CN109971565B - 一种含氟清洗液 - Google Patents

一种含氟清洗液 Download PDF

Info

Publication number
CN109971565B
CN109971565B CN201711439626.2A CN201711439626A CN109971565B CN 109971565 B CN109971565 B CN 109971565B CN 201711439626 A CN201711439626 A CN 201711439626A CN 109971565 B CN109971565 B CN 109971565B
Authority
CN
China
Prior art keywords
organic
cleaning solution
fluoride
cleaning
amine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711439626.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109971565A (zh
Inventor
何春阳
赵鹏
刘兵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ningbo Anji Microelectronics Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd filed Critical Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Priority to CN201711439626.2A priority Critical patent/CN109971565B/zh
Publication of CN109971565A publication Critical patent/CN109971565A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109971565B publication Critical patent/CN109971565B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3703—Macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3703—Macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C11D3/3723—Polyamines or polyalkyleneimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C11D3/3769—(Co)polymerised monomers containing nitrogen, e.g. carbonamides, nitriles or amines
    • C11D3/3773—(Co)polymerised monomers containing nitrogen, e.g. carbonamides, nitriles or amines in liquid compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/08—Acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/10—Salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/268—Carbohydrates or derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3245—Aminoacids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5009—Organic solvents containing phosphorus, sulfur or silicon, e.g. dimethylsulfoxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提出一种含氟清洗液，其含有：氟化物、有机胺、有机溶剂、水和含氮杂环物及其聚合物。本发明的清洗液清洗能力强，可有效去除半导体制程过程中等离子刻蚀残留物，尤其是在铜马士革工艺中灰化后的残留物，并且在高转速单片机清洗中对非金属材料(如氮氧化硅)和金属材料(如Cu)等有较小的腐蚀速率，有效的解决了传统氮唑类腐蚀抑制剂控制金属表面腐蚀的吸附问题。

