CN101794036B - 液晶显示装置及其制造方法、显示装置和信息输入装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了液晶显示装置及其制造方法、显示装置和信息输入装置，该显示装置包括显示面板，该显示面板包括彼此隔开且彼此相对的第一基板和第二基板并且还设有触控传感器开关。所述触控传感器开关包括设置在第一基板的与第二基板面对的表面上的第一触控电极和设置在第二基板的与第一基板面对的表面上的第二触控电极，所述第二触控电极与所述第一触控电极隔开且面对着。当所述显示面板在外部压力下发生变形时，所述第一触控电极和所述第二触控电极相互接触。所述第一触控电极覆盖着形成有多个彼此隔开的沟槽的凹凸区域的表面，并且在设置有所述第一触控电极的所述表面上，以让位于所述凹凸区域的凸部顶面处的表面暴露出来的形式形成有涂敷膜。

Description

液晶显示装置及其制造方法、显示装置和信息输入装置

相关申请的交叉参考

本申请包含与2009年2月4日和2009年11月20日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2009-023931和JP 2009-265486的公开内容相关的主题，在此将这两个优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本发明涉及液晶显示装置及其制造方法、显示装置和信息输入装置。具体地，本发明涉及在一对相互面对的基板上设置有触控传感器开关的液晶显示装置及其制造方法、显示装置和信息输入装置。

背景技术

诸如液晶显示装置或者有机EL(电致发光)显示装置等显示装置具有诸如薄型化、重量轻和能耗低等优点。因而，这种显示装置通常被用在诸如手机或数码相机等移动电子设备中。

在上面说明的各显示装置中，液晶显示装置包括作为显示面板的液晶面板，在该液晶面板中把液晶层密封在一对基板之间。例如，该液晶面板是透射型，它对从设置在液晶面板背面侧的诸如背光源等照明部件出射的照明光进行调制，并允许该照明光透射过去。于是，通过该经过调制的照明光在液晶面板的正面上显示出图像。

例如，液晶面板是有源矩阵型，并且包括形成有多个用作像素开关元件的薄膜晶体管(TFT)的TFT阵列基板。在该液晶面板中，以与TFT阵列基板相对的形式设置有对向基板，并且把液晶层设置在TFT阵列基板与对向基板之间的空间中。在有源矩阵型液晶面板中，通过像素开关元件将图像信号输入给像素电极，由此向液晶层施加电压，并且对光从像素透射过去的透光率进行控制，从而显示出图像。

在上面说明的显示装置中，为了让用户能够通过使用在显示面板的屏幕上显示的诸如图标等图像来输入操作数据，有一种情况是将触控面板作为信息输入装置设置在显示面板上。

然而，当在外部把触控面板设置在显示面板上时，整体厚度变大，因而会丧失薄型化这一优点。除此之外，由于存在着因触控面板而使显示区域中的透射光减少或者发生了光的干涉的情况，因此会使显示图像的品质劣化。此外，可能会出现诸如制造效率降低和制造成本增加等缺点。

因此，人们提出了一种显示装置，该显示装置的显示面板具有内置型触控面板功能。

例如，曾提出了一种液晶显示装置，该液晶显示装置的液晶面板具有内置的电阻膜式触控传感器。

这里，该触控传感器包括在构成液晶面板的一对基板上都设有触控电极的触控传感器开关，并且当液晶面板被按压或者变形时，这对触控电极彼此电连接。在该液晶面板中，触控电极被设置在呈凸起状突出的凸部上，使得通过小的外部压力就能使分别形成在上述两个基板上的触控电极彼此电连接(例如，参见JP-A-2001-75074(专利文件1)、JP-A-2007-52368(专利文件2)和JP-A-2007-95044(专利文件3))。

在液晶面板中，为了使液晶层中的液晶分子取向，设置有液晶取向膜。关于液晶取向膜，提出的建议是把在触控电极的表面部分上的液晶取向膜除去，并使该表面部分暴露出来。

当把触控电极的表面部分上的液晶取向膜除去时，从喷墨***中所使用的细小喷嘴将溶剂喷射到这部分上，将这部分溶解掉(例如，参见专利文件2)。

然而，在上述方法中，由于难以得到足够的吞吐量，因而会使制造效率降低。

此外，由于难以从触控电极的表面部分足够彻底地除去液晶取向膜，因而会降低产率。

另外，由于需要新引进上述设备，因而会增加制造成本。

此外，在上述方法中，由于存在着要露出表面的区域的周边也被溶解掉的情况，因而需要提供边缘裕度。于是，在该液晶面板中，触控传感器所占据的部分增大，因而液晶面板的开口率会降低。因此，降低了显示图像的亮度并且会使图像品质劣化。

在上述显示装置中，由于显示面板的厚度减小，因此外部压力会损坏诸如电极等构件，从而使装置的可靠性降低。

尤其是，在具有触控传感器开关的液晶面板中，当在凸部上设置有触控电极时，由于触控电极是刚性的，因而会特别显著地出现上述问题。例如，触控电极可能会断裂，并且可能会损坏触控面板功能。此外，当触控电极被挤压时，可能有导电性杂质扩散到液晶单元内，从而会使触控电极短路。

为了解决这一问题，可以增大设有触控电极的凸部的表面的面积。然而，在此情况下，液晶面板的开口率减小，这会导致显示图像的品质劣化。

如上所述，在显示装置中，可能出现由于开口率的减小或者装置可靠性的降低而导致的图像品质劣化。

发明内容

因此，鉴于上述问题做出了本发明，且本发明的目的是提供能够提高制造效率、产率和图像品质并且能够降低制造成本的液晶显示装置及其制造方法、显示装置和信息输入装置。

本发明实施例提供了一种液晶显示装置，其包括液晶面板，所述液晶面板包括第一基板、与所述第一基板相对且隔开的第二基板以及设置在所述第一基板与所述第二基板之间的空间中的液晶层，并且所述液晶面板在用于显示出图像的显示区域中设有内置型触控传感器开关。所述触控传感器开关包括：第一触控电极，它设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上；和第二触控电极，它设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上，与所述第一触控电极隔开且面对着。当所述液晶面板在外部压力下发生变形时，所述第一触控电极和所述第二触控电极相互接触。通过设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上的第一液晶取向膜和设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上的第二液晶取向膜，来使所述液晶层的液晶分子取向。所述第一触控电极设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上，并覆盖着形成有多个彼此隔开的沟槽的凹凸区域的表面。以让所述第一触控电极的位于所述凹凸区域的凸部顶面处的表面暴露出来的形式把取向材料涂敷到设置有所述第一触控电极的所述表面上，由此形成所述第一液晶取向膜。

本发明的另一实施例提供了一种液晶显示装置的制造方法，其包括液晶面板的形成步骤，所述液晶面板包括第一基板、与所述第一基板相对且隔开的第二基板以及设置在所述第一基板与所述第二基板之间的空间中的液晶层。所述液晶面板的形成步骤包括如下步骤：在所述液晶面板的用于显示出图像的显示区域中形成触控传感器开关；在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上形成第一液晶取向膜；以及在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上形成第二液晶取向膜。所述触控传感器开关的形成步骤包括如下步骤：在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上形成第一触控电极；以及在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上形成第二触控电极，所述第二触控电极与所述第一触控电极隔开且面对着。在所述第一触控电极的形成步骤中，所述第一触控电极被形成在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上，并覆盖着形成有多个彼此隔开的沟槽的凹凸区域的表面。在所述第一液晶取向膜的形成步骤中，以让所述第一触控电极的位于所述凹凸区域的凸部顶面处的表面暴露出来的形式把取向材料涂敷到设置有所述第一触控电极的所述表面上，形成所述第一液晶取向膜。

本发明的另一实施例提供了一种显示装置，其包括显示面板，所述显示面板包括第一基板以及与所述第一基板隔开且相对的第二基板，所述显示面板还设有触控传感器开关。所述触控传感器开关包括：第一触控电极，它设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上；和第二触控电极，它设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上，与所述第一触控电极隔开且面对着。当所述显示面板在外部压力下发生变形时，所述第一触控电极和所述第二触控电极相互接触。所述第一触控电极设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上并覆盖着形成有多个彼此隔开的沟槽的凹凸区域的表面，在设置有所述第一触控电极的所述表面上，以让所述第一触控电极的位于所述凹凸区域的凸部顶面处的表面暴露出来的形式形成有涂敷膜。

本发明的另一实施例提供了一种信息输入装置，其包括触控面板，所述触控面板包括第一基板以及与所述第一基板隔开且相对的第二基板，所述触控面板还设有触控传感器开关。所述触控传感器开关包括：第一触控电极，它设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上；和第二触控电极，它设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上，与所述第一触控电极隔开且面对着。当所述触控面板在外部压力下发生变形时，所述第一触控电极和所述第二触控电极相互接触。所述第一触控电极设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上并覆盖着形成有多个彼此隔开的沟槽的凹凸区域的表面，在设置有所述第一触控电极的所述表面上，以让所述第一触控电极的位于所述凹凸区域的凸部顶面处的表面暴露出来的形式形成有涂敷膜。

在本发明的上述各实施例中，将所述第一触控电极形成为覆盖着形成有多个彼此隔开的沟槽的凹凸区域的表面。然后，通过向形成有所述第一触控电极的表面上涂敷取向材料，以使所述第一触控电极的在所述凹凸区域的凸部顶面处的表面暴露出来的形式形成所述第一液晶取向膜。

本发明的另一实施例提供了一种液晶显示装置，其包括液晶面板，所述液晶面板包括第一基板、与所述第一基板相对且隔开的第二基板、设置在所述第一基板与所述第二基板之间的空间中的液晶层以及设在用于显示出图像的显示区域中的内置型触控传感器开关。所述触控传感器开关包括：第一触控电极，它设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上；和第二触控电极，它设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上，与所述第一触控电极隔开且面对着。当所述液晶面板在外部压力下发生变形时，所述第一触控电极和所述第二触控电极相互接触。通过设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上的第一液晶取向膜和设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上的第二液晶取向膜，来使所述液晶层的液晶分子取向。在所述第一触控电极与所述第一基板之间设有具有凹槽的下层。当把含有取向材料的涂敷液体涂敷到设置有所述第一触控电极的所述表面上时，所述涂敷液体进入所述凹槽，以让所述第一触控电极的顶面暴露出来而未被覆盖的形式形成所述第一液晶取向膜。

本发明的另一实施例提供了一种液晶显示装置的制造方法，其包括液晶面板的形成步骤，所述液晶面板包括第一基板、与所述第一基板相对且隔开的第二基板以及设置在所述第一基板与所述第二基板之间的空间中的液晶层。所述液晶面板的形成步骤包括如下步骤：在所述液晶面板的用于显示出图像的显示区域中形成触控传感器开关；在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上形成第一液晶取向膜；以及在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上形成第二液晶取向膜。所述触控传感器开关的形成步骤包括如下步骤：在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上形成第一触控电极；以及在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上形成第二触控电极，所述第二触控电极与所述第一触控电极隔开且面对着。在所述第一触控电极的形成步骤中，在所述第一基板上设置具有凹槽的下层，并在所述下层上形成所述第一触控电极。在所述第一液晶取向膜的形成步骤中，把含有取向材料的涂敷液体涂敷到设置有所述第一触控电极的所述表面上，所述涂敷液体进入所述凹槽，以让所述第一触控电极的顶面暴露出来而未被覆盖的形式形成所述第一液晶取向膜。

本发明的另一实施例提供了一种显示装置，其包括显示面板，所述显示面板包括第一基板、与所述第一基板相对且隔开的第二基板以及设在用于显示出图像的显示区域中的内置型触控传感器开关。所述触控传感器开关包括：第一触控电极，它设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上；和第二触控电极，它设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上，与所述第一触控电极隔开且面对着。当所述显示面板在外部压力下发生变形时，所述第一触控电极和所述第二触控电极相互接触。在所述第一触控电极与所述第一基板之间设置有具有凹槽的下层，当把涂敷液体涂敷到所述第一触控电极的表面上时，所述涂敷液体进入所述凹槽，所述第一触控电极被形成为使得所述第一触控电极的顶面未被涂敷膜覆盖因而暴露出来。

本发明的另一实施例提供了一种信息输入装置，其包括触控面板，所述触控面板包括第一基板、与所述第一基板隔开且相对的第二基板以及触控传感器开关。所述触控传感器开关包括：第一触控电极，它设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上；和第二触控电极，它设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上，与所述第一触控电极隔开且面对着。当所述触控面板在外部压力下发生变形时，所述第一触控电极和所述第二触控电极相互接触。在所述第一触控电极与所述第一基板之间设置有具有凹槽的下层，当把涂敷液体涂敷到所述第一触控电极的表面上时，所述涂敷液体进入所述凹槽，所述第一触控电极被形成为使得所述第一触控电极的顶面未被涂敷膜覆盖因而暴露出来。

