CN105518824A - 液态玻璃的应用 - Google Patents

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Abstract

一种液态玻璃的应用,其将液态玻璃分别制成具有导电柱的基板、嵌埋有线路的基板及玻璃膜,由于液态玻璃拥有许多使用上较为方便的特性,所以除了能大幅减低制作成本之外,还能突破传统玻璃构形的限制,且可显著减少玻璃的厚度,而符合现今对电子产品轻薄短小的需求。

Description

液态玻璃的应用
技术领域
本发明涉及一种玻璃的应用, 尤指一种液态玻璃的应用。 背景技术
随着半导体制程技术的进步, 已经有愈来愈多的电子产品应用到 半导体制程。
然而, 传统的半导体制程仅能使用半导体材料来做为介电层与绝 缘层, 而传统的半导体材料多必须在昂贵设备中的高度真空与高温环 境下形成, 且多数半导体材料的透光度不佳, 使得在实际应用上受到 许多限制。
虽然后来有以玻璃基板取代半导体基板的改良方式, 但是要在玻 璃基板上形成孔洞、 凹槽或通孔均有一定的困难度、 不环保 (例如使 用高毒性的氢氟酸) 且有许多形状上的限制。
因此, 如何避免上述现有技术中的种种问题, 并有效运用无须应 用高温制程、 无须使用昂贵设备、 透光度较佳且应用范围较广的玻璃 材料, 实已成为目前亟欲解决的课题。 发明内容
有鉴于上述现有技术的缺失, 本发明的主要目的为提供一种液态 玻璃的应用, 可显著减少玻璃的厚度, 而符合现今对电子产品轻薄短 小的需求。
本发明提供一种基板的制法, 包括: 于一承载板上形成多个导电 柱; 于该承载板上敷设包覆该等导电柱的液态玻璃层, 且该液态玻璃 层的顶面齐平于该等导电柱的顶端; 在 50至 100°C间进行烘烤; 照射 紫外光; 以及移除该承载板。
本发明提供一种基板, 其包括: 厚度为 2至 25微米的玻璃基材; 以及贯穿该玻璃基材的两表面的多个导电柱。
本发明提供一种基板, 包括: 聚酰亚胺基材, 其厚度为 2至 100 微米; 以及多个导电柱, 其贯穿该聚酰亚胺基材的两表面。 本发明提供一种嵌埋有线路的基板的制法, 包括: 于一承载板上 形成线路增层结构, 该线路增层结构由至少一交互堆栈的线路层与玻 璃层所构成,其中,该玻璃层的形成依序敷设液态玻璃层、在 50至 100 °C间进行烘烤及照射紫外光; 以及移除该承载板。
本发明提供一种嵌埋有线路的基板, 包括: 由至少一交互堆栈的 线路层与玻璃层所构成的线路增层结构, 各该玻璃层的厚度为 2至 25 微米。
本发明提供一种玻璃膜的制法, 其包括: 于一承载膜上敷设液态 玻璃层; 在 50至 100°C间进行烘烤; 于该液态玻璃层的表面压印出凹 凸图案, 并照射紫外光; 以及移除该承载膜。
本发明提供一种玻璃膜, 包括: 一表面具有规则或不规则的凹凸 图案的玻璃板, 该玻璃板的厚度为 2至 25微米。
由上可知, 因为本发明应用感光型液态玻璃, 其操作步骤简单、 操作温度较低、 操作环境为一般大气环境、 无须昂贵设备且透光度佳, 又感光型液态玻璃在成形上比较没有形状上的限制, 故可大幅节省成 本与扩大应用面。 附图说明
图 1A至图 1J所示者为本发明的基板及其制法的剖视图。
图 2A至图 2C所示者为本发明的嵌埋有线路的基板及其制法的剖 视图。
图 3A至图 3D所示者为本发明的嵌埋有线路的基板及其制法的剖 视图。 符号说明
10、 20 承载板
11 金属箔
11, 第二线路层
12 第一阻层
120 第一阻层开孔 14、 31 液态玻璃层
14, 玻璃基材
15 导电层
16 第二阻层
160 第二阻层开孔
17 第一线路层
21 线路增层结构
211 线路层
212 玻璃层
30 承载膜
31, 玻璃板
32 滚轮
311 凹凸图案。 具体实施方式
以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式, 熟悉此技艺 的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点及功 效。
须知, 本说明书所附图式所绘示的结构、 比例、 大小等, 均仅用 以配合说明书所揭示的内容, 以供熟悉此技艺的人士的了解与阅读, 并非用以限定本发明可实施的限定条件, 故不具技术上的实质意义, 任何结构的修饰、 比例关系的改变或大小的调整, 在不影响本发明所 能产生的功效及所能达成的目的下, 均应仍落在本发明所揭示的技术 内容得能涵盖的范围内。 同时, 本说明书中所引用的如「上」、 「顶」、 「齐平」 、 「侧」 、 「周缘」 、 「凹凸」 及 「一」 等用语, 也仅为便 于叙述的明了, 而非用以限定本发明可实施的范围, 其相对关系的改 变或调整, 在无实质变更技术内容下, 当也视为本发明可实施的范畴。 第一实施例
图 1A至图 1J所示者, 其为本发明的基板及其制法的剖视图。 如图 1A所示, 于一承载板 10上形成金属箔 11。 如图 IB所示, 于该金属箔 11上形成具有多个第一阻层开孔 120 的第一阻层 12。
