CN104570525B - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施方案公开了一种LCD装置及其制造方法，在视角和高透光率上没有任何改变的情况下减小了像素之间的电容偏差。该LCD装置包括：在基板上沿第一方向形成的多个栅极线；沿第二方向形成为与所述多个栅极线交叉的多个数据线；形成在由所述多个栅极线和所述多个数据线限定的多个像素区中的每一个中的薄膜晶体管(TFT)；在所述多个像素区中的每一个中以四角形形成的像素电极；以及形成在像素电极上并且构造为包括多个指状图案的公共电极。所述多个像素区中的每一个形成为四角形。

Description

液晶显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年10月25日提交的韩国专利申请第10-2013-0128040号的优先权，通过引用将其如在本文中阐述的那样并入本文。
技术领域
本发明涉及液晶显示(LCD)装置，并且更具体地，涉及LCD装置及其制造方法，其在视角和高透光率上没有任何改变的情况下减小了像素之间的电容偏差。
背景技术
随着各种便携式电子装置(例如移动通信终端、智能手机、平板电脑、笔记本电脑等)的发展，对可应用于便携式电子装置的平板显示(FPD)装置的需求正在增加。
已经开发了液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)、场发射显示(FED)装置、有机发光显示装置等作为FPD装置。
在这样的FPD装置中，LCD装置在应用领域不断地扩展，这是因为LCD装置由于制造技术的进步而变得容易制造并且实现了驱动器的可操控性、低功耗、高质量图像和大屏幕。
图1为示出相关技术LCD装置的像素结构的图。图1示出了形成在液晶面板中的多个像素中的一些像素，并且示出了面内开关(IPS)模式的薄膜晶体管(TFT)阵列基板(下基板)的像素结构。在图1中，没有示出彩色滤光阵列基板(上基板)、背光单元和驱动电路单元。
参照图1，在液晶面板的TFT阵列基板上形成有多个像素，并且所述多个像素通过形成为交叉的多个栅极线10和多个数据线20限定。
在通过栅极线10与数据线20之间的交叉而限定的多个区域中的每一个中形成有TFT 30。
TFT 30形成为底栅极型，并且包括：栅电极G，栅电极G的一个区域从栅极线10延伸；从数据线20延伸的源电极S；由半导体材料形成的有源层；以及漏电极D。
在多个像素中的每一个中形成有基于从外部输入的图像数据供给数据电压的像素电极40，并且在像素电极40上形成有公共电极50。
TFT 30的漏电极D通过接触孔连接至像素电极40。为了防止各像素的开口率的损失，接触孔形成在存储电容器(Cst)区中。公共电极50被图案化为在各像素中为指状并且以公共的方式形成在所有像素中。
公共电极50的指状图案形成为以一定角度倾斜，并且像素电极40形成为以与指状图案的角度相同的角度倾斜。
图1所示的相关技术LCD装置的像素以2-域结构的形成，在该2-域结构中上像素和下像素以不同的形式形成。因此，与1-域结构相比，2-域结构提高了视角并解决了色偏的缺点。
然而，数据线交替地形成为以一定角度倾斜。因此，各像素的轮廓形成为梯形，并且沿水平方向相邻的两个像素以连接的形式形成。
如上所述，在像素形成为梯形的情况下，在制造过程中，多个金属层可能形成为扭曲，而没有彼此正常交叠。
因此，金属层彼此交叠的区域在各像素中不同，因而，像素的电容不同。为此，出现沿高度方向和宽度方向的暗线以及出现闪烁，引起图像质量劣化。
发明内容
因此，本发明涉及提供一种LCD装置及其制造方法，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。
本发明的一方面涉及提供一种LCD装置及其制造方法，其能够防止像素之间出现电容偏差。
本发明的另一方面涉及提供一种LCD装置及其制造方法，其能够防止图像质量由于沿水平方向和垂直方向的暗线和闪烁而劣化。
除本发明的前述目的之外，本发明的其他特征和优点将在下面描述，而根据下面的描述本领域技术人员将清楚地理解本发明的其他特征和优点。
本发明的附加优点和特征将在下面的描述中在一定程度上阐述，并且本领技术人员通过研究下面内容将在一定程度上明了本发明的附加优点和特征或者可以通过本发明的实践而获知本发明的附加优点和特征。通过在书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其他优点。
如在本文中所实施和概述的那样，为了实现上述优点和其他优点并且根据发明的目的，提供了一种LCD装置，该LCD装置包括：在基板上沿第一方向形成的多个栅极线；沿第二方向形成为与所述多个栅极线交叉的多个数据线；形成在通过所述多个栅极线和所述多个数据线所限定的多个像素区中的每一个中的薄膜晶体管(TFT)；在所述多个像素区中的每一个中以四角形形成的像素电极；以及形成在像素电极上并且被构造为包括多个指状图案的公共电极，其中所述多个像素区中的每一个形成为四角形。
在本发明的另一方面，提供了一种制造液晶显示(LCD)装置的方法，该方法包括：在基板上沿第一方向形成多个栅极线，和形成薄膜晶体管(TFT)的栅电极；形成栅极绝缘层以覆盖所述多个栅极线和栅电极；在栅极绝缘层的与栅电极交叠的区域上形成有源层；在基板上沿第二方向形成多个数据线，和形成TFT的源电极和漏电极；形成第一钝化层和平坦化层以覆盖所述多个数据线和TFT，和形成接触孔以露出漏电极的顶部；在通过所述多个栅极线与所述多个数据线之间的交叉部而限定的多个像素区中的每一个中以四角形形成像素电极；形成第二钝化层以覆盖像素电极；以及在第二钝化层上形成包括多个指状图案的公共电极，其中所述多个像素区中的每一个形成为四角形。
将理解的是，本发明的前述一般描述和下面的详细描述是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
本申请包括附图以提供本发明的进一步理解并且附图被并入本申请并构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方案并且与描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1为示出相关技术LCD装置的像素结构的图；
图2为示出根据本发明一个实施方案的LCD装置的像素结构的图；
图3为示出图2的其中形成有TFT的放大部分的图；
图4为图2的沿着线A-A’所取的截面图；
图5为示出制造根据本发明一个实施方案的LCD装置的方法的图；
图6为示出制造根据本发明一个实施方案的LCD装置的方法的图；
图7为示出制造根据本发明一个实施方案的LCD装置的方法的图；
图8为示出制造根据本发明一个实施方案的LCD装置的方法的图；
图9为示出制造根据本发明一个实施方案的LCD装置的方法的图；
图10为示出制造根据本发明一个实施方案的LCD装置的方法的图；
图11为示出制造根据本发明一个实施方案的LCD装置的方法的图；
图12为示出制造根据本发明一个实施方案的LCD装置的方法的图；以及
图13为示出根据本发明一个实施方案的LCD装置的像素布置结构的图。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的示例性实施方案，其实施例在附图中示出。只要有可能，贯穿附图将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。
下文中，将参照附图详细描述根据本发明实施方案的LCD装置及其制造方法。
在本发明的实施方案的描述中，在结构(例如电极、线、布线、层或接触)描述为形成在另一结构的上部/下部处或形成在其他结构上/之下的情况下，该描述应该被理解为包括这些结构彼此接触的情况以及另外的在这些结构之间设置有第三结构的情况。
表述“上部/下部”和“上/之下”是参照附图用于描述根据本发明的实施方案的具有内置接触式传感器的LCD装置的构造及其制造方法。因此，在制造过程期间和制造完成之后的结构中，表述“上部/下部”和“上/之下”可能不同。
根据调整液晶的取向的方案，已经将LCD装置不同地开发为扭曲向列(TN)模式、垂直取向(VA)模式、面内开关(IPS)模式和边缘场开关(FFS)模式。
在这些模式中，IPS模式和FFS模式为如下模式：多个像素电极和公共电极布置在下基板上，因而液晶的取向利用像素电极与公共电极之间的电场调整。
图2为示出根据本发明一个实施方案的LCD装置的像素结构的图，图3为示出图2的其中形成有TFT的放大部分的图。
图2和图3示出了以FFS模式驱动的TFT阵列基板(下基板)的像素结构，并且示出了多个像素中的一些像素。没有示出彩色滤光阵列基板(上基板)、背光单元和驱动电路单元。
驱动电路单元包括时序控制器(T-con)、数据驱动器(D-IC)、栅极驱动器(G-IC)、背光驱动器、以及向多个驱动电路提供驱动电力的电源。
在此，驱动电路单元中的全部驱动电路单元或一些驱动电路单元可以以玻璃上芯片(COG)型或膜上芯片(COF，柔性印刷电路板上芯片)型设置在液晶面板上。
参照图2和图3，在液晶面板的TFT阵列基板上形成有多个像素，并且所述多个像素通过形成为交叉的多个栅极线110和多个数据线120限定。
栅极线110沿第一方向(例如X轴方向)形成，数据线120沿第二方向(例如Y轴方向)形成。栅极线110和数据线120形成为长条形状。
在根据本发明一个实施方案的LCD装置中，栅极线110和数据线120形成为使得各个像素的开口的轮廓为四角形。即，相关技术LCD装置的数据线形成为沿倾斜方向以一定角度倾斜，但是根据本发明一个实施方案的LCD装置的数据线形成为沿垂直方向的直线。
在通过栅极线110与数据线120之间的交叉而形成的像素区中形成有像素电极140和公共电极150。像素电极140和公共电极150形成在不同的层上。
像素电极140形成为在各像素的开口中具有四角形。即，像素电极140形成为沿着像素区的轮廓的四角形。公共电极150形成为具有多个指状图案，并且形成为在各像素中以一定角度倾斜。
公共电极150通过形成在各像素的一侧处的接触孔(未示出)电连接至公共电极线(未示出)，并且将公共电压(Vcom)供给至公共电极150。
在通过多个栅极线110与多个数据线120之间的交叉而限定的多个区域中的每一个中形成有TFT 130。TFT 130的漏电极D通过接触孔电连接至像素电极140。将TFT 130的漏电极D连接至像素电极140的接触孔形成在栅极线110上，用于减小开口率的损失。在此，接触孔可以形成为具有4μm×4μm至14μm×10μm的尺寸。
图4为图2的沿着线A-A′所取的截面图。
将参照图4更详细地描述根据本发明一个实施方案的LCD装置的像素结构。
基板101可以使用玻璃基板或柔性塑料基板。TFT 130的栅电极131形成在基板101上的TFT区中。沿水平方向形成的栅极线110的区域从TFT区延伸，因而，形成TFT 130的栅电极131。
栅极线110和栅电极131可以由如下金属材料形成为具有的厚度，该金属材料为例如铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、镉(Cd)、铪(Hf)、钨(W)、钽(Ta)、铬(Cr)，锆(Zr)或铜(Cu)。
作为另一实施例，栅极线110和栅电极131可以由包含如下金属材料的合金形成，该金属材料为例如铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、镉(Cd)、铪(Hf)、钨(W)、钽(Ta)、铬(Cr)，锆(Zr)或铜(Cu)。
尽管未示出，但是在基板上可以形成有缓冲层，并且在缓冲层上可以形成有栅极线110、栅电极131和公共电极线(未示出)。缓冲层可以由无机材料例如SiO2或SiNx形成并且可以具有至的厚度。
栅极绝缘层102形成为覆盖栅极线110和栅电极131。栅极绝缘层102可以由SiO2或SiNx形成，并且可以具有的厚度。
作为另一实施例，栅极绝缘层102可以通过在化学气相沉积(CVD)工艺中沉积正硅酸四乙酯(TEOS)或中温氧化物(MTO)而形成为 的厚度。
TFT 130的有源层132形成在栅极绝缘层102上以与栅电极131交叠。有源层132可以由半导体材料形成为具有的厚度。在这种情况下，有源层132的半导体材料可以使用多晶硅(P-Si)、非晶硅(a-Si)、低温多晶硅(LTPS)或氧化物。
TFT 130的源电极133形成在有源层132的一侧处，漏电极134形成在另一侧处。数据线120延伸至像素区中以形成源电极133。漏电极134形成为具有岛状图案。
数据线120、源电极133和漏电极134可以由如下金属材料形成为具有的厚度，该金属材料为例如铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、镉(Cd)、铪(Hf)、钨(W)、钽(Ta)、铬(Cr)，锆(Zr)或铜(Cu)。
作为另一实施例，数据线120、源电极133和漏电极134可以由包含如下金属材料的合金形成为具有的厚度，该金属材料为例如铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、镉(Cd)、铪(Hf)、钨(W)、钽(Ta)、铬(Cr)，锆(Zr)或铜(Cu)。
如上所述，形成栅电极131、栅极绝缘层102、有源层132、源电极133和漏电极134以构建TFT 130。
形成第一钝化层(PAS1)103以覆盖TFT 130。第一钝化层103可以形成由SiO2或SiNx形成为具有的厚度。
形成平坦化层104以覆盖基板的整个表面。平坦化层104由光亚克力(photoacryl)形成为具有2.0μm至3.0μm的厚度，并且平坦化层104使基板的整个表面平坦化。
在平坦化层104的开口中形成像素电极140。形成接触孔以露出漏电极134的顶部的一部分。像素电极140形成在接触孔中并且电连接至TFT130的漏电极134和像素电极140。
形成第二钝化层(PAS2)106以覆盖像素电极140。第二钝化层106可以由SiO2或SiNx形成为具有的厚度。
在第二钝化层106上形成有公共电极150。公共电极150形成为具有多个指状图案。公共电极150形成为在各像素中以一定角度倾斜。公共电极150通过形成在各像素的一侧处的接触孔(未示出)电连接至公共电极线(未示出)，并且将公共电压(Vcom)供给至公共电极150。
如上所述，像素电极140和公共电极150形成在不同的层上，并且在像素电极140与公共电极150之间生成边缘场。
像素电极140和公共电极150由如下透明导电材料形成为具有的厚度，该透明导电材料为例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)。
尽管未示出，但是为了在下基板(TFT阵列基板)与上基板(彩色滤光阵列基板)之间形成空间，在下基板(TFT阵列基板)上形成有柱形间隔物CS。将液晶注入到形成在下基板(TFT阵列基板)与上基板(彩色滤光阵列基板)之间的空间中。
在形成有彩色滤光片的上基板(彩色滤光阵列基板)上形成有用于对多个像素进行划分的黑矩阵BM。黑矩阵形成为与栅极线110和数据线120交叠，以用于减小各像素的开口的损失。在这种情况下，黑矩阵除用于覆盖柱形间隔物的部分之外的部分形成为四角形。
在包括上述元件的根据本发明一个实施方案的LCD装置中，栅极线和数据线形成为使得各像素的开口的轮廓具有四角形。在各像素的开口中像素电极形成为四角形。即，沿上下方向或左右方向相邻的各个像素的数据线120和像素电极140形成为相同的形状。
因此，即使在制造过程中金属的交叠发生扭曲，像素的金属彼此交叠的区域也与扭曲区域相同，因而，可以防止像素的电容不同的缺陷。因此，像素的电容相等，因而，可以防止沿高度方向和宽度方向的暗线和闪烁。
图5至图12为示出制造根据本发明一个实施方案的LCD装置的方法的图。
在下文中，将参照图5至图12详细描述制造根据本发明一个实施方案的LCD装置的方法。
参照图5，在基板101上涂覆金属材料，然后通过实施使用第一掩模(掩模1)的光刻工艺、蚀刻工艺和灰化工艺来形成各像素区的栅电极131、多个栅极线和多个公共电极线。在这种情况下，多个栅极线沿第一方向(例如X轴方向)形成。栅极线的沿第一方向(例如水平方向)形成的区域从TFT区域延伸，因而，形成TFT的栅电极131。基板101可以使用玻璃基板或柔性塑料基板。
尽管未示出，但是可以在基板上形成缓冲层，并且可以在缓冲层上形成栅极线、栅电极131和公共电极线(未示出)。缓冲层可以由无机材料(例如SiO2或SiNx)形成，并且可以具有至的厚度。
栅极线和栅电极131可以形成在相同的层上，并且可以由如下金属材料形成为具有的厚度，该金属材料为例如铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、镉(Cd)、铪(Hf)、钨(W)、钽(Ta)、铬(Cr)，锆(Zr)或铜(Cu)。
作为另一实施例，栅极线和栅电极131可以由包含如下金属材料的合金形成为具有的厚度，该金属材料为例如铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、镉(Cd)、铪(Hf)、钨(W)、钽(Ta)、铬(Cr)，锆(Zr)或铜(Cu)。
随后，参照图6，形成栅极绝缘层102以覆盖栅极线和栅电极131。栅极绝缘层102可以由SiO2或SiNx形成，并且可以具有的厚度。
作为另一实施例，可以通过在化学气相沉积(CVD)工艺中沉积正硅酸四乙酯(TEOS)或中温氧化物(MTO)来使栅极绝缘层102形成为具有的厚度。
随后，在栅极绝缘层102上沉积半导体材料，并且在半导体材料上涂覆金属材料。
随后，通过实施使用第二掩模(掩模2)的光刻工艺、蚀刻工艺和灰化工艺使有源层132形成为具有的厚度以与栅电极131交叠。此外，在形成有源层132时，数据线120、源电极133和漏电极134同时形成为的厚度。此时，使用半色调掩模作为第二掩模以同时形成有源层132和源极层/漏极层。
涂覆光致抗蚀剂，然后，通过实施使用半色调掩模的光刻工艺、蚀刻工艺和灰化工艺同时形成有源层132和源极层/漏极层。
在此，光致抗蚀剂可以使用曝光区域保留的负性光致抗蚀剂。半色调掩模包括全色调区域、半色调区域和阻挡区域。
对应于全色调区域的光致抗蚀剂全部留下，并且较厚地形成。在对应于半色调区域的光致抗蚀剂中，根据透过的光的量即曝光量来调整保留的光致抗蚀剂的量(被去除的光致抗蚀剂的量)，因而，光致抗蚀剂形成为薄的厚度。另外，对应于阻挡区域的光致抗蚀剂没有被曝光，因而被全部去除。
沿第二方向(例如，Y轴方向)形成多个数据线。
在形成数据线时，在各像素中形成源电极133和漏电极134。源电极133形成在有源层132上的一侧处，漏电极134形成在另一侧处。数据线延伸到像素区中以形成源电极133。漏电极134形成为具有岛状图案。
在此，有源层132的半导体材料可以使用多晶硅(P-Si)、非晶硅(a-Si)、低温多晶硅(LTPS)或者氧化物。
数据线、源电极133和漏电极134可以形成在相同的层上，并且可以由如下金属材料形成为具有的厚度，该金属材料为例如铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、镉(Cd)、铪(Hf)、钨(W)、钽(Ta)、铬(Cr)，锆(Zr)或铜(Cu)。
作为另一实施例，数据线、源电极133和漏电极134可以形成在相同的层上，并且可以由包含如下金属材料的合金形成为具有的厚度，该金属材料为例如铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、镉(Cd)、铪(Hf)、钨(W)、钽(Ta)、铬(Cr)，锆(Zr)或铜(Cu)。
如上所述，形成栅电极131、栅极绝缘层102、有源层132、源电极133和漏电极134以构建TFT 130。
随后，参照图7，形成TFT 130，然后，在整个基板上涂覆SiO2或SiNx至的厚度，并且形成第一钝化层103以覆盖TFT 130。
随后，参照图8，通过在基板101的整个表面上涂覆光亚克力形成平坦化层104以覆盖第一钝化层103。在这种情况下，平坦化层104形成为具有2.0μm至3.0μm的厚度，并且使基板的整个表面平坦化。
随后，通过实施使用第三掩模(掩模3)的蚀刻工艺和灰化工艺来去除平坦化层104的与漏电极134交叠的区域中的部分104a。通过去除平坦化层104的部分104a露出与漏电极134交叠的区域中的第一钝化层103。
随后，参照图9，通过实施干法蚀刻工艺去除与漏电极134交叠的区域中的第一钝化层103。通过去除与漏电极134交叠的区域中的第一钝化层103形成露出漏电极134的接触孔105。
在此，接触孔105将TFT 130的漏电极D连接至像素电极140，并且接触孔105形成在栅极线110上，用于减小开口率的损失。在此，接触孔105可以形成为具有4μm×4μm至14μm×10μm的尺寸。
随后，参照图10，在整个基板上101之上涂覆如下透明导电材料至的厚度，该透明导电材料为例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)。
随后，通过实施使用第四掩模(掩模4)的光刻工艺、蚀刻工艺和灰化工艺在像素区(开口)中形成像素电极140。
像素电极140形成为在各像素的开口中具有四角形。像素电极140也形成在接触孔105中，并且像素电极140通过接触孔105电连接至TFT130的漏电极D。
随后，参照图11，形成第二钝化层(PAS2)106以覆盖像素电极140。第二钝化层106可以由SiO2或SiNx形成为具有的厚度。
在此，尽管未示出，在有源区外部的焊盘区中设置有栅极焊盘、数据焊盘、栅极连接和数据连接。在这种情况下，在栅极焊盘、数据焊盘、栅极连接和数据连接上也形成有第二钝化层106。
通过实施使用第五掩模(掩模5)的光刻工艺、蚀刻工艺以及灰化工艺，通过去除第二钝化层106的形成在焊盘区中的一部分形成多个接触孔，使得栅极焊盘、数据焊盘、栅极连接和数据连接露出。
随后，参照图12，在第二钝化层106上涂覆如下透明导电材料至 的厚度，该透明导电材料为例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)。
随后，通过实施使用第六掩模(掩模6)的光刻工艺、蚀刻工艺和灰化工艺形成具有多个指状图案的公共电极150。
公共电极150形成为在各像素中以一定角度倾斜。公共电极150通过形成在各像素的一侧处的接触孔(未示出)电连接至公共电极线(未示出)，并且将公共电压(Vcom)供给至公共电极150。
如上所述，像素电极140和公共电极150形成在不同的层上，并且在像素电极140与公共电极150之间生成边缘场。
像素电极140和公共电极150由如下透明导电材料形成为具有的厚度，该透明导电材料为例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)。
尽管未示出，为了在下基板(TFT阵列基板)与上基板(彩色滤光阵列基板)之间形成空间，在下基板(TFT阵列基板)上形成柱形间隔物CS。
随后，在下基板(TFT阵列基板)耦接至上基板(彩色滤光阵列基板)的情况下，通过柱形间隔物在下基板(TFT阵列基板)与上基板(彩色滤光阵列基板)之间提供空间。
随后，将液晶注入至形成在下基板(TFT阵列基板)与上基板(彩色滤光阵列基板)之间的空间中，然后，为了使液晶不流出，对下基板(TFT阵列基板)和上基板(彩色滤光阵列基板)的边进行密封。
在上基板(彩色滤光阵列基板)上对应于像素区形成红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片，并且在上基板(彩色滤光阵列基板)上形成用来对多个像素进行划分的黑矩阵BM。
黑矩阵形成为与栅极线110和数据线120交叠，用于减小各像素的开口的损失。在这种情况下，黑矩阵除用于覆盖柱形间隔物的部分之外的部分形成为四角形。通过使用制造根据本发明一个实施方案的LCD装置的方法，栅极线和数据线形成为使得各像素的开口的轮廓具有四角形。在各像素的开口中像素电极形成为四角形。即，沿上下方向或沿左右方向相邻的各个像素的数据线120和像素电极140形成为相同的形状。
因此，即使在制造过程中金属的交叠发生扭曲，像素的金属彼此交叠的区域也与扭曲区域相同，因而，可以防止使像素的电容不同的缺陷。因此，像素的电容相等，因而，可以防止沿高度方向和宽度方向的暗线和闪烁。
[表1]
如表1中所列，在相关技术中，由于在制造过程中金属的交叠的扭曲，所以像素的电容不同。在本发明中，像素的金属彼此交叠的区域与扭曲的区域相同，因而，像素的电容相同。图13为示出根据本发明一个实施方案的LCD装置的像素的布置结构的图。
参照图13，在根据本发明一个实施方案的LCD装置中，可以通过上下相邻的两个像素形成两个域。
此外，一个像素单元可以由沿上下方向和左右方向相邻的八个像素构成。像素单元可以被重复地设置。在形成在上下相邻的像素中的公共电极的指状图案中，扭曲方向形成为不同。
根据本发明的实施方案的LCD装置及其制造方法可以防止像素之间产生电容偏差。
根据本发明的实施方案的LCD装置及其制造方法可以防止图像的质量由于沿水平方向和垂直方向的暗线和闪烁而劣化。
对本领域技术人员明显的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以在本发明中做出各种修改方案和变化方案。因而，只要本发明的修改方案和变化方案落入所附权利要求及其等同物内容的范围内，则本发明旨在涵盖本发明的上述修改方案和变化方案。

Claims (13)

1.一种液晶显示(LCD)装置，包括：
多个栅极线，所述多个栅极线沿第一方向设置在基板上；
多个数据线，所述多个数据线沿第二方向设置为与所述多个栅极线交叉；
薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管设置在由所述多个栅极线和所述多个数据线限定的多个像素区中的每一个中；
像素电极，所述像素电极以四角形设置在所述多个像素区中的每一个中；以及
公共电极，所述公共电极设置在所述像素电极上并且构造为包括多个指状图案，
其中所述多个像素区中的每一个设置为四角形，
其中所述像素电极通过形成在所述栅极线上的接触孔电连接至所述TFT的漏电极，并且其中所述像素电极在所述栅极线上延伸。
2.根据权利要求1所述的LCD装置，其中，
所述像素电极沿着相应像素区的轮廓设置为四角形，以及
所述公共电极设置为以一定角度倾斜。
3.根据权利要求1所述的LCD装置，其中所述多个数据线设置为直线。
4.根据权利要求1所述的LCD装置，其中沿上下方向和左右方向相邻的像素的像素电极设置为相同的形状。
5.根据权利要求1所述的LCD装置，其中，
所述基板包括上基板，
在所述上基板上设置有限定所述多个像素区中的每一个的开口的黑矩阵，以及
所述黑矩阵的除用于覆盖柱形间隔物的部分之外的部分设置为四角形。
6.根据权利要求1所述的LCD装置，其中通过上下相邻的两个像素设置两个域。
7.根据权利要求1所述的LCD装置，其中在设置在上下相邻的像素中的公共电极的指状图案中，扭曲方向设置为不同。
8.根据权利要求1所述的LCD装置，其中，
一个像素单元由沿上下方向和左右方向相邻的八个像素构成，并且
所述一个像素单元被重复地设置。
9.一种制造液晶显示(LCD)装置的方法，所述方法包括：
在基板上沿第一方向形成多个栅极线，和形成薄膜晶体管(TFT)的栅电极；
形成栅极绝缘层以覆盖所述多个栅极线和所述栅电极；
在所述栅极绝缘层的与所述栅电极交叠的区域上形成有源层；
在所述基板上沿第二方向形成多个数据线，和形成所述TFT的源电极和漏电极；
形成第一钝化层和平坦化层以覆盖所述多个数据线和所述TFT，和形成接触孔以露出所述漏电极的顶部；
在由所述多个栅极线与所述多个数据线之间的交叉部限定的多个像素区中的每一个中以四角形形成像素电极；
形成第二钝化层以覆盖所述像素电极；以及
在所述第二钝化层上形成包括多个指状图案的公共电极，
其中所述多个像素区中的每一个形成为四角形，
其中所述像素电极通过形成在所述栅极线上的所述接触孔电连接至所述TFT的所述漏电极，并且其中所述像素电极在所述栅极线上延伸。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，
所述像素电极沿着相应像素区的轮廓形成为四角形，以及
所述公共电极形成为以一定角度倾斜。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述多个数据线形成为直线。
12.根据权利要求9所述的方法，其中沿上下方向和左右方向相邻的像素的像素电极形成为相同的形状。
13.根据权利要求9所述的方法，
其中所述基板包括上基板，以及
所述方法还包括在所述上基板上形成黑矩阵，所述黑矩阵限定所述多个像素区中的每一个的开口，
其中所述黑矩阵的除用于覆盖柱形间隔物的部分之外的部分形成为四角形。
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