CN105551950B - 封装基板的磨削方法 - Google Patents
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Abstract
提供封装基板的磨削方法，不具备磨削装置也能够利用一台切削装置将封装基板的密封树脂层薄化到期望的厚度。切削装置包含具有第1平磨削磨石的第1切削构件以及具有第2平磨削磨石的第2切削构件，封装基板具有利用树脂将多个器件的背面密封的密封树脂层，该方法具有：保护部件粘贴工序；保持工序；实施保持工序之后使第1平磨削磨石与密封树脂层接触并且使第1平磨削磨石与封装基板在磨削进给方向上相对移动而将密封树脂层磨削至第1厚度的第1磨削工序；实施第1磨削工序之后使第2平磨削磨石与密封树脂层接触并且使第2平磨削磨石与封装基板在磨削进给方向上相对移动而将密封树脂层最终磨削至期望的厚度的第2磨削工序。
Description
技术领域
本发明涉及封装基板的磨削方法，将封装基板的密封树脂层磨削至期望的厚度。
背景技术
在CSP(Chip Size Package：芯片尺寸封装)或QFN(Quad Flat Non-leadedPackage：四侧无引脚扁平封装)等封装基板中，分别将具有多个电极的多个器件的正面以使其与电极基板(引脚框架)相对的方式隔着规定的间隔地配设，对配设于电极基板的器件的背面进行树脂密封，通过切削装置将封装基板分割成各个封装器件，分割后的封装器件广泛应用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。
近年来，伴随着移动电话、个人计算机等电子设备的小型化、轻量化，各个封装器件也向小型化、薄型化推进。作为实现小型化、薄型化的技术公知有如下技术：在将封装基板分割成各个封装器件之前，将封装基板的背面的密封树脂磨削至期望的厚度，然后通过切削装置分割成各个封装器件(例如，参照日本特开2011-181641号公报和日本特开2014-015490号公报)。
专利文献1：日本特开2011-181641号公报
专利文献2：日本特开2014-015490号公报
发明内容
但是，在专利文献1和专利文献2所公开的方法中，需要用于在将封装基板分割成各个封装器件之前对封装基板的背面的进行磨削的磨削装置，存在浪费的问题。
本发明是鉴于这种问题而完成的，其目的在于，提供一种封装基板的磨削方法，即使不具备磨削装置，也能够利用一台切削装置将封装基板的密封树脂层薄化到期望的厚度。
根据本发明，提供一种封装基板的磨削方法，使用切削装置将封装基板的密封树脂层磨削至期望的厚度，其中，该切削装置包含：第1切削构件，该第1切削构件具有安装于第1主轴的末端的圆盘状的第1平磨削磨石；以及第2切削构件，该第2切削构件具有安装于第2主轴的末端的圆盘状的第2平磨削磨石，在该封装基板中，使具有多个电极的器件的正面与电极基板相对并隔着规定的间隔在该电极基板上配设有多个器件，且该封装基板具有利用树脂将配设在该电极基板上的多个器件的背面密封的所述密封树脂层，该封装基板的磨削方法的特征在于，具有如下的工序：保护部件粘贴工序，将该封装基板的正面侧粘贴到一体地安装在环状框架上的保护部件上；保持工序，利用切削装置的卡盘工作台对粘贴有该保护部件的该封装基板的正面侧进行吸引保持；第1磨削工序，在实施该保持工序之后，使该第1平磨削磨石与该封装基板的背面侧的该密封树脂层接触，并且使该第1平磨削磨石与该封装基板在磨削进给方向上相对移动，而将该封装基板的该密封树脂层磨削至第1厚度；以及第2磨削工序，在实施该第1磨削工序之后，使该第2平磨削磨石与该封装基板的背面侧的该密封树脂层接触，并且使该第2平磨削磨石与该封装基板在磨削进给方向上相对移动，而将该封装基板的该密封树脂层最终磨削至期望的厚度。
优选所述圆盘状的第1平磨削磨石和所述圆盘状的第2平磨削磨石由圆盘状的轮基座以及通过镀镍将磨粒固定在该轮基座的外周面上的电镀磨石层构成。
优选所述圆盘状的第2平磨削磨石的平均磨粒直径为所述圆盘状的第1平磨削磨石的平均磨粒直径以下。