根据本发明的上述各实施例，可以提供能够提高制造效率、产率和图像品质并且能够降低制造成本的液晶显示装置及其制造方法、显示装置和信息输入装置。

附图说明

图1是示出了本发明第一实施例的液晶显示装置的结构的截面图。

图2是示出了本发明第一实施例的液晶面板的平面图。

图3是示出了第一实施例的液晶面板的主要部分的图。

图4是示出了第一实施例的液晶面板的主要部分的图。

图5是示出了第一实施例的液晶面板的主要部分的图。

图6是示出了本发明第一实施例的凹凸区域的一部分的放大图。

图7是示出了本发明第一实施例的凹凸区域的一部分的放大图。

图8A～图8E是当对本发明第一实施例的液晶显示装置进行操作时由控制部供给至各部分的控制信号的波形图。

图9A～图9D是示出了在本发明第一实施例的液晶显示装置中形成凹凸区域的一部分时的工序的截面图。

图10A～图10C是示出了本发明第一实施例的液晶显示装置中凸部的宽度L(μm)和高度H(μm)与液晶取向膜的覆盖率(％)之间关系的图。

图11A和图11B是示出了本发明第一实施例的液晶显示装置中凸部的宽度L(μm)和高度H(μm)与液晶取向膜的覆盖率(％)之间关系的图。

图12是示出了本发明第一实施例的变形例中凹凸区域的一部分的放大图。

图13是示出了本发明第一实施例的变形例中凹凸区域的一部分的放大图。

图14是示出了本发明第一实施例的变形例中液晶面板的主要部分的图。

图15是示出了本发明第二实施例的液晶面板的主要部分的图。

图16是示出了本发明第二实施例的变形例中液晶面板的主要部分的图。

图17是示出了本发明第三实施例的液晶面板的主要部分的图。

图18是示出了本发明第四实施例的液晶面板的主要部分的图。

图19是示出了本发明第五实施例的液晶面板的主要部分的图。

图20是示出了本发明第五实施例的变形例中液晶面板的主要部分的图。

图21是示出了本发明第六实施例的液晶面板的主要部分的图。

图22是示出了本发明第六实施例的变形例中液晶面板的主要部分的图。

图23是示出了本发明第七实施例的液晶面板的主要部分的图。

图24是示出了本发明第七实施例的液晶面板的主要部分的图。

图25是示出了本发明第七实施例的液晶面板的主要部分的图。

图26A和图26b是当检测目标物体与液晶面板的显示区域接触时本发明第七实施例的液晶显示装置的截面图。

图27A～图27C是示出了在本发明第七实施例的液晶显示装置中形成液晶取向膜时的工序的截面图。

图28是示出了在本发明第七实施例中锥角与位移(m)之间关系的图表。

图29A和图29B是示出了本发明第七实施例中凸部根据锥角的不同而发生不同变形的情况下的截面图。

图30A和图30B是示出了本发明第七实施例的变形例1中形成在TFT阵列基板上的触控电极和形成在对向基板上的触控电极的图。

图31是示出了本发明第七实施例的变形例2中形成在TFT阵列基板上的触控电极的图。

图32是示出了本发明第七实施例的变形例3中形成在对向基板上的触控电极的图。

图33A～图33C是用于说明本发明第七实施例的变形例3的作用效果的图。

图34A和图34B是示出了在本发明第七实施例的变形例4中形成在TFT阵列基板上的触控电极的图。

图35A和图35B是示出了在本发明第七实施例的变形例5中形成在TFT阵列基板上的触控电极的图。

图36A和图36B是示出了在本发明第七实施例的变形例6中形成在TFT阵列基板上的触控电极的图。

图37A和图37B是示出了在本发明第七实施例的变形例7中形成在TFT阵列基板上的触控电极的图。

图38是示出了在本发明第七实施例的变形例8中形成在TFT阵列基板上的触控电极的图。

图39A和图39B是示出了在本发明第七实施例的变形例9中形成在TFT阵列基板上的触控电极的图。

图40A和图40B是示出了在本发明第七实施例的变形例10中形成在TFT阵列基板上的触控电极的图。

图41A和图41B是示出了在本发明第七实施例的变形例11中形成在TFT阵列基板上的触控电极的图。

图42A和图42B是示出了在本发明第七实施例的变形例12中形成在TFT阵列基板上的触控电极的图。

图43A和图43B是示出了在本发明第七实施例的变形例13中形成在TFT阵列基板上的触控电极的图。

图44是用于说明本发明第七实施例的变形例9～变形例13的作用效果的图。

图45是示出了本发明第八实施例的液晶面板的主要部分的图。

图46是示出了本发明第八实施例的液晶面板的主要部分的图。

图47是示出了在本发明第八实施例的变形例1中公共电极和层间绝缘膜的图。

图48是示出了在本发明第八实施例的变形例2中公共电极和层间绝缘膜的图。

图49是示出了在本发明第八实施例的变形例3中公共电极和层间绝缘膜的图。

图50是示出了本发明第八实施例的变形例4中的主要部分的图。

图51是示出了本发明第八实施例的变形例4中的主要部分的图。

图52是示出了应用本发明实施例的显示装置的电子设备的图。

图53是示出了应用本发明实施例的显示装置的电子设备的图。

图54是示出了应用本发明实施例的显示装置的电子设备的图。

图55是示出了应用本发明实施例的显示装置的电子设备的图。

图56是示出了应用本发明实施例的液晶显示装置的电子设备的图。

具体实施方式

下面说明本发明的各实施例。

说明的顺序如下：

1.第一实施例(对向基板上的凹凸区域)

2.第二实施例(TFT阵列基板上的凹凸区域)

3.第三实施例(对向基板的弹性部件上的凹凸区域)

4.第四实施例(TFT阵列基板的弹性部件上的凹凸区域)

5.第五实施例(对向基板的凹入区域上的凹凸区域)

6.第六实施例(TFT阵列基板的凹入区域上的凹凸区域)

7.第七实施例(TFT阵列基板中的凹槽)

8.第八实施例(TFT阵列基板中的凹槽(在FFS***的情况下))

9.其他

1.第一实施例

液晶显示装置的结构

图1是示出了本发明第一实施例的液晶显示装置100的结构的截面图。

如图1所示，本实施例的液晶显示装置100包括液晶面板200、背光源300和数据处理部400。下面依次说明各个部分。

例如，液晶面板200是有源矩阵型，并且如图1所示，它包括TFT阵列基板201、对向基板202和液晶层203。在液晶面板200中，TFT阵列基板201和对向基板202彼此隔开并且相互面对。液晶层203被设置为夹在TFT阵列基板201与对向基板202之间。

如图1所示，在液晶面板200中，在TFT阵列基板201的与面对着对向基板202的那个表面相反的表面上设有第一偏光板206。在对向基板202的与面对着TFT阵列基板201的那个表面相反的表面上设有第二偏光板207。

在液晶面板200中，在TFT阵列基板201的一侧设置有背光源300，从背光源300出射的照明光R照射到TFT阵列基板201的与面对着对向基板202的那个表面相反的表面上。

液晶面板200包括设有多个像素(未图示)的显示区域PA。在该显示区域PA中，由设置在液晶面板200背面侧的背光源300出射的照明光R从第一偏光板206背面侧透过该第一偏光板206之后被显示区域PA接收到，并且在显示区域PA中对从背面侧接收到的照明光R进行调制。

这里，在TFT阵列基板201上与像素对应地设置有多个作为像素开关元件(未图示)的TFT，并对这些像素开关元件进行控制，从而对从背面侧接收到的照明光进行调制。该经过调制的照明光R透过第二偏光板207从正面侧出射，并且在显示区域PA中显示出图像。例如，在液晶面板200的正面上显示出彩色图像。也就是说，液晶面板200是透射型。

此外，如同稍后会详细说明的那样，在本实施例中，液晶面板200包括电阻膜式触控传感器(未图示)。该触控传感器设置在液晶面板200的与设有背光源300的背侧相反的正面上，并且输出根据诸如用户手指等检测目标物体F的接触位置的不同而具有不同电位的信号。也就是说，液晶面板200起到触控面板的作用，因而，液晶显示装置100起到信息输入装置的作用。

如图1所示，背光源300面对着液晶面板200的背面，并将照明光R照射至液晶面板200的显示区域PA上。

具体地，背光源300被设置为位于液晶面板200的TFT阵列基板201这一侧。照明光R被照射至TFT阵列基板201的与面对着对向基板202的那个表面相反的表面上。也就是说，背光源300将照明光R从TFT阵列基板201侧照射至对向基板202侧。这里，背光源300沿液晶面板200表面的法线方向z出射照明光R。

如图1所示，数据处理部400包括控制部401和位置检测部402。数据处理部400包括计算机，并且该计算机利用程序从而作为对应部件进行操作。

数据处理部400的控制部401对液晶面板200和背光源300的操作进行控制。控制部401向液晶面板200供给控制信号，从而对设置在液晶面板200中的多个像素开关元件(未图示)的操作进行控制。例如，实施行顺序(line sequential)驱动。此外，控制部401向背光源300供给控制信号从而对背光源300的操作进行控制，并且从背光源300照射出照明光R。如上所述，控制部401对液晶面板200和背光源300的操作进行控制，并且在液晶面板200的显示区域PA中显示出图像。

除此之外，控制部401向液晶面板200供给控制信号从而对设置在液晶面板200中的电阻膜式触控传感器的操作进行控制，并收集数据。

数据处理部400的位置检测部402检测诸如人体手指等检测目标物体F在液晶面板200的正面侧上的接触位置。在本实施例中，位置检测部402基于由设置在液晶面板200中的电阻膜式触控传感器得到的数据对上述位置进行检测。

液晶面板的整体结构

下面说明液晶面板200的整体结构。

图2是第一实施例的液晶面板200的平面图。

如图2所示，液晶面板200包括显示区域PA和周边区域CA。

在如图2所示的液晶面板200中，在显示区域PA中沿其表面设置有多个像素P。

具体地，在显示区域PA中，有多个像素P被设置在水平方向x和垂直方向y上且以矩阵形式布置着，并且显示出图像。如稍后会详细说明的那样，像素P包括像素开关元件(未图示)。构成触控传感器的多个触控传感器开关(未图示)与多个像素P对应地设置着。

在如图2所示的液晶面板200中，周边区域CA包围着显示区域PA的周边。如图2所示，在该周边区域CA中形成有垂直驱动电路11和水平驱动电路12。这两个电路各自例如由与所述像素开关元件(未图示)类似地形成的半导体元件构成。

垂直驱动电路11和水平驱动电路12驱动与像素P对应地设置着的像素开关元件，并在显示区域PA中进行图像显示。

另外，除此之外，垂直驱动电路11和水平驱动电路12对设置在显示区域PA中的触控传感器(未图示)进行驱动，并进行数据采集。然后，基于由触控传感器得到的数据，位置检测部402对诸如用户手指等检测目标物体与液晶面板200的显示区域PA的接触位置进行检测。

液晶面板的具体结构

下面说明液晶面板200的具体结构。

图3～图5是示出了第一实施例的液晶面板200的主要部分的图。

这里，图3是示意性地示出了设置在本发明第一实施例的液晶面板200的显示区域PA中的像素P的概要结构的截面图。

此外，图4是示意性地示出了设置在本发明第一实施例的液晶面板200的显示区域PA中的像素P的俯视图。图4示出了构成像素P的多个子像素的一部分，并且图3对应于图4中的X1-X2部分的截面。为了方便图示，在进行了适当的省略和适当的比例变化等的情况下图示出各个部件。

图5是示出了本发明第一实施例的液晶面板200的概要结构的电路图。

如图3所示，在液晶面板200中，柱状隔离件SP***在TFT阵列基板201与对向基板202之间，并通过密封件(未图示)进行粘合。液晶层203被密封在TFT阵列基板201与对向基板202之间。

如图3所示，在本实施例中，液晶面板200具有内置型触控传感器开关SWs。如图3所示，触控传感器开关SWs包括一对触控电极62t和25。

在液晶面板200中，TFT阵列基板201是透光性的绝缘体基板，并且例如由玻璃制成。如图3所示，在该TFT阵列基板201的面对着对向基板202的那一侧上形成有像素电极62p、用于构成触控传感器开关SWs的触控电极62t、栅极线GL和液晶取向膜HM1。

在液晶面板200中，与TFT阵列基板201类似，对向基板202是透光性的绝缘体基板，并且例如由玻璃制成。如图3所示，在该对向基板202的面对着TFT阵列基板201的那一侧上形成有彩色滤光片层21、公共电极23、触控电极25和液晶取向膜HM2。这里，如图3所示，彩色滤光片层21包括形成为一组的红光滤光片层21R、绿光滤光片层21G和蓝光滤光片层21B。

如图4所示，除了包括图3所示的各部件之外，液晶面板200还包括信号线SL。另外，如图5所示，该液晶面板还包括像素开关元件31。尽管在图3中未示出，但在构成液晶面板200的TFT阵列基板201上设置有信号线SL和像素开关元件31。

下面说明设置在TFT阵列基板201上的各个部分。

在TFT阵列基板201上，如图3所示，像素电极62p和触控电极62t被设置在TFT阵列基板201的面对着对向基板202的表面上。这里，把像素电极62p和触控电极62t设置在该表面上方的层间绝缘膜Sz1上。像素电极62p和触控电极62t都是所谓的透光性电极，并且例如通过使用ITO来予以制成。

如图3所示，触控电极62t设置在栅极线GL的上方。例如，触控电极62t被设置为与用于构成彩色滤光片层21的红光滤光片层21R对应。也就是说，触控电极62t被形成为对应于构成像素P的三个子像素中的一个子像素。触控电极62t隔着液晶层203与设置在对向基板202上的一个触控电极25面对。

另外，如图4所示，触控电极62t与像素电极62p一体化形成。也就是说，触控电极62t与像素电极62p电连接。

如图5所示，触控电极62t与像素开关元件31电连接。

如图3所示，在本实施例中，触控电极62t被设置为覆盖住弹性部件63的顶面。

如图3所示，弹性部件63隔着层间绝缘膜Sz1设置在栅极线GL的上方。弹性部件63设置在层间绝缘膜Sz1上，并且沿朝着对向基板202的方向呈凸起状地突出。例如，弹性部件63是通过对感光性的丙烯酸树脂膜进行图形化处理而予以形成的。这里，如图3所示，在将弹性部件63形成为被触控电极62t覆盖住的状态下，其高度还是比用于保持单元间隙的柱状隔离件SP低。

如图4所示，像素电极62p由矩形图形形成，并对应于通过栅极线GL和信号线SL来划分xy平面而得到的多个区域中的各区域。除了构成彩色滤光片层21的红光滤光片层21R之外，绿光滤光片层21G和蓝光滤光片层21B也像这样被形成为具有同样的平面形状。也就是说，像素电极62p被形成为与构成像素P的三个子像素之一对应。

这里，如图3所示，像素电极62p隔着液晶层203与公共电极23面对。此外，如图5所示，像素电极62p与像素开关元件31电连接，并且当像素开关元件31处于接通(ON)状态时像素电极62p向液晶层203施加电位。

在TFT阵列基板201上，尽管图3中未示出，但像素开关元件31设置在TFT阵列基板201的面对着对向基板202的表面上且位于层间绝缘膜Sz1中。

这里，如图5所示，像素开关元件31是晶体管，并且例如是使用多晶硅的TFT。如图5所示，像素开关元件31的栅极与栅极线GL电连接。像素开关元件31的漏极与信号线SL电连接。像素开关元件31的源极与像素电极62p及触控电极62t连接。

如图3所示，在TFT阵列基板201上，栅极线GL被设置在TFT阵列基板201的面对着对向基板202的表面上。

如图4和图5所示，栅极线GL被设置为在xy平面的x方向上延伸。栅极线GL例如通过使用诸如钼等金属材料来予以形成。如图5所示，栅极线GL与像素开关元件31的栅极电连接。除此之外，如图5所示，栅极线GL与垂直驱动电路11电连接，并将扫描信号Vgate从垂直驱动电路11供给至像素开关元件31的栅极。

在TFT阵列基板201上，尽管图3中未示出，但信号线SL被设在TFT阵列基板201的面对着对向基板202的表面上且位于层间绝缘膜Sz1中。

如图4和图5所示，信号线SL被设置为在xy平面的y方向上延伸。如图5所示，信号线SL与像素开关元件31的漏极电连接。除此之外，如图5所示，信号线SL与水平驱动电路12电连接。

如图5所示，在本实施例中，水平驱动电路12包括写电路WC和读电路RC。开关SWw插接在信号线SL与写电路WC之间，并且当开关SWw变成接通状态时，信号线SL就与写电路WC电连接。此外，开关SWr插接在信号线SL与读电路RC之间，并且当开关SWr变成接通状态时，信号线SL就与读电路RC电连接。如稍后会详细说明的那样，对这两个开关SWw和SWr进行差动操作，并对该操作进行控制以使这两个开关不能同时变成接通状态。因此，当开关SWw变成接通状态时，信号线SL与写电路WC电连接，并从写电路WC供给写信号(WRITE)。当开关SWr变成接通状态时，信号线SL与读电路RC电连接，并从读电路RC供给读信号(READ)。

在TFT阵列基板201上，如图3所示，在TFT阵列基板201的面对着对向基板202的表面上，隔着像素电极62p和触控电极62t设置有液晶取向膜HM1。液晶取向膜HM1例如由聚酰亚胺形成。

在本实施例中，液晶取向膜HM1以使触控电极62t的表面露出的形式予以形成。

下面说明设置在对向基板202上的各个部分。

在对向基板202上，如图3所示，在对向基板202的面对着TFT阵列基板201的表面上形成有彩色滤光片层21。这里，彩色滤光片层21包括由形成为一组的红光滤光片层21R、绿光滤光片层21G和蓝光滤光片层21B构成的三原色滤光片，该彩色滤光片层21与各个像素P对应地设置着，并且按照逐个颜色地被形成为排列在x方向上。彩色滤光片层21例如通过使用含有诸如颜料或染料等着色剂的聚酰亚胺树脂来予以形成。在彩色滤光片层21处，从背光源300照射过来的白光被着色然后出射。

