CN105261554A - 铜腐蚀抑制*** - Google Patents

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Abstract

提供了用于铜(Cu)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、钴(Co)和铝(Al)的金属腐蚀抑制清洗组合物、方法和***。所述金属腐蚀抑制清洗组合物通过使用两种化学制品—至少一种具有多于一个氨基的多官能胺和至少一种具有多于一个羧酸基团的多官能酸—的组合提供腐蚀抑制作用。所述金属腐蚀抑制清洗组合物有效地清洁源自高密度等离子体蚀刻之后用含氧的等离子体灰化的残余物，及化学机械抛光(CMP)后残留的浆料颗粒和残余物。

Description

铜腐蚀抑制***
相关申请的交叉引用
本专利申请是2014年7月14日提交的美国临时专利申请序号62/024,046的非临时申请，所述临时专利申请通过引用其全文并入本文。
技术领域
本发明涉及金属腐蚀抑制剂、金属腐蚀抑制清洗组合物和金属腐蚀抑制清洁***及使用该金属腐蚀抑制剂的方法。本发明涉及应用于包含精细的金属(例如铜(Cu)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、钴(Co)和铝(Al)，尤其是铜)互连结构的半导体装置的应用。
背景技术
由于微电子制造集成水平提高且图案化的微电子器件尺寸减小，本领域越来越普遍地使用铜金属化、低k和高k电介质。
在制造工艺中，将光致抗蚀剂的薄膜沉积在晶片衬底上，然后将电路设计成像在该薄膜上。烘干后，用光致抗蚀显影剂去除未聚合的抗蚀剂。然后通过反应性等离子体蚀刻气体或化学蚀刻剂溶液将所得的图像转印至通常是电介质或金属的下层材料。蚀刻剂气体或化学蚀刻剂溶液选择性地攻击衬底的非光致抗蚀剂保护的区域。作为等离子蚀刻过程的结果，光致抗蚀剂、蚀刻气体和经蚀刻的材料副产物作为残余物沉积在晶片或衬底上经蚀刻的开口的侧壁周围或之上。
在等离子体蚀刻和/或灰化过程之后去除这些蚀刻和/或灰化残余物被证明存在问题。未能完全去除或中和这些残余物可以导致吸湿和形成可以引起金属结构腐蚀的不期望的材料。电路材料被不期望的材料腐蚀并产生电路线中的间断(discontinuance)和不期望的电阻增加。
此外，在采用化学机械抛光(CMP)形成金属布线时，晶片的表面和背面均被金属抛光后残余的抛光剂、由抛光产生的抛光碎片及抛光剂和抛光垫中包含的金属杂质显著污染，因此抛光后不可避免要清洁其表面。
通常，为了去除晶片表面上存在的颗粒，期望的是进行用碱性溶液的清洗，因为一旦颗粒从晶片表面去除，重要的是阻止颗粒的再粘附。
尽管为了有效地去除金属杂质，期望的是用具有强金属溶解能力的酸性溶液进行清洗。然而，如已知的，金属受到这些碱性和酸性溶液的腐蚀。因此，在用这些溶液清洗其表面上金属布线裸露的晶片表面的情况下，通常存在清洗后的金属表面受到腐蚀从而引起线路电阻增加以及甚至线路损坏的问题。
已经进行使用腐蚀抑制剂来避免金属腐蚀的尝试。
各种现有技术组合物具有多种缺点，包括金属或绝缘体层的不需要的去除和期望的金属层(尤其是铜或铜合金部件)的腐蚀。一些现有技术制剂使用腐蚀抑制添加剂以阻止清洗过程中不期望的铜金属腐蚀。然而，那些常规的腐蚀抑制添加剂通常对于清洗过程具有不利影响，因为那些添加剂可以与残余物相互作用并阻止这种残余物溶解到清洗液中。
