CN113075825B - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及显示面板。阵列基板设有多排像素单元；每一像素单元均设有晶体管区，在所述晶体管区内设有主晶体管单元、次晶体管单元以及共享晶体管单元；所述共享晶体管单元包括源极和漏极；每一排所述像素单元设有一共享金属走线；所述共享金属走线设于所述晶体管区上方且沿该排所述像素单元的排布方向延伸，并依次电连接至每一像素单元的所述共享晶体管单元的源极。本发明采用氧化铟锡材质的共享金属走线电连接至每一像素单元的所述共享晶体管单元的源极，实现了共享晶体管单元的源极不用贯穿像素区设置，从而提升了像素区的开口率，提升了显示面板的穿透率；共享金属走线将共享晶体管单元连接，能统一控制共享晶体管单元的漏电。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
多畴取向液晶显示(Multi-domain alignment liquid crystal displays，MVALCDs)凭借高对比和广视角的优势在大尺寸液晶显示和电视机应用中得到了广泛的应用。随着屏幕尺寸向大屏化的演化，八畴的像素设计以其优异的视角表现而在大尺寸显示器中受到重视。
如图1所示，为现有的一种八畴像素结构的阵列基板平面结构示意图，该阵列基板91包括晶体管区901以及位于其上下两侧的主像素区902和次像素区903，晶体管区901主要采用3T结构。
如图2所示，为现有的另一种八畴像素结构的阵列基板平面结构示意图，该阵列基板92利用子数据屏蔽架构(Sub Data Shiled，SDS)设计，在图1所示架构的基础上去除数据线(Data)侧的公共电极(ACOM)，采用子像素电极(Sub PE)与数据线交叠，屏蔽数据线电场，次像素区903的子像素电极形成对主像素区902的子像素电极半包围结构，减小主像素区902的子像素电极与数据线的耦合电容，从而在不影响视角品味的基础上达到增大开口率(也称透光率)近10％目的。SDS架构可以大幅提高液晶面板的穿透率近10％，从而提升画质，提高产品的竞争力。
但是上述图2所示像素结构中3T结构的共享晶体管904的漏极均是按照纵列方式排布，且都采用不透明的金属材质制作漏极，该漏极贯穿主像素区902和次像素区903，导致主像素区902和次像素区903的开口率低。
因此，十分有必要提出一种新的阵列基板及显示面板以实现高开口率的目的。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种阵列基板及显示面板，用以解决现有的八畴像素结构中3T结构的共享晶体管的漏极均是按照纵列方式排布，且都采用不透明的金属材质制作漏极，该漏极贯穿主像素区和次像素区，导致主像素区和次像素区的开口率低的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，设有多排像素单元；每一像素单元均设有晶体管区，在所述晶体管区内设有主晶体管单元、次晶体管单元以及共享晶体管单元；所述共享晶体管单元包括源极和漏极；每一排所述像素单元设有一共享金属走线；所述共享金属走线设于所述晶体管区上方且沿该排所述像素单元的排布方向延伸，并依次电连接至每一像素单元的所述共享晶体管单元的源极。
进一步地，所述共享晶体管单元包括层叠设置的玻璃基板、第一金属层、栅极绝缘层、第二金属层、钝化层以及所述共享金属走线；所述第一金属层设于所述玻璃基板上；所述栅极绝缘层设于所述玻璃基板上并覆盖所述第一金属层；所述第二金属层设于所述栅极绝缘层上；所述钝化层设于所述栅极绝缘层上并覆盖所述第二金属层，并设有过孔裸露所述第二金属层的上表面；所述共享金属走线设于所述钝化层上并穿过所述过孔与所述第二金属层电连接。
进一步地，所述共享金属走线在对应所述过孔位置设有加宽部，所述加宽部朝向所述晶体管区一侧凸出于所述共享金属走线的边缘。
进一步地，所述像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，所述共享金属走线与所述蓝色子像素电连接。
进一步地，所述晶体管区内设有扫描线，所述共享金属走线与所述扫描线平行设置。
进一步地，每一所述像素单元还包括：像素区，设于所述晶体管区的一侧；所述像素区及晶体管区的排布方向与所述共享金属走线的延伸方向垂直。
进一步地，所述像素区包括主像素区以及次像素区；所述主像素区与所述晶体管区相邻设置，且电连接至所述主晶体管单元的源极；所述次像素区设于所述主像素区背离所述晶体管区的一侧，且电连接至所述次晶体管单元及所述共享晶体管单元的漏极。
