CN105467686A - 一种显示基板及其制作方法、液晶盒、显示器 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示基板及其制作方法、液晶盒、显示器，用以有效改善Ghost？Mura，并且对于取向膜印刷偏移、边缘不均以及膜厚不均区域等缺陷均可以完全避免，进而提高液晶显示装置的图像质量特性。本申请提供的一种显示基板制作方法，包括：在衬底基板的所有区域进行取向膜涂覆；对完成取向膜全涂覆的衬底基板进行辊印工艺；采用曝光方法对所述衬底基板上的显示区域的取向膜进行曝光；采用剥离工艺剥离所述衬底基板上位于显示区域之外的取向膜；在所述衬底基板上的显示区域形成取向膜。

Description

一种显示基板及其制作方法、液晶盒、显示器
技术领域
本申请涉及显示器技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、液晶盒、显示器。
背景技术
边缘显示不均(RubbingGhostMura)是目前薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)工艺中非常严重的品质问题，严重影响产品的画面品质和良品率，并且不良产品检出率较低，并且容易漏检，造成后端严重的资材浪费以及品质问题。该不良的根本原因是因为玻璃基板(Panel)的边缘因为有绑定线路，在辊印(Rubbing)过程中，Rubbing到交接的位置，因为摩擦布(Cloth)接触不同的表面介质(包括ITO、PVX和取向膜)，产生的静电存在差异，使Cloth的毛向等发生变化，所以在Rubbing末尾产生取向异常的不良，称为GhostMura。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示基板及其制作方法、液晶盒、显示器，用以有效改善GhostMura，并且对于取向膜印刷偏移、边缘不均以及膜厚不均区域等缺陷均可以完全避免，进而提高液晶显示装置的图像质量特性。
本申请实施例提供的一种显示基板制作方法，包括：
在衬底基板的所有区域进行取向膜涂覆；
对完成取向膜全涂覆的衬底基板进行辊印工艺；
采用曝光方法对所述衬底基板上的显示区域的取向膜进行曝光；
采用剥离工艺剥离所述衬底基板上位于显示区域之外的取向膜；
在所述衬底基板上的显示区域形成取向膜。
通过该方法，在制作好的衬底基板上，进行取向膜全涂覆，然后进行Rubbing工艺，因为衬底基板接触的全是取向膜，不存在静电差异，可以有效的改善GhostMura，并且对于取向膜印刷偏移、边缘不均以及膜厚不均区域等缺陷均可以完全避免，进而提高液晶显示装置的图像质量特性。
较佳地，所述衬底基板为阵列基板或彩膜基板。
较佳地，所述曝光方法，为采用紫外线UV光进行曝光的方法。
较佳地，所述UV光的波长为146nm～365nm。
较佳地，所述掩模板与所述衬底基板的距离小于或等于50um。
较佳地，该方法还包括：对在显示区域留有取向膜的衬底基板，进行液晶滴下工艺。
本申请实施例提供的一种显示基板，该基板是采用本申请实施例提供的所述方法制得的显示基板。
较佳地，所述显示基板为阵列基板或彩膜基板。
本申请实施例提供的一种液晶盒，包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和/或所述彩膜基板，为采用本申请实施例提供的所述方法制得的基板。
本申请实施例提供的一种显示器，包括本申请实施例提供的所述液晶盒。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种显示基板制作方法的流程示意图；
图2为本申请实施例提供的一种显示基板制作方法的原理示意图；
图3为本申请实施例提供的另一种显示基板制作方法的流程示意图；
图4为本申请实施例提供的包括多个矩形的显示区域的衬底基板的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的完成取向膜全涂覆的衬底基板的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的对完成取向膜全涂覆的基板进行辊印工艺的示意图；
图7为本申请实施例提供的在显示区域留有取向膜的衬底基板的结构示意图。
具体实施方式
本申请实施例提供了一种显示基板及其制作方法、液晶盒、显示器，用以有效改善GhostMura，并且对于取向膜印刷偏移、边缘不均以及膜厚不均区域等缺陷均可以完全避免，进而提高液晶显示装置的图像质量特性。
参见图1，本申请实施例提供的一种显示基板制作方法，包括：
S101、在衬底基板的所有区域进行取向膜涂覆；
需要说明的是，在进行取向膜全涂覆的过程之前，所采用的取向液(PI)还是要进行与正常的印刷(Coater)、预固化、主固化等。
S102、对完成取向膜全涂覆的衬底基板进行辊印工艺；
S103、采用曝光方法对所述衬底基板上的显示区域的取向膜进行曝光；
S104、采用剥离工艺剥离所述衬底基板上位于显示区域之外的取向膜；
S105、在所述衬底基板上的显示区域形成取向膜。
较佳地，所述衬底基板为阵列基板或彩膜基板。
也就是说，本申请实施例提供的方法可以用于阵列基板的制作，也可以用于彩膜基板的制作。