例如，钝化剂化学物质(如芳烃化合物，例如苯并***和5-甲基苯并咪唑)在清洗过程完成后不容易从铜表面冲洗掉。因此这类添加剂保留在试图清洗的表面上，并导致集成电路的污染。集成电路的污染可以不利地增加污染区域的电阻并引起电路内不可预知的传导故障。
其他抗氧化剂(牺牲性)化学物质，例如儿茶酚等，已知具有槽池寿命的问题。
已经进行了更多工作并总结如下。
US6,755,989描述了一种半导体晶片清洗制剂，包括1-21wt％氟化物源、20-55wt％有机胺、0.5-40wt％含氮组分例如含氮羧酸或亚胺、23-50wt％水和0-21wt％金属螯合剂。所述制剂可用于在抗蚀剂等离子体灰化步骤后从晶片去除残余物，例如从包含精密铜互连结构的半导体晶片去除无机残余物。
US6,224,785描述了用于清洗半导体衬底上无机残余物的包含氟化铵和胺的水性组合物。用于等离子体灰化后半导体制造的半导体晶片清洗制剂按所显示的重量百分比范围包含以下组分：氟化铵和/或其衍生物，1-21wt％；有机胺或两种胺的混合物，20-55wt％；水，23-50wt％；金属螯合剂或螯合剂混合物，0-21wt％。
US7,521,406描述了用于清洗微电子器件衬底的微电子清洗组合物，和尤其是通过包含氢卤酸、盐及其衍生物的微电子清洗组合物提供了可用于下述微电子衬底且与其具有改善的相容性的清洗组合物，所述微电子衬底特征在于二氧化硅、敏感的低K或高K电介质及铜、钨、钽、镍、金、钴、钯、铂、铬、钌、铑、铱、铪、钛、钼、锡和其他金属化以及Al或Al(Cu)金属化的衬底和高级互连技术。
发明简述
因此本发明的一个目的是提供用于保护半导体晶片或衬底上的铜结构的腐蚀抑制剂。
本发明的另一个目的是提供在残余物去除过程完成后容易被水或其他冲洗介质从衬底冲洗掉的腐蚀抑制剂，从而减少集成电路的污染。
本发明的另一个目的是提供在抗蚀剂灰化步骤和/或CMP步骤后有效去除残余物、而不会攻击和/或潜在地降解意欲保留在晶片上的精细金属结构的化学制剂(或组合物)和***。
本发明的另一个目的是提供使用在抗蚀剂灰化步骤和/或CMP步骤后有效去除残余物的腐蚀抑制剂、化学组合物和***的方法。
通过使用所公开的金属腐蚀抑制组合物、方法和***满足了所述需求。
在一个方面，提供了金属腐蚀抑制清洗组合物。所述组合物包含：
1)0.1wt％-5wt％的至少一种多官能酸；
2)0.0wt％-30wt％的至少一种多官能胺；和
3)余量基本上是液体载体；
其中
所述多官能胺是一个分子中具有多于一个氨基的胺或多胺；
所述多官能酸是一个分子中具有多于一个羧酸基团的酸或多酸；和
所述液体载体选自有机溶剂、水及其组合。
另一方面，提供了从包含至少一种金属的半导体晶片有效去除残余物的方法。所述方法包括如下步骤：
a)提供具有至少一个包含至少一种金属和残余物的表面的半导体晶片；
b)提供金属腐蚀抑制清洗组合物，所述组合物包含：
(i)0.1wt％-5wt％的至少一种多官能酸；
(ii)0.0wt％-30wt％的至少一种多官能胺；和
(iii)余量基本上是液体载体；
其中
所述多官能胺是一个分子中具有多于一个氨基的胺或多胺；
所述多官能酸是一个分子中具有多于一个羧酸基团的酸或多酸；和
所述液体载体选自有机溶剂、水及其组合；
c)使半导体晶片与金属腐蚀抑制清洗组合物接触；和
d)清洗残余物；
其中至少一部分具有残余物的表面与金属腐蚀抑制清洗组合物接触。
又一方面，提供了半导体晶片清洗***。所述***包含：
具有至少一个包含至少一种金属和残余物的表面的半导体晶片；和