进一步地，所述次像素区呈U形半包围环绕所述主像素区设置；所述主像素区的面积小于所述次像素区的面积。
进一步地，所述主像素区及所述次像素区的俯视投影均呈轴对称图形。
本发明还提供一种显示面板，包括前文任一项所述的阵列基板。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板，包括前文所述的阵列基板。
本发明的技术效果在于，提供一种阵列基板及显示面板，一方面通过采用氧化铟锡材质的共享金属走线电连接至每一像素单元的所述共享晶体管单元的源极，实现了共享晶体管单元的源极不用贯穿像素区设置，从而提升了像素区的开口率，提升了显示面板的穿透率；而且共享金属走线将共享晶体管单元连接，能统一控制共享晶体管单元的漏电。另一方面通过将主像素区和次像素区放在晶体管区的同一侧，降低了晶体管区所占面积，同时次像素区围绕主像素区形成半包围结构，可增加主像素区与主数据走线之间的距离，减小它们之间的耦合电容，改善色偏。再一方面将在相邻两个次像素区之间的公共电极走线和环绕主像素区和次像素区的源漏极走线去掉，可缩短相邻两个次像素区的第二像素电极边界之间的距离，从而增加主像素区和次像素区内像素电极的分布宽度，增加了开口率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有的一种八畴像素结构的阵列基板平面结构示意图；
图2为现有的另一种八畴像素结构的阵列基板平面结构示意图；
图3为本发明实施例中所述阵列基板一个像素单元的平面结构示意图；
图4为本发明实施例中所述阵列基板的一排像素单元的平面结构示意图；
图5为图3或图4中B-B所示位置处所述共享晶体管单元的截面图。
附图中部分标识如下：
1、共享金属走线，2、扫描线，3、数据走线，
10、晶体管区，11、主晶体管单元，12、次晶体管单元，
13、共享晶体管单元，20、像素区，21、主像素区，
211、第一像素电极，22、次像素区，221、第二像素电极，
31、玻璃基板，32、第一金属层，33、栅极绝缘层，
34、第二金属层，35、钝化层，36、过孔，
100、阵列基板，101、加宽部，110、像素单元。
具体实施方式
以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例，用以举例证明本发明可以实施，这些实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，使得本发明的技术内容更加清楚和便于理解。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电性连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在附图中，为了清楚，层和区域的厚度被夸大。例如，为了便于描述，附图中的元件的厚度和尺寸被任意地示出，因此，所描述的技术范围不由附图限定。
如图3、图4所示，本发明实施例中提供一种阵列基板100，设有多排像素单元110；所述多排像素单元110纵向排布形成阵列结构。
如图3所示，每一像素单元110均设有晶体管区10及像素区20，在所述晶体管区10内设有主晶体管单元11、次晶体管单元12以及共享晶体管单元13；所述主晶体管单元11、所述次晶体管单元12、所述共享晶体管单元13均包括源极和漏极；每一排所述像素单元110设有一共享金属走线1；所述共享金属走线1设于所述晶体管区10上方且沿该排所述像素单元110的排布方向延伸，并依次电连接至每一像素单元110的所述共享晶体管单元13的源极。所述共享金属走线1的位置恰好处于所述共享晶体管单元13的源极的正上方位置，此时通过所述共享金属走线1依次电连接至每一像素单元110的所述共享晶体管单元13的源极，能够节省设置所述共享晶体管单元13的源极走线，从而提升开口率，且能降低制作成本。
如图5所示，本实施例中，所述共享晶体管单元13包括层叠设置的玻璃基板31、第一金属层32、栅极绝缘层33、第二金属层34、钝化层35以及所述共享金属走线1；所述第一金属层32设于所述玻璃基板31上；所述栅极绝缘层33设于所述玻璃基板31上并覆盖所述第一金属层32；所述第二金属层34设于所述栅极绝缘层33上；所述钝化层35设于所述栅极绝缘层33上并覆盖所述第二金属层34，并设有过孔36裸露所述第二金属层34的上表面；所述共享金属走线1设于所述钝化层35上并穿过所述过孔36与所述第二金属层34电连接。
