JP2009179518A - 結晶化ガラス基板の製造方法及び両面配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくともSiO2を主成分として含有するガラスを溶融し基板状に成形した後、該ガラス基板に少なくとも熱処理工程を施すことにより結晶化ガラス基板を製造するに際し、前記熱処理工程は多段の加熱手段を基板が順次通過することによって行われ、前段の加熱手段による熱処理が完了し、次段の加熱手段への基板の搬送速度を1m/分以上とする。
【選択図】図2
Description
なお、上記特許文献1の技術によると、熱処理時の温度分布の不均一の問題をある程度は解消することができるが、十分な解決には至らない。
すなわち、本発明は以下の構成を有する。
少なくともSiO2を主成分として含有するガラスを溶融し基板状に成形した後、該ガラス基板に少なくとも熱処理工程を施すことにより結晶化ガラス基板を製造する結晶化ガラス基板の製造方法であって、前記熱処理工程は多段の加熱手段を基板が順次通過することによって行われ、前段の加熱手段による熱処理が完了し、次段の加熱手段への基板の搬送速度を1m/分以上とすることを特徴とする結晶化ガラス基板の製造方法である。
装置内が隔壁にて多数の加熱室に仕切られ、且つローラー搬送機構を有する連続式熱処理装置を用いて前記熱処理工程を実施することを特徴とする構成1に記載の結晶化ガラス基板の製造方法である。
前記熱処理工程は、最高到達温度を780℃〜900℃の間で調節して行うことを特徴とする構成1又は2に記載の結晶化ガラス基板の製造方法である。
(構成4)
前記熱処理工程に先立って、ガラス基板に紫外線露光を施すことを特徴とする構成1乃至3のいずれか一に記載の結晶化ガラス基板の製造方法である。
ガラス基板の表裏両面に形成された電気配線パターンと、前記ガラス基板の表裏両面に連通する、内部に導電性材料が形成された貫通孔とを有し、前記ガラス基板の表裏両面に形成された各前記電気配線パターンが、前記貫通孔に形成された導電性材料を介して電気的に導通された両面配線基板の製造方法であって、前記ガラス基板に前記貫通孔を形成する工程と、前記ガラス基板に対して、少なくとも熱処理を行うことにより前記ガラス基板を結晶化する工程と、前記貫通孔の内部に導電性材料を形成する工程とを有し、前記結晶化工程における熱処理は、構成1乃至4のいずれか一に記載の結晶化ガラス基板の製造方法における熱処理工程を行うことを特徴とする両面配線基板の製造方法である。
また、上記の熱処理工程は、熱処理時の最高到達温度を780℃〜900℃の間で調節して行うことが好ましい。
また、上記の熱処理工程に先立って、ガラス基板に紫外線露光を施すことにより、熱膨張係数の大きな結晶化ガラス基板が容易に得られるため、好ましい実施態様である。
まず、本発明による結晶化ガラス基板の製造方法について詳しく説明する。
本発明による結晶化ガラス基板の製造方法は、少なくともSiO2を主成分として含有するガラスを溶融し基板状に成形した後、該ガラス基板に少なくとも熱処理工程を施すことにより結晶化ガラス基板を製造する方法である。そして、上記熱処理工程は多段の加熱手段を基板が順次通過することによって行われ、前段の加熱手段による熱処理が完了し、次段の加熱手段への基板の搬送速度を1m/分以上とすることを特徴とする。
図1は本発明の熱処理工程に好適な熱処理装置の構成を示す平面概略図、図2はその側面概略構成図である。これら図1及び図2に示す熱処理装置は、装置内が隔壁にて多数の加熱室100,200,300,・・・に仕切られ、且つローラー搬送機構を有する連続式熱処理装置である。
同図(a)は、感光性ガラスからなる板状の基板1である。この感光性ガラスは、Li2O−Al2O3−SiO2系の成分に加えて感光性の塩化銀、増感剤の酸化セリウムを含有する。
さらに基板10の両面にそれぞれ配線パターンを形成するため、セラミックス圧電体、各種導体金属、誘電体などの単一又は積層薄膜5A,5Bを成膜、あるいは接着し(同図(g)参照)、この薄膜5A,5Bに例えばフォトリソグラフィ法により所定のパターニングを行うことによって、同図(h)に示すような光・電子部品用実装基板として用いられる両面配線基板6が得られる。
(実施例1)
重量百分率でSiO2:79%,Al2O3:5%,Li2O:10.5%,K2O:3.75%,ZnO:0.5%,Ag:0.055%,Sb2O3:0.2%を含むガラス素材を公知の方法で溶融し、所定の大きさの板状に成形した。
なお、熱処理条件は、最高到達温度850℃、2時間とし、最高到達温度に達するまでの昇温条件は適宜設定した。
こうして熱処理後、放冷し、100枚の結晶化ガラス基板を得た。