Description

一种含氟清洗液
技术领域
本发明涉及清洗液技术领域，尤其涉及一种含氟的清洗液。
背景技术
在半导体元器件制造过程中，光阻层的涂敷、曝光和成像对元器件的图案制造来说是必要的工艺步骤。在图案化的最后(即在光阻层的涂敷、成像、离子植入和蚀刻之后)进行下一工艺步骤之前，光阻层材料的残留物需彻底除去。在掺杂步骤中离子轰击会硬化光阻层聚合物，因此使得光阻层变得不易溶解从而更难于除去。至今在半导体制造工业中一般使用两步法(干法灰化和湿蚀刻)除去这层光阻层膜。第一步利用干法灰化除去光阻层(PR)的大部分。第二步利用缓蚀剂组合物湿蚀刻/清洗工艺除去剩余的光阻层，其具体步骤一般为清洗液清洗/漂洗/去离子水漂洗。在此过程中，只能除去残留的聚合物光阻层和无机物，而不能攻击损害金属层。随着半导体制造技术水平的提高以及电子器件尺寸的降低，在半导体制造领域中使用金属铜、low-k介质材料越来越多。尤其是铜双大马士革工艺越来越广泛的情况下，寻找能够有效去除刻蚀残留物的同时又能保护low-k介质材料、非金属材料和金属材料的清洗液就越来越重要。同时随着半导体制程尺寸越来越小，清洗方式也越来越广泛的使用到高速旋转单片清洗，因此对金属和非金属材料的腐蚀控制也越来越严格，开发能够适用于批量浸泡式、批量旋转喷雾式清洗方式，尤其适用于高转速单片旋转式的清洗方式的清洗液是亟待解决的问题。
现有技术中典型的清洗液有以下几种：胺类清洗液，半水性胺基(非羟胺类)清洗液以及氟化物类清洗液。其中，前两类清洗液主要应用在金属铝线的清洗工艺中，该清洗液需要在高温下清洗，一般在60℃到80℃之间，存在对金属的腐蚀速率较大的问题。而现有的氟化物类清洗液虽然能在较低的温度(室温到50℃)下进行清洗，但仍然存在着各种各样的缺点。例如，不能同时控制金属和非金属基材的腐蚀，清洗后容易造成通道特征尺寸的改变，从而改变半导体结构；采用传统苯并三氮唑作金属铜的腐蚀抑制剂，虽然金属铜的蚀刻速率较小，但是传统唑类腐蚀抑制剂(BTA)不仅难以降解对生物体系不环保，而且在清洗结束后容易吸附在铜表面，导致集成电路的污染，会引起电路内不可预见的导电故障；有些现有技术避开传统唑类使用能够控制铜腐蚀和表面吸附的抑制剂，但是存在黏度表面张力大清洗效果不理想的问题。
US6，387，859公开了含氟同时含有羟胺的清洗液，使用苯并三氮唑类(BTA)作为铜的腐蚀抑制剂，虽然保护效果较好，仍然未能解决表面吸附的问题，也没有解决在高速旋转下清洗液对金属腐蚀在控制情况。
US 5,972,862公开了含氟物质的清洗组合物，其包括含氟物质、无机或有机酸、季铵盐和有机极性溶剂，pH为7～11，由于其清洗效果不是很稳定，存在多样的问题。
US6，224，785公开了一种对铜有极低腐蚀的含氟清洗组合物，尽管该清洗液对铜的保护非常优良，不存在腐蚀抑制表面吸附问题，但是其清洗液的粘度与表面张力都很大，从而影响清洗效果，业界使用中也常常存在球形颗粒(ball defect)的问题。
因此，为了克服现有清洗液的缺陷，适应新的清洗要求，比如环境更为友善、克服金属腐蚀抑制剂表面吸附、低缺陷水平、低刻蚀率以及适用于高转速旋转洗清方式等，亟待寻求新的清洗液。
发明内容
为解决上述问题，本发明提出一种含氟清洗液，其含有：氟化物、有机胺、有机溶剂、水和含氮杂环物及其聚合物。本发明清洗液清洗能力强，可有效去除半导体制程过程中等离子刻蚀残留物，尤其是在铜马士革工艺中灰化后的残留物，并且在高转速单片机清洗中对非金属材料(如氮氧化硅)和金属材料(如Cu)等有较小的腐蚀速率，有效的解决了传统氮唑类腐蚀抑制剂控制金属表面腐蚀的吸附问题。
具体地，本发明提供一种含氟清洗液，其包括，氟化物、有机胺、含氮杂环物及其聚合物、有机溶剂、以及水。
优选地，所述氟化物选自氟化氢和/或氟化氢与碱形成的盐。
优选地，所述氟化物选自氟化氢(HF)、氟化铵(NH4F)、氟化氢铵(NH4HF2)、四甲基氟化铵(N(CH3)4F)和三羟乙基氟化铵(N(CH2OH)3HF)中的一种或多种，所述碱选自氨水、季胺氢氧化物和醇胺中的一种或多种。
优选地，所述氟化物的含量较佳的为质量百分比0.01～20％。
优选地，所述有机胺选自含羟基、氨基和羧基的有机胺中的一种或多种。
优选地，所述的含羟基的有机胺为醇胺；所述的含氨基的有机胺为有机多胺；所述含羧基的有机胺为氨基的有机酸；更加优选地，所述醇胺选自乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、N，N-二甲基乙醇胺和N-甲基二乙醇胺中的一种或多种；所述有机多胺选自二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺和多乙烯多胺中的一种或多种；所述有机酸选自2-氨基乙酸、2-氨基苯甲酸、亚氨基二乙酸，氨三乙酸和乙二胺四乙酸中的一种或多种。
优选地，所述有机胺的质量百分比浓度为1～15％。
优选地，所述含氮杂环物及其聚合物选自聚乙二胺类、聚(2-乙基-2-唑啉)类、聚乙烯亚胺类、聚苯胺类、聚异丙基丙烯酰胺、壳聚糖、三聚氰胺等中的一种或多种。