在对向基板202上，如图3所示，在对向基板202的面对着TFT阵列基板201的表面上形成有公共电极23。这里，公共电极23以覆盖着形成在彩色滤光片层21上的层间绝缘膜Sz2的形式予以形成。公共电极23是所谓的透光性电极，并且例如通过使用ITO来予以形成。

然后，如图5所示，公共电极23与Vcom线CL电连接，并且公共电位被施加给该公共电极23。也就是说，公共电极23与对应于显示区域PA中的多个像素P而予以形成的多个像素电极62p中的每个像素电极相对，并且作为各像素P所共用的电极。

在对向基板202上，如图3所示，在对向基板202的面对着TFT阵列基板201的表面上形成有触控电极25。这里，如图3所示，与公共电极23类似，触控电极25覆盖住层间绝缘膜Sz2，并且触控电极25与公共电极23一体化地形成在同一层。也就是说，与公共电极23类似，触控电极25是所谓的透光性电极，并且例如通过使用ITO来予以形成。如图3所示，当通过外部压力使液晶面板200变形时，触控电极25与对向触控电极62t接触并与该对向触控电极62t电连接。

此外，如图5所示，与公共电极23类似，触控电极25与Vcom线CL电连接，并且公共电位被施加给该触控电极25。

如图3所示，在本实施例中，将触控电极25设置为覆盖住凹凸区域500的表面。

如图3所示，在对向基板202上的层间绝缘膜Sz2的面对着TFT阵列基板201的表面上形成了凹凸区域500。如图3所示，把凹凸区域500设置成使其宽度W2比设置在TFT阵列基板201上的弹性部件63的宽度W1宽。在凹凸区域500与设置在TFT阵列基板201上的弹性部件63上的触控电极62t之间具有指定的传感器间隙Δd。

图6和图7是示出了本发明第一实施例的凹凸区域500的一部分的放大图。

图6是示出了凹凸区域500的上述部分的放大截面图。图7是示出了凹凸区域500的上述部分的放大俯视图。

如图6和图7所示，在凹凸区域500中，在层间绝缘膜Sz2的表面上形成有多个彼此隔开的沟槽。

这里，如图7所示，例如，上述多个沟槽沿y方向延伸，并且该多个沟槽被布置为在x方向上彼此隔开。

在对向基板202上，如图3所示，在公共电极23上设有液晶取向膜HM2。这里，液晶取向膜HM2被设置为覆盖住公共电极23的整个表面。通过向形成有公共电极23和触控电极25的表面上涂敷取向材料(orientation material)来形成液晶取向膜HM2。液晶取向膜HM2例如通过使用聚酰亚胺来予以形成。

如稍后会详细说明的那样，由于在凹凸区域500中交替地设置有凸部和凹部，因而取向材料不会在凸部顶面上成膜，于是，在凸部顶面上不会形成液晶取向膜HM2，并且该液晶取向膜HM2以使凸部顶面处的表面露出的形式予以形成。

下面说明液晶层203。

如图3所示，液晶层203夹在TFT阵列基板201与对向基板202之间。

这里，在液晶层203中，通过形成在TFT阵列基板201上的液晶取向膜HM1和形成在对向基板202上的液晶取向膜HM2来使液晶分子(未图示)取向。例如，将液晶层203形成为使液晶分子沿垂直取向。也就是说，将液晶层203形成为使液晶显示模式变成垂直取向(Vertical Align，VA)模式。

除此之外，可将液晶层203形成为对应于扭曲向列(Twisted Nematic，TN)模式或者电控双折射(Electrically Controlled Birefringence，ECB)模式。

操作

下面说明在液晶显示装置100中，对诸如用户手指等检测目标物体F与液晶面板200的显示区域PA的接触位置进行检测的操作。

图8A～图8E是当对本发明第一实施例的液晶显示装置100进行操作时，通过控制部401供给至各部分的控制信号的波形图。

图8A示出了供给至栅极线GL的扫描信号(Vgate)。图8B示出了供给至信号线SL的数据信号(Vsig)。图8C是供给至Vcom线CL的公共电位(Vcom)的波形图。图8D示出了供给至开关SWw的写信号(Write)。图8E示出了供给至开关SWr的读信号(Read)。

首先，如图8B和图8D所示，在T1处，数据信号(Vsig)和写信号(Write)都从低电平变成高电平。因此，通过高电平的写信号(Write)使开关SWw接通，并通过开关SWw(见图5)将高电平的数据信号(Vsig)从写电路WC供给至信号线SL。

接着，如图8D所示，在T2处，写信号(Write)变成低电平，开关SWw断开，并且信号线SL变成悬浮状态。在此状态下，如图8A所示，在T2处，扫描信号(Vgate)从低电平变成高电平。因此，像素开关元件31的栅极变成接通(ON)状态，在像素开关元件31中形成沟道，并且产生了数据信号(Vsig)的电荷放电路径(见图5)。

此时，当触控传感器开关SWs变成接通(ON)状态时，处于悬浮状态的信号线SL的电荷被释放到大电容的Vcom线CL上。因此，如图8B中的实线所示，数据信号(Vsig)的电位显著降低。

另一方面，当触控传感器开关SWs为断开(OFF)状态时，如图8B中的虚线所示，数据信号(Vsig)的电位几乎保持不变。

接着，如图8E所示，在T3处，读信号(Read)从低电平变成高电平。因此，通过高电平的读信号(Read)使开关SWr接通，并且通过开关SWr(见图5)将数据信号(Vsig)从信号线SL读出至读电路RC。

这里，如图8B中的实线所示，当触控传感器开关SWs为接通状态时，就读取到低电位的数据信号(Vsig)。另一方面，如图8B中的虚线所示，当触控传感器开关SWs为断开状态时，就读取到高电位的数据信号(Vsig)。

然后，在这时，数据处理部400的位置检测部402(见图1)基于所读取到的数据信号(Vsig)的电位进行位置检测。

具体地，位置检测部402在读取到的数据信号(Vsig)的电位与基准电位之间进行比较处理，并且当前者的电位比基准电位大时，就确定触控传感器开关SWs为断开状态。另一方面，当读取到的数据信号(Vsig)的电位比基准电位小时，就确定触控传感器开关SWs为接通状态。然后，位置检测部402检测出已确定触控传感器开关SWs处于接通状态的像素P的位置，从而将该位置作为诸如手指等检测目标物体F的接触位置。

也就是说，位置检测部402根据在触控传感器开关SWs处于接通状态的情况与触控传感器开关SWs处于断开状态的情况之间发生变化的电位，来检测出液晶面板200中诸如手指等检测目标物体F的接触位置。

接着，如图8E所示，在T4处，读信号(Read)已变成低电平，并且开关SWr已变成断开状态。于是，写信号(Write)从低电平变成高电平，开关SWw变为接通状态，并且高电平的数据信号(Vsig)被施加至信号线SL上。此后，使公共电位Vcom的电位反转，并且继续对显示的控制。

制造方法

下面说明作为液晶显示装置100主要部分的凹凸区域500的一部分的形成方法。

图9A～图9D是示出了本发明第一实施例液晶显示装置100中凹凸区域500的一部分的形成工序的截面图。图9A～图9D示出了主要部分，并省略了对一些部件的图示。

首先，如图9A所示，形成层间绝缘膜Sz2。

这里，例如，通过涂敷感光性树脂(未图示)来形成层间绝缘膜Sz2。例如，在涂敷了正型感光性的丙烯酸树脂之后，进行预烘烤(pre-bake)处理，从而形成层间绝缘膜Sz2。

接着，如图9B所示，在层间绝缘膜Sz2中形成沟槽。

这里，通过光刻技术对由感光性树脂制成的层间绝缘膜Sz2进行图形化处理，从而形成了上述沟槽，并因此形成了凹凸区域500。

具体地，使用形成有掩模图形的光掩模进行曝光处理。在该曝光处理中，把曝光用光照射至要形成沟槽的部分。这里，适当地调整曝光量，然后进行曝光用光的照射。

在进行曝光处理之后，进行显影处理。此后，通过进行烘烤处理来使层间绝缘膜Sz2中的残留溶剂和低分子的未聚合成分挥发。通过这样处理，如图9B所示，在层间绝缘膜Sz2的表面上形成了沟槽。

顺便提及地，在上述曝光处理中，除了可以使用一个光掩模来进行上述成型处理的情况之外，也可适当地组合多个光掩模来进行曝光处理。此外，尽管未图示，但是除了形成有沟槽之外，也可通过上述同一处理过程另外地形成有连接孔。

接着，如图9C所示，形成触控电极25。

这里，通过在形成有沟槽的层间绝缘膜Sz2的表面上形成透光性导电材料的膜来形成触控电极25。例如，通过溅射方法等形成ITO膜，从而形成触控电极25。

除此之外，如图9C所示，通过上述同一处理过程还形成公共电极23。

接着，如图9D所示，形成液晶取向膜HM2。

这里，通过向触控电极25和公共电极23上涂敷取向材料并形成膜来形成液晶取向膜HM2。例如，通过旋转涂敷方法来涂敷其中溶解有取向材料的涂敷液体。然后，在通过预烘烤处理使涂敷膜中的溶剂挥发之后，通过主烘烤处理除去残留溶剂。由此，形成了例如由聚酰亚胺制成的液晶取向膜HM2。除了可以使用旋转涂敷方法之外，也可通过胶版印刷等方法来形成液晶取向膜HM2。

如图9D所示，由于在凹凸区域500的表面上交替地设有凸部和凹部，因而在凸部的顶面上没有形成取向材料的膜。具体地，其中溶解有取向材料的涂敷液体进入凹凸区域500的凹部，而不覆盖凸部的顶面。因此，在凹凸区域500中，在凸部顶面处的表面上没有形成液晶取向膜HM2，并且使得触控电极25的表面暴露出来。

此后，进行取向处理。例如通过摩擦处理(rubbing process)来实现取向处理。除此之外，也可进行诸如光取向处理、离子束取向处理或光栅取向处理等取向处理。顺便提及地，例如，当液晶取向膜HM2引起垂直取向并且使液晶面板200变成垂直取向模式时，就无需额外地进行上述取向处理。

如图3所示，形成有各部分的对向基板202与TFT阵列基板201相互粘合。此后，将液晶材料注入到TFT阵列基板201与对向基板202之间，从而形成液晶层203，并且完成了液晶面板200。

结论

如上所述，在本实施例中，构成触控传感器开关SWs的触控电极25被设置为覆盖住形成有多个彼此隔开的沟槽的凹凸区域500的表面。通过将取向材料涂敷到形成有触控电极25的表面上来形成液晶取向膜HM2，并且触控电极25的位于凹凸区域500的凸部顶面处的表面被暴露出来。如上所述，在本实施例中，由于触控电极25是沿着凹凸区域500的表面予以形成的，因而无需额外地进行用于除去此部分中的液晶取向膜HM2的处理就能使凸部顶面处的表面暴露出来。

因此，在本实施例中，能够提高制造效率和产率。此外，由于无需引入诸如喷墨设备等新设备，因而能够避免制造成本的增加。此外，在本实施例中，由于设置在对向基板202上的触控电极25和设置在TFT阵列基板201上的触控电极62t可以在彼此接触的时候很好地进行电连接，因而能够提高装置的可靠性。

此外，在本实施例中，优选将凹凸区域500形成为：在凹凸区域500被触控电极25覆盖住的状态下，凸部的宽度L为0.5～5.0μm，并且凹部的宽度S为0.5～5.0μm。此外，优选凸部的顶面与凹部的底面之间的距离(高度)H为0.5～2.0μm。这样，就能够很好地实现触控电极25的位于凹凸区域500的凸部顶面处的表面未被液晶取向膜HM2覆盖而是暴露出来。

图10A～图10C以及图11A和图11B是示出了本发明第一实施例的液晶显示装置100中凸部的宽度L(μm)和高度H(μm)与液晶取向膜的覆盖率(％)之间关系的图。

在图10A～图10C中，水平轴表示高度H(μm)并且垂直轴表示液晶取向膜的覆盖率(％/100)。图10A、图10B和图10C分别示出了凸部的宽度L(μm)为0.3μm、0.8μm和1.2μm的情况下的结果。顺便提及地，凹部的宽度S也被形成为等于凸部的宽度L。

另一方面，图11A和图11B是示出了图10A～图10C所示的两个覆盖率R1和R2的图。如图11A和图11B所示，覆盖率R1由下面的数学表达式(1)表示，并且覆盖率R2由下面的数学表达式(2)表示。这里，如图11A和图11B所示，P表示凹部与凹部之间的间距P。此外，如图11A所示，P1表示凸部中未被液晶取向膜HM2覆盖的宽度。此外，如图11B所示，P2表示在膜厚度变成位于凹部底面上的液晶取向膜HM2的膜厚度的一半的部分处，凸部的该部分处的宽度。

R1＝(P-P1)/P  ...(1)

R2＝(p-p2)/p  ...(2)

从图10A～图10C的结果应理解的是，当凸部的宽度L为0.5μm以上，并且凸部的高度H为0.5μm以上时，液晶取向膜HM2不是覆盖在整个表面上。

当该宽度和该高度超出上限值时，可能会出现有取向膜保留在凸部上这一缺点。当涂敷液体的液体粘度在1～500mPa·s的范围内且它的中心值为30mPa·s时，能够得到如上所述的结果。

因此，优选在上述数值范围内形成凹凸区域500。

顺便提及地，在上文中，尽管说明了如图7所示形成凹凸区域500的情况，但本发明不限于此。

图12和图13是示出了本发明第一实施例的变形例中凹凸区域500的一部分的放大图。图12和图13是俯视图。

如图12所示，在凹凸区域500中，可形成在x方向和y方向上以矩阵形式布置的多个沟槽。

此外，如图13所示，在凹凸区域500中，可以环状地形成多个沟槽。

除此之外，在上文中，已经说明了通过光刻技术来处理层间绝缘膜Sz2的表面并通过在该表面上形成沟槽从而实现凹凸区域500的情况，但本发明不限于此。

图14是示出了本发明第一实施例的变形例中液晶面板200的主要部分的图。这里，图14是示意性地示出了设置在显示区域PA中的像素P的概要结构的截面图。

如图14所示，可通过光刻技术来处理彩色滤光片层21中的红光滤光片层21Ra的表面，从而在该表面上形成沟槽，由此实现凹凸区域500。

2.第二实施例

下面说明本发明的第二实施例。

液晶面板的具体结构

图15是示出了本发明第二实施例的液晶面板200b的主要部分的图。这里，图15是示意性地示出了设置在本发明第二实施例液晶面板200b的显示区域PA中的像素P的概要结构的截面图。

如图15所示，在本实施例中，触控传感器开关SWsb的结构与第一实施例中的触控传感器开关SWs的结构不同。具体地，通过比较图15与图3可知，触控电极25b形成在对向基板202上，这与第一实施例中的触控电极25不同。此外，触控电极62tb形成在TFT阵列基板201上，这与第一实施例中的触控电极62t不同。除了这一方面及与之相关的方面之外，本实施例与第一实施例相类似。因此，省略了对重复部分的说明。