上記実施例と同様の組成のガラス素材を溶融し、所定の大きさの板状に成形した。
この板状のガラス基板を100枚準備し、従来のバッチ式熱処理装置を用いて結晶化工程の熱処理を行った。ただし、上記熱処理装置は一度に50枚しか処理できないため、100枚の基板を2回に分けて行った。
なお、熱処理条件は、実施例と同様、最高到達温度850℃、2時間とし、最高到達温度に達するまでの昇温条件は実施例と同様適宜設定した。
こうして熱処理後、放冷し、100枚の結晶化ガラス基板を得た。
さらに、得られた100枚の結晶化ガラス基板について、実施例と同様に熱膨張係数の測定を行ったところ、いずれの基板も9×10−6/℃〜12×10−6/℃の範囲内であり、基板間でのばらつきはやや大きかった。
本実施例は、本発明の結晶化ガラス基板の製造方法を適用した両面配線基板の製造例であり、ここでも前述の図2を参照しながら説明する。
重量百分率でSiO2:79%,Al2O3:5%,Li2O:10.5%,K2O:3.75%,ZnO:0.5%,Ag:0.055%,Sb2O3:0.2%を含むガラス素材を公知の方法で溶融し、所定の大きさの板状に成形し、感光性ガラス基板1を100枚準備した(図2(a)参照)。
基板10表面側に突出した電解メッキ銅層はラップ法を用いて除去し、次いで、基板10裏面側の電解メッキ銅層および電極層はエッチングにより除去して、貫通孔12を銅ポスト4で充填した。
次に、基板10両面の密着力強化層上に、電解メッキにより、配線パターンを形成するための銅膜を約3.5μm厚に成膜した(同図(g)参照)。次いで、フォトリソグラフィ法を用いて、基板10の両面の銅膜をパターニングした。つまり、まず基板10の両面にポジ型フォトレジストを塗布し、所望の配線パターンに応じた露光、現像を行ってレジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをマスクとして、銅膜および密着力強化層のウェットエッチングを行い、結晶化ガラス基板10の両面に所定の配線パターンを形成した両面配線基板を得た(同図(h)参照)。
こうして、100枚の両面配線基板を作製した。
2 フォトマスク
3 露光
4 銅ポスト
5A,5B 薄膜
6 両面配線基板
10 結晶化ガラス基板
12 貫通孔(スルーホール)
100,200,300・・・ 加熱室
Claims (5)
- 少なくともSiO2を主成分として含有するガラスを溶融し基板状に成形した後、該ガラス基板に少なくとも熱処理工程を施すことにより結晶化ガラス基板を製造する結晶化ガラス基板の製造方法であって、
前記熱処理工程は多段の加熱手段を基板が順次通過することによって行われ、前段の加熱手段による熱処理が完了し、次段の加熱手段への基板の搬送速度を1m/分以上とすることを特徴とする結晶化ガラス基板の製造方法。 - 装置内が隔壁にて多数の加熱室に仕切られ、且つローラー搬送機構を有する連続式熱処理装置を用いて前記熱処理工程を実施することを特徴とする請求項1に記載の結晶化ガラス基板の製造方法。
- 前記熱処理工程は、最高到達温度を780℃〜900℃の間で調節して行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の結晶化ガラス基板の製造方法。
- 前記熱処理工程に先立って、ガラス基板に紫外線露光を施すことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載の結晶化ガラス基板の製造方法。
- ガラス基板の表裏両面に形成された電気配線パターンと、前記ガラス基板の表裏両面に連通する、内部に導電性材料が形成された貫通孔とを有し、前記ガラス基板の表裏両面に形成された各前記電気配線パターンが、前記貫通孔に形成された導電性材料を介して電気的に導通された両面配線基板の製造方法であって、
前記ガラス基板に前記貫通孔を形成する工程と、
前記ガラス基板に対して、少なくとも熱処理を行うことにより前記ガラス基板を結晶化する工程と、
前記貫通孔の内部に導電性材料を形成する工程とを有し、
前記結晶化工程における熱処理は、請求項1乃至4のいずれか一に記載の結晶化ガラス基板の製造方法における熱処理工程を行うことを特徴とする両面配線基板の製造方法。
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JP2015043408A (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-05 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法 |
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