)。扫描线与TFT的栅电极连接，信号线与TFT的源电极连接。此外，有时也将信号线称为漏极线，将与漏极线连接的TFT的电极称为漏电极。
配置于扫描线GL1与扫描线GL2之间的第一像素的红色的副像素及白色的副像素与扫描线GL1连接，绿色的副像素与扫描线GL2连接。另外，配置于扫描线GL1与扫描线GL2之间的第二像素的红色的副像素及蓝色的副像素与扫描线GL1连接，绿色的副像素与扫描线GL2连接。换言之，夹着扫描线GL2而相邻的第一像素的绿色的副像素及第二像素的红色的副像素与扫描线GL2连接。另外，夹着扫描线GL2而相邻的第二像素的绿色的副像素及第一像素的红色的副像素与扫描线GL2连接。夹着扫描线GL2而相邻的第一像素的白色的副像素与扫描线GL1连接，第二像素的蓝色的副像素与扫描线GL2连接。即，在Y方向上相邻的绿色的副像素和红色的副像素与相同的扫描线连接，在Y方向上相邻的白色的副像素和蓝色的副像素与不同的扫描线连接。
红色的副像素与信号线SL1连接，绿色的副像素与信号线SL2连接，白色的副像素及蓝色的副像素与信号线SL3连接。红色的副像素及绿色的副像素配置于信号线SL1与信号线SL2之间，白色的副像素及蓝色的副像素配置于信号线SL3与信号线SL4之间。换言之，配置于信号线SL1与信号线SL2之间的红色的副像素与信号线SL1连接，配置于信号线SL1与信号线SL2之间的绿色的副像素与信号线SL2连接。另外，配置于信号线SL3与信号线SL4之间的白色的副像素及蓝色的副像素与信号线SL3连接。此外，在信号线SL2与信号线SL3之间没有配置副像素。即，存在在副像素间配置1根信号线和在副像素间配置2根信号线。
＜比较例2＞
使用图11说明在实施例2涉及的显示装置的像素排列中与比较例1相同地设置有机绝缘膜的开口部的例子(以下，称为比较例2。)。图11是表示比较例2涉及的显示装置的构成的俯视图，示出1个像素(3个副像素)的量。
比较例2涉及的显示装置100S具有信号线12-1、12-2、12-3、12-4、漏电极13-1、13-2、13-3、和形成在信号线12-1、12-2、12-3及漏电极13-1、13-2、13-3之上的有机绝缘膜14。显示装置100S还具有形成在有机绝缘膜14的开口部14C-1、14C-2、14C-3及有机绝缘膜14之上的无机绝缘膜16、和形成在无机绝缘膜16的开口部16C-1、16C-2、16C-3及无机绝缘膜16之上的像素电极18-1、18-2、18-3。在信号线12-1与信号线12-2之间(SUBPIXCEL(1))具有漏电极13-1、13-2、有机绝缘膜14的开口部14C-1、14C-2、无机绝缘膜16的开口部16C-1、16C-2、和像素电极18-1、18-2。在信号线12-3与信号线12-4之间(SUBPIXCEL(2))具有漏电极13-3、有机绝缘膜14的开口部14C-3、无机绝缘膜16的开口部16C-3、和像素电极18-3。在显示装置100S的红色的副像素及绿色的副像素部(SUBPIXCEL(1))中，由于需要在1个像素宽度的大约1/2的宽度中设置两个有机绝缘膜的开口部14C-1、14C-2，所以与比较例1相比在高精细像素中，像素布局是困难的。
如图12及图13所示，实施例2涉及的显示装置100B的阵列基板具有信号线12-1(SL1)、12-2(SL2)、12-3(SL3)、漏电极13-1、13-2、13-3、和形成在信号线12-1、12-2、12-3及漏电极13-1、13-2、13-3之上的有机绝缘膜14。显示装置100B的阵列基板还具有形成在有机绝缘膜14的开口部14C、有机绝缘膜14的开口部(接触孔)14C-3及有机绝缘膜14之上的无机绝缘膜16、和形成在无机绝缘膜16的开口部16C-1、16C-2、16C-3及无机绝缘膜16之上的像素电极18-1、18-2、18-3。在信号线12-1与信号线12-2之间(SUBPIXCEL(1))具有漏电极13-1、13-2、有机绝缘膜14的开口部14C、无机绝缘膜16的开口部16C-1、16C-2、和像素电极18-1、18-2。在信号线12-3与信号线12-4之间(SUBPIXCEL(2))具有漏电极13-3、有机绝缘膜14的开口部14C-3、无机绝缘膜16的开口部16C-3、和像素电极18-3。此外，显示装置100B的阵列基板与显示装置100A相同，具有与未图示的玻璃基板和漏电极连接的TFT、与TFT的栅电极连接的扫描线、配置于有机绝缘膜14与无机绝缘膜16之间的公共电极等。信号线与未图示的TFT的源电极连接。显示装置100B的对置基板与显示装置100A相同，具有未图示的黑矩阵和彩色滤光片等。
即，在显示装置100B中，以跨设于2个副像素的方式设置有机绝缘膜的开口部14C，使漏电极13-1、13-2与像素电极18-1、18-2分别连接起来。在该像素构造中，即使像素尺寸精细化且像素尺寸缩小也无需缩小有机绝缘膜的开口部。漏电极的大小比无机绝缘膜的最小开口宽度大即可。如上述，由于无机绝缘膜的最小开口宽度能够比有机绝缘膜的最小开口宽度小，所以能够缩小漏电极的大小。
以跨设于2个副像素(1个像素)的方式设置有机绝缘膜的开口部14C，但也可以以跨设于3个副像素(1个像素)或多个像素、X方向的全部的像素的方式设置有机绝缘膜的开口部14C。漏电极的Y方向的宽度比有机绝缘膜的开口部14C的Y方向的宽度宽，但也可以比有机绝缘膜的开口部14C的Y方向的宽度窄。

Claims (20)

1.一种显示装置，具有阵列基板和对置基板，其特征在于，
所述阵列基板具有第一漏电极及第二漏电极、信号线、形成在所述信号线上的有机绝缘膜、形成在所述有机绝缘膜上的无机绝缘膜、和形成在所述无机绝缘膜上的第一像素电极及第二像素电极，
所述有机绝缘膜具有跨设于所述第一漏电极和所述第二漏电极的有机绝缘膜开口部，
覆盖所述有机绝缘膜开口部的所述无机绝缘膜具有第一无机绝缘膜开口部及第二无机绝缘膜开口部，
所述第一像素电极经由所述第一无机绝缘膜开口部而与所述第一漏电极连接，
所述第二像素电极经由所述第二无机绝缘膜开口部而与所述第二漏电极连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一漏电极为第一副像素的TFT的电极，
所述第二漏电极为与所述第一副像素相邻的第二副像素的TFT的电极。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述第二副像素和所述第一副像素在与所述信号线的延伸方向不同的方向上相邻。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述信号线配置在所述第一漏电极与所述第二漏电极之间。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述第一像素电极及第二像素电极分别以沿着所述信号线的延伸方向的方式从所述第一无机绝缘膜开口部及第二无机绝缘膜开口部沿相同方向延伸。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