优选地，所述含氮杂环物及其聚合物质量百分比浓度为0.01～5％。更加优选地，所述含氮杂环物及其聚合物质量百分比浓度为0.05-2％。
优选地，所述有机溶剂选自亚砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、酰胺和醇中的一种或多种。更加优选地，所述亚砜选自二甲基亚砜、二乙基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；所述咪唑烷酮选自2-咪唑烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮和1,3-二乙基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；所述吡咯烷酮选自N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮和N-羟乙基吡咯烷酮中的一种或多种；所述醇选自1,2-丙二醇、丙三醇和1,4-丁二醇中的一种或多种。
优选地，所述有机溶剂的质量百分比浓度为10～40％。
优选地，所述水的质量百分比浓度为20～60％。
与现有技术相比较，本发明的技术优势在于：
1)本发明的清洗液清洗能力强，可有效去除半导体制程过程中等离子刻蚀残留物，尤其是在铜马士革工艺中灰化后的残留物；
2)本发明在高转速单片机清洗中对非金属材料(如氮氧化硅)和金属材料(如Cu)等有较小的腐蚀速率，有效的解决了传统氮唑类腐蚀抑制剂控制金属表面腐蚀的吸附问题，适用于批量浸泡式、批量旋转喷雾式清洗方式，尤其适用于高转速单片旋转式的清洗方式；
3)本发明的清洗液具有较大操作窗口，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
具体实施方式
下面结合表格及具体实施例，详细阐述本发明的优势。
本发明所用试剂及原料均市售可得。按照表1中所列举的各组分及其含量，混合至完全均匀，则可得到符合本发明的优选实施例，具体如表1所示。
表1对比例及符合本发明的优选实施例地组分及含量
Figure BDA0001526404920000041
Figure BDA0001526404920000051
Figure BDA0001526404920000061
本发明将金属(Cu)空白硅片和非金属(SiON)空白硅片分别按照表1中组合和含量混合得到的实施例及对比例的清洗液中，置于40℃下以不同转速处理30min,经去离子水漂洗后用高纯氮气吹干，观察金属及非金属的腐蚀速率；然后，将大马士革工艺中含有等离子刻蚀残留物的金属孔道晶圆置于高速旋转清洗方式下，在25℃至50℃下旋转1.5min,经去离子水漂洗后用高纯氮气吹干，观察晶圆清洗结果。并得到残留物的清洗效果及对金属和非金属的腐蚀情况如表2所示。
表2部分实施例与对比例的清洗结果对照表
Figure BDA0001526404920000062
注：表2中Cu为铜；SiON为氮化硅。
从表2中，对比例5-1和对比例8-1与实施例5和实施例8可以看出，在其他组分及含量基本相同的情况下，本发明的实施例5、8为加入了含氮杂环物及其聚合物的含氟清洗液，在保持对非金属的低腐蚀性的同时，其对金属铜的腐蚀速率明显下降。同时，本发明实施例5、8的清洗液清洗后，晶圆上的等离子刻蚀残留物均被去除，大马士革工艺下铜的金属孔道没有变宽。而，对比例5-1和对比例8-1没有添加含氮杂环物及其聚合物，均出现了大马士革工艺下铜的金属孔道变宽的问题。可见，含氮杂环物及其聚合物与本发明清洗液的其他组分配合可实现抑制大马士革工艺下铜的金属孔道变宽的问题。
另外，对比例12-1使用半导体业界常用氮唑类金属腐蚀抑制剂苯并三氮唑来替代本发明的含氮杂环物及其聚合物，尽管可以实现对金属和非金属腐蚀控制，但是添加了氮唑类腐蚀抑制剂的对比例12-1出现了表面不均匀通道电性能测试不合格的问题。
而，从表2中可以看出：本发明的清洗液对半导体制成中所用的金属(如Cu)和非金属(SiON)基本不会侵蚀，其腐蚀速率在不同转速下均接近或小于半导体业界通常在单片高速旋转清洗下所要求的
Figure BDA0001526404920000073
/min和
Figure BDA0001526404920000072
综上,可以看出，本发现的含氮杂环物及其聚合物的含氟清洗液可以有效的取代传统氮唑类腐蚀抑制剂，实现金属和非金属腐蚀速率的控制，同时可以有效去除半导体大马士革工艺中等离子刻蚀残留物，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。
应当理解的是，本发明所述wt％均指的是质量百分含量。
应当注意的是，本发明的实施例有较佳的实施性，且并非对本发明作任何形式的限制，任何熟悉该领域的技术人员可能利用上述揭示的技术内容变更或修饰为等同的有效实施例，但凡未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改或等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (7)