较佳地，所述曝光方法，为采用紫外线UV光进行曝光的方法。
另外，较佳地，所采用的UVMask要保证PI和封框胶(Sealant)的交叠距离(Overlay)，不能存在交叠。
较佳地，所述UV光的波长为146nm～365nm。
当然，除此之外，还可以为其他波长。
较佳地，所述掩模板与所述衬底基板的距离小于或等于50um。
较佳地，该方法还包括：对在显示区域留有取向膜的衬底基板，进行液晶滴下工艺。
本申请实施例提供了一种新的基板制作工艺，在改善GhostMura的同时，可以正常绑定线路。参见图2，通过在制作好的阵列基板和彩膜基板上，进行取向膜全涂覆(图2中的灰色阴影部分即为全涂覆的取向膜)，然后进行Rubbing工艺，因为阵列基板和彩膜基板接触的全是取向膜，不存在静电差异，可以有效的改善GhostMura，Rubbing完成后，再采用紫外光线(UltravioletRays，UV)曝光的方法，将预设的取向膜区域制作的掩膜板设置于取向膜上，使掩膜板遮蔽显示区域的取向膜；通过UV光曝光剥离基板上位于显示区域取向膜以外的取向膜；撤去掩膜板，在显示区域留下取向膜；然后，再进行后续的液晶滴下(ODF)等工艺。从而可以有效改善GhostMura，并且对于取向膜印刷偏移、边缘不均以及膜厚不均区域等缺陷均可以完全避免，进而提高液晶显示装置的图像质量特性。
也就是说，参见图3，本申请实施例提供的另一种显示基板制作方法，包括：
S201、在制作好的衬底基板上进行取向膜全涂覆；
其中，所述制作好的衬底基板，如图4所示，其中包括多个矩形的显示区域。
S202、对完成取向膜全涂覆的衬底基板进行辊印工艺；
其中，完成取向膜全涂覆的衬底基板，如图5所示，灰色阴影部分即为全涂覆的取向膜。对完成取向膜全涂覆的基板进行辊印工艺的过程，如图6所示。
S203、采用曝光方法将掩模板遮蔽所述衬底基板上显示区域的取向膜；
S204、采用曝光方法剥离所述衬底基板上位于显示区域之外的取向膜；
S205、撤离所述掩模板，使得所述衬底基板上显示区域留下取向膜；
S206、对在显示区域留有取向膜的衬底基板，进行液晶滴下工艺。
其中，在显示区域留有取向膜的衬底基板，如图7所示，可见，每一显示区域均留有取向膜。
本申请实施例提供的一种显示基板，该显示基板是采用本申请实施例提供的所述方法制得的基板。
较佳地，所述显示基板为阵列基板或彩膜基板。
本申请实施例提供的一种液晶盒，包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和/或所述彩膜基板，为采用本申请实施例提供的所述方法制得的基板。
本申请实施例提供的一种显示器，包括本申请实施例提供的所述液晶盒。
综上所述，本申请实施例，在制作好的阵列和彩膜基板上，进行取向膜全涂覆，然后进行Rubbing工艺，因为接触的全是取向膜，不存在静电差异，可以有效的改善GhostMura，Rubbing完成后，再采用UV曝光方法，将预设的取向膜区域制作的掩膜板设置于取向膜上，使掩膜板遮蔽显示区域的取向膜；通过UV光曝光剥离基板上位于显示区域取向膜以外的取向膜；撤去掩膜板，在显示区域留下取向膜；然后再进行后续的ODF等工艺。从而可以有效改善GhostMura，并且对于取向膜印刷偏移、边缘不均以及膜厚不均区域等缺陷均可以完全避免，进而提高液晶显示装置的图像质量特性。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示基板制作方法，其特征在于，该方法包括：
在衬底基板的所有区域进行取向膜涂覆；
对完成取向膜全涂覆的衬底基板进行辊印工艺；
采用曝光方法对所述衬底基板上的显示区域的取向膜进行曝光；
采用剥离工艺剥离所述衬底基板上位于显示区域之外的取向膜；
在所述衬底基板上的显示区域形成取向膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底基板为阵列基板或彩膜基板。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光方法，为采用紫外线UV光进行曝光的方法。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述UV光的波长为146nm～365nm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩模板与所述衬底基板的距离小于或等于50um。
6.根据权利要求1～5任一权项所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板上的显示区域形成取向膜之后，该方法还包括：对在显示区域形成有取向膜的衬底基板，进行液晶滴下工艺。
7.一种显示基板，其特征在于，该基板是采用权利要求1所述方法制得的显示基板。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为阵列基板或彩膜基板。
9.一种液晶盒，包括阵列基板和彩膜基板，其特征在于，所述阵列基板和/或所述彩膜基板，为采用权利要求1所述方法制得的基板。
10.一种显示器，其特征在于，包括权利要求9所述液晶盒。
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