还具有第三漏电极和形成在所述无机绝缘膜上的第三像素电极，
所述有机绝缘膜开口部跨设于所述第一漏电极、所述第二漏电极和所述第三漏电极，
覆盖所述有机绝缘膜开口部的所述无机绝缘膜具有第三无机绝缘膜开口部，
所述第一像素电极经由所述第一无机绝缘膜开口部而与所述第一漏电极连接，
所述第二像素电极经由所述第二无机绝缘膜开口部而与所述第二漏电极连接，
所述第三像素电极经由所述第三无机绝缘膜开口部而与所述第三漏电极连接。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述第三漏电极为第三副像素的TFT的电极，
所述第三漏电极为与所述第二副像素相邻的第三副像素的TFT的电极。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述第三副像素和所述第二副像素在与所述信号线的延伸方向不同的方向上相邻。
9.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述第二副像素和所述第一副像素在所述信号线的延伸方向上相邻。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述第一像素电极及第二像素电极分别以沿所述信号线的延伸方向的方式从所述第一无机绝缘膜开口部及第二无机绝缘膜开口部向相反方向延伸。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
还具有第三漏电极和形成在所述无机绝缘膜上的第三像素电极，
所述有机绝缘膜具有第二有机绝缘膜开口部，
覆盖所述第二有机绝缘膜开口部的所述无机绝缘膜具有第三无机绝缘膜开口部，
所述第三像素电极经由所述第三无机绝缘膜开口部而与所述第三漏电极连接。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一漏电极及第二漏电极收纳在所述有机绝缘膜的开口部之中。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
还具有被所述阵列基板与所述对置基板夹持的液晶层。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述对置基板具有黑矩阵和彩色滤光片。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述阵列基板在所述有机绝缘膜与所述无机绝缘膜之间具有公共电极。
16.一种显示装置，具有阵列基板、对置基板、夹持于所述阵列基板与所述对置基板的液晶层，其特征在于，
所述阵列基板具有沿第一方向延伸的扫描线、第一副像素的TFT的第一漏电极、第二副像素的TFT的第二漏电极、第三副像素的TFT的第三漏电极、沿第二方向延伸的信号线、形成在所述信号线上的有机绝缘膜、形成在所述有机绝缘膜上的无机绝缘膜、形成在所述无机绝缘膜上的第一像素电极、第二像素电极及第三像素电极，
所述有机绝缘膜具有跨设于所述第一漏电极和所述第二漏电极的第一有机绝缘膜开口部和第二有机绝缘膜开口部，
覆盖所述第一有机绝缘膜开口部的所述无机绝缘膜具有第一无机绝缘膜开口部及第二无机绝缘膜开口部，
所述第一像素电极经由所述第一无机绝缘膜开口部而与所述第一漏电极连接，
所述第二像素电极经由所述第二无机绝缘膜开口部而与所述第二漏电极连接，
覆盖所述第二有机绝缘膜开口部的所述无机绝缘膜具有第三无机绝缘膜开口部，
所述第三像素电极经由所述第三无机绝缘膜开口部而与所述第三漏电极连接。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其特征在于，
所述第二副像素和所述第一副像素在所述第一方向上相邻。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，
所述第一像素电极及第二像素电极分别以沿着所述第一方向的方式，从所述第一无机绝缘膜开口部及第二无机绝缘膜开口部向相反方向延伸。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，
所述第一漏电极及第二漏电极收纳在所述有机绝缘膜的开口部之中。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，
所述阵列基板在所述有机绝缘膜与所述无机绝缘膜之间具有公共电极。
CN201510794982.0A 2014-11-19 2015-11-18 显示装置 Active CN105607364B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014234689A JP6483411B2 (ja) 2014-11-19 2014-11-19 表示装置
JP2014-234689 2014-11-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105607364A true CN105607364A (zh) 2016-05-25
CN105607364B CN105607364B (zh) 2019-05-17

Family

ID=55961546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510794982.0A Active CN105607364B (zh) 2014-11-19 2015-11-18 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9946130B2 (zh)
JP (1) JP6483411B2 (zh)
CN (1) CN105607364B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115715127B (zh) * 2022-11-09 2023-10-20 惠科股份有限公司 显示面板及显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6486660B2 (ja) * 2013-11-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004302382A (ja) * 2003-04-01 2004-10-28 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板及びその製造方法並びに電気光学装置