1.一种含氟清洗液，其特征在于，包括，氟化物、有机胺、含氮杂环物及其聚合物、有机溶剂以及水，其中所述氟化物选自氟化氢和/或氟化氢与碱形成的盐，所述有机胺选自含羟基、氨基和羧基的有机胺中的一种或多种，所述含氮杂环物及其聚合物选自聚乙二胺类、聚(2-乙基-2-唑啉)类、聚乙烯亚胺类、聚苯胺类、聚异丙基丙烯酰胺、壳聚糖、三聚氰胺中的一种或多种，所述氟化物的质量百分比浓度为0.01~20%，所述有机胺的质量百分比浓度为1~15%，所述含氮杂环物及其聚合物的质量百分比浓度为0.01~5%，所述有机溶剂的质量百分比浓度为10~40%，所述水的质量百分比浓度为20~60%。
2. 如权利要求1 所述的清洗液，其特征在于，
所述氟化物选自氟化氢、氟化铵、氟化氢铵、四甲基氟化铵和三羟乙基氟化铵中的一种或多种，所述碱选自氨水、季胺氢氧化物和醇胺中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，
所述含羟基的有机胺为醇胺；所述含氨基的有机胺为有机多胺；所述含羧基的有机胺为氨基的有机酸。
4.如权利要求3所述的清洗液，其特征在于，
所述醇胺选自乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、N，N-二甲基乙醇胺和N-甲基二乙醇胺中的一种或多种；所述有机多胺选自二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺和多乙烯多胺中的一种或多种；所述有机酸选自2-氨基乙酸、2-氨基苯甲酸、亚氨基二乙酸，氨三乙酸和乙二胺四乙酸中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，
所述含氮杂环物及其聚合物的质量百分比浓度为0.05-2%。
6.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，
所述有机溶剂选自亚砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、酰胺和醇中的一种或多种。
7.如权利要求6所述的清洗液，其特征在于，
所述亚砜选自二甲基亚砜、二乙基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；所述咪唑烷酮选自2-咪唑烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮和1,3-二乙基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；所述吡咯烷酮选自N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮和N-羟乙基吡咯烷酮中的一种或多种；所述醇选自1,2-丙二醇、丙三醇和1,4-丁二醇中的一种或多种。
CN201711439626.2A 2017-12-27 2017-12-27 一种含氟清洗液 Active CN109971565B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711439626.2A CN109971565B (zh) 2017-12-27 2017-12-27 一种含氟清洗液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711439626.2A CN109971565B (zh) 2017-12-27 2017-12-27 一种含氟清洗液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109971565A CN109971565A (zh) 2019-07-05
CN109971565B true CN109971565B (zh) 2021-10-22