本实施例中，所述共享金属走线1的材质包括氧化铟锡，氧化铟锡为透明材质，从而所述共享金属走线1为透明走线，提升透光率。
本实施例中，所述共享金属走线1在对应所述过孔36位置设有加宽部101，所述加宽部101朝向所述晶体管区10一侧凸出于所述共享金属走线1的边缘。设置所述加宽部101，能够便于将所述共享金属走线1的宽度降低，从而在提升透光率的同时保证所述共享金属走线1穿过所述过孔36与所述第二金属层34的良好电连接，避免连接断路的问题。
本实施例中，所述像素单元110包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，所述共享金属走线1与所述蓝色子像素电连接。由于所述蓝色子像素的驱动电压高于所述红色子像素及所述绿色子像素的驱动电压，从而所述共享金属走线1的信号电压会较高，有利于控制所述共享晶体管单元13的漏电情况，避免所述共享晶体管单元13漏电。
本实施例中，所述晶体管区10内设有扫描线2，所述共享金属走线1与所述扫描线2平行设置。亦即所述共享金属走线1沿一排所述像素单元110的排布方向延伸。其中所述第一金属层32可作为所述共享晶体管单元13的栅极与所述扫描线2连接。
本实施例通过采用透明的氧化铟锡材质的所述共享金属走线1电连接至每一像素单元110的所述共享晶体管单元13的源极，实现了所述共享晶体管单元13的源极不用贯穿像素区20设置，从而提升了像素区20的开口率，提升了显示面板的穿透率；而且所述共享金属走线1将所述共享晶体管单元13连接，能统一控制共享晶体管单元13的漏电。
经验证，本实施例与背景技术图2所示的八畴像素结构相对比，本实施例可相对于图2所示的八畴像素结构提升了像素区20的开口率7％-10％，提升了显示面板的穿透率7％-10％，从而提升画质，提高产品的竞争力。
本实施例中，所述像素区20设于所述晶体管区10的一侧；所述像素区20及所述晶体管区10的排布方向与所述共享金属走线1的延伸方向垂直。亦即所述像素区20及所述晶体管区10的排布方向为纵向排列，与所述扫描线2垂直设置。
本实施例中，所述像素区20包括主像素区21以及次像素区22；所述主像素区21与所述晶体管区10相邻设置，且电连接至所述主晶体管单元11的源极；所述次像素区22设于所述主像素区21背离所述晶体管区10的一侧，且电连接至所述次晶体管单元12及所述共享晶体管单元13的漏极。
更详细的，所述主像素区21设于所述晶体管区10的一侧，其内设有第一像素电极211，所述第一像素电极211与所述主晶体管单元11的漏极电性连接；以及所述次像素区22设于所述主像素区21背离所述晶体管区10的一侧，且呈U形半包围环绕所述主像素区21设置，其中U形半包围环绕也可表述为半包围包覆、三边环绕、沿所述晶体管区10包覆等，所述次像素区22内设有第二像素电极221，所述第二像素电极221与所述第一像素电极211之间未电性连接，所述第二像素电极221与所述次晶体管单元12及所述共享晶体管单元13的漏极电性连接。
本实施例中，所述第一像素电极211、所述第二像素电极221均包括主枝干和分枝干，位于所述主像素区21和所述次像素区22内沿纵向延伸的所述主枝干位于同一直线上，优选沿纵向延伸的所述主枝干所在直线为所述主像素区21和所述次像素区22的中位线。
本实施例通过将所述主像素区21和所述次像素区22放在所述晶体管区10的同一侧，降低了所述晶体管区10所占面积，同时所述次像素区22围绕所述主像素区21形成半包围结构，可减少所述主像素区21形成耦合电容，改善色偏。
本实施例中，所述主像素区21的俯视图投影呈轴对称图形，所述轴对称图形可以为沿横向轴对称或沿纵向轴对称。所述主像素区21的俯视图投影具体包括但不限于对称锥形、对称三角形、对称半圆形、对称倒梯形、内凹矩形、沙漏形或矩形，本实施例优选为呈矩形，具体如图3、图4所示。
本实施例中，所述阵列基板100还包括数据走线3，设于相邻两个所述次像素区22之间；所述数据走线3与所述第一晶体管单元及所述第二晶体管单元的源极电性连接。
本实施例中，所述主像素区21的面积小于所述次像素区22的面积。这样可实现所述次像素区22呈U形半包围环绕所述主像素区21设置，并能增加所述主像素区21与数据走线3之间的距离，减小它们之间的耦合电容，改善色偏。