如图15所示，在对向基板202上，触控电极25b被设置为覆盖住弹性部件63b的顶面。

如图15所示，弹性部件63b设置在层间绝缘膜Sz2上。弹性部件63b设置在层间绝缘膜Sz2上并沿着朝TFT阵列基板201的方向呈凸起状地突出。例如，通过对感光性的丙烯酸树脂膜进行图形化处理来形成弹性部件63b。这里，如图15所示，弹性部件63b被形成为使其高度比柱状隔离件SP低。

然后，如图15所示，在对向基板202上，将液晶取向膜HM2b设置成覆盖住除了设有弹性部件63b的区域之外的表面。这里，通过向形成有公共电极23和触控电极25b的表面上涂敷取向材料来形成液晶取向膜HM2b。由于弹性部件63b从对向基板202的表面上呈凸起状地突出，因而取向材料未成膜在位于弹性部件63b顶面的部分上，并且使得触控电极25b的表面暴露出来。

如图15所示，在TFT阵列基板201上，将触控电极62tb形成为覆盖住凹凸区域500b的表面。

如图15所示，在TFT阵列基板201上的层间绝缘膜Sz1的面对着对向基板202的表面上形成有凹凸区域500b。如图15所示，凹凸区域500b被设置为使得它的宽度W2b比设置在对向基板202上的弹性部件63b的宽度W1b宽。此外，在凹凸区域500b与设置在对向基板202的弹性部件63b上的触控电极25b之间具有指定的传感器间隙Δdb。

与第一实施例相类似，在凹凸区域500b表面上设置有多个沟槽，并且沿凹凸区域500b的表面形成触控电极62tb。也就是说，在凹凸区域500b的表面上交替地设置有凸部和凹部。

如图15所示，在凹凸区域500b上设置有液晶取向膜HM1b。这里，通过向形成有像素电极62p和触控电极62tb的表面上涂敷取向材料来形成液晶取向膜HM1b。由于在凹凸区域500b的表面上交替地设置有凸部和凹部，因而与第一实施例的情况类似，在凸部顶面处没有形成取向材料的膜。因此，触控电极62tb的位于凹凸区域500b的凸部顶面处的部分的表面被暴露出来。

结论

如上所述，在本实施例中，构成触控传感器开关SWsb的触控电极62tb被设置为覆盖着形成有多个彼此隔开的沟槽的凹凸区域500b的表面。通过向形成有触控电极62tb的表面上涂敷取向材料来形成液晶取向膜HM1b，并且触控电极62tb的位于凹凸区域500的凸部顶面处的表面被暴露出来。

在本实施例中，由于触控电极62tb是沿凹凸区域500b的表面予以形成的，因而能够使触控电极62tb的位于凹凸区域500b的凸部顶面处的表面暴露出来。也就是说，在本实施例中，无需额外地进行用于除去此部分中的液晶取向膜HM1b的处理。

因此，在本实施例中，与第一实施例类似，能够提高制造效率和产率，并且能够防止制造成本的增加。此外，能够提高装置的可靠性。

顺便提及地，在上文中，尽管说明了通过光刻技术来处理层间绝缘膜Sz1的表面并通过在该表面上形成沟槽从而实现凹凸区域500b的情况，但本发明不限于此。

图16是示出了本发明第二实施例的变形例中液晶面板200b的主要部分的图。这里，图16是示意性地示出了设置在显示区域PA中的像素P的概要结构的截面图。

如图16所示，在TFT阵列基板201的表面上设有多处呈凸起状突出的下层OP。通过以覆盖多处下层OP的形式形成层间绝缘膜Sz1，由此实现凹凸区域500b。

3.第三实施例

下面说明本发明的第三实施例。

液晶面板的具体结构

图17是示出了本发明第三实施例的液晶面板200c的主要部分的图。这里，图17是示意性地示出了设置在本实施例液晶面板200c的显示区域PA中的像素P的概要结构的截面图。

如图17所示，在本实施例中，触控传感器开关SWsc的结构与第一实施例中的触控传感器开关SWs的结构不同。具体地，通过比较图17与图3可知，形成在对向基板202上的触控电极25c这一部分与第一实施例中的触控电极25不同。除了这一方面及与之相关的方面之外，本实施例与第一实施例相类似。因此，省略了对重复部分的说明。

如图17所示，触控电极25c被设置在对向基板202上并覆盖住凹凸区域500c的表面。

如图17所示，在本实施例中，凹凸区域500c形成在从层间绝缘膜Sz2的表面呈凸起状突出的弹性部件71c的顶面上。例如，使用与层间绝缘膜Sz2的材料相同的材料来形成弹性部件71c。由此，将凹凸区域500c形成为使得该凹凸区域500c与设置在TFT阵列基板201上的触控电极62t之间具有指定的传感器间隙Δdc。

然后，如图17所示，通过向形成有触控电极25c的表面上涂敷取向材料来形成液晶取向膜HM2c。在液晶取向膜HM2c中，由于在凹凸区域500c的表面上交替地设置有凸部和凹部，因而在凸部顶面处没有形成取向材料的膜，并且触控电极25c的位于凸部顶面处的表面被暴露出来。

结论

如上所述，在本实施例中，与第一实施例类似，触控电极25c是沿凹凸区域500c的表面予以形成的。因而，在本实施例中，无需额外地进行用于除去此部分中的液晶取向膜HM2c的处理就能够使触控电极25c的位于凸部顶面处的表面暴露出来。因此，在本实施例中，与其它实施例类似，能够提高制造效率和产率，并且能够防止制造成本的增加。此外，能够提高装置的可靠性。

特别地，在本实施例中，凹凸区域500c形成在从层间绝缘膜Sz2的表面呈凸起状突出的弹性部件71c的顶面上。于是，在本实施例中，为了形成液晶取向膜HM2c而涂敷的涂敷液体一般不会覆盖住凹凸区域500c的凸部顶面。因此，在本实施例中，能够更好地得到上述效果。

4.第四实施例

下面说明本发明的第四实施例。

液晶面板的具体结构

图18是示出了本发明第四实施例的液晶面板200d的主要部分的图。这里，图18是示意性地示出了设置在本实施例液晶面板200d的显示区域PA中的像素P的概要结构的截面图。

如图18所示，在本实施例中，触控传感器开关SWsd的结构与第二实施例中的触控传感器开关SWsb的结构不同。具体地，通过比较图18与图15可知，形成在TFT阵列基板201上的触控电极62td与第二实施例中的触控电极62tb不同。除了这一方面及与之相关的方面之外，本实施例与第二实施例相类似。因此，省略了对重复部分的说明。

如图18所示，在TFT阵列基板201上，触控电极62td被设置为覆盖在凹凸区域500d的表面上。

在本实施例中，如图18所示，凹凸区域500d被形成在从层间绝缘膜Sz1的表面呈凸起状突出的弹性部件71d的顶面上。例如，使用与层间绝缘膜Sz1的材料相同的材料来形成弹性部件71d。由此，将凹凸区域500d形成为使得该凹凸区域500c与设置在对向基板202上的触控电极25b之间具有指定的传感器间隙Δdd。

然后，如图18所示，通过向形成有触控电极62td的表面上涂敷取向材料来形成液晶取向膜HM1d。在该液晶取向膜HM1d中，由于在凹凸区域500d的表面上交替地设置有凸部和凹部，因而在凸部顶面处的表面上没有形成取向材料的膜，并且触控电极62td的位于凸部顶面处的表面被暴露出来。

结论

如上所述，在本实施例中，与第二实施例类似，在凹凸区域500d的表面上形成有触控电极62td。因而，在本实施例中，无需额外地进行用于除去此部分中的液晶取向膜HM1d的处理就能够使触控电极62td的位于凸部顶面处的表面暴露出来。因此，在本实施例中，与其它实施例类似，能够提高制造效率和产率，并且能够防止制造成本的增加。此外，能够提高装置的可靠性。

特别地，在本实施例中，凹凸区域500d形成在从层间绝缘膜Sz1的表面呈凸起状突出的弹性部件71d的顶面上。于是，在本实施例中，为了形成液晶取向膜HM1d而涂敷的涂敷液体一般不会覆盖在凹凸区域500d的凸部顶面上。因此，在本实施例中，能够更好地得到上述效果。

5.第五实施例

下面说明本发明的第五实施例。

液晶面板的具体结构

图19是示出了本发明第五实施例的液晶面板200e的主要部分的图。这里，图19是示意性地示出了设置在本实施例液晶面板200e的显示区域PA中的像素P的概要结构的截面图。

如图19所示，在本实施例中，触控传感器开关SWse的结构与第一实施例中的触控传感器开关SWs的结构不同。具体地，通过比较图19与图3可知，形成在对向基板202上的触控电极25e与第一实施例中的触控电极25不同。此外，形成在TFT阵列基板201上的触控电极62te与第一实施例中的触控电极62t不同。除了这一方面及与之相关的方面之外，本实施例与第一实施例相类似。因此，省略了对重复部分的说明。

如图19所示，与第一实施例中的情况一样，在对向基板202上，在层间绝缘膜Sz2上形成触控电极25e，该触控电极25e与公共电极23一体化地形成在同一层。这里，如图19所示，触控电极25e被设置为覆盖在凹凸区域500e的表面上。

如图19所示，在本实施例中，凹凸区域500e被形成在设置在层间绝缘膜Sz2表面上的凹入区域72e的底面上。也就是说，层间绝缘膜Sz2被形成为使得形成有触控电极25e的凹凸区域500e表面的高度比除了凹凸区域500e之外的其他区域的表面低。

例如，在由感光性材料制成的层间绝缘膜Sz2中，通过光刻技术除去将要形成凹凸区域500e处的部分，从而得到凹凸区域500e。此外，也可通过例如纳米压印方法(nanoimprint method)来形成凹凸区域500e。

然后，如图19所示，通过向形成有公共电极23和触控电极25e的表面上涂敷取向材料来形成液晶取向膜HM2e。在本实施例中，与第一实施例类似，由于在凹凸区域500e的表面上交替地设置有凸部和凹部，因而在凸部顶面上没有形成取向材料的膜。因此，触控电极25e的位于凸部顶面处的表面被暴露出来。

如图19所示，在TFT阵列基板201上，触控电极62te被设置为覆盖住弹性部件63e的顶面。

如图19所示，弹性部件63e设置在层间绝缘膜Sz1上并沿着朝对向基板202的方向呈凸起状地突出。

在本实施例中，将弹性部件63e形成为使得该弹性部件63e在被触控电极62te覆盖住的状态下的高度与柱状隔离件SP的高度相等。

结论

如上所述，在本实施例中，与第一实施例类似，触控电极25e是沿凹凸区域500e的表面予以形成的。因而，在本实施例中，无需额外地进行用于除去此部分中的液晶取向膜HM2e的处理就能够使触控电极25e的位于凸部顶面处的表面暴露出来。因此，在本实施例中，能够提高制造效率和产率，并且能够防止制造成本的增加。此外，能够提高装置的可靠性。

特别地，在本实施例中，由于通过在光刻技术中调整曝光量就能够高精度地调整凹凸区域500e的高度，因而能够抑制传感器间隙Δde的偏差。也就是说，无需通过旋转涂敷方法中的涂敷条件(旋转次数等)来调整弹性部件63e的高度以指定传感器间隙Δde。因此，在本实施例中，能够更好地得到上述效果。

顺便提及地，在上文中，如图19所示，说明了单独地形成弹性部件63e和柱状隔离件SP的情况，但本发明不限于此。

图20是示出了第五实施例的变形例中液晶面板200eb的主要部分的图。这里，图20是示意性地示出了设置在显示区域PA中的像素P的概要结构的截面图。

如图20所示，可以在同一处理过程中形成弹性部件63e和柱状隔离件SPe。

具体地，在层间绝缘膜Sz1上设置感光性树脂膜(未图示)之后，通过光刻技术对该感光性树脂膜进行图形化处理从而形成弹性部件63e和柱状隔离件SPe。此后，形成触控电极62te和像素电极62p，然后，形成液晶取向膜HM1e。

这样，能够减少工艺步骤的数量，并且能够很好地得到上述效果。

6.第六实施例

下面说明本发明的第六实施例。

液晶面板的具体结构

图21是示出了第六实施例的液晶面板200f的主要部分的图。这里，图21是示意性地示出了设置在本实施例液晶面板200f的显示区域PA中的像素P的概要结构的截面图。

如图21所示，在本实施例中，触控传感器开关SWsf的结构与第二实施例中的触控传感器开关SWsb的结构不同。具体地，通过比较图21与图15可知，形成在对向基板202上的触控电极25f与第二实施例中的触控电极25b不同。此外，形成在TFT阵列基板201上的触控电极62tf与第二实施例中的触控电极62tb不同。除了这一方面及与之相关的方面之外，本实施例与第二实施例相类似。因此，省略了对重复部分的说明。

如图21所示，在对向基板202上，与第二实施例类似，在层间绝缘膜Sz2上将触控电极25f与公共电极23一体化地形成在同一层。这里，如图21所示，触控电极25f被设置为覆盖着弹性部件63f的表面。

如图21所示，弹性部件63f设置在层间绝缘膜Sz2上并沿着朝TFT阵列基板201的方向呈凸起状地突出。

在本实施例中，将弹性部件63f形成为使得该弹性部件63f在被触控电极25f覆盖住的状态下的高度与柱状隔离件SP的高度相等。

如图21所示，在TFT阵列基板201上，触控电极62tf被设置成覆盖在凹凸区域500f的表面上。

如图21所示，在本实施例中，凹凸区域500f被形成在设置在层间绝缘膜Sz1表面上的凹入区域72f的底面上。也就是说，层间绝缘膜Sz1被形成为使形成有触控电极62tf的凹凸区域500f表面的高度比除了凹凸区域500f之外的其他区域的表面低。

例如，在由感光性材料制成的层间绝缘膜Sz1中，通过光刻技术除去将要形成凹凸区域500f处的部分，从而得到凹凸区域500f。除此之外，也可通过例如纳米压印方法来形成凹凸区域500f。

然后，如图21所示，通过向形成有像素电极62p和触控电极62tf的表面上涂敷取向材料来形成液晶取向膜HM1f。在本实施例中，与第二实施例类似，由于在凹凸区域500f的表面上交替地设置有凸部和凹部，因而在凸部顶面上不会形成取向材料的膜。因此，触控电极62tf的位于凸部顶面上的表面被暴露出来。

结论

如上所述，在本实施例中，与第二实施例类似，沿凹凸区域500f的表面形成了触控电极62tf。因而，在本实施例中，无需额外地进行用于除去此部分中的液晶取向膜HM1f的处理就能够使触控电极62tf的位于凸部顶面处的表面暴露出来。因此，在本实施例中，能够提高制造效率和产率，并且能够防止制造成本的增加。此外，能够提高装置的可靠性。

特别地，在本实施例中，与第五实施例类似，由于通过在光刻技术中调整曝光量就能够高精度地调整凹凸区域500f的高度，因而能够抑制传感器间隙Δdf的偏差。也就是说，无需通过旋转涂敷方法中的涂敷条件(旋转次数等)来调整弹性部件63f的高度以指定传感器间隙Δdf。因此，在本实施例中，能够更好地得到上述效果。