CN1991556A (zh) * 2005-12-29 2007-07-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于面内切换型液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
JP2007183585A (ja) * 2005-12-05 2007-07-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
CN104133312A (zh) * 2013-04-30 2014-11-05 乐金显示有限公司 用于液晶显示装置的阵列基板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7903219B2 (en) * 2007-08-16 2011-03-08 Sony Corporation Liquid crystal display device
JP2010243894A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP5417383B2 (ja) 2011-06-13 2014-02-12 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置及びその製造方法
JP6138501B2 (ja) * 2013-01-31 2017-05-31 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置
JP2014206670A (ja) * 2013-04-15 2014-10-30 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
JP6336765B2 (ja) 2014-01-31 2018-06-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2015145907A (ja) 2014-01-31 2015-08-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004302382A (ja) * 2003-04-01 2004-10-28 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板及びその製造方法並びに電気光学装置
JP2007183585A (ja) * 2005-12-05 2007-07-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
CN1991556A (zh) * 2005-12-29 2007-07-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于面内切换型液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN104133312A (zh) * 2013-04-30 2014-11-05 乐金显示有限公司 用于液晶显示装置的阵列基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115715127B (zh) * 2022-11-09 2023-10-20 惠科股份有限公司 显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20160139469A1 (en) 2016-05-19
JP2016099423A (ja) 2016-05-30
CN105607364B (zh) 2019-05-17
JP6483411B2 (ja) 2019-03-13
US9946130B2 (en) 2018-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103383512B (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN101794036B (zh) 液晶显示装置及其制造方法、显示装置和信息输入装置
CN102456333B (zh) 电光装置以及电子设备
US20180239202A1 (en) Liquid crystal display apparatus
CN101533822B (zh) 安装构造体及电光学装置
CN104280970B (zh) 阵列基板及液晶显示面板
CN104769657B (zh) 有源矩阵基板和显示装置
JP2018013619A (ja) 表示装置の製造方法、及び表示装置
US8373812B2 (en) Liquid crystal display device
KR20160017695A (ko) 디스플레이 장치
JP2016085365A (ja) 表示装置
US20170256649A1 (en) Semiconductor device
US20190129262A1 (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
WO2018068542A1 (zh) 阵列基板及显示装置
KR20150133934A (ko) 표시 장치
WO2016019663A1 (zh) 基板和显示装置
US10067393B2 (en) Thin film display panel and liquid crystal display device including the same
US10133136B2 (en) Array substrate and display device
CN104937655B (zh) 电光装置、其制造方法以及电子设备
CN105607364A (zh) 显示装置
KR20180043900A (ko) 표시 장치
CN105988257A (zh) 电光学装置以及电子设备
US9134565B2 (en) Pixel unit and display panel having the same
US8035760B2 (en) Liquid crystal display
JP2018105987A (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant