CN105470269B - Tft阵列基板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法。该TFT阵列基板设置有与主区像素电极(501)、次区像素电极(502)位于同一层的透明导电薄膜电极板(503)、位于第二金属层(M20)的第二金属电极板(202)、及位于第一金属层(M10)的公共电极线(102)，部分公共电极线(102)、第二金属电极板(202)、以及透明导电薄膜电极板(503)在空间上重叠，且透明导电薄膜电极板(503)通过贯穿绝缘保护层(40)和栅极绝缘层(20)的第二过孔(422)与所述部分公共电极线(102)相接触，所述部分公共电极线(102)、第二金属电极板(202)、以及透明导电薄膜电极板(503)共同构成电荷共享电容(C10)，能够提高电荷共享电容的容量，增加开口率，提高液晶显示面板的显示质量。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制作方法。
背景技术
主动式薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD)近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。通常液晶显示面板由彩膜基板(Color Filter，CF)、薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFTArray Substrate)、夹于彩膜基板与TFT阵列基板之间的液晶(Liquid Crystal，LC)及密封框胶(Sealant)组成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，平面转换(In-Plane Switching，IPS)型、及垂直配向(Vertical Alignment，VA)型。其中VA型液晶显示面板相对其他种类的液晶显示面板具有极高的对比度，在大尺寸显示，如电视等方面具有非常广的应用。VA型液晶显示面板工作时是由TFT阵列基板侧的像素电极和彩膜基板侧的公共电极形成的垂直电场来控制液晶层内液晶分子的旋转。
现有的VA型液晶显示面板在大视角下显示存在视觉色差或视觉色偏。如图1所示，为了改善VA型液晶显示面板在大视角下的视觉色差或视觉色偏，现有技术会在TFT阵列基板侧采用电荷共享(Charge Sharing)的像素设计，即将一个子像素1分为主像素区(MainPixel)11和次像素区(Sub Pixel)12两个区域；在主像素区11内设有主区像素电极111，在次像素区12内设有次区像素电极121。主区像素电极111电性连接主像素开关TFT T1、以及电荷共享TFT T3，次区像素电极121电性连接次像素开关TFT T2，电荷共享TFT T3电性连接电荷共享电容C。所述主像素开关TFT T1的栅极电性连接于充电扫描线22、源极电性连接于数据线3、漏极电性连接于主区像素电极111，所述次像素开关TFT T2的栅极电性连接于充电扫描线22、源极电性连接于数据线3、漏极电性连接于次区像素电极121，所述电荷共享TFT T3的栅极电性连接于电荷共享扫描线21、源极电性连接于主区像素电极111、漏极电性连接于电荷共享电容C。所述主区像素电极111与次区像素电极121均采用“米”字型的电极结构，包含条状的竖直主干、与竖直主干中心垂直相交的条状的水平主干、以及分别与竖直主干或水平主干呈±45°或±135°的条状分支。所述电荷共享电容C用于在电荷共享TFT T3打开时拉低主区像素电极111的电位，使得主区像素电极111与次区像素电极121具有不同的电压，从而消除液晶显示面板因视角不同而产生的色偏。
进一步地，所述电荷共享电容C的第一种现有设计如图1、图2所示，由与主区像素电极111位于同一层的ITO电极112、以及与电荷共享扫描线21、充电扫描线22、及栅极位于同一层的公共电极线23构成，ITO电极112与公共电极线23之间夹设一绝缘保护层5和一栅极绝缘层6。所述电荷共享电容C的第二种现有设计如图3所示，由与电荷共享扫描线、充电扫描线、及栅极位于同一层的公共电极线M1、以及与数据线及源/漏极位于同一层的金属电极M2构成，公共电极线M1与金属电极M2之间仅夹设一栅极绝缘层6’。电荷共享电容C的容量越大，对主区像素电极的拉低越明显，色偏改善效果越显著，但电荷共享电容C的容量越大，TFT阵列基板的开口率就越低，液晶显示面板的穿透率也会越低，功耗就会增大。以上两种电荷共享电容C的现有设计相比，在电荷共享电容C的容量相等的前提下，第二种设计由于公共电极线M1与金属电极M2之间的距离较小，使得开口率相对较大，但即使采用第二种设计，TFT阵列基板的开口率依然是不足的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板，能够提高电荷共享电容的容量，增加开口率，提高液晶显示面板的显示质量。
本发明的目的还在于一种TFT阵列基板的制作方法，该方法制得的TFT阵列基板能够提高电荷共享电容的容量，增加开口率，提高液晶显示面板的显示质量。
为实现上述目的，本发明提供了一种TFT阵列基板，包括：衬底基板、及阵列排布于所述衬底基板上的数个子像素单元；
每一子像素单元均包括：设于所述衬底基板上图案化的第一金属层、覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的半导体层、设于所述半导体层和栅极绝缘层上图案化的第二金属层、覆盖所述第二金属层和栅极绝缘层的绝缘保护层、以及设于所述绝缘保护层上的图案化的透明导电薄膜层；
所述透明导电薄膜层包括：相互独立的主区像素电极、次区像素电极、及透明导电薄膜电极板；
所述主区像素电极电性连接主像素开关TFT、以及电荷共享TFT，次区像素电极电性连接次像素开关TFT；
所述图案化的第一金属层包括：主像素开关TFT、次像素开关TFT、与电荷共享TFT的栅极、以及公共电极线；
所述图案化的第二金属层包括：主像素开关TFT、次像素开关TFT、与电荷共享TFT的源/漏极、及第二金属电极板；
部分公共电极线、第二金属电极板、以及透明导电薄膜电极板在空间上重叠，且所述透明导电薄膜电极板通过贯穿所述绝缘保护层和栅极绝缘层的第二过孔与所述部分公共电极线相接触，所述部分公共电极线、第二金属电极板、以及透明导电薄膜电极板共同构成该子像素单元的电荷共享电容；
所述电荷共享TFT电性连接于电荷共享电容。
所述图案化的第一金属层还包括：数条沿水平方向延伸的电荷共享扫描线、及数条与所述电荷共享扫描线平行间隔排列的充电扫描线；
所述图案化的第二金属层还包括：数条沿竖直方向延伸的数据线；
所述数条电荷共享扫描线、充电扫描线、及数据线位于数个子像素单元的边缘处。
所述主像素开关TFT的栅极电性连接于充电扫描线、源极电性连接于数据线、漏极电性连接于主区像素电极；所述次像素开关TFT的栅极电性连接于充电扫描线、源极电性连接于数据线、漏极电性连接于次区像素电极；所述电荷共享TFT的栅极电性连接于电荷共享扫描线、源极电性连接于主区像素电极、漏极电性连接于电荷共享电容的第二金属电极板。
所述主区像素电极与所述次区像素电极均为米字型结构，包括：一条状的竖直主干、一与竖直主干中心垂直相交的条状的水平主干、以及数个分别与竖直主干或水平主干呈±45°或±135°的条状分支。
所述透明导电薄膜层的材料为ITO，所述第一金属层和第二金属层的材料均为钼、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。
本发明还提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板、在所述衬底基板上沉积一金属薄膜，图案化所述金属薄膜形成第一金属层；
所述第一金属层包括：预形成的主像素开关TFT、次像素开关TFT、与电荷共享TFT的栅极、以及公共电极线；
步骤2、在所述第一金属层及衬底基板上沉积一栅极绝缘层；
步骤3、在所述栅极绝缘层上对应预形成的主像素开关TFT、次像素开关TFT、与电荷共享TFT的栅极的上方分别形成一半导体层；
步骤4、在所述半导体层、及栅极绝缘层上再沉积一金属薄膜，图案化所述金属薄膜形成第二金属层；
所述第二金属层包括：预形成的主像素开关TFT、次像素开关TFT、与电荷共享TFT的源/漏极、及第二金属电极板；
步骤5、在所述第二金属层及栅极绝缘层上沉积一绝缘保护层，图案化所述绝缘保护层和栅极绝缘层，形成贯穿所述绝缘保护层和栅极绝缘层的第一过孔、及第二过孔；
步骤6、在所述绝缘保护层上沉积透明导电材料并进行图案化处理，形成透明导电薄膜层；
所述透明导电薄膜层包括：相互独立的主区像素电极、次区像素电极、及透明导电薄膜电极板；
部分公共电极线、第二金属电极板、以及透明导电薄膜电极板在空间上重叠，所述透明导电薄膜电极板通过所述第二过孔与所述部分公共电极线相接触，所述部分公共电极线、第二金属电极板、以及透明导电薄膜电极板共同构成电荷共享电容。
所述第一金属层还包括：数条沿水平方向延伸的电荷共享扫描线、及数条与所述电荷共享扫描线平行间隔排列的充电扫描线；
所述第二金属层还包括：数条沿竖直方向延伸的数据线；
所述数条电荷共享扫描线、充电扫描线、及数据线位于数个子像素单元的边缘处。
所述主像素开关TFT的栅极电性连接于充电扫描线、源极电性连接于数据线、漏极电性连接于主区像素电极；所述次像素开关TFT的栅极电性连接于充电扫描线、源极电性连接于数据线、漏极电性连接于次区像素电极；所述电荷共享TFT的栅极电性连接于电荷共享扫描线、源极电性连接于主区像素电极、漏极电性连接于电荷共享电容的第二金属电极板。
所述主像素电极与所述次像素电极均为米字型结构，包括：一条状的竖直主干、一与竖直主干中心垂直相交的条状的水平主干、以及数个分别与竖直主干或水平主干呈±45°或±135°的条状分支。
所述透明导电薄膜层的材料为ITO，所述第一金属层和第二金属层的材料均为钼、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。
本发明的有益效果：本发明提供的一种TFT阵列基板，设置有与主区像素电极、次区像素电极位于同一层的透明导电薄膜电极板、位于第二金属层的第二金属电极板、及位于第一金属层的公共电极线，部分公共电极线、第二金属电极板、以及透明导电薄膜电极板在空间上重叠，且所述透明导电薄膜电极板通过贯穿绝缘保护层和栅极绝缘层的第二过孔与所述部分公共电极线相接触，所述部分公共电极线、第二金属电极板、以及透明导电薄膜电极板共同构成电荷共享电容，能够提高电荷共享电容的容量，增加开口率，提高液晶显示面板的显示质量。本发明提供的一种TFT阵列基板的制作方法，在图案化绝缘保护层和栅极绝缘层时形成贯穿二者的第二过孔，使得与主区像素电极、次区像素电极位于同一层的透明导电薄膜电极板通过所述第二过孔与部分公共电极线相接触，制作出所述部分公共电极线、第二金属电极板、以及透明导电薄膜电极板在空间上重叠，三者共同构成电荷共享电容，能够提高电荷共享电容的容量，增加开口率，提高液晶显示面板的显示质量。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的TFT阵列基板的俯视示意图；
图2为现有的TFT阵列基板中电荷共享电容结构的第一种剖面示意图；
图3为现有的TFT阵列基板中电荷共享电容结构的第二种剖面示意图；
图4为本发明的TFT阵列基板的俯视示意图；
图5为本发明的TFT阵列基板的剖面示意图；
图6为本发明的TFT阵列基板的制作方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图4与图5，本发明首先提供一种TFT阵列基板，包括：衬底基板10、及阵列排布于所述衬底基板10上的数个子像素单元P。
每一子像素单元P均包括：设于所述衬底基板10上图案化的第一金属层M10、覆盖所述第一金属层M10的栅极绝缘层20、设于所述栅极绝缘层20上的半导体层30、设于所述半导体层30和栅极绝缘层20上图案化的第二金属层M20、覆盖所述第二金属层M20和栅极绝缘层20的绝缘保护层40、以及设于所述绝缘保护层40上的图案化的像素电极层50。
所述像素电极层50包括：相互独立的主区像素电极501、次区像素电极层502、及透明导电薄膜电极板503。
所述主区像素电极501电性连接主像素开关TFT T10、以及电荷共享TFT T30，次区像素电极502电性连接次像素开关TFT T20。
所述图案化的第一金属层M10包括：主像素开关TFT T10、次像素开关TFT T20、与电荷共享TFT T30的栅极101、以及公共电极线102；所述图案化的第二金属层M20包括：主像素开关TFT T10、次像素开关TFT T20、与电荷共享TFT T30的源/漏极201、以及第二金属电极板202。所述源/漏极201分别与其对应的半导体层30的两端相接触。
如图4所示，所述公共电极线102包括沿水平方向设置的横部及与横部连接的类似于“n”形的连接部，所述第二金属电极板202与透明导电薄膜电极板503均呈矩形块状。结合图4与图5，部分公共电极线102、第二金属电极板202、以及透明导电薄膜电极板503在空间上重叠，且所述透明导电薄膜电极板503通过贯穿所述绝缘保护层40和栅极绝缘层20的第二过孔422与所述部分公共电极线102相接触，所述部分公共电极线102、第二金属电极板202、以及透明导电薄膜电极板503共同构成该子像素单元P的电荷共享电容C10。所述电荷共享电容C10相当于部分公共电极线102与第二金属电极板202构成的电容并联了第二金属电极板202与透明导电薄膜电极板503构成的电容，且部分公共电极线102与第二金属电极板202之间仅夹设所述栅极绝缘层20，第二金属电极板202与透明导电薄膜电极板503之间仅夹设绝缘保护层40，能够提高电荷共享电容的容量，增加开口率，提高液晶显示面板的显示质量。
所述电荷共享TFT T30电性连接于电荷共享电容C10。
具体地，所述图案化的第一金属层M10还包括：数条沿水平方向延伸的电荷共享扫描线103、及数条与所述电荷共享扫描线103平行间隔排列的充电扫描线104；所述图案化的第二金属层M20还包括：数条沿竖直方向延伸的数据线203；所述数条电荷共享扫描线103、充电扫描线104、及数据线203位于数个子像素单元P的边缘处。
所述主像素开关TFT T10的栅极电性连接于充电扫描线104、源极电性连接于数据线203、漏极电性连接于主区像素电极501；所述次像素开关TFT T20的栅极电性连接于充电扫描线104、源极电性连接于数据线203、漏极电性连接于次区像素电极502；所述电荷共享TFT T30的栅极电性连接于电荷共享扫描线103、源极电性连接于主区像素电极501、漏极电性连接于电荷共享电容C10的第二金属电极板202。进一步地，该TFT阵列基板工作时，所述充电扫描线104先控制主像素开关TFT T10和次像素开关TFT T20打开，所述数据线203提供数据信号电压将主区像素电极501与次区像素电极502充电至同一电位，随后所述充电扫描线104控制主像素开关TFT T10和次像素开关TFT T20关闭，电荷共享扫描线103控制电荷共享TFT T30打开，电荷共享TFT T30的源极与漏极导通，由所述电荷共享电容C10拉低主区像素电极501的电位，使得主区像素电极501与次区像素电极502具有不同的电压，从而消除液晶显示面板因视角不同而产生的色偏。
特别地，所述主区像素电极501与所述次区像素电极502均为米字型结构，包括：一条状的竖直主干、一与竖直主干中心垂直相交的条状的水平主干、以及数个分别与竖直主干或水平主干呈±45°或±135°的条状分支。米字型的像素电极结构能够使得液晶向不同方向倒伏。
优选的，所述透明导电薄膜层50的材料为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)；所述第一金属层M10和第二金属层M20的材料均为钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或多种的堆栈组合；所述栅极绝缘层20和绝缘保护层40的材料均为氮化硅(SiNx)。所述主区像素电极501通过贯穿所述绝缘保护层40和栅极绝缘层20的两第一过孔421分别与所述主像素开关TFT T10的漏极、电荷共享TFT T30的源极相接触，所述次区像素电极502通过贯穿所述绝缘保护层40和栅极绝缘层20的一第一过孔421与所述次像素开关TFT T20的漏极相接触。
请参阅图6，并结合图4与图5，本发明提供还一种TFT阵列基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板10、在所述衬底基板10上沉积一金属薄膜，图案化所述金属薄膜形成第一金属层M10。
具体地，所述金属薄膜的膜厚为通过物理溅射工艺进行沉积，通过涂布、曝光、显影、湿蚀刻、及剥离工艺进行图案化处理。
所述第一金属层M10包括：预形成的主像素开关TFT T10、次像素开关TFT T20、与电荷共享TFT T30的栅极101、以及公共电极线102。优选的，所述第一金属层M10的材料为钼、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。如图4所示，所述公共电极线102包括沿水平方向设置的横部及与横部连接的类似于“n”形的连接部。
进一步地，数条沿水平方向延伸的电荷共享扫描线103、及数条与所述电荷共享扫描线103平行间隔排列的充电扫描线104。
步骤2、在所述第一金属层M10及衬底基板10上沉积一栅极绝缘层20。
具体地，所述栅极绝缘层20的材料为氮化硅，膜厚为通过等离子体增强化学气相沉积工艺(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)沉积。
步骤3、在所述栅极绝缘层20上对应预形成的主像素开关TFT T10、次像素开关TFTT20、与电荷共享TFT T30的栅极101的上方分别形成一半导体层30。
具体地，先通过PECVD工艺沉积膜厚为的非晶硅层，在对非晶硅层进行离子掺杂，再通过涂布、曝光、显影、干蚀刻、及剥离工艺进行图案化处理，形成半导体层30。
步骤4、在所述半导体层30、及栅极绝缘层20上再沉积一金属薄膜，图案化所述金属薄膜形成第二金属层M20。
具体地，所述第二金属层M20包括：预形成的主像素开关TFT T10、次像素开关TFTT20、与电荷共享TFT T30的源/漏极201、及第二金属电极板202。所述源/漏极201分别与其对应的半导体层30的两端相接触。
进一步地，所述第二金属层M20还包括：数条沿第二方向延伸的数据线203。所述数条电荷共享扫描线103、充电扫描线104、及数据线203位于数个子像素单元P的边缘处。
该步骤4中所述金属薄膜的膜厚为通过物理溅射工艺进行沉积，通过涂布、曝光、显影、湿蚀刻、及剥离工艺进行图案化处理。
步骤5、在所述第二金属层M20及栅极绝缘层20上方沉积一绝缘保护层40，图案化所述绝缘保护层40和栅极绝缘层20，形成贯穿所述绝缘保护层40和栅极绝缘层20的第一过孔421、及第二过孔422。
具体地，绝缘保护层40的材料为氮化硅，通过PECVD工艺沉积，膜厚为通过涂布、曝光、显影、干蚀刻、及剥离工艺进行图案化处理。
步骤6、在所述绝缘保护层50上沉积透明导电材料并进行图案化处理，形成透明导电薄膜层50；所述透明导电薄膜层50包括：相互独立的主区像素电极501、次区像素电极502、及透明导电薄膜电极板503。
部分公共电极线102、第二金属电极板202、以及透明导电薄膜电极板503在空间上重叠，所述透明导电薄膜电极板503通过所述第二过孔422与所述部分公共电极线102相接触，所述部分公共电极线102、第二金属电极板202、以及透明导电薄膜电极板503共同构成电荷共享电容C10。
具体地，通过物理溅射工艺沉积所述透明导电材料，厚度为优选的，所述透明导电材料为ITO，通过涂布、曝光、显影、湿蚀刻、及剥离工艺进行图案化处理。
完成该步骤6后，所述主像素开关TFT T10的栅极电性连接于充电扫描线104、源极电性连接于数据线203、漏极电性连接于主区像素电极501；所述次像素开关TFT T20的栅极电性连接于充电扫描线104、源极电性连接于数据线203、漏极电性连接于次区像素电极502；所述电荷共享TFT T30的栅极电性连接于电荷共享扫描线103、源极电性连接于主区像素电极501、漏极电性连接于电荷共享电容C10的第二金属电极板202。进一步地，所述主区像素电极501通过贯穿所述绝缘保护层40和栅极绝缘层20的两第一过孔421分别与所述主像素开关TFT T10的漏极、电荷共享TFT T30的源极相接触，所述次区像素电极502通过贯穿所述绝缘保护层40和栅极绝缘层20的一第一过孔421与所述次像素开关TFT T20的漏极相接触。
特别地，所述主区像素电极501与所述次区像素电极502均为米字型结构，包括：一条状的竖直主干、一与竖直主干中心垂直相交的条状的水平主干、以及数个分别与竖直主干或水平主干呈±45°或±135°的条状分支。米字型的像素电极结构能够使得液晶向不同方向倒伏。
经该方法制作的TFT阵列基板，由于所述透明导电薄膜电极板503通过贯穿所述绝缘保护层40和栅极绝缘层20的第二过孔422与所述部分公共电极线102相接触，所述部分公共电极线102、第二金属电极板202、以及透明导电薄膜电极板503共同构成该子像素单元P的电荷共享电容C10，所述电荷共享电容C10相当于部分公共电极线102与第二金属电极板202构成的电容并联了第二金属电极板202与透明导电薄膜电极板503构成的电容，且部分公共电极线102与第二金属电极板202之间仅夹设所述栅极绝缘层20，第二金属电极板202与透明导电薄膜电极板503之间仅夹设绝缘保护层40，能够提高电荷共享电容的容量，增加开口率，提高液晶显示面板的显示质量。
综上所述，本发明的TFT阵列基板，设置有与主区像素电极、次区像素电极位于同一层的透明导电薄膜电极板、位于第二金属层的第二金属电极板、及位于第一金属层的公共电极线，部分公共电极线、第二金属电极板、以及透明导电薄膜电极板在空间上重叠，且所述透明导电薄膜电极板通过贯穿绝缘保护层和栅极绝缘层的第二过孔与所述部分公共电极线相接触，所述部分公共电极线、第二金属电极板、以及透明导电薄膜电极板共同构成电荷共享电容，能够提高电荷共享电容的容量，增加开口率，提高液晶显示面板的显示质量。本发明提供的一种TFT阵列基板的制作方法，在图案化绝缘保护层和栅极绝缘层时形成贯穿二者的第二过孔，使得与主区像素电极、次区像素电极位于同一层的透明导电薄膜电极板通过所述第二过孔与部分公共电极线相接触，制作出所述部分公共电极线、第二金属电极板、以及透明导电薄膜电极板在空间上重叠，三者共同构成电荷共享电容，能够提高电荷共享电容的容量，增加开口率，提高液晶显示面板的显示质量。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、及阵列排布于所述衬底基板(10)上的数个子像素单元(P)；
每一子像素单元(P)均包括：设于所述衬底基板(10)上图案化的第一金属层(M10)、覆盖所述第一金属层(M10)的栅极绝缘层(20)、设于所述栅极绝缘层(20)上的半导体层(30)、设于所述半导体层(30)和栅极绝缘层(20)上图案化的第二金属层(M20)、覆盖所述第二金属层(M20)和栅极绝缘层(20)的绝缘保护层(40)、以及设于所述绝缘保护层(40)上的图案化的透明导电薄膜层(50)；
所述透明导电薄膜层(50)包括：相互独立的主区像素电极(501)、次区像素电极(502)、及透明导电薄膜电极板(503)；
所述主区像素电极(501)电性连接主像素开关TFT(T10)、以及电荷共享TFT(T30)，次区像素电极(502)电性连接次像素开关TFT(T20)；
所述图案化的第一金属层(M10)包括：主像素开关TFT(T10)、次像素开关TFT(T20)、与电荷共享TFT(T30)的栅极(101)、以及公共电极线(102)；
所述图案化的第二金属层(M20)包括：主像素开关TFT(T10)、次像素开关TFT(T20)、与电荷共享TFT(T30)的源/漏极(201)、及第二金属电极板(202)；
部分公共电极线(102)、第二金属电极板(202)、以及透明导电薄膜电极板(503)在空间上重叠，且所述透明导电薄膜电极板(503)通过贯穿所述绝缘保护层(40)和栅极绝缘层(20)的第二过孔(422)与所述部分公共电极线(102)相接触，所述部分公共电极线(102)、第二金属电极板(202)、以及透明导电薄膜电极板(503)共同构成该子像素单元(P)的电荷共享电容(C10)；
所述电荷共享TFT(T30)电性连接于电荷共享电容(C10)；
所述主区像素电极(501)与所述次区像素电极(502)均为米字型结构，包括：一条状的竖直主干、一与竖直主干中心垂直相交的条状的水平主干、以及数个分别与竖直主干或水平主干呈±45°或±135°的条状分支。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述图案化的第一金属层(M10)还包括：数条沿水平方向延伸的电荷共享扫描线(103)、及数条与所述电荷共享扫描线(103)平行间隔排列的充电扫描线(104)；
所述图案化的第二金属层(M20)还包括：数条沿竖直方向延伸的数据线(203)；
所述数条电荷共享扫描线(103)、充电扫描线(104)、及数据线(203)位于数个子像素单元(P)的边缘处。
3.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述主像素开关TFT(T10)的栅极电性连接于充电扫描线(104)、源极电性连接于数据线(203)、漏极电性连接于主区像素电极(501)；所述次像素开关TFT(T20)的栅极电性连接于充电扫描线(104)、源极电性连接于数据线(203)、漏极电性连接于次区像素电极(502)；所述电荷共享TFT(T30)的栅极电性连接于电荷共享扫描线(103)、源极电性连接于主区像素电极(501)、漏极电性连接于电荷共享电容(C10)的第二金属电极板(202)。
4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述透明导电薄膜层(50)的材料为ITO，所述第一金属层(M10)和第二金属层(M20)的材料均为钼、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。
5.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板(10)、在所述衬底基板(10)上沉积一金属薄膜，图案化所述金属薄膜形成第一金属层(M10)；
所述第一金属层(M10)包括：预形成的主像素开关TFT(T10)、次像素开关TFT(T20)、与电荷共享TFT(T30)的栅极(101)、以及公共电极线(102)；
步骤2、在所述第一金属层(M10)及衬底基板(10)上沉积一栅极绝缘层(20)；
步骤3、在所述栅极绝缘层(20)上对应预形成的主像素开关TFT(T10)、次像素开关TFT(T20)、与电荷共享TFT(T30)的栅极(101)的上方分别形成一半导体层(30)；
步骤4、在所述半导体层(30)、及栅极绝缘层(20)上再沉积一金属薄膜，图案化所述金属薄膜形成第二金属层(M20)；
所述第二金属层(M20)包括：预形成的主像素开关TFT(T10)、次像素开关TFT(T20)、与电荷共享TFT(T30)的源/漏极(201)、及第二金属电极板(202)；
步骤5、在所述第二金属层(M20)及栅极绝缘层(20)上沉积一绝缘保护层(40)，图案化所述绝缘保护层(40)和栅极绝缘层(20)，形成贯穿所述绝缘保护层(40)和栅极绝缘层(20)的第一过孔(421)、及第二过孔(422)；
步骤6、在所述绝缘保护层(50)上沉积透明导电材料并进行图案化处理，形成透明导电薄膜层(50)；
所述透明导电薄膜层(50)包括：相互独立的主区像素电极(501)、次区像素电极(502)、及透明导电薄膜电极板(503)；
部分公共电极线(102)、第二金属电极板(202)、以及透明导电薄膜电极板(503)在空间上重叠，所述透明导电薄膜电极板(503)通过所述第二过孔(422)与所述部分公共电极线(102)相接触，所述部分公共电极线(102)、第二金属电极板(202)、以及透明导电薄膜电极板(503)共同构成电荷共享电容(C10)。
6.如权利要求5所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层(M10)还包括：数条沿水平方向延伸的电荷共享扫描线(103)、及数条与所述电荷共享扫描线(103)平行间隔排列的充电扫描线(104)；
所述第二金属层(M20)还包括：数条沿竖直方向延伸的数据线(203)；
所述数条电荷共享扫描线(103)、充电扫描线(104)、及数据线(203)位于数个子像素单元(P)的边缘处。
7.如权利要求6所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述主像素开关TFT(T10)的栅极电性连接于充电扫描线(104)、源极电性连接于数据线(203)、漏极电性连接于主区像素电极(501)；所述次像素开关TFT(T20)的栅极电性连接于充电扫描线(104)、源极电性连接于数据线(203)、漏极电性连接于次区像素电极(502)；所述电荷共享TFT(T30)的栅极电性连接于电荷共享扫描线(103)、源极电性连接于主区像素电极(501)、漏极电性连接于电荷共享电容(C10)的第二金属电极板(202)。
8.如权利要求5所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述主区像素电极(501)与所述次区像素电极(502)均为米字型结构，包括：一条状的竖直主干、一与竖直主干中心垂直相交的条状的水平主干、以及数个分别与竖直主干或水平主干呈±45°或±135°的条状分支。
9.如权利要求5所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述透明导电薄膜层(50)的材料为ITO，所述第一金属层(M10)和第二金属层(M20)的材料均为钼、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。
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