顺便提及地，在上文中，如图21所示，说明了单独地形成弹性部件63f和柱状隔离件SP的情况，但本发明不限于此。

图22是示出了第六实施例的变形例中液晶面板200fb的主要部分的图。这里，图22是示意性地示出了设置在显示区域PA中的像素P的概要结构的截面图。

如图22所示，可以在同一处理过程中形成弹性部件63f和柱状隔离件SPf。

具体地，在层间绝缘膜Sz2上设置感光性树脂膜(未图示)之后，通过光刻技术对该感光性树脂膜进行图形化处理从而形成弹性部件63f和柱状隔离件SPf。此后，形成触控电极25f和公共电极23，然后，形成液晶取向膜HM2f。

这样，能够减少工艺步骤的数量，并且能够很好地得到上述效果。

7.第七实施例

下面说明本发明的第七实施例。

液晶面板的具体结构

图23～图25是示出了本发明第七实施例的液晶面板200g的主要部分的图。

图23是示意性地示出了设置在显示区域PA中的像素P的概要结构的截面图。

图24是示意性地示出了设置在显示区域PA中的像素P的概要结构的俯视图。图23对应于图24中的X1g-X2g部分的截面。为了方便图示，在进行了适当的省略和适当的比例变化等的情况下图示出各个部件。

图25是示出了液晶面板200g的概要结构的电路图。图25示出了包括相邻像素P的部分。

如图23、图24和图25所示，在本实施例中，触控传感器开关SWsg的结构与第二实施例中的触控传感器开关SWsb的结构不同。除了这一方面及与之相关的方面之外，本实施例与第二实施例相类似。因此，省略了对重复部分的说明。

在本实施例中，如图23所示，液晶面板200g具有内置型触控传感器开关SWsg。如图23所示，触控传感器开关SWsg包括触控电极62tg和触控电极25g。

如图23所示，在构成液晶面板200g的TFT阵列基板201上，除了设有像素电极62p之外，在面对着对向基板202的一侧上还形成有用于构成触控传感器开关SWsg的触控电极62tg。

如图23所示，在构成液晶面板200g的对向基板202上，除了形成有彩色滤光片层21和公共电极23之外，在面对着TFT阵列基板201的一侧上还形成有触控电极25g。

除了包括图23所示的各部件之外，如图24所示，液晶面板200g还包括栅极线GL和信号线SL。如图25所示，液晶面板200g还包括像素开关元件31和存储电容元件CS。栅极线GL、信号线SL、像素开关元件31和存储电容元件CS未在图23和图24中示出，它们设置在构成液晶面板200g的TFT阵列基板201上。

(A)TFT阵列基板201

下面具体说明设置在TFT阵列基板201中的各个部分。

如图23所示，在TFT阵列基板201上，像素电极62p和触控电极62tg隔着层间绝缘膜Sz被设置在TFT阵列基板201的面对着对向基板202的一侧上。像素电极62p和触控电极62tg都是所谓的透光性电极，并且例如通过使用ITO来予以形成。像素电极62p和触控电极62tg一体化地形成并且彼此电连接。

如图24所示，像素电极62p和触控电极62tg由矩形图形形成，且对应于通过栅极线GL和信号线SL来划分xy平面而得到的多个区域中的各个区域。

具体地，如图23所示，像素电极62p被设置得分别对应于构成彩色滤光片层21的红光滤光片层21R、绿光滤光片层21G和蓝光滤光片层21B。也就是说，像素电极62p被形成得分别对应于构成像素P的三个子像素中的各个子像素。如图23所示，像素电极62p隔着液晶层203与公共电极23面对。如图25所示，各个像素电极62p与像素开关元件31的一个端子电连接，从而向液晶层203施加电位。

如图23所示，触控电极62tg被设置为分别对应于构成彩色滤光片层21的红光滤光片层21R和绿光滤光片层21G。也就是说，触控电极62tg被形成为对应于构成像素P的三个子像素中的两个子像素中的各个子像素。如图23所示，两个触控电极62tg这二者都隔着液晶层203与设置在对向基板202上的一个触控电极25g面对。如图24所示，各触控电极62tg设置在栅极线GL的上方。如图25所示，触控电极62tg与像素开关元件31的源极电连接。

在TFT阵列基板201上，图25中的像素开关元件31和存储电容元件CS在图23中未示出，它们被形成在TFT阵列基板201的面对着对向基板202的一侧上。各像素开关元件31和存储电容元件CS都被层间绝缘膜Sz覆盖着。

如图25所示，像素开关元件31是晶体管，并且例如是使用多晶硅的TFT。如图25所示，作为TFT的像素开关元件31的栅极与栅极线GL电连接。像素开关元件31的漏极与信号线SL电连接。像素开关元件31的源极与像素电极62p和触控电极62tg连接。

如图25所示，存储电容元件CS的一个电极与像素开关元件31的源极电连接。如图25所示，存储电容元件CS的另一个电极与存储电容线CSL电连接。

在TFT阵列基板201上，图24和图25中所示的栅极线GL和信号线SL在图23中未示出，它们被设置在TFT阵列基板201的面对着对向基板202的一侧上。各栅极线GL和信号线SL都被层间绝缘膜Sz覆盖着。

如图24和图25所示，栅极线GL被设置为在xy平面的x方向上延伸。如图25所示，栅极线GL与像素开关元件31的栅极电连接。另外，栅极线GL与图2所示的垂直驱动电路11电连接，并从垂直驱动电路11向像素开关元件31的栅极供给扫描信号Vgate。

如图24和图25所示，信号线SL被设置为在xy平面的y方向上延伸。如图25所示，信号线SL与像素开关元件31的漏极电连接。另外，如图25所示，信号线SL与水平驱动电路12电连接。

如图25所示，在本实施例中，水平驱动电路12包括写电路WC和读电路RC。如图25所示，信号线SL包括可与写电路WC连接也可与读电路RC连接的第一信号线SL1，以及仅与写电路WC连接的第二信号线SL2。

开关SWw1插接在第一信号线SL1与写电路WC之间，并且当开关SWw1变成接通状态时，第一信号线SL1与写电路WC电连接。开关SWr插接在第一信号线SL1与读电路RC之间，并且当开关SWr变成接通状态时，第一信号线SL1与读电路RC电连接。例如第一信号线SL1被设置为与对应于彩色滤光片层21的红光滤光片层21R的子像素连接。

第二信号线SL2通过开关SWw2与写电路WC电连接，该开关SWw2***在第二信号线SL2与写电路WC之间。然而，不像第一信号线SL1那样，第二信号线SL2始终不与读电路RC电连接。例如第二信号线SL2被设置为与对应于彩色滤光片层21的绿光滤光片层21G的子像素连接。

尽管未图示，但在像素P中，第三信号线(未图示)被设置为与对应于彩色滤光片层21的蓝光滤光片层21B的子像素连接。与第二信号线SL2类似，第三信号线通过一开关与写电路WC电连接，该开关插接在第三信号线与写电路WC之间。

另外，如图23所示，在TFT阵列基板201上，在像素电极62p上设置有液晶取向膜HM1g。液晶取向膜HM1g由聚酰亚胺制成。

在本实施例中，将液晶取向膜HM1g以使触控电极62tg的表面暴露出来的形式予以形成。

如后面会详细说明的那样，如图23和图24所示，在层间绝缘膜Sz中，在一对相邻的触控电极62tg之间设有凹槽TR。当在像素电极62p上形成液晶取向膜HM1g时，由于涂敷液体进入凹槽TR，因而触控电极62tg的在凹槽TR周围的顶面没有被涂敷膜覆盖。基于这个原因，如图23所示，将液晶取向膜HM1g形成为以使触控电极62tg的表面暴露出来的形式把液晶取向膜HM1g覆盖在像素电极62p上。

(B)对向基板202

下面具体说明设置在对向基板202中的各个部分。

如图23所示，在对向基板202上，在对向基板202的面对着TFT阵列基板201的一侧上形成有彩色滤光片层21。彩色滤光片层21包括由形成为一组的红光滤光片层21R、绿光滤光片层21G和蓝光滤光片层21B构成的三原色滤光片，该彩色滤光片层21与各个像素P对应地设置着，并且按照逐个颜色地被形成为排列在x方向上。彩色滤光片层21例如通过使用含有诸如颜料或染料等着色剂的聚酰亚胺树脂来予以形成。在彩色滤光片层21处，从背光源300照射的白光被着色然后出射。

如图23所示，在对向基板202上，在对向基板202的面对着TFT阵列基板201的一侧上形成有公共电极23。公共电极23被形成为覆盖着彩色滤光片层21。公共电极23是所谓的透光性电极，并且例如通过使用ITO来予以形成。如图25所示，公共电极23与Vcom线CL电连接，并且公共电位被施加给该公共电极23。也就是说，公共电极23与对应于显示区域PA中的多个像素P而予以形成的多个像素电极62p中的每个像素电极相对，并且作为各像素P所共用的电极。

如图23和图24所示，在公共电极23上设有液晶取向膜HM2g。液晶取向膜HM2g被设置为覆盖公共电极23的整个表面。例如，通过旋转涂敷方法来形成聚酰亚胺膜从而形成液晶取向膜HM2g。聚酰亚胺没有成膜在凸部CO的表面上，并且触控电极25g的表面被暴露出来。

如图23所示，在对向基板202上，触控电极25g形成在对向基板202的面对着TFT阵列基板201的一侧上。如图25所示，触控电极25g可以与TFT阵列基板201上两个相邻的触控电极62tg接触，从而使两个触控电极62tg彼此电连接。也就是说，当外部压力使液晶面板200g变形时，触控电极25g与面对着该触控电极25g的两个触控电极62tg接触，从而使两个触控电极62tg彼此电连接。

如图23所示，在本实施例中，触控电极25g设置在凸部CO上。

如图23所示，凸部CO被设置为在对向基板202的面对着TFT阵列基板201的一侧上沿着朝TFT阵列基板201的方向呈凸起状地突出。如图23所示，凸部CO被形成为使得它的高度比用于保持单元间隙的柱状隔离件SP低。

如图23所示，凸部CO被形成为具有正向锥形形状。也就是说，将凸部CO形成为使得它的x方向上的宽度在从对向基板202到TFT阵列基板201的方向上减小。凸部CO是弹性体，并且例如通过丙烯酸树脂或酚醛树脂来予以形成。

将凸部CO形成为使得在该凸部CO的面对着TFT阵列基板201的顶面处具有沿xy平面的平坦区域HR。

在平坦区域HR上形成作为独立图形的触控电极25g，而在凸部CO上的除了平坦区域HR之外的其他区域中没有形成触控电极25g。

(C)液晶层203

下面说明液晶层203。

如图23所示，液晶层203夹在TFT阵列基板201与对向基板202之间。

通过形成在TFT阵列基板201上的液晶取向膜HM1g和形成在对向基板202上的液晶取向膜HM2g，来使液晶层203的液晶分子(未图示)取向。例如，将液晶层203形成为使液晶分子沿垂直取向。也就是说，将液晶层203形成为使液晶显示模式变为垂直取向(Vertical Align，VA)模式。另外，可将液晶层203形成为对应于扭曲向列(Twisted Nematic，TN)模式或者电控双折射(Electrically Controlled Birefringence，ECB)模式。

操作

下面说明在液晶显示装置100中，对诸如用户手指等检测目标物体与液晶面板200g的显示区域PA的接触位置进行检测的操作。

在检测接触位置时，进行预充电。

控制部401控制各部分从而进行下面的预充电。

具体地，如图25所示，通过开关SWw1预先将与施加至Vcom线CL的电压(Vcom)极性相反的电压(xVcom)施加至第一信号线SL1。通过开关SWw2预先将与施加至Vcom线CL的电压(Vcom)极性相同的电压电压(Vcom)施加至第二信号线SL2。此后，第一信号线SL1侧的开关SWw1变成断开状态，从而使第一信号线SL1在电学上进入悬浮状态。

接着，对检测目标物体与液晶面板200g接触的接触位置进行检测。

控制部401控制各部分以便进行下面所述的接触位置检测操作。

具体地，在进行预充电之后，向栅极线GL供给信号以将像素开关元件31的栅极电压变成激活电平(在本实施例中为高电平)，从而使分别与两个触控电极62tg连接的各像素开关元件31变为接通状态。然后，与第一信号线SL1连接的开关SWr变成接通状态，并将传感器信号从第一信号线SL1输出至读电路RC。基于在读电路RC处读出的传感器信号对接触位置进行检测。

例如，当检测目标物体与液晶面板200g接触，并且触控电极25g与两个触控电极62tg接触时，从图25可知，触控传感器开关SWsg变为接通状态。在此情况下，两个触控电极62tg彼此电连接并被短路。由此，在如上所述经过预充电的第一信号线SL1与第二信号线SL2之间，有电流从第二信号线SL2通过触控传感器开关SWsg流至第一信号线SL1。因此，处于悬浮状态的第一信号线SL1的电位发生变化。

当未向液晶面板200g施加外部压力时，如图25所示，触控电极25g不与两个触控电极62tg接触，并且触控传感器开关SWsg为断开状态，因而不像上面说明的那样，两个触控电极62tg不会电短路。由此，在第一信号线SL1与第二信号线SL2之间没有电流流动，于是处于悬浮状态的第一信号线SL1的电位不会发生变化。

如上所述，第一信号线SL1的电位根据与检测目标物体是否进行接触而不同。由此，位置检测部402基于第一信号线SL1的电位对检测目标物体与液晶面板200g相接触的接触位置进行检测。

在液晶显示装置100中，除了进行位置检测操作之外，还进行图像显示操作。位置检测操作和图像显示操作交替并重复地进行。

在图像显示时，从栅极线GL将扫描信号供给至像素开关元件31的栅极，从而控制像素开关元件31的开关操作。然后，从写电路WC将视频信号依次通过写开关SWw1及SWw2、信号线SL、像素开关元件31写入到像素电极62p，从而进行图像显示。

图26A和图26B是示出了本发明第七实施例的液晶显示装置中检测目标物体F与液晶面板200g的显示区域PA接触的情况下的截面图。图26A和图26B示出了主要部分并省略了一些部件的图示。

如图26A和图26B所示，当检测目标物体接触对向基板202的与液晶层203相反的一侧并且按压该对向基板202时，使对向基板202变形并向TFT阵列基板201移动。此时，由于对向基板202的变形，因而设置在对向基板202的面对着液晶层203的一侧上的触控电极25g向TFT阵列基板201移动。然后，触控电极25g与设置在TFT阵列基板201上的两个触控电极62tg相接触。这样，设置在对向基板202上的触控电极25g与设置在TFT阵列基板201上的两个触控电极62tg相接触，因此触控传感器开关SWsg变为接通状态。

也就是说，当在液晶面板200g上使用等于或大于操作起始压力的按压力进行触控操作时，减小了传感器间隙，在两个基板201和基板202上的触控电极25g和触控电极62tg相互接触，并且触控传感器开关SWsg变为接通状态。

如图26B所示，当上部触控电极25g与两个下部触控电极62tg接触时，上述压力使凸部CO变形。由此，当将触控电极25g还设置在除了凸部CO上的平坦区域HR之外的其他区域上时，由于凸部CO的变形而会导致触控电极25g断裂。

然而，在本实施例中，如图26A和图26B所示，在凸部CO上的平坦区域HR上形成作为独立图形的触控电极25g，而在除了凸部CO上的平坦区域HR之外的其他区域中没有形成触控电极25g。