金属腐蚀抑制清洗组合物，所述组合物包含：
(i)0.1wt％-5wt％的至少一种多官能酸；
(ii)0.0wt％-30wt％的至少一种多官能胺；和
(iii)余量基本上是液体载体；
其中
所述多官能胺是一个分子中具有多于一个氨基的胺或多胺；
所述多官能酸是一个分子中具有多于一个羧酸基团的酸或多酸；和
所述液体载体选自有机溶剂、水及其组合；
其中至少一部分具有残余物的表面与金属腐蚀抑制清洗组合物接触。
所述多官能胺包括但不限于聚乙烯亚胺、三胺、五胺、六胺及其组合。
所述多官能酸包括但不限于二羧酸(例如丙二酸、苹果酸等)、具有芳族部分的二羧酸(例如邻苯二甲酸(phthalicacid)等)及其组合；三羧酸(例如柠檬酸等)、具有芳族部分的三羧酸(例如偏苯三酸等)及其组合；四羧酸(例如乙二胺四乙酸(EDTA)等)；具有芳族部分的四羧酸(例如均苯四酸)及其组合。
有机溶剂最高为70wt％，且包括但不限于丙二醇(PG)、二醇醚、非质子溶剂例如N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲亚砜(DMSO)、二甲基乙酰胺(DMAC)、环丁砜、二甲基甲酰胺(DMF)及其组合。
所述金属腐蚀抑制清洗组合物可以进一步包含氟化物源、碱和任选的金属螯合剂、表面活性剂、稳定剂、腐蚀抑制剂和缓冲剂。
所述氟化物源为0.01wt％-1.0wt％；并且包括但不限于氢氟酸(HF)、氟化铵(NH4F)、氟化氢铵(NH4HF2)、四甲基氟化铵(TMAF)及其组合。
所述碱最高为50wt％；并且包括但不限于三乙醇胺(TEA)和取代的衍生物、二乙醇胺和取代的衍生物、单乙醇胺和取代的衍生物及其组合。
所述金属腐蚀抑制清洗组合物的pH为5到10。
本发明的其他方面、特征和实施方式将通过以下公开和附加的权利要求而更完全和清楚。
发明详述
本发明提供了用于铜(Cu)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、钴(Co)和铝(Al)的新型金属腐蚀抑制剂。本发明进一步提供了包含该新型金属腐蚀抑制剂的清洗组合物或适于清洗具有包含精细金属结构的表面的半导体衬底/晶片的组合物(它们可互换使用)。所述组合物有效地清洗源自高密度等离子体蚀刻之后含氧等离子体的灰化的残余物；及CMP(化学机械抛光)后残留的浆料颗粒和残余物。
本发明有利地使用两种化学物质的组合：至少一种多官能胺；和至少一种多官能酸。
所述多官能胺是具有多于一个氨基的胺或多胺。所述多官能酸是具有多于一个羧酸基团的酸或多酸。
不期望被理论束缚，据信多官能胺(一个分子中具有多个氨基)和多官能酸(一个分子中具有多于一个羧酸基团)形成保持复合的复合物(complex)。所述复合物提供特异性地吸引至游离金属原子的官能团并因此通过羧酸部分(所述羧酸基团桥接于胺和金属如Cu表面之间)附着于金属表面从而形成保护层以防止金属表面在清洗过程中被清洗组合物腐蚀。因此，金属如表面的钝化是通过抑制金属氧化物的形成，这通过阻断金属与大气氧的接触所引起。
此外，所述新型金属腐蚀抑制组合物可以通过去离子水或其他溶液容易地冲洗掉，且因此在清洗操作后在铜表面上几乎不留下污染物。
所述组合物的益处之一是长的槽池寿命，因为这种多胺-多酸复合物不被认为是抗氧化剂。这种复合物仍使用钝化剂以保护Cu不被腐蚀：它的吸附能比广泛采用的Cu腐蚀抑制剂如苯并***或其他的噻唑衍生物的吸附能低得多。