如图 1C所示, 于各该第一阻层开孔 120中电镀或沉积 (例如: 溅 镀、 蒸镀、 金属膏……等等)形成导电柱 13, 该导电柱 13的侧壁与该 导电柱 13周缘的承载板 10 (或金属箔 11 )间的夹角为 85至 90° , 即 该导电柱 13的侧壁的垂直度甚佳。
如图 1D所示, 移除该第一阻层 12。
如图 1E所示, 于该金属箔 11上敷设包覆该等导电柱 13的液态玻 璃层 14, 该液态玻璃层 14的厚度为 2至 25微米, 且该液态玻璃层 14 的顶面齐平于该等导电柱 13的顶端, 并在 50至 100°C间进行烘烤, 烘 烤的温度较佳为 70至 95 °C, 最佳为 85°C, 烘烤的时间为 3至 55分 钟, 再照射紫外光, 使该液态玻璃层 14固化成玻璃基材 14' 。
如图 1F所示, 于该玻璃基材 14' 的顶面与该等导电柱 13的顶端 上形成导电层 15。
如图 1G所示, 于该导电层 15上形成具有多个第二阻层开孔 160 的第二阻层 16。
如图 1H所示, 于各该第二阻层开孔 160中形成电性连接该导电柱 13的第一线路层 17。
如图 II所示, 移除该第二阻层 16及其所覆盖的导电层 15。
如图 1J所示, 移除该承载板 10, 并将该金属箔 11图案化成为电 性连接该导电柱 13的第二线路层 1 Γ 。
要补充说明的是, 本实施例的金属箔 11、第一阻层 12、 导电层 15 与第二阻层 16可视需要而设置, 并非必要的构件。
本发明还提供一种基板, 其包括: 玻璃基材 14' , 其厚度为 2至 25微米; 以及多个导电柱 13, 其贯穿该玻璃基材 14' 的两表面。
于前述的基板中,该导电柱 13的侧壁与玻璃基材 14' 的表面间的 夹角为 85至 95° 。
要补充说明的是, 本实施例的基板可为中介板 (interposer) , 且本实施例的玻璃基材 14, 也可改用聚酰亚胺(polyimide)基材取代 之, 其厚度为 2至 100微米, 较佳为 2至 25微米, 该聚酰亚胺基材的 其它特征相同于该玻璃基材 14' , 故不在此赘述。 第二实施例
图 2A至图 2C所示者, 其为本发明的嵌埋有线路的基板及其制法 的剖视图。
如图 2A所示, 提供一承载板 20。
如图 2B所示, 于该承载板 20上形成线路增层结构 21, 该线路增 层结构 21由至少一交互堆栈的线路层 211与玻璃层 212所构成,其中, 该玻璃层 212的形成依序敷设液态玻璃层、 在 50至 100°C间进行烘烤 及照射紫外光, 烘烤的温度较佳为 70°C至 95°C, 最佳为 85°C, 烘烤的 时间为 3至 55分钟, 依该玻璃层 212的厚度而定, 各该玻璃层 212的 厚度为 2至 25微米。
如图 2C所示, 移除该承载板 20。
本发明还提供一种嵌埋有线路的基板, 其包括: 线路增层结构 21, 其由至少一交互堆栈的线路层 211与玻璃层 212所构成, 各该玻璃层 212的厚度为 2至 25微米。
要补充说明的是, 本实施例的嵌埋有线路的基板可为核心板, 且 可直接取代现有的硅中介板, 以直接在核心板中进行线路重布。 第三实施例
图 3A至图 3D所示者, 其为本发明的玻璃膜及其制法的剖视图。 如图 3A所示, 于一承载膜 30上敷设液态玻璃层 31, 并在 50至 100°C间进行烘烤, 烘烤的温度较佳为 70°C至 95°C, 最佳为 85°C, 烘 烤的时间为 3至 55分钟, 依该液态玻璃层 31的厚度而定, 该液态玻 璃层 31的厚度为 2至 25微米。
如图 3B至图 3C所示, 藉由滚轮 32于该液态玻璃层 31的表面压 印出不规则或规则的凹凸图案 311, 并以紫外光经由该承载膜 30去照 射该液态玻璃层 31, 使该液态玻璃层 31固化成玻璃板 3 Γ 。
如图 3D所示, 移除该承载膜 30。
本发明还提供一种玻璃膜, 其包括: 玻璃板 3Γ , 其一表面具有 不规则或规则的凹凸图案 311, 该玻璃板 3Γ 的厚度为 2至 25微米。
要补充说明的是, 该承载膜上可先形成有一剥离层, 再敷设该液 态玻璃层, 以方便最终移除该承载膜, 且本实施例的玻璃膜可应用于 屏幕保护、 屏幕抗眩及显示器光源的聚光或散光。
综上所述, 相较于现有技术, 由于本发明应用感光型液态玻璃, 其操作步骤简单、 操作温度较低、 操作环境为一般大气环境、 无须昂 贵设备且透光度佳, 故可有效节省成本; 此外, 感光型液态玻璃的成 形方便, 几乎没有任何形状上的限制, 所以可达成高垂直度的通孔与 极薄的厚度, 应用面很广。
上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其功效, 而非用于 限制本发明。 任何熟习此项技艺的人士均可在不违背本发明的精神及 范畴下, 对上述实施例进行修改。 因此本发明的权利保护范围, 应如 权利要求书所列。