由此，在本实施例中，能够防止形成在凸部CO上的触控电极25g断裂。

制造方法

下面说明作为上述液晶显示装置的主要部分的液晶取向膜HM1g的形成方法。

图27A～图27C是示出本发明第七实施例的液晶显示装置100中液晶取向膜HM1g的形成工序的截面图。图27A～图27C示出了主要部分，并省略了一些部件的图示。

首先，如图27A所示，形成层间绝缘膜Sz。

通过涂敷感光性树脂(未图示)来形成层间绝缘膜Sz。例如，在涂敷了正型感光性的丙烯酸树脂之后，进行预烘烤处理，从而形成层间绝缘膜Sz。

接着，如图27B所示，形成像素电极62p和触控电极62tg。

通过在层间绝缘膜Sz的表面上形成透光性导电膜并对其进行图形化处理来形成像素电极62p和触控电极62tg。例如，通过溅射方法形成ITO膜，然后利用光刻技术对该ITO膜进行图形化处理，从而形成像素电极62p和触控电极62tg。

接着，如图27C所示，在层间绝缘膜Sz中形成凹槽TR。

利用光刻技术对由感光性树脂制成的层间绝缘膜Sz进行图形化处理，从而形成上述凹槽TR。

具体地，利用形成有掩模图形的光掩模进行曝光处理。在该曝光处理中，把曝光用光照射到要形成凹槽处的部分。

在进行曝光处理之后，进行显影处理。此后，通过进行烘烤处理来使层间绝缘膜Sz2中的残留溶剂或低分子量未聚合成分挥发。这样，如图27C所示，在层间绝缘膜Sz中形成了凹槽TR。

接着，如图23所示，形成液晶取向膜HM1g。

通过将含有取向膜用材料的涂敷液体涂敷至像素电极62p和触控电极62tg上来形成液晶取向膜HM1g。例如，通过旋转涂敷方法来涂敷其中溶解有作为取向膜用材料的聚酰亚胺的涂敷液体。然后，进行预烘烤处理从而使涂敷膜中的溶剂挥发，并进行烘烤处理从而除去残留溶剂。

如图23所示，由于在一对触控电极62tg之间设有凹槽TR，因而当涂敷含有取向膜用材料的涂敷液体时，该涂敷液体进入凹槽TR，而没有使触控电极62tg的在凹槽TR周围的顶面被涂敷膜覆盖。也就是说，涂敷液体在表面张力或重力的作用下进入凹槽TR，因而触控电极62tg的在凹槽TR周围的顶面上没有形成涂敷膜。由此，如图23所示，将液晶取向膜HM1g形成得以让触控电极62tg的表面暴露出来的形式覆盖着像素电极62p。

在按照上述方式形成液晶取向膜HM1g之后，进行取向处理。例如，通过摩擦处理来进行取向处理。另外，可进行诸如光取向处理、离子束取向处理或光栅取向处理等取向处理。例如，当液晶取向膜HM1g引发垂直取向并且液晶面板200g变成垂直取向(VA)模式时，就无需额外地进行上述取向处理。

然后，如图23所示，形成有各部分的对向基板202与TFT阵列基板201相互粘合。此后，将液晶材料注入到TFT阵列基板201与对向基板202之间，从而得到液晶层203。因此，完成了液晶面板200g。

结论

如上所述，在本实施例中，通过外部压力使液晶面板200g变形从而让触控电极25g与一对触控电极62tg接触，由此使这对触控电极62tg彼此电连接。TFT阵列基板201上的两个触控电极62tg以二者之间隔着形成于层间绝缘膜(下层)Sz内的凹槽TR的形式被设置在TFT阵列基板201上。当将含有取向材料的涂敷液体涂敷到形成有触控电极62tg的表面上时，该涂敷液体进入凹槽TR，并且触控电极62tg的顶面没有被涂敷液体膜覆盖，由此形成了液晶取向膜HM1g。具体地，将层间绝缘膜(下层)Sz设置成使得凹槽TR位于一对触控电极62tg之间，并将这对触控电极62tg形成为使得它们在凹槽TR周围的表面没有被液晶取向膜HM1g覆盖。

由此，在本实施例中，无需额外地进行用于将触控电极62tg表面上的液晶取向膜HM1g除去的处理就能够使触控电极62tg的表面暴露出来。因此，在本实施例中，能够提高制造效率和产率，并能够抑制制造成本的增加。此外，能够提高装置的可靠性。

在本实施例中，在对向基板202上，凸部CO被形成在对向基板202的面对着TFT阵列基板201的xy平面上。在凸部CO的面对着TFT阵列基板201的顶面处形成有平坦区域HR。用于构成触控传感器开关SWsg的触控电极25g作为独立图形而被形成在平坦区域HR上，而在除了凸部CO上的平坦区域HR之外的其他区域内没有形成触控电极25g。因此，如上所述，即使当重复使用触控电极25g时也能够防止触控电极25g断裂，因而能够提高装置的可靠性。

在本实施例中，触控传感器开关SWsg被配置成：当通过外部压力使液晶面板200g变形时，单个触控电极25g与两个触控电极62tg相接触，从而使这两个触控电极62tg相互电连接。

也就是说，本实施例中的触控传感器开关SWsg是两点接触型，不是一点接触型。在一点接触型的情况下，如果有导电性杂质存在于该一点接触位置处并因而常常发生短路时，很难进行位置检测。然而，由于本实施例中的触控传感器开关SWsg是两点接触型，因而即使在单个上部触控电极25g与两个下部触控电极62tg之中的一者之间发生短路时，如果没有施加外部压力，则也可将这两个下部触控电极62tg维持在断开状态。

因此，在本实施例中，能够精确地进行位置检测。

在本实施例中，优选的是，凸部CO为锥角θ等于或者小于70°的锥形形状。当锥角超过70°时，凸部CO的位移增大，因而触控电极25g可能断裂。

图28是示出了本发明第七实施例中凸部的锥角θ与位移x(m)之间关系的图表。该表中示出了使用ANSYS对凸部CO的位移进行模拟而得到的模拟结果，该ANSYS是FEM(场发射显微镜)结构分析模拟器。在此模拟过程中，作为凸部CO的中心条件，杨氏模量(Young’s modulus)为3.5GPa，并且泊松比(Poission’s ratio)为0.38。凸部CO的底面尺寸为35μm×15μm，并且凸部CO的高度为2.5μm。该图示出了把凸部的上端部的变形距离作为位移量时的模拟结果。在图28中，“压力”表示在进行模拟时所施加的压力。

图29A和图29B是示出了在本发明第七实施例中凸部CO根据锥角θ的不同而发生不同变形的情况下的截面图。

如图28所示，对于如上所述的模拟结果，当锥角θ为68°时，位移x(m)最小。当锥角θ处于78°～90°的范围内时，位移x(m)增大。随着凸部CO的锥角θ从90°减小到45°，从凸部的侧面在横向方向上变形的状态变成了凸部的顶面发生塌陷的状态。

具体地，如图29A所示，当凸部不是锥形形状时(锥角θ＝90°)时，凸部的侧面可以在横向方向上发生变形。凸部CO的底部发生很小的变形，但凸部CO的顶面以向外扩展的形式发生变形并且该变形较大。当凸部不是锥形形状时，会受到拉伸应力从而使得形成在凸部CO顶面处的触控电极25g在横向方向上扩展，因而可能会损坏触控电极25g。

如图29B所示，当凸部具有锥形形状时，外部压力一般不会使凸部的侧面变形，并且凸部可以以该凸部的顶面发生塌陷的形式进行变形。特别地，如果凸部CO的锥角θ等于或者小于70°，则可以使凸部的顶面以易于发生变形的形式变成塌陷状，并如图28所示，能够将凸部CO的位移控制为较小。由此，几乎未受到会使形成在凸部CO顶面处的触控电极25g在横向方向上扩展的拉伸应力，因而能够有效地防止触控电极25g被损坏。

如图29B所示，优选在凸部CO的锥形区域TP内侧与锥形区域TP相距一定距离处的区域中形成触控电极25g，该一定距离等于或者大于锥形区域TP的宽度L1。也就是说，优选的是，触控电极25g的端部与凸部CO的顶面向呈锥形倾斜的侧面发生形变时的形变点之间的距离L2，等于或者大于该变形点与凸部侧面的靠近于对向基板202的端点之间的宽度L1。以此方式，如图29B所示，在该区域中，外部压力使凸部CO的顶面塌陷。由此，应力一般不会集中到形成在该区域内的触控电极25g上，因而能够防止触控电极25g被损坏。

另外，优选将凸部CO形成为使得杨氏模量在1～5GPa的范围内，并且泊松比在0.36～0.40的范围内。

当作为凸部CO的中心条件将泊松比设为0.38时，与上述的说明相类似，进行模拟过程时，在上述泊松比的范围内没有发生位移变化。当作为凸部CO的中心条件将杨氏模量设为3.5GPa时，与上述的说明相类发生似，进行模拟过程，在上述泊松比的范围内没有位移变化。因此，上述范围是优选的。

变形例

虽然如图23和图24所示，在上面的说明中已经说明了在TFT阵列基板201上由单一膜来一体形成像素电极62p和触控电极62tg的情况，但本发明不限于此。也就是说，尽管说明了像素电极62p和触控电极62tg被形成为使它们彼此物理连接且电连接，但也可将像素电极62p和触控电极62tg形成为在物理上彼此分隔。

变形例1

图30A和图30B是示出了本发明第七实施例的变形例1中形成在TFT阵列基板201上的触控电极62tg和形成在对向基板202上的触控电极25g。图30A是以放大比例示出了TFT阵列基板201的形成有触控电极62tg的那一部分的平面图。图30B是以放大比例示出了对向基板202的形成有触控电极25g的那一部分的平面图。

如图30A所示，TFT阵列基板201上的触控电极62tg可被形成为与像素电极62p(图30A中未示出)在物理上分隔。如图30A和图30B所示，TFT阵列基板201上的各触控电极62tg和形成在对向基板202上的触控电极25g被形成为使得它们在y方向上的宽度H1和宽度H2彼此相等。

如图30A所示，在此变形例中，与第七实施例类似，将一对触控电极62tg以二者之间隔着凹槽TR的形式被形成为在TFT阵列基板201上沿x方向布置着。

由此，与图23所示的情况类似，由于在一对触控电极62tg之间设有凹槽TR，因而当涂敷含有取向膜用材料的涂敷液体时，该涂敷液体进入凹槽TR。因此，与上述实施例类似，液晶取向膜HM1g以使触控电极62tg的在凹槽TR周围的表面暴露出来的形式予以形成。

因此，在此变形例中，能够得到与上述实施例相同的效果。

变形例2

图31是示出了本发明第七实施例的变形例2中形成在TFT阵列基板201上的触控电极62tg的图。图31以放大比例示出了TFT阵列基板201的形成有触控电极62tg的平面部分。

如图31所示，凹槽TR的结构不限于上述实施例。

例如，如图31所示，可在沿TFT阵列基板201表面(xy平面)上的x方向布置的一对触控电极62tg之间形成凹槽TR1，并且可在其他位置处额外地形成凹槽TR2和凹槽TR3。如图31所示，可将凹槽TR2和凹槽TR3形成为：沿TFT阵列基板201表面(xy平面)上的x方向延伸的一对触控电极62tg在y方向上被夹在沿x方向呈线性延伸的一对凹槽TR2和TR3之间。

在此情况下，由于用于分割出一对触控电极62tg且沿x方向上延伸的部分侧边位于沿x方向呈线性延伸的一对凹槽TR2和TR3的周围，因而当涂敷含有取向膜用材料的涂敷液体时，该涂敷液体进入凹槽TR2和凹槽TR3中。因此，液晶取向膜HM1g以让触控电极62tg的在沿x方向延伸的凹槽TR2和凹槽TR3周围的表面暴露出来的形式予以形成。

因此，在此变形例中，能够得到与本实施例相同的效果。

变形例3

图32是示出了本发明第七实施例的变形例3中形成在对向基板202上的触控电极25g的图。图32以放大比例示出了对向基板202的形成有触控电极25g的平面部分。

如图32所示，可将对向基板202上的触控电极25g和TFT阵列基板201上的各触控电极62tg形成为使它们在y方向上的宽度H1和宽度H2彼此不相等。优选将对向基板202上的触控电极25g形成为使它在y方向上的宽度H1比TFT阵列基板201上的各触控电极62tg在y方向上的宽度H2大。

图33A～图33C是用于说明本发明第七实施例的变形例3的作用效果的图。图33A是形成在对向基板202上的触控电极25g与TFT阵列基板201上的各触控电极62tg相互接触的情况下的侧面图。图33B是示出了在变形例1中形成在对向基板202上的触控电极25g与TFT阵列基板201上的各触控电极62tg相互接触且触控电极25g被损坏的情况下的平面图。图33C是示出了在变形例3中形成在对向基板202上的触控电极25g与TFT阵列基板201上的各触控电极62tg相互接触且触控电极25g被损坏的情况下的平面图。

如图33A所示，当对向基板202上的触控电极25g与TFT阵列基板201上的各触控电极62tg相互接触时，对向基板202上的触控电极25g会变形。由此，如图33B和图33C所示，在对向基板202上的触控电极25g与TFT阵列基板201上的各触控电极62tg的端部相接触的部分处，对向基板202上的触控电极25g可能会断裂。

在变形例1的情况下，对向基板202上的触控电极25g的宽度H1和TFT阵列基板201上的触控电极62t的宽度H2相同。由此，如图33B所示，对向基板202上的触控电极25g可能在y方向的整个宽度上都断裂。因此，与TFT阵列基板201上的各触控电极62tg相接触的对向基板202上的触控电极25g的那部分可能断裂，并且会使触控传感器的可靠性劣化。

与此相比，在变形例3的情况下，如上所述，对向基板202上的触控电极25g的宽度H1比TFT阵列基板201上的各触控电极62tg的宽度H2大。在此情况下，如图33C所示，对向基板202上的触控电极25g与TFT阵列基板201上的触控电极62tg相接触，在y方向上位于中央处的接触部可能断裂。然而，由于TFT阵列基板201上的各触控电极62tg不与在y方向上位于中央处的接触部以外的端部接触，因而该端部不会出现断裂。由此，在对向基板202上的触控电极25g与TFT阵列基板201上的触控电极62tg相互接触的状态下，即使当对向基板202上的触控电极25g可能发生断裂时，两个触控电极62tg也会处于导电状态并且能够防止这两个触控电极62tg断开。也就是说，触控电极25g被设置为：在除了对向基板202上的触控电极25g的与TFT阵列基板201上的一对触控电极62tg相接触的部分之外的其他区域中，触控电极25g与这对触控电极62tg电连接，因而能够提高可靠性。

变形例4～变形例6

图34A～图36B是示出了本发明第七实施例的变形例中形成在TFT阵列基板201上的触控电极62tg的图。图34A和图34B示出了变形例4，图35A和图35B示出了变形例5，并且图36A和图36B示出了变形例6。在这些图中，图34A、图35A和图36A是以放大比例示出了TFT阵列基板201的形成有触控电极62tg的那一部分的平面图。图34B、图35B和图36B是以放大比例示出了TFT阵列基板201的形成有触控电极62tg的那一部分的截面图。图34B、图35B和图36B分别示出了图34A、图35A和图36A中的X1g-X2g部分的截面。