更具体地，所述金属腐蚀抑制清洗组合物包含(i)至少一种具有多于一个氨基的胺或多胺；(ii)至少一种具有多于一个羧酸基团的酸或多酸；和(iii)余量基本上是液体载体，其包括但不限于有机溶剂、水及其组合。
所述金属腐蚀抑制清洗组合物可以进一步包含(iv)氟化物源和(v)碱。
任选地，所述组合物可以包含金属螯合剂、表面活性剂、稳定剂、腐蚀抑制剂和缓冲剂中的一种或多种。
所述多官能胺(具有多于一个氨基的胺或多胺)包括但不限于聚乙烯亚胺、三胺、五胺和六胺。
所述组合物适宜地包含0.0wt％-30wt％的多官能胺；优选0.1wt％-25wt％，更优选0.5wt％-20wt％的具有多于一个氨基的胺或多胺。
所述多官能酸是具有多于一个羧酸基团的酸或多酸，包括但不限于(i)二羧酸(例如丙二酸、苹果酸等)；具有芳族部分的二羧酸(例如邻苯二甲酸等)及其组合；(ii)三羧酸(例如柠檬酸等)、具有芳族部分的三羧酸(例如偏苯三酸等)及其组合；和(iii)四羧酸(例如乙二胺四乙酸(EDTA)等)；具有芳族部分的四羧酸(例如均苯四酸)及其组合。
所述组合物适宜地包含0.1wt％-5wt％的多官能酸；优选0.25wt％-3wt％，更优选0.5wt％-2.0wt％的具有多于一个羧酸基团的酸或多酸。
所述氟化物源包括但不限于氢氟酸(HF)、氟化铵(NH4F)、氟化氢铵(NH4HF2)、四甲基氟化铵(TMAF)。
所述组合物适宜地包含0.01wt％-1.0wt％氟化物源，优选0.1wt％-1.0wt％，更优选0.5wt％-1.0wt％的氟化物源。
所述有机溶剂包括但不限于丙二醇(PG)、二醇醚、非质子溶剂例如N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲亚砜(DMSO)、二甲基乙酰胺(DMAC)、环丁砜和二甲基甲酰胺(DMF)。
所述组合物适宜地包含最高70wt％的有机溶剂，优选最高60wt％，更优选最高50wt％的有机溶剂。
所述组合物适宜地包含最高30wt％的水，优选最高25wt％，更优选最高22wt％的水。
所述组合物适宜地包含作为碱的其他胺以有效地去除残余物。所述胺可以包括但不限于三乙醇胺(TEA)、二乙醇胺、单乙醇胺和它们的取代衍生物。
所述组合物适宜地包含最高50wt％的碱；优选最高40wt％，更优选最高30wt％的碱。
所述组合物可以包含一种或多种金属螯合剂、表面活性剂、稳定剂、腐蚀抑制剂、缓冲剂和助溶剂，如在本发明组合物的给定最终用途的应用中有利的或期望的。
此外，本发明组合物的pH为5到10；优选6到9，更优选7.5到8.5。
具体实施方式
本发明的特征和优点通过以下非限制性实施例更完全地显示。在以下所示的实施例中，除非另有指出，所有百分比为重量百分比。所述组合物的pH大约为7.5到8.5。
实施例1
工作组合物45包含49.34wt％PG、4.13wt％柠檬酸(水中29％浓度)、28.55wt％TEA、16.98wt％HF(水中5％浓度)和1.00wt％聚乙烯亚胺(mw＝800)。
对比组合物45A、45D和45G的化学成分显示于表I。
组合物45A通过用乙酸(具有一个羧酸基团)替代柠檬酸(具有三个羧酸基团)来制备。因此，组合物45A不具有多官能酸。
组合物45C通过用单乙醇胺(MEA)(非多官能胺)替代聚乙烯亚胺(mw＝800)(多官能胺)来制备。因此，组合物45C不具有多官能胺。此外，柠檬酸由聚丙烯酸(脂族多元酸)(水中35％浓度)替代。