在本发明中，在双主轴的切削装置的主轴上分别安装圆盘状第1平磨削磨石和圆盘状第2平磨削磨石，由于利用第1平磨削磨石将密封树脂层粗磨削至第1厚度，利用第2平磨削磨石将密封树脂层最终磨削至期望的厚度，因此即使不具备磨削装置，也能够利用一台切削装置高效地磨削封装基板的密封树脂层。
附图说明
图1是适于实施本发明的磨削方法的切削装置的立体图。
图2是第1切削单元的分解立体图。
图3是第1和第2切削单元的示意性侧视图。
图4是封装基板的俯视图。
图5是封装基板的侧视图。
图6是示出保持部件粘贴工序的立体图。
图7是说明粗磨削工序的剖视图。
图8是说明最终磨削工序的剖视图。
标号说明
2：切削装置；6：卡盘工作台；11：封装基板；16A：第1切削单元；16B：第2切削单元；29：密封树脂层；44：第1平磨削磨石；44B：第2平磨削磨石。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。参照图1，示出了适于实施本发明的封装基板的磨削方法的切削装置2的立体图。4是切削装置2的基座，在该基座4上借助未图示的切削进给机构以能够在X轴方向上往复运动的方式配设卡盘工作台6，并且该卡盘工作台6以能够旋转的方式配设。8是罩住切削进给机构的波纹罩。
盒载置台10借助未图示的盒升降机(升降构件)以能够在铅垂方向(Z轴方向)上升降的方式配设于基座4。在盒载置台10上载置有用于收纳被加工物的盒12。
在基座4的后方竖立设置有门型形状的第1柱14，第1切削单元16A和第2切削单元16B以能够在Y轴方向和Z轴方向上移动的方式安装于该第1柱14。第1和第2切削单元16A、16B包含安装于被旋转驱动的主轴的末端的圆盘状的平磨削磨石44、44B。
如图2所示，第1切削单元16A包含以能够旋转的方式收纳在主轴外壳34中的主轴36，在主轴36的末端部安装有安装凸缘38，并由螺母40固定。进而，在安装凸缘38上安装圆盘状的平磨削磨石44，并由固定螺母42固定。
如图3的示意性侧视图所示，在第1切削单元16A的主轴36的末端部安装有圆盘状的第1平磨削磨石44，在第2切削单元16B的主轴36B的末端部安装有圆盘状的第2平磨削磨石44B。本实施方式的切削装置2是将第1平磨削磨石44与第2平磨削磨石44B对置配设的对向双主轴的切削装置。
这里，第1平磨削磨石44和第2平磨削磨石44B都是通过利用镀镍将金刚石磨粒电镀于轮基座的外周面而形成的。优选第2平磨削磨石44B的金刚石磨粒的平均磨粒直径为第1平磨削磨石44的金刚石磨粒的平均磨粒直径以下。并且，本实施方式的第1和第2平磨削磨石44、44B的宽度是15mm。
参照图4，示出封装基板11的俯视图。封装基板11具有例如矩形形状的电极基板(引脚框架)13，在电极基板13的由外周剩余区域15和非器件区域15a围绕的区域中，在图示的例子中存在3个器件区域17a、17b、17c。
在各器件区域17a、17b、17c中划分形成有多个器件形成部23，该器件形成部23由以彼此垂直的方式纵横设置的第1和第2分割预定线21a、21b划分，在各个器件形成部23上形成有多个电极25。
各电极25彼此通过被模制的树脂而与电极基板13绝缘。通过对第1分割预定线21a和第2分割预定线21b进行切削，在其两侧出现各器件的电极25。
如图5所示，在器件区域17a、17b、17c的各器件形成部23的背面经由DAF(DieAttach Film：粘片膜)35粘接有器件27，各器件27所具有的电极与电极25连接。
并且，器件区域17a、17b、17c的各器件27被树脂密封，在各器件区域17a、17b、17c的背面形成有密封树脂层29。如图4所示，在电极基板13的四角形成有圆孔19。
下面对使用了以上述方式构成的切削装置2的本发明的封装基板的磨削方法进行说明。在本发明的封装基板的磨削方法中，首先，实施保护部件粘贴工序，将封装基板11的正面11a侧粘贴到保护部件上，该保护部件一体地安装在环状的框架F上。
即，如图6所示，将封装基板11的正面11a侧粘贴到作为保护部件的划片带T上，该划片带T的外周部被安装在环状框架F上。由此，封装基板11的密封树脂层29露出。