如上述各图所示，可将TFT阵列基板201上的各触控电极62tg可以以覆盖着各凹槽TR的内表面的形式予以形成。

具体地，对于变形例4，如图34A所示，对于沿TFT阵列基板201表面(xy平面)上的x方向延伸的一对触控电极62tg，可各自形成有沿y方向延伸的凹槽TR1。

在此情况下，当涂敷含有取向膜用材料的涂敷液体时，该涂敷液体进入凹槽TR1，并且如图34B所示，形成了液晶取向膜HM1g。以让沿x方向的各触控电极62tg的截面的在凹槽TR1周围的顶面暴露出来的形式，形成了上述液晶取向膜HM1g。由此，当对向基板202上的触控电极25g与各触控电极62tg的露出表面相接触时，进行位置检测。

对于变形例5，如图35A所示，可将各凹槽TR形成为：在TFT阵列基板201的表面(xy平面)上，触控电极62tg在y方向上被夹在一对凹槽TR2和TR3之间，该对凹槽TR2和TR3是沿x方向呈线性延伸的。

在此情况下，当涂敷含有取向膜用材料的涂敷液体时，该涂敷液体进入凹槽TR1，并且如图35B所示，与变形例4类似，在X1g-X2g部分处形成了液晶取向膜HM1g。以让沿x方向的各触控电极62tg的截面的在凹槽TR周围的顶面暴露出来的形式，形成了上述液晶取向膜HM1g。由此，当对向基板202上的触控电极25g与各触控电极62tg的露出表面相接触时，进行位置检测。

对于变形例6，如图36A所示，在TFT阵列基板201的表面(xy平面)上，可将沿y方向呈线性延伸的一对凹槽TR4形成在沿x方向延伸的触控电极62tg之间。

在此情况下，当涂敷含有取向膜用材料的涂敷液体时，该涂敷液体进入凹槽TR1和凹槽TR4，并且如图36B所示，在X1g-X2g部分处形成了液晶取向膜HM1g。以让沿x方向的各触控电极62tg的截面的在凹槽TR1和凹槽TR4周围的顶面暴露出来的形式，形成了上述液晶取向膜HM1g。由此，当对向基板202上的触控电极25g与各触控电极62tg的露出表面相接触时，进行位置检测。

因此，在各变形例中，能够得到与本实施例相同的效果。

在变形例4～变形例6的情况下，由于触控电极62tg被设置为覆盖着凹槽TR的内表面，因而当按压液晶面板200g的表面并使其变形时，凹槽TR内侧的触控电极62tg可能会断裂。由于此原因，从防止断裂的方面来看，可以适当地使用其他示例。

变形例7

图37A和图37B是示出了本发明第七实施例的变形例7中形成在TFT阵列基板201上的触控电极62tg的图。图37A是以放大比例示出了TFT阵列基板201的形成有触控电极62tg的那一部分的平面图。图37B是以放大比例示出了TFT阵列基板201的形成有触控电极62tg的那一部分的截面图。图37B示出了图37A中的X1g-X2g部分的截面。

如图37A所示，TFT阵列基板201上的各触控电极62tg不限于矩形形状。具体地，各触控电极62tg可包括沿x方向延伸的部分62tx和沿y方向延伸的部分62ty。在此情况下，沿x方向延伸的部分62tx设置在上方，并且在x方向上按照一定间隔从沿x方向延伸的部分62tx往下设有沿y方向延伸的多个部分62ty。并且，在沿y方向延伸的多个部分62ty之间分别设置有沿x方向排列的凹槽TRa。

在此情况下，当涂敷含有取向膜用材料的涂敷液体时，该涂敷液体进入凹槽TR和凹槽TRa，并且如图37B所示，在X1g-X2g部分处形成了液晶取向膜HM1g。由此，当对向基板202上的触控电极25g与各触控电极62tg的露出表面相接触时，进行位置检测。

在本实施例中，凹槽TRa分别设置在沿y方向延伸的多个部分62ty之间，因而各部分62ty的端部的表面未被液晶取向膜HM1g覆盖因而暴露出来。由此，在对向基板202上的触控电极25g中，即使当与凹槽TR对应的部分在中央处断裂时，一对触控电极62tg在上述的部分62ty处依然彼此电连接。因而，能够提高装置的可靠性。

因此，在本变形例中，能够得到与本实施例相同的效果。

变形例8

图38是示出了本发明第七实施例的变形例8中形成在TFT阵列基板201上的触控电极62tg的图。图38是以放大比例示出了形成有触控电极62tg的TFT阵列基板201的平面部分。

尽管在如图30A和图30B所示的变形例1中说明了凹槽TR在y方向上的宽度等于各触控电极62tg的宽度，但本发明不限于此。如图38所示，凹槽TR在y方向上的宽度小于各触控电极62tg的宽度。

在此情况下，也能够得到与本实施例相同的效果。

变形例9～变形例13

图39A～图43B是示出了本发明第七实施例的变形例中形成在TFT阵列基板201上的触控电极62tg的图。图39A和图39B示出了变形例9，图40A和图40B示出了变形例10，图41A和图41B示出了变形例11，图42A和42B示出了变形例12，并且图43A和图43B示出了变形例13。在这些图中，图39A、图40A、图41A、图42A和图43A是以放大比例示出了TFT阵列基板201的形成有触控电极62tg的那一部分的平面图。图39B、图40B、图41B、图42B和图43B是以放大比例示出了TFT阵列基板201的形成有触控电极62tg的那一部分的截面图。图39B、图40B、图41B、图42B和图43B示出了图39A、图40A、图41A、图42A和图43A的Y1g-Y2g部分的截面。

如上述各图所示，对于TFT阵列基板201上的各触控电极62tg，可仅形成沿x方向呈线性延伸的凹槽TR。也就是说，在作为下层的层间绝缘膜Sz中，凹槽TR可以以在一对触控电极62tg的排列方向即x方向上延伸的形式予以形成。

具体地，对于变形例9，如图39A所示，在TFT阵列基板201的表面(xy平面)上，可将沿x方向延伸的一对触控电极62tg在y方向上夹在沿x方向延伸的凹槽TR之间。

在此情况下，当涂敷含有取向膜用材料的涂敷液体时，该涂敷液体进入凹槽TR，并且如图39B所示，形成了液晶取向膜HM1g。在此情况下，以让各触控电极62tg的y方向上的截面的在凹槽TR周围的顶面暴露出来的形式，形成上述液晶取向膜HM1g。也就是说，液晶取向膜HM1g被形成为使得各触控电极62tg的y方向上的两端处的顶面暴露出来。由此，当对向基板202上的触控电极25g与各触控电极62tg的露出表面相接触时，进行位置检测。

在本变形例中，位于凹槽TR周围的顶面一般不会被液晶取向膜HM1g覆盖，因而能够很好地实现传感器特性。

对于变形例10，如图40A所示，在TFT阵列基板201的表面(xy平面)上，可在沿x方向延伸的一对触控电极62tg的下方设置有沿x方向延伸的凹槽TR。

在此情况下，当涂敷含有取向膜用材料的涂敷液体时，该涂敷液体进入凹槽TR，并且如图40B所示，形成了液晶取向膜HM1g。在此情况下，以让各触控电极62tg的y方向上的截面的在凹槽TR周围的顶面暴露出来的形式，形成上述液晶取向膜HM1g。也就是说，液晶取向膜HM1g被形成为使得各触控电极62tg的y方向上的一端处的顶面暴露出来。由此，当对向基板202上的触控电极25g与各触控电极62tg的露出表面相接触时，进行位置检测。

在本变形例中，与变形例9相比能够减小整体占用面积。

对于变形例11，如图41A所示，可将一对触控电极62tg形成为使得这对触控电极62t各自具有沿xy平面上的x方向的凹入部，并且这两个凹入部在x方向上相互面对。可在上述凹入部内设置有沿x方向延伸的凹槽TR。

在此情况下，当涂敷含有取向膜用材料的涂敷液体时，该涂敷液体进入凹槽TR，并且如图41B所示，形成了液晶取向膜HM1g。在此情况下，以让各触控电极62tg的y方向上的截面的在凹槽TR周围的顶面暴露出来的形式，形成上述液晶取向膜HM1g。也就是说，液晶取向膜HM1g被形成为使得各触控电极62tg的夹着凹槽TR的各端部处的顶面暴露出来。由此，当对向基板202上的触控电极25g与各触控电极62tg的露出表面相接触时，进行位置检测。

在本变形例中，与变形例9和变形例10相比能够减小整体占用面积。

对于变形例12，如图42A所示，可将各触控电极62tg形成为使得在xy平面的x方向上的中央处具有在x方向上呈凸起状突出的部分。然后，可将这样一对触控电极62tg设置成使它们的凸起部在x方向上相互面对。可将该对触控电极62tg的呈凸起状突出的上述部分夹在沿x方向延伸的一对凹槽TR之间。

在此情况下，当涂敷含有取向膜用材料的涂敷液体时，该涂敷液体进入凹槽TR，并且如图42B所示，形成了液晶取向膜HM1g。在此情况下，以让各触控电极62tg的y方向上的截面的在凹槽TR周围的顶面暴露出来的形式，形成上述液晶取向膜HM1g。也就是说，液晶取向膜HM1g被形成为使得各触控电极62tg的被夹在一对凹槽TR之间的那个端部的顶面暴露出来。由此，当对向基板202上的触控电极25g与各触控电极62tg的露出表面相接触时，进行位置检测。

在本变形例中，与变形例11相比，位于凹槽TR周围的顶面一般不会被液晶取向膜HM1g覆盖，因而能够很好地实现传感器特性。

对于变形例13，如图43A所示，可将各触控电极62tg形成为使其在xy平面的x方向上呈凸起状突出的部分相对于x方向位于上方。可将这样一对触控电极62tg设置为使它们的凸起部在x方向上相互面对。沿x方向延伸的一对凹槽TR可布置在该对触控电极62tg的呈凸起状突出的上述部分的下方。

在此情况下，当涂敷含有取向膜用材料的涂敷液体时，该涂敷液体进入凹槽TR，并且如图43B所示，形成了液晶取向膜HM1g。在此情况下，以让各触控电极62tg的y方向上的截面的在凹槽TR周围的顶面暴露出来的形式，形成上述液晶取向膜HM1g。也就是说，液晶取向膜HM1g被形成为使得各触控电极62tg的位于凹槽TR附近的那个端部的顶面暴露出来。由此，当对向基板202上的触控电极25g与各触控电极62tg的露出表面相接触时，进行位置检测。

在本变形例中，与变形例9～变形例12相比，能够减小整体占用面积。

图44是用于说明本发明第七实施例的变形例9～变形例13的作用效果的图。图44是示出了形成在对向基板202上的触控电极25g与TFT阵列基板201上的各触控电极62tg相互接触且触控电极25g被损坏的情况下的平面图。

如上所述，在变形例9～变形例13的情况下，TFT阵列基板201上的各触控电极62tg的沿x方向延伸的露出部分与对向基板202上的触控电极25g相互接触，因而触控电极62tg彼此电连接。由此，如图44所示，在对向基板202上的触控电极25g的与TFT阵列基板201上的各触控电极62tg相接触的部分中出现的断裂是沿x方向延伸的。因而，能够防止对向基板202上的触控电极25g在y方向上断裂。

因此，在本变形例中，能够进一步提高装置的可靠性。

8.第八实施例

下面说明本发明的第八实施例。

液晶面板的具体结构

图45和图46是示出了本发明第八实施例的液晶面板200h的主要部分的图。

图45是示意性地示出了设置在显示区域PA中的像素P的概要结构的截面图。

图46是示意性地示出了设置在显示区域PA中的像素P的概要结构的俯视图。图45对应于图46中的X1h-X2h部分的截面。为了方便图示，在进行了适当的比例变化的情况下图示出各个部件。

如图45和图46所示，在本实施例中，以与边缘场切换(Fringe FieldSwitching，FFS)***对应的方式，形成像素电极62ph和公共电极23h等的各个部分。除了这一方面及与之相关的方面之外，本实施例与第七实施例相类似。因此，省略了对重复部分的说明。

如图45和图46所示，在本实施例中，在TFT阵列基板201上设有像素电极62ph和公共电极23h。

如图45所示，像素电极62ph被形成在TFT阵列基板201的面对着对向基板202的表面上。

如图45所示，像素电极62ph设置在由绝缘材料形成的层间绝缘膜Sz2上，且覆盖着TFT阵列基板201上的公共电极23h。上述像素电极62ph设置在例如由氮化硅膜形成的层间绝缘膜Sz2上。

在本实施例中，由于液晶面板200h是FFS***，因而如图46所示，像素电极62ph被成形为在xy平面上具有梳子形状。

具体地，如图46所示，像素电极62ph具有主干部62pk和枝部62pe。

如图46所示，在像素电极62ph中，各主干部62pk沿x方向延伸。在此情况下，如图46所示，在y方向上平行地排列有两个主干部62pk。

如图46所示，在像素电极62ph中，各枝部62pe与主干部62pk连接并且各枝部62pe沿y方向延伸。如图46所示，多个枝部62pe被布置成在x方向上彼此隔开。两端都与主干部62pk连接的各个枝部62pe被布置为相互平行地延伸。

如图45所示，与第七实施例类似，像素电极62ph与触控电极62tg一体化形成。

如图45所示，在TFT阵列基板201的面对着对向基板202的表面上形成有公共电极23h。在此情况下，公共电极23h被设置为形成于TFT阵列基板201上的层间绝缘膜Sz上。公共电极23h隔着层间绝缘膜Sz2与对应于多个像素P而设置的多个像素电极62ph中的每一个面对。

将液晶层203形成为使液晶分子沿水平取向。

结论

如上所述，在本实施例中，与第七实施例类似，TFT阵列基板201上的触控电极62tg隔着设有凹槽TR的层间绝缘膜(下层)Sz被设置在TFT阵列基板201上。当将含有取向材料的涂敷液体涂敷到形成有触控电极62tg的表面上时，该涂敷液体进入凹槽TR，并且触控电极62tg的在凹槽TR周围的顶面没有被涂敷膜覆盖因而暴露出来，由此形成了液晶取向膜HM1g。具体地，将层间绝缘膜(下层)Sz设置成具有位于一对触控电极62tg之间的凹槽TR，并将这对触控电极62tg形成为使得它们在凹槽TR周围的表面没有被液晶取向膜HM1g覆盖因而暴露出来。

由此，在本实施例中，无需额外地进行用于从各触控电极62tg的表面将液晶取向膜HM1g除去的处理，就能够使各触控电极62tg的表面暴露出来。因此，在本实施例中，能够提高制造效率和产率，并能够防止制造成本的增加。此外，能够提高装置的可靠性。

在本实施例中，液晶面板200h是FFS***，并且如图45所示，与第七实施例类似，在对向基板202的面对着TFT阵列基板201的xy平面上形成有凸部CO。在此情况下，如图45所示，在凸部CO的面对着TFT阵列基板201的顶面处设有平坦区域HR。用于构成触控传感器开关SWsg的触控电极25g以作为独立图形的方式被形成在平坦区域HR上，而在除了凸部CO上的平坦区域HR之外的其他区域中没有形成触控电极25g。因此，在本实施例中，与第七实施例类似，能够防止触控电极25g断裂，因而能够提高装置的可靠性。

变形例1～变形例3

图47～图49是示出本发明第八实施例的变形例1～变形例3中公共电极23h和层间绝缘膜Sz2的图。这些图都示出了截面。

如图45所示，尽管在上述说明中已经说明了在TFT阵列基板201上用公共电极23h和层间绝缘膜Sz2覆盖住凹槽TR内部的情况，但本发明不限于此。如上述各图所示，可将公共电极23h和层间绝缘膜Sz2形成为不覆盖凹槽TR的内部。