组合物45D通过用DIW替代部分(23.95wt％)的PG来制备。因此，组合物45D是组合物45的更加水性的组合物。
请注意45A、45C和45G中额外的少量DIW不应影响CuER的性能，因为组合物中存在来自例如柠檬酸(水中29％浓度)、HF(水中5％浓度)和聚丙烯酸(水中35％浓度)的水。
表I
组合物45G不使用聚乙烯亚胺(mw＝800)制备。因此，组合物45G不具有多官能胺。
组合物47N是45G的更加水性的组合物。该组合物不具有多官能胺且一部分PG被DIW替代。
这组组合物在空白铜衬底上测试。在0-5、15-30和15-60分钟时测量的铜的蚀刻率(ER)显示于表I。
工作组合物45提供了对于Cu的最佳腐蚀抑制。Cu蚀刻率小于
不含所述新型腐蚀抑制***的对比组合物给出以下蚀刻率：
不具有多官能酸的45A给出的CuER；
不具有多官能胺的45C给出的CuER；和
不具有多官能胺的45G给出和
不具有多官能胺的更加水性的47N给出
具有多官能胺和多官能酸但具有额外的DI水的45D提高了Cu蚀刻率少许，但仍给出的低蚀刻率。
这组工作实施例表明，包含具有多于一个氨基的多官能胺和具有多于一个羧酸基团(例如3个羧酸基团)的多官能酸的组合的腐蚀抑制剂的组合物给出了出人意料的和独特的协同腐蚀抑制作用。
实施例2
进行这组实验以测试包含柠檬酸和另一种具有芳族部分的多官能酸的组合物。具有芳族部分的多官能酸是偏苯三酸、均苯四酸和邻苯二甲酸。
组合物53J包含46.67wt％PG、4.83wt％柠檬酸(水中29％浓度)、28.00wt％TEA、20.00wt％HF(水中5％浓度)和1.00wt％聚乙烯亚胺(mw＝800)。
组合物53G通过用0.20wt％均苯四酸替代组合物53J中的一小部分柠檬酸来制备。
如表II所示，组合物53J提供的Cu蚀刻率。组合物53G提供的Cu蚀刻率。因此，添加具有芳族部分的多官能酸不影响CuER。
表II
实施例3
对组合物47系列进行一组实验来测试组合物中具有芳族部分的多官能酸的使用。所测试的具有芳族部分的多官能酸是偏苯三酸、均苯四酸和邻苯二甲酸。
此外，如表III所示，该组实验在更加水性的组合物中进行。那些组合物允许使用较高wt％的水。
进行一组实验(组合物47A到47B)以在组合物中使用具有芳族部分的多官能酸。
组合物47A用DIW、丙二醇(PG)、三乙醇胺(TEA)、HF(水中5％浓度)、2.20wt％偏苯三酸(多官能酸)和聚乙烯亚胺(mw＝800)(多官能胺)来制备。
组合物47B的制备与组合物47A非常类似，用DIW、PG、TEA、HF(水中5％浓度)、2.70wt％邻苯二甲酸(多官能酸)和聚乙烯亚胺(mw＝800)(多官能胺)来制备。
如表III所示，单独使用超过2.0wt％的量的那些具有芳族部分的多官能酸(不使用柠檬酸)将组合物47A和47B的CuER分别提高至和
用具有芳族部分的多官能酸替代不具有芳族部分的多官能酸没有获得良好的CuER。
表III
进行另一组实验(组合物47E和47F)以在组合物中使用至少两种多官能酸：柠檬酸与偏苯三酸、均苯四酸或邻苯二甲酸的组合。
用一种多官能酸，7.15wt％柠檬酸(29％)制备的组合物47L用作组合物47E和47F的对照。
组合物47E用6.8wt％柠檬酸(29％)和0.10wt％均苯四酸的组合来制备。
组合物47F用6.8wt％柠檬酸(29％)和0.10wt％邻苯二甲酸的组合来制备。
如表III所示，将具有芳族部分的多官能酸添加至组合物中不影响Cu蚀刻率。组合物47C给出组合物47E和47F分别给出和结果与用较低水性组合物的实施例2的结果一致。
进行又一组实验(制剂47H、47I和47J)来测试使用不同组酸的组合物：组合物47H使用乙酸(具有一个羧酸基团，即非多官能酸)制备；组合物47I使用苹果酸(具有两个羧酸基团)制备；和组合物47J使用丙二酸(具有两个羧酸基团)制备。此外，那些组合物还使用均苯四酸(具有芳族部分的多官能酸)。仅使用乙酸制备的组合物47M用作组合物47H的对照。
如表III所示，仅具有乙酸的组合物47M具有高的CuER( )，这与来自较低水性的组合物45A(显示于表I中)的结果一致。在组合物47H中添加0.10wt％均苯四酸使CuER略微降低但仍给出的高CuER。
具有多官能酸苹果酸和丙二酸的组合物47I和47J分别给出较低的CuER，为和
这组工作实施例再次表明，给出最佳腐蚀抑制***的组合物要求具有多于一个氨基的多官能胺和具有多于一个羧酸基团(例如2个或3个羧酸基团)的多官能酸的组合，以及较低水性的组合物。
这组工作实施例表明，所述组合物允许使用较高wt％的水而不改变Cu相容性。
总之，工作实施例1到3表明，含有具有多于一个氨基的多官能胺和具有多于一个羧酸基团的多官能酸的组合的组合物实现了出人意料的和独特的协同腐蚀抑制作用。
实施例4
如表4所示，组合物45B用聚乙烯亚胺(mw＝800)和聚丙烯酸制备。然而，这两种物质混合后不久，形成不溶于水或有机溶剂的粘性的粘胶样材料。强烈预测该粘胶材料是多酸和多胺之间的相互作用产生的复合物。已知多胺和多酸之间的相互作用被用于采用Langmuir-Brodgett技术沉积薄膜层。
与组合物45B相比，组合物47G具有较少量的0.30wt％聚丙烯酸溶液(水中35％浓度)。组合物47G给出良好的Cu相容性(CuER为)，但溶液具有混浊问题。
表4
*形成粘性的粘胶样材料
**混浊问题
从来自组合物45B和47G的结果，很明显需要多官能酸和多官能胺的正确组合以在水性介质中保持所述多酸-多胺复合物。为避免该问题，最好多官能酸和多官能胺之一是非聚合的。工作实施例表明，具有适当选择的分子的这些组合使得能够形成透明溶液。
多官能酸分子和多官能胺分子的选择可以来自(1)具有多个胺官能团的聚合物分子和具有多个酸性官能团的小(低聚)分子或(2)具有多个酸性官能团的聚合物分子和具有多个胺官能团的小(低聚)分子。
工作实施例表明，具有适当选择的分子的这些组合使得能够形成透明溶液。
实施例5
进行这组实验以测试如表5所示的组合物。106E用单乙醇胺(MEA)和柠檬酸制备。106G/H/C/i/J/K用二亚乙基三胺(DETA)和柠檬酸制备。
表5
MW*---分子量
结果表明组合物仍提供良好的腐蚀抑制作用。
以上优选实施方式的实施例和描述应视为说明性的，而不是限制如权利要求所限定的本发明。如将容易理解的，可以在不脱离如权利要求所述的本发明的情况下使用上述特征的众多变化和组合。这种变化不被认为偏离本发明的精神和范围，且所有这种变化意欲包括在以下权利要求的范围内。

Claims (13)

1.金属腐蚀抑制清洗组合物，其包含：
1)0.1wt％-5wt％的至少一种多官能酸；
2)0.0wt％-30wt％的至少一种多官能胺；
3)余量基本上是液体载体；和
任选的
4)氟化物源；
5)碱；
6)金属螯合剂；
7)表面活性剂；
8)稳定剂；
9)腐蚀抑制剂；和
10)缓冲剂；
其中
所述多官能胺是一个分子中具有多于一个氨基的胺或多胺；