在保护部件粘贴工序实施后，利用卡盘工作台6隔着划片带T对粘贴有作为保护部件的划片带T的封装基板11的正面11a侧进行吸引保持，利用夹具7夹紧并固定环状框架F。
接着，如图7所示，实施粗磨削工序(第1磨削工序)，使安装于第1切削单元16A的主轴36的进行高速旋转(例如20000rpm)的圆盘状的第1平磨削磨石44与封装基板11的背面11b侧的密封树脂层29接触，并且使第1平磨削磨石44与保持在卡盘工作台6上的封装基板11在磨削进给方向(X轴方向)上以规定的加工进给速度相对移动，利用第1平磨削磨石44将封装基板11的密封树脂层29磨削至第1厚度。这里，第1厚度是比封装基板11的最终厚度t1厚规定量的厚度。
粗磨削工序的磨削加工条件例如如下。
主轴36的转速：20000rpm
加工进给速度(磨削进给速度)：50mm/s
平磨削磨石44的指标量：7mm(重叠量为8mm)
在粗磨削工序(第1磨削工序)实施后，如图8所示，实施最终磨削工序(第2磨削工序)，使安装于第2切削单元16B的主轴36B的进行高速旋转(例如20000rpm)的圆盘状的第2平磨削磨石44B与实施了粗磨削工序的封装基板11的密封树脂层29接触，并且使平磨削磨石44B与保持在卡盘工作台6上的封装基板11在磨削进给方向(X轴方向)上以规定的加工进给速度相对移动，将封装基板11的密封树脂层29磨削至最终厚度t1。
最终磨削工序的加工条件例如如下。
主轴转速：20000rpm
加工进给速度(磨削进给速度)：50mm/s
平磨削磨石44B的指标量：7mm(重叠量为8mm)
另外，在本实施方式中，粗磨削工序和最终磨削工序都是通过将平磨削磨石44、44B固定在X轴方向上、且在X轴方向上以规定的加工进给速度对卡盘工作台6进行加工进给而实施的。
首先利用平均磨粒直径较粗的第1平磨削磨石44进行粗磨削直至接近最终厚度t1的厚度，利用平均磨粒直径较细的第2平磨削磨石44B将剩余的厚度最终磨削至最终厚度t1，因此能够高效地磨削密封树脂层29，并且能够漂亮地完成磨削面。
Claims (3)
1.一种封装基板的磨削方法，使用切削装置将封装基板的密封树脂层磨削至期望的厚度，其中，该切削装置包含：第1切削构件，该第1切削构件具有安装于第1主轴的末端的圆盘状的第1平磨削磨石；以及第2切削构件，该第2切削构件具有安装于第2主轴的末端的圆盘状的第2平磨削磨石，在该封装基板中，使具有多个电极的器件的正面与电极基板相对并隔着规定的间隔在该电极基板上配设有多个器件，且该封装基板具有利用树脂将配设在该电极基板上的多个器件的背面密封的所述密封树脂层，该封装基板的磨削方法的特征在于，具有如下的工序：
保护部件粘贴工序，将该封装基板的正面侧粘贴到一体地安装在环状框架上的保护部件上；
保持工序，利用切削装置的卡盘工作台对粘贴有该保护部件的该封装基板的正面侧进行吸引保持；
第1磨削工序，在实施该保持工序之后，使该第1平磨削磨石与该封装基板的背面侧的该密封树脂层接触，并且使该第1平磨削磨石与该封装基板在磨削进给方向上相对移动，而将该封装基板的该密封树脂层磨削至第1厚度；以及
第2磨削工序，在实施该第1磨削工序之后，使该第2平磨削磨石与该封装基板的背面侧的该密封树脂层接触，并且使该第2平磨削磨石与该封装基板在磨削进给方向上相对移动，而将该封装基板的该密封树脂层最终磨削至期望的厚度。
2.根据权利要求1所述的封装基板的磨削方法，其中，
所述圆盘状的第1平磨削磨石和所述圆盘状的第2平磨削磨石由圆盘状的轮基座以及通过镀镍将磨粒固定在该轮基座的外周面上的电镀磨石层构成。
3.根据权利要求1或2所述的封装基板的磨削方法，其中，
所述圆盘状的第2平磨削磨石的平均磨粒直径为所述圆盘状的第1平磨削磨石的平均磨粒直径以下。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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