具体地，对于变形例1，如图47所示，除了凹槽TR的内部未被公共电极23h和层间绝缘膜Sz2覆盖之外，可以按照与上述实施例相同的方式形成公共电极23h和层间绝缘膜Sz2。

在此情况下，以没有跨过台阶的方式形成了公共电极23h，从而减小了公共电极23h被损坏时所发生的泄漏。

对于变形例2，如图48所示，除了只有层间绝缘膜Sz2未覆盖凹槽TR的内部之外，可以按照与上述实施例相同的方式形成公共电极23h和层间绝缘膜Sz2。

对于变形例3，如图49所示，除了只有公共电极23h未覆盖凹槽TR的内部之外，可以按照与上述实施例相同的方式形成公共电极23h和层间绝缘膜Sz2。

变形例4

图50～图51是示出了本发明第八实施例的变形例4的主要部分的图。

图50是示意性地示出了设置在显示区域PA中的像素P的概要结构的截面图。

图51是示意性地示出了设置在显示区域PA中的像素P的概要结构的俯视图。图50对应于图51的Y1h-Y2h部分的截面。为了方便图示，按照进行了适当的比例变化的方式图示出各个部件。

如图50和图51所示，优选的是，在形成有接触部CON和2CON的部分处形成有触控电极62tg，且使该触控电极62tg与导电层SD(与像素开关元件31的源极电极电连接的层)的源极电极电连接。

具体地，在本实施例中，在TFT阵列基板201的面对着对向基板202的表面上设置有与各触控电极62tg连接的导电层SD。触控传感器开关SWsg被设置为：在触控电极62gt与导电层SD相互连接的接触部(CON和2CON)处，触控传感器开关SWsg与一对触控电极62tg及一触控电极25连接。

在此情况下，能够有效地布置像素布局，从而能够提高液晶显示装置的开口率。

当对于除了FFS***之外的其他模式，例如向液晶层203施加横向电场的平面内切换(In-Plane-Switching，IPS)***等模式，也做出上述同一结构时，也能够得到同样的效果。

9.其他

在实施本发明时，不限于上述实施例，并且可以采用各种修改。也可以适当地组合各个实施例。

尽管在上述各实施例中已经说明了液晶面板是透射型的情况，但本发明不限于此。可将本发明应用到液晶面板是反射型的情况或者是透射型和反射型并用的半透射型的情况。

除了可以应用到液晶面板之外，也可将本发明应用到诸如有机EL显示器等的显示面板上。

除了可以应用于触控传感器被装配到显示面板中的情况之外，也可将本发明应用到在外部与装置连接的电阻膜式触控传感器上。

可将本发明实施例的液晶显示装置100用作各种电子设备的构件。

图52～图56是示出了应用本发明实施例的液晶显示装置100的电子设备的图。

如图52所示，在接收并显示电视广播的电视机中，可将液晶显示装置100用作电视机的显示装置，该显示装置在显示屏上显示出所接收到的图像，并且操作者的操作指令被输入到该显示装置。

如图53所示，在数码相机中，可将液晶显示装置100用作数码相机的显示装置，该显示装置在显示屏上显示诸如照片等图像，并且操作者的操作指令被输入到该显示装置。

如图54所示，在笔记本电脑中，可将液晶显示装置100用作笔记本电脑的显示装置，该显示装置在显示屏上显示出操作图像等，并且操作者的操作指令被输入到该显示装置。

如图55所示，在手机终端中，可将液晶显示装置100用作手机终端的显示装置，该显示装置在显示屏上显示出操作图像等，并且操作者的操作指令被输入到该显示装置。

如图56所示，在摄像机中，可将液晶显示装置100用作摄像机的显示装置，该显示装置在显示屏上显示操作图像等，并且操作者的操作指令被输入到该显示装置。

在上述各实施例中，触控电极25、25b、25c、25e、25f和25g相当于本发明的第一触控电极和第二触控电极之中的一者。在上述各实施例中，触控电极62t、62tb、62td、62te、62tf和62tg相当于本发明的第一触控电极和第二触控电极之中的另一者。在上述各实施例中，弹性部件63、63b、63e、63f、71c和71d相当于本发明的弹性部件。在上述各实施例中，液晶显示装置100相当于本发明的液晶显示装置、显示装置和信息输入装置。在上述各实施例中，液晶面板200、200b、200c、200d、200e、200eb、200f、200fb、200g和200h相当于本发明的液晶面板。在上述各实施例中，TFT阵列基板201相当于本发明的第一基板和第二基板之中的一者。在上述各实施例中，对向基板202相当于本发明的第一基板和第二基板之中的另一者。在上述各实施例中，液晶层203相当于本发明的液晶层。在上述各实施例中，凹凸区域500、500b、500c、500d、500e和500f相当于本发明的凹凸区域。在上述各实施例中，液晶取向膜HM1、HM1b、HM1d、HM1e、HM1f和HM1g相当于本发明的第一液晶取向膜和第二液晶取向膜之中的一者。在上述各实施例中，液晶取向膜HM2、HM2b、HM2c、HM2e、HM2f和HM2g相当于本发明的第一液晶取向膜和第二液晶取向膜之中的另一者。在上述各实施例中，显示区域PA相当于本发明的显示区域。在上述各实施例中，柱状隔离件SP、SPe和SPf相当于本发明的柱状隔离件。在上述各实施例中，触控传感器开关SWs、SWsb、SWsc、SWsd、SWse、SWsf和SWsg相当于本发明的触控传感器开关。

本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其他因素，可以在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。

Claims (19)

1.一种液晶显示装置，其包括液晶面板，所述液晶面板包括第一基板、与所述第一基板相对且隔开的第二基板以及设置在所述第一基板与所述第二基板之间的空间中的液晶层，并且所述液晶面板在用于显示出图像的显示区域中设有内置型触控传感器开关，

其中，所述触控传感器开关包括：

第一触控电极，它设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上；和

第二触控电极，它设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上，与所述第一触控电极隔开且面对着，

当所述液晶面板在外部压力下发生变形时，所述第一触控电极和所述第二触控电极相互接触，

通过设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上的第一液晶取向膜和设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上的第二液晶取向膜，来使所述液晶层的液晶分子取向，

所述第一触控电极设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上，并覆盖着形成有多个彼此隔开的沟槽的凹凸区域的表面，并且

以让所述第一触控电极的位于所述凹凸区域的凸部顶面处的表面暴露出来的形式把取向材料涂敷到设置有所述第一触控电极的所述表面上，由此形成所述第一液晶取向膜。

2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第二触控电极设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上，并至少覆盖着呈凸起状突出的弹性部件的顶面。

3.如权利要求2所述的液晶显示装置，其中，

所述液晶面板包括设置在所述第一基板与所述第二基板之间的空间中的柱状隔离件，并且

设置在所述第二基板上的所述弹性部件的高度比所述柱状隔离件低。

4.如权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述凹凸区域设置在位于所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上并呈凸起状突出的弹性部件的顶面上。

5.如权利要求2所述的液晶显示装置，其中，

所述液晶面板包括设置在所述第一基板与所述第二基板之间的柱状隔离件，并且

所述弹性部件的高度等于所述柱状隔离件。

6.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中，在所述第一触控电极覆盖着所述凹凸区域的状态下，所述凸部的宽度为0.5～5.0μm，凹部的宽度为0.5～5.0μm，并且所述凸部的顶面与所述凹部的底面之间的距离为0.5～2.0μm。

7.一种液晶显示装置的制造方法，其包括液晶面板的形成步骤，所述液晶面板包括第一基板、与所述第一基板相对且隔开的第二基板以及设置在所述第一基板与所述第二基板之间的空间中的液晶层，

其中，所述液晶面板的形成步骤包括如下步骤：

在所述液晶面板的用于显示出图像的显示区域中形成触控传感器开关；

在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上形成第一液晶取向膜；以及

在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上形成第二液晶取向膜，

所述触控传感器开关的形成步骤包括如下步骤：

在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上形成第一触控电极；以及

在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上形成第二触控电极，所述第二触控电极与所述第一触控电极隔开且面对着，

在所述第一触控电极的形成步骤中，所述第一触控电极被形成在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上，并覆盖着形成有多个彼此隔开的沟槽的凹凸区域的表面，并且

在所述第一液晶取向膜的形成步骤中，以让所述第一触控电极的位于所述凹凸区域的凸部顶面处的表面暴露出来的形式把取向材料涂敷到设置有所述第一触控电极的所述表面上，形成所述第一液晶取向膜。

8.一种显示装置，其包括显示面板，所述显示面板包括第一基板以及与所述第一基板隔开且相对的第二基板，所述显示面板还设有触控传感器开关，

其中，所述触控传感器开关包括：

第一触控电极，它设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上；和

第二触控电极，它设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上，与所述第一触控电极隔开且面对着，

当所述显示面板在外部压力下发生变形时，所述第一触控电极和所述第二触控电极相互接触，并且

所述第一触控电极设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上并覆盖着形成有多个彼此隔开的沟槽的凹凸区域的表面，在设置有所述第一触控电极的所述表面上，以让所述第一触控电极的位于所述凹凸区域的凸部顶面处的表面暴露出来的形式形成有涂敷膜。

9.一种信息输入装置，其包括触控面板，所述触控面板包括第一基板以及与所述第一基板隔开且相对的第二基板，所述触控面板还设有触控传感器开关，

其中，所述触控传感器开关包括：

第一触控电极，它设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上；和

第二触控电极，它设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上，与所述第一触控电极隔开且面对着，

当所述触控面板在外部压力下发生变形时，所述第一触控电极和所述第二触控电极相互接触，并且

所述第一触控电极设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上并覆盖着形成有多个彼此隔开的沟槽的凹凸区域的表面，在设置有所述第一触控电极的所述表面上，以让所述第一触控电极的位于所述凹凸区域的凸部顶面处的表面暴露出来的形式形成有涂敷膜。

10.一种液晶显示装置，其包括液晶面板，所述液晶面板包括第一基板、与所述第一基板相对且隔开的第二基板、设置在所述第一基板与所述第二基板之间的空间中的液晶层以及设在用于显示出图像的显示区域中的内置型触控传感器开关，

其中，所述触控传感器开关包括：

第一触控电极，它设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上；和

第二触控电极，它设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上，与所述第一触控电极隔开且面对着，

当所述液晶面板在外部压力下发生变形时，所述第一触控电极和所述第二触控电极相互接触，

通过设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上的第一液晶取向膜和设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上的第二液晶取向膜，来使所述液晶层的液晶分子取向，

在所述第一触控电极与所述第一基板之间设有具有凹槽的下层，并且

当把含有取向材料的涂敷液体涂敷到设置有所述第一触控电极的所述表面上时，所述涂敷液体进入所述凹槽，以让所述第一触控电极的顶面暴露出来而未被覆盖的形式形成所述第一液晶取向膜。

11.如权利要求10所述的液晶显示装置，其中，

所述液晶面板被配置成使得所述第二触控电极能与一对第一触控电极接触，当所述液晶面板在所述外部压力下发生变形时，所述第二触控电极与所述一对第一触控电极电连接，并且

当把含有所述取向材料的所述涂敷液体涂敷到设置有所述第一触控电极的所述表面上时，所述涂敷液体进入所述凹槽，以让所述一对第一触控电极的顶面暴露出来的形式形成所述第一液晶取向膜。

12.如权利要求11所述的液晶显示装置，其中，

所述下层被设置成使得所述凹槽位于所述一对第一触控电极之间，并且

所述一对第一触控电极被形成为使得它们在所述凹槽周围的表面暴露出来而没有被所述第一液晶取向膜覆盖。

13.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，将所述第二触控电极被形成为使得在与所述一对第一触控电极的布置方向垂直的方向上，所述第二触控电极的在所述第一基板的表面上的宽度包括比所述一对第一触控电极大的部分。

14.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，

所述第一基板具有导电层，所述导电层设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上并与所述第一触控电极连接，并且

所述触控传感器开关被设置成使得当所述液晶面板在所述外部压力下发生变形时，在所述第一基板上所述第一触控电极与所述导电层彼此连接的接触部处，所述一对第一触控电极和所述第二触控电极相互接触。

15.如权利要求11所述的液晶显示装置，其中，

所述下层被设置为使得所述凹槽沿着所述一对第一触控电极的排列方向延伸，并且

所述一对第一触控电极被形成为使得它们在所述凹槽周围的表面暴露出来而没有被所述第一液晶取向膜覆盖。

16.如权利要求10～15中任一项所述的液晶显示装置，其中，

所述第二基板包括在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上沿着朝所述第一基板的方向呈凸起状突出的凸部，

在所述凸部的面对着所述第一基板的顶面上沿着所述第一基板的表面设置有平坦区域，并且

所述第二触控电极作为独立图形被形成在所述平坦区域上且没有形成在所述凸部上除了所述平坦区域之外的其他区域中。

17.一种液晶显示装置的制造方法，其包括液晶面板的形成步骤，所述液晶面板包括第一基板、与所述第一基板相对且隔开的第二基板以及设置在所述第一基板与所述第二基板之间的空间中的液晶层，

其中，所述液晶面板的形成步骤包括如下步骤：

在所述液晶面板的用于显示出图像的显示区域中形成触控传感器开关；

在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上形成第一液晶取向膜；以及

在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上形成第二液晶取向膜，

所述触控传感器开关的形成步骤包括如下步骤：

在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上形成第一触控电极；以及

在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上形成第二触控电极，所述第二触控电极与所述第一触控电极隔开且面对着，

在所述第一触控电极的形成步骤中，在所述第一基板上设置具有凹槽的下层，并在所述下层上形成所述第一触控电极，并且

在所述第一液晶取向膜的形成步骤中，把含有取向材料的涂敷液体涂敷到设置有所述第一触控电极的所述表面上，所述涂敷液体进入所述凹槽，以让所述第一触控电极的顶面暴露出来而未被覆盖的形式形成所述第一液晶取向膜。

18.一种显示装置，其包括显示面板，所述显示面板包括第一基板、与所述第一基板相对且隔开的第二基板以及设在用于显示出图像的显示区域中的内置型触控传感器开关，

其中，所述触控传感器开关包括：

第一触控电极，它设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上；和

第二触控电极，它设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上，与所述第一触控电极隔开且面对着，

当所述显示面板在外部压力下发生变形时，所述第一触控电极和所述第二触控电极相互接触，并且

在所述第一触控电极与所述第一基板之间设置有具有凹槽的下层，当把涂敷液体涂敷到所述第一触控电极的表面上时，所述涂敷液体进入所述凹槽，所述第一触控电极被形成为使得所述第一触控电极的顶面未被涂敷膜覆盖因而暴露出来。

19.一种信息输入装置，其包括触控面板，所述触控面板包括第一基板、与所述第一基板隔开且相对的第二基板以及触控传感器开关，

其中，所述触控传感器开关包括：

第一触控电极，它设置在所述第一基板的与所述第二基板面对的表面上；和

第二触控电极，它设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上，与所述第一触控电极隔开且面对着，

当所述触控面板在外部压力下发生变形时，所述第一触控电极和所述第二触控电极相互接触，并且

在所述第一触控电极与所述第一基板之间设置有具有凹槽的下层，当把涂敷液体涂敷到所述第一触控电极的表面上时，所述涂敷液体进入所述凹槽，所述第一触控电极被形成为使得所述第一触控电极的顶面未被涂敷膜覆盖因而暴露出来。

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