本实施例中，所述数据走线3设于相邻两个所述次像素区22内的所述第二像素电极221的下方，且所述数据走线3与所述第二像素电极221的投影相互重叠，这样可使得在所述数据走线3与所述第二像素电极221之间形成电容，能够将现有技术图2中所示的在相邻两个次像素区之间的公共电极走线和环绕主像素区和次像素区的源漏极走线去掉去除，可缩短相邻两个所述次像素区22的所述第二像素电极221边界之间的距离，从而增加所述主像素区21和所述次像素区22内像素电极的分布宽度，增加了开口率。
本实施例中，所述数据走线3与所述主像素区21的投影相不重叠，这样可避免所述数据走线3与所述主像素区21之间形成耦合电容，从而改善色偏。
基于同样的发明构思，本公开实施例提供一种显示面板，该显示装置包括由以上实施例所提供的阵列基板100。
本公开实施例中的显示面板可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例提供的显示面板的工作原理，与前述阵列基板100的实施例工作原理一致，具体结构关系及工作原理参见前述阵列基板100实施例，此处不再赘述。
本发明的技术效果在于，提供一种阵列基板及显示面板，一方面通过采用氧化铟锡材质的共享金属走线电连接至每一像素单元的所述共享晶体管单元的源极，实现了共享晶体管单元的源极不用贯穿像素区设置，从而提升了像素区的开口率，提升了显示面板的穿透率；而且共享金属走线将共享晶体管单元连接，能统一控制共享晶体管单元的漏电。另一方面通过将主像素区和次像素区放在晶体管区的同一侧，降低了晶体管区所占面积，同时次像素区围绕主像素区形成半包围结构，可增加主像素区与主数据走线之间的距离，减小它们之间的耦合电容，改善色偏。再一方面将在相邻两个次像素区之间的公共电极走线和环绕主像素区和次像素区的源漏极走线去掉，可缩短相邻两个次像素区的第二像素电极边界之间的距离，从而增加主像素区和次像素区内像素电极的分布宽度，增加了开口率。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (7)

1.一种阵列基板，其特征在于，设有多排像素单元；
每一像素单元均设有晶体管区，在所述晶体管区内设有主晶体管单元、次晶体管单元以及共享晶体管单元；所述共享晶体管单元包括源极和漏极；
每一排所述像素单元设有一共享金属走线；所述共享金属走线设于所述晶体管区上方且沿该排所述像素单元的排布方向延伸，并依次电连接至每一像素单元的所述共享晶体管单元的源极；
其中，所述共享晶体管单元包括：
玻璃基板；
第一金属层，设于所述玻璃基板上；
栅极绝缘层，设于所述玻璃基板上并覆盖所述第一金属层；
第二金属层，设于所述栅极绝缘层上；
钝化层，设于所述栅极绝缘层上并覆盖所述第二金属层，并设有过孔裸露所述第二金属层的上表面；以及
所述共享金属走线，设于所述钝化层上并穿过所述过孔与所述第二金属层电连接；所述共享金属走线在对应所述过孔位置设有加宽部，所述加宽部朝向所述晶体管区一侧凸出于所述共享金属走线的边缘；
其中，所述像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，所述共享金属走线与所述蓝色子像素电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管区内设有扫描线，所述共享金属走线与所述扫描线平行设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每一所述像素单元还包括：
像素区，设于所述晶体管区的一侧；所述像素区及晶体管区的排布方向与所述共享金属走线的延伸方向垂直。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素区包括：
主像素区，与所述晶体管区相邻设置，且电连接至所述主晶体管单元的源极；以及
次像素区，设于所述主像素区背离所述晶体管区的一侧，且电连接至所述次晶体管单元及所述共享晶体管单元的漏极。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述次像素区呈U形半包围环绕所述主像素区设置；所述主像素区的面积小于所述次像素区的面积。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述主像素区及所述次像素区的俯视投影均呈轴对称图形。
7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的阵列基板。
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