Claims (23)

  1. 权利要求书:
    1.一种基板的制法, 包括:
    于一承载板上形成多个导电柱;
    于该承载板上敷设包覆该等导电柱的液态玻璃层, 且该液态玻璃 层的顶面齐平于该等导电柱的顶端;
    在 50至 100°C间进行烘烤;
    照射紫外光; 以及
    移除该承载板。
  2. 2.根据权利要求 1所述的基板的制法, 其特征在于, 烘烤的温度 较佳为 70°C至 95°C。
  3. 3.根据权利要求 1所述的基板的制法, 其特征在于, 烘烤的时间 为 3至 55分钟。
  4. 4.根据权利要求 1所述的基板的制法, 其特征在于, 该液态玻璃 层的厚度为 2至 25微米。
  5. 5.根据权利要求 1所述的基板的制法, 其特征在于, 形成该等导 电柱的方式是以电镀或沉积为之。
  6. 6.根据权利要求 1所述的基板的制法, 其特征在于, 形成该等导 电柱的步骤包括:
    于该承载板上形成具有多个阻层开孔的阻层;
    于各该阻层开孔中形成该导电柱; 以及
    移除该阻层。
  7. 7.根据权利要求 1所述的基板的制法, 其特征在于, 该导电柱的 侧壁与该导电柱周缘的承载板间的夹角为 85至 90 ° 。
  8. 8.—种基板, 包括:
  9. 9.根据权利要求 8所述的基板, 其特征在于, 该导电柱的侧壁与 玻璃基材的表面间的夹角为 85至 95° 。
  10. 10.—种基板, 包括:
    聚酰亚胺基材, 其厚度为 2至 100微米; 以及
    多个导电柱, 其贯穿该聚酰亚胺基材的两表面。
  11. 11.根据权利要求 10所述的基板, 其特征在于, 该导电柱的侧壁 与聚酰亚胺基材的表面间的夹角为 85至 95° 。
  12. 12.根据权利要求 10所述的基板, 其特征在于, 该聚酰亚胺基材 的厚度为 2至 25微米。
  13. 13.—种嵌埋有线路的基板的制法, 包括:
    于一承载板上形成线路增层结构, 该线路增层结构由至少一交互 堆栈的线路层与玻璃层所构成, 其中, 该玻璃层的形成是依序敷设液 态玻璃层、 在 50至 100°C间进行烘烤及照射紫外光; 以及
    移除该承载板。
  14. 14.根据权利要求 13所述的嵌埋有线路的基板的制法, 其特征在 于, 烘烤的温度较佳为 70°C至 95°C。
  15. 15.根据权利要求 13所述的嵌埋有线路的基板的制法, 其特征在 于, 烘烤的时间为 3至 55分钟, 依照该玻璃层的厚度而定。
  16. 16.根据权利要求 13所述的嵌埋有线路的基板的制法, 其特征在 于, 各该玻璃层的厚度为 2至 25微米。
  17. 17.—种嵌埋有线路的基板, 包括:
    线路增层结构, 其由至少一交互堆栈的线路层与玻璃层所构成, 各该玻璃层的厚度为 2至 25微米。
  18. 18.—种玻璃膜的制法, 包括:
    于一承载膜上敷设液态玻璃层;
    在 50至 100°C间进行烘烤;
    于该液态玻璃层的表面压印出凹凸图案, 并照射紫外光; 以及 移除该承载膜。
  19. 19.根据权利要求 18所述的玻璃膜的制法, 其特征在于, 烘烤的 温度较佳为 70°C至 95°C。
  20. 20.根据权利要求 18所述的玻璃膜的制法, 其特征在于, 烘烤的 时间为 3至 55分钟, 依照该液态玻璃层的厚度而定。
  21. 21.根据权利要求 18所述的玻璃膜的制法, 其特征在于, 该液态 玻璃层的厚度为 2至 25微米。
  22. 22.根据权利要求 18所述的玻璃膜的制法, 其特征在于, 该压印 步骤是以滚轮为之。
  23. 23.—种玻璃膜, 包括:
    玻璃板, 其一表面具有规则或不规则的凹凸图案, 该玻璃板的厚 度为 2至 25微米。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6708264B2 (ja) * 2016-12-21 2020-06-10 株式会社村田製作所 電子部品内蔵基板の製造方法、電子部品内蔵基板、電子部品装置及び通信モジュール
WO2019199470A1 (en) * 2018-04-10 2019-10-17 3D Glass Solutions, Inc. Rf integrated power condition capacitor