所述多官能酸是一个分子中具有多于一个羧酸基团的酸或多酸；和
所述液体载体选自有机溶剂、水及其组合。
2.根据权利要求1所述的金属腐蚀抑制清洗组合物，其中所述多官能胺选自聚乙烯亚胺、三胺、五胺、六胺及其组合。
3.根据权利要求1或2所述的金属腐蚀抑制清洗组合物，其中所述多官能酸选自(i)二羧酸、具有芳族部分的二羧酸及其组合；(ii)三羧酸、具有芳族部分的三羧酸及其组合；和(iii)四羧酸、具有芳族部分的四羧酸及其组合。
4.根据权利要求1-3任一项所述的金属腐蚀抑制清洗组合物，其中所述二羧酸选自丙二酸、苹果酸及其组合；所述具有芳族部分的二羧酸是邻苯二甲酸；所述三羧酸是柠檬酸；所述具有芳族部分的三羧酸是偏苯三酸；所述四羧酸是乙二胺四乙酸(EDTA)；且所述具有芳族部分的四羧酸是均苯四酸。
5.根据权利要求1-4任一项所述的金属腐蚀抑制清洗组合物，其中所述有机溶剂选自丙二醇(PG)、二醇醚、非质子溶剂例如N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲亚砜(DMSO)、二甲基乙酰胺(DMAC)、环丁砜、二甲基甲酰胺(DMF)及其组合；且所述有机溶剂最高为70wt％。
6.根据权利要求1-5任一项所述的金属腐蚀抑制清洗组合物，其中所述氟化物源选自氢氟酸(HF)、氟化铵(NH4F)、氟化氢铵(NH4HF2)、四甲基氟化铵(TMAF)及其组合；且所述氟化物源为0.01wt％-1.0wt％；所述碱选自三乙醇胺(TEA)和取代的衍生物、二乙醇胺和取代的衍生物、单乙醇胺和取代的衍生物、及其组合；且所述碱最高为50wt％。
7.根据权利要求1-6任一项所述的金属腐蚀抑制清洗组合物，其中所述金属腐蚀抑制清洗组合物的pH为5到10；且所述多官能酸和所述多官能胺中至少一种是非聚合的。
8.清洗半导体晶片的方法，所述方法包括：
a)提供具有至少一个包含至少一种金属和残余物的表面的半导体晶片；
b)提供根据权利要求1-7任一项所述的金属腐蚀抑制清洗组合物；
c)使所述半导体晶片与所述金属腐蚀抑制清洗组合物接触；和
d)清洗所述残余物；
其中至少一部分具有残余物的所述表面与所述金属腐蚀抑制清洗组合物接触。
9.根据权利要求8所述的清洗半导体晶片的方法，其中所述金属选自铜(Cu)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、钴(Co)和铝(Al)及其组合；所述残余物来自高密度等离子体蚀刻之后含氧等离子体的灰化；和来自化学机械抛光(CMP)。
10.根据权利要求8或9所述的清洗半导体晶片的方法，其中所述金属是铜(Cu)。
11.半导体晶片清洗***，其包含：
具有至少一个包含至少一种金属和残余物的表面的半导体晶片；和
根据权利要求1-7任一项所述的金属腐蚀抑制清洗组合物；
其中至少一部分具有残余物的所述表面与所述金属腐蚀抑制清洗组合物接触。
12.根据权利要求11所述的半导体晶片清洗***，其中所述金属选自铜(Cu)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、钴(Co)和铝(Al)及其组合；所述残余物来自高密度等离子体蚀刻之后含氧等离子体的灰化；和来自化学机械抛光(CMP)。
13.根据权利要求11或12所述的半导体晶片清洗***，其中所述金属是铜(Cu)。
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