Family

ID=67072385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711439626.2A Active CN109971565B (zh) 2017-12-27 2017-12-27 一种含氟清洗液

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109971565B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1394357A (zh) * 2000-09-01 2003-01-29 株式会社德山 残渣洗涤液
CN1447754A (zh) * 2000-07-10 2003-10-08 Ekc技术公司 用于清洁半导体设备上有机残余物和等离子蚀刻残余物的组合物
CN101076760A (zh) * 2004-12-10 2007-11-21 马林克罗特贝克公司 含有聚合物腐蚀抑制剂的非水的、无腐蚀性的微电子清洁组合物
CN104730870A (zh) * 2013-12-20 2015-06-24 气体产品与化学公司 用于除去氮化钛硬掩模和蚀刻残留物的组合物
CN105261554A (zh) * 2014-07-14 2016-01-20 气体产品与化学公司 铜腐蚀抑制***
CN107312662A (zh) * 2017-07-03 2017-11-03 中山翰华锡业有限公司 一种焊锡残留物用环保水基清洗剂及其制备与使用方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1447754A (zh) * 2000-07-10 2003-10-08 Ekc技术公司 用于清洁半导体设备上有机残余物和等离子蚀刻残余物的组合物
CN1394357A (zh) * 2000-09-01 2003-01-29 株式会社德山 残渣洗涤液
CN101076760A (zh) * 2004-12-10 2007-11-21 马林克罗特贝克公司 含有聚合物腐蚀抑制剂的非水的、无腐蚀性的微电子清洁组合物
CN104730870A (zh) * 2013-12-20 2015-06-24 气体产品与化学公司 用于除去氮化钛硬掩模和蚀刻残留物的组合物
CN105261554A (zh) * 2014-07-14 2016-01-20 气体产品与化学公司 铜腐蚀抑制***
CN107312662A (zh) * 2017-07-03 2017-11-03 中山翰华锡业有限公司 一种焊锡残留物用环保水基清洗剂及其制备与使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109971565A (zh) 2019-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6339555B2 (ja) 高いｗｎ／ｗ選択率を有するストリッピング組成物
EP2975108B1 (en) Copper corrosion inhibition system
US9443713B2 (en) Oxidizing aqueous cleaner for the removal of post-etch residues
JP5813280B2 (ja) 半導体デバイス用洗浄液、および洗浄方法
CN102047184B (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
TW201639947A (zh) ＴｉＮ硬遮罩及蝕刻殘留物的移除
TW200538544A (en) Alkaline post-chemical mechanical planarization cleaning compositions
CN106919013B (zh) 一种低蚀刻的去除光阻残留物的清洗液
CN101827926A (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN104946429A (zh) 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液
TWI745569B (zh) 半導體裝置用基板之清潔液、半導體裝置用基板之清潔方法、半導體裝置用基板之製造方法及半導體裝置用基板
CN101666984B (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN101827927A (zh) 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN108121175B (zh) 一种含氟清洗液
CN109971565B (zh) 一种含氟清洗液
JP7180667B2 (ja) アルミナの保護液、保護方法及びこれを用いたアルミナ層を有する半導体基板の製造方法
KR20100011950A (ko) 초저의 유전체 식각율을 갖는 세정 조성물
CN110669597A (zh) 一种含氟清洗液
TW201833318A (zh) 洗淨液組成物
CN102968001A (zh) 一种碱性的清洗液
US20230357635A1 (en) Silicon etchant and silicon etching method
CN102051281B (zh) 一种含氟组合液
TWI537378B (zh) 電漿蝕刻殘留物清洗液
CN108255025A (zh) 一种清洗液
CN117778118A (zh) 一种低刻蚀半导体芯片清洗液、其制备方法及用途

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20211214

Address after: 315800 No. 79, Qingshan Road, Chaiqiao street, Beilun District, Ningbo City, Zhejiang Province

Patentee after: Ningbo Anji Microelectronics Technology Co.,Ltd.

Address before: 201203 floor 1-2, Block E, building 1, No. 889, Bibo Road, Zhangjiang High Tech Park, Pudong New Area, Shanghai

Patentee before: ANJI MICROELECTRONICS (SHANGHAI) Co.,Ltd.