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002110717A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置の製造方法
CN1367766A (zh) * 1999-04-30 2002-09-04 肖特显示玻璃有限责任公司 聚合物涂覆的薄玻璃薄膜衬底
CN1449232A (zh) * 2002-01-23 2003-10-15 松下电器产业株式会社 电路部件内装模块及其制造方法
CN1722940A (zh) * 2004-06-10 2006-01-18 住友电气工业株式会社 多层印刷电路板的制造方法及多层印刷电路板
US20070169960A1 (en) * 2004-02-26 2007-07-26 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Multilayer stacked wiring board
CN101241861A (zh) * 2006-06-01 2008-08-13 Amitec多层互连技术有限公司 新型多层无芯支撑结构及其制作方法
US20090137085A1 (en) * 2006-07-14 2009-05-28 Nec Electronics Corporation Method of manufacturing a wiring substrate and semiconductor device
US20100147576A1 (en) * 2007-05-17 2010-06-17 Fujikura Ltd. Laminated wiring board and method for manufacturing the same
TW201234543A (en) * 2011-01-27 2012-08-16 Panasonic Corp Glass-embedded silicon substrate and method for manufacturing same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03232116A (ja) * 1990-02-07 1991-10-16 Nippon Sheet Glass Co Ltd ガラス製磁気ディスク基板の製造方法
JP4189056B2 (ja) * 1998-05-15 2008-12-03 株式会社カネカ 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP2001294489A (ja) * 2000-04-07 2001-10-23 Tokuyama Corp 結晶化ガラスと窒化アルミニウム焼結体との接合体
JP4812935B2 (ja) * 2000-12-20 2011-11-09 学校法人日本大学 ハードコート膜形成方法
JP4748340B2 (ja) * 2001-03-22 2011-08-17 日立化成工業株式会社 金属薄膜層が形成された接続用導体内蔵の両面板製造方法
JP3524545B2 (ja) * 2002-01-23 2004-05-10 松下電器産業株式会社 回路部品内蔵モジュールの製造方法
KR100865060B1 (ko) * 2003-04-18 2008-10-23 이비덴 가부시키가이샤 플렉스 리지드 배선판
WO2005027605A1 (ja) * 2003-09-09 2005-03-24 Hoya Corporation 両面配線ガラス基板の製造方法
JP2005285849A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 North:Kk 多層配線基板製造用層間部材とその製造方法
JP2009179518A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Hoya Corp 結晶化ガラス基板の製造方法及び両面配線基板の製造方法
JP2013010651A (ja) * 2011-06-28 2013-01-17 Asahi Glass Co Ltd インターポーザ用基板の製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1367766A (zh) * 1999-04-30 2002-09-04 肖特显示玻璃有限责任公司 聚合物涂覆的薄玻璃薄膜衬底
JP2002110717A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置の製造方法
CN1449232A (zh) * 2002-01-23 2003-10-15 松下电器产业株式会社 电路部件内装模块及其制造方法
US20070169960A1 (en) * 2004-02-26 2007-07-26 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Multilayer stacked wiring board
CN1722940A (zh) * 2004-06-10 2006-01-18 住友电气工业株式会社 多层印刷电路板的制造方法及多层印刷电路板
CN101241861A (zh) * 2006-06-01 2008-08-13 Amitec多层互连技术有限公司 新型多层无芯支撑结构及其制作方法
US20090137085A1 (en) * 2006-07-14 2009-05-28 Nec Electronics Corporation Method of manufacturing a wiring substrate and semiconductor device
US20100147576A1 (en) * 2007-05-17 2010-06-17 Fujikura Ltd. Laminated wiring board and method for manufacturing the same
TW201234543A (en) * 2011-01-27 2012-08-16 Panasonic Corp Glass-embedded silicon substrate and method for manufacturing same

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